Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

KR100997328B1 - 이미지센서 및 그 제조방법 - Google Patents

이미지센서 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100997328B1
KR100997328B1 KR1020080074130A KR20080074130A KR100997328B1 KR 100997328 B1 KR100997328 B1 KR 100997328B1 KR 1020080074130 A KR1020080074130 A KR 1020080074130A KR 20080074130 A KR20080074130 A KR 20080074130A KR 100997328 B1 KR100997328 B1 KR 100997328B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
region
wiring
substrate
conductivity type
image sensor
Prior art date
Application number
KR1020080074130A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090071332A (ko
Inventor
한창훈
Original Assignee
주식회사 동부하이텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 동부하이텍 filed Critical 주식회사 동부하이텍
Publication of KR20090071332A publication Critical patent/KR20090071332A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100997328B1 publication Critical patent/KR100997328B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
    • H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
    • H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H10F30/22—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes
    • H10F30/223—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes the potential barrier being a PIN barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
    • H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
    • H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H10F30/22—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes
    • H10F30/223—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes the potential barrier being a PIN barrier
    • H10F30/2235—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes the potential barrier being a PIN barrier the devices comprising Group IV amorphous materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/011—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12
    • H10F39/016—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12 of thin-film-based image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/011—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12
    • H10F39/026—Wafer-level processing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/70—Surface textures, e.g. pyramid structures
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

실시예에 따른 이미지센서는 제1 기판에 형성된 리드아웃 회로(Readout Circuitry); 상기 제1 기판 상에 형성된 층간절연층; 상기 층간절연층에 상기 리드아웃 회로와 전기적으로 연결되어 형성된 배선; 및 상기 배선 상에 형성된 이미지감지부(Image Sensing Device);를 포함하며, 상기 이미지감지부의 상측에는 요철이 형성된 것을 특징으로 한다.
이미지센서, 포토다이오드, 리드아웃 회로

Description

이미지센서 및 그 제조방법{Image Sensor and Method for Manufacturing thereof}
실시예는 이미지센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
이미지센서(Image sensor)는 광학적 영상(optical image)을 전기적 신호로 변환시키는 반도체소자로서, 전하결합소자(Charge Coupled Device: CCD)와 씨모스(CMOS) 이미지센서(Image Sensor)(CIS)로 구분된다.
종래의 기술에서는 기판에 포토다이오드(Photodiode)를 이온주입 방식으로 형성시킨다. 그런데, 칩사이즈(Chip Size) 증가 없이 픽셀(Pixel) 수 증가를 위한 목적으로 포토다이오드의 사이즈가 점점 감소함에 따라 수광부 면적 축소로 이미지 특성(Image Quality)이 감소하는 경향을 보이고 있다.
또한, 수광부 면적 축소만큼의 적층높이(Stack Height)의 감소가 이루어지지 못하여 에어리 디스크(Airy Disk)라 불리는 빛의 회절현상으로 수광부에 입사되는 포톤(Photon)의 수 역시 감소하는 경향을 보이고 있다.
이를 극복하기 위한 대안 중 하나로 포토다이오드를 비정질 실리콘(amorphous Si)으로 증착하거나, 웨이퍼 대 웨이퍼 본딩(Wafer-to-Wafer Bonding) 등의 방법으로 리드아웃 서킷(Readout Circuitry)은 실리콘 기판(Si Substrate)에 형성시키고, 포토다이오드는 리드아웃 서킷 상부에 형성시키는 시도(이하 "3차원 이미지센서"라고 칭함)가 이루어지고 있다.
한편, 종래기술에 의하면 포토다이오드에 입사되는 광에 대한 흡수률이 좋지 못한 문제가 있다.
또한, 종래기술에 의하면 트랜스퍼트랜지스터 양단의 소스 및 드레인 모두 고농도 N형으로 도핑(Doping)되어 있으므로 전하공유(Charge Sharing)현상이 발생하게 되는 문제가 있다. 전하공유(Charge Sharing)현상이 발생하면 출력이미지의 감도를 낮추게 되며, 이미지 오류를 발생시킬 수도 있다.
또한, 종래기술에 의하면 포토다이오드와 리드아웃 서킷 사이에 포토차지(Photo Charge)가 원활히 이동하지 못해 암전류가 발생하거나, 새츄레이션(Saturation) 및 감도의 하락이 발생하고 있다.
실시예는 필팩터를 높이면서 이미지감지부의 광흡수율을 높일 수 있는 이미지센서 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.
또한, 실시예는 필팩터를 높이면서 전하공유(Charge Sharing)현상이 발생하지 않을 수 있는 이미지센서 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.
또한, 실시예는 포토다이오드와 리드아웃서킷 사이에 포토차지(Photo Charge)의 원활한 이동통로를 만들어 줌으로써 암전류소스를 최소화하고, 새츄레이션(Saturation) 및 감도의 하락을 방지할 수 있는 이미지센서 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.
실시예에 따른 이미지센서는 제1 기판에 형성된 리드아웃 회로(Readout Circuitry); 상기 제1 기판 상에 형성된 층간절연층; 상기 층간절연층에 상기 리드아웃 회로와 전기적으로 연결되어 형성된 배선; 및 상기 배선 상에 형성된 이미지감지부(Image Sensing Device);를 포함하며, 상기 이미지감지부의 상측에는 요철이 형성된 것을 특징으로 한다.
또한, 실시예에 따른 이미지센서의 제조방법은 제1 기판에 리드아웃 회로(Readout Circuitry)를 형성하는 단계; 상기 제1 기판에 층간절연층을 형성하는 단계; 상기 층간절연층에 상기 리드아웃 회로와 전기적으로 연결되는 배선을 형성하는 단계; 상기 배선 상에 이미지감지부(Image Sensing Device)를 형성하는 단계; 상기 이미지감지부의 상측에 요철을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
실시예에 따른 이미지센서 및 그 제조방법에 의하면 이미지감지부 상측에 요철을 형성함으로써 광흡수율을 증대시킬 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 트랜스퍼 트랜지스터(Tx) 양단의 소스/드레인 간에 전압차(Potential Difference)가 있도록 소자 설계하여 포토차지(Photo Charge)의 완전한 덤핑(Fully Dumping)이 가능해질 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 포토다이오드와 리드아웃서킷 사이에 전하 연결영역을 형성하여 포토차지(Photo Charge)의 원할한 이동통로를 만들어 줌으로써 암전류소스를 최소화하고, 새츄레이션(Saturation) 및 감도의 하락을 방지할 수 있다.
이하, 실시예에 따른 이미지센서 및 그 제조방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
실시예의 설명에 있어서, 각 층의 "상/아래(on/under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상/아래는 직접(directly)와 또는 다른 층을 개재하여(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다.
본 발명은 씨모스 이미지센서에 한정되는 것이 아니며, 포토다이오드가 필요한 이미지센서에 적용이 가능하다.
(제1 실시예)
도 1은 제1 실시예에 따른 이미지센서의 단면도이다.
제1 실시예에 따른 이미지센서는 제1 기판(100)에 형성된 리드아웃 회로(Readout Circuitry)(120); 상기 제1 기판(100) 상에 형성된 층간절연층(160); 상기 층간절연층(160)에 상기 리드아웃 회로(120)와 전기적으로 연결되어 형성된 배선(150); 및 상기 배선(150) 상에 형성된 이미지감지부(Image Sensing Device)(210);를 포함하며, 상기 이미지감지부(210)의 상측에는 요철(U)이 형성된 것을 특징으로 한다.
상기 이미지감지부(210)는 포토다이오드일 수 있으나 이에 한정되는 것이 아니고 포토게이트, 포토다이오드와 포토게이트의 결합형태 등이 될 수 있다. 한편, 실시예는 포토다이오드가 결정형 반도체층에 형성된 예를 들고 있으나 이에 한정되는 것이 아니며 비정질 반도체층에 형성된 것을 포함한다.
도 1의 도면 부호 중 미설명 도면 부호는 이하 제조방법에서 설명하기로 한다.
이하, 도 2 내지 도 6을 참조하여 1 실시예에 따른 이미지센서의 제조방법을 설명한다.
도 2는 배선(150)이 형성된 제1 기판(100)의 개략도이며, 도 3은 이에 대한 상세도로서 도 3을 기준으로 설명한다.
우선, 도 3과 같이 배선(150)과 리드아웃 회로(Circuitry)(120)가 형성된 제1 기판(100)을 준비한다. 예를 들어, 제2 도전형 제1 기판(100)에 소자분리막(110)을 형성하여 액티브영역을 정의하고, 상기 액티브영역에 트랜지스터를 포함하는 리 드아웃 회로(120)를 형성한다. 예를 들어, 리드아웃 회로(120)는 트랜스퍼트랜지스터(Tx)(121), 리셋트랜지스터(Rx)(123), 드라이브트랜지스터(Dx)(125), 실렉트랜지스터(Sx)(127)를 포함하여 형성할 수 있다. 이후, 플로팅디퓨젼영역(FD)(131), 상기 각 트랜지스터에 대한 소스/드레인영역(133, 135, 137)을 포함하는 이온주입영역(130)을 형성할 수 있다. 또한, 실시예에 의하면 노이즈 제거 회로(미도시)를 추가하여 감도를 향상시킬 수 있다.
상기 제1 기판(100)에 리드아웃 회로(120)를 형성하는 단계는 상기 제1 기판(100)에 전기접합영역(140)을 형성하는 단계 및 상기 전기접합영역(140) 상부에 상기 배선(150)과 연결되는 제1 도전형 연결영역(147)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 전기접합영역(140)은 PN 졍션(junction)(140) 일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 전기접합영역(140)은 제2 도전형 웰(141) 또는 제2 도전형 에피층 상에 형성된 제1 도전형 이온주입층(143), 상기 제1 도전형 이온주입층(143) 상에 형성된 제2 도전형 이온주입층(145)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 PN 졍션(junction)(140)은 도 2와 같이 P0(145)/N-(143)/P-(141) Junction 일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1 기판(100)은 제2 도전형으로 도전되어 있을 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예에 의하면 트랜스퍼 트랜지스터(Tx) 양단의 소스/드레인 간에 전압차(Potential Difference)가 있도록 소자 설계하여 포토차지(Photo Charge)의 완전한 덤핑(Fully Dumping)이 가능해질 수 있다. 이에 따라, 포토다이오드에서 발생한 포토차지(Photo Charge)가 플로팅디퓨젼 영역으로 덤핑됨에 따라 출력이미지 감도를 높일 수 있다.
즉, 실시예는 도 3과 같이 리드아웃 회로(120)가 형성된 제1 기판(100)에 전기접합영역(140)을 형성시킴으로써 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)(121) 양단의 소스/드레인 간에 전압차가 있도록 하여 포토차지의 완전한 덤핑이 가능해질 수 있다.
이하, 실시예의 포토차지의 덤핑구조에 대해서 구체적으로 설명한다.
실시예에서 N+ 졍션인 플로팅디퓨젼(FD)(131) 노드(Node)와 달리, 전기접합영역(140)인 P/N/P 졍션(140)은 인가전압이 모두 전달되지 않고 일정 전압에서 핀치오프(Pinch-off) 된다. 이 전압을 피닝볼티지(Pinning Voltage)이라 부르며 피닝볼티지(Pinning Voltage)는 P0(145) 및 N-(143) 도핑(Doping) 농도에 의존한다.
구체적으로, 포토다이오드(210)에서 생성된 전자는 PNP 졍션(140)으로 이동하게 되며 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)(121) 온(On)시, FD(131) 노드로 전달되어 전압으로 변환된다.
P0/N-/P- 졍션(140)의 최대 전압값은 피닝볼티지가 되고 FD(131) Node 최대 전압값은 Vdd-Rx Vth이 되므로, Tx(131) 양단간 전위차로 인해 차지쉐어링(Charge Sharing) 없이 칩(Chip) 상부의 포토다이오드(210)에서 발생한 전자가 FD(131) Node로 완전히 덤핑(Dumping) 될 수 있다.
즉, 실시예에서 제1 기판(100)인 실리콘 서브(Si-Sub)에 N+/P-well Junction이 아닌 P0/N-/P-well Junction을 형성시킨 이유는 4-Tr APS Reset 동작시 P0/N-/P-well Junction에서 N-(143)에 + 전압이 인가되고 P0(145) 및 P-well(141)에는 Ground 전압이 인가되므로 일정전압 이상에서는 P0/N-/P-well Double Junction이 BJT 구조에서와 같이 Pinch-Off가 발생하게 된다. 이를 Pinning Voltage라고 부른다. 따라서 Tx(121) 양단의 Source/Drain에 전압차가 발생하게 되어 Tx On/Off 동작 시 포토차지가 N-well에서 Tx를 통해 FD로 완전히 덤핑되어 Charge Sharing 현상을 방지할 수 있다.
따라서 종래기술과 같이 단순히 포토다이오드가 N+ Junction으로 연결된 경우와 달리, 실시예에 의하면 새츄레이션(Saturation) 저하 및 감도 하락 등의 문제를 피할 수 있다.
다음으로, 실시예에 의하면 포토다이오드와 리드아웃서킷 사이에 제1 도전형 연결영역(147)을 형성하여 포토차지(Photo Charge)의 원할한 이동통로를 만들어 줌으로써 암전류소스를 최소화하고, 새츄레이션(Saturation) 저하 및 감도의 하락을 방지할 수 있다.
이를 위해, 제1 실시예는 P0/N-/P- 졍션(140)의 표면에 오미컨택(Ohmic Contact)을 위한 제1 도전형 연결영역(147)으로서 n+ 도핑영역을 형성할 수 있다. 상기 N+ 영역(147)은 상기 P0(145)를 관통하여 N-(143)에 접촉하도록 형성할 수 있다.
한편, 이러한 제1 도전형 연결영역(147)이 리키지 소스(Leakage Source)가 되는 것을 최소화하기 위해 제1 도전형 연결영역(147)의 폭을 최소화할 수 있다. 이를 위해, 실시예는 제1 메탈컨택(151a) 에치(Etch) 후 플러그 임플란트(Plug Implant)를 진행할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 다른 예로 이온주입패턴(미도시)을 형성하고 이를 이온주입마스크로 하여 제1 도전형 연결영역(147)을 형성할 수도 있다.
즉, 제1 실시예와 같이 컨택(Contact) 형성 부에만 국부적으로 N+ Doping을 한 이유는 다크시그널(Dark Signal)을 최소화하면서 오믹컨택(Ohmic Contact) 형성을 원활히 해 주기 위함이다. 종래기술과 같이, Tx Source 부 전체를 N+ Doping 할 경우 기판표면 댕글링본드(Si Surface Dangling Bond)에 의해 Dark Signal이 증가할 수 있다.
그 다음으로, 상기 제1 기판(100) 상에 층간절연층(160)을 형성하고, 배선(150)을 형성할 수 있다. 상기 배선(150)은 제1 메탈컨택(151a), 제1 메탈(151), 제2 메탈(152), 제3 메탈(153) 및 제4 메탈컨택(154a)을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
다음으로, 도 4와 같이 결정형 반도체층(crystalline semiconductor layer)에 이미지감지부(210)을 형성하고, 상기 배선(150)과 접촉하도록 본딩한 후 이미지감지부(210)를 남기고 결정형 반도체층을 제거한다.
상기 이미지감지부(210)는 고농도 제1 도전형 이온주입층(212), 제1 도전형 이온주입층(214) 및 제2 도전형 이온주입층(216)을 포함할 수 있다.
실시예에 의하면 상기 제1 도전형 전도층(214)의 두께가 상기 제2 도전형 전도층(216)의 두께보다 두껍게 형성됨으로써 차지 스토링 커패시티를 증가시킬 수 있다. 즉, N-층(214)을 더 두껍게 형성하여 면적을 확장시킴으로써 광전자를 함유할 수 있는 커패시티(capacity)를 향상시킬 수 있다. 상기 고농도 N+형 층(212)은 오믹컨택에 기여할 수 있다.
다음으로, 도 5a와 같이 상기 이미지감지부(210) 상에 감광막 패턴(310)을 형성한다. 예를 들어, 상기 포토다이오드 상에 Photo 공정을 통해 일정한 간격을 두고 복수로 분리되어 형성되면서 상기 포토다이오드를 선택적으로 노출하는 감광막 패턴(310)을 형성할 수 있다.
또는, 도 5b 같이 예를 들어 감광막 패턴(310a)을 텍스춰(texture) 형태의 격자배치 형태로 패턴할 수도 있다. 또는, 도 5c와 같이 예를 들어 감광막 패턴(310b)을 Photo 공정이 아닌 파편형태로 뿌림으로써 형성할 수도 있다. 또는 예를 들어, 감광막 패턴은 빗(comb) 형태일 수도 있다.
다음으로, 도 6과 같이 상기 감광막 패턴(310)을 식각 마스크로 상기 포토다이오드(210) 상측을 선택적으로 식각하여 요철(U)을 형성하고, 상기 감광막 패턴(310)을 제거한다. 예를 들어, 상기 포토다이오드(210)의 제2 도전형 전도층을 선택적으로 식각하여 요철(U)을 형성할 수 있다.
또한, 실시예에서는 상기 감광막 패턴(310)을 형성하기 전에 상기 포토다이오드(210) 상에 절연막(미도시)을 추가로 형성하고, 상기 절연막 상에 감광막 패턴을 형성한 후 절연층과 포토다이오드 상측의 식각을 진행할 수도 있다.
이후, 상기 이미지감지부(210)를 픽셀별로 분리하는 식각을 진행하고, 필셀간절연층(미도시)으로 식각된 부분을 채울 수 있다. 이후, 상부전극(미도시), 컬러필터(미도시) 등의 공정을 진행할 수 있다.
실시예에 따른 이미지센서 및 그 제조방법에 의하면 이미지감지부 상측에 요 철을 형성함으로써 광흡수율을 증대시킬 수 있다.
(제2 실시예)
도 7은 제2 실시예에 따른 이미지센서의 단면도이다.
제2 실시예에 따른 이미지센서는 제1 기판(100)에 형성된 리드아웃 회로(Readout Circuitry)(120); 상기 제1 기판(100) 상에 형성된 층간절연층(160); 상기 층간절연층(160)에 상기 리드아웃 회로(120)와 전기적으로 연결되어 형성된 배선(150); 및 상기 배선(150) 상에 형성된 이미지감지부(Image Sensing Device)(220);를 포함하며, 상기 이미지감지부(220)의 상측에는 요철(U)이 형성된 것을 특징으로 한다.
제2 실시예는 상기 이미지감지부(220) 상에 형성된 상부전극(240)을 더 포함하며, 상기 상부전극(240) 상에 요철(U)이 형성될 수 있다.
제2 실시예는 상기 제1 실시예의 기술적인 특징을 채용할 수 있다.
한편, 제2 실시예는 상기 제1 실시예와 달리 이미지감지부(220)가 비정질층에 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 이미지감지부(220)는 상기 배선(150)과 전기적으로 연결되는 진성층(I)(intrinsic layer)(223); 및 상기 진성층(223) 상에 형성된 제2 도전형 전도층(P)(225);을 포함할 수 있다. 제2 실시예는 상기 배선(150)과 진성층(223) 사이에 형성된 제1 도전형 전도층(N)(221)을 더 포함할 수 있다.
제2 실시예에 의하면 상기 이미지감지부(210) 상에 상부전극(240)을 형성하고, 상기 상부전극(240) 표면에 요철(U)을 형성하는 단계를 진행함으로써 이미지감지부에 물리적인 손상을 가하지 않아 누설전류 등이 발생하지 않으면서 상부전극에 만 요철을 형성함으로써 광흡수율을 증대시킬 수 있다.
(제3 실시예)
도 8은 제2 실시예에 따른 이미지센서의 단면도로서, 배선(150)이 형성된 제1 기판에 대한 상세도이다.
제3 실시예에 따른 이미지센서는 제1 기판(100)에 형성된 리드아웃 회로(Readout Circuitry)(120); 상기 제1 기판(100) 상에 형성된 층간절연층(160); 상기 층간절연층(160)에 상기 리드아웃 회로(120)와 전기적으로 연결되어 형성된 배선(150); 및 상기 배선(150) 상에 형성된 이미지감지부(Image Sensing Device)(210);를 포함하며, 상기 이미지감지부(210)의 상측에는 요철(U)이 형성된 것을 특징으로 한다.
제3 실시예는 상기 제1 실시예의 기술적인 특징을 채용할 수 있다.
한편, 제3 실시예는 제1 실시예와 달리 전기접합영역(140)의 일측에 제1 도전형 연결영역(148)이 형성된 예이다.
실시예에 의하면 P0/N-/P- Junction(140)에 Ohmic Contact을 위한 N+ 연결영역(148)을 형성할 수 있는데, 이때 N+ 연결영역(148) 및 M1C Contact(151a) 형성공정에서 리키지소스(Leakage Source)가 발생할 수 있다. 왜냐하면, P0/N-/P- Junction(140)에 Reverse Bias가 인가된 채로 동작하므로 기판 표면(Si Surface)에 전기장(EF)이 발생할 수 있다. 이러한 전기장 내부에서 Contact 형성 공정 중에 발생하는 결정결함은 리키지소스가 된다.
또한, N+ 연결영역(148)을 P0/N-/P- Junction(140) 표면에 형성시킬 경우 N+/P0 Junction(148/145)에 의한 E-Field가 추가되므로 이 역시 Leakage Source가 될 수 있다.
따라서, 제3 실시예는 P0 층으로 도핑(Doping)되지 않고 N+ 연결영역(148)으로 이루어진 Active 영역에 제1 컨택플러그(151a)를 형성하고, 이를 N- Junction(143)과 연결시키는 Layout을 제시한다.
제3 실시예에 의하면 Si 표면의 E-Field가 발생하지 않게 되고 이는 3차원 집적(3-D Integrated) CIS의 암전류(Dark Current) 감소에 기여할 수 있다.
본 발명은 기재된 실시예 및 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 청구항의 권리범위에 속하는 범위 안에서 다양한 다른 실시예가 가능하다.
도 1은 제1 실시예에 따른 이미지센서의 단면도.
도 2 내지 도 6은 제1 실시예에 따른 이미지센서의 제조방법의 공정단면도.
도 7은 제2 실시예에 따른 이미지센서의 단면도.
도 8은 제3 실시예에 따른 이미지센서의 단면도.

Claims (18)

  1. 제1 기판에 형성된 리드아웃 회로(Readout Circuitry);
    상기 제1 기판 상에 형성된 층간절연층;
    상기 층간절연층에 상기 리드아웃 회로와 전기적으로 연결되어 형성된 배선;
    상기 배선 상에 형성된 이미지감지부(Image Sensing Device); 및
    상기 이미지감지부 상에 형성된 상부전극;을 포함하고,
    상기 상부전극의 상부표면에만 요철이 형성된 것을 특징으로 하는 이미지센서.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 기판에 상기 리드아웃 회로와 전기적으로 연결되어 형성된 전기접합영역을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 전기접합영역은
    상기 제1 기판에 형성된 제1 도전형 이온주입영역; 및
    상기 제1 도전형 이온주입영역 상에 형성된 제2 도전형 이온주입영역;을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서.
  6. 제4 항에 있어서,
    상기 리드아웃회로는 트랜지스터를 포함하며,
    상기 트랜지스터 양측의 소스 및 드레인의 전압차(Potential Difference)가 있는 것을 특징으로 하는 이미지센서.
  7. 제4 항에 있어서,
    상기 전기접합영역은
    PN 졍션(junction)인 것을 특징으로 하는 이미지센서.
  8. 제4 항에 있어서,
    상기 전기접합영역과 상기 배선 사이에 형성된 제1 도전형 연결영역을 더 포 함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 제1 도전형 연결영역은
    상기 전기접합영역 상부에 상기 배선과 전기적으로 연결되어 형성된 제1 도전형 연결영역인 것을 특징으로 하는 이미지센서.
  10. 제8 항에 있어서,
    상기 제1 도전형 연결영역은
    상기 전기접합영역 일측에 상기 배선과 전기적으로 연결되어 형성된 제1 도전형 연결영역인 것을 특징으로 하는 이미지센서.
  11. 제1 기판에 리드아웃 회로(Readout Circuitry)를 형성하는 단계;
    상기 제1 기판에 층간절연층을 형성하는 단계;
    상기 층간절연층에 상기 리드아웃 회로와 전기적으로 연결되는 배선을 형성하는 단계;
    상기 배선 상에 이미지감지부(Image Sensing Device)를 형성하는 단계; 및
    상기 이미지감지부 상에 상부전극을 형성하는 단계;를 포함하고,
    상기 상부전극의 상부표면에만 요철이 형성된 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 제11 항에 있어서,
    상기 제1 기판에 상기 리드아웃 회로와 전기적으로 연결되는 전기접합영역을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 전기접합영역은
    PN 졍션(junction)인 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.
  16. 제14 항에 있어서,
    상기 전기접합영역과 상기 배선 사이에 제1 도전형 연결영역을 형성하는 단 계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 제1 도전형 연결영역은
    상기 전기접합영역 상부에 상기 배선과 전기적으로 연결되어 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.
  18. 제16 항에 있어서,
    상기 제1 도전형 연결영역은
    상기 전기접합영역 일측에 상기 배선과 전기적으로 연결되어 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.
KR1020080074130A 2007-12-27 2008-07-29 이미지센서 및 그 제조방법 KR100997328B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070139465 2007-12-27
KR20070139465 2007-12-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090071332A KR20090071332A (ko) 2009-07-01
KR100997328B1 true KR100997328B1 (ko) 2010-11-29

Family

ID=40796999

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080074130A KR100997328B1 (ko) 2007-12-27 2008-07-29 이미지센서 및 그 제조방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20090166628A1 (ko)
KR (1) KR100997328B1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100853097B1 (ko) * 2006-12-22 2008-08-19 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자의 제조방법
US10468543B2 (en) * 2013-05-22 2019-11-05 W&Wsens Devices, Inc. Microstructure enhanced absorption photosensitive devices
JP6303803B2 (ja) * 2013-07-03 2018-04-04 ソニー株式会社 固体撮像装置およびその製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006100515A (ja) 2004-09-29 2006-04-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置
KR100718878B1 (ko) * 2005-06-28 2007-05-17 (주)실리콘화일 3차원 구조를 갖는 이미지 센서의 분리형 단위화소 및 그제조방법

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5210433A (en) * 1990-02-26 1993-05-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Solid-state CCD imaging device with transfer gap voltage controller
JP3840058B2 (ja) * 2000-04-07 2006-11-01 キヤノン株式会社 マイクロレンズ、固体撮像装置及びそれらの製造方法
CN100446255C (zh) * 2003-03-19 2008-12-24 富士通微电子株式会社 半导体装置
TWI306307B (en) * 2006-09-28 2009-02-11 Powerchip Semiconductor Corp Image sensor structure and method of fabricating the same
KR100851756B1 (ko) * 2007-06-08 2008-08-11 주식회사 동부하이텍 이미지 센서 및 그 제조방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006100515A (ja) 2004-09-29 2006-04-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置
KR100718878B1 (ko) * 2005-06-28 2007-05-17 (주)실리콘화일 3차원 구조를 갖는 이미지 센서의 분리형 단위화소 및 그제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20090166628A1 (en) 2009-07-02
KR20090071332A (ko) 2009-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100997343B1 (ko) 이미지센서 및 그 제조방법
KR101024770B1 (ko) 이미지센서 및 그 제조방법
KR100922924B1 (ko) 이미지센서 및 그 제조방법
KR100898473B1 (ko) 이미지센서
KR100922929B1 (ko) 이미지센서 및 그 제조방법
KR100997328B1 (ko) 이미지센서 및 그 제조방법
KR101046798B1 (ko) 이미지센서 및 그 제조방법
KR101033353B1 (ko) 이미지센서 및 그 제조방법
KR101053773B1 (ko) 이미지센서 및 그 제조방법
KR101046051B1 (ko) 이미지센서 및 그 제조방법
KR101124857B1 (ko) 이미지센서 및 그 제조방법
KR101087933B1 (ko) 이미지센서 및 그 제조방법
KR100922922B1 (ko) 이미지센서 및 그 제조방법
KR101033347B1 (ko) 이미지센서의 제조방법
KR20100077564A (ko) 이미지센서 및 그 제조방법
KR100990559B1 (ko) 이미지센서 및 그 제조방법
KR101063728B1 (ko) 이미지센서 및 그 제조방법
KR100898472B1 (ko) 이미지센서의 제조방법
KR101163817B1 (ko) 이미지 센서 및 그 제조 방법
KR101016505B1 (ko) 이미지센서 및 그 제조방법
KR101002167B1 (ko) 이미지센서 및 그 제조방법
KR101038886B1 (ko) 이미지센서 및 그 제조방법
KR101025066B1 (ko) 이미지센서 및 그 제조방법
KR101002104B1 (ko) 이미지센서 및 그 제조방법
KR100882987B1 (ko) 이미지센서 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20080729

PA0201 Request for examination
PG1501 Laying open of application
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20100331

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20100920

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20101123

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20101123

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee