KR100611767B1 - 레이저 전사용 도너 기판 및 그 필름을 사용하여 제조되는유기 전계 발광 소자의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 레이저 전사용 도너 기판 및 이를 사용하여 제조되는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법에 관한 것으로서, 도전층이 형성되어 있는 도너 기판과 접지된 스테이지와 전기적으로 연결되어 있어 레이저 전사에 의한 유기막 형성시 정전기를 제어할 수 있는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법을 제공한다.
레이저 전사법, 정전기, 스테이지, 접지
Description
도 1a 내지 도 1c는 레이저 열전사법에 의한 유기막 패턴과정을 설명하기 위해 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 도너 기판의 단면을 도시한 것이다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명에 따른 도너 기판을 사용한 레이저 전사법에 의한 유기 전계 발광 소자의 제조 방법에 관하여 설명하기 위해 도시한 것이다.
- 도면부호에 대한 간단한 설명 -
100 : 도너 기판 101 : 기재층
102 : 광-열 변환층 103 : 대전방지막
104 : 전사층 200 : 기판
300 : 스테이지
본 발명은 레이저 전사용 도너 기판 및 상기 필름을 사용한 유기 전계 발광 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 정전기를 제어할 수 있는 레이저 전사용 도너 기판 및 이를 사용한 유기 전계 발광 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 유기 전계 발광 소자는 저전압 구동, 높은 발광 효율, 넓은 시야각 및 빠른 응답 속도등에 의해 고화질의 동영상을 표현할 수 있어 차세대 디스플레이로서 각광을 받고 있다.
또한, 이와 같은 유기 전계 발광 소자는 양극과 음극 사이에 유기 발광층을 포함한 유기막으로 구성되어 있으며, 상기 두 전극에 전압를 인가하여 줌으로써 전자와 정공이 유기 발광층내에서 재결합하여 빛을 발생하는 자체발광형으로서 LCD와 같은 백라이트가 필요하지 않아 경량박형이 가능할뿐만 아니라 공정을 단순화 시킬 수 있는 장점을 가지고 있다.
여기서, 상기 유기막, 특히 유기 발광층의 재료에 따라 저분자형 유기전계발광소자와 고분자형 유기전계발광소자로 분류되어진다.
상기 저분자형 유기전계발광소자는 양극과 음극사이에 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 정공억제층, 전자주입층등의 기능이 각각 다른 다층의 유기막으로 형성되어 있어 전하들의 축적이 일어나지 않도록 도핑을 하거나 적절한 에너지 준위를 갖는 물질로 대체하여 줌으로써 조절이 가능하다. 여기서, 이와 같은 유기막은 주로 진공 증착에 의해 형성이 되어지므로 대형화된 디스플레이를 구현하는데 어려움이 있다.
반면에, 상기 고분자형 유기전계발광소자는 양극과 음극사이에 유기발광층으로 이루어진 단층 구조이거나 정공수송층을 포함하는 이중구조로 이루어질 수 있어 두께가 얇은 층의 유기전계발광 소자를 제조할 수 있으며, 또한 상기 유기막은 습식 코팅에 의해 형성되어지므로 상압하에서도 제작할 수 있어 생산 공정의 비용을 절감할 수 있을뿐더러 대면적화를 이루는데 용이하다.
여기서 단색 소자를 제작하는 경우에 있어서, 고분자를 이용한 유기전계발광소자는 스핀코팅공정을 이용하여 간단하게 소자를 제작할 수 있으나 저분자 유기전계발광소자보다 효율과 수명이 떨어진다는 단점이 있다. 또한 풀칼라 소자인 경우, 상기의 유기 전계 발광 소자에 R, G 및 B의 삼원색을 나타내는 발광층을 패터닝함으로서 풀칼라를 구현할 수 있다. 여기서, 저분자형 유기전계발광소자의 유기막 패터닝은 쉐도우 마스크를 이용한 증착에 의해 패터닝할 수 있으며, 고분자형 유기전계발광소자의 유기막 패터닝은 잉크젯 프린팅 또는 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging : LITI)에 의해 이루어질 수 있다. 이 중에서 레이저 열전사법은 스핀 코팅특성을 그대로 이용할 수 있어 대면적화를 이루었을때 픽셀 내부 균일도가 우수하다. 또한 레이저 열전사법은 습식 공정이 아니라 건식 공정이므로 용매에 의한 수명이 저하되는 문제점을 해결할 수 있으며, 또한 상기 유기막을 미세하게 패터닝할 수 있다.
상기 레이저 열전사법을 적용하기 위해서는 기본적으로 광원, 유기전계발광소자 기판 즉, 기판 및 도너 기판을 필요로 하며, 상기 도너 기판은 기재층, 광-열 변환층, 중간층 및 유기막으로 이루어진다.
상기 레이저 열전사법은 광원에서 빛이 나와 도너 기판의 광-열 변환층에 흡수되어 빛이 열에너지로 전환되고, 전환된 열에너지에 의해 전사층에 형성된 유기물질이 기판으로 전사되어 형성되는 방법이다.
상기 레이저 열전사법에 의한 유기 전계 발광 소자의 패턴 형성 방법은 한국 특허등록번호 10-0342653호에 개시되어 있으며, 또한, 미국 특허 제 5,998,085호, 6,214,520호 및 6,114,085호에 이미 개시되어 있다.
도 1a 내지 도 1c는 레이저 열전사법에 의한 유기막 패턴과정을 설명하기 위해 도시한 도면이다.
도 1a를 참조하면, 상기 기판(10)이 제공되고 상기 기판에 기재층(21), 광-열 변환층(22) 및 유기막(23)으로 이루어진 도너 기판(20)을 합착(lamination)시킨다.
이어서, 도 1b에서와 같이 상기 도너 기판(20)의 기재층(21)에 제 1영역(a)에 레이저(X)에 의한 빛을 조사한다. 상기 기재층(21)을 통과한 빛이 광-열 변환층(22)에서 열로 변환되고, 발생된 상기 열에 의해서 상기 제 1영역(a)의 유기막과 광-열변환층(22)의 접착력이 쇠퇴하게 된다.
이어서, 도 1c에서와 같이 접착력이 쇠퇴된 유기막 즉, 제 1영역(a)의 유기막이 상기 기판에 전사된 후, 기판(10)으로부터 도너 기판(20)을 탈착시키면 전사된 유기막(23a)은 기판에 형성되어지며, 제 2영역 즉, 빛이 조사되지 않은 영역(b)의 유기막(23b)은 탈착시 도너 기판과 동시에 떨어져 나옴으로써 패턴된 유기막(23a)을 형성할 수 있다.
그러나, 상기와 같은 레이저 열전사법에 의해 패턴된 유기막을 형성함에 있어서 도너 기판(20)과 기판(10)을 흡착을 하고 탈착시키는 과정을 거치면서 마찰 및 외부의 환경적 요인에 의해 정전기가 발생할 수 있다. 이와 같은 정전기 방전의 전압은 수천에서 수만 볼트에 이르기 때문에 정전기에 의해 접합부분이 쇼트되거나 소자 내부의 온도 상승에 의해 금속이 녹거나 접합선이 떨어지게 되는 등 소자의 불량을 유발할 수 있으며, 소자 내부 회로에 영향을 주게 되어 소자의 특성을 저해할 수 있다.
본 발명은 상술한바와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 레이저 전사법에 의해 유기막 형성시 정전기 발생을 제어할 수 있는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법을 제공한다.
본 발명은 상기한 목적을 달성하기 위하여, 기재층과;
상기 기재층의 상부 전면에 걸쳐 형성된 광-열변환층과;
상기 기재층의 전면에 걸쳐 상기 광-열변환층의 상부에 형성된 대전방지막과;
상기 대전방지막의 상부에 형성되며 상기 대전방지막의 소정부분이 노출되어 패턴되어있는 전사층을 포함하며,
상기 대전방지막은 도전성의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 레이저 전사용 도너 기판을 제공한다.
또한, 본 발명은 기재층이 제공되는 단계와;
상기 기재층의 상부 전면에 걸쳐 광-열변환층을 형성하는 단계와;
상기 기재층의 전면에 걸쳐 상기 광-열변환층의 상부에 대전방지막을 형성하는 단계와;
상기 대전방지막의 상부에 형성하고 상기 대전방지막의 소정 부분이 노출된 패턴된 전사층을 형성하는 단계와;
상기 대전방지막은 도전성의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 레이저 전사용 도너 기판의 제조 방법을 제공한다.
또한, 본발명은 기판상에 제 1전극을 패턴시켜 형성하는 단계;
상기 기판을 접지된 스테이지에 흡착하여 고정하는 단계;
상기 기판의 상에 대전방지막을 구비한 도너 기판을 합착하고;
상기 도너 기판에 선택적으로 레이저를 조사하여 적어도 발광층을 포함하는 유기막을 전사하는 단계;
상기 유기막이 상기 기판에 전사된 후의 도너 기판을 상기 기판으로부터 탈착하는 단계;
상기 유기막의 상에 제 2전극을 형성단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기의 제조 방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광 소자를 제공한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 도너 기판의 단면을 도시한 것이다.
도 2를 참조하면, 기재층(101)이 제공되고 상기 기재층(101)상에 광-열 변환층(102), 대전방지막(103) 및 전사층(104)이 순차적으로 적층되어 있다.
상기 기재층(101)은 광-열 변환층(102)에 빛을 전달하기 위하여 투명성을 가져야 하며, 적당한 광학적 성질과 충분한 기계적 안정성을 가지는 고분자 물질로 이루어질 수 있다. 상기 기재층(101)은 폴리에스테르, 폴리아크릴, 폴리에폭시, 폴리에틸렌 및 폴리스틸렌으로 이루어진 군에서 선택된 하나이상의 고분자 물질로 이루어질 수 있다. 더욱 바람직하게는 상기 기재층(101)은 폴리에틸렌 테레프탈레이트일 수 있다.
상기 광-열 변환층(102)은 적외선-가시광선 영역의 빛을 흡수하여 상기 빛의 일부분을 열로 변환시키는 층으로서, 적당한 광학밀도(optical density)를 가져야 하며, 빛을 흡수하기 위한 광흡수성 물질을 포함하는 것이 바람직하다. 여기서, 상기 광-열 변환층(102)는 Al, Ag 및 이들의 산화물 및 황화물로 이루어진 금속막이거나 카본 블랙, 흑연 또는 적외선 염료를 포함하는 고분자로 이루어진 유기막으로 이루어질수 있다. 여기서, 상기 금속막은 진공 증착법, 전자빔 증착법 또는 스퍼터링을 이용하여 형성할 수 있으며, 상기 유기막은 통상적인 필림 코팅 방법으로서, 롤 코팅, 그라비아, 압출, 스핀 크팅 및 나이프 코팅법중에 하나의 방법에 의해 형성될 수 있다.
상기 대전방지막(103)은 상기 도너기판을 상기 기판에 접착하거나, 레이저 조사후 도너 기판을 탈착시킬경우에 발생할 수 있는 정전기를 제어하기 위한 것으로서, 상기 도너기판내의 대전 방지막이 접지되어 있는 스테이지와 전기적으로 연결되어 정전기의 발생을 억제할 수 있다. 상기 대전방지막은 유기재료, 무기재료 및 유기-무기 복합재료중에 하나의 물질로 형성할 수 있다. 이를테면, 상기 유기재료는 전도성 고분자로서, 폴리아닐린(polyaniline), 폴리피롤(polypyrole), 폴리티오펜(poythiophene) 및 폴리에틸렌디옥시티오펜 (poly(3,4-ethylenedioxythiophene)으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질중에 하나 일 수 있다. 이와 같은 전도성 고분자는 습식 코팅에 의해 균일하게 막을 형성할 수 있다는 장점이 있다. 또한 상기 무기 재료는 ATO(antimony tin oxide), ITO(indium tin oxide), IZO(indium zirdonium oxide), Nb2O3, ZnO 및 TiN으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질일 수 있다. 이와 같은 무기 재료는 전도성이 좋아 효율적으로 정전기를 제어할 수 있으며, 내구성이 우수하다. 그리고, 상기 유기-무기 복합재료는 ATO졸, ITO졸, Ag-Pd 및 Ag-Ru로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질일 수 있다. 상기 유기-무기 복합재료는 졸 상태로서 박막을 형성하기 유리할 뿐만 아니라 전도성이 좋다는 장점을 가지고 있다.
상기 전사층(104)은 유기 발광층, 정공 주입성 유기막, 정공 수송성 유기막, 정공 억제 유기막, 전자 주입성 유기막 및 전자 수송성 유기막으로 이루어진 군에서 선택된 하나로 이루어지거나 적층막으로 이루어질 수 있다.
이와 같은 상기 전사층은 압출, 스핀 코팅, 나이프 코팅, 진공 증착법 및 CVD등의 방법에 의해 형성될 수 있다. 이어서, 상기 전사층의 소정 부분을 패터닝하여 상기 대전방지막의 일부분이 노출되어진 전사층 패턴을 형성한다. 이로써, 레이저 전사법에 의해 유기막을 형성시에 상기 도너 기판의 노출된 대전방지막이 접지된 스테이지에 전기적으로 연결되어 레이저 전사공정시에 발생할 수 있는 정전기를 제어할 수 있다.
또한, 상기 대전방지막(103)과 상기 전사층(104)사이에 전사 특성을 향상시키기 위해 상기 대전방지막의 소정부분이 노출되도록 패턴된 중간층을 더 포함할 수 있다. 여기서, 상기 중간층은 가스생성층, 버퍼층 및 금속박막중에 하나 이상으로 이루어질 수 있다.
상기 가스생성층은 광 또는 열을 흡수하면 분해반응을 일으켜 질소 가스나 수소 가스등을 방출함으로서 전사에너지를 제공하는 역할을 수행하며, 사질산펜타에리트리트 또는 트리니트로톨루엔등으로 이루어질 수 있다.
상기 버퍼층은 광-열 흡수성 물질이 후속 공정에서 형성되는 전사층의 오염 또는 손상시키는 것을 방지하고 전사층과의 접착력을 제어하여 전사 패턴 특성을 향상시키는 역할을 한다. 여기서, 상기 버퍼층은 금속산화물, 비금속 무기 화합물 또는 불활성 고분자로 이루어질 수 있다.
상기 금속박막은 도너 기판의 기재층에 조사된 레이저를 반사시킴으로서 광-열 변환층에 더 많은 에너지가 전달되도록 하는 역할을 할 뿐만 아니라 가스생성층이 도입되는 경우에 있어서, 상기 가스생성층으로부터 누설되는 가스가 전사층으로 침투하는 것을 방지하는 역할을 수행한다.
이하, 도 3a 내지 도 3c를 참조하여 본 발명에 따른 도너 기판을 사용한 레이저 전사법에 의한 유기 전계 발광 소자의 제조 방법에 관하여 설명하기 위해 도 시한 것이다.
도 3a를 참조하면, 기판(200)을 접지되어 있는 기판 흡착 스테이지(300)에 공급한다.
여기서, 상기 기판(200)은 절연기판 상에 통상적인 방법에 의해 제 1전극(202)을 형성하고, 제 1전극상에 화소부를 정의하는 화소정의막(203)을 포함한다. 또한, 상기 기판은 박막트랜지스터 및 다수의 절연막을 포함할 수 있다. 상기 제 1전극(202)은 양극일 경우에 있어서, 일함수가 높은 금속으로서 ITO이거나 IZO로 이루어진 투명전극이거나, Pt, Au, Ir, Cr, Mg, Ag, Ni, Al 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 반사전극일 수 있다.
또한, 상기 제 1전극(202)이 음극일 경우, 일함수가 낮은 금속으로서 Mg, Ca, Al, Ag, Ba 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택하되 얇은 두께를 갖는 투명전극이거나, 두꺼운 반사전극일 수 있다.
상기 기판 흡착 스테이지(300)는 접지되어 있으며, 기판(200)을 흡입부(300a)에 의해 흡착, 고정하여 이동하는 수단이다.
한편, 기재 필름(101), 광-열 변환층(102), 대전방지막(103) 및 전사층(104)을 포함하는 도너 기판(100)을 일실시예에 따라 제조한다. 여기서, 상기 대전방지막은 소정부분 노출되어 있는 것이 바람직하다.
이어서, 도 3b와 같이 상기 도너 기판(100)을 상기 기판 흡착 스테이지(300)에 고정된 기판(200)에 일정한 간격으로 이격되게 향하도록 배치하여 흡착한 후, 상기 도너 기판의 소정 영역에 레이저를 조사하여 상기 전사층을 상기 제 1전극상의 화소영역에 전사한다. 여기서, 상기 도너 기판의 노출되어진 대전방지막이 상기 접지된 스테이지에 전기적으로 연결되어 공정시에 발생할 수 있는 정전기를 제어할 수 있다.
여기서, 상기 전사층은 적어도 유기발광층을 포함하며, 소자의 특성을 향상시키기 위하여 정공주입층, 정공수송층, 정공억제층, 전자수송층 및 전자주입층으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
상기 유기발광층은 적색발광재료인 Alq3(호스트)/DCJTB(형광도판트), Alq3(호스트)/DCM(형광도판트), CBP(호스트)/PtOEP(인광 유기금속 착체) 등의 저분자 물질과 PFO계 고분자, PPV계 고분자등의 고분자물질을 사용할 수 있으며, 녹색발광재료인 Alq3, Alq3(호스트)/C545t(도판트), CBP(호스트)/IrPPy(인광 유기금속 착체) 등의 저분자 물질과 PFO계 고분자, PPV계 고분자등의 고분자물질을 사용할 수 있다. 또한, 청색발광재료인 DPVBi, 스피로-DPVBi, 스피로-6P, 디스틸벤제(DSB), 디스티릴아릴렌(DSA) 등의 저분자 물질과 PFO계 고분자, PPV계 고분자등의 고분자물질을 사용할 수 있다.
상기 제 1전극이 애노드전극인 경우에 있어서, 상기 제 1전극(202)의 상부에 정공주입층이 형성되며, 상기 제 1전극(202)전극과 계면 접착력이 높고 이온화 에너지가 낮은 재료로 정공주입층을 형성함으로서 정공 주입을 용이하게 하며 소자의 수명을 증가시킬 수 있다. 상기 정공주입층은 아릴 아민계 화합물, 포피린계의 금속착체 및 스타버스터형 아민류등으로 이루어질 수 있다. 더욱 상세하게는 4,4',4"-트리스(3-메틸페닐페닐아미노)트리페틸아미노(m-MTDATA), 1,3,5-트리스[4-(3-메틸페닐페닐아미노)페닐]벤젠(m-MTDATB) 및 프타로시아닌 구리(CuPc)등으로 이루어 질 수 있다.
상기 정공수송층은 정공을 쉽게 발광층으로 운반시킬 뿐만 아니라 상기 제 2전극으로부터 발생한 전자를 발광영역으로 이동되는 것을 억제시켜 줌으로서 발광효율을 높일수 있는 역할을 한다. 상기 정공수송층은 아릴렌 디아민 유도체, 스타버스트형 화합물, 스피로기를 갖는 비페닐 디아민 유도체 및 사다리형 화합물등으로 이루어질 수 있다. 더욱 상세하게는 N,N-디페닐-N,N'-비스(4-메틸페닐)-1,1'-바이페닐-4,4'-디아민(TPD)이거나 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(NPB)일 수 있다.
상기 정공억제층은 유기발광층내에서 전자 이동도보다 정공 이동도가 크고 발광층에서 형성되는 여기자가 넓은 영역에 걸쳐 분포하므로 발광 효율이 떨어지는 것을 방지하는 역할을 한다. 상기 정공 억제층은 2-비페닐-4-일-5-(4-t-부틸페닐)-1,3,4-옥시디아졸(PBD), spiro-PBD 및 3-(4'-tert-부틸페닐)-4-페닐-5-(4'-비페닐)-1,2,4-트리아졸(TAZ)로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질로 이루어질 수 있다.
상기 전자수송층은 상기 유기발광층상부에 적층되며 전자가 잘 수용할 수 있는 금속화합물로 이루어지며 제 2전극으로부터 공급된 전자를 안정하게 수송할 수 있는 특성이 우수한 8-하이드로퀴놀린 알루미늄염(Alq3)로 이루어질 수 있다.
여기서, 상기와 같은 유기막은 스핀 코팅이나 증착법에 의해 형성될 수 있거나, 상기 도너 기판의 전사층 형성시 유기발광층과 상기 유기막중에 하나를 적층하 여 레이저 전사시 동시에 형성할 수 있다.
도 3c와 같이, 상기 제 1전극상에 전사층이 전사된 후 상기 도너 기판을 탈착시킴으로써 유기막 패턴을 형성한다. 이어서, 상기 유기막 패턴상에 제 2전극을 형성한 후, 도에는 도시하지 않았으나 메탈 캔으로 봉지하여 유기 전계 발광 소자를 완성한다.
상기 제 2 전극(204)이 음극인 경우에 있어서, 상기 유기막(104')의 상부에 형성되며 일함수가 낮은 도전성의 금속으로 Mg, Ca, Al, Ag 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질로서 얇은 두께를 갖는 투명전극이거나, 두꺼운 두께를 갖는 반사전극으로 형성된다.
또한, 상기 제 2 전극(204)이 양극인 경우에 있어서, 일함수가 높은 금속으로서, ITO 또는 IZO로 이루어진 투명전극이거나, Pt, Au, Ir, Cr, Mg, Ag, Ni, Al 및 이들의 합금으로 이루어진 반사전극일 수 있다.
상기한 바와 같이 본 발명에 따르면, 레이저 전사법에 의해 유기전계발광소자를 제조시에 발생할 수 있는 정전기를 효과적으로 제어할 수 있어 정전기에 의한 소자 특성 저하를 방지하여 고품질의 디스플레이를 구현할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
Claims (13)
- 기재층과;상기 기재층의 상부 전면에 걸쳐 형성된 광-열변환층과;상기 기재층의 전면에 걸쳐 상기 광-열변환층의 상부에 형성된 대전방지막과;상기 대전방지막의 상부에 형성되며 상기 대전방지막의 소정부분이 노출되어 패턴되어있는 전사층을 포함하며,상기 대전방지막은 도전성의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 레이저 전사용 도너 기판.
- 제 1항에 있어서,상기 도전성 물질은 유기재료, 무기재료 및 유기-무기 복합재료중에 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 레이저 전사용 도너 기판.
- 제 2항에 있어서,상기 유기재료는 폴리아닐린(polyaniline), 폴리피롤(polypyrole), 폴리티오펜(poythiophene) 및 폴리에틸렌디옥시티오펜 (poly(3,4-ethylenedioxythiophene)으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질인 것을 특징으로 하는 레이저 전사용 도너 기판.
- 제 2항에 있어서,상기 무기재료는 ATO(antimony tin oxide), ITO(indium tin oxide), IZO(indium zirdonium oxide), Nb2O3, ZnO 및 TiN으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질인 것을 특징으로 하는 레이저 전사용 도너 기판.
- 제 2항에 있어서,상기 유기-무기 복합 재료는 ATO졸, ITO졸, Ag-Pd 및 Ag-Ru로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질인 것을 특징으로 하는 레이저 전사용 도너 기판.
- 제 1항에 있어서,상기 레이저 열전사용 도너 기판은 상기 대전방지막과 상기 전사층사이에 형성되며, 상기 대전방지막의 소정 부분이 노출되게 하는 중간층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 열전사용 도너 기판.
- 제 6항에 있어서,상기 중간층은 가스생성층, 버퍼층 및 금속 박막층으로 이루어진 군에서 하나 이상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 레이저 열전사용 도너 기판.
- 제 1항에 있어서,상기 전사층은 유기발광층, 정공 주입성 유기막, 정공 수송성 유기막, 정공 억제유기막, 전자 주입성 유기막 및 전자 수송성 유기막으로 이루어진 군에서 선택된 하나로 이루어지거나 적층막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 레이저 전사용 도너 기판.
- 기재층이 제공되는 단계와;상기 기재층의 상부 전면에 걸쳐 광-열변환층을 형성하는 단계와;상기 기재층의 전면에 걸쳐 상기 광-열변환층의 상부에 대전방지막을 형성하는 단계와;상기 대전방지막의 상부에 형성하고 상기 대전방지막의 소정 부분이 노출된 패턴된 전사층을 형성하는 단계와;상기 대전방지막은 도전성의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 레이저 전사용 도너 기판의 제조 방법.
- 기판상에 제 1전극을 패턴시켜 형성하는 단계;상기 기판을 접지된 스테이지에 흡착하여 고정하는 단계;상기 기판의 상에 도전층을 구비한 제 1항의 도너 기판을 합착하고;상기 도너 기판에 선택적으로 레이저를 조사하여 적어도 발광층을 포함하는 유기막을 전사하는 단계;상기 유기막이 상기 기판에 전사된 후의 도너 기판을 상기 기판으로부터 탈 착하는 단계;상기 유기막의 상에 제 2전극을 형성단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.
- 제 10항에 있어서,상기 도너 기판의 노출된 도전층은 상기 스테이지에 전기적으로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.
- 제 10항에 있어서,상기 유기막은 정공 주입성 유기막, 정공 수송성 유기막, 정공 억제 유기막, 전자 주입성 유기막 및 전자 수송성 유기막으로 이루어진 군에서 선택된 하나이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.
- 제 10항의 제조 방법에 의하여 제조되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
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