KR100835974B1 - 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 - Google Patents
횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100835974B1 KR100835974B1 KR1020010084259A KR20010084259A KR100835974B1 KR 100835974 B1 KR100835974 B1 KR 100835974B1 KR 1020010084259 A KR1020010084259 A KR 1020010084259A KR 20010084259 A KR20010084259 A KR 20010084259A KR 100835974 B1 KR100835974 B1 KR 100835974B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- wiring
- electrode
- storage
- gate
- line
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 79
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 23
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 13
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 6
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N aluminum neodymium Chemical compound [Al].[Nd] UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Geometry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
본 발명은 횡전계방식 액정표시장치에 관한 것으로 특히, 미세 화소를 구현하기 위한 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 어레이기판에 구성하는 스토리지 캐패시터의 면적을 최소화 하면서 충분한 보조용량을 얻기 위해, 스토리지 배선의 상부에 제 2 전극과 제 3 전극을 구성하는 적층 구조로 스토리지 캐패시터를 설계한다.
이와 같이 하면, 개구율을 높이는 동시에 선명한 화질을 구현할 수 있다.
Description
도 1은 종래의 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판의 한 화소를 개략적으로 도시한 평면도이고,
도 2a 내지 도 2c는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ`와 Ⅲ-Ⅲ`를 따라 절단하여, 종래의 공정순서에 따라 도시한 공정 단면도이고,
도 3은 도 1의 등가회로도이고,
도 4는 본발명의 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판의 한 화소를 개략적으로 도시한 평면도이고,
도 5a 내지 도 5d는 도 4의 Ⅴ-Ⅴ`와 Ⅵ-Ⅵ`를 따라 절단하여, 본 발명의 공정 순서에 따라 도시한 공정 단면도이고,
도 6은 도 4의 등가회로도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
112 : 게이트 배선 114 : 게이트 전극
116 : 스토리지 배선 117 : 공통전극
119 : 더미배선 120 : 액티브층
124 : 데이터 배선 126 : 소스 전극
128 : 드레인 전극 130 : 화소 전극
본 발명은 화상 표시장치에 관한 것으로 특히, 미세 화소를 구현하기 위한 횡전계방식(In-Plane Switching mode) 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 액정표시장치의 구동원리는 액정의 광학적 이방성과 분극성질을 이용한다.
상기 액정은 구조가 가늘고 길기 때문에 분자의 배열에 방향성을 가지고 있으며, 인위적으로 액정에 전기장을 인가하여 분자배열의 방향을 제어할 수 있다.
따라서, 상기 액정의 분자배열 방향을 임의로 조절하면, 액정의 분자배열이 변하게 되고, 광학적 이방성에 의하여 편광된 빛이 임의로 변조되어 화상정보를 표현할 수 있다.
현재에는 박막 트랜지스터와 상기 박막 트랜지스터에 연결된 화소전극이 행렬 방식으로 배열된 능동행렬 액정표시장치(Active Matrix LCD : AM-LCD)가 해상도 및 동영상 구현능력이 우수하여 가장 주목받고 있다.
이하, 도면을 참조하여 종래의 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법에 대해 설명한다.
도 1은 종래의 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판의 일부를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도시한 바와 같이, 종래의 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판(10)은 소정간격 이격되어 평행하게 일 방향으로 구성된 다수의 게이트배선(12)과 스토리지 배선(16)과, 상기 두 배선(12, 16)과 교차하며 특히, 게이트배선(12)과는 화소영역(P)를 정의하는 데이터배선(24)이 구성된다.
상기 게이트배선(12)과 데이터배선(24)의 교차지점에는, 상기 게이트 배선(12)과 연결된 게이트 전극(14)과, 상기 게이트 전극(14)의 상부에 구성된 액티브층(20)과 소스 전극(26)및 드레인 전극(28)을 포함하는 박막트랜지스터(T)가 구성되며, 상기 소스 전극(26)은 상기 데이터배선(24)과 연결되고, 상기 게이트 전극(14)은 상기 게이트배선(12)과 연결된다.
상기 화소영역(P)의 상부에는 상기 드레인 전극(28)과 연결되는 화소전극(30)과, 상기 화소전극(30)과 평행하게 구성되고 상기 스토리지 배선(16)과 연결되는 공통전극(17)이 구성된다.
상기 화소전극(30)은 상기 드레인 전극(28)에서 화소영역(P)으로 연장된 연장부(30a)와 상기 연장부(30a)에서 수직하게 연장되고 서로 소정간격 이격된 다수의 수직부(30b)와, 상기 스토리지부(16)의 상부에서 상기 수직부(30b)를 하나로 연결하는 수평부(30c)로 구성된다.
상기 공통전극(17)은 상기 스토리지배선(16)에서 화소영역(P)으로 수직하게 연장되고, 화소전극의 수직부(30b)와 엇갈려 구성되는 다수의 수직부(17b)와, 상기 각 수직부(17b)를 하나로 연결하는 수평부(17a)로 구성된다.
상기 화소영역(P)과 회로적으로 병렬로 연결된 보조 용량부(C)가 구성되며, 상기 보조 용량부는 상기 화소영역(P)을 정의하는 스토리지배선(16)의 일부를 제 1 스토리지 전극으로 하고, 상기 제 1 스토리지 전극의 상부에 게이트 절연막(미도시)을 사이에 두고 위치한 화소전극의 수평부를(30c)을 제 2 스토리지 전극으로 한다.
이하, 도 2a 내지 도2c를 참조하여 도 1의 구성을 제작하기 위한 공정을 설명한다.
도 2a 내지 도 2c는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ`와 Ⅲ-Ⅲ`를 따라 절단하여, 종래의 공정순서에 따라 도시한 공정 단면도이다.
먼저, 도 2a에 도시한 바와 같이, 기판(10)상에 알루미늄(Al), 알루미늄 네오디뮴(AlNd)과 같은 알루미늄 합금, 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W)을 포함하는 도전성 금속그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패터닝하여, 게이트 전극(14)을 포함하는 게이트배선(도 1의 12)과, 상기 게이트배선(도 1의 12)과 소정간격 평행하게 이격된 스토리지배선(16)과, 상기 스토리지배선(16)에서 수직으로 돌출된 다수의 수직부(17b)와, 상기 다수의 수직부(17b)를 하나로 연결하는 수평부(17a)로 구성된 스토리지 전극을 형성한다.
다음으로, 상기 게이트배선(도 1의 12)과 스토리지배선(16) 등이 포함된 기 판(10)의 전면에 질화 실리콘(SiNX)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무기 절연물질 그룹 중 선택된 하나를 증착하여 게이트 절연막(18)을 형성할 수 있다.
다음으로, 상기 게이트 절연막(18) 상부에 비정질 실리콘(a-Si:H)과 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+a-Si:H)을 증착하고 패턴하여, 액티브층(20)과 오믹콘택층(22)을 형성한다.
도 2b에 도시한 바와 같이, 상기 액티브층(20)과 오믹 콘택층(22)이 형성된 기판(10)의 전면에 전술한 바와 같은 도전성 금속그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패턴하여, 상기 게이트배선(도 1의 12)과 스토리지배선(16)과 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 데이터배선(24)과, 상기 데이터배선(24)에서 돌출 형성되고 상기 액티브층(20)의 일 측 상부에 겹쳐 구성되는 소스 전극(26)과 이와는 소정간격 이격된 드레인 전극(28)과, 상기 드레인 전극(28)에서 화소영역(P) 상으로 일 방향으로 연장된 연장부(30a)와, 상기 연장부(30a)에서 수직하게 연장된 다수의 수직부(30b)와, 상기 다수의 수직부(30b)를 하나로 연결하는 수평부(30c)로 구성되는 화소전극(30)을 형성한다.
이때, 상기 화소전극(30)의 수평부(30c)는 스토리지 배선(16)의 상부에 구성된다.
전술한 공정에서, 상기 소스 전극(26)과 드레인 전극(28)을 마스크로 하여 상기 두 전극 사이에 노출된 오믹콘택층(22)을 식각하여 액티브층(20)을 노출한다.
도 2c에 도시한 바와 같이, 상기 소스 및 드레인 전극(26, 28)과 데이터 배선(24)과 화소전극(30)이 형성된 기판의 전면에 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene)과 아크릴(Acryl)계 수지(resin)등이 포함된 유기절연물질 그룹 중 선택된 하나를 도포 하거나, 질화 실리콘(SiNX)과 산화 실리콘(SiO2)를 포함하는 무기 절연물질 그룹 중 선택된 하나를 증착하여 보호막(32)을 형성한다.
전술한 바와 같은 공정으로 본 발명에 따른 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판을 제작할 수 있다.
전술한 구성을 가지는 종래의 한 화소에 대한 등가회로도는 아래 도 3과 같다.
즉, 박막트랜지스터(T)와 직렬로 상기 화소영역에서 발생하는 액정 캐패시터(CLC)가 존재하게 되고, 상기 액정캐패시터에 병렬로 스토리지 캐패시터(Cst1)가 존재하게 된다.
그러나, 전술한 구성의 화소를 미세 화소를 구현하는 횡전계 방식 액정표시장치에 적용하게 되면, 상기 스토리지 캐패시터를 확보하기 위한 면적이 제한되며, 또한 상기 스토리지 캐패시터의 용량을 확보하기 위해 스토리지 캐패시터의 면적을 넓히는 설계는 액정패널의 개구율이 감소되는 문제가 있다.
본 발명은 전술한 바와 같은 문제를 해결하기 위한 목적으로 안출된 것으로, 스토리지 면적을 넓히지 않고 충분한 보조 용량을 확보할 수 있는 어레이기판의 구 성과 그 제조방법을 제안한다.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판은 다수의 화소영역이 정의된 투명 절연기판과; 상기 화소영역의 일측에 일 방향으로 구성된 다수의 게이트 배선과, 이와는 소정간격 이격하여 구성된 스토리지 배선과; 상기 게이트 배선과 데이터배선의 교차지점에 위치하고, 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터와; 상기 드레인 전극에서 상기 화소로 연장된 연장부와, 상기 연장부에서 수직하게 연장된 수직부와, 상기 수직부를 상기 스토리지배선의 상부에서 하나로 연결하는 수평부로 구성된 화소전극과; 상기 스토리지배선에서 수직하게 연장되고 상기 화소전극의 수직부와 엇갈려 평행하게 구성된 다수의 수직부와, 상기 수직부를 하나로 연결하는 수평부로 구성된 공통전극과; 상기 화소전극 수평부의 상부에서, 상기 스토리지 배선과 평면적으로 겹쳐 구성된 보조배선을 포함한다.
상기 기판의 외곽에 상기 보조배선과 접촉하여 공통전압을 인가하는 더미배선을 더욱 구성한다.
상기 스토리지배선과 게이트배선과 더미배선은 알루미늄(Al), 알루미늄합금, 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu),크롬(Cr)으로 구성된 도전성 금속그룹 중 선택된 하나로 형성한다.
상기 스토리지 배선과 화소전극의 수평부와 상기 보조배선은 실리콘 절연막 을 사이에 두고 형성되어, 제 1 보조 용량부와 제 2 보조 용량부를 구성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 특징에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조방법은 다수의 화소영역이 정의된 투명한 절연기판을 준비하는 단계와; 상기 화소영역의 일측에 일 방향으로 구성된 다수의 게이트 배선과, 이와는 소정간격 이격하여 구성된 스토리지 배선과, 상기 기판의 외곽에 공통전압이 인가되는 더미배선을 형성하는 단계와; 상기 화소영역의 타측에 상기 게이트 배선과 스토리지배선과 교차하는 데이터 배선을 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선과 데이터배선의 교차지점에 위치하고, 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 드레인 전극에서 상기 화소로 연장된 연장부와, 상기 연장부에서 수직하게 연장된 수직부와, 상기 수직부를 상기 스토리지배선의 상부에서 하나로 연결하는 수평부로 구성된 화소전극을 형성하는 단계와; 상기 스토리지배선에서 수직하게 연장되고 상기 화소전극의 수직부와 엇갈려 평행하게 구성된 다수의 수직부와, 상기 수직부를 하나로 연결하는 수평부로 구성된 공통전극을 형성하는 단계와; 상기 화소전극 수평부의 상부에 구성되고 동시에 상기 스토리지배선과 평면적으로 겹쳐 형성되며, 일 끝단은 상기 더미배선과 접촉하는 보조 배선을 형성하는 단계를 포함한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 설명한다.
-- 실시예 --
본 발명의 특징은 보조 용량을 늘리기 위해 스토리지 배선의 상부에 스토리지 배선과 동일한 전압이 인가되는 보조배선을 더욱 구성하는 것이다.
도 4는 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판의 일부를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판(100)은 소정간격 이격되어 평행하게 일 방향으로 구성된 다수의 게이트배선(112)과 스토리지 배선(116)과, 상기 두 배선(112, 116)과 교차하며 특히, 게이트배선(112)과는 화소영역(P)을 정의하는 데이터배선(124)을 구성한다.
상기 게이트배선(112)과 데이터배선(124)의 교차지점에는 게이트 전극(114)과 액티브층(120)과 소스 전극(126) 및 드레인 전극(128)을 포함하는 박막트랜지스터(T)를 구성하며, 상기 소스 전극(126)은 상기 데이터배선(124)과 연결하고, 상기 게이트 전극(114)은 상기 게이트배선(112)과 연결한다.
상기 화소영역(P)의 상부에는 상기 드레인 전극(128)과 연결되는 화소전극(130)과, 상기 화소전극(130)과 평행하게 구성되고 상기 스토리지 배선(116)과 연결되는 공통전극(117)을 구성한다. 상기 화소전극(130)은 상기 드레인 전극(128)에서 연장된 연장부(130a)와, 상기 연장부(130a)에서 수직하게 연장된 수직부(130b)와, 상기 스토리지배선(116)의 상부에서 상기 수직부(130b)를 연결하는 수평부(130c)로 구성한다.
상기 공통전극(117)은 상기 스토리지 배선(116)에서 수직방향으로 연장되고 상기 화소전극의 수직부(130b)와 엇갈려 구성되는 다수의 수직부(117b)와, 상기 각 수직부(117b)를 하나로 연결하는 수평부(117a)로 구성한다.
전술한 구성에서, 상기 화소전극의 수평부(130c)의 상부에는 보조배선(136)을 더욱 구성한다.
상기 보조배선(136)은 상기 스토리지 배선(116)과 평면적으로 겹쳐 형성하며, 어레이기판의 외곽으로 연장되어 공통전압을 인가하는 더미배선(common guard ring)(119)과 접촉하여 상기 스토리지 배선(116)과 동일한 전압이 인가되도록 구성한다.
이와 같이 하면, 스토리지 배선을 제 1 전극으로 하고 화소전극의 수평부를 제 2 전극으로 하고,보조배선을 제 2 전극으로 하는 듀얼 스토리지 캐패시터(C)가 형성된다.
이러한 구성은 상기 스토리지 캐패시터(C)를 형성하기 위한 면적을 줄일 수 있는 동시에, 충분한 보조 용량을 확보할 수 있게 된다.
이하, 도 5a 내지 도 5d를 참조하여 본 발명에 따른 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판의 제조방법을 설명한다.
도5a 내지 도 5d는 도 4의 Ⅴ-Ⅴ`와 Ⅵ-Ⅵ`와 Ⅶ-Ⅶ`를 따라 절단하여, 본 발명의 공정순서에 따라 도시한 공정 단면도이다.
도 5a에 도시한 바와 같이, 기판(100)상에 구리(Cu), 알루미늄(Al), 알루미늄 네오디뮴(AlNd)과 같은 알루미늄 합금, 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W)을 포함하는 도전성 금속그룹 중 선택된 하나를 증착하여, 제 1 마스크 공정을 통해 게이트 전극(114)을 포함하는 게이트배선(도 4의 112)과, 상기 게이트배선(도 4의 112)과 소정간격 평행하게 이격된 스토리지배선(116)과, 상기 스토리지배선(116)에서 수직으로 돌출된 다수의 수직부(117b)와, 상기 다수의 수직부(117b)를 하나로 연결하는 수평부(117a)로 구성된 공통 전극(117)을 형성한다.
이때, 기판의 외곽에 공통전압이 인가되는 더미배선(common guard ring)(119)을 형성한다.
다음으로, 상기 게이트배선(도 4의 112)과 스토리지배선(116) 등이 포함된 기판(100)의 전면에 질화 실리콘(SiNX)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연물질 그룹 중 선택된 하나를 증착하여 게이트 절연막(118)을 형성한다.
다음으로, 상기 게이트 절연막(118) 상부에 비정질 실리콘(a-Si:H)과 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+a-Si:H)을 증착하고 패턴하여, 액티브층(120)과 오믹 콘택층(122)을 형성한다.
도 5b에 도시한 바와 같이, 상기 액티브층(120)과 오믹 콘택층(122)이 형성된 기판(100)의 전면에 전술한 바와 같은 도전성 금속그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패턴하여, 상기 게이트배선(도 4의 112)과 스토리지배선(116)과 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 데이터배선(124)과, 상기 데이터배선(124)에서 돌출 형성되고 상기 액티브층(120)의 일 측 상부에 겹쳐 구성되는 소스 전극(126)과 이와는 소정간격 이격된 드레인 전극(128)과, 상기 드레인 전극(128)에서 화소영역(P) 상으로 일 방향으로 연장된 연장부(130a)와, 상기 연장부(130a)에서 수직하게 연장된 수직부(130b)와, 상기 수직부(130b)를 연결하는 수평부(130c)로 구성되는 화소전극(130)을 형성한다.
이때, 상기 화소전극(130)의 수평부(130c)는 상기 스토리지 배선(116)의 상부에 구성한다.
전술한 공정에서, 상기 소스 전극(126)과 드레인 전극(128)을 마스크로 하여 상기 두 전극 사이에 노출된 오믹 콘택층(122)을 식각하여 액티브층(120)을 노출한다.
도 5c에 도시한 바와 같이, 상기 소스 및 드레인 전극(126,128)과 데이터 배선(124)과 화소전극(130a,b,c)이 형성된 기판(100)의 전면에 질화 실리콘(SiNx)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함한 무기절연 물질 그룹 중 선택된 하나를 증착하여 보호막(132)을 형성한다.
연속하여, 상기 보호막(132)을 패턴하여, 상기 더미배선(119)의 일부를 노출하는 콘택홀(134)을 형성한다.
다음으로, 도 5d에 도시한 바와 같이, 상기 보호막(132) 상부에 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함한 투명 도전성 금속그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패턴하여, 상기 스토리지 배선(116)을 따라 평면적으로 겹쳐 형성되며 일 끝단은 기판의 외곽에 형성한 상기 더미배선(119)과 접촉하는 보조배선(136)을 형성한다.
이와 같이 하면, 상기 스토리지 배선(116)의 일부를 제 1 전극의 기능을 하고, 상기 화소전극의 수평부(130C)가 제 2 전극의 기능을 하고, 상기 보조배선(136)이 제 3 전극의 기능을 하는 적층된 제 1 보조 용량부와 제 2 보조 용량부(dual storage capacitor)(C1,C2)가 구성된다.
전술한 바와 같은 공정으로 제작된 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이기판의 한 화소에 대한 등가회로도는 이하 도 6과 같다.
도시한 바와 같이, 상기 박막트랜지스터(T)와 상기 화소영역의 액정캐패시터(CLC)가 직렬로 구성되고, 상기 액정캐패시터와는 상기 제 1 보조용량부(Cst1)와 제 2 보조용량부(Cst2)가 병렬로 연결된 구성이다.
따라서, 미세 화소 구성을 위해 스토리지 배선의 폭이 작아져도 충분한 보조용량을 확보할 수 있다.
전술한 바와 같은 공정으로 본 발명에 따른 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판을 제작할 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판은 스토리지 캐패시터의 면적을 작게 구성(스토리지 배선폭이 작아짐)하면서 충분한 스토리지 용량을 확보할 수 있기 때문에 고해상도의 횡전계 방식 액정패널을 제작할 수 있다.
Claims (9)
- 다수의 화소영역이 정의된 투명한 절연기판과;상기 화소영역의 일측에 일 방향으로 구성된 게이트 배선과, 상기 게이트 전극과 이격하여 구성된 스토리지 배선과;상기 스토리지 배선에서 수직방향으로 연장된 다수의 제 1 수직부와 상기 다수의 제 1 수직부를 하나로 연결하는 제 1 수평부로 구성된 공통전극과;상기 게이트 배선과 상기 스토리지 배선과 교차하는 데이터 배선과;상기 게이트 배선과 상기 데이터배선의 교차지점에 위치하고, 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터와;상기 드레인 전극에서 상기 화소영역으로 연장된 연장부와, 상기 연장부에서 수직하게 연장되고, 상기 공통전극의 상기 다수의 제 1 수직부와 엇갈려 평행하게 구성된 제 2 수직부와 상기 제 2 수직부를 상기 스토리지 배선의 상부에서 연결하는 제 2 수평부로 구성된 화소전극과;상기 화소전극의 상기 제 2 수평부의 상부에서, 상기 스토리지 배선과 평면적으로 겹쳐 구성된 보조배선을 포함하는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판.
- 제 1 항에 있어서,상기 절연기판의 외곽에 상기 보조배선과 접촉하여 공통전압을 인가하는 더미배선이 더욱 구성된 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판.
- 제 2 항에 있어서,상기 스토리지 배선, 상기 게이트 배선 및 상기 더미배선은 동일층에서 동일물질로 구성된 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판.
- 제 2 항에 있어서,상기 스토리지 배선, 상기 게이트 배선 및 상기 더미배선은 알루미늄(Al), 알루미늄합금, 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 크롬(Cr)으로 구성된 도전성 금속그룹 중 선택된 하나로 구성한 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판.
- 제 1 항에 있어서,상기 스토리지 배선과 상기 화소전극의 제 2 수평부의 사이와, 상기 화소전극과 상기 보조배선의 사이에 절연막이 형성되어, 각각 제 1 보조 용량부와 제 2 보조 용량부를 구성하는 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판.
- 다수의 화소영역이 정의된 투명한 절연기판을 준비하는 단계와;상기 화소영역의 일측에 일 방향으로 구성된 게이트 배선과, 상기 게이트 배선과 이격하여 구성된 스토리지 배선과, 상기 스토리지 배선과 수직하게 연장되는 다수의 제 1 수직부와 상기 다수의 제 1 수직부를 하나로 연결하는 제 1 수평부로 구성되는 공통전극과, 상기 절연기판의 외곽에 공통전압이 인가되는 더미배선을 형성하는 단계와;상기 화소영역의 타측에 상기 게이트 배선과 상기 스토리지 배선과 교차하는 데이터 배선을 형성하는 단계와;상기 게이트 배선과 상기 데이터 배선의 교차지점에 위치하고, 박막 트랜지스터의 액티브층과 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계와;상기 드레인 전극에서 상기 화소영역으로 연장된 연장부와, 상기 연장부에서 수직하게 연장되며, 상기 공통전극의 다수의 제 1 수직부와 엇갈려 평행하게 구성된 제 2 수직부와, 상기 제 2 수직부를 상기 스토리지 배선의 상부에서 연결하는 제 2 수평부로 구성된 화소전극을 형성하는 단계와;상기 화소전극의 제 2 수평부의 상부에 구성되고 동시에 상기 스토리지 배선과 평면적으로 겹쳐 형성되며, 일 끝단은 상기 더미배선과 접촉하는 보조배선을 형성하는 단계를 포함하는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 상기 공통전극과 상기 화소전극의 사이와, 상기 화소전극과 보조배선 사이에 질화 실리콘(SiNX)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연물질 그룹 중 선택된 하나로 절연막을 형성하는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 스토리지배선, 상기 게이트 배선 및 상기 더미배선은 알루미늄(Al), 알루미늄합금, 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 크롬(Cr)으로 구성된 도전성 금속그룹 중 선택된 하나로 형성된 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 보조배선은 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함한 투명 도전성 금속물질 중 선택된 하나로 형성된 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020010084259A KR100835974B1 (ko) | 2001-12-24 | 2001-12-24 | 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
| US10/318,235 US6741313B2 (en) | 2001-12-24 | 2002-12-13 | Array substrate for IPS mode liquid crystal display device and method for fabricating the same |
| US10/762,327 US7023515B2 (en) | 2001-12-24 | 2004-01-23 | Array substrate for IPS mode liquid crystal display device and method for fabricating the same |
| US11/341,598 US7480024B2 (en) | 2001-12-24 | 2006-01-30 | Method for fabricating an array substrate for IPS mode liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020010084259A KR100835974B1 (ko) | 2001-12-24 | 2001-12-24 | 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20030054142A KR20030054142A (ko) | 2003-07-02 |
| KR100835974B1 true KR100835974B1 (ko) | 2008-06-09 |
Family
ID=19717519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020010084259A KR100835974B1 (ko) | 2001-12-24 | 2001-12-24 | 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US6741313B2 (ko) |
| KR (1) | KR100835974B1 (ko) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100799375B1 (ko) * | 2001-10-10 | 2008-01-31 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 |
| KR100835974B1 (ko) * | 2001-12-24 | 2008-06-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
| JP4085170B2 (ja) * | 2002-06-06 | 2008-05-14 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
| CN100383647C (zh) * | 2004-01-13 | 2008-04-23 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 平面内切换型液晶显示装置及其采用的存储电容 |
| KR101125254B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2012-03-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 프린지 필드 스위칭 타입의 박막 트랜지스터 기판 및 그제조 방법과, 그를 이용한 액정 패널 및 그 제조 방법 |
| US8253179B2 (en) * | 2005-05-13 | 2012-08-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
| JP5247008B2 (ja) * | 2006-06-07 | 2013-07-24 | キヤノン株式会社 | 透過型の表示装置 |
| CN100499138C (zh) * | 2006-10-27 | 2009-06-10 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种tft lcd阵列基板结构及其制造方法 |
| TWI365431B (en) * | 2007-04-23 | 2012-06-01 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | Pixel circuit and method thereof of liquid crystal display panel and liquid crystal display |
| TWI356958B (en) * | 2007-05-08 | 2012-01-21 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | Liquid crystal display, pixel structure and drivin |
| JP5235363B2 (ja) | 2007-09-04 | 2013-07-10 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 液晶表示装置 |
| JP5292066B2 (ja) * | 2007-12-05 | 2013-09-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| US20110085121A1 (en) * | 2009-10-08 | 2011-04-14 | Hydis Technologies Co., Ltd. | Fringe Field Switching Mode Liquid Crystal Display Device and Method of Fabricating the Same |
| KR102049443B1 (ko) * | 2013-05-15 | 2019-11-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102304725B1 (ko) | 2014-10-16 | 2021-09-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이의 제조 방법, 박막 트랜지스터 어레이 기판을 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
| KR102408898B1 (ko) * | 2015-06-19 | 2022-06-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이를 이용한 표시장치 |
| CN105679765A (zh) * | 2016-01-12 | 2016-06-15 | 武汉华星光电技术有限公司 | Tft阵列基板结构 |
| CN108122926B (zh) * | 2016-11-29 | 2023-09-22 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置 |
| US10802369B2 (en) * | 2018-11-14 | 2020-10-13 | HKC Corporation Limited | Fan-out wire arrangement and display device |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980033012A (ko) * | 1996-10-21 | 1998-07-25 | 윤종용 | 평면 구동 방식의 액정 표시 장치 |
| KR19990085237A (ko) * | 1998-05-15 | 1999-12-06 | 윤종용 | 평면 구동 방식의 액정 표시 장치 |
| KR20000011370A (ko) * | 1998-07-16 | 2000-02-25 | 아베 아키라 | 액티브매트릭스형액정표시장치및그것에사용하는기판 |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69333323T2 (de) * | 1992-09-18 | 2004-09-16 | Hitachi, Ltd. | Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung |
| TW347477B (en) * | 1994-09-30 | 1998-12-11 | Sanyo Electric Co | Liquid crystal display with storage capacitors for holding electric charges |
| JPH095764A (ja) | 1995-06-20 | 1997-01-10 | Hitachi Ltd | 液晶表示基板 |
| JP3474975B2 (ja) | 1995-09-06 | 2003-12-08 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| US5760856A (en) * | 1995-09-08 | 1998-06-02 | Hitachi, Ltd. | In-plane field type liquid crystal display device with light shielding pattern suitable for high aperture ratio |
| JPH09105908A (ja) | 1995-10-09 | 1997-04-22 | Hitachi Ltd | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| JP3632934B2 (ja) | 1995-10-04 | 2005-03-30 | 株式会社 日立ディスプレイズ | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| US5745207A (en) * | 1995-11-30 | 1998-04-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Active matrix liquid crystal display having electric fields parallel to substrates |
| JP3396130B2 (ja) * | 1996-06-03 | 2003-04-14 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP2776376B2 (ja) * | 1996-06-21 | 1998-07-16 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス液晶表示パネル |
| US6005648A (en) * | 1996-06-25 | 1999-12-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| KR100224704B1 (ko) * | 1996-07-23 | 1999-10-15 | 윤종용 | 박막 트랜지스터-액정표시장치 및 그 제조방법 |
| JPH10142635A (ja) * | 1996-11-15 | 1998-05-29 | Furontetsuku:Kk | 液晶表示装置 |
| JPH10142633A (ja) * | 1996-11-15 | 1998-05-29 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜トランジスタ集積装置およびその製造方法並びに液晶表示装置 |
| JP4130490B2 (ja) * | 1997-10-16 | 2008-08-06 | 三菱電機株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP3228202B2 (ja) * | 1997-11-18 | 2001-11-12 | 日本電気株式会社 | 横方向電界方式アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法 |
| KR100493869B1 (ko) * | 1999-12-16 | 2005-06-10 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| US6636289B2 (en) * | 2000-04-19 | 2003-10-21 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching LCD panel with multiple domains and rubbing directions symetric about a line |
| KR100736114B1 (ko) * | 2000-05-23 | 2007-07-06 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| KR100776509B1 (ko) * | 2000-12-30 | 2007-11-16 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| KR100620847B1 (ko) * | 2001-06-05 | 2006-09-13 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치의 어레이기판 및 그의 제조방법 |
| KR100835974B1 (ko) * | 2001-12-24 | 2008-06-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
-
2001
- 2001-12-24 KR KR1020010084259A patent/KR100835974B1/ko active IP Right Grant
-
2002
- 2002-12-13 US US10/318,235 patent/US6741313B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-01-23 US US10/762,327 patent/US7023515B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2006
- 2006-01-30 US US11/341,598 patent/US7480024B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980033012A (ko) * | 1996-10-21 | 1998-07-25 | 윤종용 | 평면 구동 방식의 액정 표시 장치 |
| KR19990085237A (ko) * | 1998-05-15 | 1999-12-06 | 윤종용 | 평면 구동 방식의 액정 표시 장치 |
| KR20000011370A (ko) * | 1998-07-16 | 2000-02-25 | 아베 아키라 | 액티브매트릭스형액정표시장치및그것에사용하는기판 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20060132693A1 (en) | 2006-06-22 |
| US6741313B2 (en) | 2004-05-25 |
| KR20030054142A (ko) | 2003-07-02 |
| US20040150779A1 (en) | 2004-08-05 |
| US20030117559A1 (en) | 2003-06-26 |
| US7480024B2 (en) | 2009-01-20 |
| US7023515B2 (en) | 2006-04-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100835974B1 (ko) | 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 | |
| KR101269002B1 (ko) | 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 | |
| KR100829785B1 (ko) | 횡전계형 액정표시장치 | |
| US7130000B2 (en) | Array substrate of liquid crystal display device and method of fabricating the same | |
| KR100801153B1 (ko) | 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 | |
| KR20080107821A (ko) | 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판 및이의 제조 방법 | |
| KR20070121122A (ko) | 횡전계형 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조 방법 | |
| KR101217661B1 (ko) | 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법 | |
| KR100829786B1 (ko) | 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 | |
| KR100744955B1 (ko) | 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 | |
| KR100835971B1 (ko) | 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 | |
| KR100835975B1 (ko) | 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 | |
| KR100844003B1 (ko) | 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 | |
| KR20040086927A (ko) | 수평 전계 인가형 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그제조 방법 | |
| KR100863727B1 (ko) | 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 | |
| KR100475837B1 (ko) | 수리배선을 포함하는 액정표시장치용 어레이기판과 그제조방법 | |
| KR100918279B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 | |
| KR101189144B1 (ko) | 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 | |
| KR100835973B1 (ko) | 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 | |
| KR100773876B1 (ko) | 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 | |
| KR100816365B1 (ko) | 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 | |
| KR101267532B1 (ko) | 스토리지 온 커먼 방식의 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR20060132164A (ko) | 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법 | |
| KR100835976B1 (ko) | 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 | |
| KR100839836B1 (ko) | 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E90F | Notification of reason for final refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120330 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130329 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150528 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160530 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180515 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190515 Year of fee payment: 12 |