Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

KR100593161B1 - White light emitting diode and manufacturing method thereof - Google Patents

White light emitting diode and manufacturing method thereof Download PDF

Info

Publication number
KR100593161B1
KR100593161B1 KR1020040015504A KR20040015504A KR100593161B1 KR 100593161 B1 KR100593161 B1 KR 100593161B1 KR 1020040015504 A KR1020040015504 A KR 1020040015504A KR 20040015504 A KR20040015504 A KR 20040015504A KR 100593161 B1 KR100593161 B1 KR 100593161B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting diode
molding part
white light
phosphor
Prior art date
Application number
KR1020040015504A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20050090505A (en
Inventor
김민홍
Original Assignee
서울반도체 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 서울반도체 주식회사 filed Critical 서울반도체 주식회사
Priority to KR1020040015504A priority Critical patent/KR100593161B1/en
Publication of KR20050090505A publication Critical patent/KR20050090505A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100593161B1 publication Critical patent/KR100593161B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 발명의 백색 발광 다이오드는 발광 다이오드 칩과, 상면이 대략 반구형으로 발광 다이오드 칩을 밀봉하는 제1 몰딩부와, 제1 몰딩부의 반구형 상면 부분에 집중되어 분포되어 있는 형광체층 및 제1 몰딩부와 형광체층을 둘러싸고 있는 제2 몰딩부를 구비하여, 발광 다이오드 칩의 상면으로 방출되는 빛이나 측면으로 방출되는 빛이 모두 균일한 형광체층을 통과하게 되므로 빛의 방출 방향에 대해서 균일한 백색광을 얻을 수 있다.The white light emitting diode of the present invention includes a light emitting diode chip, a first molding portion which seals the light emitting diode chip in a substantially hemispherical shape, a phosphor layer and a first molding portion which are concentrated and distributed on the hemispherical upper surface portion of the first molding portion; With a second molding part surrounding the phosphor layer, since both the light emitted to the top surface of the light emitting diode chip and the light emitted to the side pass through the uniform phosphor layer, uniform white light can be obtained in the direction of light emission. .

형광체, 발광 소자, LED, LD, 백색 발광 소자, 청색 발광 소자, 여기 발광Phosphor, light emitting element, LED, LD, white light emitting element, blue light emitting element, excitation light emission

Description

백색 발광 다이오드 및 그 제조 방법{White light emitting diode and manufacturing method thereof}White light emitting diode and manufacturing method thereof

도 1은 본 발명에 따른 백색 발광 다이오드를 도시한 도면이고,1 is a view showing a white light emitting diode according to the present invention,

도 2는 본 발명에 따른 백색 발광 다이오드의 제조 방법에 대한 순서도이고,2 is a flowchart of a method of manufacturing a white light emitting diode according to the present invention;

도 3a 내지 도 3c는 본 발명에 따른 백색 발광 다이오드의 제조 방법을 설명하는 도면이며,3A to 3C are views illustrating a method of manufacturing a white light emitting diode according to the present invention.

도 4는 종래 기술에 따른 백색 발광 다이오드를 도시한 도면이다.4 is a view showing a white light emitting diode according to the prior art.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

10, 110: 발광 다이오드 칩 20, 120: 리드 프레임10, 110: light emitting diode chip 20, 120: lead frame

30, 131: 형광체 40, 141, 151: 에폭시 수지30, 131: phosphor 40, 141, 151: epoxy resin

130: 형광체층 140, 150: 몰딩부130: phosphor layer 140, 150: molding part

200: 제1 몰드컵 300: 제2 몰드컵200: first mold cup 300: second mold cup

100: 백색 발광 다이오드100: white light emitting diode

본 발명은 백색 발광 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세 하게는 형광체를 사용하는 백색 발광 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a white light emitting diode and a method of manufacturing the same, and more particularly to a white light emitting diode using a phosphor and a method of manufacturing the same.

일반적으로, 레이저 다이오드나 발광 다이오드(LED)와 같은 발광 소자는 그 방출 파장이 일정한 영역대로 한정이 되어 있어서 다양한 파장의 빛을 방출하는데는 한계가 있다. 따라서, 다양한 파장의 광원이 필요한 경우에는 발광 다이오드 칩 위에 형광체를 도포하여 원하는 파장의 빛을 얻고 있다. 예를 들어, 백색 발광 소자를 얻기 위해서는 청색광을 방출하는 발광 다이오드 칩에 황색 여기 발광 특성을 가지는 형광체를 도포하여 청색광 및 황색광의 혼합광에 의하여 백색광을 구현하는 것이다.In general, light emitting devices such as laser diodes and light emitting diodes (LEDs) have a limited emission wavelength and thus are limited in emitting light of various wavelengths. Therefore, when light sources of various wavelengths are required, phosphors are coated on the light emitting diode chip to obtain light having a desired wavelength. For example, in order to obtain a white light emitting device, a phosphor having yellow excitation light emission characteristics is coated on a light emitting diode chip that emits blue light to implement white light by mixing light of blue light and yellow light.

이때, 형광체는 발광 다이오드 칩을 봉지하는 에폭시 수지와 혼합시켜 도포한 후 경화시키게 되는데, 형광체와 에폭시 수지의 비중 차이로 인하여 형광체가 가라앉는 현상이 나타나게 된다. 이러한 종래의 발광 다이오드 소자가 도 4에 도시되어 있으며, 리드 프레임(20)의 한 전극 위에 발광 다이오드 칩(10)을 배치하고 다른 전극과 전기적으로 연결시킨 후 형광체(30)를 에폭시 수지에 혼합시켜 경화시키고 마지막으로 투명 에폭시 수지로 몰딩부(40)를 형성한다. 이때, 형광체(30)는 도 4에 도시된 바와 같이 에폭시 수지와의 비중 차이로 인하여 칩(10) 주위로 가라앉게 되어 형광체가 과다하게 사용될 뿐 아니라, 과다한 형광체 사용으로 인하여 발광 소자의 전체적인 발광 효율이 낮아지게 된다. 또한, 칩(10) 측면으로 방출되어 리드 프레임(20)에서 반사되어 나오는 빛의 경우, 칩(10)의 위쪽으로 방출되는 빛에 비하여 상대적으로 형광체와 반응이 많아지므로, 칩(10) 측면으로 방출되는 빛과 칩(10) 위쪽으로 방출되는 빛의 파장 차이가 현저하게 되어, 빛의 방출 방향 에 따라 파란색 띠와 노란색 띠가 뚜렷하게 나타나는 문제점이 있었다.At this time, the phosphor is mixed with the epoxy resin encapsulating the light emitting diode chip, and then cured. The phosphor subsides due to the difference in specific gravity between the phosphor and the epoxy resin. Such a conventional light emitting diode device is illustrated in FIG. 4. The light emitting diode chip 10 is disposed on one electrode of the lead frame 20, electrically connected to the other electrode, and the phosphor 30 is mixed with an epoxy resin. After curing, finally, the molding part 40 is formed of a transparent epoxy resin. At this time, the phosphor 30 sinks around the chip 10 due to the difference in specific gravity with respect to the epoxy resin as shown in FIG. 4 and the phosphor is used excessively, and the overall luminous efficiency of the light emitting device due to the use of the excessive phosphor. Will be lowered. In addition, in the case of light emitted from the side of the chip 10 and reflected from the lead frame 20, since the reaction with the phosphor increases more than the light emitted from the upper side of the chip 10, the side of the chip 10 The difference between the wavelength of the emitted light and the light emitted above the chip 10 becomes remarkable, and there is a problem in that a blue band and a yellow band appear distinctly according to the emission direction of the light.

따라서, 본 발명의 목적은 상기한 문제점을 해소하기 위한 것으로서, 방출되는 빛이 방출 방향에 따른 띠 현상이 없이 균일한 백색광이 구현될 수 있는 백색 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to solve the above problems, and to provide a white light emitting device and a method of manufacturing the same, in which the emitted light can realize uniform white light without a band phenomenon along the emission direction.

또한, 본 발명의 다른 목적은 넓은 지향각을 가지면서 발광 효율을 향상시킬 수 있는 백색 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.In addition, another object of the present invention is to provide a white light emitting device capable of improving the light emitting efficiency while having a wide directing angle, and a method of manufacturing the same.

전술한 목적 및 기타 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 백색 발광 다이오드는 In order to achieve the above and other objects, the white light emitting diode according to the present invention

발광 다이오드 칩; Light emitting diode chips;

상면이 대략 반구형으로 발광 다이오드 칩을 밀봉하는 제1 몰딩부;A first molding part having an upper surface substantially sealing the light emitting diode chip in a hemispherical shape;

제1 몰딩부의 반구형 상면 부분에 집중되어 분포되어 있는 형광체층; 및A phosphor layer concentrated and distributed on the hemispherical upper surface portion of the first molding portion; And

제1 몰딩부와 형광체층을 둘러싸고 있는 제2 몰딩부로 이루어진다.A first molding part and a second molding part surrounding the phosphor layer are formed.

본 발명의 다른 특징에 따른 백색 발광 다이오드 제조 방법은White light emitting diode manufacturing method according to another aspect of the present invention

대략 반구형 밑면을 가진 제1 몰드컵에 발광 다이오드 칩을 장착하고 형광체가 혼합된 제1 에폭시 수지를 주입하는 단계;Mounting a light emitting diode chip in a first mold cup having a substantially hemispherical bottom surface and injecting a first epoxy resin mixed with phosphors;

상기 형광체가 제1 몰드컵의 반구형 밑면으로 가라앉도록 제1 에폭시 수지를 경화시켜 제1 몰딩부를 형성하는 단계;Curing the first epoxy resin to form a first molding part so that the phosphor sinks to the hemispherical bottom surface of the first mold cup;

제1 몰딩부를 제1 몰드컵보다 직경이 큰 제2 몰드컵에 장착하고 제2 에폭시 수지를 주입하는 단계; 및Mounting a first molding part on a second mold cup having a diameter larger than that of the first mold cup and injecting a second epoxy resin; And

제2 에폭시 수지를 경화시켜 제2 몰딩부를 형성하는 단계로 이루어진다. Curing the second epoxy resin to form a second molding part.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예에 대하여 설명한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment according to the present invention.

먼저 도 1을 참조하면, 본 발명의 백색 발광 다이오드(100)는 발광 다이오드 칩(110)과 제1 몰딩부(140), 형광체층(130) 및 제2 몰딩부(150)로 이루어진다. First, referring to FIG. 1, the white light emitting diode 100 of the present invention includes a light emitting diode chip 110, a first molding part 140, a phosphor layer 130, and a second molding part 150.

발광 다이오드 칩(110)은 리드 프레임(120)의 한 전극 위에 배치되어 있고, 칩(110)을 다른 전극과 전기적으로 연결시켜 사용하게 된다. 발광 다이오드 칩(110)이 배치되는 리드 프레임은 칩에서 방출되는 빛을 효율적으로 모으기 위하여 오목한 컵 형태로 되어 있다.The light emitting diode chip 110 is disposed on one electrode of the lead frame 120, and the chip 110 is electrically connected to the other electrode. The lead frame in which the light emitting diode chip 110 is disposed has a concave cup shape in order to efficiently collect light emitted from the chip.

제1 몰딩부(140)는 상면이 대략 반구형으로 되어 있으며 발광 다이오드 칩을 밀봉한다. 제1 몰딩부(140)는 투명성이 좋은 에폭시 수지로 이루어질 수 있다. The first molding part 140 is substantially hemispherical in shape and seals the LED chip. The first molding part 140 may be made of an epoxy resin having good transparency.

형광체층(130)은 발광 다이오드 칩(110)에서 나온 빛을 다른 파장의 빛을 변환시키는 역할을 하며, 제1 몰딩부(140)의 반구형 상면 부분에 집중되어 분포된다. 즉, 형광체층(130)이 발광 다이오드 칩(110)의 주위로 거의 균일하게 분포하기 때문에 형광체층(130)에 의하여 파장변환되는 빛도 균일하게 방출되게 된다. 또한, 형광체층(130)이 발광 다이오드 칩(110)과 일정 거리를 유지하며 분포하기 때문에 칩(110)과 리드프레임(120)을 연결하는 와이어에는 상대적으로 형광체가 분포하지 않게 되어 제품의 신뢰성이 향상된다.The phosphor layer 130 converts light emitted from the light emitting diode chip 110 into light having a different wavelength, and is concentrated and distributed on the hemispherical upper surface portion of the first molding part 140. That is, since the phosphor layer 130 is distributed almost uniformly around the light emitting diode chip 110, the light converted by the phosphor layer 130 is also uniformly emitted. In addition, since the phosphor layer 130 is distributed at a constant distance from the light emitting diode chip 110, the phosphor is relatively undistributed in the wire connecting the chip 110 and the lead frame 120 so that the reliability of the product is improved. Is improved.

제2 몰딩부(150)는 제1 몰딩부(140)와 형광체층(130)을 둘러싸도록 이루어지며, 제1 몰딩부(140)와 마찬가지로 투명성이 좋은 에폭시 수지로 이루어진다. 이 때, 제1 몰딩부(140)와 제2 몰딩부(150)의 에폭시 수지가 동일한 경우에는 제1 몰딩부(140)와 제2 몰딩부(150) 사이의 경계면이 없어지기 때문에 발광 다이오드(100)의 내부에서는 빛이 굴절되지 않고 방출되게 된다. 제1 몰딩부(140)와 제2 몰딩부(150)의 에폭시 수지를 굴절률이 다른 종류로 사용하는 경우, 제1 몰딩부(140)와 제2 몰딩부(150)의 경계면에서 빛이 굴절되므로 이 현상을 이용하여 최종적으로 방출되는 빛의 지향각을 조절할 수도 있다.The second molding part 150 is formed to surround the first molding part 140 and the phosphor layer 130, and is made of an epoxy resin having good transparency similar to the first molding part 140. In this case, when the epoxy resins of the first molding part 140 and the second molding part 150 are the same, the interface between the first molding part 140 and the second molding part 150 is eliminated, so that the light emitting diode ( In 100, light is emitted without being refracted. When the epoxy resins of the first molding part 140 and the second molding part 150 have different refractive indices, light is refracted at the interface between the first molding part 140 and the second molding part 150. This phenomenon can also be used to control the directivity of the final emitted light.

발광 다이오드 칩(110)의 종류와 형광체의 종류는 방출 파장과 변환 파장에 따라 적절하게 선택하여 사용할 수 있다. 예를 들어, 청색 파장 영역의 빛을 방출하는 발광 다이오드 칩을 사용하고 황색 여기 발광 특성을 갖는 형광체를 사용하는 경우 발광 다이오드 칩(110)에서 방출하는 청색광과 형광체에서 여기 발광된 황색광의 조합에 의하여 최종적으로 발광 다이오드(100)는 백색광을 방출하게 된다.The type of light emitting diode chip 110 and the type of phosphor may be appropriately selected and used depending on the emission wavelength and the conversion wavelength. For example, when using a light emitting diode chip that emits light in a blue wavelength region and using a phosphor having yellow excitation light emitting characteristics, a combination of blue light emitted from the light emitting diode chip 110 and yellow light that is excited by the phosphor is emitted. Finally, the light emitting diode 100 emits white light.

이러한 본 발명에 따른 발광 다이오드(100)는 발광 다이오드 칩(110)의 상면으로 방출되는 빛이나 측면으로 방출되어 리드프레임(120)에서 반사되는 빛이 모두 균일한 형광체층(130)을 통과하게 되므로 빛의 방출 방향에 대해서 균일한 백색광을 얻을 수 있다. 즉, 칩(110) 측면으로 방출되어 리드 프레임(120)에서 반사되어 나오는 빛의 경우도 칩(110)의 상면으로 방출되는 빛과 동일하게 형광체층(130)과 반응하기 때문에 빛의 방출 방향에 따라서 파장 차이가 나지 않게 된다.Since the light emitting diode 100 according to the present invention is emitted to the upper surface of the light emitting diode chip 110 or emitted to the side so that all the light reflected from the lead frame 120 passes through the uniform phosphor layer 130. Uniform white light can be obtained with respect to the direction of light emission. That is, the light emitted from the side of the chip 110 and reflected from the lead frame 120 also reacts with the phosphor layer 130 in the same way as the light emitted from the upper surface of the chip 110. Therefore, there is no difference in wavelength.

또한, 형광체를 필요한 양만큼만 사용하여도 균일한 백색광을 얻을 수 있기 때문에 형광체 재료를 절감할 수 있어서 제조 비용을 절감할 수 있다.In addition, since uniform white light can be obtained by using only the required amount of the phosphor, the phosphor material can be saved, thereby reducing the manufacturing cost.

다음으로, 도 2 및 도 3a-3c를 참조하여, 본 발명이 구현되는 백색 발광 다 이오드(LED)의 제조 방법을 설명한다. Next, a method of manufacturing a white light emitting diode (LED) in which the present invention is implemented will be described with reference to FIGS. 2 and 3A-3C.

도 2는 본 발명의 백색 발광 다이오드의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이며, 도 3a-3c는 각각의 단계를 설명하기 위한 도면이다.2 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a white light emitting diode according to the present invention, and FIGS. 3A-3C are diagrams for explaining each step.

도 2 및 도 3a를 참조하면, 먼저 도 3a에 도시된 바와 같이, 리드 프레임(120)의 한 전극 위에 발광 다이오드 칩(110)을 배치하고 다른 전극과 전기적으로 연결시킨 후, 대략 반구형 밑면을 가진 제1 몰드컵에 발광 다이오드 칩(110)을 아래로 향하게 배치시킨다.(도 2의 S10) 발광 다이오드 칩(110)이 배치되는 리드 프레임(120)의 한 전극은 칩에서 방출되는 빛을 효율적으로 모으기 위하여 오목한 컵 형태로 되어 있다. 다음으로, 형광체(131)가 혼합된 제1 에폭시 수지(140)를 제1 몰드컵에 주입한다.(도 2의 S20)Referring to FIGS. 2 and 3A, as shown in FIG. 3A, the LED chip 110 is disposed on one electrode of the lead frame 120 and electrically connected to the other electrode, and has a substantially hemispherical bottom surface. The light emitting diode chip 110 is disposed downward in the first mold cup (S10 of FIG. 2). One electrode of the lead frame 120 in which the light emitting diode chip 110 is disposed collects light emitted from the chip efficiently. It is in the form of a concave cup. Next, the first epoxy resin 140 mixed with the phosphor 131 is injected into the first mold cup (S20 of FIG. 2).

다음으로 도 3b와 같이, 에폭시 수지보다 비중이 큰 형광체(131)는 아래쪽으로 가라앉게 되어 제1 몰드컵(200)의 반구형 밑면의 형상과 유사하게 균일한 반구형의 분포를 가진 형광체층(130)을 형성하고, 제1 에폭시 수지(141)가 경화되어 제1 몰딩부(140)를 형성하게 된다.(도 2의 S30)Next, as shown in FIG. 3B, the phosphor 131 having a specific gravity greater than that of the epoxy resin sinks downward to form a phosphor layer 130 having a uniform hemispherical distribution similar to the shape of the hemispherical bottom surface of the first mold cup 200. The first epoxy resin 141 is cured to form the first molding part 140 (S30 of FIG. 2).

다음으로 도 3c에 도시된 바와 같이, 제1 몰드컵(200) 보다 직경이 큰 제2 몰드컵(300)에 제1 몰딩부(140)를 장착하고 다시 제2 에폭시 수지(151)를 주입한다.(도 2의 S40) 이후에, 제2 에폭시 수지(151)를 경화시켜 제2 몰딩부를 형성하면, 도 1과 같이 제1 및 제2 몰딩부(140, 150)의 중간에 형광체층(130)이 반구형으로 분포된 백색 발광 다이오드(100)를 제조할 수 있다.Next, as shown in FIG. 3C, the first molding part 140 is mounted in the second mold cup 300 having a larger diameter than the first mold cup 200, and the second epoxy resin 151 is injected again. After S40 of FIG. 2, when the second epoxy resin 151 is cured to form the second molding part, the phosphor layer 130 is interposed between the first and second molding parts 140 and 150 as shown in FIG. 1. A white light emitting diode 100 distributed in a hemispherical shape can be manufactured.

이때, 제1 몰드컵(200)과 제2 몰드컵(300)은 종래에 사용하던 몰드컵을 그대로 이용할 수 있으며, 예를 들어 일반적으로 많이 사용하는 직경 3mm용의 몰드컵과 5mm 용의 몰드컵을 사용할 수 있다. 즉, 제1 몰드컵(200)으로 직경 3mm용의 몰드 컵과 제2 몰드컵(300)으로 직경 5mm의 몰드컵을 사용하여 백색 발광 다이오드를 제조할 수 있어서 별도의 주형기가 필요하지 않다. 따라서, 종래에 사용하던 몰드컵과 성형 장치를 그대로 이용할 수 있어 제조 비용을 절감할 수 있다. At this time, the first mold cup 200 and the second mold cup 300 can be used as the conventional mold cup as it is, for example, a mold cup for a diameter of 3mm and a mold cup for 5mm can be used commonly used. That is, a white light emitting diode may be manufactured by using a mold cup for diameter 3 mm as the first mold cup 200 and a mold cup having a diameter of 5 mm as the second mold cup 300, so that a separate mold machine is not required. Therefore, the mold cup and the molding apparatus used conventionally can be used as it is, and manufacturing cost can be reduced.

이상에서는 램프형 백색 다이오드를 중심으로 설명하였으나 표면 실장형 백색 다이오드의 경우에도 본 발명을 응용할 수 있음은 당연하다.In the above description, the lamp-type white diode has been described, but the present invention can be applied to the surface-mounted white diode.

이상에서와 같이, 본 발명에 따른 백색 발광 다이오드는 발광 다이오드 칩 주위로 거의 균일하게 형광체가 분포하기 때문에 균일한 백색광을 구현할 수 있으며 종래의 백색 발광 다이오드에서 발생하였던 띠 현상을 제거할 수 있다. 또한, 발광 다이오드 칩에서 일정 거리에 형광체를 분포시킬 수 있기 때문에, 칩과 전극을 연결하는 와이어에 형광체의 침전층이 생겨 발생했던 종래의 백색 발광 다이오드의 신뢰성 문제를 극복할 수 있다. As described above, the white light emitting diode according to the present invention can implement uniform white light because the phosphor is distributed almost uniformly around the light emitting diode chip, and can eliminate the band phenomenon generated in the conventional white light emitting diode. In addition, since the phosphor can be distributed at a predetermined distance from the LED chip, it is possible to overcome the reliability problem of the conventional white light emitting diode generated by the deposition layer of the phosphor on the wire connecting the chip and the electrode.

본 발명에 따른 백색 발광 다이오드는 제1 및 제2 몰드컵의 반구형상을 조절함으로써 넓은 지향각을 구현할 수 있을 뿐 아니라, 필요한 양만큼의 형광체만 사용하기 때문에 불필요한 형광체에 의한 발광 효과의 감소 문제도 극복하여 최대 발광 효율을 얻을 수 있다.The white light emitting diode according to the present invention not only realizes a wide direct angle by adjusting the hemispherical shapes of the first and second mold cups, but also overcomes the problem of reducing the light emission effect by unnecessary phosphors because only a required amount of phosphors is used. The maximum luminous efficiency can be obtained.

또한, 본 발명에 따른 백색 발광 다이오드의 제조 방법은 종래에 사용하던 몰드컵과 성형 장치를 그대로 이용할 수 있어 제조 비용을 절감할 수 있다. 더욱이, 형광체를 필요한 양만큼만 사용하여도 균일한 백색광을 얻을 수 있기 때문에 형광체 재료를 절감할 수 있어서 제조 비용을 더 낮출 수 있다. In addition, the manufacturing method of the white light emitting diode according to the present invention can use the mold cup and the molding apparatus used conventionally as it is possible to reduce the manufacturing cost. Furthermore, even if only the required amount of phosphor is used, uniform white light can be obtained, thereby reducing the phosphor material and further lowering the manufacturing cost.                     

이상에서 본 고안의 기술적 특징을 특정한 실시예를 중심으로 설명하였으나, 본 고안이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 사람이라면 본 고안에 따른 기술적 사상의 범위 내에서도 여러 가지 변형 및 수정을 가할 수 있음은 명백하다.Although the technical features of the present invention have been described with reference to specific embodiments, those skilled in the art to which the present invention belongs may make various changes and modifications within the scope of the technical idea according to the present invention. It is obvious.

Claims (4)

발광 다이오드 칩; Light emitting diode chips; 상면이 반구형으로 상기 발광 다이오드 칩을 밀봉하되, 형광체와 에폭시 수지가 혼합된 혼합물을 몰드컵 내에 주입하여 형성됨으로써, 상기 형광체가 상기 주입된 혼합물에서 가라앉아 집중되어 분포된 형광체층을 상기 반구형 상면 부분에 갖는 제1 몰딩부; 및An upper surface of the light emitting diode chip is sealed in a hemispherical shape, and a mixture of phosphors and an epoxy resin is formed by injecting a mixture into a mold cup. A first molding part having; And 상기 제1 몰딩부와 형광체층을 둘러싸고 있는 제2 몰딩부A second molding part surrounding the first molding part and the phosphor layer; 를 포함하는 백색 발광 다이오드.White light emitting diode comprising a. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 백색 발광 다이오드는 램프형인 것을 특징으로 하는 백색 발광 다이오드.The white light emitting diode is a white light emitting diode, characterized in that the lamp type. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 제1 몰딩부와 제2 몰딩부는 동일한 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 백색 발광 다이오드.And the first molding part and the second molding part are formed of the same material. 반구형 밑면을 가진 제1 몰드컵 내에 발광 다이오드 칩을 장착하고 형광체가 혼합된 제1 에폭시 수지를 주입하는 단계;Mounting a light emitting diode chip in a first mold cup having a hemispherical bottom surface and injecting a first epoxy resin mixed with phosphors; 상기 형광체가 제1 몰드컵의 반구형 밑면으로 가라앉도록 제1 에폭시 수지를 경화시켜 제1 몰딩부를 형성하는 단계;Curing the first epoxy resin to form a first molding part so that the phosphor sinks to the hemispherical bottom surface of the first mold cup; 제1 몰딩부를 제1 몰드컵보다 직경이 큰 제2 몰드컵 내에 장착하고 제2 에폭시 수지를 주입하는 단계; 및Mounting the first molding part in a second mold cup having a diameter larger than that of the first mold cup and injecting a second epoxy resin; And 제2 에폭시 수지를 경화시켜 제2 몰딩부를 형성하는 단계Curing the second epoxy resin to form a second molding part 를 포함하는 백색 발광 다이오드 제조 방법.White light emitting diode manufacturing method comprising a.
KR1020040015504A 2004-03-08 2004-03-08 White light emitting diode and manufacturing method thereof KR100593161B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040015504A KR100593161B1 (en) 2004-03-08 2004-03-08 White light emitting diode and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040015504A KR100593161B1 (en) 2004-03-08 2004-03-08 White light emitting diode and manufacturing method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050090505A KR20050090505A (en) 2005-09-13
KR100593161B1 true KR100593161B1 (en) 2006-06-26

Family

ID=37272456

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040015504A KR100593161B1 (en) 2004-03-08 2004-03-08 White light emitting diode and manufacturing method thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100593161B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101577303A (en) * 2008-05-07 2009-11-11 三星电子株式会社 Light emitting diode packages, light emitting diode systems and methods of manufacturing the same

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101248515B1 (en) * 2006-03-31 2013-04-04 서울반도체 주식회사 Light emitting diode
KR100887068B1 (en) * 2006-08-04 2009-03-04 삼성전기주식회사 Light emitting diode module and method of manufacturing the same
KR100885473B1 (en) * 2007-11-29 2009-02-24 서울반도체 주식회사 Method for manufacturing light emitting diode
KR100963743B1 (en) * 2009-06-23 2010-06-14 한국광기술원 Light emitting diode including wavelength conversion material layer and method for fabricating the same
KR101374899B1 (en) * 2012-01-13 2014-03-17 서울반도체 주식회사 Light emitting diode

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5959316A (en) 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
JP2000022216A (en) 1998-06-26 2000-01-21 Sanken Electric Co Ltd Resin sealed type semiconductor light emitting device having fluorescent cover
JP2002151743A (en) 2000-11-15 2002-05-24 Sanyo Electric Co Ltd Light emitting device and its manufacturing method
JP2002185046A (en) 2000-12-19 2002-06-28 Sharp Corp Chip-part type led and its manufacturing method
JP2002232013A (en) 2001-02-02 2002-08-16 Rohm Co Ltd Semiconductor light emitting element

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000022216A (en) 1998-06-26 2000-01-21 Sanken Electric Co Ltd Resin sealed type semiconductor light emitting device having fluorescent cover
US5959316A (en) 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
JP2002151743A (en) 2000-11-15 2002-05-24 Sanyo Electric Co Ltd Light emitting device and its manufacturing method
JP2002185046A (en) 2000-12-19 2002-06-28 Sharp Corp Chip-part type led and its manufacturing method
JP2002232013A (en) 2001-02-02 2002-08-16 Rohm Co Ltd Semiconductor light emitting element

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
14185046
14232013

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101577303A (en) * 2008-05-07 2009-11-11 三星电子株式会社 Light emitting diode packages, light emitting diode systems and methods of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20050090505A (en) 2005-09-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2215667B1 (en) Method for fabricating an led package
US7594840B2 (en) Method of encapsulating LED light source with embedded lens component
US8809892B2 (en) Light emitting diode and method of fabricating the same
US20100109040A1 (en) Chip coated light emitting diode package and manufacturing method thereof
US20070194333A1 (en) Light emitting diode package and method of manufacturing the same
KR100982989B1 (en) Light emitting diode package
KR101618029B1 (en) Light Emitting Device Package and Manufacturing Method thereof
KR20130066635A (en) Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component and a compound structure
JP2008172239A (en) Led package
KR200453847Y1 (en) Light emitting diode package with uniform resin surface
KR20110018777A (en) Light emitting diode package
CN107565009A (en) Led module
JP2005026401A (en) Light emitting diode
KR100593161B1 (en) White light emitting diode and manufacturing method thereof
JP2007043074A (en) Luminaire
KR100868204B1 (en) Light emitting diode using light diffusion material and method for fabricating the same
KR20090073598A (en) Led package
KR20170000512A (en) Light emitting diode package
KR100974339B1 (en) Light emitting diode package
KR100604602B1 (en) Light emitting diode lens and light emitting diode having the same
KR20100003335A (en) Light-emitting device package and method of manufacturing the same
KR101505432B1 (en) Light-emitting device package and method of manufacturing the same
KR200296162Y1 (en) White light emitted diode
KR100748707B1 (en) Method for manufacturing light-emitting device
KR101018238B1 (en) Light emitting diode package

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130318

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140305

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150303

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee