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KR100952695B1 - Method and apparatus of generating wafer map - Google Patents

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KR100952695B1
KR100952695B1 KR1020080002698A KR20080002698A KR100952695B1 KR 100952695 B1 KR100952695 B1 KR 100952695B1 KR 1020080002698 A KR1020080002698 A KR 1020080002698A KR 20080002698 A KR20080002698 A KR 20080002698A KR 100952695 B1 KR100952695 B1 KR 100952695B1
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김정석
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주식회사 쎄믹스
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    • H01L22/12Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions

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Abstract

본 발명은 웨이퍼 맵을 생성하는 방법 및 장치에 관한 것이다. 상기 본 발명의 웨이퍼 맵 생성 방법은, 웨이퍼 촬상정보를 제공받아 기준선 및 다이 열을 설정하는 제1단계, 상기 웨이퍼의 각 다이 열에 대해 상기 기준선을 중심으로 대칭되는 가장자리 영역의 유효 다이를 검출하여 웨이퍼 맵에 표식하는 제2단계를 포함한다. The present invention relates to a method and apparatus for generating a wafer map. In the wafer map generation method of the present invention, a first step of setting a baseline and a die row by receiving wafer imaging information, and detecting an effective die of an edge region symmetric about the baseline with respect to each die row of the wafer, And a second step of marking the map.

웨이퍼 맵, 프로빙 검사장치 Wafer Map, Probing Inspection System

Description

웨이퍼 맵 생성 방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS OF GENERATING WAFER MAP}Wafer map generation method and apparatus {METHOD AND APPARATUS OF GENERATING WAFER MAP}

본 발명은 프로빙 검사장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 웨이퍼 맵을 생성하는 방법 및 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a probing inspection apparatus, and more particularly, to a method and apparatus for generating a wafer map.

일반적으로 반도체 소자를 제조하는 과정은 여러 단계로 구성되는데, 최종 반도체 소자의 조립 단계를 위해서는 웨이퍼에 형성된 반도체 칩들 중에서 불량 칩을 제외한 양품 칩만을 선택해야 한다. 따라서 웨이퍼 상에 형성된 반도체 칩들의 양부를 선별하는 것이 중요하다. 이를 위해 웨이퍼상에 형성된 반도체 칩에 프로브 침을 접촉시켜 그 양부를 테스트하는 프로빙 검사장치가 널리 이용된다.In general, the process of manufacturing a semiconductor device is composed of several steps. For the assembly step of the final semiconductor device, only good chips excluding defective chips should be selected from the semiconductor chips formed on the wafer. Therefore, it is important to select the quantity of semiconductor chips formed on the wafer. To this end, a probing inspection apparatus for contacting a probe needle with a semiconductor chip formed on a wafer to test its quality is widely used.

상기 프로빙 검사장치에 의한 반도체 칩의 테스트는 프로브 침을 웨이퍼상에 형성된 반도체 칩에 대응하는 프로빙 영역에 정확히 접촉시키는 과정을 포함한다. 이를 위해 웨이퍼상에 형성된 반도체 칩에 대한 정확한 맵 데이터가 필요하다. 이Testing of the semiconductor chip by the probing inspection device includes a step of accurately contacting the probe needle with a probing region corresponding to the semiconductor chip formed on the wafer. This requires accurate map data for semiconductor chips formed on the wafer. this

러한 맵 데이터는 웨이퍼를 이동시켜 프로브 카드의 프로브 침을 타겟 반도체 칩의 프로빙 영역에 위치시키는데 중요한 역할을 한다. 따라서 정확한 맵 데이터를 생성하는 것이 프로빙 검사 장치에서 중요하게 된다.Such map data plays an important role in moving the wafer to position the probe needle of the probe card in the probing area of the target semiconductor chip. Therefore, generating accurate map data becomes important in the probing inspection apparatus.

종래의 맵 데이터 생성 방법은 맵 데이터 생성 전에, 먼저 프로빙 검사 장치를 이용하여 테스트 하고자 하는 웨이퍼에 대한 기초 맵 데이터를 작성하고, 프로빙 검사장치의 작업자가 웨이퍼를 스캐닝하여 종이에 프린트(print)하였다. 그 후, 작업자는 프린트된 웨이퍼 스캐닝 이미지를 보면서, 기초 맵 데이터의 각 칩 영역이 프로빙 영역 또는 비프로빙 영역인지 일일이 선택하여 입력하여 기초 맵 데이터를 맵 데이터로 변환하여 생성하는 방식을 이용하였다. In the conventional map data generation method, before the map data is generated, the basic map data for the wafer to be tested is first generated by using a probing inspection apparatus, and an operator of the probing inspection apparatus scans the wafer and prints it on paper. Afterwards, the operator looked at the printed wafer scanning image and used the method of selecting and inputting each chip area of the basic map data into a probing area or a non-probing area, and converting the base map data into map data to generate the map data.

그러나 이러한 종래의 맵 데이터 생성 방법은 작업자가 모든 칩 영역에 대하여 프로빙 영역 또는 비프로빙 영역인지에 대하여 입력해야 하는 바 장시간이 소요되는 문제가 있다.However, this conventional map data generation method requires a long time since the operator must input whether the chip is a probing area or a non-probing area for all the chip areas.

또한, 종래의 맵 데이터 생성 방법은 작업자의 정확도 및 숙련도에 의존하는 것이어서, 작업자에 의한 기초 맵 데이터 상의 기준 칩의 좌표 설정 또는 프로빙 영역 입력시 오류가 발생하는 경우 부정확한 맵 데이터가 완성될 수 있는 문제점을 내재하고 있었다. In addition, the conventional method of generating map data is dependent on the accuracy and skill of the operator, so that inaccurate map data may be completed when an error occurs when the operator sets the coordinates of the reference chip on the basic map data or inputs the probing area. The problem was inherent.

본 발명은 상술한 종래의 문제점을 극복하기 위한 것으로서, 다수의 다이가 구비된 웨이퍼에서 유효 다이가 위치하는 영역을 신속하게 검출하는 웨이퍼 맵 검출 방법 및 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to overcome the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a wafer map detection method and apparatus for quickly detecting a region where an effective die is located in a wafer having a plurality of dies.

상기한 본 발명의 웨이퍼 맵 생성 방법은, 웨이퍼 촬상정보를 제공받아 기준 선 및 다이 열을 설정하는 제1단계; 상기 웨이퍼의 각 다이 열에 대해 상기 기준선을 중심으로 대칭되는 가장자리 영역의 유효 다이를 검출하여 웨이퍼 맵에 표식하는 제2단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. The method of generating a wafer map according to the present invention includes: a first step of receiving wafer imaging information and setting a reference line and a die row; And a second step of detecting an effective die of an edge region symmetrical about the baseline for each die row of the wafer and marking it on a wafer map.

특히, 상기 제1단계는, 다이 식별 정보를 입력받는 단계; 상기 다이 식별 정보에 대응되는 기준선 및 다이 열을 포함하는 설정정보를 메모리부로부터 리드하는 단계; 상기 리드한 설정정보에 따라 상기 웨이퍼 촬상장보에 기준선, 다이 열 및 시작 영역을 드로잉하는 단계로 구성됨을 특징으로 한다. In particular, the first step may include receiving die identification information; Reading setting information including a reference line and a die column corresponding to the die identification information from a memory unit; And drawing a baseline, a die row, and a starting area on the wafer image pickup sheet according to the read setting information.

또한, 상기 제2단계는, 상기 다이 열 각각에 대해, 상기 기준선을 중심으로 제1방향의 가장자리에 대한 제1유효 다이를 검출하고, 상기 기준선을 중심으로 제1유효 다이에 대칭되는 영역부터 유효 다이를 검출함을 특징으로 한다. Further, the second step is effective for each of the die rows, starting from an area symmetrical to the first effective die about the baseline and detecting a first effective die about the edge in the first direction. Detecting a die.

또한 상기 방법은, 상기 웨이퍼 촬상정보에 시작 영역을 더 설정하며, 상기 시작 영역의 다이에 대해 유효 다이 여부를 판별하고, 상기 시작 영역의 다이가 유효 다이가 아니면 수직방향의 후보 영역으로 이동하여 유효 다이 여부를 판별하며, 상기 유효 다이가 검출되면 웨이퍼 맵에 유효 다이를 표식하고, 상기 유효 다이의 표식후에는 제1방향의 후보 영역으로 이동하면서 유효 다이가 검출되지 않을 때까지 유효 다이를 검출하여 웨이퍼 맵에 유효 다이를 표식하고, 상기 제1방향의 후보 영역에 유효 다이가 검출되지 않으면, 상기 기준선을 중심으로 마지막으로 표식된 유효 다이에 대칭되는 제2방향의 후보 영역으로 이동하여 유효 다이 여부를 판별하며, 상기 후보 영역의 다이가 유효 다이가 아니면 유효 다이가 검출될 때까지 제1방향의 후보 영역으로 이동하면서 유효 다이를 검출하여 유효 다이를 표식하고, 상 기 후보 영역의 다이가 유효 다이이면 비유효 다이가 검출될 때까지 제2방향의 후보 영역으로 이동하면서 유효 다이를 검출하여 유효 다이를 표식하고, 상기 시작 영역을 포함하는 다이 열에 대해 가장자리에 위치하는 유효 다이의 검출이 완료되면, 마지막 다이 열까지 수직방향의 이동하면서 상기 기준선을 중심으로 이전 다이 열의 마지막 유효 다이의 위치에 대칭되는 제1방향의 후보 영역부터 유효 다이 여부를 판별하며, 상기 후보 영역의 다이가 유효 다이가 아니면 유효 다이가 검출될 때까지 제2방향의 후보 영역으로 이동하면서 유효 다이를 검출하여 유효 다이를 표식하고, 상기 후보 영역의 다이가 유효 다이이면 비유효 다이가 검출될 때까지 제1방향의 후보 영역으로 이동하면서 유효 다이를 검출하여 유효 다이를 표식한 후에, 상기 기준선을 중심으로 마지막 유효 다이의 위치에 대칭되는 제2방향의 후보 영역부터 유효 다이 여부를 판별하며, 상기 후보 영역의 다이가 유효 다이가 아니면 유효 다이가 검출될 때까지 제2방향의 후보 영역으로 이동하면서 유효 다이를 검출하여 유효 다이를 표식하고, 상기 후보 영역의 다이가 유효 다이이면 비유효 다이가 검출될 때까지 제1방향의 후보 영역으로 이동하면서 유효 다이를 검출하여 유효 다이를 표식하여 웨이퍼 맵을 생성함을 특징으로 한다. In addition, the method further sets a start area in the wafer imaging information, determines whether a die is valid for the die of the start area, and if the die of the start area is not a valid die, moves to a candidate area in the vertical direction and is effective. If the valid die is detected, a valid die is marked on a wafer map, and after the marking of the valid die, the effective die is detected until the valid die is not detected while moving to a candidate region in the first direction. If an effective die is marked on a wafer map and no effective die is detected in the candidate region in the first direction, the die is moved to a candidate region in the second direction that is symmetrical to the last effective marked die around the reference line. And if the die of the candidate area is not a valid die, the candidate area in the first direction until a valid die is detected. When the die of the candidate area is a valid die, the effective die is detected and the effective die is detected by moving to the candidate area in the second direction until the invalid die is detected. And when the detection of the effective die located at the edge with respect to the die row including the start area is completed, a first symmetrical to the position of the last effective die of the previous die row about the reference line while moving vertically to the last die row. Determining whether the die is a valid die from a candidate region in the direction; if the die of the candidate region is not a valid die, moving to the candidate region in the second direction until the valid die is detected, detecting the effective die and marking the effective die; If the die in the candidate area is a valid die, moving to the candidate area in the first direction until an invalid die is detected After detecting the effective die and marking the effective die, whether the effective die is determined from the candidate region in the second direction symmetrical to the position of the last effective die with respect to the reference line, and if the die of the candidate region is not a valid die, Move to the candidate area in the second direction until the effective die is detected, detect the effective die to mark the effective die, and if the die of the candidate area is a valid die, then the candidate area in the first direction until the invalid die is detected And detecting the effective die while marking the effective die to generate a wafer map.

또한 본 발명에서, 상기 유효 다이 여부는, 다이의 네 모서리에 식별정보가 유효하게 표식되어 있는지 여부에 따라 판별함을 특징으로 한다. In addition, in the present invention, whether or not the effective die, characterized in that the identification information is identified on the four corners of the die is effectively marked.

또한 본 발명에서, 상기 유효 다이 여부는, 후보 영역 이동 방향에 대응되는 두 모서리의 식별정보가 유효하게 표식되어 있는지 여부에 따라 판별함을 특징으로 한다. In the present invention, the valid die is characterized in that it is determined according to whether the identification information of the two corners corresponding to the moving direction of the candidate region is effectively marked.

상기한 본 발명은 다수의 다이가 구비된 웨이퍼에서 유효 다이가 위치하는 영역을 신속하게 검출함으로써, 웨이퍼에 대한 맵 구성을 빠르게 형성할 수 있게 하는 이점이 있다. The present invention described above has an advantage of quickly forming a map configuration for a wafer by quickly detecting a region where an effective die is located in a wafer having a plurality of dies.

본 발명은 원형의 웨이퍼내에 사각형의 다이가 배열됨에 따라 비유효 다이가 웨이퍼의 가장자리에 위치하는 특성을 이용하여, 상기 웨이퍼의 가장자리에 존재하는 유효 다이를 검출하여 웨이퍼 맵을 구성한다.The present invention utilizes the characteristic that an invalid die is located at the edge of the wafer as a rectangular die is arranged in a circular wafer to detect an effective die present at the edge of the wafer to construct a wafer map.

또한 본 발명은 중앙 기준선을 중심으로 대칭되는 웨이퍼의 가장자리로 이동하면서 유효 다이를 검출함으로써, 웨이퍼 맵의 생성 속도를 개선한다. The present invention also improves the speed of generation of the wafer map by detecting effective die while moving to the edge of the wafer which is symmetrical about the center reference line.

상기한 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 맵 생성 장치의 구성을 도 1을 참조하여 설명한다. The configuration of the wafer map generating apparatus according to the preferred embodiment of the present invention described above will be described with reference to FIG. 1.

상기 웨이퍼 맵 생성장치는 제어부(100), 메모리부(102), 사용자 인터페이스부(104), 촬상장치(106), 표시장치(108)로 구성된다. The wafer map generating apparatus includes a control unit 100, a memory unit 102, a user interface unit 104, an imaging device 106, and a display device 108.

상기 제어부(100)는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 웨이퍼를 촬상한 영상으로부터 유효 다이를 표식한 웨이퍼 맵을 구성한다. The controller 100 configures a wafer map in which an effective die is marked from an image of a wafer according to a preferred embodiment of the present invention.

상기 메모리부(102)에는 상기 제어부(100)의 처리 프로그램을 포함하는 다양한 정보가 저장한다. The memory unit 102 stores various information including a processing program of the controller 100.

상기 사용자 인터페이스부(104)는 사용자로부터 각종 명령 또는 정보를 입력받아 상기 제어부(100)로 제공한다. The user interface 104 receives various commands or information from a user and provides the same to the controller 100.

상기 촬상장치(106)는 웨이퍼를 촬상하고, 상기 촬상정보를 제어부(100)에 제공한다. The imaging device 106 captures a wafer and provides the sensing information to the controller 100.

상기 표시장치(108)는 상기 제어부(100)의 제어에 따라 웨이퍼 맵 구성과정, 또는 웨이퍼 맵을 사용자에게 안내한다. The display device 108 guides the wafer map construction process or the wafer map to the user under the control of the controller 100.

상기 외부장치 인터페이스부(110)는 외장 메모리 장치, 촬상 장치 등과의 인터페이스를 제공한다. The external device interface unit 110 provides an interface with an external memory device, an imaging device, or the like.

상기한 웨이퍼 맵 생성장치의 동작을 도 2를 참조하여 상세히 설명한다. The operation of the wafer map generator described above will be described in detail with reference to FIG. 2.

상기 제어부(100)는 사용자 인터페이스부(104)를 통해 웨이퍼 맵의 생성이 명령되면(200단계), 다이 정보를 입력하도록 하는 안내정보를 표시장치(108)에 표시한다(204단계). 상기 안내정보에 따라 사용자는 외부 장치 인터페이스(110)를 통해 다이 정보를 입력하거나, 웨이퍼를 촬상한 이미지 중에서 다이 영역을 사용자 인터페이스부(104)를 통해 설정하여 다이 정보를 입력할 수 있다. When the generation of the wafer map is instructed through the user interface 104 (step 200), the controller 100 displays guide information for inputting the die information on the display device 108 (step 204). According to the guide information, the user may input die information through the external device interface 110 or set the die area through the user interface unit 104 in the image photographed on the wafer to input die information.

상기 다이 정보는 웨이퍼 맵을 구성하고자 하는 웨이퍼에 형성된 하나의 다이에 대한 이미지 정보로 구성될 수 있다. 상기 다이 정보 중 일부는 다이 식별 정보로 활용되며, 상기 다이 식별 정보는 도 4에 도시한 바와 같이 다이의 네 모서리 부분에 대한 이미지 정보로 설정될 수 있다. The die information may be configured as image information of one die formed on a wafer to form a wafer map. Some of the die information is used as die identification information, and the die identification information may be set as image information on four corner portions of the die as shown in FIG. 4.

상기 다이정보가 입력되면(206단계), 상기 제어부(100)는 웨이퍼를 촬상한 영상정보를 촬상장치(106) 또는 외부장치로부터 획득한다(208단계). When the die information is input (step 206), the controller 100 obtains image information of the wafer from the imaging device 106 or an external device (step 208).

상기 제어부(100)는 상기 다이 정보에 대응되게 웨이퍼를 촬상한 영상정보에 기준선 및 다이열, 시작 다이 영역을 설정한다(210단계).The controller 100 sets a reference line, a die string, and a start die area in the image information of the wafer corresponding to the die information (step 210).

상기 제어부(100)는 상기 설정된 시작 영역에 대해 유효 다이 여부를 판별한다(212단계). The controller 100 determines whether the die is valid for the set start area (step 212).

상기 기준선과 시작 다이 영역이 표식된 도 3을 참조하면, 상기 기준선(B)은 상기 웨이퍼의 중앙선이며, 상기 시작 다이 영역(B)은 상기 웨이퍼의 최상단의 중앙선에 대응되는 영역으로 설정된다. Referring to FIG. 3 in which the reference line and the starting die area are marked, the reference line B is a center line of the wafer, and the starting die area B is set to an area corresponding to the top center line of the wafer.

그리고 상기 유효 다이 여부의 판별은 다음과 같다. 다이 식별정보는 도 4에 도시한 바와 같이 다이의 네 모서리에 대한 영상정보로 구성되므로, 상기 다이의 네 모서리에 대한 영상정보가 유효하게 존재하는 경우에 해당 다이는 유효 다이로 판별된다. The determination of whether the die is valid is as follows. Since the die identification information is composed of image information on four corners of the die as shown in FIG. 4, when the image information on four corners of the die is valid, the die is determined to be an effective die.

특히 본 발명은 도 5에 도시한 바와 같이 상기 유효 다이의 판별시의 속도를 향상시키기 위해 제1방향(좌)으로 이동하면서 유효 다이를 판별할 때에는 제1방향(좌)의 상하 모서리에 위치하는 식별정보만을 판별하고, 제2방향(우)으로 이동하면서 유효 다이를 판별할 때에는 제2방향(우)의 상하 모서리에 위치하는 식별정보만을 판별한다. In particular, the present invention is located in the upper and lower corners of the first direction (left) when determining the effective die while moving in the first direction (left) to improve the speed at the time of determination of the effective die as shown in FIG. When discriminating only the identification information and determining the effective die while moving in the second direction (right), only identification information located in the upper and lower corners of the second direction (right) is discriminated.

상기 시작 다이 영역의 다이가 유효 다이로 판별되면(214단계), 상기 제어부(100)는 웨이퍼 맵에 해당 영역에 대응되는 영역에 유효 다이를 표식한다(218단계). 이후 상기 제어부(100)는 제1방향(좌)에 존재하는 후보 영역으로 이동하여 해당 영역의 다이가 유효 다이인지를 판별한다(220단계). 특히, 유효 다이의 판별속도를 개선하기 위해 상기 제어부(100)는 제1방향(좌)의 상하에 존재하는 식별정보가 유효하게 존재하는지를 체크한다. If the die of the starting die region is determined to be an effective die (step 214), the controller 100 marks the effective die on an area corresponding to the corresponding area on the wafer map (step 218). Thereafter, the controller 100 moves to the candidate area in the first direction (left) and determines whether the die of the corresponding area is a valid die (step 220). In particular, in order to improve the discrimination speed of the effective die, the controller 100 checks whether identification information existing above and below the first direction (left) exists effectively.

상기 220단계에서 후보 영역의 다이가 유효 다이로 판별되면(222단계), 상기 제어부(100)는 상기 218단계로 복귀하여 해당 영역의 다이를 유효 다이를 표식하고 다시 제1방향(좌)으로 이동하여 다이의 판별을 반복한다. If the die of the candidate area is determined to be a valid die in operation 220 (operation 222), the control unit 100 returns to operation 218 to mark the die of the corresponding region as a valid die and move to the first direction (left) again. The determination of the die is repeated.

상기 214단계에서 상기 후보 영역의 다이가 유효 다이가 아니면, 제3방향(하)에 존재하는 후보 영역으로 이동하여 유효 다이 여부를 판별한다(216단계). 즉, 상기 제어부(100)는 시작 다이가 유효 다이가 아닌 경우에는 유효 다이가 검출될 때까지 제3방향(하)으로 이동한다. If the die of the candidate area is not a valid die in step 214, the controller moves to the candidate area in the third direction (bottom) to determine whether the die is valid (step 216). That is, when the starting die is not a valid die, the controller 100 moves in the third direction (down) until the valid die is detected.

한편 상기 222단계에서 해당 영역의 다이가 유효 다이가 아닌 것으로 판별되면, 상기 제어부(100)는 마지막으로 판별된 유효 다이 영역에 대해 기준선을 중심으로 제2방향(우)으로 대칭되는 후보 영역으로 이동하여 유효 다이 여부를 판별한다(224단계). 즉 본 발명은 해당 다이 열의 모든 다이에 대해 유효 여부를 판별하는 것이 아니라, 마지막으로 표식된 유효 다이에 대칭되는 우측의 영역부터 유효 다이를 검출함으로써 웨이퍼 맵 생성 속도를 향상시킨다. 또한 본 발명은 제2방향(우)으로 이동하면서 유효 다이를 판별하는 경우에는 해당 다이의 식별정보 중 상기 제2방향(우)의 상하 모서리에 위치하는 식별정보의 존재 여부만을 판별함으로써, 웨이퍼 맵 생성 속도를 향상시킨다. On the other hand, if it is determined in step 222 that the die of the corresponding area is not an effective die, the controller 100 moves to the candidate area that is symmetrically in the second direction (right) with respect to the baseline with respect to the last determined effective die area. In step 224, the controller determines whether the die is valid. That is, the present invention improves the wafer map generation speed by detecting valid dies from an area on the right side that is symmetrical to the marked valid dies, rather than determining whether all dies of the die row are valid. In the present invention, when determining the effective die while moving in the second direction (right), the wafer map is determined by determining whether only identification information located at upper and lower corners of the second direction (right) is present among the identification information of the corresponding die. Improve creation speed

상기 제2방향에 대칭되는 후보 영역의 다이가 유효 다이이면, 상기 제어부(100)는 웨이퍼 맵에 유효 다이를 표식하고 다시 제2방향(우)에 존재하는 후보 영역으로 이동하여 유효 다이를 판별한다(228,230단계).If the die of the candidate region symmetric to the second direction is an effective die, the controller 100 marks the effective die on the wafer map and moves to the candidate region existing in the second direction (right) again to determine the effective die. (Steps 228,230).

상기 230단계에서 후보 영역의 다이가 유효 다이이면(232단계), 상기 제어 부(100)는 상기 228 내지 230단계를 반복하며, 상기 후보 영역의 다이가 유효 다이가 아니면 상기 제어부(100)는 다음 다이 열에 대한 유효 다이 검출을 이행한다. If the die of the candidate area is a valid die in step 230 (step 232), the control unit 100 repeats steps 228 to 230, and if the die of the candidate area is not a valid die, the control unit 100 determines that the next die is a valid die. Perform valid die detection for die rows.

상기 226단계에서 상기 후보 영역의 다이가 유효 다이가 아니면, 상기 제어부(100)는 웨이퍼 맵을 참조하여 해당 다이 열 중 우측 영역에서 유효 다이가 검출되었는지를 체크한다(234단계). If the die of the candidate region is not a valid die in step 226, the controller 100 checks whether a valid die is detected in the right region of the corresponding die row by referring to a wafer map (step 234).

상기 해당 열 중 우측 영역에서 유효 다이가 검출된 적이 없으면, 상기 제어부(100)는 현재 영역에서 제1방향(좌)에 존재하는 후보 영역으로 이동하여 유효 다이를 판별한다(236단계). If no valid die has been detected in the right region of the corresponding column, the controller 100 moves from the current region to a candidate region existing in the first direction (left) to determine an effective die (step 236).

상기 제1방향(좌)에 존재하는 후보 영역의 다이가 유효 다이이면(238단계), 상기 제어부(100)는 웨이퍼 맵에 유효 다이를 표식한 후에(240단계), 상기 236단계로 복귀하여 제1방향(좌)에 존재하는 후보 영역으로 이동하여 유효 다이를 판별한다. If the die of the candidate region existing in the first direction (left) is a valid die (step 238), the controller 100 returns a valid die to a wafer map (step 240), and then returns to step 236. The effective die is determined by moving to a candidate area existing in one direction (left).

상기 238단계에서 후보 영역의 다이가 유효 다이가 아니면, 234단계로 복귀하여 해당 다이 열 중 제2방향(우) 영역에 유효 다이가 존재하는지를 판별하고, 상기 다이 열 중 제2방향(우) 영역에 유효 다이가 존재하지 않으면 상기 236 단계로 진행하여 제1방향에 존재하는 후보 영역으로 이동하여 유효 다이를 판별하는 과정을 반복한다. If the die of the candidate area is not a valid die in step 238, the process returns to step 234 to determine whether a valid die exists in a second direction (right) area of the corresponding die row, and the second direction (right) area of the die row. If no valid die exists, the process proceeds to step 236 and moves to the candidate area existing in the first direction to determine the valid die.

상기한 바와 같이 본 발명은 시작 영역의 다이 열에 대해 제1 및 제2방향의 가장자리에 대한 유효 노드의 검출이 완료되면, 상기 제어부(100)는 다음 다이 열에 대한 제1 및 제2방향의 가장자리에 대한 유효 노드의 검출을 시작한다. As described above, according to the present invention, when the detection of the effective node for the edges of the first and second directions with respect to the die rows of the start area is completed, the control unit 100 is connected to the edges of the first and second directions for the next die row. Start detection of valid nodes for

상기 제어부(100)는 다음 다이 열에 대한 유효 노드 검출을 위해 제3방향(하) 이동후, 마지막으로 판별된 유효 영역에 대해 기준선을 중심으로 제1방향(좌)으로 대칭되는 후보 영역으로 이동하여 유효 다이 여부를 판별한다(242단계).The controller 100 moves in a third direction (down) to detect a valid node for the next die row, and then moves to a candidate area that is symmetrically in a first direction (left) with respect to a reference line with respect to the last determined valid area. It is determined whether the die (step 242).

상기 후보 영역의 다이가 유효 다이이면, 상기 제어부(100)는 해당 후보 영역에 유효 다이를 표식함과 아울러 제1방향(좌)에 존재하는 후보 영역으로 이동하여 유효 다이를 판별한다(246,248단계). If the die of the candidate region is a valid die, the controller 100 marks the valid die on the candidate region and moves to a candidate region existing in the first direction (left) to determine a valid die (steps 246 and 248). .

상기 248단계에서 판별한 후보 영역의 다이가 유효 다이이면(250단계), 상기 제어부(100)는 상기 246 및 248 단계를 반복하고 유효 다이가 아니면 260단계로 진행하여 해당 열의 우측 가장자리에 위치하는 유효 다이의 검출을 시작한다. If the die of the candidate region determined in step 248 is a valid die (step 250), the controller 100 repeats steps 246 and 248 and proceeds to step 260 if the die is not a valid die and is located at the right edge of the corresponding column. Start detection of the die.

상기와 달리 상기 후보 영역의 다이가 유효 다이가 아니면, 상기 제어부(100)는 이전 후보 영역에서 제2방향(우)에 존재하는 후보 영역으로 이동하여 유효 다이 여부를 판별한다(254단계).Unlike the above, if the die of the candidate area is not a valid die, the controller 100 moves from the previous candidate area to the candidate area in the second direction (right) to determine whether the die is valid (step 254).

상기 254 단계에서 후보 영역의 다이가 유효 다이이면, 상기 제어부(100)는 해당 다이가 해당 열의 좌측 가장자리의 유효 다이로 판단하여 웨이퍼 맵에 유효 다이를 표식하고(258단계), 260단계로 진행하여 해당 열의 우측 가장자리에 위치하는 유효 다이의 검출을 시작한다. If the die of the candidate region is a valid die in step 254, the controller 100 determines that the die is an effective die of the left edge of the corresponding column, and marks an effective die on the wafer map (step 258). Start detection of a valid die located at the right edge of the row.

그러나, 상기 256단계에서 상기 해당 영역의 다이가 유효 다이가 아니면, 상기 제어부(100)는 상기 254단계로 복귀하여 재차 제2방향(우)에 존재하는 후보 영역으로 이동하여 유효 다이 판별을 이행한다.However, if the die of the corresponding area is not a valid die in step 256, the control unit 100 returns to step 254 to move to a candidate area existing in the second direction (right) again to perform valid die determination. .

상기 260단계에서 상기 제어부(100)는 마지막으로 판별된 유효 다이 영역에 대해 기준선을 중심으로 제2방향(우)으로 대칭되는 후보 영역으로 이동하여 유효 다이 여부를 판별한다(260단계). In step 260, the control unit 100 moves to the candidate area that is symmetrically in the second direction (right) with respect to the reference line with respect to the last determined effective die area (step 260).

상기 260단계에서 상기 후보 영역의 다이가 유효 다이이면, 상기 제어부(100)는 웨이퍼 맵에 유효 다이를 표식하고 제2방향(우)에 존재하는 후보 영역으로 이동하여 유효 다이 여부를 판별한다(264,266단계).If the die of the candidate region is a valid die in step 260, the controller 100 marks the effective die on the wafer map and moves to a candidate region in the second direction (right) to determine whether the die is valid (264,266). step).

상기 266단계에서 후보 영역의 다이가 유효 다이이면, 상기 제어부(100)는 상기 264 및 266 단계를 반복하고 유효 다이가 아니면 해당 열에 대한 우측 가장자리에 위치하는 유효 다이의 검출까지 완료된 것으로 판단하여 278단계로 진행한다.If the die of the candidate area is a valid die in step 266, the control unit 100 repeats steps 264 and 266, and if it is not a valid die, the controller 100 determines that the detection of a valid die located at the right edge of the corresponding column is completed. Proceed to

상기 262단계에서 상기 후보 영역의 다이가 유효 다이가 아니면, 상기 제어부(100)는 이전 후보 영역에서 제1방향(좌)에 존재하는 후보 영역으로 이동하여 유효 다이 여부를 판별한다(272단계).If the die of the candidate area is not a valid die in step 262, the controller 100 moves from the previous candidate area to a candidate area existing in the first direction (left) to determine whether the die is valid (step 272).

상기 272단계에서 판별한 후보 영역의 다이가 유효 다이이면(274단계), 상기 제어부(100)는 웨이퍼 맵에 유효 다이를 표식하고(276단계), 해당 열에 대한 우측 가장자리에 위치하는 유효 다이의 검출이 완료된 것으로 판단하여 278단계로 진행한다.If the die of the candidate region determined in step 272 is an effective die (step 274), the controller 100 marks the effective die on the wafer map (step 276), and detects an effective die located at the right edge of the corresponding column. It is determined that this is completed and proceeds to step 278.

그러나 상기 274단계에서 후보 영역의 다이가 유효 다이가 아니면 상기 제어부(100)는 상기 272단계로 복귀하여 다시 한번 제1방향(좌)에 존재하는 후보 영역으로 이동하여 유효 노드 여부를 판별한다. However, if the die of the candidate area is not a valid die in step 274, the control unit 100 returns to step 272 and once again moves to the candidate area in the first direction (left) to determine whether the node is a valid node.

상기 278단계에서 제어부(100)는 웨이퍼 맵을 참조하여 마지막 유효 다이의 검출이 웨이퍼의 마지막 열에 대한 검출인지를 판별하고(278단계), 상기 유효 다이 의 검출이 웨이퍼의 마지막 열에 대한 검출이면 280단계로 진행한다. In step 278, the controller 100 determines whether the detection of the last valid die is the detection of the last row of the wafer with reference to the wafer map (step 278). If the detection of the effective die is the detection of the last row of the wafer, step 280 Proceed to

상기 280단계에서 상기 제어부(100)는 웨이퍼의 가장 자리에 대한 유효 다이가 표식된 웨이퍼 맵을 저장하고 종료한다. In step 280, the controller 100 stores and ends the wafer map in which the effective die for the edge of the wafer is marked.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 맵 생성 장치의 구성도. 1 is a block diagram of a wafer map generating apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.

도 2a 및 도 2b는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 맵 생성 방법의 흐름도. 2A and 2B are flow charts of a wafer map generation method in accordance with a preferred embodiment of the present invention.

도 3 내지 도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 맵 생성 과정을 예시한 도면. 3 to 5 illustrate a wafer map generation process according to a preferred embodiment of the present invention.

Claims (11)

웨이퍼 맵 생성 방법에 있어서, In the wafer map generation method, 웨이퍼 촬상정보를 제공받아 기준선 및 다이 열을 설정하는 제1단계;A first step of receiving a wafer imaging information and setting a baseline and a die row; 상기 웨이퍼의 각 다이 열에 대해 상기 기준선을 중심으로 대칭되는 가장자리 영역의 유효 다이를 검출하여 웨이퍼 맵에 표식하는 제2단계A second step of detecting an effective die of an edge region symmetric about the baseline for each die row of the wafer and marking the effective die on a wafer map 를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 맵 생성 방법. Wafer map generation method comprising a. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제1단계는, The first step, 다이 크기 정보를 입력받는 단계;Receiving die size information; 상기 다이 크기 정보에 대응되는 기준선 및 다이 열을 포함하는 설정정보를 메모리부로부터 리드하는 단계;Reading setting information including a reference line and a die column corresponding to the die size information from a memory unit; 상기 리드한 설정정보에 따라 상기 웨이퍼 촬상장보에 기준선, 다이 열 및 시작 영역을 드로잉하는 단계로 구성됨을 특징으로 하는 웨이퍼 맵 생성 방법. And drawing a baseline, a die row, and a starting area on the wafer image pickup paper according to the read setting information. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제2단계는, The second step, 상기 다이 열 각각에 대해, 상기 기준선을 중심으로 제1방향의 가장자리에 대한 제1유효 다이를 검출하고, 상기 기준선을 중심으로 제1유효 다이에 대칭되는 영역부터 유효 다이를 검출함을 특징으로 하는 웨이퍼 맵 생성 방법. For each of the die rows, a first effective die for an edge in a first direction about the baseline is detected, and an effective die is detected from an area symmetrical to the first effective die about the baseline; Wafer map generation method. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 웨이퍼 촬상정보에 시작 영역을 더 설정하며, Further setting a start area in the wafer imaging information; 상기 시작 영역의 다이에 대해 유효 다이 여부를 판별하고, Determining whether a die is valid for a die of the start area; 상기 시작 영역의 다이가 유효 다이가 아니면 수직방향의 후보 영역으로 이동하여 유효 다이 여부를 판별하며, 상기 유효 다이가 검출되면 웨이퍼 맵에 유효 다이를 표식하고, If the die of the start area is not a valid die, the die is moved to a candidate region in the vertical direction to determine whether the die is valid, and when the valid die is detected, an effective die is marked on a wafer map. 상기 유효 다이의 표식후에는 제1방향의 후보 영역으로 이동하면서 유효 다이가 검출되지 않을 때까지 유효 다이를 검출하여 웨이퍼 맵에 유효 다이를 표식하고, After marking the effective die, the effective die is detected until the effective die is not detected while moving to the candidate region in the first direction, and the effective die is marked on the wafer map. 상기 제1방향의 후보 영역에 유효 다이가 검출되지 않으면, 상기 기준선을 중심으로 마지막으로 표식된 유효 다이에 대칭되는 제2방향의 후보 영역으로 이동하여 유효 다이 여부를 판별하며, 상기 후보 영역의 다이가 유효 다이가 아니면 유효 다이가 검출될 때까지 제1방향의 후보 영역으로 이동하면서 유효 다이를 검출하여 유효 다이를 표식하고, 상기 후보 영역의 다이가 유효 다이이면 비유효 다이가 검출될 때까지 제2방향의 후보 영역으로 이동하면서 유효 다이를 검출하여 유효 다이를 표식하고, If a valid die is not detected in the candidate region in the first direction, it moves to a candidate region in the second direction symmetrical to the last marked valid die centering on the reference line to determine whether the valid die is present, and whether the die of the candidate region is determined. If is not a valid die, move to a candidate area in the first direction until a valid die is detected, detecting a valid die and marking a valid die; if the die in the candidate region is a valid die, The effective die is detected by moving to the candidate region in two directions, and the effective die is marked. 상기 시작 영역을 포함하는 다이 열에 대해 가장자리에 위치하는 유효 다이의 검출이 완료되면, 마지막 다이 열까지 수직방향의 이동하면서 상기 기준선을 중 심으로 이전 다이 열의 마지막 유효 다이의 위치에 대칭되는 제1방향의 후보 영역부터 유효 다이 여부를 판별하며, 상기 후보 영역의 다이가 유효 다이가 아니면 유효 다이가 검출될 때까지 제2방향의 후보 영역으로 이동하면서 유효 다이를 검출하여 유효 다이를 표식하고, 상기 후보 영역의 다이가 유효 다이이면 비유효 다이가 검출될 때까지 제1방향의 후보 영역으로 이동하면서 유효 다이를 검출하여 유효 다이를 표식한 후에, When the detection of the effective die located at the edge relative to the die row including the starting area is completed, a first direction symmetrical to the position of the last effective die of the previous die row centering on the baseline while moving vertically to the last die row If a die of the candidate area is not a valid die, a valid die is detected by marking a valid die by moving to a candidate area in a second direction until a valid die is detected. If the die of the area is a valid die, after moving to the candidate area in the first direction until the invalid die is detected, detecting the effective die and marking the effective die, 상기 기준선을 중심으로 마지막 유효 다이의 위치에 대칭되는 제2방향의 후보 영역부터 유효 다이 여부를 판별하며, 상기 후보 영역의 다이가 유효 다이가 아니면 유효 다이가 검출될 때까지 제2방향의 후보 영역으로 이동하면서 유효 다이를 검출하여 유효 다이를 표식하고, 상기 후보 영역의 다이가 유효 다이이면 비유효 다이가 검출될 때까지 제1방향의 후보 영역으로 이동하면서 유효 다이를 검출하여 유효 다이를 표식하여 웨이퍼 맵을 생성함을 특징으로 하는 웨이퍼 맵 생성 방법. It is determined whether the die is a valid die from the candidate region in the second direction symmetrical to the position of the last effective die with respect to the reference line. If the die of the candidate region is not a valid die, the candidate region in the second direction until the valid die is detected Detects a valid die while marking the effective die, and if the die of the candidate region is a valid die, detects the effective die by marking the effective die while moving to the candidate region in the first direction until an invalid die is detected. Wafer map generation method, characterized in that for generating a wafer map. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 유효 다이 여부는, Whether the effective die, 다이의 네 모서리에 식별정보가 유효하게 표식되어 있는지 여부에 따라 판별됨을 특징으로 하는 웨이퍼 맵 생성 방법. Wafer map generation method characterized in that it is determined according to whether the identification information is effectively marked on the four corners of the die. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 유효 다이 여부는, Whether the effective die, 후보 영역 이동 방향에 대응되는 두 모서리의 식별정보가 유효하게 표식되어 있는지 여부에 따라 판별됨을 특징으로 하는 웨이퍼 맵 생성 방법. Wafer map generation method characterized in that it is determined according to whether identification information of the two corners corresponding to the candidate region movement direction is effectively marked. 웨이퍼 맵 생성 장치에 있어서, In the wafer map generating device, 다이 크기별 설정정보를 저장하는 메모리부;A memory unit storing setting information for each die size; 사용자 인터페이스부; A user interface unit; 웨이퍼 촬상정보를 제공받아 상기 사용자 인터페이스를 통해 입력된 다이 크기에 대응되는 설정정보를 리드하여 상기 웨이퍼 촬상정보에 대한 기준선 및 다이 열을 설정하고,Receiving reference information of the wafer and reading setting information corresponding to the die size input through the user interface to set a baseline and a die row for the wafer imaging information; 상기 기준선을 중심으로 대칭되는 웨이퍼의 가장자리 영역에 대해 유효 다이를 검출하여 웨이퍼 맵에 표식하는 제어부A controller which detects an effective die and marks the wafer map on an edge region of the wafer which is symmetric about the reference line. 를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 맵 생성 장치. Wafer map generation apparatus comprising a. 제7항에 있어서, The method of claim 7, wherein 상기 제어부는, The control unit, 상기 다이 열 각각에 대해, 상기 기준선을 중심으로 제1방향의 가장자리에 대한 제1유효 다이를 검출하고, 상기 기준선을 중심으로 제1유효 다이에 대칭되는 영역부터 유효 다이를 검출함을 특징으로 하는 웨이퍼 맵 생성 장치. For each of the die rows, a first effective die for an edge in a first direction about the baseline is detected, and an effective die is detected from an area symmetrical to the first effective die about the baseline; Wafer Map Generator. 제7항에 있어서, The method of claim 7, wherein 상기 제어부는, The control unit, 상기 웨이퍼 촬상정보에 시작 영역을 더 설정하며, Further setting a start area in the wafer imaging information; 상기 시작 영역의 다이에 대해 유효 다이 여부를 판별하고, Determining whether a die is valid for a die of the start area; 상기 시작 영역의 다이가 유효 다이가 아니면 수직방향의 후보 영역으로 이동하여 유효 다이 여부를 판별하며, 상기 유효 다이가 검출되면 웨이퍼 맵에 유효 다이를 표식하고, If the die of the start area is not a valid die, the die is moved to a candidate region in the vertical direction to determine whether the die is valid, and when the valid die is detected, an effective die is marked on a wafer map. 상기 유효 다이의 표식후에는 제1방향의 후보 영역으로 이동하면서 유효 다이가 검출되지 않을 때까지 유효 다이를 검출하여 웨이퍼 맵에 유효 다이를 표식하고, After marking the effective die, the effective die is detected until the effective die is not detected while moving to the candidate region in the first direction, and the effective die is marked on the wafer map. 상기 제1방향의 후보 영역에 유효 다이가 검출되지 않으면, 상기 기준선을 중심으로 마지막으로 표식된 유효 다이에 대칭되는 제2방향의 후보 영역으로 이동하여 유효 다이 여부를 판별하며, 상기 후보 영역의 다이가 유효 다이가 아니면 유효 다이가 검출될 때까지 제1방향의 후보 영역으로 이동하면서 유효 다이를 검출하여 유효 다이를 표식하고, 상기 후보 영역의 다이가 유효 다이이면 비유효 다이가 검출될 때까지 제2방향의 후보 영역으로 이동하면서 유효 다이를 검출하여 유효 다이를 표식하고, If a valid die is not detected in the candidate region in the first direction, it moves to a candidate region in the second direction symmetrical to the last marked valid die centering on the reference line to determine whether the valid die is present, and whether the die of the candidate region is determined. If is not a valid die, move to a candidate area in the first direction until a valid die is detected, detecting a valid die and marking a valid die; if the die in the candidate region is a valid die, The effective die is detected by moving to the candidate region in two directions, and the effective die is marked. 상기 시작 영역을 포함하는 다이 열에 대해 가장자리에 위치하는 유효 다이의 검출이 완료되면, 마지막 다이 열까지 수직방향의 이동하면서 상기 기준선을 중심으로 이전 다이 열의 마지막 유효 다이의 위치에 대칭되는 제1방향의 후보 영역부터 유효 다이 여부를 판별하며, 상기 후보 영역의 다이가 유효 다이가 아니면 유 효 다이가 검출될 때까지 제2방향의 후보 영역으로 이동하면서 유효 다이를 검출하여 유효 다이를 표식하고, 상기 후보 영역의 다이가 유효 다이이면 비유효 다이가 검출될 때까지 제1방향의 후보 영역으로 이동하면서 유효 다이를 검출하여 유효 다이를 표식한 후에, When the detection of the effective die located at the edge relative to the die row including the starting area is completed, the first direction is symmetrical to the position of the last effective die of the previous die row about the reference line while moving vertically to the last die row. If the die of the candidate area is not a valid die, the valid area is detected by marking a valid die by moving to the candidate area in the second direction until a valid die is detected. If the die of the area is a valid die, after moving to the candidate area in the first direction until the invalid die is detected, detecting the effective die and marking the effective die, 상기 기준선을 중심으로 마지막 유효 다이의 위치에 대칭되는 제2방향의 후보 영역부터 유효 다이 여부를 판별하며, 상기 후보 영역의 다이가 유효 다이가 아니면 유효 다이가 검출될 때까지 제2방향의 후보 영역으로 이동하면서 유효 다이를 검출하여 유효 다이를 표식하고, 상기 후보 영역의 다이가 유효 다이이면 비유효 다이가 검출될 때까지 제1방향의 후보 영역으로 이동하면서 유효 다이를 검출하여 유효 다이를 표식하여 웨이퍼 맵을 생성함을 특징으로 하는 웨이퍼 맵 생성 장치. It is determined whether the die is a valid die from the candidate region in the second direction symmetrical to the position of the last effective die with respect to the reference line. If the die of the candidate region is not a valid die, the candidate region in the second direction until the valid die is detected. Detects a valid die while marking the effective die, and if the die of the candidate region is a valid die, detects the effective die by marking the effective die while moving to the candidate region in the first direction until an invalid die is detected. Wafer map generation device, characterized in that for generating a wafer map. 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 7 to 9, 상기 유효 다이 여부는, Whether the effective die, 다이의 네 모서리에 식별정보가 유효하게 표식되어 있는지 여부에 따라 판별됨을 특징으로 하는 웨이퍼 맵 생성 장치. Wafer map generation apparatus characterized in that it is determined according to whether or not identification information is effectively marked on the four corners of the die. 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 7 to 9, 상기 유효 다이 여부는, Whether the effective die, 후보 영역 이동 방향에 대응되는 두 모서리의 식별정보가 유효하게 표식되어 있는지 여부에 따라 판별됨을 특징으로 하는 웨이퍼 맵 생성 장치. And determining identification information of two corners corresponding to the candidate region moving direction is effectively marked.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06132366A (en) * 1992-10-14 1994-05-13 Toshiba Seiki Kk Forming method of mapping data
JP2000286272A (en) 1999-03-31 2000-10-13 Nichiden Mach Ltd Method for recognizing minute work piece and pickup apparatus using the same
KR20040069853A (en) * 2003-01-30 2004-08-06 아남반도체 주식회사 System and Method for inspecting wafer
KR20040086439A (en) * 2002-02-26 2004-10-08 동경 엘렉트론 주식회사 Probe area setting method and probe device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06132366A (en) * 1992-10-14 1994-05-13 Toshiba Seiki Kk Forming method of mapping data
JP2000286272A (en) 1999-03-31 2000-10-13 Nichiden Mach Ltd Method for recognizing minute work piece and pickup apparatus using the same
KR20040086439A (en) * 2002-02-26 2004-10-08 동경 엘렉트론 주식회사 Probe area setting method and probe device
KR20040069853A (en) * 2003-01-30 2004-08-06 아남반도체 주식회사 System and Method for inspecting wafer

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