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KR100883285B1 - Assembly comprising heat distributing plate and edge support - Google Patents

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KR100883285B1
KR100883285B1 KR1020037014675A KR20037014675A KR100883285B1 KR 100883285 B1 KR100883285 B1 KR 100883285B1 KR 1020037014675 A KR1020037014675 A KR 1020037014675A KR 20037014675 A KR20037014675 A KR 20037014675A KR 100883285 B1 KR100883285 B1 KR 100883285B1
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edge support
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차친쥐안엠
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어플라이드 머티어리얼즈 인코포레이티드
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Abstract

기판 처리 어셈블리는 복사 열 소스 (380) 로부터 에지 지지대상의 기판 (302) 으로 복사를 통해 열 에너지를 흡수 및 전달하기 위한 에지 지지대 (320) 와 열 분산 플레이트 (340) 를 구비한다. 에지 지지대는 처리하는 동안 기판 지지 위치를 한정하여 기판의 에지에서 기판을 지지한다. 어셈블리는 에지 지지대에 거의 평행하게 위치된 제 1 열 분산 플레이트를 더 구비한다. 복수의 에지 지지대 홀딩 암 (350) 은 에지 지지대에 연결된다. 또한, 복수의 에지 지지대 홀딩 암은 제 1 열 분산 플레이트에 연결되어 에지 지지대로부터 이격된 제 1 열 분산 플레이트를 홀딩한다. 또 다른 실시형태에서, 어셈블리는 에지 지지대로부터 이격된 제 2 열 분산 플레이트를 구비할 수 있다. 또 다른 실시형태에서, 기판 처리 어셈블리는 어셈블리가 위치되는 챔버 및 챔버에 복사 열을 제공하기 위한 복사 열 소스를 구비하는 기판 처리 장치에서 사용될 수 있다. 처리 어셈블리의 구조는, 챔버의 온도가 동작 온도로 빠르게 램프 (ramped) 될 수 있도록 낮은 열 질량을 갖는 기판 처리 어셈블리 구성요소를 제공하여서, 반도체 웨이퍼와 같은 기판을 처리하는 시간을 상당히 감소시킨다.

Figure R1020037014675

에지 지지대, 에지 지지대 홀딩 암, 열 분산 플레이트, 챔버, 기판, 복사 열 소스, 에지 링, 에지 링 지지대 암.

The substrate processing assembly includes an edge support 320 and a heat dissipation plate 340 for absorbing and transferring thermal energy through radiation from the radiant heat source 380 to the substrate 302 of the edge support. The edge support defines the substrate support position during processing to support the substrate at the edge of the substrate. The assembly further includes a first heat dissipation plate positioned substantially parallel to the edge support. The plurality of edge support holding arms 350 are connected to the edge support. Also, the plurality of edge support holding arms are connected to the first heat dissipation plate to hold the first heat dissipation plate spaced from the edge support. In yet another embodiment, the assembly can have a second heat dissipation plate spaced from the edge support. In yet another embodiment, the substrate processing assembly can be used in a substrate processing apparatus having a chamber in which the assembly is located and a radiant heat source for providing radiant heat to the chamber. The structure of the processing assembly provides a substrate processing assembly component with a low thermal mass so that the temperature of the chamber can be quickly ramped to operating temperature, thereby significantly reducing the time to process a substrate, such as a semiconductor wafer.

Figure R1020037014675

Edge support, edge support holding arm, heat dissipation plate, chamber, substrate, radiant heat source, edge ring, edge ring support arm.

Description

열 분산 플레이트 및 에지 지지대를 구비하는 어셈블리{ASSEMBLY COMPRISING HEAT DISTRIBUTING PLATE AND EDGE SUPPORT}Assembly with heat dissipation plate and edge support {ASSEMBLY COMPRISING HEAT DISTRIBUTING PLATE AND EDGE SUPPORT}

본 발명은 기판상에 박막의 화학적 기상 증착과 같은 처리용 처리 챔버에 관한 것으로, 특히, 박막 증착 및 고속 열 처리 챔버에서 사용하기 위한 낮은 질량 (mass) 기판 지지 어셈블리에 관한 것이다.FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to processing chambers for processing such as chemical vapor deposition of thin films on substrates, and more particularly to low mass substrate support assemblies for use in thin film deposition and high speed thermal processing chambers.

기판상에의 박막의 증착과 같은 열 처리는 많은 응용을 갖는다. 이러한 응용의 일 예가, 집적 회로의 제조를 위한 실리콘 기판의 처리이다. 집적 회로 제조의 중요한 부분은 집적 회로를 구성하는 트랜지스터 및 커패시터와 같은 능동 디바이스가 형성되는 반도체 기판의 처리이다. 웨이퍼상에 재료의 층을 증착하는 단계, 웨이퍼상에 형성된 재료의 층을 에칭하는 단계, 또는 웨이퍼상에 형성된 재료 내에서 화학적 반응 또는 온도-강화된 질량 전달을 유도하는 단계를 포함하는 다수의 처리 단계중 어느 것을 실행할 수 있다. 이러한 처리 동안 증착할 수 있는 재료의 예는 에피택셜 실리콘 또는 다결정 실리콘, 또는 실리콘 상의 열 산화물 또는 열 질화물등이 있다.Thermal treatments, such as the deposition of thin films on a substrate, have many applications. One example of such an application is the processing of silicon substrates for the manufacture of integrated circuits. An important part of integrated circuit fabrication is the processing of semiconductor substrates in which active devices such as transistors and capacitors that make up the integrated circuit are formed. A number of processes including depositing a layer of material on the wafer, etching a layer of material formed on the wafer, or inducing a chemical reaction or temperature-enhanced mass transfer in the material formed on the wafer You can execute any of the steps. Examples of materials that can be deposited during this process include epitaxial silicon or polycrystalline silicon, or thermal oxides or thermal nitrides on silicon.

이러한 처리를 일반적으로 수행할 수 있는 처리 챔버는, 서셉터 (susceptor) 또는 에지 링과 같은 플랫폼, 기판 지지 메커니즘, 석영 하우징 또는 커버, 및 복사 열 에너지를 챔버의 내부와 처리할 기판에 제공하는 램프 어레이를 구비한다. 도 1a에 도시한 처리 챔버 (100) 와 같은 화학적 기상 증착 처리 챔버에서, 이들 처리 단계중 하나 이상을 실행할 수 있다. 개구 (도시 생략) 를 통해 처리 챔버 (100) 에 웨이퍼 (102) 를 삽입하여 서셉터 (104) 상에 배치한다. 일반적으로, 상부 가열 램프 (106) 가 웨이퍼 (102) 상의 처리 챔버 (100) 의 상부 돔 (108) 을 통해 적외광을 복사하기 위해 사용된다. 또한, 하부 가열 램프 (107) 가 서셉터 (104) 상의 처리 챔버 (100) 의 하부 돔 (109) 을 통해 적외광을 복사하기 위해 사용될 수도 있다. 일반적으로, 상부 돔 (108) 및 하부 돔 (109) 은 석영으로 이루어진다. 다음으로, 처리 챔버 (100) 를 통해 하나 이상의 가스를 주입한다. 다음으로, 이들 가스는, 요구되는 처리 온도로 유지하면서 웨이퍼 (102) 에 대해, 전술한 바와 같이, 하나 이상의 처리 단계를 실행한다.Process chambers that can generally perform such processing include platforms such as susceptors or edge rings, substrate support mechanisms, quartz housings or covers, and lamps that provide radiant thermal energy to the interior of the chamber and to the substrate to be processed. With an array. In a chemical vapor deposition processing chamber, such as the processing chamber 100 shown in FIG. 1A, one or more of these processing steps may be performed. The wafer 102 is inserted into the processing chamber 100 through an opening (not shown) and placed on the susceptor 104. In general, an upper heat lamp 106 is used to radiate infrared light through the upper dome 108 of the processing chamber 100 on the wafer 102. In addition, a lower heating lamp 107 may be used to radiate infrared light through the lower dome 109 of the processing chamber 100 on the susceptor 104. In general, the upper dome 108 and the lower dome 109 are made of quartz. Next, one or more gases are injected through the processing chamber 100. These gases then perform one or more processing steps, as described above, on the wafer 102 while maintaining the required processing temperature.

가열 램프 (106 및 107) 에 공급되는 전력을 제어함으로써, 웨이퍼 (102) 는 요구된 처리 온도로 유지할 수 있다. 도 1b는 챔버 (100) 와 사용될 수 있는 상위 가열 램프 (106) 의 고리형 어레이의 일 예의 평면도이다.By controlling the power supplied to the heating lamps 106 and 107, the wafer 102 can be maintained at the required processing temperature. 1B is a top view of an example of an annular array of upper heat lamps 106 that may be used with chamber 100.

도 2는 기판 또는 웨이퍼를 서셉터 보다는 에지 링 (도시 생략) 상에 배치한 또 다른 처리 챔버 (200) 의 예의 평면도이다. 에지 링은 웨이퍼의 에지에서 웨이퍼를 둘러싸며 지지한다. 에지 링 (도 3에 도시됨) 은 에지 링 아래에 위치한 가열 램프로부터의 복사 열에 기판의 바닥면이 노출되도록 중앙의 개구를 한정한다. 웨이퍼의 상부 표면은 상부 가열 램프 (도시 생략) 의 어레이의 복사 열에 노출된다. 이러한 유형의 챔버에서, 가열 램프는 "벌집형" 어레이라 하는 어레이에 통상적으로 제공된다. 도 2는 벌집형 어레이의 일 예의 평면도를 도시한다. 벌집형 램프 어레이는, 벌집형 어레이에 의해 생성되는 가열 패턴이 고리형 램프 어레이와 비교하여 웨이퍼의 전체 표면에 대해 일반적으로 더욱 제어 가능하기 때문에, 기판 지지대로서 서셉터 보다는 에지 링을 사용하는 챔버에 특히 적합하다. 그러나, 벌집형 어레이는 수용할 수 있는 레벨의 신뢰도를 달성하기에는 비교적 고가일 수 있는 상대적으로 다수의 램프를 갖는다. 일반적으로, 고리형 램프 어레이는, 고리형 어레이의 가열 패턴이 다소 불규칙할 수도 있지만, 서셉터가 전도를 통해 기판에 열의 양호한 분산을 제공하기 때문에, 웨이퍼 지지대로서 서셉터를 갖는 챔버에서의 사용에 통상적으로 더욱 적합하다. 고리형 어레이는 벌집형 어레이와 비교하여 상대적으로 적은 수의 램프를 갖는다.2 is a top view of an example of another processing chamber 200 with a substrate or wafer disposed on an edge ring (not shown) rather than a susceptor. The edge ring surrounds and supports the wafer at the edge of the wafer. The edge ring (shown in FIG. 3) defines a central opening such that the bottom surface of the substrate is exposed to radiant heat from a heating lamp located below the edge ring. The top surface of the wafer is exposed to radiant heat of an array of top heating lamps (not shown). In this type of chamber, heat lamps are typically provided in arrays called "honeycomb" arrays. 2 shows a top view of an example of a honeycomb array. Honeycomb lamp arrays are used in chambers that use edge rings rather than susceptors as substrate supports because the heating pattern produced by the honeycomb array is generally more controllable over the entire surface of the wafer compared to the annular lamp array. Especially suitable. However, honeycomb arrays have a relatively large number of lamps, which can be relatively expensive to achieve an acceptable level of reliability. In general, annular lamp arrays are suitable for use in chambers with susceptors as wafer supports because the susceptor provides good dispersion of heat to the substrate through conduction, although the heating pattern of the annular array may be somewhat irregular. Usually more suitable. The annular array has a relatively small number of lamps compared to the honeycomb array.

많은 유형의 박막 증착 챔버 또는 리액터는, 증착 처리 동안 기판 또는 웨이퍼를 홀딩하기 위해 실리콘 탄화물-코팅된, 흑연 서셉터를 사용한다. 웨이퍼에 기계적 지지를 제공하는 것 이외에도, 서셉터는 처리하는 동안 서셉터상에 놓인 웨이퍼의 전체 표면상에 더욱 균일한 온도 분산을 달성하기 위해 가열 램프로부터 에너지를 흡수 및 분산시킨다. 이러한 설계는, 리액터가 웨이퍼 뿐만 아니라 웨이퍼 자체의 열 질량 보다 수 배 더 큰 열 질량을 갖는 서셉터를 가열하기 위해 충분한 에너지를 제공해야 하기 때문이다. 그 결과, 전체 처리 시간의 상당한 부분이 연속하는 웨이퍼 사이에서 리액터 가열 및 냉각으로 소비되기 때문에, 챔버 스루풋이 한정된다. 이러한 이유와, 서셉터의 직경이 처리할 웨이퍼의 사이즈에 의해 고정되기 때문에, 현재의 제조 기술이 허용하는 만큼 서셉터의 두께를 감소시키는 경향이 있다.Many types of thin film deposition chambers or reactors use a silicon carbide-coated graphite susceptor to hold the substrate or wafer during the deposition process. In addition to providing mechanical support to the wafer, the susceptor absorbs and dissipates energy from the heat lamp to achieve more uniform temperature distribution over the entire surface of the wafer placed on the susceptor during processing. This design is because the reactor must provide sufficient energy to heat not only the wafer but also a susceptor having a thermal mass several times greater than the thermal mass of the wafer itself. As a result, chamber throughput is limited because a significant portion of the total processing time is spent on reactor heating and cooling between successive wafers. For this reason and because the diameter of the susceptor is fixed by the size of the wafer to be processed, there is a tendency to reduce the thickness of the susceptor as much as current manufacturing techniques allow.

그러나, 서셉터의 열 질량을 감소시키는 이러한 접근방법과 관련된 적어도 2가지 중요 문제점이 있다. 첫째, 서셉터가 얇아질 수록, 반드시 기계적 강도를 유지하지 못하여 서셉터가 변형 및 심지어 파손되게 된다. 제조자가 더 얇은 서셉터에 대하여 제조자의 제조 능력을 지속적으로 향상시켜 능숙함을 입증하더라도, 제조자가 이러한 경향을 지속하는 것이 점점 더 어려워진다는 것을 나타낸다. 두 번째 문제점은, 열 전도에 사용 가능한 감소된 횡단면 영역으로, 더 얇은 서셉터는 램프 열을 재분산하는 용량이 감소되며, 이것은, 램프 어레이, 특히, 도 1b에 도시한 유형과 같은 고리형 램프 어레이의 경우에, 가열 패턴으로 인해 불균일한 가열의 가능성이 발생된다.However, there are at least two major problems associated with this approach to reducing the thermal mass of the susceptor. First, thinner susceptors do not necessarily maintain mechanical strength, causing the susceptor to deform and even break. Even if a manufacturer demonstrates proficiency by continually improving the manufacturer's manufacturing capability for thinner susceptors, this indicates that it is increasingly difficult for the manufacturer to sustain this trend. A second problem is the reduced cross-sectional area available for thermal conduction, where thinner susceptors have a reduced capacity to redistribute lamp heat, which is a lamp array, in particular an annular lamp such as the type shown in FIG. In the case of an array, the heating pattern creates the possibility of non-uniform heating.

일 실시형태에서, 기판 처리 어셈블리는 처리하는 동안 기판 지지 위치를 한정하여 기판의 에지에서 기판을 지지하는 에지 지지대를 구비한다. 또한, 어셈블리는 에지 지지대에 거의 평행하게 위치된 제 1 열 분산 플레이트를 구비한다. 복수의 에지 지지 홀딩 암이 에지 지지대에 연결된다. 또한, 복수의 에지 지지 홀딩 암은 제 1 열 분산 플레이트에 연결되어 에지 지지대로부터 이격된 제 1 열 분산 플레이트를 홀딩한다. 또 다른 실시형태에서, 어셈블리는 에지 지지대로부터 이격된 제 2 열 분산 플레이트를 구비할 수 있다. 또 다른 실시형태에서, 기판 처리 어셈블리는 어셈블리가 위치한 챔버 및 챔버에 복사 열을 제공하기 위한 복사 열 소스를 구비하는 기판 처리 장치에 사용할 수 있다. In one embodiment, the substrate processing assembly has an edge support that defines a substrate support position during processing to support the substrate at the edge of the substrate. The assembly also has a first heat dissipation plate positioned substantially parallel to the edge support. A plurality of edge support holding arms are connected to the edge supports. Also, the plurality of edge support holding arms are connected to the first heat dissipation plate to hold the first heat dissipation plate spaced from the edge support. In yet another embodiment, the assembly can have a second heat dissipation plate spaced from the edge support. In yet another embodiment, the substrate processing assembly can be used in a substrate processing apparatus having a chamber in which the assembly is located and a radiant heat source for providing radiant heat to the chamber.                 

본 발명을 첨부한 도면을 참조하여 예로써 설명하지만, 거기에 제한되지 않는다.The present invention will be described by way of example with reference to the accompanying drawings, but is not limited thereto.

도 1a는 종래 기술의 기판 처리 챔버의 횡단면도이다.1A is a cross-sectional view of a substrate processing chamber of the prior art.

도 1b는 도 1a의 라인 1-1을 따라 취해진 종래 기술의 고리형 램프 어레이의 평면도이다.FIG. 1B is a top view of the prior art annular lamp array taken along line 1-1 of FIG. 1A.

도 2는 벌집형 램프 어레이의 평면도이다.2 is a plan view of a honeycomb lamp array.

도 3은 에지 링 형태의 에지 지지대의 일 실시형태의 평면도이다.3 is a plan view of one embodiment of an edge support in the form of an edge ring.

도 4는 에지 링 및 열 분산 플레이트를 구비한 기판 처리 챔버의 일 실시형태의 횡단면도이다.4 is a cross-sectional view of one embodiment of a substrate processing chamber having an edge ring and a heat dissipation plate.

도 5는 제 1 및 제 2 열 분산 플레이트를 구비한 기판 처리 어셈블리의 또 다른 실시형태의 확대된 부분 횡단면도이다.FIG. 5 is an enlarged partial cross-sectional view of another embodiment of a substrate processing assembly with first and second heat dissipation plates. FIG.

본 명세서에 개시한 기판 처리 어셈블리 및 장치의 다양한 실시형태에서, 적어도 하나의 열 분산 플레이트를 에지 지지대에 근접하게 배치하여, 복사 열 소스로부터의 열 에너지를 열 분산 플레이트로부터 기판으로 복사에 의해 재분산시킴으로써 처리될 기판에 비교적 균일한 가열 패턴을 제공한다. 이 열 분산 플레이트 및 열 에너지의 복사 재분산은 화학적 기상 증착 챔버등과 같은 처리 챔버내에서 서셉터 및 열 에너지의 전도 재분산을 대체한다. 본 명세서에 개시한 처리 어셈블리의 구조는, 챔버의 온도가 동작 온도로 빠르게 램프 (ramped) 될 수 있을 정도로 낮은 열 질량을 갖는 기판 처리 어셈블리 구성요소를 제공함으로써, 반도체 웨이퍼와 같은 기판을 처리하는 시간을 상당히 감소시킨다.In various embodiments of the substrate processing assemblies and devices disclosed herein, at least one heat dissipation plate is placed proximate the edge support to redistribute thermal energy from the radiant heat source by radiation from the heat dissipation plate to the substrate. Thereby providing a relatively uniform heating pattern to the substrate to be treated. Radiant redispersion of this heat dissipation plate and thermal energy replaces conductive redistribution of susceptor and thermal energy in a processing chamber such as a chemical vapor deposition chamber or the like. The structure of a processing assembly disclosed herein provides a time for processing a substrate, such as a semiconductor wafer, by providing a substrate processing assembly component having a thermal mass low enough that the temperature of the chamber can be quickly ramped to an operating temperature. Significantly reduces.

일 실시형태에서, 기판 처리 어셈블리는 처리하는 동안 기판 지지 위치를 한정하여 기판의 에지에서 기판을 지지하는 에지 지지대를 구비한다. 에지 지지대의 예는, 리세스를 한정하는 에지 링 또는 기판 지지 위치를 한정하는 포켓이다. 제 1 열 분산 플레이트는 거의 에지 지지대에 평행하게 위치된다. 일 실시형태에서, 제 1 열 분산 플레이트는 에지 지지대 아래 및 램프 어레이와 같은 복사 열 소스와 에지 지지대 사이에 위치된다. 또 다른 실시형태에서, 제 1 열 분산 플레이트는 에지 지지대 위에 위치되고 에지 지지대 상의 복사 열 소스를 갖는 챔버에서 사용된다. 열 분산 플레이트가 에지 지지대 위 또는 아래에 제공될 수 있거나, 2개의 열 분산 플레이트가 에지 지지대 위 및 아래에 제공될 수 있다. 복수의 에지 지지대 홀딩 암이 에지 지지대에 연결된다. 또한, 에지 지지대 홀딩 암이 제 1 열 분산 플레이트에 연결된다. 제 1 열 분산 플레이트가 에지 지지대로부터 이격되어 홀딩된다.In one embodiment, the substrate processing assembly has an edge support that defines a substrate support position during processing to support the substrate at the edge of the substrate. Examples of edge supports are pockets that define an edge ring or substrate support position that defines a recess. The first heat dissipation plate is located almost parallel to the edge support. In one embodiment, the first heat dissipation plate is located below the edge support and between the radiation support and the edge support, such as a lamp array. In yet another embodiment, the first heat dissipation plate is used in a chamber located above the edge support and having a radiant heat source on the edge support. A heat dissipation plate may be provided above or below the edge support, or two heat dissipation plates may be provided above and below the edge support. A plurality of edge support holding arms are connected to the edge supports. In addition, an edge support holding arm is connected to the first heat dissipation plate. The first heat dissipation plate is held away from the edge support.

일 실시형태에서, 전술한 기판 처리 어셈블리를, 챔버 및 챔버에 복사 열을 제공하는 복사 열 소스를 구비하는 기판 처리 장치에 사용한다. 일 실시형태에서, 복사 열 소스는 고리형 램프 어레이이다. 또 다른 실시형태에서, 복사 열 소스는 벌집형 패턴으로 위치된 램프의 어레이일 수 있다.In one embodiment, the substrate processing assembly described above is used in a substrate processing apparatus having a chamber and a radiant heat source that provides radiant heat to the chamber. In one embodiment, the radiant heat source is an annular lamp array. In yet another embodiment, the radiant heat source may be an array of lamps positioned in a honeycomb pattern.

동작시, 복사 열 소스는, 차례로 복사 열 에너지를 흡수하고 기판에 열 에너지를 재분산하는 열 분산 플레이트에 복사 열을 제공한다. 따라서, 비교적 불 균일한 가열 패턴을 가질 수도 있는 램프 어레이와 같은 복사 열 소스가 에지 지지대와 사용될 수 있는 반면, 보통은, 이러한 램프 어레이는, 처리될 기판이 기판의 전체 표면상에 비교적 균일한 가열 패턴을 수용하도록 전도에 의해 열 에너지를 재분산하기 위한 서셉터의 사용을 필요로 한다.In operation, the radiant heat source provides radiant heat to a heat dissipation plate that in turn absorbs radiant heat energy and redistributes heat energy to the substrate. Thus, a radiant heat source, such as a lamp array, which may have a relatively uneven heating pattern can be used with the edge support, whereas usually such a lamp array requires that the substrate to be treated has a relatively uniform heating on the entire surface of the substrate. It requires the use of a susceptor to redistribute thermal energy by conduction to accommodate the pattern.

도 4는 본 발명의 일 실시형태에서의 처리 챔버 (300) 를 도시한다. 기판 (302) 이 처리 챔버 (300) 내에 도시되어 있다. 챔버 (300) 내에 기판 처리 어셈블리 (310) 가 있다. 기판 처리 어셈블리 (310) 는 에지 지지대 (320), 제 1 열 분산 플레이트 (340), 및 복수의 에지 지지대 홀딩 암 (360) 을 구비한다.4 shows a processing chamber 300 in one embodiment of the present invention. The substrate 302 is shown in the processing chamber 300. Within the chamber 300 is a substrate processing assembly 310. The substrate processing assembly 310 includes an edge support 320, a first heat dissipation plate 340, and a plurality of edge support holding arms 360.

에지 지지대 (320) 는 기판의 에지에서 기판 (302) 을 지지하기 위해 기판 지지 위치 (322) 를 한정한다. 본 명세서에서는 설명하기 위한 목적으로, 에지 지지대 (320) 를 집적 회로의 제조에서 통상적으로 사용되는 일반적인 원형 웨이퍼를 지지하도록 설계된 원형 형상을 갖는 에지 링으로서 설명한다. 또한, 비-원형 형상을 갖는 에지 지지대가 본 발명에 포함될 수 있다.Edge support 320 defines substrate support location 322 to support substrate 302 at the edge of the substrate. For purposes of explanation herein, the edge support 320 is described as an edge ring having a circular shape designed to support a general circular wafer commonly used in the manufacture of integrated circuits. In addition, edge supports having a non-circular shape may be included in the present invention.

다시 도 3을 참조하면, 에지 지지대 (320) 는 기판 지지 위치 (322) 를 한정하는 고리형태이다. 일 실시형태에서, 기판 지지 위치 (322) 는 고리형 리세스 또는 포켓이다. 개구 (324) 는 에지 지지대 (320) 의 내부 원주 가까이에서 동일한 원주적 간격으로 한정된다. 개구 (324) 는, 에지 지지대 (320) 로부터 기판을 리프트시키기 위해 리프트 암 (312 : 도 4) 이 개구 (324) 를 통해 확장할 수 있도록 제공된다. 또 다른 실시형태에서, 에지 지지대 (320) 는 리프트 암용 개구를 가질 필요성이 없다. 예를 들어, 200 mm용 리프트 암이 웨이퍼의 에지 의 약 10 mm 내측에 위치될 수 있다. 300 mm 웨이퍼와 같은, 더 큰 웨이퍼에 대해, 리프트 암이 기판 지지 위치를 통해 확장하지는 못하지만, 에지 지지대의 내부에 위치하도록 에지 지지대는 더 큰 직경을 가질 수도 있다. 따라서, 에지 지지대는 도 3에 도시한 이러한 개구를 가질 필요성이 없다.Referring again to FIG. 3, edge support 320 is annular defining substrate support location 322. In one embodiment, the substrate support position 322 is an annular recess or pocket. The opening 324 is defined at the same circumferential spacing near the inner circumference of the edge support 320. The opening 324 is provided such that the lift arm 312 (FIG. 4) can extend through the opening 324 to lift the substrate from the edge support 320. In yet another embodiment, the edge support 320 need not have an opening for the lift arm. For example, a lift arm for 200 mm may be located about 10 mm inside the edge of the wafer. For larger wafers, such as a 300 mm wafer, the lift arm may not extend through the substrate support position, but the edge support may have a larger diameter to be located inside the edge support. Thus, the edge support does not need to have this opening shown in FIG.

다시 도 4를 참조하면, 에지 지지대 (320) 는 하향 확장 스커트 (326) 를 더 구비한다. 스커트 (326) 는 도 4에 도시한 실시형태에서 에지 지지대 (320) 의 원주 주위에서 확장하지만, 에지 지지대 (320) 의 가장 바깥쪽 원주로부터 내부로 위치될 수도 있다. 스커트 (326) 는 화살표 (304) 로 나타낸 챔버의 내부로 펌프되는 프로세스 가스가 기판 (302) 의 배면에 도달하는 것을 방지하기 위해 제공된다. 수소와 같은 정화 (purge) 가스가 화살표 (305) 에 의해 나타낸 바와 같이 기판 (302) 의 배면을 가로질러 향할 수 있다. 정화 가스는 스커트 (326) 와 제 1 반사 플레이트 (340) 사이의 공간을 통해 향할 수 있다. 도 4에 도시한 실시형태에서, 처리 가스는 기판의 상부측면상에 재료를 증착하기 위해 기판 (302) 의 상부측면을 가로질러 제공된다.Referring again to FIG. 4, the edge support 320 further includes a downwardly extending skirt 326. The skirt 326 extends around the circumference of the edge support 320 in the embodiment shown in FIG. 4, but may be located inward from the outermost circumference of the edge support 320. The skirt 326 is provided to prevent the process gas pumped into the chamber indicated by the arrow 304 from reaching the back side of the substrate 302. A purge gas, such as hydrogen, may be directed across the back side of the substrate 302 as indicated by arrow 305. The purge gas may be directed through the space between the skirt 326 and the first reflective plate 340. In the embodiment shown in FIG. 4, process gas is provided across the top side of the substrate 302 to deposit material on the top side of the substrate.

일 실시형태에서, 에지 지지대 (320) 는, 종래의 흑연 서셉터 보다 10배 까지 더 작은 두께에서 특정 응용에 대해 성공적으로 제조되는 것으로 발견된 기계에 의한 실리콘 탄화물로 이루어질 수 있다. 또한, 질소-도핑된 실리콘 탄화물 합금이 사용될 수 있다. 이러한 합금에서 첨가된 질소는 적외광에 불투명한 재료를 만들 수 있다. 따라서, 재료는 투명하게 되기 이전에 더 얇게 이루어질 수 있다.In one embodiment, the edge support 320 may be made of silicon carbide by a machine found to be successfully manufactured for a particular application at thicknesses up to 10 times smaller than conventional graphite susceptors. In addition, nitrogen-doped silicon carbide alloys may be used. Nitrogen added in these alloys can make materials opaque to infrared light. Thus, the material can be made thinner before it becomes transparent.

일 실시형태에서, 에지 지지대 (320) 는 대략 0.025 인치의 벽 두께를 갖고, 두께는 약 0.010 인치 내지 0.035 인치의 범위일 수 있다. 에지 링의 형태일 때, 에지 지지대 (320) 는 200 mm 직경 또는 300 mm 직경 웨이퍼와 같은 어떤 사이즈의 웨이퍼 또는 반도체 기판을 수용하도록 설계될 수 있다.In one embodiment, the edge support 320 has a wall thickness of approximately 0.025 inches, and the thickness may range from about 0.010 inches to 0.035 inches. When in the form of an edge ring, the edge support 320 can be designed to accommodate any size wafer or semiconductor substrate, such as a 200 mm diameter or 300 mm diameter wafer.

도 4에 도시한 바와 같이, 제 1 열 분산 플레이트 (340) 가 거의 에지 지지대 (320) 에 평행하게, 즉, 에지 지지대 (320) 의 상부 또는 하부 표면에 의해 한정된 평면에 거의 평행하게 위치된다. 일 실시형태에서, 에지 지지대 (320) 는 상부측면 (327) 및 하부측면 (328) 을 갖고, 제 1 열 분산 플레이트 (340) 는 하부측면 (328) 에 근접하게 위치된다.As shown in FIG. 4, the first heat dissipation plate 340 is positioned almost parallel to the edge support 320, ie, substantially parallel to the plane defined by the upper or lower surface of the edge support 320. In one embodiment, the edge support 320 has an upper side 327 and a lower side 328, and the first heat dissipation plate 340 is located proximate to the lower side 328.

제 1 열 분산 플레이트는 기계에 의한 실리콘 탄화물 또는 질소-도핑된 실리콘 탄화물 합금으로 이루어질 수 있다. 제 1 열 분산 플레이트 (340) 는 약 0.254 mm (0.010 인치) 내지 약 0.635 mm (0.025 인치) 의 범위의 두께를 가질 수 있다. 열 분산 플레이트는 이하 더욱 상세히 설명하는 바와 같은 복사 열 소스에 의해 챔버에 제공된 열 에너지를 재분산시키기 위해 열 복사 표면으로서 작용한다. 따라서, 기판상에 더욱 균일한 온도 분산이 달성될 수 있다. 또한, 열 분산 플레이트는 시스템을 제어하기 위해 사용되는 온도 측정 디바이스에 대한 타겟으로서 작용할 수 있다. 이것은, 챔버내에 기판이 존재하지 않을 때, 챔버 세정 처리 동안 특히 유용하다.The first heat dissipation plate may be made of silicon carbide or nitrogen-doped silicon carbide alloy by machine. The first heat dissipation plate 340 may have a thickness in the range of about 0.254 mm (0.010 inch) to about 0.635 mm (0.025 inch). The heat dissipation plate acts as a heat radiation surface to redistribute the heat energy provided to the chamber by a radiant heat source as described in more detail below. Thus, more uniform temperature dispersion can be achieved on the substrate. The heat dissipation plate can also serve as a target for the temperature measuring device used to control the system. This is particularly useful during chamber cleaning processing when no substrate is present in the chamber.

도 4에 도시한 바와 같이, 제 1 열 분산 플레이트 (340) 및 에지 지지대 (320) 는 에지 지지대 홀딩 암 (350) 에 의해 공간 이격된 관계로 홀딩된다. 복수의 에지 지지대 홀딩 암이 에지 지지대 (320) 및 제 1 열 분산 플레이트 (340) 에 연결된다. 일 실시형태에서, 각 에지 지지대 홀딩 암 (350) 은 단부 (end portion : 352) 를 구비한다. 각 단부 (352) 는 각각의 에지 지지대 홀딩 암 (350) 의 완전 또는 단일부일 수 있고, 단부 (352) 는 에지 지지대 홀딩 암 (350) 에 부착된 개별 부품으로 이루어질 수 있다.As shown in FIG. 4, the first heat dissipation plate 340 and the edge support 320 are held in spaced apart relationship by the edge support holding arm 350. A plurality of edge support holding arms are connected to the edge support 320 and the first heat dissipation plate 340. In one embodiment, each edge support holding arm 350 has an end portion 352. Each end 352 may be a complete or single portion of each edge support holding arm 350, and the end 352 may consist of individual components attached to the edge support holding arm 350.

각 단부 (352) 는 제 1 숄더 (354) 및 제 2 숄더 (356) 를 갖는다. 도 4에 도시한 실시형태에서, 제 1 열 분산 플레이트 (340) 는 각 제 1 숄더 (354) 에 연결되고, 에지 지지대는 각 제 2 숄더 (356) 에 연결된다. 제 1 열 분산 플레이트 (340) 및 에지 지지대 (320) 는 숄더상에 배치되거나 숄더에 물리적으로 부착됨으로써 각각의 제 1 및 제 2 숄더에 연결될 수 있다. 또한, 각 에지 지지대 홀딩 암 (350) 의 단부 (352) 는 스페이서 (358) 를 구비한다. 스페이서 (358) 는 제 1 열 분산 플레이트 (340) 와 에지 지지대 (320) 사이에서 특정한 거리를 유지하기 위해 선택된 높이를 갖도록 설계될 수 있다.Each end 352 has a first shoulder 354 and a second shoulder 356. In the embodiment shown in FIG. 4, the first heat dissipation plate 340 is connected to each first shoulder 354, and the edge support is connected to each second shoulder 356. The first heat dissipation plate 340 and the edge support 320 can be connected to each of the first and second shoulders by being disposed on or physically attached to the shoulder. In addition, the end 352 of each edge support holding arm 350 has a spacer 358. Spacer 358 may be designed to have a height selected to maintain a specific distance between first heat spreading plate 340 and edge support 320.

일 실시형태에서, 제 1 열 분산 플레이트 (340) 는 에지 지지대 (320) 로부터 약 4 mm 보다 적게 이격된다. 또 다른 실시형태에서, 제 1 열 분산 플레이트는 에지 지지대로부터 약 1 mm 보다 더 많이 이격된다. 약 1 mm 내지 약 4 mm 의 범위 (약 2 mm 내지 약 3 mm가 바람직하다) 는, 기판과 제 1 열 분산 플레이트 사이의 정화 가스를 통한 대류 또는 서셉터의 경우와 같이 전도에 의한 것 보다는 열 에너지가 복사에 의해 기판으로 주로 전달되기 위해, 충분한 공간을 제공하도록 의도된다. 복사로서 더 많은 열이 전달될수록, 어셈블리는, 외부 열 전도 손실 및 에지 지지대와 열 분산 플레이트와 같은 얇은 부분의 완전한 평탄성의 결여에 덜 민감하게 된다.In one embodiment, the first heat dissipation plate 340 is less than about 4 mm away from the edge support 320. In yet another embodiment, the first heat dissipation plate is spaced more than about 1 mm from the edge support. The range from about 1 mm to about 4 mm (preferably from about 2 mm to about 3 mm) is heat rather than by conduction as in the case of convection or susceptor through purge gas between the substrate and the first heat dissipation plate. It is intended to provide sufficient space for energy to be transferred primarily to the substrate by radiation. The more heat is transferred as radiation, the less sensitive the assembly is to external heat conduction losses and the lack of complete flatness of thin parts such as edge supports and heat dissipation plates.

도 4에 도시한 바와 같이, 기판 처리 장치의 실시형태는 챔버 (300) 및 열 에너지를 챔버 (300) 에 제공하기 위한 적어도 하나의 복사 열 소스 (380) 를 구비할 수 있다. 도 4에 도시한 각 복사 열 소스 (380) 는 고리형 램프 어레이 (382) 이다. 일 실시형태에서, 복사 열 소스 (380) 는, 제 1 열 분산 플레이트 (340) 가 복사 열 소스 (380) 와 에지 지지대 (320) 의 하부측면 (328) 사이에 위치되도록, 챔버 (300) 아래 위치된다.As shown in FIG. 4, an embodiment of a substrate processing apparatus may include a chamber 300 and at least one radiant heat source 380 for providing thermal energy to the chamber 300. Each radiant heat source 380 shown in FIG. 4 is an annular lamp array 382. In one embodiment, the radiant heat source 380 is below the chamber 300 such that the first heat dissipation plate 340 is located between the radiant heat source 380 and the lower side 328 of the edge support 320. Is located.

도 5는 기판 처리 어셈블리 (510) 를 갖는 처리 챔버 (500) 를 도시한다. 기판 처리 어셈블리 (510) 는 에지 지지대 (520), 제 1 열 분산 플레이트 (540), 복수의 에지 지지대 홀딩 암 (550), 제 2 열 분산 플레이트 (560), 사전 가열 플랫폼 (570), 및 지지대 핀 (580) 을 구비한다. 에지 지지대 (520), 제 1 열 분산 플레이트 (540), 및 에지 지지대 홀딩 암 (550) 은 전술한 실시형태와 유사할 수 있다. 이들 구성요소 이외에도, 도 5에 도시한 실시형태는 에지 지지대 (520) 에 거의 평행하고, 에지 지지대로부터 이격되고, 에지 지지대 (520) 의 상부측면에 근접한 제 2 열 분산 플레이트 (560) 를 구비한다. 제 2 열 분산 플레이트 (560) 는 에지 지지대 (520) 로부터 약 1 mm 내지 약 4 mm 사이, 바람직하게는, 약 2 mm 내지 약 3 mm 사이에 위치될 수 있다.5 shows a processing chamber 500 having a substrate processing assembly 510. The substrate processing assembly 510 includes an edge support 520, a first heat dissipation plate 540, a plurality of edge support holding arms 550, a second heat dissipation plate 560, a pre-heating platform 570, and a support. A pin 580. The edge support 520, the first heat dissipation plate 540, and the edge support holding arm 550 can be similar to the embodiments described above. In addition to these components, the embodiment shown in FIG. 5 includes a second heat dissipation plate 560 that is substantially parallel to the edge support 520, spaced from the edge support, and proximate the upper side of the edge support 520. . The second heat dissipation plate 560 may be located between about 1 mm and about 4 mm, preferably between about 2 mm and about 3 mm from the edge support 520.

사전 가열 플랫폼 (570) 은 에지 지지대 (520) 와 일반적으로 공면 (coplanar) 이고, 에지 지지대 (520) 를 둘러싼다. 제 2 열 분산 플레이트 (560) 는 지지대 핀 (580) 에 의해 사전 가열 플랫폼 (570) 에 연결된다. 지지대 핀 (580) 은 제 2 열 분산 플레이트 (560) 와 에지 지지대 (520) 상의 기판 (502) 사이에 공간을 제공하기 위해 치수화되는 중앙부를 갖는다. 처리 가스는 화살표 (504) 방향으로 제 2 열 분산 플레이트 (560) 와 기판 (502) 사이의 공간으로 펌프된다. 실리콘 증착의 예시적인 처리에서, 높은 온도에서의 실리콘 막의 성장율은 증가하는 가스 속도와 함께 증가한다. 이러한 구조는 웨이퍼 또는 기판과 제 2 열 분산 플레이트 (560) 사이의 거리를 조절함으로써 이러한 효과에 대해 최적화될 수 있다. 또한, 이러한 구성은, 제 2 열 가열 분산 플레이트 (560) 가 섭씨 1150도를 초과하는 온도로 가열될 수 있기 때문에, 실리콘 증착 이후에 챔버를 에칭 또는 세정하는데 요구되는 시간을 감소시킬 수 있다. 또한, 제 2 열 분산 플레이트 (560) 와 기판 (502) 사이의 공간으로의 처리 가스의 제한은 챔버의 상부 석영 돔 (도시 생략) 상의 실리콘 막 증착을 최소화시킨다.The preheating platform 570 is generally coplanar with the edge support 520 and surrounds the edge support 520. The second heat dissipation plate 560 is connected to the preheating platform 570 by the support pins 580. Support pin 580 has a central portion dimensioned to provide a space between second heat dissipation plate 560 and substrate 502 on edge support 520. The process gas is pumped into the space between the second heat dissipation plate 560 and the substrate 502 in the direction of arrow 504. In an exemplary process of silicon deposition, the growth rate of the silicon film at high temperatures increases with increasing gas velocity. This structure can be optimized for this effect by adjusting the distance between the wafer or substrate and the second heat dissipation plate 560. This configuration can also reduce the time required to etch or clean the chamber after silicon deposition because the second thermally heated dispersing plate 560 can be heated to a temperature in excess of 1150 degrees Celsius. In addition, the limitation of the processing gas into the space between the second heat dissipation plate 560 and the substrate 502 minimizes silicon film deposition on the upper quartz dome (not shown) of the chamber.

Claims (30)

처리하는 동안 기판 지지 위치를 한정하여 기판의 에지에서 기판을 지지하는 에지 지지대;An edge support that defines a substrate support position during processing to support the substrate at an edge of the substrate; 상기 에지 지지대에 평행하게 위치된 제 1 열 분산 플레이트; 및A first heat dissipation plate positioned parallel to the edge support; And 상기 에지 지지대에 직접 연결되고 또한 상기 제 1 열 분산 플레이트에 직접 연결되어 상기 에지 지지대로부터 이격된 상기 제 1 열 분산 플레이트를 홀딩하는 복수의 에지 지지대 홀딩 암을 구비하는, 기판 처리 어셈블리.And a plurality of edge support holding arms directly connected to the edge support and directly connected to the first heat dissipation plate to hold the first heat dissipation plate spaced from the edge support. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 에지 지지대 홀딩 암 각각은, 제 1 숄더 및 제 2 숄더를 갖는 단부를 구비하고, Each of the edge support holding arms has an end having a first shoulder and a second shoulder, 상기 제 1 열 분산 플레이트는 상기 제 1 숄더에 연결되고 상기 에지 지지대는 상기 제 2 숄더에 연결되는, 기판 처리 어셈블리.And the first heat dissipation plate is connected to the first shoulder and the edge support is connected to the second shoulder. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 열 분산 플레이트는 상기 에지 지지대로부터 4 mm 보다 작게 이격되는, 기판 처리 어셈블리.And the first heat dissipation plate is less than 4 mm away from the edge support. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 제 1 열 분산 플레이트는 상기 에지 지지대로부터 1 mm 보다 크게 이격되는, 기판 처리 어셈블리.And the first heat dissipation plate is spaced greater than 1 mm from the edge support. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 에지 지지대는 상부측면 및 하부측면을 갖고, 상기 제 1 열 분산 플레이트는 상기 하부측면에 근접하게 위치되는, 기판 처리 어셈블리.Wherein the edge support has a top side and a bottom side, and wherein the first heat dissipation plate is located proximate to the bottom side. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, wherein 제 2 열 분산 플레이트가 상기 에지 지지대에 평행하고, 상기 에지 지지대로부터 이격되고, 상기 에지 지지대의 상부측면에 근접하게 위치되는, 기판 처리 어셈블리.And a second heat dissipation plate parallel to the edge support, spaced from the edge support, and located proximate the upper side of the edge support. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제 2 열 분산 플레이트는 상기 에지 지지대로부터 4 mm 보다 작게 이격되는, 기판 처리 어셈블리. And the second heat dissipation plate is less than 4 mm away from the edge support. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 제 2 열 분산 플레이트는 상기 에지 지지대로부터 1 mm 보다 크게 이격되는, 기판 처리 어셈블리.And the second heat dissipation plate is spaced greater than 1 mm from the edge support. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 에지 지지대와 공면 (coplanar) 이고, 상기 에지 지지대를 둘러싸는 사전 가열 플랫폼을 더 구비하며,Further comprising a pre-heating platform coplanar with the edge support and surrounding the edge support, 상기 제 2 열 분산 플레이트는 상기 사전 가열 플랫폼에 연결되는, 기판 처리 어셈블리.And the second heat dissipation plate is connected to the pre-heating platform. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 에지 지지대는 기판 지지 위치를 한정하는 고리형 리세스를 갖는 에지 링인, 기판 처리 어셈블리.Wherein the edge support is an edge ring having an annular recess defining a substrate support position. 챔버;chamber; 상기 챔버에 열 에너지를 제공하기 위한 복사 열 소스;A radiant heat source for providing thermal energy to the chamber; 처리하는 동안 기판 지지 위치를 한정하여 기판의 에지에서 기판을 지지하는 상기 챔버내의 에지 지지대;An edge support in the chamber that defines a substrate support position during processing to support the substrate at the edge of the substrate; 상기 복사 열 소스로부터 열 에너지를 흡수하고 상기 에지 지지대로 복사에 의해 열 에너지를 전달하는, 상기 에지 지지대와 상기 복사 열 소스 사이의 제 1 열 분산 플레이트; 및A first heat dissipation plate between the edge support and the radiant heat source, absorbing heat energy from the radiant heat source and transferring thermal energy by radiation to the edge support; And 상기 에지 지지대에 직접 연결되고 또한 상기 제 1 열 분산 플레이트에 직접 연결되어 상기 에지 지지대로부터 이격된 상기 제 1 열 분산 플레이트를 홀딩하는 복수의 에지 지지대 홀딩 암을 구비하는, 기판 처리 장치.And a plurality of edge support holding arms directly connected to the edge support and directly connected to the first heat dissipation plate to hold the first heat dissipation plate spaced from the edge support. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 11 항에 있어서,The method of claim 11, 상기 에지 지지대는 상부측면 및 하부측면을 갖고, 상기 제 1 열 분산 플레이트는 상기 하부측면에 근접하게 위치되는, 기판 처리 장치.Wherein the edge support has an upper side and a lower side, and wherein the first heat dissipation plate is located proximate to the lower side. 제 15 항에 있어서,The method of claim 15, 제 2 열 분산 플레이트가 상기 에지 지지대에 평행하고, 상기 에지 지지대로부터 이격되고, 상기 에지 지지대의 상부측면에 근접하게 위치되는, 기판 처리 장치.And a second heat dissipation plate is parallel to the edge support, spaced from the edge support, and located proximate to an upper side of the edge support. 삭제delete 삭제delete 제 16 항에 있어서,The method of claim 16, 상기 에지 지지대와 공면 (coplanar) 이고, 상기 에지 지지대를 둘러싸는 사전 가열 플랫폼을 더 구비하며,Further comprising a pre-heating platform coplanar with the edge support and surrounding the edge support, 상기 제 2 열 분산 플레이트는 상기 사전 가열 플랫폼에 연결되는, 기판 처리 장치.And the second heat dissipation plate is connected to the pre-heating platform. 삭제delete 삭제delete 챔버;chamber; 처리하는 동안 기판 지지 위치를 한정하여 기판의 에지에서 기판을 지지하고, 상부측면 및 하부측면을 갖는 상기 챔버내의 에지 링으로서, 상기 기판 지지 위치가 상기 상부측면상에 한정되는, 상기 에지 링;An edge ring in the chamber defining a substrate support position during processing to support the substrate at an edge of the substrate, the edge ring in the chamber having an upper side and a lower side, the edge ring being defined on the upper side; 상기 에지 링 아래에 위치되고, 상기 챔버에 열 에너지를 제공하기 위한 고리형 램프 어레이;An annular lamp array positioned below the edge ring for providing thermal energy to the chamber; 상기 에지 링의 상기 하부측면에 근접하게 위치되고 상기 에지 링과 상기 고리형 램프 어레이 사이에 위치되는 제 1 열 분산 플레이트; 및A first heat dissipation plate positioned proximate to the bottom side of the edge ring and located between the edge ring and the annular lamp array; And 상기 에지 링에 직접 연결되어 상기 챔버내의 상기 에지 링을 지지하고, 또한 상기 제 1 열 분산 플레이트에 직접 연결되어 상기 에지 링으로부터 이격된 상기 제 1 열 분산 플레이트를 지지하는 복수의 에지 링 지지대 암을 구비하는, 기판 처리 장치.A plurality of edge ring support arms connected directly to the edge ring to support the edge ring in the chamber and also directly connected to the first heat dissipation plate to support the first heat dissipation plate spaced from the edge ring. The substrate processing apparatus provided. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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