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KR100732648B1 - 비접촉 아이디 카드 및 그의 제조방법 - Google Patents

비접촉 아이디 카드 및 그의 제조방법 Download PDF

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KR100732648B1
KR100732648B1 KR1020027010730A KR20027010730A KR100732648B1 KR 100732648 B1 KR100732648 B1 KR 100732648B1 KR 1020027010730 A KR1020027010730 A KR 1020027010730A KR 20027010730 A KR20027010730 A KR 20027010730A KR 100732648 B1 KR100732648 B1 KR 100732648B1
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chip
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interposer substrate
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아키타마사노리
이토고지
모리도시히로
노가미요시오
구라모토요시오
Original Assignee
도레이엔지니어링가부시키가이샤
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Abstract

본 발명의 비접촉식 카드류는, 기재에 안테나를 형성한 안테나 회로기판과, IC 칩이 매설된 기재에 상기 IC 칩의 전극에 접속된 확대전극을 형성한 인터포저 기판으로 구성되고, 상기 안테나의 전극과 상기 확대전극을 접합하도록 양 기판이 적층되어 있다.
비접촉 ID 카드류

Description

비접촉 아이디 카드 및 그의 제조방법 {NONCONTACT ID CARD OR THE LIKE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 비접촉 ID(식별정보) 카드 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
종래, 예컨대, 상품에 붙여지고 있는 태그처럼, 많은 바코드가 카드상(狀)의 종이에 인쇄되거나 또는 첩착(貼着)되거나 하여 분별의 정보를 얻고 있는데, 이러한 바코드는 단지 종이로의 인쇄이기 때문에 생산성이 높고 값이 싸다.
한편, IC(집적회로) 칩은 바코드와 달리, 단순히 정보를 표시할 뿐 아니라, 정보량이 비약적으로 크며, 또한 정보의 고쳐쓰기(rewrite)가 가능하다. 더구나, IC 칩은 생산성이 향상하여 염가로 되어 오고 있다. 그렇기 때문에, 안테나 회로기판에 IC 칩을 실장(實裝)한 소위, 비접촉 ID 카드나 비접촉 태그 등(이하, 이와 같은 것을 총칭하여 비접촉 IC 카드라 한다.)이 이용되게 되고 있다.
주지하는 바와 같이, 비접촉 ID 카드는 대량의 정보를 동시에 판독하거나 기록할 수 있고, 더구나, 시큐리티성(security)이 높음으로 해서, ID 인식이나 전자결제 등, 폭넓은 응용성을 비장하고 있다. 따라서, 제조코스트를 저감화할 수 있으면, 그의 범용화(汎用化)를 비약적으로 촉진할 수가 있다.
그러나, 비접촉 ID 카드는 일반적으로, 도 16에 보이는 바와 같이, 이방성 도전 필름(ACF: Antisotropic Conductive Film)(1)을 첩부한 안테나 회로기판 (2)의 안테나 전극(3a, 3b)과 IC 칩(4)의 범프(5a, 5b)를 정밀히 위치맞춤한 상태로 열압착, 즉, 양자를 접합하여 제조되고 있다.
때문에, 고정도(高精度)의 본더설비가 필요하여 제조코스트(주로 실장코스트)가 높다는 문제가 있었다. 게다가, IC 칩(4)의 가일층 소형미세화에 따라, 고정도의 실장기술이 요구되어 본더설비가 일단 고가로 되는 경향이 있음에도 불구하고 생산성이 저하하고 말기 때문에, 제조 코스트의 증가저지는 곤란한 기술이다.
더구나, 안테나 회로기판(2)의 안테나 전극(3a, 3b)에 대하여, 그들에 접속되어 있는 안테나(6)를 타고 넘게, IC 칩(4)의 범프(5a, 5b)를 열압착에 의해서 접합하고 있지만, 안테나(6)는, 예를 들어, 6턴 등의 복수 턴으로 형성되어(도 17 참조), 그 양단에 안테나 전극(3a, 3b)을 형성하고 있다. 그 때문에, IC 칩(4)의 소형미세화에 추종하여 안테나(6)의 선폭을 미세화하지 않으면 아니 되어, 정도 높은 안테나 형성기술이 요구되므로, 이 점 때문에도, 제조코스트의 증가저지가 어려웠다.
본 발명의 제 1의 목적은, IC 칩이 소형미세화되어도, 칩의 전극과 안테나 회로기판의 안테나 전극의 위치맞춤을 용이하게 행해지게 하여, 비접촉 ID 카드의 제조크스트(주로 실장코스트)의 증가저지를 도모하는 것을 가능하게 하는 비접촉 ID 카드 및 그의 제조방법을 제공하는 데 있다.
또, 본 발명의 제 2의 목적은, 안테나 회로기판과 인터포저 기판의 적층구조의 비접촉 ID 카드이어도, 소정개소의 절연과 합치어 IC 칩의 전극과 안테나 회로기판의 안테나 전극의 전기적 접합상태를 양호하게 보존하는(도통 상태에 보존하는) 것을 가능하게 하는 비접촉 ID 카드 및 그의 제조방법을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 비접촉 ID 카드는 기재(基材)에 안테나를 형성한 안테나 회로기판과, IC 칩이 매설된 기재에 상기 IC 칩의 전극에 접속된 확대전극을 형성한 인터포저 기판으로 구성되고, 상기 안테나의 전극과 상기 확대전극을 접합하도록 양 기판이 적층되어 있음을 특징을 하는 것이다.
이와 같이 확대전극을 사이에 하여 IC 칩의 전극과 안테나의 전극을 접합하하도록 양 기판을 적층하므로, IC 칩의 소형미세화에 좌우되지 않고 간단히 양 전극끼리의 위치맞춤을 행할 수가 있어서, 비접촉 ID 카드류의 제조코스트(주로 실장코스트)의 증가를 저지할 수가 있다.
본 발명에서는, 안테나의 전극과 확대전극을 접합함에 있어서, 안테나 전극과 확대전극을 도전성 접착재로 접착하여도 좋고, 또는 안테나 회로기판의 기재와 인터포저 기판의 기재의 접착에 의해서 안테나 전극과 확대전극을 직접, 접합하여도 좋다.
또, 안테나 회로기판의 안테나 형성부 및 IC 칩의 전극 형성부를 봉하도록, 안테나 회로기판의 기재와 인터포저 기판의 기재 사이에 절연성 접착제를 배설하면 좋다. 또한, IC 칩의 전극은 언더 배리어 메탈 층을 형성하고 있으면 좋다.
인테나 회로기판과 인터포저 기판 사이에 절연성 접착제를 충전함에 의해, 소정개소의 절연과 양 기판의 접합을 강화할 수가 있고, 또 IC 칩의 전극에 언더 배리어 메탈 층(UBM층)을 형성함에 의해, IC 칩의 전극과 안테나 회로기판의 안테나 전극의 전기적 접합상태를 양호하게 보존(도통 상태에 보존)할 수가 있다. 더구나, 인터포저 기판의 기재 및 안테나 회로기판의 기재는 수지필름으로 구성하면 좋다.
한편, 본 발명의 비접촉 ID 카드의 제조방법은 IC 칩이 매설된 인터포저 기판의 기재에 상기 IC 칩의 전극과 접속되는 확대전극을 형성하는 전극형성 공정과, 안테나 회로기판의 기재에 형성되어 있는 안테나의 전극과 상기 확대전극을 접합하도록 양 기판을 적층하는 기판적층 공정을 가지고 있음을 특징으로 하는 것이다.
이와 같이 IC 칩이 매설된 인터포저 기판의 기재에 확대전극을 형성하여, 이 확대전극과 안테나 전극을 접합하도록 양 기판을 적층하기 때문에, IC 칩의 소형미세화에 좌우되지 않고 간단히 양 기판끼리의 위치맞춤을 행할 수가 있어서, 비접촉 ID 카드류의 제조코스트(주로 실장코스트)의 증가를 저지할 수가 있다.
양 기재 간에 절연성 접척제를 개재시키는 경우는, 전극형성 공정을 거친 인터포저 기판에, IC 칩의 전극형성부를 피복하도록 절연성 접착재를 부착하는 접착재부착 공정을 거치고 나서 양 기판을 적층하면 좋다. 또, 확대전극은 스크린 인쇄법에 의해서 간단히 성형할 수가 있다.
도 1은 본 발명에 관계되는 비접촉 ID 카드의 기판 적층 양태를 보이는 정면도이다.
도 2는 도 1의 평면도이다.
도 3은 인터포저 기판의 정면도이다.
도 4는 도 3의 평면도이다.
도 5는 IC 회로를 형성한 웨이퍼를 보이는 그림이다.
도 6은 웨이퍼의 다이싱 컷 양태를 보이는 그림이다.
도 7은 인터포저 기판을 제조하기 위한 원재(原材)를 보이는 그림으로, (A)는 평면도, (B)는 정면도이다.
도 8은 칩 매설용 구멍에 IC 칩을 삽입하는 양태를 보이는 그림이다.
도 9는 인터포저 기판의 요부의 확대도이다.
도 10은 본 발명에 관계되는 비접촉 ID 카드의 다른 기판 적층 양태를 보이는 정면도이다.
도 11은 인터포저 기판의 다른 예를 보이는 그림이다.
도 12는 인터포저 기판의 더 다른 예를 보이는 그림이다.
도 13은 적층된 안테나 회로기판과 인터포저 기판을 압착하는 양태를 보이는 그림이다.
도 14는 비접촉 ID 카드 제조장치의 구성을 보이는 그림이다.
도 15는 도 14의 Z-Z 화살표 방향으로 본 그림이다.
도 16은 종래의 비접촉 ID 카드의 접합양태를 보이는 그림이다.
도 17은 도 16의 안테나 형성부의 평면도이다.
이하, 본 발명을 첨부의 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
본 발명에 있어서는, 안테나 회로기판과 인터포저 기판을 적층하여 비접촉 카드를 형성하고 있다. 이 모습이 정면도인 도 1에 나타내어 있는 동시에 그의 평면 모습이 도 2에 나타내어 있다. 양 그림에 있어서, 하측의 안테나 회로기판 (2)과 상측의 인터포저 기판(7)은 도전성 접착제(8)를 사이에 하여 도통상태로 접합되어 있다.
그리고, 안테나 회로기판(2)은 수지필름으로 구성된 기재(基材)(9)에 안테나(6) 및 이에 접속된 한 쌍의 안테나 전극(3a, 3b)(도 17 참조)을 형성하고 있다. 한편, 인터포저 기판(7)은 수지필름으로 형성된 기재(10)에 IC 칩(4)을 매설하고, 또, 이 IC 칩(4)의 한쌍의 전극에 접속된 확대전극(11a, 11b)을 형성하고 있다.
또한, 인터포저 기판(7)의 확대 모양이 도 3, 4에 나타내어 있는데, 양 그림에 있어서, IC 칩(4)의 한쌍의 전극(12a, 12b)은 예를 들어, 알루미늄 전극으로서, 이것이 확대전극(11a, 11b)의 가는 리드 부(11a1, 11b1)에 접속되어 있다. 이와 같이, 인터포저 기판(7)은 IC 칩(4)을 매설한 기재(10)에, IC 칩(4)의 전극(12a, 12b)과 접속된 확대전극(11a, 11b)을 형성하고 있다.
그렇기 때문에, 안테나 회로기판(2)에 대하여 인터포저 기판(7)을 도통상태로 적층하고자 하는 경우에 있어서, 안테나 전극(3a, 3b)에 대한 확대전극(11a, 11b)의 위치맞춤을 간단히 행할 수가 있다. 그리고, 이 사실에 기초하여, 작업자가 적당한 기구를 이용하여 인터포저 기판(7)을 유지하여 적층하거나, 또는 작업자가 손으로 직접, 인터포저 기판(7)을 쥐어 적층하는 것 처럼 비접촉 ID 카드의 조립을 수작업으로 행하는 것도 가능하다. 따라서, IC 칩이 소형미세화되어도, 제조코스트(주로 실장코스트)의 증가저지를 도모할 수가 있다.
또한, 안테나 회로기판(2)과 인터포저 기판(7)을 도통 상태로 접합하기 위한 도전성 접착재(8)는 접착성 또는 첩착성을 가지는 것으로서 페이스트상(狀) 또는 테이프상의 어느 것이어도 좋으며, 또 이방성 또는 등방성의 어느 것이어도 좋다. 점착성을 가지는 것을 이용함에 의해, 안테나 회로기판(2)에 적층(실장)되어 있는 인터포저 기판(7)을 필요에 따라서 간단히 떼어낼 수가 있다.
상술한 접착재(8)는 양 기판의 적층에 앞서, 미리 안테나 회로기판(2)의 안테나 전극(3a, 3b)이나 또는 인터포저 기판(7)의 확대전극(11a, 11b)에 도포(塗布) 또는 첩착된다.
또, 도전성 접착재(8)의 도포 또는 첩착과 함께, 안테나 회로기판(2)의 안테나 형성부 및 IC 칩(4)의 전극 형성부를 봉하도록, 안테나 회로기판(2)의 기재(9)와 인터포저 가판(7)의 기재(10) 간의 봉지(封止)부(13)(도 1 참조)에 절연성 접착재(14)를 충전하는 것이 바람직하여, 단락방지와 함께 인터포저 기판 (7)과 안테나 회로기판(2)의 접합 강화를 도모할 수 있어서, 확대전극 (11a, 11b)과 안테나 전극(3a, 3b)의 전기적 접합상태를 양호히(도통상태에) 보존할 수가 있다.
이 절연성 접착재(14)도, 도전성 접착재(8)와 마찬가지로, 접착성 또는 첩착성을 가지는 것으로 페이스트상 또는 테이프상의 어느 것이어도 좋다.
또, 확대전극(11a, 11b) 및 안테나(6)는 코스트 저감을 도모하는 면에서는 인쇄방법, 예를 들어, 스크린 인쇄법에 의해 형성하는 것이 바람직하다. 그러나, 필요에 따라서 다른 인쇄방법, 예를 들어, 오프셋 인쇄 등으로 형성하여도 좋고, 또한, 인쇄방법 이외의 방법, 예를 들어, 스퍼터링 법 등이어도 좋다.
도전성 접착재(8) 및 절연성 접착재(14)는 일반적으로, 열경화성의 것이 이용되나, 다른 것, 예를 들어, 상온(常溫) 경화 형의 것 등을 이용하여도 좋으며, 전자를 이용하는 경우에 있어서는, 제조의 소정공정에서 가열 고정된다.
IC 칩(4)의 전극(12a, 12b)은 확대전극(11a, 11b)과의 접속을 확실한 것으로 할 수가 있는 언더 배리어 메탈 층(이하, UBM 층이라 한다)을 형성하고 있는 것이 바람직하다.
상기의 IC 칩(4)은 다음과 같이 하여 제조할 수가 있다. 도 5에 있어서, 우선, 상면에 비접촉 ID 카드 용의 IC 회로를 형성한 웨이퍼(15)를 준비하고, 그 회로의 전극(12a, 12b)(예를 들어, 알루미늄 전극)이 노출하도록 유리 패시베이션 막(22)(산화막)을 약산성액으로 선택적으로 에칭 제거한다.
다음에, 활성화 처리를 한 후, 예를 들어, 90℃의 무 전해(無 電解) 니켈조(槽)에 20분간 담그어 알루미늄 전극(12a, 12b)상에 만 약 3㎛의 니켈 도금층(17)을 형성한 후, 90℃의 무전해(無電解) 금 도금조(槽)에 10분간 담그어, 니켈 도금층(17)상에 약 0.1㎛의 금 도금층(18)을 형성한다.
이와 같이 하여 형성된 니켈 도금층(17) 및 금 도금층(18)은, 알루미늄 전극(12a, 12b)의 열화를 방지하고, 또, 알루미늄 전극(12a, 12b)과 외부단자의 접속을 확실한 것으로 한다. 이것이 UBM 층(19)이다.
따라서, 스크린 인쇄기를 이용하여, 솔더 레지스트(20)를 알루미늄 전극(12a, 12b)의 부분을 제외한 웨이퍼(15)의 상면 전체에 인쇄한 다음, 오븐을 이용하여 가열하여 경화시켜, 예를 들어, 두께 20㎛의 절연층을 형성한다. 또한, 솔더 레지스트의 대신에 가열경화형의 폴리이미드 잉크 등도 유효하다.
다음에, 스크린 인쇄기를 이용하여, 알루미늄 전극(12a, 12b)의 개구부(솔더 레지스트 (20)가 인쇄되지 있지 않은 부분)에 은 분자를 분산시킨 도전성 페이스트(21)를 인쇄하여 충전하고, 그것을 가열경화한다.
다음에, 이와 같은 웨이퍼(15)의 하면(23)(비접촉 ID 카드의 IC 회로가 형성되어 있지 않은 편의 면)을 연마하여, 그의 두께를 예를 들어, 50㎛에 가공한 후, 도 6에 보이는 바와 같이, 웨이퍼(15)의 상면(비접촉 ID 카드 용의 IC 회로가 형성되어 있는 편의 면)을 서포트 필름(24)에 첩착하며, 그리고, 다이어먼드 블레이드(25)를 회전시키어 웨이퍼(15)를 소정의 크기(1.6mm×2.0mm)에 다이싱 컷하여 얻어지는 IC 칩(4)을 서포트 필름(24)으로부터 떼어 내어, 그것을 니켈 전주법(電鑄法)으로 작성한 팰럿 내에 정렬하게 하면 좋다.
IC 칩(4)의 제조는 상술한 방법과 다른 방법으로 행하여도 좋으나, 이들의 방법에 따라서, 예를 들어, 크기가 1.2mm×1.6mm로, 그의 대각위치에 한변이 100㎛의 정방형의 알루미늄 전극(12a, 12b)을 형성한 장방형의 IC 칩(4)을 얻을 수가 있다. 또한, 다이어몬드 블레이드(25)의 선단을 V자형을 마련하여, 이것으로 웨이퍼(15)를 다이싱 컷함에 의해서 테이퍼상의 측벽을 가지는 IC 칩(4)을 얻어도 좋다.
인터포저 기판(7)에 대하여도, 예를 들어, 다음과 같이 하여 제조할 수가 있다. 우선, 평면도인 도 7(A)에 나타내 있는 폭이 넓은, 즉, 웨브상(狀)의 수지필름(예를 들어, 두께가 100㎛의 폴리에스테르계 알로이 필름)으로 구성된 원재(原材) (30)를 준비하고, 여기에 복수의 칩 매설 용 구멍(31)을 소정패턴에 가공한다.
예를 들면, IC 칩(4)과 상사(相似)형인 돌기를 복수 개 형성한 니켈제의 금형을 240℃에 가열하고, 그것을 수지필름에 밀어내어, 10초간 프레스 후, 금형을 급속 냉각하여, 80℃까지 냉각 후, 금형을 빼내어, 구멍 피치가 종횡 10mm, 개구부가 1.2mm ×1.6mm, 깊이가 50㎛의 칩 매설 용 구멍(31)을 가공할 수가 있다(도 7(B)참조).
더구나, 칩 매설용 구멍(31)의 가공방법은 레이저 어브레이션 법, 플라즈마 에칭 법, 케미컬 에칭 법 등이어도 좋다. 그러나, 상기 프레스 법이 생산성이 가장 뛰어나므로 바람직하다.
이러한 원재(30)는 상기의 비 적층 타입의 것에 한정되지 않고, 적층 타입의 것이어도 좋다. 예를 들면, 수지필름으로 구성된 제 1 원재와, 수지필름 또는 금속박으로 구성된 제 2 원재를 적층한 2층구조의 원재이어도 좋다. 2층구조의 원재의 경우에 있어서는, 구멍 가공의 용이성으로 인해, 칩 매설 용 구멍(31)을 관통시킨 제 1 원재를 제 2 원재에 래미네이트하는 것이 바람직하다.
다음에, 원재(30)의 매설 용 구멍(31)에 IC 칩(4)을 삽입하여 고정한다. 이때, 예를 들어, 도 8에 보이는 바와 같이, 저점도의 에폭시계의 수지(32)를 칩 매설 용 구멍(31)의 밑에 전사(轉寫) 핀을 이용하여 극미소량 전사하고나서 IC 칩(4)을 삽입하는 것이 바람직하다.
IC 칩(4)은 알루미늄 전극(12a, 12b)이 마련되어 있지 않은 편의 단부로부터 칩 매설 용 구멍(31)에 삽입하며, 또 삽입된 IC 칩(4)을 수지(32)로 가(假)고정한다. 그런 다음, IC 칩((4)의 측면과 칩 매설용 구멍(31)의 측면 간의 공극(空隙)에 접착재를 충전하여 고착한다.
그러나, 칩 매설용 구멍(31)의 밑 및 측벽에 접착재를 도포하고나서 IC 칩(4)를 삽입하여도 좋다. 또, 칩 매설용 구멍(31)의 밑에 브리드 구멍을 관통시키어 접착제를 열경화시키는 때의 에어 도피를 행하는 것이 바람직하다.
이와 같이 하여 알루미늄 전극(12a, 12b)만을 노출시킨 모양이 되게 IC 칩(4)을 원재(30)에 매설할 수가 있다. 이 매설에 있어서, IC 칩(4)의 이송은, 예를 들어, 외측 직경이 1.5mm로 중앙부에 0.5mm의 흡기 공을 가지는 노즐(도시하지 않음)을 이용하여, 그것으로 IC 칩(4)을 정렬 팰릿으로부터 흡착하여 꺼내어, 원재(30)의 칩 매설용 구멍(31)에 삽입하도록 하면 좋다.
또, 전술한 바와 같이 테이퍼 상의 측벽을 가지는 IC 칩(4)을 얻은 경우는 IC 칩(4)의 칩 매설용 구멍(31)에의 삽입을 훨씬 간략화할 수가 있다. 즉, IC 칩(4)은 표면이 절연 층으로 보호되어 있어서, 일반의 전자부품과 마찬가지로 벌크로 하여 다루는 것이 가능하다. 그래서, 측면이 테이퍼 상의 칩 매설용 구멍이 다수 형성된 원재(30) 상에 IC 칩(4)을 공급하고, 원재(30)를 초음파 진동시키어 칩 매설용 구멍(31)에 IC 칩(4)을 삽입할 수가 있다. 이 경우, 측벽을 테이퍼상에 하는 것으로, IC 칩(4)의 매설을 원활히 행할 수가 있으므로, 인터포저 기판(7)의 생산성을 각별히 향상시킬 수가 있다.
다음에, IC 칩(4)의 알루미늄 전극(12a, 12b)에 접속되는 확대전극(11a, 11b)을 형성한다. 이는, 원재(30)에 매설된 IC 칩(4)의 알루미늄 전극(12a, 12b)이 노출되어 있는 면에, 예를 들면, 은 입자가 약 70% 분산하게 된 도전 페이스트를 스크린 인쇄기를 이용하여 인쇄함에 의해서 형성한다. 이 도전(導電) 페이스트는, 상기의 도전 페이스트(21)(도 5 참조)와 같은 것이다.
예컨대, 두께가 약 15㎛, 리드부(11a, 11b)의 폭이 2mm, 확대부분의 크기가 3mm 각, 일방의 확대부분과 타방의 확대부분의 피치가 8mm의 확대전극(11a, 11b)을 형성할 수가 있다.
다음에, 확대전극(11a, 11b)이 형성된 원재(30)로부터 소정의 크기에 뚫어 구멍냄에 의해서 인터포저 기판(7)을 얻을 수가 있다. 예컨대, 10mm 각의 크기에 뚫어 구멍낸다. 이와 같이 하여 얻은 인터포저 기판(7)의 일부를 도 9에 확대하여 나타내 있다. 또한, 상술한 것으로 이해 분명한 바와 같이, 인터포저 기판(7)의 기재(10)는 원재(30)와 같은 질이다.
한편, 안테나 회로기판(2)은 다음과 같이 하여 제조할 수가 있다. 일반적으로, 상기의 원재(30)와 같은 재질의 원재(예를 들어, 두께가 100㎛의 폴리에스테르계 알로이 필름)를 선택한다. 이러한 원재는 칩 매설용 구멍(31)을 마련하고 있지 않은 동시에 그의 폭이 소정의 크기에 가공되어 있다.
이와 같은 원재를 릴 투 릴 방식(reel-to-reel method)에 의해서 간헐 이송함과 동시에 그에 은 페이스트를 스크린 인쇄하여, 안테나 회로(안테나 6 및 안테나 전극 3a, 3b)를 일정 간격으로 계속하여 형성한다.
그리하여, 후공정에 있어서 소정크기로 뚫어 구멍을 형성하여, 즉, 기재(9)단위 크기에 뚫어 구멍내 제조할 수가 있다. 또한, 기재(9)단위의 크기로 뚫어 구멍 내는 공정은 안테나(6) 및 안테나 전극(3a, 3b)이 형성된 원재에 대하여 확대전극(11a, 11b)이 형성된 인터포저 기판(7)을 실장(접합)한 후에 있어서 행하여도 좋다.
이와 같이 하여, 예를 들어, 배선폭이 0.25mm, 그 피치가 0.5mm, 턴 수가 6턴, 최외주가 75mm×45mm의 안테나(6)를 형성하는 동시에, 안테나(6)의 양 단에 크기가 3mm 각, 피치가 8mm의 안테나 전극(3a, 3b)을 형성(도 17 참조)할 수가 있다.
안테나 회로기판(2)의 기재(9)는 상술한 비 적층 타입의 것에 한정되지 않고, 적층 타입의 것이어도 좋다. 예컨대, 수지필름으로 구성된 제 1 원재와, 수지필름 또는 금속박(예를 들어, 알루미늄 박)으로 구성된 제 2 원재를 적층한 2층구조의 것이어도 좋다.
이하, 얻어진 안테나 회로기판(2)에 인터포저 기판(7)을 적층한다. 그때, 인터포저 기판(7)에 확대전극(11a, 11b)이 형성되어 있으므로, 수작업에 의해, 안테나 회로기판(2)의 안테나 전극(3a, 3b)상에 확대전극(11a,11b)을 용이하게 위치시키면서 양 기판을 쌓아 겹칠 수가 있다.
이러한 적층에 앞서, 예컨대, 안테나 전극(3a, 3b)에 도전성 접착재(8)를 도포하는 동시에 봉지부(13)(도 1 참조)에 절연성 접착재(14)를 충전하여 놓는다. 그리하여, 적층 후, 도전성 접착재(8) 및 절연성 접착재(14)를 가열경화, 예컨대, 90℃에서 5분간, 가열하여 경화시키어 양자를 고정(접합)한다.
상술의 수작업에 의한 적층은, 적층정도(精度)가 ±1.0mm로부터 ±1.5mm의 범위에 행하면 좋으며, 이와 같이 하여 비접촉 ID 카드를 얻을 수가 있다. 이 비접촉 ID 카드는 소위, 인레트(inlet)로서, 이것을 적당히 외장 하여 시판제품으로 한다.
본 발명에 있어서는, 안테나 회로기판(2)에 대한 인터포저 기판(7)의 적층을 도 10에 보이는 것처럼 행하여도 좋다. 이 그림에 있어서는, 안테나 회로기판 (2)에 대하여 인터포저 기판(7)을 접착시키려 하는 모습을 나타내 있으며, 인터포저 기판(7)의 기재(10)에 절연성 접착재(14) 및 비절연성의 접착재(35a, 35b)가 착되어 있다.
게다가, 절연성 접착재 (14)는, 절연성 접착 테이프로 구성되어 있는 동시에, 접착재 (35a, 35b)는 감압(感壓) 접착 테이프로 구성되어 있다. 이들의 절연성 접착 테이프 및 감압 접착 테이프는 어느 것이나 양면 테이프이다.
그러므로, 안테나 회로기판(2)의 기재(9)에 대하여 인터포저 기판(7)을 꽉 누름에 의해서 양 기재끼리를 간단히 접착할 수가 있고, 또, 안테나 회로기판(2)의 안테나 전극(3a, 3b)과 인터포저 기판(7)의 확대전극(11a, 11b)을 직접, 접촉시키어 도통상태에 접합할 수가 있다.
상기에 있어서는, 절연성 접착재 (14) 및 접착재 (35a, 35b)를 인터포저 기판(7) 측에 첩착하고 있으나, 절연성 접착재 (14)를 인터포저 기판(7) 측에 첩착하는 동시에, 접착재 (35a, 35b)를 안테나 회로기판(2) 측에 첩착하여도 좋다.
또, 절연성 접착재 (14)를 안테나 회로기판(2) 측에 첩착하는 동시에, 접착재 (35a, 35b)를 안테나 회로기판(2) 측에 첩착하여도 좋다. 그러나, 양자를 인터포저 기판(7) 측에 첩착하는 것이 간단한 동작에 의해서 적층하므로 가장 바람직 하다.
게다가, 절연성 접착재 (14) 및 접착재 (35a, 35b)는 페이스트 상의 것이어도 좋으나, 그 것을 도포하기 보다 테이프상의 것을 첩착하는 편이 용이하므로, 이를 선택하는 것이 바람직하다.
또, 접착재 (35a, 35b)는 일반적으로 감압형의 것이 사용되나, 열경화성의 것이나 기타의 것, 예를 들어, 상온경화형의 것 등을 사용하여도 좋으며, 열경화형의 것을 사용하는 경우에 있어서는, 제조의 소정공정에서 가열 고정된다. 또한, 필요하면, 안테나 전극(6) 또는 확대전극(11a, 11b)에 도전성 접착재(8)를 도포 또는 첩착하여도 좋다.
본 발명에 관계되는 인터포저 기판(7)은 상술한 도 9에 나타내 있는 것에 한정되지 않고, 다른 형태에 마련되어 있는 것이어도 좋다.
예를 들어, 도 11에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(15)의 전극이외의 부분에 코트되어 있는 유리 패시베이션 막(glass passivation film)(22)을 웨이퍼 표면의 절연층으로하여 그대로 이용하여, 이 유리 패시베이션 막(22)을 절연층으로 하는 IC 칩(4)이 매설된 인터포저 기판(7)의 기재(10)상에 확대전극(11a, 11b)이 형성되어 있는 것이어도 좋다.
또, 도 12에 나타내는 바와 같이, 유리 패시베이션 막(22)을 절연층으로 하는 IC 칩(4)이 매설된 인터포저 기판(7)의 기재(10)상에 전극(12a, 12b) 부분만을 개구시키게 감광성 에폭시 수지층(36)이 형성되어 있는 동시에 그 감광성 에폭시 수지층(36)상에 확대전극(11a, 11b)이 형성되어 있는 것이어도 좋다. 게다가, 상술의 감광성 에폭시 수지층(36)에 대신하여 솔더 레지스트(20)를 형성한 것이어도 좋다.
이런 감광성 에폭시 수지층(36) 또는 그에 대신하여서의 솔더 레지스트(solder resist)(20)는 원재(30)의 칩 매설 용 구멍(31)에 IC 칩(4)을 삽입하여 고착한 후, 예를 들어, 스크린 인쇄기를 이용하여 소정두께에 인쇄하여 형성하면 좋으며, 그리고, 계속하여, 그와 같이 하여 형성된 감광성 에폭시 수지층(36) 또는 솔더 레지스트(20)상에 확대전극(11a, 11b)을 형성한 후, 원재(30)를 기재(10) 단위의 크기로 구멍을 형성함으로써 도 12에 나타내는 구조의 인터포저 기판(7)을 제조할 수가 있다.
게다가, 도 9 및 도 12의 인터포저 기판(7)은 솔더 레지스트(20) 또는 에폭시 수지층(36)으로 IC 칩(4)을 보호하고 있기 때문에, 그들을 형성하고 있지 않는 도 11의 인터포저 기판(7)에 비하여 열적 영향에 대해 강한 동시에 취급이 용이하다.
또, 도 9의 인터포저 기판(7)과 도 12의 그 것과의 대비에 있어서는, 전자는, 기재(10)의 상면(확대전극(11a)이 형성되는 편의 면)과 솔더 레지스트(20)의 상면에 단차가 생기기 쉬운에 대하여, 후자는, 그것이 생기지 않기 때문에, 거기에 확대전극(11a, 11b)을 형성하는 데 후자의 편이 유리하다.
이런 확대전극(11a, 11b)의 형성도, 상술의 스크린 인쇄법에 의한 형성에 한정되지 않고 다른 방법으로 형성하여도 좋다. 예를 들어, 원재(30)에 매설한 IC 칩(4)의 알루미늄 전극(12a, 12b)이 노출되어 있는 면의 전체(전면)에 알루미늄 스퍼터링에 의해 금속막을 형성한 다음, 금속막의 전면에 레지스트를 도포하여 건조 후, 노광·현상에 의해서 레지스트 패턴 마스크를 형성하며, 계속하여, 알루미늄 에칭액을 사용하여 마스크 개구부의 알루미늄을 제거함에 의해서 확대전극(11a, 11b)을 형성할 수가 있다.
또, 확대전극(11a, 11b) 및 안테나 전극(3a, 3b)은, 필요에 따라서 다른 재질이어도 좋으며, 그의 형상, 크기, 두께 등은 적절히 결정된다.
또, IC 칩(4)의 제조방법도, 다른 방법이어도 좋다. 예를 들어, 상면에 비접촉 ID 카드용의 IC 회로를 형성한 상기의 웨이퍼(15)를 이용하고, 연마하여 소정두께(예컨대, 50㎛)로 하여, 포토레지스트를 도포하여 건조한 후, 포토마스크를 이용하여 알루미늄 전극(12a, 12b)부분 만을 노광·현상하고, 그곳의 포토레지스트를 제거하여 알루미늄 전극(12a, 12b)만을 노출시킨다.
다음에, 웨이퍼(15)를 플라즈마 처리하여, 알루미늄 전극(12)의 표면의 산화막을 제거한 후, 스퍼터링에 의해서, 소정 두께(예를 들어, 0.5㎛)의 티탄 텅스텐 층을 형성하는 동시에, 이러한 티탄 텅스텐 층 상에 소정두께(예를 들어, 0.05㎛)의 금층을 형성하며, 최후에 포토레지스트를 박리한다. 이 티탄 텅스텐 층 및 금 층이 UBM층(19)이다.
이하, 다이아몬드 블레이드(25)를 회전시키어 웨이퍼(15)를 소정의 크기에 다이싱 컷하여 얻는 IC 칩(4)을 서포트 필름(24)로부터 떼어내면 된다.
또, 안테나 회로기판(2)과 인터포저 기판(7)의 적층은 일반적으로, 하측의 안테나 회로기판(2)에 대하여 상측으로부터 인터포저 기판(7)을 적층하나, 상측의 안테나 회로기판(2)에 대하여 하측으로부터 인터포저 기판(7)을 접합시키어도 좋다.
이때, 안테나 회로기판(2)에 대한 인터포저 기판(7)의 위치결정 용의 수단으로서, 예를 들어, L자형의 마크를 안테나 회로가판(2)상에 마련허거나, 또는 가이드 핀을 마련하거나 함에 의해서 적층 또는 접합 정도의 일정화를 도모할 수가 있다.
또, 적층한 양 기판(2, 7)을 도 13에 나타내는 바와 같이, 상하 한쌍의 코킹 툴(calking tool)(36a, 36b)로 압착하여 접합강화를 도모하여도 좋다. 안테나 회로기판(2)에 대한 인터포저 기판(7)의 첩부위치에 상온 순간 경화 타입의 절연성 접착제를 도포하여, 거기에 인터포저 기판(7)을 첩부 한 후, 코킹 툴(36a, 36b)을 이용하여 전극끼리를 압착함에 의해, 비접촉 ID 카드를 조립할 수가 있다. 예를 들어, 화물 등의 장표(帳票)에 미리 안테나 회로를 형성하여 놓으면, 필요에 따라 인터포저 기판을 첩부할 수가 있다. 안테나 회로를 형성하는 안테나 회로기판의 치수 및 재질은 임의로 선택하는 것이 가능하다. 또, 테이프상의 인터포저 기판을 릴에 감아, 필요에 따라서 바코드 용 태그와 마찬가지로 차례로 끌어 내 절단하여, 이것을 안테나 회로기판에 첩부하게 하여도 좋다.
본 발명에 있어서는, 상술한 바와 같이, 확대전극(11a, 11b)을 사이에 하여 IC 칩(4)의 전극(12a, 12b)과 안테나(6)의 전극(3a, 3b)을 접합하도록 양 기판을 적층하고 있으므로, IC 칩의 소형미세화에 좌우되지 않고 긴단히 양 전극끼리의 위치맞춤을 행할 수가 있어서, 비접촉 ID 카드나 비접촉 태그 등과 같은 비접촉 ID 카드를 수작업으로 제조하는 것도 가능하지만, 도 14에 보이는 장치를 이용하여 제조할 수도 있다.
이 제조장치는, 안테나 회로기판 용 원재 권출기(40), 안테나 회로 인쇄기(41), 오븐(42), 인터포저 기판 용 원재 권출기(interposer board raw material let-off gear)(43), 프레스 컷 장치(44), 남음 원재 권취기(remaining raw material winder)(45), 인터포저 기판 가첩착기(interposer board tempoary affixer)(46), 인터포저 기판 이송장치(47), 인터포저 기판 본첩착기(48), 건조기(49), 제품 권취기(50)을 구비하고 있다.
이 제조장치에서는, 안테나 회로기판 용 원재 권출기(40)로부터 송출되는 원재(37)에, 안테나 회로 인쇄기(41)로 안테나 회로(안테나 6 및 전극 3a, 3b)를 인쇄한 다음, 오븐(42)으로 가열하여 안테나 회로를 고정한다. 그와 병행하여, 인터포저 기판 용 원재 권출기(43)로부터 송출되는 원재(30)를 프레스 컷 장치(44)로 파내 소정크기의 인터포저 기판(7)을 얻는 동시에, 이터포저 기판(7)을 파낸 후의 남음 원재(30)가 남음 원재 권취기(45)로 감긴다.
원재(30)로부터 파낸 인터포저 기판(7)은 인터포저 기판 이송장치(47)에 의해 유지되어 접착 개소(적층 위치)에 이송, 즉, 원재(37)의 상면에 형성되어 있는 안테나 회로의 상방에 이송된다. 그때, 인터포저 기판(7)에 확대전극(11a, 11b)이 형성되어 있기 때문에, 원재(37)에 형성의 안테나 회로에 대한 위치맞춤을 용이히게 행할 수가 있다.
더구나, 인터포저 기판 용 원재 권출기(43)로부터 송출되는 원재(30)는, IC 칩(4)을 매설하며, 또 확대전극(11a, 11b)을 형성하는 동시에, 절연성 접착재 (14) 및 접착재 (35a, 35b)를 첩착(도 10 참조)하고, 또한 접착면을 보호테이프 (51)로 보호한 것이지만, 이는, 미리 앞 공정에서 릴에 감기어 인터포저 기판 용 원재 권출기(40)에 세트된다. 또, 원재(30)의 송출에 즈음하여, 보호테이프(51)가 감기어 원재(30)로부터 박리된다. 이에 의해서, 절연성 접착재 (14) 및 접착재 (35a, 35b)의 접착면(도 10에 있어서 하면측)이 노출된다.
도 15에 있어서 인터포저 기판(7)의 이송 양태를 나타내고 있는데, 이 그림에 있어서, 인터포저 기판 이송장치(47)는, 기대(機臺)(47a)에 고착되어 있는 레일(47b)로 안내되어 도시의 화살표방향에 이동할 수 있는 척이 달린 슬라이더(47c)와, 원재(30)으로부터 파낸 인터포저 기판(7)을 흡착기(47d)로 흡착 유지하여 그것을 슬라이더(47c)에 건네는 흡착밴드(47e)를 구비하고 있다.
때문에, 척이 달린 슬라이더(47c)가 인터포저 기판(7)을 척으로 쥐어 우측의 쇄선으로 나타내 있는 개소에 이동하면, 그의 상방에 이동되고 있는 인터포저 기판 가첩착기(46)의 흡착헤드(46a)가 하방에 이동하여 인터포저 기판(7)을 흡착 유지한 다음, 상방에 이동한 후, 다시 우측의 원재(37)의 상방에 이동한다. 이와 같이 하여 원재(37)의 상면에 형성되어 있는 안테나 회로의 상방에 인터포저 기판(7)을 이송할 수가 있어서, 흡착헤드(46a)를 하방에 이동함에 의해서 가붙임(가접합)할 수가 있다.
게다가, 프레스 컷 장치(44)는, 고정측의 아래 금형(44a)과 가동측의 위금형 (44b)으로 원재(30)로부터 인터포저 기판(7)을 파낼 수 있으며, 또 파냄을 마치면 위 금형(44b)이 상방에 이동된다. 그러면, 흡착밴드(47e)의 축암(47f)이 회전하여 흡착기(47d)가 아래 금형(44a)의 상방으로 이동한 다음, 축암(47f)이 하방으로 이동된다.
상기에 있어서, 흡착기(47d) 및 흡착헤드(46a)는 도 10에 보이는 기재(10)의 상면(접착재 35a, 35b 및 절연성 접착재 14가 도포 또는 첩착되어 있지 않는 편의 면)에 접촉되어 흡착 유지하며, 또, 척이 달린 슬라이더(47c)의 상기 척은 기재(10)의 좌우단(도 10에 있어서 접착재(35a, 35b)가 도포 또는 첩착되어 있지 않는 좌우단)을 잡는다.
게다가, 원재(30)는, 인터포저 기판(7)의 파냄 중 및 이송 중에는 이송정지되며, 그것을 마치면 이송개시된다. 이와 같이 원재 (30)은 간헐 이송된다. 한편, 원재 (37)은 소정속도로 연속 이송된다. 또, 아래 금형(44a)의 철부 및 위금형(44b)의 요부는, 접착재 (35a, 35b) 및 절연성 접착재 (14)가 부착하기 어려운 재료로 구성되어 있다.
다음에, 원재(37)에 대한 접착 개소의 상방으로 이송된 인터포저 기판(7)이 인터포저 기판 가첩착기(46)에 의해서 가붙임(가접합), 즉, 절연성 접착재 (14) 및 접착재 (35a, 35b)를 사이에 하여 가 붙임을 한 다음, 인터포저 기판 본첩착기 (48)의 곳으로 이송되어 여기에서 압착 등에 의해 본첩부(본접합)되며, 또한 건조기(49)로 절연성 접착재 (14) 및 접착재 (35a, 35b)가 열경화된 후, 제품 권취기 (50)로 감긴다.
게다가, 제조속도를 높이기 위해, 프레스 컷 장치(44), 인터포저 기판 이재장치(47), 인터포저 기판 가첩착기(46) 및 인터포저 기판 본첩착기(48)는 복수 헤드형으로 구성되어 있다.
상술한 일련의 제조라인에 의하면, 정도 높은 본더 등이 필요 없어, 값싸게 고속으로 비접촉 ID 카드를 제조할 수가 있다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, IC 칩을 매설하고, 또 IC 칩의 전극에 접속된 확대전극을 형성한 인터포저 기판을 사용하기 위하여, 안테나 회로기판에 대하여 인터포저 기판을 도통상태에 적층하고자 하는 경우에 있어서, 안테나 회로기판의 안테나 전극에 대한 확대전극의 위치맞춤을 간단히 행할 수가 있으므로, IC 칩이 소형미세화되어도, 비접촉 ID 카드의 제조 코스트(주로 실장코스트)의 증가저지를 도모할 수가 있다,
또, 안테나 회로기판과 인터포저 기판 간의 봉지부에 절연성 접착재를 충전하여 양 기판의 접합을 강화하여, IC 칩의 전극에 언더 배리어 메탈 층(UBM 층)을 형성함애 의해, 안테나 회로기판과 인터포저 기판의 적층구조이어도, 소정개소의 절연과 더불어 IC 칩의 전극과 안테나 회로기판의 안테나 전극의 전기적 접합상태를 양호하게 보존(도통상태에 보존)할 수가 있다.

Claims (16)

  1. 안테나 회로기재와 그 안테나 회로기재에 형성된 안테나를 구비한 안테나 회로기판과, 칩 매설용 구멍을 가지는 인터포저 기재와 그 칩 매설용 구멍에 매설된 IC 칩과 상기 인터포저 기재상에 형성되어서, 상기 IC 칩의 전극에 접속된 제 1 단자 영역 및 이 제 1 단자 영역에 일체로 접속된 제 2 단자 영역으로 이루어진 확대전극을 구비한 인터포저로 구성되고, 상기 안테나의 전극과 상기 확대전극의 제 2 단자 영역을 접합하도록 양 기판이 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 비접촉 ID 카드.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 안테나 전극과 상기 확대전극이 도전성 접착재로 접합되어 있는 것을 특징으로 하는 비접촉 ID 카드.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 안테나 회로기판의 기재와 상기 인터포저 기판의 기재의 접착에 의해서 상기 안테나 전극과 상기 확대전극이 직접, 접합되어 있는 것을 특징으로 하는 비접촉 ID 카드.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 안테나 회로기판의 안테나 형성부 및 상기 IC 칩의 전극 형성부를 봉하도록, 상기 안테나 회로기판의 기재와 상기 인터포저 기판의 기재 간에 절연성 접착재가 배설되어 있는 것을 특징으로 하는 비접촉 ID 카드.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 IC 칩의 전극이 언더 배리어 메탈 층을 형성하고 있음을 특징으로 하는 비접촉 ID 카드.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 인터포저 기판의 기재 및 상기 안테나 화로기판의 기재가 수지필름으로 구성돼 있음을 특징으로 하는 비접촉 ID 카드.
  7. 안테나 회로기재 상에 안테나를 형성하여, 상기 안테나 회로기재와 상기 안테나를 구비한 안테나 회로기판을 얻는 공정과, 인터포저 기재에 칩 매설용 구멍을 형성하는 공정과, 상기 인터포저 기재 칩 매설용 구멍에 IC 칩을 매설하는 공정과, 상기 인터포저 기재상에 상기 IC 칩의 전극에 접속된 제 1 단자영역 및 이 제 1 단자 영역에 일체적으로 접속된 제 2 단자 영역으로 이루어진 확대전극을 형성하여, 상기 인터포저 기재와 상기 IC 칩과 상기 확대 전극을 구비한 인터포저 기판을 얻는 공정과, 상기 안테나의 전극과 상기 확대전극의 제 2 단자 영역을 접합하도록 상기 인터포저 기판과 안테나 회로기판을 적층하는 공정을 가지고 있음을 특징으로 하는 비접촉 ID 카드의 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 안테나 전극과 상기 확대전극을 도전성 접착재로 접합하도록 양 기판을 적층 함을 특징으로 하는 비접촉 ID 카드의 제조방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 안테나 회로기판의 기재와 상기 인터포저 기판의 기재를 접착함에 의해서 상기 안테나 전극과 상기 확대전극을 직접, 접합하도록 양 기판을 적층함을 특징으로 하는 비접촉 ID 카드의 제조방법.
  10. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
    상기 전극 형성공정을 거친 인터포저 가판에, 상기 IC 칩의 전극 형성부를 피복하도록 절연성 접착재를 부착하는 접착재 부착공정을 거쳐 양 기판을 적층함을 특징으로 하는 비접촉 ID 카드의 제조방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 확대전극을 스크린 인쇄법에 의해서 형성함을 특징으로 하는 비접촉 ID 카드의 제조방법.
  12. 안테나 회로기한의 원재(原材)에 안테나 및 안테나 전극으로 이루어지는 복수의 안테나 회로를 형성하는 공정과, 인터포저 기판의 원재에 복수의 칩 매설용 구멍을 형성하는 공정과, 상기 칩 매설용 구멍에 IC 칩을 매설하는 공정과, 상기 인터포저 기판의 원재에 상기 IC 칩의 전극에 접속된 제 1 단자 영역 및 이 제 1 단자 영역에 일체적으로 접속된 제 2 단자 영역으로 이루어진 확대전극을 형성하는 공정과, 상기 인터포저 기판의 원재로부터 IC 칩 및 확대전극을 가지는 인터포저 기판을 타발(打拔)하는 공정과, 타발된 인터포저 기판의 확대전극의 제 2 단자 영역과 상기 안테나 전극을 도통 상태로 접합하는 공정을 가짐을 특징으로 하는 비접촉 ID 카드의 제조방법.
  13. 미리 복수의 칩 매설용 구멍에 IC 칩이 매설되어 있어 그 IC 칩의 전극에 접속된 제 1 단자 영역 및 이 제 1 단자영역에 일체적으로 접속된 제 2 단자 영역으로 이루어진 확대전극이 형성된 인터포저 기판의 원재로부터, IC 칩 및 확대전극을 가지는 인터포저 기판을 타발하는 공정과, 안테나 및 안테나 전극으로 이루어지는 복수의 안테나 회로가 형성된 안테나 회로기판의 원재 상에서, 타발된 인터포저 기판의 확대전극의 제 2 단자 영역과 상기 안테나 전극을 도통상태에서 접합하는 공정을 가짐을 특징으로 하는 비접촉 ID 카드의 제조방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 인터포저 기판의 원재 및 상기 안테나 회로기판의 원재가 미리 릴상으로 감겨 있음을 특징으로 하는 비접촉 ID 카드의 제조방법.
  15. 미리 복수의 칩 매설용 구멍에 IC 칩이 매설되어 있어 그 IC 칩의 전극에 접속된 제 1 단자 영역 및 이 제 1 단자 영역에 일체로 접속된 제 2 단자 영역으로 이루어진 확대전극이 형성된 인터포저 기판의 원재로부터, IC 칩 및 확대전극을 가지는 인터포저 기판을 타발하는 수단과, 안테나 및 안테나 전극으로 이루어지는 복수의 안테나 회로기판가 형성된 안테나 회로기판의 원재 상에서, 타발된 인터포저 기판의 확대전극의 제 2 단자 영역과 상기 안테나 전극을 도통상태로 접합하는 수단을 가짐을 특징으로 하는 비접촉 ID 카드의 제조장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 인터포저 기판의 원재 및 상기 안테나 회로기판의 원재가 미리 릴상으로 감겨 있음을 특징으로 하는 비접촉 ID 카드의 제조장치.
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