KR100765519B1 - Electroluminescent element and manufacturing method thereof - Google Patents
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Abstract
기판과, 기판 상에 구비된 두 개의 전극과 두 개의 전극 사이에 형성된 발광부를 포함하는 픽셀 회로부와, 두 개의 전극 중 적어도 어느 하나와 연결되어 각각 신호를 인가하는 다수의 라인 중 일부가 나머지 라인들과 높이 차가 나도록 구분 형성된 것을 특징으로 하는 배선부를 포함하는 전계발광소자를 제공한다.A pixel circuit unit including a substrate, two electrodes provided on the substrate, and a light emitting unit formed between the two electrodes, and a part of a plurality of lines connected to at least one of the two electrodes and respectively applying a signal It provides an electroluminescent device comprising a wiring portion characterized in that it is formed so that the difference between the height.
전계발광소자, 베젤 영역(Vessel Area) Electroluminescent Devices, Bezel Area
Description
도 1은 종래 기술의 제 1 실시예에 따른 전계발광소자의 구조도.1 is a structural diagram of an electroluminescent device according to a first embodiment of the prior art.
도 2는 종래 기술의 제 2 실시예에 따른 전계발광소자의 구조도.2 is a structural diagram of an electroluminescent device according to a second embodiment of the prior art.
도 3은 도 2에 도시한 전계발광소자의 A영역을 확대한 부분 확대도.FIG. 3 is an enlarged view of a portion A of the electroluminescent device shown in FIG. 2.
도 4는 도 3 상의 A-A단면도이다.4 is a cross-sectional view taken along the line A-A of FIG.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 전계발광소자의 구조도.5 is a structural diagram of an electroluminescent device according to an embodiment of the present invention.
도 6은 도 5에 도시한 전계발광소자의 A영역을 확대한 부분 확대도.FIG. 6 is a partially enlarged view of an area A of the electroluminescent device shown in FIG. 5.
도 7은 도 6 상의 A-A단면도.FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the line A-A on FIG. 6; FIG.
도 8 내지 도 10은 도 6에 도시한 배선부의 공정 단계별 상태도.8 to 10 are state diagrams illustrating the process steps of the wiring unit illustrated in FIG. 6.
* 도면의 주요부호에 대한 설명 *Explanation of the main symbols in the drawings
10 : 전계발광소자 12 : LTPS기판10
14 : 픽셀 회로부 16 : 스캔 구동부14
18 : 데이터 구동부 20 : 탭 본딩부(Tab Bonding)18: data driver 20: tab bonding (tab bonding)
30 : 전계발광소자 32 : a-Si기판30
34 : 픽셀 회로부 36 : 구동부34
38 : 탭 본딩부 50 : 전계발광소자38 tab bonding 50 electroluminescent device
52 : a-Si기판 54 : 픽셀 회로부52: a-Si substrate 54: pixel circuit portion
56 : 구동부 58 : 탭 본딩부56
D : 데이터 배선부 H : 비아홀(Via-Hole)D: Data wiring part H: Via hole (Via-Hole)
L1 : 제 1 라인부 L2 : 제 2 라인부L1: first line portion L2: second line portion
L3 : 제 3 라인부 S : 스캔 배선부L3: third line portion S: scan wiring portion
본 발명은 베젤 영역(Vessel Area)을 효율적으로 줄인 전계발광소자와 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electroluminescent device having an efficient reduction of a bezel area and a method of manufacturing the same.
전계발광소자는 전자(election)주입 전극(cathode)과 정공(hole)주입 전극(anode)으로부터 각각 전자와 정공을 발광층 내부로 주입시켜, 주입된 전자와 정공이 결합한 엑시톤(exciton)이 여기상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광하는 자발광 소자이다.The electroluminescent device injects electrons and holes into the light emitting layer from an electron injection electrode and a hole injection electrode, respectively, and excitons of the injected electrons and holes combine from the excited state. It is a self-luminous device that emits light when it falls to the ground state.
또한, 전계발광소자는 낮은 전압에서 구동이 가능하고, 박형 등의 장점을 지니고 있다. 이러한 전계발광소자는 광시야각과 빠른 응답속도 등 종래 액정표시장치에서 문제로 지적되던 단점을 해결할 수 있는 차세대 디스플레이로 주목받고 있다.In addition, the electroluminescent device can be driven at a low voltage and has advantages such as thinness. The electroluminescent device is attracting attention as a next-generation display that can solve the disadvantages pointed out as a problem in the conventional liquid crystal display, such as wide viewing angle and fast response speed.
전계발광소자는 구동 방식에 따라 패시브 매트릭스형 전계발광소자(PM-LED; Passive Matrix Light Emitting Diodes)와 박막트랜지스터부가 구동부로 구비되는 액티브 매트릭스형 전계발광소자(AM-LED; Active Matrix Light Emitting Diodes)로 구분된다.The electroluminescent device is a passive matrix light emitting diode (PM-LED) and an active matrix light emitting diode (AM-LED) having a thin film transistor unit as a driving unit according to a driving method. Separated by.
또한, 이상의 액티브 매트릭스형 전계발광소자는 그 형성되는 기판의 특성에 따라 캐소드 전극이 공통전극으로 형성되는 LTPS(Low Temperature Poly Silicon) 타입과 애노드 전극이 공통전극으로 형성되는 a-Si(amorphous Silicon) 타입으로 구분된다.In addition, the active matrix type electroluminescent device has a low temperature poly silicon (LTPS) type in which the cathode electrode is formed as a common electrode and a-Si (amorphous silicon) in which the anode electrode is formed as a common electrode according to the characteristics of the substrate to be formed. It is classified by type.
이하, 종래 기술은 액티브 매트릭스형 전계발광소자의 경우로 예를 들어 설명한다. The prior art will be described below with an example of an active matrix type electroluminescent device.
도 1은 종래 기술의 제 1 실시예에 따른 전계발광소자의 구조도로, LTPS기판 상에 형성된 전계발광소자의 구조를 도시한다.1 is a structural diagram of an electroluminescent device according to a first embodiment of the prior art, showing the structure of an electroluminescent device formed on an LTPS substrate.
도 1을 참조하면, 종래 기술의 제 1 실시예에 따른 전계발광소자(10)는 LTPS기판(12) 상에 애노드 전극과 적어도 하나 이상의 전하 주입/수송층과 유기 발광층을 갖는 발광부 및 캐소드 공통전극이 순차적으로 적층되어 픽셀 회로부(14)가 형성되어 있었다.Referring to FIG. 1, an
픽셀 회로부(14)의 마주보는 양측부와 인접한 LTPS기판(12) 상의 영역(W)에는 픽셀 회로부(14)에 스캔 신호를 인가하는 스캔 구동부(16)가 형성되어 있었고, 스캔 구동부(16)는 픽셀 회로부(14)의 캐소드 공통전극과 스캔 배선부(S)로 연결되 어 있었다.In the region W on the
또한, LTPS기판(12) 상의 타측부에는 픽셀 회로부(14)에 데이터 신호를 인가하는 데이터 구동부(18)가 형성되어 있었고, 데이터 구동부(18)는 픽셀 회로부(14)의 애노드 전극과 데이터 배선부(D)로 연결되어 있었다. In addition, a
또한, 스캔 구동부(16)과 데이터 구동부(18)는 외부 콘트롤러와 연결되는 탭 본딩부(20)와 전기적으로 연결되어 있었다.In addition, the
이상과 같은 집적된 소자 구조는 모빌리티(mobility) 및 캐리어(carrier)의 농도가 높은 LTPS기판의 특성에 따라 가능하였다. 그러나, a-Si의 구조를 폴리화하는 과정이 매우 복잡하였고, 공정 비용 또한 상당히 올라가는 문제가 발생하였다.The integrated device structure as described above was possible according to the characteristics of the LTPS substrate having high mobility and carrier concentration. However, the process of polylizing the structure of a-Si was very complicated and the process cost also increased considerably.
따라서, LTPS기판에 상대적으로 공정의 과정이 간단하고 비용이 적게 드는 a-Si 기판을 소자에 적용하는 방법이 모색되었다.Therefore, a method of applying an a-Si substrate, which is simple and inexpensive, to a device relative to the LTPS substrate has been sought.
도 2는 종래 기술의 제 2 실시예에 따른 전계발광소자의 구조도로, a-Si기판 상에 형성된 전계발광소자의 구조를 도시한다..2 is a structural diagram of an electroluminescent device according to a second embodiment of the prior art, showing the structure of an electroluminescent device formed on an a-Si substrate.
도 2를 참조하면, 종래 기술의 제 1 실시예에 따른 전계발광소자(30)는 a-Si기판(32) 상에 캐소드 전극과 적어도 하나 이상의 전하 주입/수송층과 유기 발광층을 갖는 발광부 및 애노드 공통전극이 순차적으로 적층되어 픽셀 회로부(34)가 형성되어 있었다.Referring to FIG. 2, the
픽셀 회로부(34)와 인접한 a-Si기판(32) 상의 일측 영역에는 구동부(36)가 형성되어 있었고, 전술한 구동부(36)에는 픽셀 회로부(34)의 캐소드 전극과 연결되 어 픽셀 회로부(34)에 데이터 신호를 인가하는 데이터 배선부(D)와 픽셀 회로부(34)의 애노드 공통전극과 연결되어 픽셀 회로부(34)에 스캔 신호를 인가하는 스캔 배선부(S)가 연결되어 있었다.The
또한, 구동부(36)는 외부 콘트롤러와 연결되는 탭 본딩부(38)와 전기적으로 연결되어 있었다.In addition, the
이하, 도 3 및 도 4에서는 제 2 베젤 영역(W2)에 형성된 배선부의 구조를 상세히 도시한다.3 and 4 illustrate the structure of the wiring portion formed in the second bezel region W2 in detail.
도 3은 도 2에 도시한 전계발광소자의 A영역을 확대한 부분 확대도이며, 도 4는 도 3 상의 A-A 단면도이다. 3 is an enlarged partial view of an area A of the electroluminescent device illustrated in FIG. 2, and FIG. 4 is a sectional view taken along the line A-A of FIG. 3.
도 3을 참조하여 공정 측면에서 설명하면, 제 2 베젤 영역(W2)의 일부에는 픽셀 회로부(34)를 형성하기 위해 캐소드 전극을 패터닝 하는 과정에서 그 일부를 연장하여 제 1 배선부(L1)를 형성하였다.Referring to FIG. 3, a portion of the second bezel region W2 is extended to a portion of the second bezel region W2 in the process of patterning the cathode electrode to form the
이후, 픽셀 회로부(34)의 애노드 공통전극 형성과정에서 제 2 베젤 영역(W2)에 제 1 배선부(L1) 및 구동부(도 2의 36)와 연결되도록 제 2 배선(L2)부를 형성하여 스캔 배선부(S)를 형성하였다.Subsequently, in the process of forming the anode common electrode of the
한편, 이상의 제 2 배선부(L2)는 제 1 배선부(L1)와 동일한 재료로 동시에 형성될 수 있다.Meanwhile, the second wiring part L2 may be simultaneously formed of the same material as the first wiring part L1.
이상과 같은 종래 기술의 제 2 실시예에 따른 a-Si 소자 구조(30)는 종래 기 술의 제 1 실시예에 따른 LTPS 소자 구조(10)와 비교하여 베젤 영역이 커지는 심각한 문제가 발생하였다.As described above, the a-Si
상게하게는, 제 1 실시예의 소자 구조(10)와 비교할 때, 기판의 모빌리티(mobility) 및 캐리어(carrier)의 농도가 상대적으로 매우 낮아 박막트랜지스터부를 패터닝하게 되면, TFT의 특성 및 효율이 매우 저하되므로 스캔 드라이버를 기판에 내장할 수가 없었다. In general, when compared to the
따라서, 스캔 드라이버는 IC에 내장할 수밖에 없었고, 각각의 픽셀 열에 해당하는 게이트 전극에 배선부를 연결하여 구동해야 했으므로, 배선부의 라인 수가 크게 늘어났다. 또한, 배선부의 각 라인에는 전기적 신호가 인가되므로 상호 간 간섭을 배제하기 위해서는 소정 간격 이격되어야 했다.Therefore, the scan driver had to be embedded in the IC, and the wiring part had to be connected and driven to the gate electrode corresponding to each pixel column, so that the number of lines in the wiring part was greatly increased. In addition, since an electrical signal is applied to each line of the wiring part, it has to be spaced at a predetermined interval to exclude mutual interference.
결국, 배선부의 부피가 커져 제 2 베젤 영역(W2)은 전술한 제 1 실시예에서의 배선부 형성영역인 제 1 베젤 영역(W1)보다 더 많은 공간을 차지하게 되었다. As a result, the volume of the wiring portion is increased so that the second bezel region W2 occupies more space than the first bezel region W1 which is the wiring portion forming region in the above-described first embodiment.
이러한 베젤 영역의 증대는 소자 전체의 사이즈 증대로 이어졌고, 소자의 사이즈 증대 현상은 경박단소화를 지향하는 제품 트랜드에 반하여 소자의 적용 범위를 크게 제한하는 심각한 문제가 발생하였다.The increase in the bezel area has led to an increase in the size of the entire device, and the increase in size of the device has a serious problem of greatly limiting the application range of the device as opposed to a product trend toward light and small size.
또한, 소자의 사이즈가 커짐에 따라 공정 상 단가 상승으로 부가가치의 하락 문제가 발생하였다. In addition, as the size of the device increases, a problem of a drop in added value occurs due to an increase in unit cost.
이러한 문제점을 해결하기 위해 본 발명은 소자의 배선부 구조를 개선하여 베젤 영역을 획기적으로 줄임으로써 소자의 적용범위가 크게 제한받는 문제를 해결 할 수 있는 전계발광소자를 제공하는 데 그 목적이 있다.In order to solve this problem, an object of the present invention is to provide an electroluminescent device that can solve the problem that the scope of application of the device is greatly limited by significantly reducing the structure of the wiring part of the device.
다른 측면에서, 이상과 같은 문제를 해결하기 위해 본 발명은 기존 공정의 한계를 극복하고, 공정의 단가를 낮춤으로 소자의 부가가치를 향상시킬 수 있는 전계발광소자의 제조방법을 제공하는 데 그 목적이 있다. In another aspect, the present invention to solve the above problems is to provide a method of manufacturing an electroluminescent device that can overcome the limitations of the existing process, improve the value added of the device by lowering the cost of the process. have.
이상과 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명은 기판과, 기판 상에 구비된 두 개의 전극과 두 개의 전극 사이에 형성된 발광부를 포함하는 픽셀 회로부와, 두 개의 전극 중 적어도 어느 하나와 연결되어 각각 신호를 인가하는 다수의 라인 중 일부가 나머지 라인들과 높이 차가 나도록 구분 형성된 것을 특징으로 하는 배선부를 포함하는 전계발광소자를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a pixel circuit unit including a substrate, two electrodes provided on the substrate, and a light emitting unit formed between the two electrodes, and connected to at least one of the two electrodes, respectively. The present invention provides an electroluminescent device comprising a wiring part, wherein some of the plurality of lines to be applied are formed to have a height difference from the remaining lines.
이상의 전계발광소자에 있어서, 배선부는 라인들이 교번하여 높이 차가 나도록 구분 형성된 것을 특징으로 한다.In the above electroluminescent device, the wiring portion is characterized in that the lines are formed so that the height difference alternately.
또한, 이상의 배선부의 구분 형성된 라인들은 절연막으로 구분되되 절연막을 기준으로 상,하부에 높이 차가 나도록 구분 형성되며, 절연막 상에 위치하는 라인과 그에 대응되는 픽셀 회로부의 전극은 절연막을 관통하는 비아홀(Via-Hole)을 통해 접촉하는 것을 특징으로 한다.In addition, the lines formed in the above wiring part may be divided into insulating layers, and the upper and lower parts of the wiring part may be divided to have a height difference. The lines on the insulating layer and the electrodes of the pixel circuit part corresponding thereto are via holes penetrating the insulating film. -Hole) is characterized in that the contact.
한편, 위에서 설명한 전계발광소자의 기판은 박막트랜지스터부가 패터닝된 a-Si 기판인 것을 특징으로 한다.On the other hand, the substrate of the electroluminescent device described above is characterized in that the thin film transistor is a-Si substrate patterned.
위에서 설명한 전계발광소자의 발광부는 적어도 하나 이상의 전하 주입/수송층과 유기 발광층을 포함하는 것을 특징으로 한다.The light emitting unit of the electroluminescent device described above is characterized in that it comprises at least one charge injection / transport layer and the organic light emitting layer.
다른 측면에서, 이상의 문제를 해결하기 위해 본 발명은 기판 상에 두 개의 전극과 두 개의 전극 사이에 발광부를 형성하는 픽셀 회로부 형성단계와, 두 개의 전극 중 적어도 어느 하나와 연결되어 각각 신호를 인가하는 다수의 라인 중 일부를 나머지 라인들과 높이 차가 나도록 구분 형성하는 배선부 형성단계를 포함하는 전계발광소자의 제조방법을 제공한다.In another aspect, in order to solve the above problems, the present invention provides a pixel circuit forming step of forming a light emitting unit between two electrodes and two electrodes on a substrate, and connected to at least one of the two electrodes to apply a signal, respectively. Provided is a method of manufacturing an electroluminescent device comprising a wiring part forming step of forming a part of a plurality of lines so as to have a height difference from the remaining lines.
이상의 전계발광소자의 제조방법에 있어서, 배선부 형성단계에서는 다수의 라인들을 교번하여 높이 차가 나도록 구분 형성하는 것을 특징으로 한다.In the above method of manufacturing an electroluminescent device, in the wiring portion forming step, a plurality of lines are alternately formed so as to form a height difference.
또한, 이상의 배선부 형성단계에서는 배선부의 다수의 라인 중 일부를 픽셀 회로부의 두 개의 전극 중 어느 하나의 일부와 연결하고, 그 위에 절연막을 형성하되 절연막에는 배선부의 나머지 라인에 대응되는 픽셀 회로부의 두 개의 전극 중 어느 하나의 나머지를 노출시키는 비아홀을 형성하여 전술한 비아홀을 통해 배선부의 나머지 라인과 두 개의 전극 중 어느 하나의 나머지를 접촉시키는 것을 특징으로 한다.Further, in the above wiring portion forming step, some of the plurality of lines of the wiring portion are connected to any one of two electrodes of the pixel circuit portion, and an insulating film is formed thereon, and the insulating film has two pixel circuit portions corresponding to the remaining lines of the wiring portion. Forming a via hole for exposing the remainder of any one of the two electrodes to contact the remaining line of the wiring portion and any one of the two electrodes through the above-described via hole.
위에서 설명한 전계발광소자의 제조방법은 픽셀 회로부 형성단계 이전에 기판을 a-Si으로 형성하고 기판 상에 구동부로 박막트랜지스터부를 패터닝하는 기판 준비단계를 추가로 포함한다.The method of manufacturing the electroluminescent device described above further includes a substrate preparation step of forming the substrate as a-Si and patterning the thin film transistor portion as a driver on the substrate before the pixel circuit portion forming step.
위에서 설명한 전계발광소자의 제조방법에 있어서, 픽셀 회로부 형성단계에서는 적어도 하나 이상의 전하 주입/수송층과 유기 발광층을 적층하여 발광부를 형성하는 것을 특징으로 한다.In the method of manufacturing the electroluminescent device described above, in the pixel circuit portion forming step, the light emitting portion is formed by stacking at least one charge injection / transport layer and an organic light emitting layer.
이하, 본 발명의 일실시예를 도시 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
단, 이하 본 발명은 스캔 배선부 및 데이터 배선부 모두에 적용가능하므로, 설명의 중복성을 피하고, 이해를 돕기 위해 스캔 배선부의 경우로 예를 들어 도시 설명한다. However, since the present invention is applicable to both the scan wiring section and the data wiring section, the following description will be given by way of example in the case of the scan wiring section in order to avoid redundancy of description and to help understanding.
또한, 이하 본 발명은 박막트랜지스터부가 구동부로 패터닝된 액티브 매트릭스형 전계발광소자(이하, 전계발광소자로 약칭함.)의 경우로 예를 들어 설명한다.In addition, the present invention will be described below by way of example in the case of an active matrix type electroluminescent device (hereinafter, abbreviated as an electroluminescent device) in which a thin film transistor is patterned by a driver.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 전계발광소자의 구조도이다.5 is a structural diagram of an electroluminescent device according to an embodiment of the present invention.
단, 도시의 이해를 용이하게 하기 위해, 기판의 배선부 영역에 형성된 절연층 구조를 생략하여 도시하였다.However, for ease of understanding, the insulating layer structure formed in the wiring portion region of the substrate is omitted.
도 5를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 전계발광소자(50)는 a-Si기판(52) 상에 캐소드 전극과 적어도 하나 이상의 전하 주입/수송층과 유기 발광층을 갖는 발광부 및 애노드 공통전극이 순차적으로 적층되어 픽셀 회로부(54)가 형성된다.Referring to FIG. 5, an
전술한 픽셀 회로부(54)와 인접한 a-Si기판(52) 상의 일측 영역에는 구동부(56)가 형성되고, 전술한 구동부(56)에는 픽셀 회로부(54)의 캐소드 전극과 연결되어 픽셀 회로부(54)에 데이터 신호를 인가하는 데이터 배선부(D)와, 픽셀 회로부(54)의 애노드 공통전극과 연결되어 픽셀 회로부(54)에 스캔 신호를 인가하는 스캔 배선부(S)가 연결된다. A
이때, 스캔 배선부(S)는 예를 들어, 홀수 번째 라인과 짝수 번째 라인이 높이 차가 나도록 절연되어 구분 형성된다.In this case, the scan wiring unit S is formed by separating the odd-numbered line and the even-numbered line so as to have a height difference.
또한, 구동부(56)는 외부 콘트롤러와 연결되는 탭 본딩부(58)와 전기적으로 연결된다.In addition, the driving
이상과 같은 본 발명의 전계발광소자(50)는 배선부 구조가 개선되어 도 2 상의 종래 전계발광소자(30)와 비교하여 베젤 영역(W2->W3)이 획기적으로 줄어들었다.The
이하, 도 6 내지 도 10을 도시 참조하여, 본 발명의 배선부 구조 및 그 형성 영역인 제 3 베젤 영역(W3)에 대하여 상세히 설명한다. 6 to 10, the structure of the wiring portion of the present invention and the third bezel region W3 which is the formation region thereof will be described in detail.
도 6은 도 5에 도시한 전계발광소자의 A영역을 확대한 부분 확대도이며, 도 7은 도 6 상의 A-A단면도이다.FIG. 6 is an enlarged view of a portion A of the electroluminescent device shown in FIG. 5, and FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line A-A of FIG. 6.
이하 도 6 및 도 7을 참조하여, 스캔 배선부(S)가 형성된 제 3 베젤 영역(W3)의 구조를 공정 측면에서 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, referring to FIG. 6 and FIG. 7, the structure of the third bezel region W3 in which the scan wiring S is formed will be described in terms of processes.
a-Si기판(52) 상에서 픽셀 회로부(54)와 인접한 제 3 베젤 영역(W3) 상에 픽셀 회로부(54)를 형성하기 위해 캐소드 전극을 패터닝 하는 과정에서 그 일부를 연장하여 제 1 배선부(L1)를 형성한다. 또한, 제 1 배선부(L1) 중 일부 예를 들어, 교번하여 구분되도록 홀수번째 라인을 선택하여 제 1 배선부(L1) 및 구동부(도 5의 56)와 연결되도록 제 2 배선(L2)부를 형성한다. In the process of patterning the cathode electrode to form the
이후, 픽셀 회로부(54)의 애노드 공통전극 형성과정에서 제 3 베젤 영역(W3) 에 절연층(B)을 형성하고, 짝수번째 라인이 노출되도록 비아홀(H; Via-Hole)을 형성한다. Subsequently, in the process of forming the anode common electrode of the
이때, 절연층(B)은 예를 들어, SiOx 또는 SiNx 중 어느 하나 또는 하나 이상으로 형성하되 100~5000nm 범위 이내의 두께로 형성하는 것이 바람직하다.At this time, the insulating layer (B), for example, is formed of any one or more of SiOx or SiNx, but preferably formed in a thickness within the range of 100 ~ 5000nm.
또한, 전술한 비아홀(H)은 1~100㎛ 범위 이내의 크기인 사각형에 내접하는 형태로 형성하는 것이 바람직하다.In addition, the above-described via hole (H) is preferably formed in the form of inscribed in a square having a size within the range of 1 ~ 100㎛.
계속해서, 픽셀 회로부(54)의 애노드 공통전극을 형성하는 과정에 따라 애노드 공통전극을 구분 형성하여 비아홀(H)을 통해 제 1 배선부(L1)의 짝수번째 라인과 구동부(도 5의 56)가 연결되도록 제 3 배선부(L3)를 형성하여 스캔 배선부(S)를 형성한다.Subsequently, according to the process of forming the anode common electrode of the
이상의 제 2 및 제 3 배선부(L2, L3)는 예를 들어, 1~100㎛ 범위 이내의 폭과 50~2000nm 범위 이내의 두께를 갖도록 형성하는 것이 바람직하다.The above-mentioned second and third wiring portions L2 and L3 are preferably formed to have a width within a range of 1 to 100 μm and a thickness within a range of 50 to 2000 nm, for example.
또한, 제 2 및 제 3 배선부(L2, L3)의 각 라인 간 간격은 예를 들어, 1~50㎛ 범위 이내인 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that the space | interval between each line of the 2nd and 3rd wiring parts L2 and L3 is 1-50 micrometers, for example.
도 8 내지 도 10은 도 6에 도시한 배선부의 공정 단계별 상태도로, 이상에서 설명한 공정에 따른 제 3 베젤 영역(W3)의 단계별 상태와 스캔 배선부(S)의 형성과정을 볼 수 있다.8 to 10 are process step state diagrams of the wiring unit illustrated in FIG. 6, which illustrate the step state of the third bezel region W3 and the process of forming the scan wiring unit S according to the above-described process.
이상과 같은 본 발명의 스캔 배선부(도 5 상의 S)의 구조는 절연층(B)에 의 해 각 라인들(L2, L3)이 높이 차가 나도록 절연 구분되므로, 종래 스캔 배선부(도 2의 S)의 구조와 비교하여 라인(L2) 간의 간격을 대폭 줄일 수 있다. Since the structure of the scan wiring unit (S in FIG. 5) of the present invention as described above is insulated so that the lines L2 and L3 differ in height by the insulating layer B, the conventional scan wiring unit (see FIG. 2). Compared with the structure of S), the spacing between the lines L2 can be significantly reduced.
이러한, 본 발명의 라인(L2, L3)간의 간격 축소는 베젤영역을 축소(도 4 상의 W2 -> 도 7 상의 W3)시키므로 기존 공정 상의 한계를 극복할 수 있고, 본 발명은 소기 목적을 달성할 수 있다. Such a reduction in the spacing between the lines (L2, L3) of the present invention reduces the bezel area (W2 on Figure 4-> W3 on Figure 7) can overcome the limitations of the existing process, the present invention can achieve the desired object Can be.
이상 본 발명에서는 배선부의 구조 개선에 따른 베젤 영역의 축소 효과를 스캔 배선부(S)의 경우로 예를 들어 도시 설명하였으나, 본 발명의 배선부 구조는 이에 국한되지 않으며, 데이터 배선부(D)를 포함한 소자 상의 모든 배선부에 적용 가능하다.In the present invention, the reduction effect of the bezel area according to the improvement of the structure of the wiring part is illustrated as an example in the case of the scan wiring part S, but the wiring part structure of the present invention is not limited thereto, and the data wiring part D is not limited thereto. Applicable to all wiring parts on the device, including.
또한, 이상 본 발명에서는 단방향 발광형의 경우로 예를 들어 도시 참조하여 설명하였으나, 본 발명은 이에 국한되지 않으며 양면 발광형의 경우에도 적용가능하다.In addition, the present invention has been described with reference to an example in the case of the unidirectional light emission type, but the present invention is not limited thereto, and is applicable to the double-sided light emission type.
또한, 이상 본 발명은 발광부에 유기물뿐만 아니라 무기물 또한 이용 가능한 전계발광소자(LED)의 범주로 이해하여야 한다.In addition, the present invention should be understood as a category of an electroluminescent device (LED) that can be used not only organic matter but also inorganic matter in the light emitting portion.
이상 다양한 실시예를 들어 본 발명에 대하여 서술하였으나, 본 발명의 범위는 전술한 상세 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고, 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다. While the present invention has been described with reference to various embodiments, the scope of the present invention is indicated by the following claims rather than the foregoing description, and all changes derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts. Or variations should be construed as being included in the scope of the invention.
위에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 배선부 구조를 개선함으로써 배선부의 각 라인 간의 간격을 줄여 베젤 영역을 대폭 줄일 수 있는 전계발광소자 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.As described above, the present invention can provide an electroluminescent device and a method of manufacturing the same, which can significantly reduce the bezel area by reducing the distance between each line of the wiring part by improving the wiring part structure.
따라서, 본 발명은 기존 공정의 한계를 극복할 수 있으므로, 그 적용범위가 크게 한정되는 문제를 해결할 수 있다.Therefore, the present invention can overcome the limitations of the existing process, it can solve the problem that the scope of application is greatly limited.
또한, 본 발명은 소자의 크기를 줄임으로써, 공정 단가를 낮춰 소자의 부가가치를 높일 수 있다. In addition, the present invention can increase the added value of the device by reducing the process cost by reducing the size of the device.
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