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KR100823203B1 - Structure of front plate of pdp and manufacturing method thereof - Google Patents

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KR100823203B1
KR100823203B1 KR1020060100579A KR20060100579A KR100823203B1 KR 100823203 B1 KR100823203 B1 KR 100823203B1 KR 1020060100579 A KR1020060100579 A KR 1020060100579A KR 20060100579 A KR20060100579 A KR 20060100579A KR 100823203 B1 KR100823203 B1 KR 100823203B1
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KR
South Korea
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aluminum
electrode
pdp
front plate
sio
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Application number
KR1020060100579A
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Korean (ko)
Inventor
정경원
강민수
김용석
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주식회사 다이온
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Abstract

A front plate of a PDP(Plasma Display Panel) and a manufacturing method thereof are provided to improve light emitting efficiency of the PDP by decreasing a visual ray loss by forming a transparent dielectric only on an aluminum surface. An aluminum material is patterned in various shapes, such that a sustain electrode shape(47) is obtained. An aluminum oxide film(46) is formed on the aluminum electrode. A magnesium oxide layer is formed as a protective film(48), such that a surface aluminum oxide film serves as a dielectric film on an electrode surface. The aluminum oxide has a high voltage withstanding property and a low relative dielectric constant. A thickness of the aluminum electrode is between 5 and 100 mum. A thickness of the aluminum oxide film is between 1 and 20 mum.

Description

플라즈마 디스플레이 소자의 전면판 구조 및 그 제조방법 {STRUCTURE OF FRONT PLATE OF PDP AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}Front panel structure of plasma display device and its manufacturing method {STRUCTURE OF FRONT PLATE OF PDP AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}

도 1은 플라즈마 디스플레이 소자의 구조를 개략적으로 도시한 단면 사시도이고;1 is a cross-sectional perspective view schematically showing the structure of a plasma display element;

도 2는 종래기술에 따른 전면 기판 구조의 모식도이고;2 is a schematic diagram of a front substrate structure according to the prior art;

도 3은 본 발명에서 제공하는 전면 기판 구조의 모식도이고;3 is a schematic diagram of a front substrate structure provided by the present invention;

도 4는 본 발명에 있어서 몰드 캐비티내로 페이스트의 하방 및 전방 유동을 유발하기 위한 페이스트 주입부재의 헤드에 대한 모식도이고; 4 is a schematic view of the head of the paste injecting member for causing the downward and forward flow of the paste into the mold cavity in the present invention;

도 5는 본 발명에 사용될 몰드의 하나의 실시예에 따른 제조공정의 개략적 공정도이고;5 is a schematic process diagram of a manufacturing process according to one embodiment of a mold to be used in the present invention;

도 6은 본 발명에 따른 방법에서 평판형 몰드를 이용한 격벽의 제조방법의 일부 과정의 개략적 공정도이고;6 is a schematic process diagram of some processes of a method of manufacturing a partition wall using a flat mold in the method according to the present invention;

도 7a 및 7b는 본 발명에 따른 방법에서 롤러형 몰드를 이용한 격벽의 제조방법의 일부 과정의 개략적 공정도이다.7A and 7B are schematic process diagrams of some processes of a method of manufacturing a partition wall using a roller mold in the method according to the present invention.

본 발명은 플라스마 디스플레이 소자(PDP)의 전면판 구조 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a front panel structure of a plasma display device (PDP) and a method of manufacturing the same.

PDP는 평판형 표시 소자로서 화질이 우수하고, 두께가 얇으며, 무게가 가볍기 때문에 40 인치 이상의 대형 표시장치에 주로 사용되고 있다. 플라즈마 디스플레이 소자는 하면판에 형성된 격벽과 어드레스 전극, 상부판에 형성되어 있는 서스테인 전극이 수직으로 교차하는 지점에서 화소가 형성되어 화상을 구현하게 된다. PDP is a flat panel display device, and is mainly used for large display devices of 40 inches or more because of its excellent image quality, thin thickness, and light weight. In the plasma display device, a pixel is formed at a point where the barrier rib formed on the bottom plate, the address electrode, and the sustain electrode formed on the top plate vertically cross each other to implement an image.

이러한 PDP의 개략적인 구조를 나타내면 도 1과 같다. 유리 또는 금속 기판을 소재로 한 하면판(80)상에 유전층(90)이 코팅되어 있고, 어드레스 전극(50)이 하면판(80) 또는 유전층(90)상에 형성되어 있다. 어드레스 전극(50)을 사이에 두고 길다란 스트라이프(stripe) 형상의 격벽(60)이 존재하며 상기 격벽(60) 사이의 공간상 표면에 형광체가 도포되어 있어 서브 화소(sub pixel)를 구성한다. 유리로 이루어진 상부판(10) 내에는 서스테인 전극(40)이 형성되어 있으며, 그 아래에 유전체(20)와 MgO 보호층(30)이 존재한다. 전면판의 전극 구조를 도 2에 좀 더 상세히 나타내었는데, 서스테인 전극은 Ag BUS 전극(42)과 ITO 투명 전극(41)으로 이루어져 있는데, Ag BUS 전극은 ITO 전극이 전기 저항이 높기 때문에 발생하는 전압 강하를 방지하는 역할을 한다. 이들 상부판(10)과 하면판(80)이 결합되게 되면, 상기 격벽(60)에 의해 격리된 다수의 화소 공간이 생기게 된다. 이러한 격리 공간상에는 He/Xe 가스 또는 Ne/Xe 가스 등이 봉입되어 있어서, 서스테인 전극(40)과 어드레스 전극(50)에 전압이 인가되면 상기 공간상에서 플라즈마가 형성되고, 플라즈 마로부터 발생하는 진공 자외선(vacuum ultra vilolet)이 격벽 측면 및 격벽간 하저면에 코팅되어 있는 형광체를 여기시켜, 적색, 녹색 및 청색 가시광선이 발생하게 된다.A schematic structure of such a PDP is shown in FIG. 1. The dielectric layer 90 is coated on the bottom plate 80 made of a glass or metal substrate, and the address electrode 50 is formed on the bottom plate 80 or the dielectric layer 90. A long stripe-shaped partition wall 60 exists with the address electrode 50 interposed therebetween, and phosphors are coated on the spaced surface between the partition walls 60 to form a sub pixel. A sustain electrode 40 is formed in the upper plate 10 made of glass, and a dielectric 20 and an MgO protective layer 30 are present below it. The electrode structure of the front plate is shown in more detail in FIG. 2, wherein the sustain electrode is composed of an Ag BUS electrode 42 and an ITO transparent electrode 41. The Ag BUS electrode is a voltage generated because the ITO electrode has high electrical resistance. It serves to prevent descent. When the upper plate 10 and the lower plate 80 are combined, a plurality of pixel spaces separated by the partition wall 60 are formed. He / Xe gas or Ne / Xe gas is enclosed in such an isolation space. When voltage is applied to the sustain electrode 40 and the address electrode 50, plasma is formed in the space, and the vacuum ultraviolet rays generated from the plasma are generated. (vacuum ultra vilolet) excites the phosphor coated on the side walls and the bottom of the partition walls, thereby generating red, green and blue visible light.

전면판에서 BUS 전극 재료로서는 Ag가 대표적으로 사용되어 왔는데, Ag분말이 포함되어 있는 패이스트(paste) 또는 시트(sheet)를 유리 기판에 도포한 후, 노광/현상등의 방법을 통하여 패터닝(patterning)하는 방법이 주로 사용되어 왔다. 그러나 Ag 보다 가격이 저가인 알루미늄을 전극 재료로 사용하기 위한 방법이 미국 특허 6.037,713 및 미국 특허 6,517,400에 게시되어 있다. 미국 특허 6.037,713에서는 알루미늄 박막을 유리 기판상에 CVD, 진공 증착 및 스퍼터링법으로 500내지 4,000nm의 두께로 형성한 후, 알루미늄과 투명 유리 유전체의 소성 과정에서 산화 반응 및 확산을 억제하기 위해서 크롬산화물을 코팅하는 방법이 제공되고 있다. 미국 특허 6,517,400에서는 알루미늄 필름을 세라믹 페이스트에 라미네이션하여 점착시킨 후 전극 형태로 패터닝하거나, 포토레지스트를 기판상에서 패터닝한 후 Cu등을 도금하여 전극 형태를 얻은 후, 이들 전극 재료와 투명 유전체 소성 과정에서 발생할 수 있는 계면 산화 반응을 억제하기 위해서 Ni 또는 Cr을 코팅하는 방법을 제공하고 있다. Ag has typically been used as a bus electrode material in the front panel. After applying a paste or sheet containing Ag powder to a glass substrate, patterning is performed through exposure / development or the like. ) Has been used mainly. However, a method for using aluminum, which is less expensive than Ag, as an electrode material is disclosed in US Pat. No. 6.037,713 and US Pat. No. 6,517,400. In US Pat. No. 6.037,713, an aluminum thin film is formed on a glass substrate to a thickness of 500 to 4,000 nm by CVD, vacuum deposition, and sputtering, and then chromium is suppressed to suppress oxidation reaction and diffusion during firing of aluminum and a transparent glass dielectric. Methods of coating oxides are provided. In US Pat. No. 6,517,400, an aluminum film is laminated on a ceramic paste to be adhered and patterned in the form of an electrode, or a photoresist is patterned on a substrate and then plated with Cu or the like to obtain an electrode form. In order to suppress interfacial oxidation reactions, a method of coating Ni or Cr is provided.

이들 방법은 기존에 사용되고 있는 고가의 Ag BUS 전극 재료를 저가의 알루미늄으로 대체하여 재료비를 절감할 수 있는 가능성을 제공하고 있지만, 공정이 다단계로 복잡하고, 기존의 3전극 면방전 전면판 구조를 그대로 채용하기 때문에 PDP의 성능 개선 및 제조 원가의 절감에 미치는 영향이 제한적인 단점이 있다.These methods offer the possibility of reducing the material cost by replacing the expensive Ag BUS electrode materials used with low-cost aluminum, but the process is complicated in multiple steps, and the existing three-electrode surface discharge faceplate structure is retained. As a result, the impact on PDP performance improvement and manufacturing cost reduction is limited.

따라서, 본 발명은 상기의 3전극 면방전 전면판 구조 및 제조 공정을 대체하는 신규의 전면판 구조 및 그 제조방법을 제공하여, 종래 기술의 문제점과 과거로부터 요망되어 온 기술적 과제를 일거에 해결함을 목적으로 한다. Accordingly, the present invention provides a novel front plate structure and a method of manufacturing the same, which replaces the three-electrode surface discharge front plate structure and manufacturing process, thereby solving the problems of the prior art and technical problems that have been desired from the past. For the purpose.

상기 목적에 따라 본 발명은 ITO 전극/Ag BUS 전극/투명 유리 유전막/MgO 보호막의 전통적인 구조로 구성되어 있는 전면판을 Al/Al2O3/MgO 보호막 또는 Al/MgO 보호막의 단순 구조로 대체하는 것이다. 또한 본 발명은 알루미늄을 다양한 형태의 전극 구조로 패터닝을 한 후, 아노다이징 공정에 의하여 산화 알루미늄 유전막 또는 MgO 유전 및 보호막을 형성하는 것으로 구성되는 PDP 전면판 구조의 제조방법을 제공한다. 더욱 구체적으로는 가시 광선 투과율이 우수하고, 제조 공정이 단순화된 전면판의 격벽 제조방법 등을 제공한다.According to the above object, the present invention replaces the front plate composed of the traditional structure of ITO electrode / Ag BUS electrode / transparent glass dielectric film / MgO protective film with a simple structure of Al / Al 2 O 3 / MgO protective film or Al / MgO protective film. will be. In another aspect, the present invention provides a method for manufacturing a PDP front plate structure consisting of forming an aluminum oxide dielectric film or an MgO dielectric and a protective film by anodizing after aluminum is patterned into various types of electrode structure. More specifically, the present invention provides a method for manufacturing a partition wall of a front plate having excellent visible light transmittance and a simplified manufacturing process.

이를 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.Looking at this in detail.

첫째, 도 2에 나타낸 기존 기술에 의한 유리 기판(10)/ITO 전극(41)/Ag BUS 전극(42)/투명 유리 유전막(20)/MgO 보호막(30)으로 구성되어 있는 전면판 구조를 도 3(A)에 나타낸 바와 같은 유리 기판(10)/점착 층(45)/알루미늄(47)/산화 알루미늄 유전막(46)/MgO 보호막(48) 또는 도 3(B)에 나타낸 바와 같은 유리 기판(10)/점 착 층(45)/알루미늄 전극(47)/MgO 유전 및 보호막(44)으로 구성된 전면판 구조를 제공한다.  First, a front plate structure composed of the glass substrate 10 / ITO electrode 41 / Ag BUS electrode 42 / transparent glass dielectric film 20 / MgO protective film 30 according to the conventional technique shown in FIG. Glass substrate 10 as shown in 3 (A) / adhesive layer 45 / aluminum 47 / aluminum oxide dielectric film 46 / MgO protective film 48 or glass substrate as shown in Fig. 3 (B) ( 10) / adhesive layer 45 / aluminum electrode 47 / MgO dielectric and protective film 44 are provided.

둘째, 고가의 Ag 전극 및 ITO 전극을 저가의 알루미늄 전극으로 대체하여 재료비의 절감 및 공정 단순화에 의한 PDP의 제조 원가를 획기적으로 절감할 수 있는 기술을 제공한다. Second, by replacing expensive Ag electrode and ITO electrode with low-cost aluminum electrode, it provides technology that can drastically reduce the manufacturing cost of PDP by reducing material cost and simplifying process.

셋째, 기존의 유리 투명 유전막을 알루미늄 전극 표면에만 형성되는 알루미나 유전막으로 대체함으로서 투명 유전막을 통한 가시광선 광투과율 손실을 제거함으로써 PDP의 발광 효율 향상에 의한 PDP의 소비 전력을 감소시킬 수 있는 기술을 제공한다.Third, by replacing the existing glass transparent dielectric film with an alumina dielectric film formed only on the surface of the aluminum electrode, it provides a technology that can reduce the power consumption of the PDP by improving the luminous efficiency of the PDP by eliminating visible light transmittance loss through the transparent dielectric film. do.

넷째, 제조 공정 및 구조의 단순화에 의한 수율 향상에 의한 PDP의 제조 원가를 획기적으로 절감할 수 있는 기술을 제공한다.Fourthly, the present invention provides a technology that can dramatically reduce the manufacturing cost of PDP by improving the yield by simplifying the manufacturing process and structure.

이하 본 발명을 도면을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the drawings.

본 발명에서 제공하는 플라즈마 디스플레이 소자(PDP)용 전면판 구조는 도 3과 같다. 도 3A에서와 같이 알루미늄 재료를 다양한 형태로 패터닝하여 유지(sustaining) 전극 형상(47)으로 패터닝하고, 알루미늄 전극의 표면에 산화 알루미늄(46)막을 형성한 후, 산화 마그네슘 층을 보호막(48)으로 형성하여 알루미늄 전극 표면의 산화 알루미늄 막이 ac-PDP에서 요구되는 전극 표면의 유전막 역할을 하도록 한다. 산화 알루미늄은 내전압 특성이 우수하고, 상대 유전 상수(relative dielectric constant)가 9정도로 낮기 때문에, 우수한 내전압 특성 및 적정 정전 용량을 요구하는 유전 재료로서 적정한 특성을 가지고 있다.The front panel structure for the plasma display device (PDP) provided by the present invention is shown in FIG. 3. As shown in FIG. 3A, the aluminum material is patterned into various shapes to pattern the sustaining electrode shape 47, and after forming the aluminum oxide 46 film on the surface of the aluminum electrode, the magnesium oxide layer is used as the protective film 48. As shown in FIG. The aluminum oxide film on the surface of the aluminum electrode serves as a dielectric film on the electrode surface required for ac-PDP. Since aluminum oxide has excellent withstand voltage characteristics and has a relatively low relative dielectric constant of about 9, aluminum oxide has suitable characteristics as a dielectric material requiring excellent withstand voltage characteristics and appropriate capacitance.

또한 도 3B에서와 같이 알루미늄 재료를 다양한 형태로 패터닝하여 유지(sustaining) 전극 형상(47)으로 패터닝하고, 알루미늄 전극의 표면에 산화 마그네슘(49)막을 형성한 후, 산화 마그네슘층을 보호막(44)으로 형성하여 알루미늄 전극 표면의 산화 마그네슘 막이 ac-PDP에서 요구되는 전극 표면의 유전막 역할을 하도록 한다. 산화 마그네슘은 내전압 특성이 우수하고, 상대 유전 상수(relative dielectric constant)가 9정도로 낮기 때문에, 우수한 내전압 특성 및 적정 정전 용량을 요구하는 유전 재료로서 적정한 특성을 가지고 있다.Further, as shown in FIG. 3B, the aluminum material is patterned in various forms to pattern the sustaining electrode shape 47, and after the magnesium oxide 49 film is formed on the surface of the aluminum electrode, the magnesium oxide layer is protected by the protective film 44. The magnesium oxide film on the surface of the aluminum electrode serves as a dielectric film on the electrode surface required by ac-PDP. Since magnesium oxide has excellent withstand voltage characteristics and has a relatively low relative dielectric constant of about 9, magnesium oxide has suitable characteristics as a dielectric material requiring excellent withstand voltage characteristics and appropriate capacitance.

본 발명에서 제공하는 구조에서 알루미늄 전극의 두께는 5㎛내지 100㎛의 범위에 있는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 두께는 5㎛내지 20㎛범위에 있어야 한다. 전극의 폭은 50㎛내지 200㎛의 범위인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 50㎛내지 100㎛범위에 있어야 한다. 전극 표면의 산화 알루미늄 또는 산화 마그네슘 유전막이 ac-PDP에서 요구하는 특성을 만족시키기 위해서는 두께가 1㎛내지 20㎛범위에 있어야 한다. 좀 더 바람직하게는 5㎛내지 10㎛범위에 있는 것이 좋다.In the structure provided by this invention, it is preferable that the thickness of an aluminum electrode exists in the range of 5 micrometers-100 micrometers. More preferably, the thickness should be in the range of 5 μm to 20 μm. The width of the electrode is preferably in the range of 50 μm to 200 μm, more preferably in the range of 50 μm to 100 μm. The aluminum oxide or magnesium oxide dielectric film on the surface of the electrode must be in the range of 1 µm to 20 µm in order to satisfy the characteristics required by ac-PDP. More preferably, it is in the range of 5 micrometers-10 micrometers.

본 발명에서 제공하는 구조에서 알루미늄 전극 패턴은 도 4A에 나타낸 바와 같이 직사각형 또는 와플(waffle) 타입의 격벽(65)으로 구성된 방전셀에 대하여 하나 이상의 스트라이프(stripe) 형상의 스캔 전극(55) 및 유지 전극(56)으로 형성하는 것이 가능하고, 전극에 인가되는 전압을 균일하게 유지하기 위해서 도 4B에 나타낸 사각 형상의 스캔 전극(55) 및 유지 전극(56)으로 형성하는 것이 가능하다. 상기의 구조에서 알루미늄 전극 패턴의 폭은 방전셀의 면적에 대하여 개구율(cell opening ratio)가 70%이상으로 유지하는 것이 방전셀에서 발생하는 가시 광선을 알 루미늄 전극에 의하여 차단되는 것에 의한 발광 효율의 저하를 감소시킬 수 있다.In the structure provided by the present invention, the aluminum electrode pattern includes at least one stripe-shaped scan electrode 55 and the holding cell with respect to a discharge cell composed of a partition wall 65 having a rectangular or waffle type as shown in FIG. 4A. It is possible to form the electrode 56, and to form the square scan electrode 55 and the sustain electrode 56 shown in Fig. 4B in order to maintain the voltage applied to the electrode uniformly. In the above structure, the width of the aluminum electrode pattern is maintained at a cell opening ratio of 70% or more with respect to the area of the discharge cell, so that the visible light generated in the discharge cell is blocked by the aluminum electrode. The degradation can be reduced.

상기 구조를 구현하는 바람직한 제조 공정을 아래에 설명한다. 도 5A내지 도 5G에 상기 구조를 구현하는 하나의 방법을 제공하고 있다. 먼저 유리 기판(10)의 표면에 점착 테이프를 라미네이션법으로 점착 층(45)을 형성하거나, 점착용 슬러리를 코팅한 후, 건조하여 점착 층(45)을 형성한다(도 5A). 점착 테이프 및 점착용 슬러리에는 유기 점착제, 유리 분말, 색소제, 기타 첨가제가 포함되어 있는 것이 바람직하다. 유리 분말은 PbO-SiO2-B2O3, Bi2O3-B2O3-SiO2, ZnO-B2O3-SiO2를 및 P2O5-B2O3-SiO2로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 이상을 주 성분으로 하는 소결 온도가 600℃이하의 저융점 솔더 유리(solder glass) 재료 중 어느 것을 사용하여도 좋다. 점착용 슬러리를 코팅하는 방법은 닥터 블레이드(doctor blade) 코팅법, 다이 코팅법(die coating), 스크린 인쇄법(screen printing)법, 스핀 코팅(spin coating) 및 디핑법(dipping method)등이 이용될 수 있다. Preferred manufacturing processes for implementing the structure are described below. 5A-5G provide one method of implementing the structure. First, the pressure-sensitive adhesive layer 45 is formed on the surface of the glass substrate 10 by lamination, or the pressure-sensitive adhesive slurry is coated, followed by drying to form the pressure-sensitive adhesive layer 45 (FIG. 5A). It is preferable that the adhesive tape and the slurry for adhesion contain an organic adhesive, a glass powder, a coloring agent, and other additives. The glass powder was converted into PbO-SiO 2 -B 2 O 3 , Bi 2 O 3 -B 2 O 3 -SiO 2 , ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 and P 2 O 5 -B 2 O 3 -SiO 2 Any of low melting point solder glass materials having a sintering temperature of at least 600 ° C. having at least one selected from the group consisting of these may be used. The method of coating the adhesive slurry may include a doctor blade coating method, a die coating method, a screen printing method, a spin coating method and a dipping method. Can be.

상기 공정으로 형성된 점착 층의 상부에 알루미늄 포일(foil)(47) 또는 시트(sheet)(47)를 롤 라미네이션법등을 이용하여 가열/가압하여 점착시킨다(도 5B). 이때, 점착 층과 알루미늄 포일 계면에 공기가 트랩(trap)되지 않도록 하는 것이 필요하다. 이렇게 형성된 알루미늄 층의 표면에 감광성 레지스트(photoresist)를 코팅하고, 알루미늄 전극의 형상으로 노광 현상하여 에칭 보호 패턴막(75)을 형성한다(도 5C). 이렇게 준비된 기판은 알루미늄 에칭 용액을 이용하여 감광성 레지스트에 보호되지 않는 부분을 화학적으로 에칭하여 제거하여 알루미늄 전극 패턴을 형성한다(도 5E). 알루미늄 패턴이 형성된 기판은 유리의 소성 온도까지 가열하여 기판 유리와 알루미늄 전극과 화학적 점착이 되도록 한다. 이때 소성된 점착 유리층(45) 중에서 알루미늄 전극과 접촉하지 않는 부분은 도 5E와 같이 제거하는 것이 좋다. 이것은 PDP의 명실 대비비(bright room contrast ratio)를 향상시키기 위해서 점착 유리 재료를 검은색과 같은 착색 유리를 사용하는 것이 유리하기 때문이다. 점착 유리층의 제거는 질산(HNO3)을 포함한 수용액을 사용하여 에칭하여 제거하는 방법이 사용될 수 있다.The aluminum foil 47 or the sheet 47 is attached to the upper portion of the adhesive layer formed by the above process by heating / pressurizing using a roll lamination method or the like (FIG. 5B). At this time, it is necessary to prevent air from being trapped at the interface between the adhesive layer and the aluminum foil. The photoresist is coated on the surface of the aluminum layer thus formed, and exposed and developed in the shape of an aluminum electrode to form an etching protection pattern film 75 (FIG. 5C). The substrate thus prepared is chemically etched and removed to protect the photoresist using an aluminum etching solution to form an aluminum electrode pattern (FIG. 5E). The substrate on which the aluminum pattern is formed is heated to the firing temperature of the glass so as to be chemically bonded to the substrate glass and the aluminum electrode. At this time, the portion of the fired adhesive glass layer 45 that does not contact the aluminum electrode may be removed as shown in FIG. 5E. This is because it is advantageous to use colored glass such as black as the adhesive glass material in order to improve the bright room contrast ratio of the PDP. The adhesive glass layer may be removed by etching by using an aqueous solution including nitric acid (HNO 3 ).

이렇게 알루미늄 전극 패턴이 유리 기판에 화학적으로 점착된 기판은 알루미늄의 아노다이징(anodizing) 용액에 담그고, 알루미늄 전극에 전압을 인가하여 아노다이징 반응을 유도하여 산화 알루미늄 막을 형성한다(도 5F). 아노다이징 용액은 인산계, 황산계, 수산계, 크롬산계등의 다양한 용액을 사용하는 것이 가능하다. 이때 전극 표면에 아노다이징에 의해서 형성되는 산화 알루미나 막의 균열 등의 결함 발생을 최소화하기 위해서 중간 열처리 공정 또는 다중 아노다이징 처리를 수행하는 것이 가능하다. The substrate to which the aluminum electrode pattern is chemically adhered to the glass substrate is immersed in an anodizing solution of aluminum, and voltage is applied to the aluminum electrode to induce an anodizing reaction to form an aluminum oxide film (FIG. 5F). The anodizing solution can use various solutions, such as a phosphoric acid type, a sulfuric acid type, a hydroxyl type, and a chromic acid type. At this time, it is possible to perform an intermediate heat treatment process or multiple anodizing treatment to minimize the occurrence of defects such as cracking of the alumina oxide film formed by anodizing on the electrode surface.

상기 공정으로 형성된 전면판은 가열하여 아노다이징 처리 시 산화 알루미늄 막에 포함되어 있는 수분 및 기타 불순물을 제거한 후, 이들 표면에 산화 마그네슘 보호막을 형성한다(도 5G). 상기 공정에서 가열 온도는 250℃내지 550℃의 범위 인 것이 바람직하다. 산화 마그네슘 보호막은 전자빔 진공 증착(electron-beam evaporation), 이온 플레이팅(ion plating), 스퍼터링(sputtering), 화학증 착(chemical vapor deposition)법등이 사용될 수 있고, 보호막 층의 두께는 500nm 내지 1000nm가 바람직하다. 또한 산화 마그네슘 보호막은 후막 형성법을 이용하여 형성하는 것이 가능한데, 나노 크기의 산화 마그네슘 분말이 분산된 용액 내에 도 5F까지 처리된 재료를 담근 후, 알루미늄 전극에 전압은 인가하여 코팅하는 전기 영동(electrophoresis)법이 사용될 수 있다. 또한 후막 형성법으로 스크린 인쇄, 스핀 코팅 등의 일반적인 후막 공정을 사용하는 것이 가능하다.The front plate formed by the above process is heated to remove moisture and other impurities contained in the aluminum oxide film during anodizing, and then a magnesium oxide protective film is formed on these surfaces (FIG. 5G). In the above process, the heating temperature is preferably in the range of 250 ° C to 550 ° C. The magnesium oxide protective film may be electron-beam evaporation, ion plating, sputtering, chemical vapor deposition, or the like, and the protective film layer may have a thickness of 500 nm to 1000 nm. desirable. In addition, a magnesium oxide protective film can be formed by using a thick film formation method. Electrophoresis is performed by dipping a treated material up to FIG. 5F in a solution in which nano-sized magnesium oxide powder is dispersed, and then applying a voltage to an aluminum electrode to coat it. Law can be used. It is also possible to use common thick film processes such as screen printing and spin coating as the thick film formation method.

도 6A내지 도 6E에 상기 구조를 구현하는 또 하나의 방법을 제공하고 있다. 먼저 유리 기판(10)의 표면에 점착 테이프를 라미네이션법으로 점착 층(45)을 형성하거나, 점착용 슬러리를 코팅한 후, 건조하여 점착 층(45)을 형성한다(도 6A). 점착 테이프 및 점착용 슬러리에는 유기 점착제, 유리 분말, 색소제, 기타 첨가제가 포함되어 있는 것이 바람직하다. 유리 분말은 PbO-SiO2-B2O3, Bi2O3-B2O3-SiO2, ZnO-B2O3-SiO2를 및 P2O5-B2O3-SiO2로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 이상을 주 성분으로 하는 소결 온도가 600℃이하의 저융점 솔더 유리(solder glass) 재료 중 어느 것을 사용하여도 좋다. 점착용 슬러리를 코팅하는 방법은 닥터 블레이드(doctor blade) 코팅법, 다이 코팅법(die coating), 스크린 인쇄법(screen printing)법, 스핀 코팅(spin coating) 및 디핑법(dipping method)등이 이용될 수 있다. 6A to 6E provide another method of implementing the structure. First, the pressure-sensitive adhesive layer 45 is formed on the surface of the glass substrate 10 by lamination, or the pressure-sensitive adhesive slurry is coated, followed by drying to form the pressure-sensitive adhesive layer 45 (FIG. 6A). It is preferable that the adhesive tape and the slurry for adhesion contain an organic adhesive, a glass powder, a coloring agent, and other additives. The glass powder was converted into PbO-SiO 2 -B 2 O 3 , Bi 2 O 3 -B 2 O 3 -SiO 2 , ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 and P 2 O 5 -B 2 O 3 -SiO 2 Any of low melting point solder glass materials having a sintering temperature of at least 600 ° C. having at least one selected from the group consisting of these may be used. The method of coating the adhesive slurry may include a doctor blade coating method, a die coating method, a screen printing method, a spin coating method and a dipping method. Can be.

상기 공정으로 형성된 점착 층의 상부에 알루미늄 포일(foil)(47) 또는 시트(sheet)(47)를 롤 라미네이션법 등을 이용하여 가열/가압하여 점착시킨다(도 6B). 이때, 점착 층과 알루미늄 포일 계면에 공기가 트랩(trap)되지 않도록 하는 것이 필요하다. 이렇게 형성된 알루미늄 층과 점착 층을 레이저와 같은 고 에너지 열원을 이용하여 전극 패턴을 형성한다(도 6C). 레이저 열원으로는 아르곤 레이저, Ng-YAG 레이저, 엑시머 레이저 등을 이용하는 것이 가능하다. The aluminum foil 47 or the sheet 47 is attached to the upper portion of the adhesive layer formed by the above process by heating / pressurizing using a roll lamination method or the like (FIG. 6B). At this time, it is necessary to prevent air from being trapped at the interface between the adhesive layer and the aluminum foil. The aluminum layer and the adhesive layer thus formed are formed of an electrode pattern using a high energy heat source such as a laser (FIG. 6C). Argon laser, Ng-YAG laser, excimer laser, etc. can be used as a laser heat source.

알루미늄 전극 패턴이 형성된 기판은 유리의 소성 온도까지 가열하여 기판 유리와 알루미늄 전극과 화학적 점착이 되도록 한다. 이렇게 알루미늄 전극 패턴이 유리 기판에 화학적으로 점착된 기판은 알루미늄의 아노다이징(anodizing) 용액에 담그고, 알루미늄 전극에 전압을 인가하여 아노다이징 반응을 유도하여 산화 알루미늄 막을 형성한다(도 6D). 아노다이징 용액은 인산계, 황산계, 수산계, 크롬산계등의 다양한 용액을 사용하는 것이 가능하다. 이때 전극 표면에 아노다이징에 의해서 형성되는 산화 알루미나 막의 균열 등의 결함 발생을 최소화하기 위해서 중간 열처리 공정 또는 다중 아노다이징 처리를 수행하는 것이 가능하다. The substrate on which the aluminum electrode pattern is formed is heated to the firing temperature of the glass so as to be chemically bonded to the substrate glass and the aluminum electrode. The substrate to which the aluminum electrode pattern is chemically adhered to the glass substrate is immersed in an anodizing solution of aluminum, and voltage is applied to the aluminum electrode to induce an anodizing reaction to form an aluminum oxide film (FIG. 6D). The anodizing solution can use various solutions, such as a phosphoric acid type, a sulfuric acid type, a hydroxyl type, and a chromic acid type. At this time, it is possible to perform an intermediate heat treatment process or multiple anodizing treatment to minimize the occurrence of defects such as cracking of the alumina oxide film formed by anodizing on the electrode surface.

상기 공정으로 형성된 전면판은 가열하여 아노다이징 처리 시 산화 알루미늄 막에 포함되어 있는 수분 및 기타 불순물을 제거한 후, 이들 표면에 산화 마그네슘 보호막을 형성한다(도 6E). 상기 공정에서 가열 온도는 250℃내지 550℃의 범위 인것이 바람직하다. 산화 마그네슘 보호막은 전자빔 진공 증착(electron-beam evaporation), 이온 플레이팅(ion plating), 스퍼터링(sputtering), 화학증착(chemical vapor deposition)법등이 사용될 수 있고, 보호막 층의 두께는 500nm 내지 1000nm가 바람직하다. 또한 산화 마그네슘 보호막은 후막 형성법을 이용하여 형성하는 것이 가능한데, 나노 크기의 산화 마그네슘 분말이 분산된 용액 내에 도 5F까지 처리된 재료를 담근 후, 알루미늄 전극에 전압은 인가하여 코팅하는 전기 영동(electrophoresis)법이 사용될 수 있다. 또한 후막 형성법으로 스크린 인쇄, 스핀 코팅 등의 일반적인 후막 공정을 사용하는 것이 가능하다.The front plate formed by the above process is heated to remove moisture and other impurities contained in the aluminum oxide film during anodizing, and then a magnesium oxide protective film is formed on these surfaces (FIG. 6E). In the above process, the heating temperature is preferably in the range of 250 ° C to 550 ° C. As the magnesium oxide protective film, electron-beam evaporation, ion plating, sputtering, chemical vapor deposition, or the like may be used, and the thickness of the protective film layer is preferably 500 nm to 1000 nm. Do. In addition, a magnesium oxide protective film can be formed by using a thick film formation method. Electrophoresis is performed by dipping a treated material up to FIG. 5F in a solution in which nano-sized magnesium oxide powder is dispersed, and then applying a voltage to an aluminum electrode to coat it. Law can be used. It is also possible to use common thick film processes such as screen printing and spin coating as the thick film formation method.

본 발명은 또한 상기와 같은 구조 및 재료를 이용한 방법으로 제조된 전면판을 포함하는 것으로 구성되어 있는 교류형 플라즈마 디스플레이 소자(ac-PDP)에 관한 것이다. 상기 방법으로 제조된 전면판과 기존 공정으로 제조된 배면판을 사용하여 PDP를 제조하는 방법은 당업계에 이미 잘 알려져 있으므로 그에 대한 상세한 설명은 생략한다. The present invention also relates to an alternating current plasma display element (ac-PDP) which comprises a front plate manufactured by a method using such a structure and material. Since a method for manufacturing a PDP using the front plate manufactured by the above method and the back plate manufactured by the existing process is well known in the art, a detailed description thereof will be omitted.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 ac-PDP용 전면판의 구조 및 재료에 따르면, 기존의 ITO 및 Ag BUS 전극 재료를 대체하여 전기 전도성이 우수한 알루미늄을 전극 재료로서 사용하고, 기존 전면판 구조에서는 투명 유리 유전체가 전체에 균일하게 도포되어 있는데 비하여 본 발명에서는 알루미늄 표면에만 형성시킴으로써 투명 유전체에 의한 가시광 손실을 제거하기 때문에, 기존 ac-PDP의 제조 원가를 절감하고, 발광 효율을 향상시키는 것이 가능하다. 결국, 본 발명에서 제공하는 ac-PDP 전면판 구조 및 제조방법은 PDP 전면판의 제품 신뢰성을 향상시키고, 제품의 수율 향상 및 품질의 균일성을 향상시키는 것이 가능하며, 그러한 전극 성형공정은 PDP의 제조원가를 획기적으로 감소시킬 수 있다. As described above, according to the structure and material of the ac-PDP faceplate of the present invention, aluminum having excellent electrical conductivity is used as the electrode material in place of the existing ITO and Ag BUS electrode materials, and transparent in the existing faceplate structure. While the glass dielectric is uniformly coated on the whole, in the present invention, since visible light loss due to the transparent dielectric is eliminated by forming only on the aluminum surface, it is possible to reduce manufacturing costs of the existing ac-PDP and to improve luminous efficiency. As a result, the ac-PDP front panel structure and manufacturing method provided by the present invention can improve the product reliability of the PDP front panel, improve the yield of the product and improve the uniformity of quality, such an electrode forming process is Manufacturing costs can be drastically reduced.

본 발명이 속한 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기 내용을 바탕으로 하여 본 발명의 범주 내에서 다양한 응용 및 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여 져야 할 것이다.Those skilled in the art to which the present invention pertains will be capable of various applications and modifications within the scope of the present invention based on the above contents. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.

Claims (13)

AC PDP의 전면판에 있어서, 순서대로 적층된 유리기판, 점착 층, 및 알루미늄 유지 전극에 산화알루미늄 유전막과 MgO 보호막 또는 MgO 유전 및 보호막이 형성된 것을 특징으로 하는 AC PDP용 전면판 구조. An AC PDP front panel, wherein an aluminum oxide dielectric film and an MgO protective film or an MgO dielectric and protective film are formed on a glass substrate, an adhesive layer, and an aluminum sustain electrode which are sequentially stacked. 제 1 항에 있어서, 알루미늄 유지 전극 스트라이프 타입 또는 사각 패턴의 패턴을 가지고, 방전셀의 표면적에서 차지하는 알루미늄 유지 전극 패턴의 면적 분률이 30%이하인 것을 특징으로 하는 AC PDP용 전면판 구조.The front plate structure for an AC PDP according to claim 1, wherein the aluminum sustain electrode stripe type or square pattern has a pattern, and the area fraction of the aluminum sustain electrode pattern occupies the surface area of the discharge cell is 30% or less. 제 1 항에 있어서, 알루미늄 유지 전극의 두께는 5㎛내지 100㎛인 것을 특징으로 하는 AC PDP용 전면판 구조.The front plate structure for an AC PDP according to claim 1, wherein the thickness of the aluminum sustain electrode is 5 µm to 100 µm. 제 1 항에 있어서, 산화 알루미늄 유전막의 두께는 2㎛내지 20㎛인 것을 특징으로 하는 AC PDP용 전면판 구조.The front plate structure for an AC PDP according to claim 1, wherein the aluminum oxide dielectric film has a thickness of 2 µm to 20 µm. 제 1 항에 있어서, 알루미늄 전극과 유리 기판과의 점착 층은 착색 저융점 유리 재료를 사용하는 것을 특징으로 하는 AC PDP용 전면판 구조.The front plate structure for an AC PDP according to claim 1, wherein the adhesive layer between the aluminum electrode and the glass substrate uses a colored low melting glass material. 제 5 항에 있어서, 상기 유리 재료의 색은 검정색 내지 회색을 가져서 가시 광선에 대한 흡수도가 우수한 것을 특징으로 하고, 유리의 소성 온도는 600℃이하인 것을 특징인 AC PDP용 전면판 구조.6. The front plate structure for AC PDP according to claim 5, wherein the glass material has a color of black to gray and is excellent in absorbance to visible light, and the firing temperature of the glass is 600 ° C or lower. 제 5 항에 있어서, 상기 유리 재료의 조성은 PbO-SiO2-B2O3, Bi2O3-B2O3-SiO2, ZnO-B2O3-SiO2, 및 P2O5-B2O3-SiO2로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 이상을 주성분으로 하는 저융점 유리인 것을 특징으로 하는 AC PDP용 전면판 구조.The composition of claim 5, wherein the composition of the glass material is PbO-SiO 2 -B 2 O 3 , Bi 2 O 3 -B 2 O 3 -SiO 2 , ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 , and P 2 O 5. A front plate structure for an AC PDP, characterized in that the glass is a low melting point glass composed mainly of one or more selected from the group consisting of -B 2 O 3 -SiO 2 . 알루미늄 포일 또는 시트를 점착 층과 점착시킨 후, 패터닝 한 후, 점착 층에 포함되어 있는 PbO-SiO2-B2O3, Bi2O3-B2O3-SiO2, ZnO-B2O3-SiO2, 및 P2O5-B2O3-SiO2로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 이상을 주성분으로 하는 유리를 소성되는 온도까지 가열하여 알루미늄 전극을 형성시키고, MgO막을 형성하는 것으로 구성되는 방법을 포함하는 AC PDP용 전면판 구조의 제조 방법. The aluminum foil or sheet is adhered to the adhesive layer, and then patterned, and then PbO-SiO 2 -B 2 O 3 , Bi 2 O 3 -B 2 O 3 -SiO 2 , ZnO-B 2 O contained in the adhesive layer. Consisting of forming an aluminum electrode by heating a glass containing at least one selected from the group consisting of 3 -SiO 2 , and P 2 O 5 -B 2 O 3 -SiO 2 to a temperature to be fired, to form an MgO film. The manufacturing method of the front plate structure for AC PDP containing the method. 제 8 항에 있어서, 알루미늄 전극 형성 후, MgO 막을 형성하기 전에, 수용액 아노다이징 공정에 의하여 산화 알루미늄 유전막을 형성하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법. The method according to claim 8, further comprising a step of forming an aluminum oxide dielectric film by an aqueous solution anodizing step after forming the aluminum electrode and before forming the MgO film. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서, 상기 패터닝은 레이저를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 제조 방법. 10. A method according to claim 8 or 9, wherein the patterning is formed using a laser. 제 9 항에 있어서, 수용액 아노다이징 공정은, 수용액 아노다이징 용액으로 수산, 인산, 황산 크롬산을 사용하고, 아노다이징 층 내의 결함 및 수분 등의 불순물을 제거하기 위해서, 250℃내지 550℃범위에서 열처리를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조방법. 10. The method of claim 9, wherein the aqueous solution anodizing process comprises using an acid solution, phosphoric acid, or chromic acid sulfate as an aqueous solution anodizing solution, and including heat treatment in the range of 250 ° C to 550 ° C to remove impurities such as defects and moisture in the anodizing layer. Manufacturing method characterized in that. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서, 산화 마그네슘 막은 전자빔 증착(e-beam evaporation), 이온 플레이팅, 스퍼터링, CVD, 전기 영동법, 인쇄법, 스핀 코팅, 블레이드 코팅(blade coating), 또는 다이코팅(die coating)법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 제조 방법. The method of claim 8 or 9, wherein the magnesium oxide film is e-beam evaporation, ion plating, sputtering, CVD, electrophoresis, printing, spin coating, blade coating, or die coating (10). It is formed by the die coating method. 제 1 항의 구조를 갖는 전면판을 포함하는 플라즈마 디스플레이 소자.Plasma display device comprising a front plate having the structure of claim 1.
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