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KR100947481B1 - Bake unit and method - Google Patents

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KR100947481B1
KR100947481B1 KR1020070111355A KR20070111355A KR100947481B1 KR 100947481 B1 KR100947481 B1 KR 100947481B1 KR 1020070111355 A KR1020070111355 A KR 1020070111355A KR 20070111355 A KR20070111355 A KR 20070111355A KR 100947481 B1 KR100947481 B1 KR 100947481B1
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김현경
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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 기판을 가열하는 베이크 유닛 및 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 베이크 유닛은 내부에 베이크 공정을 수행하는 공간을 제공하는 하우징, 하우징 내 공기를 배기시키는 배기부재, 웨이퍼를 가열하는 가열부재, 베이크 공정시 가열부재에 놓여진 웨이퍼와 대향되도록 설치되며, 중앙이 아래로 볼록한 형상을 가지는 가이드판, 그리고 가이드판과 웨이퍼 사이 공간으로 안내가스를 공급하여, 베이크 공정시 상기 사이 공간 내 열기류가 효과적으로 배기부재로 배출되도록 하는 가스 공급부재를 포함한다. 본 발명은 베이크 공정시 웨이퍼 표면에 도포된 감광액로부터 발생되는 흄을 포함하는 열기류를 효과적으로 배기시켜, 배기되는 열기류에 의해 웨이퍼 처리면의 포토레지스막이 손상되는 것을 방지한다.The present invention relates to a bake unit and method for heating a semiconductor substrate. The baking unit according to the present invention is installed so as to face the wafer placed in the housing for providing a space for performing a baking process therein, an exhaust member for exhausting air in the housing, a heating member for heating the wafer, during the baking process, A guide plate having a centrally convex shape and a gas supply member supplying a guide gas to the space between the guide plate and the wafer so that the hot air flow in the interspace is effectively discharged to the exhaust member during the baking process. The present invention effectively exhausts the hot air flow including the fume generated from the photosensitive liquid applied to the wafer surface during the baking process, and prevents the photoresist film on the wafer processing surface from being damaged by the hot air flow.

반도체, 웨이퍼, 베이크, 배기, 포토레지스트, 흄 Semiconductor, wafer, bake, exhaust, photoresist, fume

Description

베이크 유닛 및 방법{BAKE UNIT AND METHOD}BAKE UNIT AND METHOD

본 발명은 반도체 기판을 가열하는 베이크 유닛 및 상기 베이크 유닛의 베이크 공정 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a baking unit for heating a semiconductor substrate and a baking process method of the baking unit.

반도체 제조 공정 중 사진 공정(photo-lithography process)은 웨이퍼 상에 원하는 패턴을 형성시키는 공정이다. 보통 사진 공정은 노광설비가 연결되어 도포공정, 노광공정, 그리고 현상공정을 연속적으로 처리하는 스피너(spinner local) 설비에서 진행된다. 이러한 스피너 설비는 도포공정, 베이크 공정, 그리고 현상 공정을 순차적 또는 선택적으로 수행한다. 여기서, 베이크 공정은 웨이퍼 상에 형성된 감광액막을 강화시키기 위해, 또는 웨이퍼의 온도가 기설정된 온도를 만족시키기 위해 웨이퍼를 가열 및 냉각시키는 공정이다.A photo-lithography process is a process of forming a desired pattern on a wafer. Usually, the photographing process is performed in a spinner local facility in which exposure equipment is connected to continuously process an application process, an exposure process, and a developing process. Such spinner installations sequentially or selectively perform an application process, a baking process, and a developing process. Here, the baking process is a process of heating and cooling the wafer to strengthen the photosensitive liquid film formed on the wafer, or to satisfy the predetermined temperature of the wafer.

이러한 베이크 공정을 수행하는 유닛은 내부에 베이크 공정을 수행하는 공간을 제공하는 하우징과, 상기 하우징 내부에 설치되어 공정시 웨이퍼를 가열하는 히터, 그리고 배기라인를 포함한다. 배기라인은 하우징과 연결되어, 베이크 공정시 하우징 내 열기류(공기)를 외부로 배출시킨다. 베이크 공정시 웨이퍼가 가열되면, 웨이퍼 표면에 도포된 포토레지스트로 인해 다량의 흄(fume)이 발생되므로, 배기라 인은 하우징 내 흄을 포함하는 열기류를 하우징 내부로부터 배기시킨다. The unit performing the bake process includes a housing providing a space for performing the bake process therein, a heater installed inside the housing to heat the wafer during the process, and an exhaust line. The exhaust line is connected to the housing to discharge hot air (air) in the housing to the outside during the baking process. When the wafer is heated during the baking process, a large amount of fume is generated due to the photoresist applied to the wafer surface, so the exhaust line exhausts hot air including the fume in the housing from the inside of the housing.

그러나, 베이크 공정시 하우징 내 열기류를 배기라인을 통해 배기시키는 경우, 하우징 내부로부터 배기라인으로 이동되는 열기류가 웨이퍼의 특정 영역에 집중되는 현상이 발생된다. 웨이퍼의 특정 영역에 열기류의 흐름이 집중되면, 베이크 공정시 웨이퍼 전반에 가열온도가 불균일해지고, 웨이퍼 처리면에 형성된 포토레지스막이 손상된다. However, when the hot air flow in the housing is exhausted through the exhaust line during the baking process, a phenomenon occurs in which the hot air flows from the inside of the housing to the exhaust line is concentrated in a specific area of the wafer. When the flow of hot air is concentrated in a specific region of the wafer, the heating temperature becomes uneven throughout the wafer during the baking process, and the photoresist film formed on the wafer processing surface is damaged.

본 발명은 배기 효율을 향상시키는 베이크 유닛 및 방법을 제공한다.The present invention provides a bake unit and method for improving the exhaust efficiency.

본 발명은 베이크 공정시 웨이퍼 전반을 균일한 온도로 가열하는 베이크 유닛 및 방법을 제공한다.The present invention provides a baking unit and method for heating the entire wafer to a uniform temperature during the baking process.

본 발명은 베이크 공정시 웨이퍼 처리면에 도포된 포토레지스막의 손상을 방지하는 베이크 유닛 및 방법을 제공한다.The present invention provides a baking unit and method for preventing damage to the photoresist film applied to the wafer processing surface during the baking process.

상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 베이크 유닛은 내부에 베이크 공정을 수행하는 공간을 제공하는 하우징, 기판이 놓여지는 상부면을 가지며 베이크 공정시 상기 상부면에 놓여진 기판을 가열하는 가열부재, 그리고 상기 하우징 내부에서 상기 상부면에 놓여진 기판과 대향되도록 설치되며, 공정시 상기 가열부재에 놓여진 기판의 중앙영역과의 간격보다 상기 가열부재에 놓여진 기판의 가장자리영역과의 간격이 크도록 형상지어지는 가이드판을 포함한다.Baking unit according to the present invention for solving the above problems has a housing for providing a space for performing a baking process therein, a heating member for heating the substrate placed on the upper surface during the baking process, And installed in the housing so as to face the substrate placed on the upper surface, and shaped to have a greater distance from an edge region of the substrate placed on the heating member than a distance between a center region of the substrate placed on the heating member during the process. It includes a guide plate.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 가이드판은 공정시 상기 가열부재에 놓여진 기판과의 간격이 상기 기판의 중심으로부 멀어질수록 점진적으로 증가하도록 형상지어진다.According to an embodiment of the invention, the guide plate is shaped so that the distance from the substrate placed on the heating member gradually increases as the distance from the center of the substrate during the process.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 가이드판은 아래로 볼록한 형상이다.According to an embodiment of the invention, the guide plate is convex downward.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 가이드판은 공정시 상기 가열부재에 안착된 기판의 직경보다 큰 지름을 가진다.According to an embodiment of the invention, the guide plate has a diameter larger than the diameter of the substrate seated on the heating member during the process.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 가이드판은 상기 가열부재에 놓여진 기판과 대향되며, 아래로 볼록한 형상을 가지는 제1 플레이트 및 상기 하우징의 상부벽과 일정한 간격으로 이격되도록 상기 제1 플레이트의 상부에 제공되는 제2 플레이트를 포함한다.According to another embodiment of the invention, the guide plate is opposed to the substrate placed on the heating member, the first plate having a convex shape and the upper portion of the first plate so as to be spaced apart at regular intervals from the upper wall of the housing It includes a second plate provided in.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 베이크 유닛은 상기 가이드판과 상기 기판의 사이 공간으로 안내가스를 공급하는 가스공급부재를 더 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the bake unit further includes a gas supply member supplying a guide gas to a space between the guide plate and the substrate.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 가스공급부재는 상기 가이드판의 중앙과 상기 기판의 중앙 사이의 공간으로 안내가스를 공급한다.According to an embodiment of the present invention, the gas supply member supplies a guide gas to a space between the center of the guide plate and the center of the substrate.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 가스공급부재는 상기 가이드판의 중앙에 설치되며, 아래로 갈수록 상기 가이드판의 중심으로부터 멀어지는 방향으로 상기 안내가스를 공급하는 분사포트 및 상기 분사포트로 안내가스를 공급하는 가스공급라인을 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the gas supply member is installed in the center of the guide plate, the injection port for supplying the guide gas in a direction away from the center of the guide plate toward the downward and guide gas to the injection port It includes a gas supply line for supplying.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 하우징은 상기 하우징의 측벽 상단으로부터 상기 하우징의 중심을 향해 상향경사지도록 연장되는 상부벽을 가지고, 상기 베이크 유닛은 상기 상부벽 중앙에 연결되어, 상기 하우징 내 가스를 상기 하우징으로부터 배출시키는 배기라인을 더 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the housing has an upper wall extending upwardly inclined from the top of the side wall of the housing toward the center of the housing, and the bake unit is connected to the center of the upper wall to supply gas in the housing. It further comprises an exhaust line for discharging from the housing.

상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 베이크 방법은 내부에 베이크 공정을 수행하는 공간을 제공하는 하우징, 상기 하우징 내부에서 기판을 지지하는 지지면을 가지며 상기 지지면에 놓여진 기판을 가열하는 가열부재를 구비하여 베이 크 공정을 수행하되, 상기 가열부재에 놓여진 기판의 중앙영역의 열기류를 기판의 가장자리영역으 이동되도록 안내하여 공정을 수행한다.Baking method according to the present invention for solving the above problems has a housing for providing a space for performing a baking process therein, a heating member for heating the substrate placed on the support surface having a support surface for supporting the substrate inside the housing The baking process is performed, but the hot air flow in the central region of the substrate placed on the heating member is guided to move to the edge region of the substrate.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판의 중앙영역으로부터 상기 기판의 가장자리영역으로의 열기류 이동 안내는 공정시 상기 가열부재에 안착된 기판과 대향되도록 배치되는 가이드판을 구비하고, 상기 가이드판과 상기 기판 사이 공간의 중앙영역으로 안내가스를 공급하여, 공급되는 안내가스가 상기 기판의 중앙영역으로부터 상기 기판의 가장자리영역으로 이동되면서 상기 사이 공간 내 상기 열기류를 상기 기판의 가장자리로 이동되도록 안내하여 진행된다.According to an embodiment of the present invention, the hot-air flow movement guide from the center region of the substrate to the edge region of the substrate is provided with a guide plate disposed to face the substrate seated on the heating member during the process, the guide plate and the The guide gas is supplied to the center region of the inter-substrate space, and the guide gas supplied is moved from the center region of the substrate to the edge region of the substrate to guide the hot air in the interspace to move to the edge of the substrate. .

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판의 중앙으로부터 상기 기판의 가장자리로의 열기류 이동 안내는 상기 안내가스를 상기 기판의 중앙영역을 향해 분사하되, 상기 안내가스가 아래로 갈수록 상기 가이드판의 중심으로부터 멀어지는 방향으로 경사지도록 분사되도록 하여 진행된다.According to an embodiment of the present invention, the hot air flow guides from the center of the substrate to the edge of the substrate to inject the guide gas toward the center region of the substrate, and as the guide gas moves downward from the center of the guide plate. It proceeds to be sprayed so as to incline in a direction away.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판의 중앙으로부터 상기 기판의 가장자리로의 열기류 이동 안내는 상기 가이드판과 상기 기판과의 간격을 상기 가이드판의 중심으로부터 멀어질수록 점진적으로 증가하도록 하여 수행된다.According to an embodiment of the present invention, the hot air flow guide from the center of the substrate to the edge of the substrate is performed by gradually increasing the distance between the guide plate and the substrate as the distance from the center of the guide plate.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판의 중앙으로부터 상기 기판의 가장자리로의 열기류 이동 안내는 상기 가이드판의 직경을 상기 기판의 직경보다 크도록 하여 이루어진다.According to an embodiment of the invention, the hot air flow guides from the center of the substrate to the edge of the substrate is made so that the diameter of the guide plate is larger than the diameter of the substrate.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 사이 공간으로부터 유출되는 열기류는 상기 가이드판과 상기 하우징의 상부벽 사이 공간으로 이동된 후 상기 상부벽 중앙에 형성되는 배출구를 통해 배출된다.According to an embodiment of the present invention, the hot air flowing out of the interspace is discharged through the outlet formed in the center of the upper wall after moving to the space between the guide plate and the upper wall of the housing.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 베이크 방법은 상기 기판의 처리면에 감광액을 도포하는 도포 공정 이후에 수행되는 소프트 베이크 공정이다.According to an embodiment of the present invention, the baking method is a soft baking process performed after an application process of applying a photosensitive liquid to the processing surface of the substrate.

본 발명에 따른 베이크 유닛 및 방법은 베이크 공정시 하우징 내 배기를 효과적으로 수행하여 베이크 공정 효율을 향상시킨다.The baking unit and method according to the present invention effectively perform exhaust in the housing during the baking process to improve the baking process efficiency.

본 발명에 따른 베이크 유닛 및 방법은 베이크 공정시 하우징 내 배기를 효과적으로 수행하여 배기되는 열기류에 의해 웨이퍼 전반의 불균일해지는 현상을 방지한다.The baking unit and the method according to the present invention effectively perform the exhaust in the housing during the baking process to prevent unevenness of the entire wafer due to the exhausted hot air flow.

본 발명에 따른 베이크 유닛 및 방법은 베이크 공정시 배기되는 열기류에 의해 웨이퍼 상의 포토레지스트막이 손상되는 것을 방지한다.The baking unit and method according to the present invention prevent the photoresist film on the wafer from being damaged by the hot air exhausted during the baking process.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided to ensure that the disclosed subject matter is thorough and complete, and that the spirit of the present invention to those skilled in the art will fully convey. Portions denoted by like reference numerals denote like elements throughout the specification.

또한, 본 실시예에서는 스피너 설비에 구비되어 반도체 기판의 온도를 조절하는 베이크 공정을 수행하는 장치를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명은 다양한 종류의 기판을 가열 및 냉각시키는 모든 반도체 및 평판 디스플레이 제조 장치에 적용이 가능할 수 있다.In addition, the present embodiment has been described as an example of the apparatus provided in the spinner facility to perform the baking process for adjusting the temperature of the semiconductor substrate, the present invention is applied to all semiconductor and flat panel display manufacturing apparatus for heating and cooling various kinds of substrates Application may be possible.

(실시예)(Example)

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 베이크 유닛을 보여주는 도면이다. 그리고, 도 3은 도 1에 도시된 가이드판의 저면을 보여주는 도면이다.1 is a plan view of a substrate processing apparatus according to the present invention, and FIG. 2 is a view showing a baking unit shown in FIG. 1. 3 is a view showing the bottom of the guide plate shown in FIG.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(apparatus for treating substrate)(1)는 도포공정, 노광공정, 그리고 현상공정을 연속적으로 처리한다. 기판 처리 장치(1)로는 스피너(spinner local) 설비가 사용될 수 있다. 기판 처리 장치(1)는 인덱서부(indexer member)(10), 공정 처리부(process treating member)(20), 인터페이스부(interface member)(30), 그리고 노광 공정부(exporsure process member)(40)를 포함한다. Referring to FIG. 1, an apparatus for treating substrate 1 according to the present invention continuously processes an application process, an exposure process, and a development process. As the substrate processing apparatus 1, a spinner local facility may be used. The substrate processing apparatus 1 includes an indexer member 10, a process treating member 20, an interface member 30, and an exposure process member 40. It includes.

인덱서부(10)는 로드 포트(load port)(12) 및 이송 유닛(transfer unit)(14)을 가진다. 로드 포트(12)는 복수의 반도체 기판(W)을 수용하는 카세트(C:Cassette)가 놓여지는 로드부를 가진다. 이송 유닛(14)은 로드 포트(12)와 공정 처리부(20) 사이에 배치되며, 로드 포트(12)에 안착된 카세트(C)와 공정 처리부(20) 상호간에 반도체 기판(이하, '웨이퍼'라 함)(W)를 이송한다. The indexer portion 10 has a load port 12 and a transfer unit 14. The load port 12 has a rod portion on which a cassette C for accommodating a plurality of semiconductor substrates W is placed. The transfer unit 14 is disposed between the load port 12 and the process processor 20, and a semiconductor substrate (hereinafter referred to as a “wafer”) between the cassette C seated at the load port 12 and the process processor 20. (W).

공정 처리부(20)는 기판처리공정을 수행한다. 여기서, 상기 기판처리공정은 도포 공정(coat process), 베이크 공정(bake process), 그리고 현상 공정(develop process)을 포함한다. 이를 위해, 공정 처리부(20)는 도포 유닛(coater unit)(22), 현상 유닛(developer unit)(24), 그리고 다수의 베이크 유닛(bake unit)(100)들을 포함한다. 도포 유닛(22)은 웨이퍼(W) 상에 감광액(photoresist)을 도포시킨다. 현상 유닛(24)은 감광액 막질이 형성된 웨이퍼(W)에 현상액(developer)을 공급하여 웨이퍼(W)를 현상시킨다. 그리고, 베이크 유닛(100)은 웨이퍼(W)를 기설정된 온도로 가열한다. 공정 처리부(20)는 적어도 하나의 이송 로봇(26)을 구비한다. 이송 로봇(26)은 각각의 유닛들(22, 24, 100) 상호간에 웨이퍼(W)를 이송한다.The process processor 20 performs a substrate treatment process. In this case, the substrate treating process includes a coating process, a bake process, and a development process. To this end, the process treatment unit 20 includes a coater unit 22, a developer unit 24, and a plurality of bake units 100. The coating unit 22 applies a photoresist on the wafer W. As shown in FIG. The developing unit 24 supplies the developer to the wafer W on which the photoresist film is formed to develop the wafer W. As shown in FIG. The baking unit 100 heats the wafer W to a predetermined temperature. The process processor 20 includes at least one transfer robot 26. The transfer robot 26 transfers the wafer W between each of the units 22, 24, and 100.

인터페이스부(30)는 공정 처리부(20)와 노광 공정부(30) 상호간에 웨이퍼(W)를 이송하고, 노광 공정부(40)은 인터페이스부(30)로부터 이송받은 웨이퍼(W) 상에 공정상 요구되는 패턴(pattern)을 형성시키는 노광 공정을 수행한다. 노광 공정부(40)로는 상기 노광 공정을 수행하는 이른바 스텝퍼(stepper)와 같은 노광 공정 장치가 사용될 수 있다.The interface unit 30 transfers the wafer W between the process processor 20 and the exposure process unit 30, and the exposure process unit 40 processes the wafer W on the transferred wafer W from the interface unit 30. An exposure process is performed to form a desired pattern. As the exposure process unit 40, an exposure process apparatus such as a stepper that performs the exposure process may be used.

계속해서, 본 발명에 따른 베이크 유닛의 구성들을 설명한다. 각각의 베이크 유닛(100)들은 대체로 동일한 구성 및 구조를 가진다. 본 실시예에서는 베이크 유닛(100)들 중 어느 하나의 베이크 유닛을 구체적으로 설명한다.Subsequently, the configurations of the baking unit according to the present invention will be described. Each bake unit 100 has a substantially identical configuration and structure. In the present embodiment, any one of the baking units 100 will be described in detail.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 베이크 유닛(100)은 하우징(housing)(110), 배기부재(exhaust member)(120), 가열부재(heating member)(130), 안내부재(guide plate)(140), 그리고 가스공급부재(gas supply member)(150)를 포함한다.2 and 3, the bake unit 100 according to the present invention includes a housing 110, an exhaust member 120, a heating member 130, and a guide member. guide plate 140, and a gas supply member 150.

하우징(110)은 내부에 베이크 공정(bake process)을 수행하는 공간을 제공한다. 하우징(110)은 제1 몸체(first body)(112) 및 제2 몸체(second body)(114)를 가진다. 제1 몸체(112)는 상부가 개방되는 용기 형상을 가진다. 제2 몸체(114)는 제1 몸체(112)의 개방된 상부를 커버(cover)하도록 형상지어진다. 제2 몸체(114)는 상하로 업/다운(up/down)이 가능하도록 설치된다. 제2 몸체(114)의 업/다운 동작으로 인해, 하우징(110)은 개방되거나 밀폐된다. 제1 몸체(112)는 밀폐부재(112a)를 가진다. 밀폐부재(112a)는 하우징(110) 밀폐시 제2 몸체(114)와 접촉되는 제1 몸체(112)에 설치된다. 밀폐부재(112a)로는 오링(o-ring)이 사용될 수 있다.The housing 110 provides a space therein for performing a bake process. The housing 110 has a first body 112 and a second body 114. The first body 112 has a container shape in which the upper portion is opened. The second body 114 is shaped to cover the open top of the first body 112. The second body 114 is installed to enable up / down up and down. Due to the up / down operation of the second body 114, the housing 110 is open or closed. The first body 112 has a sealing member 112a. The sealing member 112a is installed in the first body 112 that contacts the second body 114 when the housing 110 is sealed. An o-ring may be used as the sealing member 112a.

제2 몸체(114)는 측벽(114a) 및 상부벽(114b)을 가진다. 상부벽(114b)은 측벽(114a)의 상단으로부터 상방향으로 갈수록 하우징(110)의 중심을 향해 경사지도록 연장된다. 상부벽(114b)의 중앙에는 하우징(110) 내 공기가 배출되는 배출구(114b')가 형성된다. 상부벽(114b)의 경사 각도는 베이크 공정시 하우징(110) 내 공기가 배출구(114b')를 향해 효과적으로 이동되도록 설정된다.The second body 114 has a side wall 114a and an upper wall 114b. The upper wall 114b extends from the top of the side wall 114a to be inclined upward toward the center of the housing 110. A discharge port 114b ′ through which air in the housing 110 is discharged is formed at the center of the upper wall 114b. The inclination angle of the upper wall 114b is set so that the air in the housing 110 moves effectively toward the outlet 114b 'during the baking process.

배기부재(120)는 베이크 공정시 하우징(110) 내 공기를 외부로 배출시킨다. 배기부재(120)는 배기라인(exhaust line)(122)을 가진다. 배기라인(122)의 일단은 상부벽(114b)의 배출구(114b')와 연결된다. 배기라인(122)은 베이크 공정시 배출구(114b')를 통해 배출되는 하우징(110) 내 공기를 외부로 배기시킨다.The exhaust member 120 discharges air in the housing 110 to the outside during the baking process. The exhaust member 120 has an exhaust line 122. One end of the exhaust line 122 is connected to the outlet 114b 'of the upper wall 114b. The exhaust line 122 exhausts the air in the housing 110 discharged through the outlet 114b ′ during the baking process to the outside.

가열부재(130)는 베이크 공정시 웨이퍼(W)를 가열한다. 가열부재(130)로는 히터(heater)가 사용될 수 있다. 가열부재(130)는 지지몸체(support body)(132) 및 가열판(heating plate)(134)을 포함한다. 지지몸체(132)는 베이크 공정시 웨이 퍼(W)가 놓여지는 상부면을 가진다. 지지몸체(132)는 대체로 원통형상을 가지며, 하우징(110)의 제1 몸체(112) 내 중앙에 설치된다. 가열판(134)은 지지몸체(132) 내부에 적어도 하나가 설치된다. 가열판(134)은 베이크 공정시 지지몸체(132)에 로딩(loading)된 웨이퍼(W)를 기설정된 공정온도로 가열한다.The heating member 130 heats the wafer W during the baking process. A heater may be used as the heating member 130. The heating member 130 includes a support body 132 and a heating plate 134. The support body 132 has an upper surface on which the wafer W is placed during the baking process. The support body 132 has a generally cylindrical shape and is installed in the center of the first body 112 of the housing 110. At least one heating plate 134 is installed in the support body 132. The heating plate 134 heats the wafer W loaded on the support body 132 to a predetermined process temperature during the baking process.

안내부재(140)는 베이크 공정시 하우징(110) 내 고온의 공기(이하, '열기류'라 함)가 효과적으로 배출구(114b')를 향해 이동되도록 안내한다. 안내부재(140)는 가이드판(guide plate)(142)을 가진다. 가이드판(142)은 베이크 공정시 가열부재(130)에 놓여진 웨이퍼(W)와 대향되도록 설치된다. 가이드판(142)은 중앙이 아래로 볼록한 형상을 가진다. 따라서, 가이드판(142)과 가열부재(130)에 놓여진 웨이퍼(W)와의 간격은 가이드판(142)의 중앙으로부터 멀어질수록 점진적으로 증가한다(d1<d2). 또한, 가이드판(142)의 직경은 공정시 가열부재(130)에 놓여진 웨이퍼(W)의 직경보다 크다.The guide member 140 guides the hot air (hereinafter, referred to as' hot air flow ') in the housing 110 to be effectively moved toward the outlet 114b' during the baking process. The guide member 140 has a guide plate 142. The guide plate 142 is installed to face the wafer W placed on the heating member 130 during the baking process. The guide plate 142 has a shape in which the center thereof is convex downward. Therefore, the distance between the guide plate 142 and the wafer W placed on the heating member 130 gradually increases as the distance from the center of the guide plate 142 increases (d1 <d2). In addition, the diameter of the guide plate 142 is larger than the diameter of the wafer W placed on the heating member 130 during the process.

가이드판(142)의 중앙영역에는 토출홀(144)들이 형성된다. 토출홀(144)들은 도3에 도시된 바와 같이, 가이드판(142)의 중심을 기준으로 환형으로 배치된다. 각각의 토출홀(144)들은 베이크 공정시 가스 공급부재(150)로부터 공급받은 안내가스를 가이드판(142)과 웨이퍼(W) 사이 공간(C)으로 분사한다. 이때, 토출홀(144)들은 베이크 공정시 가이드판(142)의 중심으로부터 멀어지는 방향으로 경사지게 안내가스가 토출되도록 제공된다. 따라서, 토출홀(144)들로부터 토출되는 안내가스는 가이드판(142)과 웨이퍼(W) 사이 공간(C)의 중앙으로부터 가장자리로 이동되어 사이 공간(C)으로부터 빠져나간다.Discharge holes 144 are formed in the central region of the guide plate 142. As shown in FIG. 3, the discharge holes 144 are disposed in an annular shape with respect to the center of the guide plate 142. Each of the discharge holes 144 sprays the guide gas supplied from the gas supply member 150 into the space C between the guide plate 142 and the wafer W during the baking process. At this time, the discharge holes 144 are provided so that the guide gas is inclined in a direction away from the center of the guide plate 142 during the baking process. Therefore, the guide gas discharged from the discharge holes 144 is moved from the center of the space C between the guide plate 142 and the wafer W to the edge and escapes from the inter space C.

또한, 가이드판(142)은 제2 몸체(114)의 상부벽(114b)으로부터 일정간격이 이격되도록 설치된다. 따라서, 상부벽(114b)과 가이드판(142) 사이에는 사이 공간(C)으로부터 이동된 열기류가 유입되는 유입구(a)가 제공된다. 공정시 유입구(a)를 통해 가이드판(142)과 상부벽(114b) 사이 공간으로 유입되는 열기류는 배출구(114b')를 향해 이동된다.In addition, the guide plate 142 is installed to be spaced apart from the upper wall (114b) of the second body (114). Accordingly, an inlet port (a) through which the hot air flowed from the interspace C is introduced between the upper wall 114b and the guide plate 142. During the process, the hot air flowing into the space between the guide plate 142 and the upper wall 114b through the inlet port a is moved toward the outlet port 114b '.

가스 공급부재(150)는 하우징(110) 내 사이 공간(C)으로 안내가스를 공급한다. 가스 공급부재(150)는 분사포트(injection port)(152) 및 가스공급라인(gas supply line)(154)을 포함한다. 분사포트(152)는 가이드판(142)의 중앙에 설치된다. 분사포트(152)는 베이크 공정시 가스공급라인(154)으로부터 안내가스를 공급받아, 사이 공간(c)의 중앙으로 안내가스를 공급한다. 여기서, 안내가스는 베이크 공정시 웨이퍼(W)로부터 발생되는 흄(fume)을 포함하는 열기류가 효과적으로 배출구(114b')를 통해 이동되도록 유도하기 위한 가스이다. 안내가스로는 질소가스(N2 gas)와 같은 불활성 가스가 사용될 수 있다.The gas supply member 150 supplies the guide gas to the space C in the housing 110. The gas supply member 150 includes an injection port 152 and a gas supply line 154. The injection port 152 is installed at the center of the guide plate 142. The injection port 152 receives the guide gas from the gas supply line 154 during the baking process, and supplies the guide gas to the center of the interspace c. Here, the guide gas is a gas for inducing hot air including a fume generated from the wafer W during the baking process to be effectively moved through the discharge port 114b '. As the guide gas, an inert gas such as nitrogen gas (N 2 gas) may be used.

본 실시예에서는 복수의 토출홀(144)들을 가이드판(142)에 형성하여 안내가스를 분사하는 경우를 예로 들어 설명하였으나, 안내가스를 분사하기 위한 토출홀의 형상은 다양하게 변경 및 변형이 가능하다. 예컨대, 도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 가이드판(142a)은 가이드판(142a)의 중심을 기준으로 링(ring) 형상으로 형성되는 토출홀(144a)을 가진다.In this embodiment, a plurality of discharge holes 144 are formed in the guide plate 142 to inject the guide gas, but the shape of the discharge hole for injecting the guide gas may be variously changed and modified. . For example, referring to FIG. 4, the guide plate 142a according to another embodiment of the present invention has a discharge hole 144a formed in a ring shape based on the center of the guide plate 142a.

본 실시예에서는 아래록 볼록한 플레이트 형상의 가이드판(142)을 구비하는 베이크 유닛(100)을 예로 들어 설명하였으나, 가이드판의 형상은 다양하게 변경 및 변형이 가능하다. 즉, 도 5를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가이드판(140')은 제1 플레이트(142a) 및 제2 플레이트(142b)를 포함한다. 제1 플레이트(142a)는 앞서 설명한 가이드판(140)과 동일한 구조를 가진다. 제2 플레이트(142b)는 유입구(a)로 유입되는 가스가 배출구(114b')를 향해 효과적으로 이동되도록 제공된다. 제2 플레이트(142b)는 제1 플레이트(142a)의 끝단으로부터 하우징(110)의 배출구(114b')를 향해 연장된다. 제2 플레이트(142b)와 상부벽(114b) 사이의 간격은 일정하도록 제공된다. 또는, 선택적으로 제2 플레이트(142b)와 상부벽(114b) 사이의 간격은 구간별로 상이할 수 있다. 제2 플레이트(142b)와 상부벽(114b) 사이의 공간은 유입구(a)로 유입된 가스가 배출구(114b')로 이동되기 위한 통로로 제공된다. 본 발명의 다른 실시예에 다른 가이드판(140a)은 일 실시예에 따른 가이드판(140)에 비해, 유입구(a)로 유입된 가스가 효과적으로 배출구(114b')를 향해 이동되도록 한다.In the present exemplary embodiment, the baking unit 100 having the guide plate 142 having a convex plate shape is described as an example, but the shape of the guide plate may be variously changed and modified. That is, referring to FIG. 5, the guide plate 140 ′ according to another embodiment of the present invention includes a first plate 142a and a second plate 142b. The first plate 142a has the same structure as the guide plate 140 described above. The second plate 142b is provided to allow the gas flowing into the inlet port a to move effectively toward the outlet port 114b '. The second plate 142b extends from the end of the first plate 142a toward the outlet 114b 'of the housing 110. The gap between the second plate 142b and the top wall 114b is provided to be constant. Alternatively, the interval between the second plate 142b and the upper wall 114b may be different for each section. The space between the second plate 142b and the upper wall 114b is provided as a passage for moving the gas introduced into the inlet port a to the outlet port 114b '. The guide plate 140a according to another embodiment of the present invention allows the gas introduced into the inlet port a to be effectively moved toward the outlet port 114b 'compared to the guide plate 140 according to the embodiment.

이하, 본 발명에 따른 베이크 유닛(100)의 베이크 공정 과정을 상세히 설명한다. 도 6a 내지 도 6d는 본 발명에 따른 베이크 유닛의 베이크 공정 과정을 설명하기 위한 도면들이다. 여기서, 베이크 공정은 기판을 가열시키는 공정 및 냉각시키는 공정을 수행한다. 기판의 가열 공정은 도포 공정 전에 수행되는 공정(예컨대, 어드히젼 공정), 또는 감광액 도포 공정 후에 수행되는 공정(예컨대, 소프트 베이크 공정), 현상 공정 전에 수행되는 공정(예컨대, 노광 공정 후 베이크 공정), 그리고, 현상 공정 후에 수행되는 공정(예컨대, 하드 베이크 공정) 등을 포함할 수 있다.Hereinafter, the baking process of the baking unit 100 according to the present invention will be described in detail. 6A to 6D are views for explaining a baking process of the baking unit according to the present invention. Here, the baking step performs a step of heating and cooling the substrate. The heating step of the substrate may be a step performed before the coating step (e.g., an adjuvant step), or a step performed after a photoresist coating step (e.g., a soft bake step), a step performed before a developing step (e.g., a bake step after an exposure step) And, it may include a process (for example, a hard bake process) performed after the development process.

도 6a를 참조하면, 제2 몸체(114)가 상승되어 하우징(110)이 개방된다. 하우징(110)이 개방되면, 이송 로봇(26)은 베이크 유닛들 중 소프트 베이크 공정을 수행하는 베이크 유닛(100)으로 웨이퍼(W)를 반입한 후 가열부재(120)에 웨이퍼(W)를 로딩(loading)한다.Referring to FIG. 6A, the second body 114 is raised to open the housing 110. When the housing 110 is opened, the transfer robot 26 loads the wafer W into the baking unit 100 which performs a soft baking process among the baking units, and then loads the wafer W into the heating member 120. (loading)

도 6b를 참조하면, 제2 몸체(114)가 하강되어, 하우징(110)이 밀폐된다. 하우징(110)이 밀폐되면, 가열부재(120)는 기설정된 공정온도로 웨이퍼(W)를 가열한다. 이때, 웨이퍼(W) 표면에는 감광액이 도포되어 있으므로, 베이크 공정시에는 다량의 흄(fume)이 발생된다. 따라서, 가이드판(140) 및 가스공급부재(150)는 이러한 흄(fume)이 효과적으로 하우징(110)으로부터 배출되도록 한다.Referring to FIG. 6B, the second body 114 is lowered to seal the housing 110. When the housing 110 is sealed, the heating member 120 heats the wafer W at a predetermined process temperature. At this time, since the photosensitive liquid is coated on the surface of the wafer W, a large amount of fume is generated during the baking process. Accordingly, the guide plate 140 and the gas supply member 150 allow the fume to be effectively discharged from the housing 110.

즉, 도 6c를 참조하면, 가스공급라인(154)은 분사포트(152)로 안내가스를 공급한다. 분사포트(152)는 공급받은 안내가스를 사이 공간(c)으로 분사한다. 분사된 안내가스는 사이 공간(c)의 중앙으로부터 가장자리로 이동되면서, 사이 공간(c)에 잔류하는 흄(fume)을 포함하는 열기류가 유입구(a)를 향해 유입되도록 안내한다. 유입구(a)로 열기류 및 안개가스는 배출구(114b')를 통해 배출된 후 배기라인(122)에 의해 하우징(110) 외부로 배기된다. 이때, 가이드판(140)은 중앙이 아래로 볼록한 형상을 가지므로, 사이 공간(c) 내 열기류는 사이 공간(c)으로부터 효과적으로 유출된다. 또한, 가이드판(142)과 웨이퍼(W) 사이의 간격이 가이드판(142)의 중심으로부터 멀어질수록 커지는 형상을 가지므로, 사이 공간(c) 내 열기류는 사이 공간(c)의 특정 영역에 정체되지 않고 효과적으로 배출된다.That is, referring to FIG. 6C, the gas supply line 154 supplies the guide gas to the injection port 152. The injection port 152 injects the supplied guide gas into the interspace c. The injected guide gas is moved from the center of the interspace c to the edge, and guides the hot air flow including the fume remaining in the interspace c toward the inlet a. The hot air flow and the mist gas to the inlet (a) is discharged through the discharge port 114b ′ and then exhausted to the outside of the housing 110 by the exhaust line 122. At this time, since the center of the guide plate 140 is convex downward, the hot air flow in the interspace c is effectively discharged from the interspace c. In addition, since the distance between the guide plate 142 and the wafer W has a shape that increases as the distance from the center of the guide plate 142, the hot air flow in the interspace c is applied to a specific region of the interspace c. Efficiently discharged without stagnation.

도 6d를 참조하면, 제2 몸체(114)가 상승되어 하우징(110)은 개방되고, 기설정된 공정온도로 가열된 웨이퍼(W)는 이송 로봇(26)에 의해 하우징(110)으로부터 반출된 후 노광 공정이 수행되는 노광 공정부(40)로 이송된다. Referring to FIG. 6D, the second body 114 is raised to open the housing 110, and the wafer W heated to a predetermined process temperature is removed from the housing 110 by the transfer robot 26. The exposure process is transferred to the exposure process unit 40.

상술한 바와 같이, 본 발명은 베이크 공정시 하우징(110) 내 배기를 효과적으로 수행하여 베이크 공정 효율을 향상시킨다. 즉, 본 발명은 베이크 공정시 웨이퍼(W) 표면에 도포된 포토레지스트로부터 발생되는 열기류를 효과적으로 배기함으로써, 배기되는 열기류에 의해 웨이퍼(W) 전반의 가열온도가 불균일해지는 현상을 방지하고, 또한 배기되는 열기류에 의해 웨이퍼(W) 처리면에 도포된 포토레지스트 막이 손상되는 것을 방지한다.As described above, the present invention improves the baking process efficiency by effectively evacuating the housing 110 during the baking process. That is, the present invention effectively exhausts the hot air generated from the photoresist applied to the surface of the wafer W during the baking process, thereby preventing the phenomenon that the heating temperature of the entire wafer W is uneven due to the exhausted hot air is prevented from being exhausted. It is prevented that the photoresist film applied to the wafer W processing surface is damaged by the hot air flow.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description illustrates the present invention. In addition, the foregoing description merely shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, the scope equivalent to the disclosed contents, and / or the skill or knowledge in the art. The above-described embodiments are for explaining the best state in carrying out the present invention, the use of other inventions such as the present invention in other state known in the art, and the specific fields of application and uses of the present invention. Various changes are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 평면도이다.1 is a plan view of a substrate processing apparatus according to the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 베이크 유닛을 보여주는 도면이다.FIG. 2 is a view illustrating the bake unit illustrated in FIG. 1.

도 3은 도 1에 도시된 가이드판의 저면을 보여주는 도면이다.3 is a view showing the bottom of the guide plate shown in FIG.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 가이드판의 저면을 보여주는 도면이다.4 is a view showing the bottom of the guide plate according to another embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가이드판을 가지는 베이크 유닛을 보여주는 도면이다.5 is a view showing a baking unit having a guide plate according to another embodiment of the present invention.

도 6a 내지 도 6d는 본 발명에 따른 베이크 유닛의 베이크 공정 과정을 설명하기 위한 도면들이다.6A to 6D are views for explaining a baking process of the baking unit according to the present invention.

*도면의 주요 부분에 대한 부호 설명** Description of symbols on the main parts of the drawings *

1 : 기판 처리 장치1: substrate processing apparatus

10 : 인덱서부10: indexer part

20 : 공정 처리부20 process processing unit

30 : 인터페이스부30: interface unit

40 : 노광 공정부40: exposure step

100 : 베이크 유닛100: bake unit

110 : 하우징110: housing

120 : 배기부재120: exhaust member

130 : 지지부재130: support member

140 : 안내부재140: guide member

150 : 가스 공급부재150: gas supply member

Claims (17)

내부에 베이크 공정을 수행하는 공간을 제공하는 하우징과,A housing that provides a space for carrying out a baking process therein; 기판이 놓여지는 상부면을 가지며, 베이크 공정시 상기 상부면에 놓여진 기판을 가열하는 가열부재, 그리고A heating member having an upper surface on which the substrate is placed, which heats the substrate placed on the upper surface in a baking process, and 상기 하우징 내부에서 상기 상부면에 놓여진 기판과 대향되도록 설치되며, 공정시 상기 가열부재에 놓여진 기판의 중앙영역과의 간격보다 상기 가열부재에 놓여진 기판의 가장자리영역과의 간격이 크도록 형상지어지는 가이드판을 포함하는 것을 특징으로 하는 베이크 유닛.The guide is installed to face the substrate placed on the upper surface inside the housing, and is formed so that the distance between the edge region of the substrate placed on the heating member is greater than the center region of the substrate placed on the heating member during the process. Bake unit comprising a plate. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가이드판은,The guide plate, 공정시 상기 가열부재에 놓여진 기판과의 간격이 상기 기판의 중심으로부 멀어질수록 점진적으로 증가하도록 형상지어지는 것을 특징으로 하는 베이크 유닛.The baking unit, characterized in that it is shaped so that the distance from the substrate placed on the heating member gradually increases as the distance from the center of the substrate. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 가이드판은,The guide plate, 아래로 볼록한 형상인 것을 특징으로 하는 베이크 유닛.Bake unit, characterized in that the convex shape down. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 가이드판은,The guide plate, 공정시 상기 가열부재에 안착된 기판의 직경보다 큰 지름을 가지는 것을 특징으로 하는 베이크 유닛.The baking unit, characterized in that having a diameter larger than the diameter of the substrate seated on the heating member during the process. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가이드판은,The guide plate, 상기 가열부재에 놓여진 기판과 대향되며, 아래로 볼록한 형상을 가지는 제1 플레이트와,A first plate opposed to the substrate placed on the heating member and having a convex shape downward; 상기 하우징의 상부벽과 일정한 간격으로 이격되도록 상기 제1 플레이트의 상부에 제공되는 제2 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 베이크 유닛. And a second plate provided on an upper portion of the first plate to be spaced apart from the upper wall of the housing at regular intervals. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 5, 상기 베이크 유닛은,The baking unit, 상기 가이드판과 상기 기판의 사이 공간으로 안내가스를 공급하는 가스공급부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 베이크 유닛.And a gas supply member supplying a guide gas to a space between the guide plate and the substrate. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 가스공급부재는,The gas supply member, 상기 가이드판의 중앙과 상기 기판의 중앙 사이의 공간으로 안내가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 베이크 유닛.The baking unit, characterized in that for supplying a guide gas to the space between the center of the guide plate and the center of the substrate. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 가스공급부재는,The gas supply member, 상기 가이드판의 중앙에 설치되며, 아래로 갈수록 상기 가이드판의 중심으로부터 멀어지는 방향으로 상기 안내가스를 공급하는 분사포트와,It is installed in the center of the guide plate, the injection port for supplying the guide gas in a direction away from the center of the guide plate toward the bottom, 상기 분사포트로 안내가스를 공급하는 가스공급라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 베이크 유닛.And a gas supply line for supplying a guide gas to the injection port. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 하우징은,The housing, 상기 하우징의 측벽 상단으로부터 상기 하우징의 중심을 향해 상향경사지도록 연장되는 상부벽을 가지고,Has an upper wall extending upwardly inclined toward the center of the housing from an upper end of the side wall of the housing, 상기 베이크 유닛은,The baking unit, 상기 상부벽 중앙에 연결되어, 상기 하우징 내 가스를 상기 하우징으로부터 배출시키는 배기라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 베이크 유닛.And an exhaust line connected to the center of the upper wall to exhaust gas in the housing from the housing. 삭제delete 삭제delete 내부에 베이크 공정을 수행하는 공간을 제공하는 하우징, 상기 하우징 내부에서 기판을 지지하는 지지면을 가지며 상기 지지면에 놓여진 기판을 가열하는 가열부재를 구비하여 베이크 공정을 수행하며,Performing a bake process with a housing providing a space for performing a bake process therein, and having a support surface for supporting a substrate in the housing and a heating member for heating the substrate placed on the support surface, 상기 가열부재에 놓여진 기판의 중앙영역의 열기류를 기판의 가장자리영역으 이동되도록 안내하여 공정을 수행하되,The hot air flow in the central region of the substrate placed on the heating member is guided to move to the edge region of the substrate, 상기 기판의 중앙영역으로부터 상기 기판의 가장자리영역으로의 열기류 이동 안내는,Hot air flow guides from the center region of the substrate to the edge region of the substrate, 공정시 상기 가열부재에 안착된 기판과 대향되도록 배치되는 가이드판을 구비하고, 상기 가이드판과 상기 기판 사이 공간의 중앙영역으로 안내가스를 공급하여, 공급되는 상기 안내가스가 상기 기판의 중앙영역으로부터 상기 기판의 가장자리영역으로 이동되면서 상기 사이 공간 내 상기 열기류를 상기 기판의 가장자리영역으로 이동되도록 안내하여 진행되며,A guide plate disposed to face the substrate seated on the heating member during the process, and supplying a guide gas to a center region of the space between the guide plate and the substrate, wherein the guide gas is supplied from the center region of the substrate. While moving to the edge region of the substrate proceeds by guiding the hot air in the interspace to move to the edge region of the substrate, 상기 안내가스를 상기 기판의 중앙영역을 향해 분사하되, 상기 안내가스가 아래로 갈수록 상기 가이드판의 중심으로부터 멀어지는 방향으로 경사지도록 분사되도록 하여 진행되는 것을 특징으로 하는 베이크 방법.The guide method injects the guide gas toward the center region of the substrate, and the guide gas is directed to be inclined in a direction away from the center of the guide plate toward the bottom. 내부에 베이크 공정을 수행하는 공간을 제공하는 하우징, 상기 하우징 내부에서 기판을 지지하는 지지면을 가지며 상기 지지면에 놓여진 기판을 가열하는 가열부재를 구비하여 베이크 공정을 수행하며,Performing a bake process with a housing providing a space for performing a bake process therein, and having a support surface for supporting a substrate in the housing and a heating member for heating the substrate placed on the support surface, 상기 가열부재에 놓여진 기판의 중앙영역의 열기류를 기판의 가장자리영역으 이동되도록 안내하여 공정을 수행하되,The hot air flow in the central region of the substrate placed on the heating member is guided to move to the edge region of the substrate, 상기 기판의 중앙영역으로부터 상기 기판의 가장자리영역으로의 열기류 이동 안내는,Hot air flow guides from the center region of the substrate to the edge region of the substrate, 공정시 상기 가열부재에 안착된 기판과 대향되도록 배치되는 가이드판을 구비하고, 상기 가이드판과 상기 기판 사이 공간의 중앙영역으로 안내가스를 공급하여, 공급되는 상기 안내가스가 상기 기판의 중앙영역으로부터 상기 기판의 가장자리영역으로 이동되면서 상기 사이 공간 내 상기 열기류를 상기 기판의 가장자리영역으로 이동되도록 안내하여 진행되며,A guide plate disposed to face the substrate seated on the heating member during the process, and supplying a guide gas to a center region of the space between the guide plate and the substrate, wherein the guide gas is supplied from the center region of the substrate. While moving to the edge region of the substrate proceeds by guiding the hot air in the interspace to move to the edge region of the substrate, 상기 가이드판과 상기 기판과의 간격을 상기 가이드판의 중심으로부터 멀어질수록 점진적으로 증가하도록 하여 수행되는 것을 특징으로 하는 베이크 방법.Bake method characterized in that the distance between the guide plate and the substrate is gradually increased as the distance from the center of the guide plate. 제 13 항에 있어서,The method of claim 13, 상기 기판의 중앙영역으로부터 상기 기판의 가장자리영역으로의 열기류 이동 안내는,Hot air flow guides from the center region of the substrate to the edge region of the substrate, 상기 가이드판의 직경을 상기 기판의 직경보다 크도록 하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 베이크 방법.The baking method characterized by making the diameter of the said guide plate larger than the diameter of the said board | substrate. 제 12 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 12 to 14, 상기 하우징은,The housing, 상기 하우징의 측벽 상단으로부터 상기 하우징의 중심을 향해 상향경사지도록 연장되는 상부벽을 가지고,Has an upper wall extending upwardly inclined toward the center of the housing from an upper end of the side wall of the housing, 상기 사이 공간으로부터 유출되는 열기류는,The hot air flowing out from the interspace is 상기 가이드판과 상기 하우징의 상부벽 사이 공간으로 이동된 후 상기 상부벽 중앙에 형성되는 배출구를 통해 배출되는 것을 특징으로 하는 베이크 방법.Bake method characterized in that the discharge through the outlet formed in the center of the upper wall after moving to the space between the guide plate and the upper wall of the housing. 제 15 항에 있어서,The method of claim 15, 상기 베이크 방법은,The baking method, 상기 기판의 처리면에 감광액을 도포하는 도포 공정 이후에 수행되는 소프트 베이크 공정인 것을 특징으로 하는 베이크 방법.A baking method, characterized in that the soft baking process performed after the coating step of applying a photosensitive liquid to the processing surface of the substrate. 내부에 베이크 공정을 수행하는 공간을 제공하는 하우징, 상기 하우징 내부에서 기판을 지지하는 지지면을 가지며 상기 지지면에 놓여진 기판을 가열하는 가열부재를 구비하여 베이크 공정을 수행하며,Performing a bake process with a housing providing a space for performing a bake process therein, and having a support surface for supporting a substrate in the housing and a heating member for heating the substrate placed on the support surface, 상기 가열부재에 놓여진 기판의 중앙영역의 열기류를 기판의 가장자리영역으 이동되도록 안내하여 공정을 수행하되,The hot air flow in the central region of the substrate placed on the heating member is guided to move to the edge region of the substrate, 상기 기판의 중앙영역으로부터 상기 기판의 가장자리영역으로의 열기류 이동 안내는,Hot air flow guides from the center region of the substrate to the edge region of the substrate, 공정시 상기 가열부재에 안착된 기판과 대향되도록 배치되는 가이드판을 구비하고, 상기 가이드판과 상기 기판 사이 공간의 중앙영역으로 안내가스를 공급하여, 공급되는 상기 안내가스가 상기 기판의 중앙영역으로부터 상기 기판의 가장자리영역으로 이동되면서 상기 사이 공간 내 상기 열기류를 상기 기판의 가장자리영역으로 이동되도록 안내하여 진행되며,A guide plate disposed to face the substrate seated on the heating member during the process, and supplying a guide gas to a center region of the space between the guide plate and the substrate, wherein the guide gas is supplied from the center region of the substrate. While moving to the edge region of the substrate proceeds by guiding the hot air in the interspace to move to the edge region of the substrate, 상기 하우징은,The housing, 상기 하우징의 측벽 상단으로부터 상기 하우징의 중심을 향해 상향경사지도록 연장되는 상부벽을 가지고,Has an upper wall extending upwardly inclined toward the center of the housing from an upper end of the side wall of the housing, 상기 사이 공간으로부터 유출되는 열기류는,The hot air flowing out from the interspace is 상기 가이드판과 상기 하우징의 상부벽 사이 공간으로 이동된 후 상기 상부벽 중앙에 형성되는 배출구를 통해 배출되는 것을 특징으로 하는 베이크 방법.Bake method characterized in that the discharge through the outlet formed in the center of the upper wall after moving to the space between the guide plate and the upper wall of the housing.
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