KR100603700B1 - 화학적으로 증폭된 포토레지스트의 해상도를 향상시키는방법 - Google Patents
화학적으로 증폭된 포토레지스트의 해상도를 향상시키는방법 Download PDFInfo
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Abstract
본발명은 기판상에 화학적으로 증폭된 포토레지스트의 부조(relief) 이미지를 형성하는 단계(상기 부조 이미지는 제 1 치수의 피처를 포함함)와, 상기 부조 이미지의 제 1 치수를 제 2 치수로 감소시키는데 효과적인 시간동안 수성 산성 용액과 상기 부조 이미지를 접촉시키는 단계를 포함하는 화학적으로 증폭된 포토레지스트의 해상도를 향상시키는 방법에 관한 것이다.
Description
본 발명은 일반적으로 집적 회로 디바이스의 제조시에 사용되는 화학적으로 증폭된 포토레지스트에 관한 것이고, 더욱 구체적으로는, 패터닝된 화학적으로 증폭된 포토레지스트의 해상도(resolution)를 증가시키는 방법에 관한 것이다. 반도체 집적 회로의 제조에 있어서, 공지된 많은 포토리소그래피 기술을 사용하여 다양한 기능의 피처를 집적 회로 칩의 상이한 레벨 상에 패터닝한다. 일반적으로, 포토리소그래피는 금속화층, 산화물 유전층, 폴리실리콘 층, 실리콘 층 등과 같은 웨이퍼 층의 영역을 후속 에칭 공정으로부터 선택적으로 보호하기 위해서, 선택적으로 포토레지스트 코팅된 실리콘 웨이퍼의 영역을 광 방사선 패턴에 노출시키는 단계와 이후에 상기 노출된 포토레지스프를 현상시키는 단계를 포함한다.
공지되어 있는 바와 같이, 포토레지스트는 실리콘 웨이퍼의 선택된 층위로 일반적으로 스핀-코팅된 광 방사선-민감성(radiation-sensitive) 물질이다. 상기 포토레지스트 물질은 노출되는 동안 광 방사선에 어떻게 화학적으로 반응하느냐에 따라 포지티브 또는 네거티브 둘 중의 하나로 분류된다. 포지티브 포토레지스트는 방사선에 노출되었을 때, 더 용해되어 현상공정 중에 더 쉽게 제거된다. 반대로, 네거티브 포토레지스트는 방사선에 노출되었을 때, 일반적으로 덜 용해되어 이로 인해 노출되지 않은 영역의 제거를 가능하게 한다.
화학적으로 증폭된 포토레지스트는 산 촉매 반응이 적용되는 포토레지스트이다. 화학적으로 증폭된 포토레지스트는 일반적으로 산 불안정 펜던트 그룹(acid liable pendant group)을 가진 베이스(base) 수지, 광산 발생제(photoacid generator), 성능 조절을 위한 소량의 첨가제 및 기판상에 포토레지스트를 스핀 코팅하기 위한 유기 용매를 포함한다. 화학적으로 증폭된 포토레지스트 조성물은 광생성된(photogenerated) 산의 유니트 당 디프로텍션(deprotection) 반응에 의존할 수 있으며 노출된 영역과 노출되지 않은 영역 간의 용해 특성의 변화에 영향을 미친다. 디프로텍션 메카니즘에서, 활성화하는 방사선에 노출되면 촉매량의 수소 이온(산)이 광산 발생제에 의해 발생하여 펜던트 산 불안정 그룹을 베이스 수지로부터 촉매적으로 분리(cleave)하여 극성 그룹을 형성하고 알칼리 용해성인 조사된 포토레지스트를 만든다. 활성화 방사선에 노출되지 않은 포토레지스트의 그러한 영역은 일반적으로 알칼리에 용해될 수 없고 이로인해 현상중에 노출된 영역과 노출되지 않은 영역간에 용해도 차이(dissolution differential)를 제공한다. 현상에 뒤이어서 반도체 기판의 표면은 마스크로 전술된 포토레지스트 패턴을 사용하여 선택적으로 에칭될 수 있다.
고성능의 집적 회로 디바이스를 위해 피처 크기가 점점 더 작게 디자인됨에 따라, 화학적으로 증폭된 포토레지스트가 상대적으로 잘 작용한다 하더라도 조악한 포토레지스트 현상으로 인해 이러한 고성능 디자인의 해상도는 수용가능한 해상도이하로 구현(exemplify)되어지고 있다. 또한, 해상도는 노출 파장(wavelength of exposure)에 의해 제한된다.
본 명세서내에 기재된 것은 화학적으로 증폭된 포토레지스트의 해상도를 향상시키는 방법이다. 상기 방법은, 기판상에 화학적으로 증폭된 포토레지스트의 부조(relief) 이미지를 형성하는 단계와(여기서 상기 부조 이미지는 제1 치수의 피처를 포함함), 상기 부조 이미지의 제1 치수를 제2 치수로 감소시키는데 효과적인 시간동안 수 산성 용액과 상기 부조 이미지를 접촉시키는 단계를 포함한다.
다른 실시예에서, 상기 방법은 기판상에 화학적으로 증폭된 포토레지스트의 부조 이미지를 형성하는 단계와(여기서 상기 부조 이미지는 제 1 치수의 피처를 포함함), 상기 부조 이미지의 제 1 치수를 제 2 치수로 감소시키는데 효과적인 시간동안 수 산성 용액과 상기 부조 이미지를 접촉시키는 단계와(여기서, 상기 산성용액은 6보다 작은 pKa를 갖는 산 화합물을 포함함), 수 산성 용액을 제거하기 위해 기판을 세척하는 단계(rinsing)를 포함한다.
전술한 특성 및 다른 특성들은 첨부되는 도면 및 상세한 설명에 의해 예증되어진다.
본명세서에 기재된 것은 패터닝된 포토레지스트 층을 가공하기 위한 프로세스이다. 도 1에 나타난 바와 같이, 상기 프로세스는 일반적으로 기판상에 화학적으로 증폭된 포토레지스트의 층을 증착하는 단계와, 상기 화학적으로 증폭된 포토레지스트를 리소그래피적으로 패터닝하고 현상하여 부조 이미지를 생성하는 단계와(여기서 상기 부조 이미지는 제1 치수를 갖는 다양한 포토레지스트 피처를 포함함), 상기 부조 이미지 위에 수 산성 용액을 증착하여 상기 제1 치수를 제2 치수로 감소시키는 단계와, 기판을 세척하는 단계를 포함한다. 더 상세하게 설명하면, 다양한 포토레지스트 피처를 제1 치수로부터 제2 치수로 감소시키는 것은 투사 리소그래피와 물리적으로 관련된 에어리얼 이미지 제한(aerial image constraints)을 넘어 부조 이미지의 해상도 패턴을 증가시킨다.
상기 수 산성 용액은 산 화합물과 물을 포함하는 것이 바람직하다. 이론에 구속되기를 원하는 것은 아니지만, 부조 이미지 상에 수 산성 용액을 증착하는 것은 수 산성 용액과 부조 이미지 사이의 인터페이스에서 포토레지스트 폴리머의 산 불안정 펜던트 그룹을 분리함으로써 제1 치수를 제2 치수로 감소시킨다고 믿어진다. 상기 산화합물로부터 하이드로늄 이온이나 수소 이온은 포토레지스트 베이스 수지 내에서 산 불안정 펜던트 그룹의 추가적인 디프로텍션을 야기하면서 패터닝된 포토레지스트 내로 더 확산 될 수 있다. 감소의 정도는 산 화합물의 투입 깊이(penetrative depth) 및 상기 산 불안정 그룹의 디프로텍션 정도에 의해 결정되는데, 사용된 산화합물의 종류와 프로세스 조건에 의해 조절될 수 있다. 따라서, 포토레지스트 부조 이미지에서 제공된 제 1 치수는 종래의 포토리소그래피 방법에 의해 얻어질 수 없는 피처 크기인 제 2 치수로 감소된다.
적절한 산화합물에는 무기산, 유기산 또는 무기산 및/또는 유기산의 컴비네이션(combinations)이 포함된다. 바람직한 실시예에서, 산화합물은 6 또는 그보다 작은 pKa를 가지는데 4 또는 그보다 작은 pKa가 더 바람직하고 2 또는 그보다 작은 pKa가 가장 바람직하다.
무기산의 구체적인 예에는 질산, 하이드로플루오릭 에시드, 하이드로클로릭 에시드, 하이드로브로믹 에시드, 및 하이드로아이오딕 에시드와 같은 할로겐 산, 설퓨릭 에시드, 설퓨로우스 에시드, 퍼클로릭 에시드, 보릭 에시드 또는 포스포러스 에시드 및 포스포릭 에시드와 같은 인산 또는 전술한 무기산의 적어도 하나를 포함하는 컴비네이션이 포함된다.
유기산에는 포르믹 에시드, 아세틱 에시드, 프로피오닉 에시드, 부티릭 에시드 등, 디클로로아세틱 에시드, 트리클로로아세틱 에시드, 퍼플루오로아세틱 에시드, 퍼플루오로옥타노익 에시드를 포함하는 알카노익 에시드와 같은 카르복실릭 에시드 및 폴리카르복실릭 에시드(일반적으로 1 내지 10의 탄소 원자를 포함함), 옥살릭 에시드, 말로닉 에시드, 석시닉 에시드 등과 같은 디카르복실릭 에시드(일반적으로 1 내지 12의 탄소 원자를 포함함), 시트릭 에시드와 같은 하이드록시알카노익 에시드(일반적으로 1 내지 10의 탄소 원자를 포함함), 디메틸포스포릭 에시드 및 디메틸포시피닉 에시드와 같은 유기 포스포러스 에시드, 메탄설포닉 에시드, 에탄설포닉 에시드, 1-펜탄설포닉에시드, 1-헥산설포닉에시드, 1-헵탄설포닉에시드를 포함하는 알킬설포닉 에시드와 같은 설포닉 에시드(일반적으로 1 내지 20의 탄소 원자를 포함함), 벤젠설포닉 에시드, 벤젠디설포닉 에시드, 톨루엔설포닉 에시드, 나프탈렌설포닉 에시드와 같은 방향족 설포닉 에시드 또는 전술한 유기산의 적어도 하나를 포함하는 컴비네이션이 포함된다.
상기 수 산성 용액은 레지스트의 표면에서 산 불안정 그룹의 디프로텍션을 야기하고 베이스 수지내에 존재하는 적절한 양의 산화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 적어도 하나의 산화합물의 0.001중량% 내지 10중량%의 수성 산 용액이 바람직하고, 적어도 하나의 산화합물의 0.01중량% 내지 5중량%의 수성 산 용액이 더욱 바람직하고, 적어도 하나의 산화합물의 0.05중량% 내지 1중량%의 수성 산 용액이 가장 바람직하다. 일반적으로 용액 내 산 화합물 농도가 더 높아지면 치수가 더 크게 감소한다. 상기 수 산성 용액은 코팅 형성 첨가제, 계면활성제, 이동성 향상제(mobility enhances) 등과 같은 다양한 첨가제를 선택적으로 더 함유할 수 있다.
상기 수성 산성 용액이 포토레지스트 부조 이미지를 접촉하도록 허락되어지는 시간은 주로 산화합물의 정체(identity), 용액내 산화합물의 농도, 레지스트의 종류 및 디프로텍트된 포토레지스트 층의 바람직한 크기 또는 두께에 따른다. 비록 약간 더 짧거나 긴 시간이 허락되어질 수 있다 하더라도, 수성 산성 용액은 1초 내지 10분의 시간 동안 포토레지스트 부조 이미지를 접촉하는 것이 바람직하고 10초 내지 5분동안 접촉하는 것이 더 바람직하고 15초 내지 2분 동안 접촉하는 것이 가장 바람직하다.
임의로, 수 산성 용액이 포토레지스트 부조 이미지와 접촉될 때 열이 가하여진다. 수성 산성 용액은 20℃ 내지 100℃의 온도에서 적용되는 것이 바람직하고, 30℃ 내지 80℃가 더 바람직하고 30℃ 내지 50℃가 가장 바람직하다. 대안적으로, 그위에 포토레지스트 부조 이미지를 갖는 기판은, 기판과 접촉하면 수 산성 용액이 가열되는 온도로 가열되는 것이 바람직하다.
상기 제 1 치수는 두께와 폭에 있어서 적어도 10% 더 작은 제 2 치수로 감소되는 것이 바람직하고, 적어도 20% 더 작은 것이 더욱 바람직하며, 적어도 30%나 그 이상 더 작은 것이 더욱 바람직하며, 적어도 50%나 그 이상 더 작은 것이 가장 바람직하다.
적합한 화학적으로 증폭된 포토레지스트에는 DUV, 193nm 및 157nm 응용 또는 그와 유사한 것에 사용되는 화학적으로 증폭된 포토레지스트가 포함된다. 노볼락, 폴리비닐페놀, 아세탈, 아크릴레이트, 싸이클릭 올레핀 등이 포함되나 이에 제한되지는 않는다. 다른 화학적으로 증폭된 포토레지스트 제제(formulations)는 본 명세서의 관점에서 당업자에게는 명백할 것이다. 화학적으로 증폭된 포토레지스트는 Hoechst Celanese, Shipley Company, JSR Microelectronics, Clariant, Arch Chemical 및 Tokyo Ohka Kogyo Company를 포함하는 다수의 회사로부터 상업적으로 시판되고 있다.
화학적으로 증폭된 포토레지스트는 일반적으로 산 불안정 펜던트 그룹을 가진 베이스 폴리머 수지를 포함한다. 일반적으로 상기 폴리머는 비닐페놀의 폴리머 또는 코폴리머이며 임의로 다른 코폴리머화 할 수 있는 그룹이다. 코폴리머에는 치환되거나 치환되지 않은 페놀 및 비-방향족 그룹의 유니트, 특히 비닐 페놀 및 알킬 아크릴레이트(일반적으로 탄소수 1 내지 12의 탄소원자를 갖는 알킬 아크릴레이트)의 코폴리머가 포함된다. 예를들면, 상기 폴리머에는 적어도 하나의 폴리(p-tert부톡시카르보닐옥시-αa-메틸스티렌), 폴리(p-tert-보톡시카르보닐옥시스티렌), 폴리(tert-부틸 p-비닐벤조에이트), 폴리(tert-부틸 p-이소프로페닐페닐옥시아세테이트), 폴리(tert-부틸메타크릴레이트), 폴리메틸메타크릴레이트, 아크릴레이트 기재의 폴리머(acrylate based polymers), 노보락/디아조나프토퀴논 수지, 니트렌 크로스된(crossed) 하이드록시스티렌 폴리머 및 폴리(부텐-1-설폰)이 포함될 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 폴리머는 페놀릭 및 사이클릭 알콜 유니트, 하이드록시스티렌과 아크릴레이트, 메타크릴레이트, 아크릴레이트와 메타크릴레이트의 혼합물, 아다맨틸 메타크릴레이트, 3-옥소-사이클로헥실 메타크릴레이트, 테트라하이드로피라니메타크릴레이트, 트리사이클로데카닐 아크릴레이트, 이소보닐 폴리머, 폴리노보넨, 폴리안트릴메타크릴레이트, 폴리(비닐메틸 에테르-코-말리엑 안하이드라이드), 폴리(스티렌-코-말레익 안하이드라이드)를 포함한다. 상기 폴리머성 재료에는 부분적으로 t-부톡시카르보닐옥시 치환된 폴리-p-하이드록시스티렌, 부분적으로 t-부톡시카르보닐옥시치환된 폴리-3-하이드록시페닐 페닐실록산, 부분적으로 t-부틸 치환된 폴리메타크릴레이트 및 부분적으로 아다맨틸 치환된 폴리메타크릴레이트가 포함될 수 있다.
일반적으로, 포토레지스트 베이스 수지 폴리머에 부착된 상기 산 불안정 펜던트 그룹은 트리틸, 벤질, 벤질하이드릴을 포함하는 페놀의 tert-부틸 카르보네이트 및 카르복실산의 tert-부틸 에스테르 및 이들의 변형물이 포함된다. 대안적으로, 상기 산 불안정 그룹에는 식(I) CR1R2C(=-O)OR3의 아세테이트 그룹과 같은 아세테이트 그룹을 포함하는데, 여기서, R1 과 R2는 각각 독립적으로 수소, 할로겐과 같은 전자 당김(withdrawing)그룹, 1 내지 10의 탄소 원자를 갖는 저급 알킬 및 1 내지 10의 탄소 원자를 갖는 치환된 저급 알킬이고 R3는 1 내지 10의 탄소 원자를 갖는 치환되고 치환되지 않은 저급알킬, 1 내지 10의 탄소 원자를 갖는 치환되고 치환되지 않은 아릴 및 7 내지 13의 탄소 원자를 갖는 치환되거나 치환되지 않은 벤질이다. 상기 치환기는 예를들어, 하나이상의 할로겐, 저급 알킬, 저급 알콕시, 아릴 또는 벤질일 수 있다. R1 및 R2는 각각 수소 또는 불소일 수 있다. 상기 산 불안정 그룹에는 식 C(=-O)OR3(여기서 R3는 전술한 바와 동일함)의 옥시카르보닐 그룹이 포함될 수 있다. 상기 산 불안정 그룹의 다른 예에는 tert-부톡시와 같은 3차(tertiary) 알콕시 그룹; tert-부틸 메타크릴레이트, tert-부톡시카르보닐옥시와 같은 카르보네이트 그룹; tert부톡시카르보닐메틸옥시와 같은 3차 카르복실레이트 그룹; 트리메틸실록시, 트리에틸실록시 및 tert-부틸디메틸실록시와 같은 트리알킬실록시 그룹, 테트라하이드로퓨라닐옥시, 테트라하이드로피라닐옥시, 2-메톡시테트라하이드로피라닐옥시, 메톡시메틸옥시, 1-에톡시에톡시, 1-프로폭시에톡시, 1-n-부톡시에톡시, 1-이소부톡시에톡시, 1-sec-부톡시에톡시, 1-tert-부톡시에톡시, 1-아밀옥시에톡시, 1-에톡시-1-메틸에톡시, 1-프로폭시-1-메틸에톡시, 1-n-부톡시-1-메틸에톡시, 1-이소부톡시-1-메틸에톡시, 1-sec-부톡시-1-메틸에톡시, 1-tert-부톡시-1-메틸에톡시, 및 1-아밀옥시-1-메틸에톡시그룹과 같은 아세탈 및 케탈 그룹이 포함된다. 산성 불안정 그룹을 갖는 방향족 그룹의 예에는 tert-부톡시페닐, tert부톡시카르보닐메틸옥시페닐, (1-에톡시에톡시)페닐, 테트라하이드로피라닐옥시페닐 및 테트라하이드로퓨라닐옥시페닐 그룹이 있다.
도 2-5를 참조하면, 반도체 디바이스가 형성될 수 있는 구조물(10)이 제공된다. 상기 구조물(10)에는 기판(12)과, 기판(12) 위에 증착된 화학적으로 증폭된 포토레지스트(14)가 포함된다. 비록 도시되지는 않았지만, 상기 기판(12)에는 기판 층, 확산 영역, 산화물과 같은 유전층, 디바이스, 폴리실리콘 층 등을 포함하는 하나이상의 층들이 포함될 수 있다. 상기 포토레지스트 층은 리소그래피적으로 패터닝되고 현상되어 부조 이미지를 형성할 수 있다. 부조 이미지는 제 1 치수를 갖는 다양한 피처들 예를들면, 라인, 패드 영역 등이 포함된다.
도 4에 나타난 바와 같이, 이후에 제1 치수를 바람직한 제2 치수로 감소시키기에 효과적인 시간동안 수성 산성 용액(16)은 부조 이미지 상에 증착된다. 수성 산 용액으로부터 이동성 수소 이온 또는 하이드로늄 이온은 레지스트(14)속으로 확산되고 포토레지스트 폴리머 물질의 산성 불안정 부분(acid labile moieties)이 분리됨으로써 디프로텍트된 레지스트 층을 형성하기 시작한다. 일단 부조 이미지가 바람직한 제2 치수를 가지면 상기 기판은 물이나 알칼리 현상액으로 세척하여 산성 용액을 제거하여 치수의 추가적인 감소를 방지한다. 바람직한 제2 치수를 결정하는 것은 시간 기반(time based)일 수 있는데 여기서 디프로텍션율(deprotection rate)은 공지되어 있다.
(실시예)
이 실시예에서, 기판은 Shipley Company로부터 AR19라는 상표로 상업적으로 시판되고 있는 82 나노미터의 항반사성 코팅으로 코팅되었다. 193nm 리소그래피에 최적화된 화학적으로 증폭된 포토레지스트는 이후 355나노미터의 두께로 증착되었다. 화학적으로 증폭된 포토레지스트는 일본의 Sumitomo Company로부터 PAR715라는 상표명으로 상업적으로 시판되고 있다. ArF 리소그래픽 스캐너를 사용하여 부조 이미지가 형성되고 현상되었다. 이후 상기 부조 이미지가 수성 산성 용액으로 코팅되었다. 상기 수성 산성 용액은 퍼플루오로알킬설포닉 에시드를 포함하였다. 이후 상기 웨이퍼는 30초의 기간동안 130℃로 가열되었다.
도 6은 가공 전후의 화학적으로 증폭된 포토레지스트 부조 이미지의 스캐닝 전자 마이크로그래프를 나타낸다. 가공전에 측정된 임계(critical) 치수는 840 나노미터였다. 부조 이미지 가공 후에 임계 치수는 440 나노미터로 감소되었다.
상기 발명은 바람직한 실시예(들)을 참조로 하여 기술되었으나, 당업자에게는 본발명의 범주를 벗어남이 없이 다양한 변형이 만들어지거나 본발명의 구성요소가 균등물로 대체될 수 있음이 이해될 수 있을 것이다. 추가로, 본발명의 근본적인 범주를 벗어남이 없이 특별한 상황 또는 물질이 본 발명이 개시하고 있는 바에 적합하도록 많은 변형이 이루어질 수 있다. 따라서, 기재되어 있는 특정한 실시예는 본발명을 실시하는데 최상의 실시예로서 간주되며, 본발명이 이에 한정되지는 않도록 의도되었다. 본발명은 첨부된 특허 청구 범위의 범주내에 있는 모든 실시예를 포함한다.
본 발명에 의하면 화학적으로 증폭된 포토레지스트의 해상도를 향상시키는 효과가 있다.
예시된 도면에서 유사한 구성요소에 대하여는 여러 도면에서 동일한 번호가 붙여져 있다.
도 1은 화학적으로 증폭된 포토레지스트를 가공하기 위한 프로세스 플로우를 예시한다.
도 2-5는 도 1의 프로세스 플로우에 따라 기판상에서 코팅되고 가공된 포토레지스트의 횡단면도이다.
도 6은 도 1의 프로세스 플로우에 따라 가공되기 전 후의 패터닝된 포토레지스트의 평면도(top down view)의 스캐닝 전자 마이크로 그래프를 예시한다.
Claims (11)
- 화학적으로 증폭된 포토레지스트의 해상도를 향상시키는 방법에 있어서,기판상에 화학적으로 증폭된 포토레지스트의 부조(relief) 이미지-상기 부조 이미지는 제 1 치수의 피처를 포함함-를 형성하는 단계와,상기 부조 이미지의 제 1 치수를 제 2 치수로 감소시키기에 효과적인 시간동안 수성 산성 용액을 상기 부조 이미지에 접촉시키는 단계를 포함하는 화학적으로 증폭된 포토레지스트의 해상도를 향상시키는 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 수성 산성 용액은 산화합물을 포함하는, 화학적으로 증폭된 포토레지스트의 해상도를 향상시키는 방법.
- 제 2항에 있어서,상기 산화합물은 6 또는 6보다 작은 pKa를 가지며 포토레지스트의 베이스 수지내 산불안정 그룹을 제거하는데 효과적인, 화학적으로 증폭된 포토레지스트의 해상도를 향상시키는 방법.
- 삭제
- 제 1항에 있어서,상기 수성 산성 용액은 무기산화합물을 포함하며 상기 무기산 화합물은 질산, 할로겐 산, 설퓨릭 에시드, 설퓨로우스 에시드, 퍼클로릭 에시드, 퍼클로릭 에시드, 보릭 에시드, 인산 또는 전술한 무기산의 적어도 하나를 포함하는 컴비네이션을 포함하는, 화학적으로 증폭된 포토레지스트의 해상도를 향상시키는 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 수성 산성 용액은 유기산화합물을 포함하며, 상기 유기산 화합물은 카르복실릭 에시드, 디카르복실릭 에시드, 폴리카르복실릭 에시드, 하이드록시알카노익 에시드, 유기 포스포러스 에시드, 설포닉 에시드 또는 전술한 유기산의 적어도 하나를 포함하는 컴비네이션을 포함하는, 화학적으로 증폭된 포토레지스트의 해상도를 향상시키는 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 수성 산성 용액을 20℃ 내지 100℃의 온도로 가열하는 단계를 더 포함하는, 화학적으로 증폭된 포토레지스트의 해상도를 향상시키는 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 제 2 치수는 상기 제 1 치수보다 더 작은 폭 치수와 더 작은 높이 치수를 포함하는, 화학적으로 증폭된 포토레지스트의 해상도를 향상시키는 방법.
- 화학적으로 증폭된 포토레지스트의 해상도를 향상시키는 방법에 있어서,기판상에 화학적으로 증폭된 포토레지스트의 부조 이미지 -상기 부조 이미지는 제 1 치수의 피처를 포함함- 를 형성하는 단계와,상기 부조 이미지의 제 1 치수를 제 2 치수로 감소시키기에 효과적인 시간동안 수성 산성 용액 -상기 수성 산성 용액은 6보다 작은 pKa를 갖는 산 화합물을 포함함- 을 상기 부조 이미지에 접촉시키는 단계와,상기 수성 산성 용액을 제거하기 위해 기판을 세척하는 단계(rinsing)를 포함하는 화학적으로 증폭된 포토레지스트의 해상도를 향상시키는 방법.
- 제 9항에 있어서,상기 수성 산성 용액을 제거하기 위해 기판을 세척하는 단계는 기판에 알칼리성 현상제 용액을 적용하는 단계를 포함하는, 화학적으로 증폭된 포토레지스트의 해상도를 향상시키는 방법.
- 제 1항 또는 제 9항에 있어서, 상기 수성 산성 용액을 증착하기 전에 상기 기판을 20℃ 내지 100℃의 온도로 가열하는 단계를 더 포함하는, 화학적으로 증폭된 포토레지스트의 해상도를 향상시키는 방법.
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| US7862982B2 (en) * | 2008-06-12 | 2011-01-04 | International Business Machines Corporation | Chemical trim of photoresist lines by means of a tuned overcoat material |
| US9316916B2 (en) * | 2009-04-07 | 2016-04-19 | Globalfounries Inc. | Method to mitigate resist pattern critical dimension variation in a double-exposure process |
| JP2011257499A (ja) * | 2010-06-07 | 2011-12-22 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジストパターン形成方法及びパターン微細化処理剤 |
| TWI605062B (zh) * | 2013-12-30 | 2017-11-11 | 羅門哈斯電子材料有限公司 | 光阻圖案修整組成物及方法 |
| CN110989299A (zh) * | 2019-12-27 | 2020-04-10 | 中国科学院微电子研究所 | 基于热胀冷缩的光刻方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01114041A (ja) * | 1987-10-27 | 1989-05-02 | Nec Corp | 微細パタン形成方法 |
| KR950015838A (ko) * | 1993-11-16 | 1995-06-17 | 양승택 | 마이크로파용 고온초전도 대역통과필터의 제조방법 |
| KR19990045048A (ko) * | 1997-11-06 | 1999-06-25 | 가네꼬 히사시 | 화학 증폭 포토레지스트 상의 패턴 형성 방법 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0476840B1 (en) * | 1990-08-30 | 1997-06-18 | AT&T Corp. | Process for fabricating a device |
| JPH06186754A (ja) * | 1992-12-17 | 1994-07-08 | Mitsubishi Electric Corp | 微細レジストパターンの形成方法 |
| TW329539B (en) * | 1996-07-05 | 1998-04-11 | Mitsubishi Electric Corp | The semiconductor device and its manufacturing method |
| US6274289B1 (en) | 2000-06-16 | 2001-08-14 | Advanced Micro Devices, Inc. | Chemical resist thickness reduction process |
-
2002
- 2002-12-03 US US10/309,404 patent/US6861209B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-08-07 CN CNB031274420A patent/CN1241070C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-11-10 KR KR1020030078998A patent/KR100603700B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-11-11 TW TW092131517A patent/TWI255392B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01114041A (ja) * | 1987-10-27 | 1989-05-02 | Nec Corp | 微細パタン形成方法 |
| KR950015838A (ko) * | 1993-11-16 | 1995-06-17 | 양승택 | 마이크로파용 고온초전도 대역통과필터의 제조방법 |
| KR19990045048A (ko) * | 1997-11-06 | 1999-06-25 | 가네꼬 히사시 | 화학 증폭 포토레지스트 상의 패턴 형성 방법 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 1019990045048 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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