KR100635379B1

KR100635379B1 - Wafer guide, and method for loading wafers on the guide

Info

Publication number: KR100635379B1
Application number: KR1020040082513A
Authority: KR
Inventors: 이연; 추영호
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2004-10-15
Filing date: 2004-10-15
Publication date: 2006-10-17
Also published as: KR20060033403A

Abstract

본 발명은 세정 장치에서 웨이퍼들을 지지하는 웨이퍼 가이드로, 상기 웨이퍼 가이드는 웨이퍼의 하부 가장자리를 지지하는 주 지지로드들 외에 웨이퍼의 미들부 가장자리를 지지하는 보조 지지로드들을 가진다. 보조 지지로드는 부력에 의해 상하로 이동되도록 내부에 외부로부터 밀폐 가능한 공간이 형성된다.The present invention is a wafer guide for supporting wafers in a cleaning apparatus, the wafer guide having auxiliary support rods for supporting the middle edge of the wafer in addition to the main support rods for supporting the lower edge of the wafer. The auxiliary support rod is provided with a space that can be sealed from the outside to move up and down by buoyancy.

웨이퍼, 세정, 가이드, 부력Wafer, Clean, Guide, Buoyancy

Description

WAFER GUIDE, AND METHOD FOR LOADING WAFERS ON THE GUIDE}

도 1은 일반적인 웨이퍼 가이드의 사시도;1 is a perspective view of a typical wafer guide;

도 2는 웨이퍼의 각 부분별 명칭을 정의하기 위한 도면;2 is a diagram for defining names of respective portions of a wafer;

도 3은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 기판 세정 장치를 개략적으로 보여주는 단면도;3 is a cross-sectional view schematically showing a substrate cleaning apparatus according to a preferred embodiment of the present invention;

도 4는 도 3의 웨이퍼 가이드의 일 예를 보여주는 사시도;4 is a perspective view illustrating an example of the wafer guide of FIG. 3;

도 5는 보조 지지로드의 평면도;5 is a plan view of the auxiliary support rod;

도 6은 도 5의 선 Ⅰ-Ⅰ을 따라 절단한 단면도;6 is a cross-sectional view taken along the line II of FIG. 5;

도 7 내지 도 10은 도 4의 웨이퍼 가이드에 웨이퍼들을 로딩하는 과정을 순차적으로 보여주는 도면들;7 to 10 are views sequentially showing a process of loading wafers into the wafer guide of FIG.

도 11 내지 도 14는 도 4의 웨이퍼 가이드로부터 웨이퍼들을 언로딩하는 과정을 순차적으로 보여주는 도면들; 그리고11 through 14 sequentially illustrate the process of unloading wafers from the wafer guide of FIG. 4; And

도 15와 도 16은 각각 도 3의 웨이퍼 가이드의 다른 예를 보여주는 도면들이다.15 and 16 illustrate another example of the wafer guide of FIG. 3.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10 : 웨이퍼 120 : 처리조10 wafer 120 processing tank

220 : 베이스 240 : 주 지지로드들220: base 240: main support rods

260 : 보조 지지로드들 280 : 안내핀260: auxiliary support rods 280: guide pin

290 : 구동기 300 : 이송로봇290: driver 300: transfer robot

본 발명은 반도체 소자 제조를 위한 장치 및 방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 복수의 웨이퍼들을 지지하는 웨이퍼 가이드 및 이를 가지는 기판 세정 장치, 그리고 이에 웨이퍼들을 로딩하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to a wafer guide for supporting a plurality of wafers, a substrate cleaning apparatus having the same, and a method for loading the wafers.

반도체 웨이퍼를 집적 회로로 제조할 때 다양한 제조공정중에 발생하는 잔류 물질(residual chemicals), 작은 파티클(small particles), 오염물(contaminants) 등을 제거하기 위하여 반도체 웨이퍼를 세정하는 세정 공정이 필요하다. 특히, 고밀도의 집적회로를 제조할 때는 반도체 웨이퍼의 표면에 부착된 미세한 오염물을 제거하는 세정 공정은 매우 중요하다. When fabricating a semiconductor wafer into an integrated circuit, a cleaning process for cleaning the semiconductor wafer is required to remove residual chemicals, small particles, contaminants, and the like, which occur during various manufacturing processes. In particular, when manufacturing a high density integrated circuit, a cleaning process for removing fine contaminants adhering to the surface of the semiconductor wafer is very important.

반도체 웨이퍼의 세정 공정은 화학 용액 처리 공정(약액 처리 공정), 린스 공정, 그리고 건조 공정으로 나눌 수 있다. 화학 용액 처리 공정은 반도체 웨이퍼상의 오염물질을 화학적 반응에 의해 식각 또는 박리시키는 공정이며, 린스 공정은 화학 용액 처리된 반도체 웨이퍼를 순수로 세척하는 공정이며, 건조 공정은 린스 처리된 반도체 웨이퍼를 건조하는 공정이다. 상술한 공정을 진행하기 위하여 다양 한 처리조들이 사용된다. 예컨대, 웨이퍼 상의 유기물을 제거하기 위해 수산화 암모늄(NH₄OH), 과산화수소(H₂O₂), 물(H₂O)의 혼합용액이 사용되는 처리조, 웨이퍼 상의 무기물을 제거하기 위해 세정액으로 염산(HCL), 과산화수소(H₂O₂), 물의 혼합용액이 사용되는 처리조, 포토레지스트 제거 후에 황산보일이 진행되는 처리조, 그리고 자연산화막이나 무기오염 물질 제거를 위해 희석된 불산이 사용되는 처리조, 린스공정이 수행되는 처리조, 건조공정이 수행되는 처리조 등이 있다.The cleaning process of a semiconductor wafer can be divided into a chemical solution processing process (chemical liquid processing process), a rinse process, and a drying process. The chemical solution treatment process is a process of etching or peeling contaminants on a semiconductor wafer by a chemical reaction, the rinsing process is a process of washing the semiconductor solution treated with chemical solution with pure water, and the drying process is a process of drying the rinsed semiconductor wafer. It is a process. Various treatment tanks are used to carry out the above process. For example, a treatment tank in which a mixed solution of ammonium hydroxide (NH ₄ OH), hydrogen peroxide (H ₂ O ₂ ), water (H ₂ O) is used to remove organic matter on the wafer, and hydrochloric acid as a cleaning solution to remove inorganic matter on the wafer. (HCL), hydrogen peroxide (H ₂ O ₂ ), treatment bath with mixed solution of water, treatment bath with sulfuric acid after photoresist removal, and treatment with diluted hydrofluoric acid to remove natural oxide film or inorganic contaminants Bath, a treatment tank in which the rinsing process is performed, and a treatment tank in which the drying process is performed.

이들 처리조들은 공정 진행시 소정의 세정액이나 건조가스와 같은 유체가 처리조에 공급되어 공정이 수행된다. 처리조 내에는 웨이퍼들을 세워진 상태로 지지하는 웨이퍼 가이드가 제공된다. 도 1은 일반적인 웨이퍼 가이드의 형상을 보여준다. 도 1을 참조하면, 웨이퍼 가이드(520)는 웨이퍼의 가장자리가 삽입되는 슬롯들(522)이 형성된 지지로드들(520)을 가진다. 지지로드(520)는 보통 3개가 제공된다. 이송로봇에 의해 웨이퍼(10)가 웨이퍼 가이드(500)로 놓여질 때 지지로드(520)와 이송로봇의 아암이 충돌하는 것을 방지하기 위해 지지로드들(520)은 낮게 형성된다. 따라서 웨이퍼(10)의 하부 가장자리만이 슬롯에 삽입되며, 이로 인해 공정 수행시 웨이퍼들(10)이 웨이퍼 가이드(500)에 안정적으로 지지되지 못하고 웨이퍼 가이드(500)로부터 이탈되어 파손된다. In these treatment tanks, a process such as a predetermined cleaning liquid or a dry gas is supplied to the treatment tank during the process. In the processing tank, a wafer guide for supporting the wafers in an upright position is provided. 1 shows the shape of a typical wafer guide. Referring to FIG. 1, the wafer guide 520 has support rods 520 having slots 522 into which edges of the wafer are inserted. Three support rods 520 are usually provided. The support rods 520 are formed low to prevent the support rod 520 from colliding with the arm of the transfer robot when the wafer 10 is placed on the wafer guide 500 by the transfer robot. Therefore, only the lower edge of the wafer 10 is inserted into the slot, which causes the wafers 10 not to be stably supported by the wafer guide 500 during the process and are separated from the wafer guide 500 and broken.

또한, 최근에는 상술한 슬롯들의 간격을 10mm에서 5mm로 줄이는 하프피치(half pitch)를 적용하여 종래의 25매를 처리하는 배쓰에서 50매의 웨이퍼에 대해 공정을 진행하고 있으며, 생산성 향상 및 원가절감을 위해 200mm 웨이퍼 대신 300mm 웨이퍼가 사용되고 있다. 린스공정 중 배쓰의 저면에서 공급된 탈이온수가 오버플로우되는 과정과, 마란고니 효과를 이용한 건조공정 중 탈이온수가 천천히 드레인되는 과정 등에서 웨이퍼들이 슬롯에서 흔들려 기울어지게 된다. 종래에는 슬롯들간 간격이 넓고 웨이퍼의 직경이 작아 웨이퍼들이 맞닿지 않았으나 웨이퍼의 직경이 커짐에 따라 종래와 동일한 각도로 기울어져도 인접하는 웨이퍼들이 맞닿게 된다. 이와 같이 웨이퍼들이 서로 흡착되면 웨이퍼들의 흡착된 부위에서 세정효과가 크게 떨어진다. In addition, in recent years, the process of processing 50 wafers in a 25-layer bath by applying a half pitch that reduces the interval of the slots from 10 mm to 5 mm, improves productivity and reduces cost. 300mm wafers are used instead of 200mm wafers. During the rinsing process, the wafers are swayed and tilted in the slots in the process of overflowing the deionized water supplied from the bottom of the bath and in the process of slowly draining the deionized water during the drying process using the marangoni effect. Conventionally, the gaps between slots are wide and the diameter of the wafer is small so that the wafers are not contacted. However, as the diameter of the wafer increases, the adjacent wafers are abutted even when tilted at the same angle as in the prior art. As such, when the wafers are adsorbed to each other, the cleaning effect is greatly reduced at the adsorbed portions of the wafers.

본 발명은 반도체 기판의 세정 공정에서 웨이퍼를 안정적으로 지지할 수 있는 웨이퍼 가이드 및 이를 가지는 기판 세정 장치, 그리고 이에 웨이퍼를 로딩하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide a wafer guide capable of stably supporting a wafer in a semiconductor substrate cleaning process, a substrate cleaning apparatus having the same, and a method of loading the wafer thereon.

상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명인 웨이퍼 가이드는 주 지지로드들과 보조 지지로드를 가진다. 상기 주 지지로드들에는 웨이퍼의 가장자리 중 제 1영역에 해당되는 부분이 삽입되는 슬롯들이 형성되고, 상기 보조 지지로드에는 상기 웨이퍼의 가장자리 중 상기 제 1영역보다 높은 위치인 제 2영역에 해당되는 부분이 삽입되는 슬롯들이 형성된다. 상기 보조 지지로드는 이동 가능한 구조를 가져, 상기 웨이퍼 가장자리의 제 1영역이 상기 주 지지로드들의 슬롯들에 삽입되면, 상기 웨이퍼 가장자리의 제 2영역이 상기 보조 지지로드의 슬롯에 삽입되도록 상기 보조 지지로드가 이동된다. In order to achieve the above object, the wafer guide of the present invention has main supporting rods and auxiliary supporting rods. The main support rods are formed with slots into which a portion corresponding to the first region of the wafer is inserted, and the auxiliary support rod has a portion corresponding to the second region, which is higher than the first region, among the edges of the wafer. These inserted slots are formed. The auxiliary support rod has a movable structure, so that when the first region of the wafer edge is inserted into the slots of the main support rods, the secondary support rod is inserted into the slot of the auxiliary support rod. The load is moved.

일 예에 의하면, 상기 웨이퍼 가이드는 베이스와 상기 베이스로부터 상부로 돌출되며 상기 보조 지지로드의 상하 이동을 안내하는 안내부재를 더 포함하고, 상기 보조 지지로드는 부력에 의해 상기 웨이퍼 가장자리의 제 2영역을 지지하는 위치인 공정위치로 승강된다. 상기 안내부재는 부력에 의해 상기 보조 지지로드가 승강될 때, 상기 보조 지지로드가 상기 공정위치까지 도달되도록 상기 보조 지지로드의 이동을 제한하는 스토퍼를 가지고, 상기 보조 지지로드는 내부에 외부로부터 밀폐 가능한 공간이 형성되는 것이 바람직하다. 다른 예에 의하면, 상기 웨이퍼 가이드는 상기 보조 지지로드를 상하로 이동시키는 구동기를 가진다. In example embodiments, the wafer guide further includes a base and a guide member protruding upward from the base to guide vertical movement of the auxiliary support rod, wherein the auxiliary support rod is buoyant to form a second region of the wafer edge. It is lifted and lowered to the process position which is the position which supports. The guide member has a stopper for limiting the movement of the auxiliary support rod such that the auxiliary support rod reaches the process position when the auxiliary support rod is lifted by buoyancy, and the auxiliary support rod is sealed from the outside to the inside. It is desirable that a space as possible be formed. According to another example, the wafer guide has a driver for moving the auxiliary support rod up and down.

상기 제 2영역은 웨이퍼의 미들부 가장자리인 것이 바람직하다. 또한, 상기 웨이퍼 가이드는 상기 보조 지지로드를 2개 구비하고, 상기 보조 지지로드들은 상기 웨이퍼의 바텀부 가장자리와 탑부 가장자리를 지나는 지름을 기준으로 대칭이 되도록 배치되는 것이 바람직하다. 상기 보조 지지로드의 상부면은 테프론 재질로 이루어진다.The second region is preferably the edge of the middle of the wafer. In addition, the wafer guide may include two auxiliary support rods, and the auxiliary support rods may be disposed to be symmetrical with respect to a diameter passing through a bottom edge and a top edge of the wafer. The upper surface of the auxiliary support rod is made of Teflon material.

또한, 본 발명의 반도체 기판을 세정 공정에서 웨이퍼 가이드에 웨이퍼들을 로딩하는 방법은 이송로봇에 의해 처리조 내에 배치된 웨이퍼 가이드의 주 지지로드들에 형성된 슬롯으로 상기 웨이퍼의 가장자리 중 제 1영역이 삽입되어 상기 웨이퍼들이 상기 주 지지로드들에 의해 지지되는 단계와 상기 웨이퍼 가이드의 보조 지지로드에 형성된 슬롯에 상기 웨이퍼의 가장자리 중 상기 제 1영역보다 높은 위치인 제 2영역이 삽입되도록 상기 보조 지지로드가 승강되는 단계를 포함한다. In addition, a method of loading wafers into a wafer guide in a cleaning process of the semiconductor substrate of the present invention includes inserting a first region of the edge of the wafer into slots formed in main support rods of the wafer guide disposed in the processing tank by a transfer robot. The auxiliary supporting rods are inserted such that the second region, which is a position higher than the first region of the edge of the wafer, is inserted in the step of supporting the wafers by the main supporting rods and the slot formed in the auxiliary supporting rod of the wafer guide. And elevating.

일 예에 의하면, 상기 보조 지지로드가 승강되는 단계는 내부에 공간이 형성 된 상기 보조 지지로드가 부력에 의해 승강되는 단계를 포함한다. 상기 웨이퍼들이 상기 주 지지로드들에 의해 지지되는 단계는 상기 처리조 내에 세정액이 공급되며 상기 보조 지지로드의 슬롯에 상기 제 2영역이 삽입되는 위치인 공정위치로 상기 보조 지지로드가 부력에 의해 승강되는 단계, 상기 이송로봇의 끝단부가 상기 보조 지지로드의 상부면을 누르고 내려오면서 상기 웨이퍼들이 상기 주 지지로드에 의해 지지되는 단계, 그리고 상기 이송로봇이 승강되는 단계를 포함한다. 다른 예에 의하면, 상기 보조 지지로드가 승강되는 단계는 상기 보조 지지로드가 구동기에 의해 승강되는 단계를 포함한다. According to one example, the step of lifting the auxiliary support rod includes the step of lifting the auxiliary support rod having a space therein by buoyancy. Wherein the wafers are supported by the main support rods, the auxiliary support rod is lifted by buoyancy to a process position where a cleaning liquid is supplied into the processing tank and the second region is inserted into a slot of the auxiliary support rod. And the wafers are supported by the main support rod while the end of the transfer robot pushes down the upper surface of the auxiliary support rod, and the transfer robot is lifted up and down. According to another example, the step of lifting the auxiliary support rod includes the step of lifting the auxiliary support rod by a driver.

상기 보조 지지로드가 승강되는 단계는 상기 웨이퍼의 미들부 가장자리가 상기 보조 지지로드에 형성된 슬롯에 삽입되는 위치까지 상기 보조 지지로드가 승강되는 단계를 포함할 수 있다.The lifting and lowering of the auxiliary support rod may include lifting and lowering the auxiliary support rod to a position at which a middle edge of the wafer is inserted into a slot formed in the auxiliary support rod.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 2 내지 도 16을 참조하면서 보다 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. 2 to 16. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings are exaggerated to emphasize a clearer description.

도 2는 본 실시예에서 사용되는 웨이퍼(10)의 각 부분의 명칭을 정의하기 위한 것이다. 도 2를 참조하면 웨이퍼(10)가 수직으로 세워져서 놓여질 때, 바닥과 닿은 부분을 웨이퍼의 바텀부(11), 웨이퍼의 바텀부(11)를 지나는 지름과 수직한 웨이퍼(10)의 지름의 양단을 각각 웨이퍼(10)의 미들부(12, 13)라 칭한다. 그리고 웨이퍼(10) 중심에 대해 웨이퍼의 바텀부(11)와 대칭되는 부분을 웨이퍼의 탑부(14)라 칭한다. 또한, 아래의 실시예들에서 바텀부 가장자리란 웨이퍼(10)의 가장자리들 중 바텀부(11)가 위치되는 부분의 가장자리를 칭하고, 미들부 가장자리란 웨이퍼(10)의 가장자리들 중 미들부(12, 13)가 위치되는 부분의 가장자리를 칭한다.2 is for defining the names of the respective parts of the wafer 10 used in this embodiment. Referring to FIG. 2, when the wafer 10 is placed upright, the bottom part 11 of the wafer passes through the bottom portion 11 of the wafer and the diameter of the wafer 10 perpendicular to the diameter passing through the bottom portion 11 of the wafer. Both ends are called the middle parts 12 and 13 of the wafer 10, respectively. The portion that is symmetrical with the bottom portion 11 of the wafer with respect to the center of the wafer 10 is referred to as the top portion 14 of the wafer. In addition, in the following embodiments, the bottom edge refers to the edge of the portion where the bottom portion 11 is located among the edges of the wafer 10, and the middle edge refers to the middle portion 12 of the edges of the wafer 10. , 13) refers to the edge of the portion where it is located.

도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 세정 장치(1)를 개략적으로 보여주는 도면이다. 본 실시예에서는 약액을 사용하여 웨이퍼(10)에 부착된 이물질들을 제거하고, 탈이온수를 공급하여 웨이퍼(10)에 부착된 약액 등을 세척한 후, 이소프로필 알코올 증기를 사용하여 웨이퍼(10)에 부착된 탈이온수를 제거하는 마란고니 건조기를 예로 들어 설명한다. 그러나 이와 달리 본 발명의 장치는 약액처리 공정 또는 린스 공정만을 수행하는 장치이거나 건조가스를 사용하여 웨이퍼(10)를 건조하는 건조 공정만을 수행하는 장치일 수 있다. 3 is a view schematically showing a cleaning apparatus 1 according to a preferred embodiment of the present invention. In the present embodiment, the foreign matter attached to the wafer 10 is removed using a chemical liquid, and deionized water is supplied to wash the chemical liquid attached to the wafer 10, and then the isopropyl alcohol vapor is used to remove the wafer 10. The Marangoni dryer for removing the deionized water attached to the example will be described as an example. Alternatively, the apparatus of the present invention may be a device that performs only a chemical liquid treatment process or a rinse process or a device that performs only a drying process of drying the wafer 10 using a dry gas.

도 3을 참조하면, 세정 장치(1)는 공정이 수행되는 공간을 제공하는 처리조(120)를 가진다. 처리조(120)는 웨이퍼(10)가 수용되는 공간을 제공하는 몸체(120a)와 웨이퍼(10) 이송시 몸체(120a)의 개방된 상부를 개폐하는 덮개(120b)를 가진다. 몸체(120a)는 내조(122)와 외조(124)를 가진다. 내조(122) 내 하부에는 웨이퍼들(10)을 지지하는 가이드(2)가 설치된다. 웨이퍼 가이드(2)의 구조에 대해서는 후술한다. 내조(122) 내 웨이퍼 가이드(2) 아래에는 내조(122)로 세정액을 공급하는 세정액 공급노즐(160)이 배치된다. 세정액은 화학용액 처리 공정시 불산이나 암모니아 등을 포함하는 약액일 수 있으며, 린스공정시 탈이온수일 수 있다. 내조(122)의 측벽 상단부에는 탈이온수가 흐르는 통로인 유출구(127)가 형성되며, 내조(122)의 외측벽에는 외조(124)가 결합된다. 린스공정시 유출구(127)를 통해 내조(122)로부터 넘쳐흐르는 탈이온수는 외조(124)로 수용하며, 외조(124)의 바닥면과 연결된 배출관(125)을 통해 외부로 배출된다. 배출관(125)에는 그 통로를 개폐하는 개폐밸브(125a)가 설치된다. 내조(122)의 바닥면은 오목하게 형상지어지며, 바닥면 중앙에는 내조(122)에 채워진 세정액이 배출되는 배출관(123)이 연결된다. 배출관(123)에는 그 내부 통로를 개폐하는 개폐 밸브 또는 유량을 조절하는 유량 조절 밸브(123a)가 설치될 수 있다. 배출은 중력에 의해 자연 배출되거나 펌프 등에 의해 강제 배출될 수 있다. Referring to FIG. 3, the cleaning apparatus 1 has a treatment tank 120 that provides a space in which a process is performed. The treatment tank 120 has a body 120a which provides a space in which the wafer 10 is accommodated, and a cover 120b which opens and closes the open upper portion of the body 120a when the wafer 10 is transferred. Body 120a has inner tub 122 and outer tub 124. A guide 2 supporting the wafers 10 is installed below the inner tank 122. The structure of the wafer guide 2 is mentioned later. A cleaning liquid supply nozzle 160 for supplying a cleaning liquid to the inner tank 122 is disposed below the wafer guide 2 in the inner tank 122. The cleaning solution may be a chemical solution containing hydrofluoric acid or ammonia in the chemical solution treatment process, and may be deionized water in the rinsing process. An outlet 127, which is a passage through which deionized water flows, is formed at an upper end of the side wall of the inner tank 122, and an outer tank 124 is coupled to an outer wall of the inner tank 122. Deionized water overflowing from the inner tank 122 through the outlet 127 during the rinsing process is accommodated in the outer tank 124 and is discharged to the outside through the discharge pipe 125 connected to the bottom surface of the outer tank 124. The discharge pipe 125 is provided with an on-off valve 125a for opening and closing the passage. The bottom surface of the inner tank 122 is formed in a concave shape, the discharge pipe 123 for discharging the cleaning liquid filled in the inner tank 122 is connected to the center of the bottom surface. The discharge pipe 123 may be provided with an on-off valve for opening and closing the inner passage or a flow control valve 123a for adjusting the flow rate. Emission may be natural by gravity or may be forced out by a pump or the like.

내조(122) 내 상부에는 내조(122)로 건조가스를 분사하는 가스분사노즐(180)이 배치된다. 가스분사노즐(190)은 건조가스 공급부(140)로부터 건조가스를 공급받아 처리조(120) 내부로 분사한다. 건조가스 공급부(140)는 가스분사노즐(180)과 연결되는 건조가스 공급관(142)과 그 내부를 흐르는 유량을 조절하는 밸브(142a)를 가진다.A gas injection nozzle 180 for injecting dry gas into the inner tank 122 is disposed in the inner tank 122. The gas injection nozzle 190 receives the dry gas from the dry gas supply unit 140 and injects it into the treatment tank 120. The dry gas supply unit 140 has a dry gas supply pipe 142 connected to the gas injection nozzle 180 and a valve 142a for controlling a flow rate flowing therein.

알코올로는 이소프로필 알코올(isopropyl alcohol, 이하 IPA)이 사용되는 것이 바람직하며, 알코올증기는 질소가스와 같은 캐리어가스에 의해 처리조(120) 내로 운반된다. 웨이퍼(10) 상에 부착된 탈이온수가 IPA 증기로 치환되면, 웨이퍼(10) 상의 IPA 증기를 제거하기 위해 가열된 질소가스가 처리조(120) 내로 공급된다. As alcohol, isopropyl alcohol (hereinafter referred to as IPA) is preferably used, and alcohol vapor is transported into the treatment tank 120 by a carrier gas such as nitrogen gas. When deionized water adhered on the wafer 10 is replaced with IPA vapor, heated nitrogen gas is supplied into the treatment tank 120 to remove the IPA vapor on the wafer 10.

건조공정은 웨이퍼(10)와 탈이온수의 표면에 IPA 액층을 형성함으로써, 마란고니 효과를 이용하여 수행될 수 있다. 선택적으로 건조공정은 웨이퍼(10)를 공기 중에 노출시키고 처리조(120) 내부를 이소프로필 알코올증기 분위기로 형성하여, 웨이퍼(10)의 표면에 잔류하는 수분이 이소프로필 알코올 증기와 치환되도록 함으로써 수행될 수 있다.The drying process may be performed using the Marangoni effect by forming an IPA liquid layer on the surface of the wafer 10 and the deionized water. Optionally, the drying process is performed by exposing the wafer 10 to air and forming the inside of the treatment tank 120 in an isopropyl alcohol vapor atmosphere so that the moisture remaining on the surface of the wafer 10 is replaced with isopropyl alcohol vapor. Can be.

도 4는 본 발명의 웨이퍼 가이드(2)를 개략적으로 보여주는 사시도이다. 웨이퍼 가이드(2)는 베이스(220), 주 지지로드들(240), 그리고 보조 지지로드들(260)을 가진다. 주 지지로드들(240)은 웨이퍼(10)의 가장자리 중 제 1영역을 지지하고, 보조 지지로드들(260)은 웨이퍼(10)의 가장자리 중 제 2영역을 지지한다. 제 1영역은 웨이퍼의 바텀부(11) 가장자리 및 그 주변에 해당되는 영역이고, 제 2영역은 웨이퍼의 미들부(12, 13) 가장자리 및 그 주변에 해당되는 영역이다. 4 is a perspective view schematically showing the wafer guide 2 of the present invention. The wafer guide 2 has a base 220, main support rods 240, and auxiliary support rods 260. The primary support rods 240 support the first region of the edge of the wafer 10, and the secondary support rods 260 support the second region of the edge of the wafer 10. The first region corresponds to the edge of the bottom portion 11 of the wafer and its periphery, and the second region corresponds to the edge of the middle portions 12 and 13 of the wafer and its periphery.

베이스(220)는 서로 대향되도록 배치되는 2개의 주 플레이트(222)와 이의 양단이 각각 결합되며 서로 대향되도록 배치되는 2개의 보조 플레이트들(224)을 가진다. 즉, 베이스(220)는 대체로 사각의 링 형상을 가진다. 웨이퍼 가이드(2)는 3개의 주 지지로드들(240)과 2개의 보조 지지로드들(260)을 가진다. 각각의 주 지지로드들(240) 및 보조 지지로드들(260)에는 웨이퍼(10)의 가장자리가 삽입되는 슬롯들(242a, 244a, 262a)이 형성된다. 각각의 지지로들(240, 260)에는 대략 50개의 슬롯들(242a, 244a, 262a)이 형성되어 50매의 웨이퍼들(10)에 대해 동시에 공정이 수행될 수 있다. 주 지지로드들(240) 중 주 플레이트(222)의 중앙에 설치되는 주 지지로드를 제 1지지로드(242)와 하고, 주 플레이트(222)의 양측에 설치되는 주 지지로 드들을 제 2지지로드(244)라 한다. 제 2지지로드들(244)은 제 1지지로드(242)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 주 플레이트(222)로부터 수직하게 돌출되도록 고정 설치된다. 제 2지지로드(244)가 웨이퍼의 미들부(12, 13) 가장자리에 인접하게 배치되는 경우 이송로봇(300)이 웨이퍼(10)를 가이드에 로딩/언로딩하는 도중 이송로봇(300)이 제 2지지로드(244)와 충돌될 수 있다. 따라서 제 2지지로드들(244)은 이송로봇(300)과 충돌이 방지될 수 있는 범위 내에서 제 1지지로드(242)로부터 이격되도록 설치된다. 제 1지지로드(242)와 제 2지지로드들(244) 각각에는 각각 웨이퍼(10)의 가장자리가 삽입되는 슬롯들이 형성된다. 슬롯은 대략 50개가 형성될 수 있다. The base 220 has two main plates 222 disposed to face each other and two auxiliary plates 224 coupled to both ends thereof and disposed to face each other. That is, the base 220 has a generally rectangular ring shape. The wafer guide 2 has three primary support rods 240 and two secondary support rods 260. Each of the main support rods 240 and the auxiliary support rods 260 is formed with slots 242a, 244a and 262a into which the edge of the wafer 10 is inserted. Approximately 50 slots 242a, 244a, and 262a may be formed in each of the support passages 240 and 260 to simultaneously process the 50 wafers 10. Among the main support rods 240, the main support rod installed in the center of the main plate 222 is formed with the first support rod 242, and the main support rods installed on both sides of the main plate 222 support the second support rod. Called rod 244. The second support rods 244 are fixedly installed to protrude vertically from the main plate 222 so as to be symmetrical with respect to the first support rod 242. When the second support rod 244 is disposed adjacent to the edges of the middle portions 12 and 13 of the wafer, the transfer robot 300 is moved while the transfer robot 300 loads / unloads the wafer 10 into the guide. 2 may collide with the support rod 244. Therefore, the second support rods 244 are installed to be spaced apart from the first support rod 242 within a range in which collision with the transport robot 300 can be prevented. Slots into which edges of the wafer 10 are inserted are formed in each of the first and second support rods 242 and 244. Approximately 50 slots may be formed.

공정 수행시 처리조 내부는 약액으로 채워진다. 일반적으로 슬롯들의 폭은 웨이퍼(10)의 두께보다 넓게 형성된다. 이는 이송로봇(300)에 의해 웨이퍼(10)가 가이드에 로딩될 때, 웨이퍼(10)의 가장자리가 안정적으로 슬롯으로 삽입되도록 하고, 웨이퍼(10)에 긁힘(scratch)이 생기는 것을 방지하기 위함이다. 그러나 웨이퍼(10)의 가장자리 중 아래 부분만이 주 지지로드(240)들에 의해 지지되므로, 웨이퍼(10)가 기울어지게 되고, 인접하는 웨이퍼들의 탑부(14) 가장자리가 부착되어 세정효율이 저하될 수 있다. 또한, 탈이온수가 내조로부터 오버플로우될 때, 웨이퍼(10)가 웨이퍼(10)가이드로부터 이탈되어 파손될 수 있다. 보조 지지로드(260)들은 공정 수행시 웨이퍼의 미들부(12, 13) 가장자리 또는 이와 인접한 가장자리 영역을 삽입하여 웨이퍼(10)를 안정적으로 지지한다. 이하 웨이퍼(10)를 가장 안정적으로 지지하기 위해 웨이퍼의 미들부(12, 13) 가장자리가 보조 지지로드(260)에 의해 지 지되는 경우를 예로 든다. During the process, the treatment tank is filled with chemicals. In general, the width of the slots is formed wider than the thickness of the wafer 10. This is to ensure that the edge of the wafer 10 is stably inserted into the slot when the wafer 10 is loaded into the guide by the transfer robot 300 and to prevent scratches on the wafer 10. . However, since only the lower portion of the edge of the wafer 10 is supported by the main support rods 240, the wafer 10 is inclined, and the edges of the top portions 14 of adjacent wafers are attached, thereby degrading the cleaning efficiency. Can be. In addition, when the deionized water overflows from the inner bath, the wafer 10 may break away from the wafer 10 guide and be damaged. The auxiliary support rods 260 stably support the wafer 10 by inserting edges of the middle portions 12 and 13 of the wafer or adjacent edge regions thereof during the process. Hereinafter, a case in which the edges of the middle portions 12 and 13 of the wafer are supported by the auxiliary support rod 260 to support the wafer 10 most stably is illustrated.

보조 지지로드들(260)은 제 1지지로드(242)를 기준으로 웨이퍼의 미들부(12, 13) 가장자리를 지지할 수 있는 거리만큼 이격되도록 배치된다. 이송로봇(300)에 의해 웨이퍼(10)가 웨이퍼 가이드(2)로 로딩/언로딩될 수 있도록, 보조 지지로드들(260)은 상하로 이동 가능한 구조를 가진다. The auxiliary support rods 260 are disposed to be spaced apart from each other by a distance capable of supporting the edges of the middle portions 12 and 13 of the wafer with respect to the first support rod 242. The auxiliary support rods 260 have a structure capable of moving up and down so that the wafer 10 can be loaded / unloaded into the wafer guide 2 by the transfer robot 300.

일 예에 의하면, 보조 지지로드들(260)은 부력에 의해 상하로 이동된다. 도 4를 참조하면, 웨이퍼 가이드(2)는 보조 지지로드(260)의 상하 이동을 안내하는 안내부재를 가진다. 안내부재로는 보조 지지로드(260)의 길이방향으로 보조 지지로드(260)의 양단에 해당되는 거리만큼 이격되어 보조 플레이트(224)로부터 상부로 돌출된 2개의 안내핀들(280)이 사용된다. According to one example, the auxiliary support rods 260 are moved up and down by buoyancy. Referring to FIG. 4, the wafer guide 2 has a guide member for guiding vertical movement of the auxiliary support rod 260. As the guide member, two guide pins 280 protruding upward from the auxiliary plate 224 are spaced apart by a distance corresponding to both ends of the auxiliary support rod 260 in the longitudinal direction of the auxiliary support rod 260.

도 5는 보조 지지로드(260)의 평면도이고 도 6은 도 5의 선 Ⅰ-Ⅰ을 따라 절단한 단면도이다. 도 5 및 도 6을 참조하면, 보조 지지로드(260)는 폴리에테르에테르케톤(Polyetheretherketone)을 재질로 하여 제조될 수 있으며, 누름부(262), 몸체부(264), 그리고 측부(266)를 가진다. 누름부(262)는 긴 판 형상을 가지며, 안쪽에는 웨이퍼의 미들부(12, 13) 가장자리가 삽입되는 슬롯들이 형성된다. 몸체부(264)는 누름부(262)로부터 바깥쪽으로 연장된다. 몸체부(264)는 슬롯 형성부보다 측방향으로 돌출될 수 있는 길이를 가진다. 측부(266)는 몸체부(264)의 양측단으로부터 앞쪽으로 연장되어 형성된다. 몸체부(264) 내부에는 외부로부터 밀폐가능하며 몸체부(264)의 길이방향으로 길게 형성된 공간(264a)이 제공된다. 이는 부력에 의해 보조 지지로드(260)가 상하로 이동될 수 있도록 한다. 선택적으로 보조 지지로 드(260)는 몸체부(264) 내에 공간(264a)을 형성하지 않고, 가벼운 재질로 제조할 수 있다. 측부(266)에는 상하로 관통된 홀(266a)이 형성되며, 상기 홀(266a)에는 안내핀(280)이 삽입된다.5 is a plan view of the auxiliary support rod 260 and FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line I-I of FIG. 5. 5 and 6, the auxiliary support rod 260 may be made of polyetheretherketone, and the pressing portion 262, the body portion 264, and the side portion 266 may be formed of a polyetheretherketone material. Have The pressing part 262 has an elongate plate shape, and slots into which the edges of the middle parts 12 and 13 of the wafer are inserted are formed. Body portion 264 extends outward from pressing portion 262. Body portion 264 has a length that can protrude laterally than the slot forming portion. The side portion 266 extends forward from both side ends of the body portion 264. Inside the body portion 264 is provided a space 264a that can be sealed from the outside and formed long in the longitudinal direction of the body portion 264. This allows the auxiliary support rod 260 to be moved up and down by buoyancy. Optionally, the auxiliary support rod 260 may be made of a light material without forming a space 264a in the body portion 264. The side portion 266 has a hole 266a vertically penetrated, and a guide pin 280 is inserted into the hole 266a.

보조 지지로드(260)가 주 지지로드(240)에 놓여진 웨이퍼의 미들부(12, 13) 가장자리를 지지할 때의 위치를 보조 지지로드(260)의 공정위치라 칭한다. 안내핀(280)은 보조 지지로드(260)가 공정위치까지만 상승되도록 보조 지지로드(260)의 이동을 제한하는 스토퍼(282)를 가진다. 안내핀(280)은 주 지지로드(240)들에 의해 지지된 웨이퍼의 미들부(12, 13) 가장자리까지 이르는 높이를 가지고, 스토퍼(282)로는 안내핀(280)의 끝단에 위치되며, 보조 지지로드(260)의 측부에 형성된 홀의 횡단면보다 넓은 횡단면을 가지는 돌출부재가 사용될 수 있다.The position when the auxiliary support rod 260 supports the edges of the middle portions 12 and 13 of the wafer placed on the main support rod 240 is referred to as a process position of the auxiliary support rod 260. The guide pin 280 has a stopper 282 to limit the movement of the auxiliary support rod 260 so that the auxiliary support rod 260 is raised only to the process position. Guide pin 280 has a height to the edge of the middle portion 12, 13 of the wafer supported by the main support rods 240, the stopper 282 is located at the end of the guide pin 280, the auxiliary A protruding member having a wider cross section than a cross section of a hole formed on the side of the support rod 260 may be used.

도 7내지 도 10은 도 4의 웨이퍼 가이드(2)를 사용하여 이송로봇(300)이 웨이퍼 가이드(2)에 웨이퍼들(10)을 로딩하는 과정을 순차적으로 보여주는 도면들이다. 도 7 내지 도 10은 처리조 내에 세정액이 채워진 상태에서 웨이퍼들(10)이 웨이퍼 가이드(2)로 로딩되는 경우를 보여준다. 처리조에 세정액이 채워지면, 보조 지지로드(260)는 부력에 의해 공정위치까지 상승한다(도 7). 이송로봇(300)의 아암(320)이 누름부(262)의 상부면을 누르면서 아래로 이동되며, 누름부(262)는 안내핀(280)을 따라 아래로 하강된다. 웨이퍼(10)의 하부 가장자리는 주 지지로드(240)에 형성된 슬롯에 삽입된다(도 8). 이후에 아암(320)들이 보조 지지로드(260)의 바깥쪽에 위치되도록 벌어진다(도9). 보조 지지로드(260)는 부력에 의해 공정위치까지 상승하며, 웨이퍼의 미들부(12, 13) 가장자리는 보조 지지로드(260)에 형성된 슬롯 에 삽입된다(도 10). 아암(320)들이 벌어질 때, 누름부(262)의 상부면과 아암(320)의 끝단과의 마찰로 인해 파티클이 발생되는 것을 방지하기 위해 누름부(262)의 상부면은 테프론(teflon)으로 코팅된다.7 to 10 are diagrams sequentially illustrating a process of loading the wafers 10 into the wafer guide 2 by the transfer robot 300 using the wafer guide 2 of FIG. 4. 7 to 10 show a case where the wafers 10 are loaded into the wafer guide 2 while the cleaning solution is filled in the processing tank. When the cleaning solution is filled in the treatment tank, the auxiliary support rod 260 rises to the process position by buoyancy (FIG. 7). The arm 320 of the transfer robot 300 is moved downward while pressing the upper surface of the pressing portion 262, the pressing portion 262 is lowered down along the guide pin 280. The lower edge of the wafer 10 is inserted into a slot formed in the main support rod 240 (FIG. 8). The arms 320 are then opened so that they are positioned outside of the auxiliary support rod 260 (Figure 9). The auxiliary support rod 260 is raised to the process position by buoyancy, and the edges of the middle portions 12 and 13 of the wafer are inserted into the slots formed in the auxiliary support rod 260 (FIG. 10). When the arms 320 are opened, the top surface of the press portion 262 is teflon to prevent particles from being generated due to friction between the top surface of the press portion 262 and the tip of the arm 320. Coated with.

도 11 내지 도 14는 도 4의 웨이퍼 가이드(2)를 사용하여 웨이퍼 가이드(2)로부터 웨이퍼들(10)이 언로딩되는 과정을 순차적으로 보여주는 도면들이다. 도 11 내지 도 14을 참조하면, 공정이 완료된 후 처리조로부터 세정액이 아래로 배출된다. 세정액의 배출과 함께 보조 지지로드(260)는 아래로 하강되어 보조 플레이트(224) 상에 위치된다(도 11). 이송로봇(300)이 처리조 내로 이동된다(도 12). 아암(320)들의 간격이 좁아지면서 웨이퍼들(10)의 가장자리가 아암(320)에 형성된 슬롯에 삽입된다(도 13). 이송로봇(300)이 승강되면서 웨이퍼들(10)이 보조 지지로드(260)로부터 언로딩된다(도 14).11 to 14 are diagrams sequentially illustrating a process of unloading the wafers 10 from the wafer guide 2 using the wafer guide 2 of FIG. 4. 11 to 14, after the process is completed, the cleaning liquid is discharged downward from the treatment tank. The auxiliary support rod 260 is lowered and positioned on the auxiliary plate 224 with the discharge of the cleaning liquid (FIG. 11). The transfer robot 300 is moved into the treatment tank (FIG. 12). As the spacing of the arms 320 narrows, the edges of the wafers 10 are inserted into slots formed in the arm 320 (FIG. 13). As the transfer robot 300 is elevated, the wafers 10 are unloaded from the auxiliary support rod 260 (FIG. 14).

본 실시예에서는 처리조에 세정액이 채워진 상태에서 웨이퍼들(10)이 웨이퍼 가이드(2)에 로딩되고, 처리조로부터 세정액이 배출된 상태에서 웨이퍼들(10)이 웨이퍼 가이드(2)로부터 언로딩되는 경우를 설명하였다. 그러나 본 발명의 실시예는 처리조에 세정액이 채워지지 않은 상태에서 웨이퍼들(10)이 웨이퍼 가이드(2)에 로딩될 때 및 처리조로부터 세정액이 배출되지 않은 상태에서 웨이퍼들(10)이 웨이퍼 가이드(2)로부터 언로딩될때에도 적용 가능함은 당연하다. In this embodiment, the wafers 10 are loaded into the wafer guide 2 while the cleaning solution is filled in the processing tank, and the wafers 10 are unloaded from the wafer guide 2 while the cleaning liquid is discharged from the processing tank. The case was explained. However, in the embodiment of the present invention, when the wafers 10 are loaded into the wafer guide 2 in a state in which the cleaning solution is not filled in the processing tank, and the wafers 10 are not guided by the wafers when the cleaning liquid is not discharged from the processing tank. Applicable also when unloaded from (2).

본 실시예에 의하면, 보조 지지로드(260)가 웨이퍼의 미들부(12, 13) 가장자리를 지지하므로 주 지지로드(240)에 의해 웨이퍼들(10)이 지지될 때에 비해 웨이퍼들(10)이 웨이퍼 가이드(2)에 더욱 안정적으로 지지될 수 있다. 또한, 보조 지지 로드(260)의 승하강이 부력에 의해 이루어지므로, 동력 전달 장치가 별도로 요구되지 않는다.According to the present exemplary embodiment, since the auxiliary support rod 260 supports the edges of the middle portions 12 and 13 of the wafer, the wafers 10 may be less than when the wafers 10 are supported by the main support rod 240. The wafer guide 2 can be supported more stably. In addition, since the lifting and lowering of the auxiliary support rod 260 is made by buoyancy, a power transmission device is not required separately.

또한, 본 실시예에서는 2개의 보조 지지로드(260)들과 3개의 주 지지로드(240)들이 제공되는 것으로 설명하였으나, 1개의 보조 지지로드(260)가 제공되고, 2개 또는 4개 이상의 주 지지로드들(240)이 제공될 수 있다.In addition, in the present exemplary embodiment, two auxiliary support rods 260 and three main support rods 240 are provided, but one auxiliary support rod 260 is provided, and two or four or more primary rods are provided. Support rods 240 may be provided.

도 15와 도 16은 본 발명의 웨이퍼 가이드(2)의 다른 실시예를 보여준다. 본 실시예에서 웨이퍼 가이드(2)는 베이스(220), 주 지지로드(240), 보조 지지로드(260), 그리고 구동기(290)를 가진다. 이하에서는 도 4의 웨이퍼 가이드(2)와 상이한 부분만을 주로 설명한다. 본 실시예에 의하면, 보조 지지로드(260)는 구동기(290)에 의해 상하로 이동된다. 구동기(290)는 보조 지지로드(260)의 바닥면과 결합되는 이동축(292) 및 이를 상하로 이동시키는 동력제공부(294)를 가진다. 보조 플레이트(224)에는 이동축이 삽입되도록 상하로 관통되는 홀이 형성된다. 보조 지지로드(260)의 내부에는 공간이 반드시 형성될 필요는 없다. 웨이퍼(10)가 주 지지로드(240)에 형성된 슬롯(242a)에 삽입되기 전에 보조 지지로드(260)는 도 15에 도시된 바와 같이 보조 플레이트(224) 상에 위치되고, 웨이퍼(10)가 주 지지로드(240)에 형성된 슬롯(242a)에 삽입되고 이송로봇(300)으로부터 벗어나면 보조 지지로드(260)는 도 16에 도시된 바와 같이 구동기(290)에 의해 공정위치까지 승강된다.15 and 16 show another embodiment of the wafer guide 2 of the present invention. In this embodiment, the wafer guide 2 has a base 220, a main support rod 240, an auxiliary support rod 260, and a driver 290. Hereinafter, only portions different from the wafer guide 2 in FIG. 4 will be mainly described. According to this embodiment, the auxiliary support rod 260 is moved up and down by the driver 290. The driver 290 has a moving shaft 292 coupled to the bottom surface of the auxiliary support rod 260 and a power supply 294 for moving it up and down. The auxiliary plate 224 is formed with a hole penetrating up and down so that the moving shaft is inserted. The space does not necessarily need to be formed inside the auxiliary support rod 260. Before the wafer 10 is inserted into the slot 242a formed in the main support rod 240, the auxiliary support rod 260 is positioned on the auxiliary plate 224 as shown in FIG. 15, and the wafer 10 is When inserted into the slot 242a formed in the main support rod 240 and out of the transport robot 300, the auxiliary support rod 260 is elevated to the process position by the driver 290 as shown in FIG.

부력을 이용하여 보조 지지로드(260)의 승하강이 이루어지는 웨이퍼 가이드(2)는 약액 처리 공정, 린스 공정, 또는 마란고니 건조기 등과 같이 처리조에 액체 를 채워서 공정을 수행하는 경우에 유용하다. 이에 반해, 구동기(290)를 사용하여 보조 지지로드(260)의 승하강이 이루어지는 웨이퍼 가이드(2)는 액체를 사용하여 공정을 수행하는 경우뿐만 아니라 가스만을 사용하여 건조 공정을 수행하는 경우에도 유용하다.Wafer guide (2) that the lifting and lowering of the auxiliary support rod 260 by using buoyancy is useful in the case of performing a process by filling the liquid in the treatment tank, such as chemical treatment process, rinse process, or Marangoni dryer. In contrast, the wafer guide 2 in which the auxiliary support rod 260 is moved up and down using the driver 290 is useful not only when performing the process using liquid but also when performing the drying process using only gas. Do.

본 발명에 의하면, 보조 지지로드가 웨이퍼의 미들부 가장자리를 지지하므로 주 지지로드에 의해 웨이퍼들이 지지될 때에 비해 웨이퍼들이 웨이퍼 가이드에 더욱 안정적으로 지지될 수 있다. According to the present invention, since the auxiliary support rod supports the middle edge of the wafer, the wafers can be more stably supported by the wafer guide than when the wafers are supported by the main support rod.

또한, 본 발명에 의하면, 보조 지지로드의 승하강이 부력에 의해 이루어지므로, 보조 지지로드의 승하강을 위해 별도의 구동기가 요구되지 않는다.In addition, according to the present invention, since the lifting and lowering of the auxiliary support rod is made by buoyancy, a separate driver is not required for the lifting and lowering of the auxiliary support rod.

Claims

delete

A wafer guide for use in the manufacture of a semiconductor substrate, the wafer guide supporting a plurality of wafers,

A base;

A plurality of main support rods formed with slots into which portions corresponding to a first region of the edge of the wafer are inserted;

Slots are formed in which a portion corresponding to a second region, which is a position higher than the first region, of the edge of the wafer is inserted, and the first region of the wafer edge is inserted into the slots of the main support rods. An auxiliary support rod movable to insert a second region of a wafer edge into a slot of the auxiliary support rod; And

Protruding upward from the base, comprising a guide member for guiding the vertical movement of the auxiliary support rod,

The auxiliary support rod is a wafer guide, characterized in that the lifting to the process position that is the position for supporting the second region of the wafer edge by buoyancy.

The method of claim 2,

The auxiliary support rod is a wafer guide, characterized in that a space that can be sealed from the outside inside.

The method of claim 2,

And the guide member has a stopper for limiting the movement of the auxiliary support rod such that the auxiliary support rod reaches the process position when the auxiliary support rod is lifted by buoyancy.

delete

The method according to any one of claims 2 to 4,

And the second region is a middle edge of the wafer.

The method according to any one of claims 2 to 4,

The wafer guide has two auxiliary support rods,

And the auxiliary support rods are arranged to be symmetrical with respect to a diameter passing through a bottom edge and a top edge of the wafer.

The method according to any one of claims 2 to 4,

The upper surface of the auxiliary support rod is a wafer guide, characterized in that made of Teflon material.

delete

A method of loading wafers into a wafer guide in a cleaning process of a semiconductor substrate, the method comprising:

Inserting a first region of the edge of the wafer into a slot formed in the main support rods of the wafer guide disposed in the processing tank by the transfer robot so that the wafers are supported by the main support rods;

And lifting and lowering the auxiliary support rod so that a second region, which is a position higher than the first region, of the edge of the wafer is inserted into a slot formed in the auxiliary support rod of the wafer guide.

The step of lifting the auxiliary support rod is a method of loading a wafer to a wafer guide, characterized in that the step of lifting the auxiliary support rod having a space therein by buoyancy.

The method of claim 15,

The wafers are supported by the main support rods,

Cleaning liquid is supplied into the treatment tank, and the auxiliary support rod is lifted by buoyancy to a process position at which the second region is inserted into a slot of the auxiliary support rod;

Supporting the wafers by the main support rod while the end of the transfer robot pushes down the upper surface of the auxiliary support rod; And

And a step of lifting and lowering the transfer robot.

delete

The method according to claim 15 or 16,

The lifting and lowering of the auxiliary support rod includes loading the wafer on the wafer guide, wherein the auxiliary support rod is lifted to a position at which the middle edge of the wafer is inserted into the slot formed in the auxiliary support rod. Way.