KR100581809B1 - 디멀티플렉싱 회로 및 이를 이용한 발광 표시장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 데이터 구동부의 출력선 수를 감소시킬 수 있도록 한 발광 표시장치에 관한 것이다.
본 발명의 발광 표시장치는 주사선으로 주사신호를 순차적으로 공급하기 위한 주사 구동부와, 상기 주사신호가 공급되는 기간동안 제 1데이터선들로 복수의 데이터신호를 공급하기 위한 데이터 구동부와, 복수의 화소들을 포함하는 화상표시부와, 상기 각각의 제 1데이터선마다 설치되어 상기 제 1데이터선으로 공급되는 데이터신호를 복수의 제 2데이터선으로 공급하기 위한 디멀티플렉서들과, 소정의 전압을 상기 복수의 제 2데이터선으로 인가하기 위하여 복수의 초기화 트랜지스터들을 포함하는 초기화부들을 구비하며, 상기 초기화 트랜지스터들 각각의 사이즈는 턴-온기간에 대응하여 설정된다.
이러한 구성에 의하여, 본 발명에서는 초기화 스위칭소자들의 사이즈를 줄일 수 있고, 이에 따라 설계 자유도를 확보할 수 있다. 그리고, 초기화 스위칭소자들의 사이즈를 줄임으로써 소비전력을 저감할 수 있다.
Description
도 1은 일반적인 발광 표시장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 의한 발광 표시장치를 나타내는 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 초기화부를 나타내는 회로도이다.
도 4는 도 2에 도시된 초기화부 및 디멀티플렉서를 나타내는 회로도이다.
도 5는 도 2에 도시된 화소의 제 1실시 예를 나타내는 회로도이다.
도 6은 디멀티플렉서, 초기화부 및 도 5에 도시된 화소가 결합된 모습을 나타내는 회로도이다.
도 7은 디멀티플렉서, 초기화부 및 화소로 공급되는 구동파형을 나타내는 파형도이다.
도 8은 도 2에 도시된 화소의 제 2실시 예를 나타내는 회로도이다.
도 9는 디멀티플렉서, 초기화부 및 도 8에 도시된 화소가 결합된 모습을 나타내는 회로도이다.
도 10은 초기화 스위칭소자들의 턴-온시간에 대응하는 채널폭을 나타내는 도면이다.
도 11은 턴-온시간에 반비례하여 초기화 스위칭소자들의 사이즈가 설정된 모습을 나타내는 도면이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10,110 : 주사 구동부 20,120 : 데이터 구동부
30,130 : 화상 표시부 142,144 : 화소회로
40,140,142R,142G,142B,144R,144G,144B : 화소
50,150 : 타이밍 제어부 160 : 디멀티플렉서 블록부
170 : 디먹스 제어부
본 발명은 디멀티플렉싱 회로 및 이를 이용한 발광 표시장치에 관한 것으로, 특히 데이터 구동부의 출력선 수를 감소시킬 수 있도록 한 디멀티플렉싱 회로 및 이를 이용한 발광 표시장치에 관한 것이다.
최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 평판 표시장치로는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display), 전계방출 표시장치(Field Emission Display), 플라즈마 표시패널(Plasma Display Panel) 및 발광 표시장치(Light Emitting Display) 등이 있다.
평판표시장치 중 발광 표시장치는 전자와 정공의 재결합에 의하여 빛을 발생하는 자발광소자이다. 이러한, 발광 표시장치는 빠른 응답속도를 가짐과 동시에 낮은 소비전력으로 구동되는 장점이 있다. 일반적인 발광 표시장치는 화소마다 형성되는 구동박막 트랜지스터(Thin Film Transistor : 이하 "TFT"라 함)를 이용하여 데이터신호에 대응되는 전류를 발광소자로 공급함으로써 발광소자에서 빛이 발광되게 한다.
도 1은 종래의 일반적인 발광 표시장치를 나타내는 도면이다.
도 1을 참조하면, 종래의 발광 표시장치는 주사선들(S1 내지 Sn) 및 데이터선들(D1 내지 Dm)의 교차영역에 형성된 화소들(40)을 포함하는 화상 표시부(30)와, 주사선들(S1 내지 Sn)을 구동하기 위한 주사 구동부(10)와, 데이터선들(D1 내지 Dm)을 구동하기 위한 데이터 구동부(20)와, 주사 구동부(10) 및 데이터 구동부(20)를 제어하기 위한 타이밍 제어부(50)를 구비한다.
주사 구동부(10)는 타이밍 제어부(50)로부터의 주사 제어신호들(SCS)에 응답하여 주사신호를 생성하고, 생성된 주사신호를 주사선들(S1 내지 Sn)로 순차적으로 공급한다. 또한, 주사 구동부(10)는 주사 제어신호들(SCS)에 응답하여 발광 제어신호를 생성하고, 생성된 발광 제어신호를 발광 제어선들(E1 내지 En)로 순차적으로 공급한다.
데이터 구동부(20)는 타이밍 제어부(50)로부터의 데이터 제어신호들(DCS)에 응답하여 데이터신호들을 생성하고, 생성된 데이터신호들을 데이터선들(D1 내지 Dm)로 공급한다. 이때, 데이터 구동부(20)는 1수평기간 마다 1수평라인분씩의 데이터신호를 데이터선들(D1 내지 Dm)로 공급한다.
타이밍 제어부(50)는 외부로부터 공급되는 동기신호들에 대응하여 데이터 제어신호(DCS) 및 주사 제어신호들(SCS)을 생성한다. 타이밍 제어부(50)에서 생성된 데이터 제어신호들(DCS)은 데이터 구동부(20)로 공급되고, 주사 제어신호들(SCS)은 주사 구동부(10)로 공급된다.
화상 표시부(30)는 외부로부터 제 1전원(VDD) 및 제 2전원(VSS)을 공급받는다. 여기서, 제 1전원(VDD) 및 제 2전원(VSS)은 각각의 화소들(40)로 공급된다. 화소들(40) 각각은 주사신호가 공급될 때 선택되어 데이터신호에 대응되는 화상을 표시한다. 그리고, 화소들(40)은 발광 제어신호에 대응하여 발광 시간이 제어된다.
이와 같이 구동되는 종래의 발광 표시장치에서 화소들(40) 각각은 주사선들(S1 내지 Sn) 및 데이터선들(D1 내지 Dm)의 교차부에 위치된다. 여기서, 데이터 구동부(20)는 m개의 데이터선들(D1 내지 Dm) 각각으로 데이터신호를 공급할 수 있도록 m개의 출력선을 구비한다. 즉, 종래의 발광 표시장치에서 데이터 구동부(20)는 데이터선들(D1 내지 Dm)과 동일한 수의 출력선을 구비하여야 한다. 따라서, 데이터 구동부(20)의 내부에는 m개의 출력선이 구비되도록 다수의 데이터 집적회로(Integrated Circuit)들이 포함되고, 이에 따라 제조비용이 상승되는 문제점이 발생된다. 특히, 화상 표시부(30)의 해상도 및 인치가 커질수록 데이터 구동부(20)는 더 많은 출력선을 포함하고, 이에 따라 제조비용이 더욱 상승된다.
따라서, 본 발명의 목적은 데이터 구동부의 출력선 수를 감소시킬 수 있도록 한 디멀티플렉싱 회로 및 이를 이용한 발광 표시장치를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 제 1측면은 주사선으로 주사신호를 순차적으로 공급하기 위한 주사 구동부와, 상기 주사신호가 공급되는 기간동안 제 1데이터선들로 복수의 데이터신호를 공급하기 위한 데이터 구동부와, 복수의 화소들을 포함하는 화상표시부와, 상기 각각의 제 1데이터선마다 설치되어 상기 제 1데이터선으로 공급되는 데이터신호를 복수의 제 2데이터선으로 공급하기 위한 디멀티플렉서들과, 소정의 전압을 상기 복수의 제 2데이터선으로 인가하기 위하여 복수의 초기화 트랜지스터들을 포함하는 초기화부들을 구비하며, 상기 초기화 트랜지스터들 각각의 사이즈는 턴-온기간에 대응하여 설정되는 발광 표시장치를 제공한다.
바람직하게, 상기 초기화 트랜지스터들 각각의 채널폭은 상기 턴-온기간이 길수록 좁게 설정된다.
본 발명의 제 2측면은 외부로부터 공급되는 데이터신호를 복수의 데이터선으로 공급하기 위한 복수의 트랜지스터들을 포함하는 디멀티플렉서들과, 소정의 전압을 상기 복수의 데이터선으로 인가하기 위한 복수의 초기화 트랜지스터들을 포함하는 초기화부를 구비하며, 상기 초기화 트랜지스터들 각각의 사이즈는 턴-온기간에 대응하여 설정되는 디멀티플렉싱 회로를 제공한다.
바람직하게, 상기 초기화 트랜지스터들 각각의 채널폭은 상기 턴-온기간이 길수록 좁게 설정된다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있는 바람직한 실시 예를 첨부된 도 2 내지 도 11을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명의 실시예에 의한 발광 표시장치를 나타내는 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 발광 표시장치는 주사 구동부(110), 데이터 구동부(120), 화상 표시부(130), 타이밍 제어부(150), 디멀티플렉서 블록부(160), 디멀티플렉서 제어부(170) 및 초기화 블록부(200)를 구비한다.
화상 표시부(130)는 주사선들(S1 내지 Sn) 및 제 2데이터선들(DL1 내지 DLm)에 의해 구획된 영역에 위치되는 다수의 화소들(140)을 구비한다. 화소들(140) 각각은 주사선들(S1 내지 Sn)로부터 주사신호가 공급될 때 선택되어 제 2데이터선(DL)으로부터 공급되는 데이터신호에 대응하는 빛을 발생한다.
주사 구동부(110)는 타이밍 제어부(150)로부터 공급되는 주사 제어신호들(SCS)에 응답하여 주사신호를 생성하고, 생성된 주사신호를 주사선들(S1 내지 Sn)로 순차적으로 공급한다. 또한, 주사 구동부(110)는 주사 제어신호들(SCS)에 응답 하여 발광 제어신호를 생성하고, 생성된 발광 제어신호를 발광 제어선들(E1 내지 En)로 순차적으로 공급한다.
데이터 구동부(120)는 타이밍 제어부(150)로부터 공급되는 데이터 제어신호들(DCS)에 응답하여 데이터신호들을 생성하고, 생성된 데이터신호들을 제 1데이터선들(D1 내지 Dm/i)로 공급한다. 여기서, 제 1데이터선들(D1 내지 Dm/i) 각각은 데이터 구동부(120)의 출력선마다 설치되고, 데이터 구동부(120)는 주사신호가 공급되는 기간(1수평기간)마다 각각의 제 1데이터선들(D1 내지 Dm/i)로 i(i는 2이상의 자연수)개의 데이터신호를 공급한다.
타이밍 제어부(150)는 외부로부터 공급되는 동기신호들에 대응하여 데이터 제어신호(DCS) 및 주사 제어신호들(SCS)을 생성한다. 타이밍 제어부(150)에서 생성된 데이터 제어신호들(DCS)은 데이터 구동부(120)로 공급되고, 주사 제어신호들(SCS)은 주사 구동부(110)로 공급된다.
디멀티플렉서 블록부(160)는 m/i개의 디멀티플렉서(162)를 구비한다. 다시 말하여, 디멀티플렉서 블록부(160)는 제 1데이터선들(D1 내지 Dm/i)과 동일한 수의 디멀티플렉서(162)를 구비하고, 각각의 디멀티플렉서(162)는 제 1데이터선들(D1 내지 Dm/i) 각각과 접속된다.
그리고, 디멀티플렉서(162) 각각은 i개의 제 2데이터선들(DL)과 접속된다. 이와 같은 디멀티플렉서(162)는 1수평기간마다 제 1데이터선(D)으로 공급되는 데이터신호를 i개의 제 2데이터선들(DL)로 순차적으로 공급한다.
이를 위해, 디멀티플렉서(162) 각각은 도 4와 같이 제 1데이터 스위칭소자 (T1), 제 2데이터 스위칭소자(T2) 및 제 3데이터 스위칭소자(T3)를 구비한다.(여기서, i=3) 제 1데이터 스위칭소자(T1)는 첫번째 제 1데이터선(D1)과 첫번째 제 2데이터선(DL1)의 사이에 설치되어 제 1데이터선(D1)으로부터 공급되는 데이터신호를 첫번째 제 2데이터선(DL1)으로 공급한다. 이와 같은 제 1데이터 스위칭소자(T1)는 디멀티플렉서 제어부(170)로부터 공급되는 제 1제어신호(CS1)에 의하여 턴-온된다.
제 2데이터 스위칭소자(T2)는 첫번째 제 1데이터선(D1)과 두번째 제 2데이터선(DL2)의 사이에 설치되어 첫번째 제 1데이터선(D1)으로 공급되는 데이터신호를 두번째 제 2데이터선(DL2)으로 공급한다. 이와 같은 제 2데이터 스위칭소자(T2)는 디멀티플렉서 제어부(170)로부터 공급되는 제 2제어신호(CS2)에 의하여 턴-온된다.
제 3데이터 스위칭소자(T3)는 첫번째 제 1데이터선(D1)과 세번째 제 2데이터선(DL3)의 사이에 설치되어 첫번째 제 1데이터선(D1)으로 공급되는 데이터신호를 세번째 제 2데이터선(DL3)으로 공급한다. 이와 같은 제 3데이터 스위칭소자(T3)는 디멀티플렉서 제어부(170)로부터 공급되는 제 3제어신호(CS3)에 의하여 턴-온된다.
초기화 블록부(200)는 i개의 제 2데이터선들(DL)과 접속된 복수의 초기화부(202)를 구비한다. 이와 같은 초기화부(202)는 제 2데이터선들(DL) 각각으로 데이터신호가 공급되기 전에 제 1초기화전원을 공급한다.
이를 위해, 초기화 블록부(200)는 도 3과 같이 i개의 초기화 스위칭소자(T4,T5,T6)를 구비한다.(여기서 i를 3으로 가정한다) 초기화 스위칭소자(T4,T5,T6)는 제 1초기화전원(Vint1)과 공통적으로 접속됨과 아울러 서로 다른 제 2데이터선(DL)에 접속된다. 이와 같은 초기화 스위칭소자(T4,T5,T6)들은 동시에 턴-온됨과 아울러 서로 다른 시간에 턴-오프되면서 제 2데이터선(DL) 각각으로 제 1초기화전원(Vint1)을 공급한다.
제 4초기화 스위칭소자(T4)는 제 1초기화전원(Vint1)과 첫번째 2데이터선(DL1)의 사이에 설치되어 제 1초기화전원(Vint1)의 전압값을 첫번째 제 2데이터선(DL1)으로 공급한다. 여기서, 제 1초기화전원(Vint1)의 전압값은 화상 표시부(130)로 공급될 수 있는 가장 낮은 데이터신호의 전압보다 낮게 설정된다. 제 4초기화 스위칭소자(T4)는 디멀티플렉서 제어부(170)로부터 공급되는 제 1초기화 제어신호(Cb1)에 의하여 턴-온된다.
제 5초기화 스위칭소자(T5)는 제 1초기화전원(Vint1)과 두번째 제 2데이터선(DL2)의 사이에 설치되어 제 1초기화전원(Vint1)의 전압값을 두번째 제 2데이터선(DL2)으로 공급한다. 이와 같은 제 5초기화 스위칭소자(T5)는 디멀티플렉서 제어부(170)로부터 공급되는 제 2초기화 제어신호(Cb2)에 의하여 턴-온된다.
제 6초기화 스위칭소자(T6)는 제 1초기화전원(Vint1)과 세번째 제 2데이터선(DL3)의 사이에 설치되어 제 1초기화전원(Vint1)의 전압값을 세번째 제 2데이터선(DL3)으로 공급한다. 이와 같은 제 6초기화 스위칭소자(T6)는 디멀티플렉서 제어부(170)로부터 공급되는 제 3초기화 제어신호(Cb3)에 의하여 턴-온된다.
한편, 본 발명에서 초기화부(202)의 위치는 다양하게 설정될 수 있다. 예를 들어, 초기화 스위칭소자들(T4,T5,T6)들은 도 4와 같이 디멀티플렉서(162)에 포함되는 데이터 스위칭소자(T1 내지 T3)들과 서로 인접되게 위치될 수 있다. 여기서, 초기화 스위칭소자들(T4,T5,T6)이 데이터 스위칭소자들(T1 내지 T3)과 인접되게 위 치되거나 또는 서로 격리되어 위치되거나 동작과정은 동일하다. 이후, 초기화 스위칭소자들(T4,T5,T6) 및 데이터 스위칭소자들(T1,T2,T3)을 합쳐 디멀티플렉싱 회로라 부르기로 한다.
디멀티플렉서 제어부(170)는 주사선(S)에 주사신호가 공급될 때 마다 도 7과 같이 제 1제어신호(CS1), 제 2제어신호(CS2) 및 제 3제어신호(CS3)를 순차적으로 공급된다. 그리고, 디멀티플렉서 제어부(170)는 주사신호(SS)와 동기되도록 제 1초기화 제어신호(Cb1), 제 2초기화 제어신호(Cb2) 및 제 3초기화 제어신호(Cb3)를 동시에 공급한다. 여기서, 제 1초기화 제어신호(Cb1)는 제 1제어신호(CS1)와 중첩되지 않도록 제 1제어신호(CS1)가 공급되기 직전에 상승된다. 제 2초기화 제어신호(Cb2)는 제 2제어신호(CS2)와 중첩되지 않도록 제 2제어신호(CS2)가 공급되기 직전에 상승된다. 제 3초기화 제어신호(Cb3)는 제 3제어신호(CS3)가 공급되기 직전에 상승된다. 즉, 제 4초기화 스위칭소자(T4) 내지 제 6초기화 스위칭소자(T6)들 각각은 자신과 동일한 데이터선과 접속된 제 1데이터 스위칭소자(T1) 내지 제 3데이터 스위칭소자(T3)가 턴-온되기 전에 턴-오프된다.
한편, 도 3 및 도 4에서 스위칭소자(T1 내지 T6)들은 P타입으로 도시되었지만 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 실질적으로 스위칭소자(T1 내지 T6)들은 화소(140)들에 포함되어 제 2데이터선(DL)과 접속된 트랜지스터와 동일한 타입으로 설정된다. 예를 들어, 제 2데이터선(DL)과 접속된 트랜지스터들이 P타입으로 형성되면 스위칭소자(T1 내지 T6)들도 P타입으로 형성되고, 제 2데이터선(DL)과 접속된 트랜지스터들이 N타입으로 형성되면 스위칭소자(T1 내지 T6)들도 N타입으로 형성된 다.
도 5는 도 2에 도시된 화소의 제 1실시예를 나타내는 회로도이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 제 1실시예에 의한 화소(140)들 각각은 발광소자(OLED)와, 제 2데이터선(DL), 주사선(S) 및 발광 제어선(E)에 접속되어 발광소자(OLED)를 발광시키기 위한 화소회로(142)를 구비한다.
발광소자(OLED)의 애노드전극은 화소회로(142)에 접속되고, 캐소드전극은 제 2전원(VSS)에 접속된다. 제 2전원(VSS)은 제 1전원(VDD)보다 낮은 전압, 예를 들면 그라운드 전압 등이 될 수 있다. 발광소자(OLED)는 화소회로(142)로부터 공급되는 전류에 대응되는 빛을 생성한다. 이를 위하여, 발광소자(OLED)는 형광성 및/또는 인광성을 포함하는 유기물질 등으로 형성된다.
화소회로(142)는 제 1전원(VDD)과 n-1주사선(Sn-1) 사이에 접속되는 스토리지 커패시터(Cst) 및 제 6트랜지스트(M6)와, 제 1전원(VDD)과 데이터선(DL) 사이에 접속되는 제 2트랜지스터(M2) 및 제 4트랜지스터(M4)와, 발광소자(OLED)와 발광 제어선(En)에 접속되는 제 5트랜지스터(M5)와, 제 5트랜지스터(M5)와 제 2트랜지스터(M2) 및 제 4트랜지스터(M4)의 공통점인 제 1노드(N1) 사이에 접속되는 제 1트랜지스터(M1)와, 제 1트랜지스터(M1)의 게이트단자와 드레인단자 사이에 접속되는 제 3트랜지스터(M3)를 구비한다. 도 5에서 제 1 내지 제 6트랜지스터(M1 내지 M6)들이 P타입 MOSFET로 도시되었지만 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
제 1트랜지스터(M1)의 소오스단자는 제 1노드(N1)에 접속되고, 드레인단자는 제 5트랜지스터(M5)의 소오스단자에 접속된다. 그리고, 제 1트랜지스터(M1)의 게이트단자는 스토리지 커패시터(Cst)에 접속된다. 이와 같은 제 1트랜지스터(M1)는 스토리지 커패시터(Cst)에 충전된 전압에 대응되는 전류를 발광소자(OLED)로 공급한다.
제 3트랜지스터(M3)의 드레인단자는 제 1트랜지스터(M1)의 게이트단자에 접속되고, 소오스단자는 제 1트랜지스터(M1)의 드레인단자에 접속된다. 그리고, 제 3트랜지스터(M3)의 게이트단자는 제 n주사선(Sn)에 접속된다. 이와 같은 제 3트랜지스터(M3)는 제 n주사선(Sn)으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되어 제 1트랜지스터(M1)를 다이오드 형태로 접속시킨다. 즉, 제 3트랜지스터(M3)가 턴-온될 때 제 1트랜지스터(M1)는 다이오드 형태로 접속된다.
제 2트랜지스터(M2)의 소오스단자는 데이터선(DL)에 접속되고, 드레인단자는 제 1노드(N1)에 접속된다. 그리고, 제 2트랜지스터(M2)의 게이트단자는 제 n주사선(Sn)에 접속된다. 이와 같은 제 2트랜지스터(M2)는 제 n주사선(Sn)에 주사신호가 공급될 때 턴-온되어 데이터선(DL)으로 공급되는 데이터신호를 제 1노드(N1)로 공급한다.
제 4트랜지스터(M4)의 드레인단자는 제 1노드(N1)에 접속되고, 소오스단자는 제 1전원(VDD)에 접속된다. 그리고, 제 4트랜지스터(M4)의 게이트단자는 발광 제어선(E)에 접속된다. 이와 같은 제 4트랜지스터(M4)는 발광 제어신호가 공급되지 않을 때 턴-온되어 제 1전원(VDD)과 제 1노드(N1)를 전기적으로 접속시킨다.
제 5트랜지스터(M5)의 소오스단자는 제 1트랜지스터(M1)의 드레인단자에 접 속되고, 드레인단자는 발광소자(OLED)에 접속된다. 그리고, 제 5트랜지스터(M5)의 게이트단자는 발광 제어선(E)에 접속된다. 이와 같은 제 5트랜지스터(M5)는 발광 제어신호가 공급되지 않을 때 턴-온되어 제 1트랜지스터(M1)로부터 공급되는 전류를 발광소자(OLED)로 공급한다.
제 6트랜지스터(M6)의 소오스단자는 스토리지 커패시터(Cst)에 접속되고, 드레인단자 및 게이트단자는 제 n-1주사선(Sn-1)에 접속된다. 이와 같은 제 6트랜지스터(M6)는 제 n-1주사선(Sn-1)으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되어 스토리지 커패시터(Cst) 및 제 1트랜지스터(M1)의 게이트단자를 초기화시킨다.
도 6은 디멀티플렉서, 초기화부 및 화소들의 연결구조를 상세히 나타내는 도면이다. 여기서, 하나의 디멀티플레서 및 초기화부에는 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 화소들이 접속된다고 가정하기로 한다.(즉, i=3) 그리고, 도 7은 주사선, 데이터선 및 디멀티플렉싱 회로로 공급되는 구동파형을 나타내는 파형도이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 먼저 제 n-1주사선(Sn-1)으로 주사신호(SS)가 공급되면 화소들(142R,142G,142B) 각각에 포함된 제 6트랜지스터(M6)가 턴-온된다. 제 6트랜지스터(M6)가 턴-온되면 스토리지 커패시터(Cst) 및 제 1트랜지스터(M1)의 게이트단자가 제 n-1주사선(Sn-1)과 접속된다. 즉, 제 6트랜지스터(M6)가 턴-온되면 스토리지 커패시터(Cst) 및 제 1트랜지스터(M1)의 게이트단자로 주사신호(SS)가 공급되어 초기화된다.
이후, 제 n주사선(Sn)으로 주사신호(SS)가 공급된다. 제 n주사선(Sn)으로 주사신호(SS)가 공급되면 화소들(142R,142G,142B) 각각에 포함된 제 2트랜지스터(M2) 및 제 3트랜지스터(M3)가 턴-온된다. 그리고, 제 n주사선(Sn)으로 공급되는 주사신호(SS)와 동기되도록 제 1초기화 제어신호(Cb1), 제 2초기화 제어신호(Cb2) 및 제 3초기화 제어신호(Cb3)가 공급된다. 제 1초기화 제어신호(Cb1) 내지 제 3초기화 제어신호(Cb3)가 공급되면 제 4초기화 스위칭소자(T4) 내지 제 6초기화 스위칭소자(T6)가 턴-온된다.
제 4초기화 스위칭소자(T4) 내지 제 6초기화 스위칭소자(T6)가 턴-온되면 제 1초기화전원(Vint1)의 전압이 첫번째 제 2데이터선(DL1) 내지 세번째 제 2데이터선(DL3)으로 공급된다. 첫번째 제 2데이터선(DL1) 내지 세번째 제 2데이터선(DL3)으로 공급된 초기화전원(Vint1)은 화소들(142R,142G,142B)의 제 1노드(N1)로 공급된다. 여기서, 화소들(142R,142G,142B) 각각에 포함된 제 1트랜지스터(M1)의 게이트단자는 제 n-1주사선(Sn-1)으로 공급된 주사신호(SS)에 의하여 초기화되었기 때문에, 즉 주사신호(SS)에 대응되는 전압을 유지한다.
제 1노드(N1)에 초기화전원(Vint1)이 공급되면 제 1트랜지스터(M1)는 턴-온 또는 턴-오프된다. 실제로, 제 1트랜지스터(M1)의 턴-온 및 턴-오프 여부는 초기화전원(Vint1)의 전압값에 의하여 결정된다. 여기서, 초기화전원(Vint1)의 전압값은 화상 표시부(130)로 공급될 수 있는 가장 낮은 데이터신호의 전압에서 화소(140)에 포함된 트랜지스터의 문턱전압을 뺀 전압보다 낮게 설정된다.
예를 들어, 제 1트랜지스터(M1)가 턴-온된다면 제 1트랜지스터(M1)의 게이트단자의 전압값은 초기화전원(Vint1)의 전압값으로 변동된다. 그리고, 제 1트랜지 스터(M1)가 턴-오프된다면 제 1트랜지스터(M1)의 게이트단자의 전압값은 주사신호(SS)의 전압값을 유지한다.
이후, 제 1제어신호(CS1)가 공급되어 제 1스위칭소자(T1)가 턴-온된다. 여기서, 제 1제어신호(CS1)가 공급되기 전에 제 1초기화 제어신호(Cb1)의 공급이 중단되고, 제 2초기화 제어신호(Cb2) 및 제 3초기화 제어신호(Cb3)는 제 1제어신호(CS1)와 중첩되도록 계속 공급된다.
제 1제어신호(CS1)가 공급되면 제 1데이터 스위칭소자(T1)가 턴-온된다. 제 1데이터 스위칭소자(T1)가 턴-온되면 첫번째 제 1데이터선(D1)으로 공급되는 데이터신호가 제 2트랜지스터(M2)를 경유하여 제 1화소(142R)의 제 1노드(N1)로 공급된다. 제 1노드(N1)에 데이터신호의 전압이 공급되면 제 1트랜지스터(M1)가 턴-온된다. 다시 말하여, 제 1트랜지스터(M1)의 게이트단자의 전압값은 초기화전원(Vint1) 또는 주사신호(SS)의 전압값으로 설정되기 때문에 제 1노드(N1)로 데이터신호가 공급될 때 제 1트랜지스터(M1)가 턴-온된다. 제 1트랜지스터(M1)가 턴-온되면 제 1노드(N1)에 인가된 데이터신호가 제1트랜지스터(M1) 및 제 3트랜지스터(M3)를 경유하여 스토리지 커패시터(Cst)의 일측으로 공급된다. 이때, 스토리지 커패시터(Cst)에는 데이터신호에 대응되는 전압이 충전된다.
이후, 제 1데이터 스위칭소자(T1)가 오프되고, 제 2제어신호(CS2)에 의하여 제 2데이터 스위칭소자(T2)가 턴-온된다. 여기서, 제 2제어신호(CS2)가 공급되기 전에 제 2초기화 제어신호(Cb2)의 공급은 중단되고, 제 3초기화 제어신호(Cb3)는 제 2제어신호(CS2)와 중첩되도록 계속 공급된다.
제 2제어신호(CS2)가 공급되면 제 2데이터 스위칭소자(T2)가 턴-온된다. 제 2데이터 스위칭소자(T2)가 턴-온되면 첫번째 제 1데이터선(D1)으로 공급되는 데이터신호가 제 2트랜지스터(M2)를 경유하여 제 2화소(142G)의 제 1노드(N1)로 공급된다. 제 1노드(N1)에 데이터신호의 전압이 공급되면 제 1트랜지스터(M1)가 턴-온된다. 다시 말하여, 제 1트랜지스터(M1)의 게이트단자의 전압값은 초기화전원(Vint1) 또는 주사신호(SS)의 전압값으로 설정되기 때문에 제 1노드(N1)로 데이터신호가 공급될 때 제 1트랜지스터(M1)가 턴-온된다. 제 1트랜지스터(M1)가 턴-온되면 제 1노드(N1)에 인가된 데이터신호가 제1트랜지스터(M1) 및 제 3트랜지스터(M3)를 경유하여 스토리지 커패시터(Cst)의 일측으로 공급된다. 이때, 스토리지 커패시터(Cst)에는 데이터신호에 대응되는 전압이 충전된다.
이후, 제 2데이터 스위칭소자(T2)가 오프되고, 제 3제어신호(CS3)에 의하여 제 3데이터 스위칭소자(T3)가 턴-온된다. 여기서, 제 3제어신호(CS3)가 공급되기 전에 제 3초기화 제어신호(Cb3)의 공급은 중단된다.
제 3제어신호(CS3)가 공급되면 제 3데이터 스위칭소자(T3)가 턴-온된다. 제 3데이터 스위칭소자(T3)가 턴-온되면 첫번째 제 1데이터선(D1)으로 공급되는 데이터신호가 제 2트랜지스터(M2)를 경유하여 제 3화소(142B)의 제 1노드(N1)로 공급된다. 제 1노드(N1)에 데이터신호의 전압이 공급되면 제 1트랜지스터(M1)가 턴-온된다. 다시 말하여, 제 1트랜지스터(M1)의 게이트단자의 전압값은 초기화전원(Vint1) 또는 주사신호(SS)의 전압값으로 설정되기 때문에 제 1노드(N1)로 데이터신호가 공급될 때 제 1트랜지스터(M1)가 턴-온된다. 제 1트랜지스터(M1)가 턴-온 되면 제 1노드(N1)에 인가된 데이터신호가 제1트랜지스터(M1) 및 제 3트랜지스터(M3)를 경유하여 스토리지 커패시터(Cst)의 일측으로 공급된다. 이때, 스토리지 커패시터(Cst)에는 데이터신호에 대응되는 전압이 충전된다.
상술한 바와 같이, 본 발명에서는 디멀티플렉서(162)를 이용하여 하나의 제 1데이터선(D1)으로 공급되는 데이터신호를 i개의 제 2데이터선(DL)으로 공급하기 때문에 제조비용을 절감할 수 있다. 그리고, 본 발명에서는 제 1초기화전원(Vint1)과 접속된 i개의 초기화 스위칭소자를 추가로 설치하고, 각각의 제 2데이터선(DL)에 데이터신호가 공급되기 전까지 제 1초기화전원(Vint1)을 공급함으로써 안정적으로 원하는 화상을 표시할 수 있다.
도 8은 도 2에 도시된 화소의 제 2실시예를 나타내는 회로도이다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 제 2실시예에 의한 화소(140)들 각각은 발광소자(OLED)와, 제 2데이터선(DL) 및 주사선(S)에 접속되어 발광소자(OLED)를 발광시키기 위한 화소회로(144)를 구비한다.
발광소자(OLED)의 애노드전극은 화소회로(144)에 접속되고, 캐소드전극은 제 2전원(VSS)에 접속된다. 제 2전원(VSS)은 제 1전원(VDD)보다 낮은 전압, 예를 들면 그라운드 전압 등이 될 수 있다. 발광소자(OLED)는 화소회로(144)로부터 공급되는 전류에 대응되는 빛을 생성한다. 이를 위하여, 발광소자(OLED)는 형광성 및/또는 인광성을 포함하는 유기물질 등으로 형성된다.
화소회로(144)는 제 2데이터선(DL)과 제 n주사선(Sn)에 접속된 제 2트랜지스 터(M2)와, 제 2트랜지스터(M2)와 제 2초기화전원(Vint2) 사이에 접속되는 제 3트랜지스터(M3) 및 제 4트랜지스터(M4)와, 제 1전원(VDD)과 발광소자(OLED) 사이에 접속되는 제 1트랜지스터(M1) 및 제 5트랜지스터(M5)와, 제 1트랜지스터(M1)의 소오스단자와 게이트단자 사이에 접속된 스토리지 커패시터(Cst)를 구비한다. 도 8에서 제 1내지 제 4트랜지스터(M1 내지 M4)들이 P타입 MOSFET로 도시되고, 제 5트랜지스터(M5)가 N타입 MOSFET로 도시되었지만 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 다만, 제 5트랜지스터(M5)는 제 1내지 제 4트랜지스터(M1 내지 M4)들과 다른 타입의 MOSFET로 형성된다.
제 1트랜지스터(M1)의 소오스단자는 제 1전원(VDD)에 접속되고, 드레인단자는 제 5트랜지스터(M5)의 소오스단자에 접속된다. 그리고, 제 1트랜지스터(M1)의 게이트단자는 제 3트랜지스터(M3)의 게이트단자에 접속된다. 이와 같은 제 1트랜지스터(M1)는 스토리지 커패시터(Cst)에 충전된 전압에 대응되는 전류를 발광소자(OLED)로 공급한다.
제 5트랜지스터(M5)의 드레인단자는 발광소자(OLED)에 접속되고, 게이트단자는 제 n-1주사선(Sn-1)에 접속된다. 이와 같은 제 n-1주사선(Sn-1)에 주사신호가 공급되지 않을 때 턴-온되어 제 1트랜지스터(M1)로부터 공급되는 전류가 발광소자(OLED)로 공급한다.
제 2트랜지스터(M2)의 게이트단자는 제 n주사선(Sn)에 접속되고, 소오스단자는 제 2데이터선(DL)과 접속된다. 그리고, 제 2트랜지스터(M2)의 드레인단자는 제 3트랜지스터(M3)의 소오스단자와 접속된다. 이와 같은 제 2트랜지스터(M2)는 제 n 주사선(Sn)에 주사신호가 공급될 때 턴-온되어 데이터선(DL)으로 공급되는 데이터신호를 제 3트랜지스터(M3)로 공급한다.
제 3트랜지스터(M3)의 드레인단자는 제 4트랜지스터(M4)의 소오스단자에 접속된다. 그리고, 제 3트랜지스터(M3)의 드레인단자 및 게이트단자는 전기적으로 접속된다. 즉, 제 3트랜지스터(M3)는 드레인단자 및 게이트단자가 전기적으로 접속되어 다이오드 소자로 이용된다.
제 4트랜지스터(M4)의 게이트단자는 제 n-1주사선(Sn-1)에 접속되고, 드레인단자는 제 2초기화전원(Vint2)에 접속된다. 이와 같은 제 4트랜지스터(M4)는 제 n-1주사선(Sn-1)으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되어 제 2초기화전원(Vint2)을 제 3트랜지스터(M3)로 공급한다.
도 9는 디멀티플렉서 및 초기화부와 도 8에 도시된 화소들의 연결구조를 나타내는 도면이다.
도 7 및 도 9을 참조하면, 먼저 제 n-1주사선(Sn-1)으로 주사신호(SS)가 공급되면 화소들(144R,144G,144B) 각각에 포함된 제 4트랜지스터(M4)가 턴-온된다. 제 4트랜지스터(M4)가 턴-온되면 스토리지 커패시터(Cst)의 일측단, 제 1트랜지스터(M1)의 게이트단자 및 제 3트랜지스터(M3)의 게이트단자가 제 2초기화전원(Vint2)과 접속된다. 즉, 제 4트랜지스터(M4)가 턴-온되면 스토리지 커패시터(Cst)의 일측단, 제 1트랜지스터(M1)의 게이트단자 및 제 3트랜지스터(M3)의 게이트단자로 제 2초기화전원(Vint2)이 공급되어 초기화된다. 여기서, 제 2초기화전원 (Vint2)은 데이터 구동부(120)에서 공급될 수 있는 데이터신호의 가장 낮은전압에서 제 3트랜지스터(M3)의 문턱전압을 뺀 전압보다 낮게 설정된다. 한편, 제 2초기화전원(Vint2) 및 제 1초기화전원(Vint1)의 전압값은 동일 또는 상이하게 설정된다.
이후, 제 n주사선(Sn)으로 주사신호(SS)가 공급된다. 제 n주사선(Sn)으로 주사신호(SS)가 공급되면 화소들(144R,144G,144B) 각각에 포함된 제 2트랜지스터(M2)가 턴-온된다. 그리고, 제 n주사선(Sn)으로 공급되는 주사신호(SS)와 동기되도록 제 1초기화 제어신호(Cb1), 제 2초기화 제어신호(Cb2) 및 제 3초기화 제어신호(Cb3)가 공급된다. 제 1초기화 제어신호(Cb1) 내지 제 3초기화 제어신호(Cb3)가 공급되면 제 4초기화 스위칭소자(T4) 내지 제 6초기화 스위칭소자(T6)가 턴-온된다.
제 4초기화 스위칭소자(T4) 내지 제 6초기화 스위칭소자(T6)가 턴-온되면 제 1초기화전원(Vint1)의 전압이 첫번째 제 2데이터선(DL1) 내지 세번째 제 2데이터선(DL3)으로 공급된다. 첫번째 제 2데이터선(DL1) 내지 세번째 제 2데이터선(DL3)으로 공급된 제 1초기화전원(Vint1)은 화소들(144R,144G,144B)에 포함된 제 3트랜지스터(M3)의 소오스단자로 공급된다. 여기서, 제 3트랜지스터(M3)의 게이트단자는 제 2초기화전원(Vint2)에 의하여 초기화되었기 때문에 제 2초기화전원(Vint2)의 전압값을 유지한다.
제 3트랜지스터(M3)의 소오스단자로 제 1초기화전원(Vint1)이 공급되면 제 1트랜지스터(M1)는 턴-온 또는 턴-오프된다. 실제로, 제 3트랜지스터(M3)의 턴-온 및 턴-오프 여부는 초기화전원(Vint1)의 전압값에 의하여 결정된다. 여기서, 제 3트랜지스터(M3)가 턴-온된다면 제 3트랜지스터(M3)의 게이트단자의 전압값은 제 1초기화전원(Vint1)의 전압값으로 변동된다. 그리고, 제 3트랜지스터(M3)가 턴-오프된다면 제 3트랜지스터(M3)의 게이트단자의 전압값은 제 2초기화전원(Vint2)의 전압값을 유지한다.
이후, 제 1제어신호(CS1)가 공급되어 제 1데이터 스위칭소자(T1)가 턴-온된다. 여기서, 제 1제어신호(CS1)가 공급되기 전에 제 1초기화 제어신호(Cb1)의 공급이 중단되고, 제 2초기화 제어신호(Cb2) 및 제 3초기화 제어신호(Cb3)는 제 1제어신호(CS1)와 중첩되도록 계속 공급된다.
제 1데이터 스위칭소자(T1)가 턴-온되면 첫번째 제 1데이터선(D1)으로 공급되는 데이터신호가 제 1데이터 스위칭소자(T1)를 경유하여 제 1화소(144R) 제 3트랜지스터(M3)의 소오스단자로 공급된다. 이때, 제 3트랜지스터(M3)의 게이트단자는 제 1초기화전원(Vint1) 또는 제 2초기화전원(Vint2)에 의하여 초기화되었기 때문에 턴-온된다. 제 3트랜지스터(M3)가 턴-온되면 데이터신호가 제 3트랜지스터(M3)의 게이트단자, 즉 스토리지 커패시터(Cst)의 일측단으로 공급된다. 이때, 스토리지 커패시터(Cst)에는 데이터신호에 대응되는 전압이 충전된다. 그리고, 스토리지 커패시터(Cst)에는 데이터신호에 대응되는 전압 이외에 제 1트랜지스터(M1)의 문턱전압에 해당하는 전압이 추가적으로 충전된다.
이후, 제 1데이터 스위칭소자(T1)가 오프되고, 제 2제어신호(CS2)에 의하여 제 2데이터 스위칭소자(T2)가 턴-온된다. 여기서, 제 2제어신호(CS2)가 공급되기 전에 제 2초기화 제어신호(Cb2)의 공급은 중단되고, 제 3초기화 제어신호(Cb3)는 제 2제어신호(CS2)와 중첩되도록 계속 공급된다.
제 2데이터 스위칭소자(T2)가 턴-온되면 첫번째 제 1데이터선(D1)으로 공급되는 데이터신호가 제 2데이터 스위칭소자(T2)를 경유하여 제 2화소(144G) 제 3트랜지스터(M3)의 소오스단자로 공급된다. 이때, 제 3트랜지스터(M3)의 게이트단자는 제 1초기화전원(Vint1) 또는 제 2초기화전원(Vint2)에 의하여 초기화되었기 때문에 턴-온된다. 제 3트랜지스터(M3)가 턴-온되면 데이터신호가 제 3트랜지스터(M3)의 게이트단자, 즉 스토리지 커패시터(Cst)의 일측단으로 공급된다. 이때, 스토리지 커패시터(Cst)에는 데이터신호에 대응되는 전압이 충전된다. 그리고, 스토리지 커패시터(Cst)에는 데이터신호에 대응되는 전압 이외에 제 1트랜지스터(M1)의 문턱전압에 해당하는 전압이 추가적으로 충전된다.
이후, 제 2데이터 스위칭소자(T2)가 오프되고, 제 3제어신호(CS3)에 의하여 제 3데이터 스위칭소자(T3)가 턴-온된다. 여기서, 제 3제어신호(CS3)가 공급되기 전에 제 3초기화 제어신호(Cb3)의 공급은 중단된다.
제 3데이터 스위칭소자(T3)가 턴-온되면 첫번째 제 1데이터선(D1)으로 공급되는 데이터신호가 제 3데이터 스위칭소자(T3)를 경유하여 제 3화소(144B) 제 3트랜지스터(M3)의 소오스단자로 공급된다. 이때, 제 3트랜지스터(M3)의 게이트단자는 제 1초기화전원(Vint1) 또는 제 2초기화전원(Vint2)에 의하여 초기화되었기 때문에 턴-온된다. 제 3트랜지스터(M3)가 턴-온되면 데이터신호가 제 3트랜지스터(M3)의 게이트단자, 즉 스토리지 커패시터(Cst)의 일측단으로 공급된다. 이때, 스 토리지 커패시터(Cst)에는 데이터신호에 대응되는 전압이 충전된다. 그리고, 스토리지 커패시터(Cst)에는 데이터신호에 대응되는 전압 이외에 제 1트랜지스터(M1)의 문턱전압에 해당하는 전압이 추가적으로 충전된다.
상술한 바와 같이, 본 발명에서는 디멀티플렉서(162)를 이용하여 하나의 제 1데이터선(D1)으로 공급되는 데이터신호를 i개의 제 2데이터선(DL)으로 공급할 수 있는 장점이 있다. 그리고, 본 발명에서는 디멀티플렉서(162) 각각에 제 1초기화전원(Vint1)과 접속된 i개의 스위칭소자를 추가로 설치하고, 각각의 제 2데이터선(DL)에 데이터신호가 공급되기 전까지 제 1초기화전원(Vint1)을 공급함으로써 안정적으로 원하는 화상을 표시할 수 있다.
한편, 도 7에 도시된 바와 같이 주사신호가 공급되는 기간동안 초기화 스위칭소자(T4,T5,T6)들의 턴-온시간은 서로 상이하게 설정된다. 여기서, 주사신호가 공급되는 기간동안 가장 짧은 턴-온시간을 갖는 초기화 스위칭소자는 넓은 채널폭을 갖도록 설정되어야 한다.
도 10은 초기화 스위칭소자들의 채널폭을 나타내는 도면이다. 도 10에서는 제 4초기화 스위칭소자(T4)가 가장 짧은 턴-온시간을 가짐과 동시에 제 6초기화 스위칭소자(T6)가 가장 긴 턴-온시간을 갖는다고 가정한다.
도 10을 참조하면, 가장 짧은 턴-온시간을 갖는 제 4초기화 스위칭소자(T4)는 채널폭을 대략 60㎛로 설정해야 원하는 시간(도 10에서는 대략 5㎲) 안에 제 1초기화전압(Vint1)을 충분히 공급할 수 있다. 그리고, 가장 긴 턴-온시간을 갖는 제 6초기화 스위칭소자(T6)는 채널폭을 대략 10㎛로 설정하면 원하는 시간(도 10에서는 대략 25㎲) 안에 제 1초기화전압(Vint1)을 충분히 공급할 수 있다. 또한, 제 4초기화 스위칭소자(T4) 및 제 6초기화 스위칭소자(T6)의 사이의 턴-온시간을 갖는 제 5초기화 스위칭소자(T5)는 채널폭을 대략 20㎛로 설정하면 원하는 시간(도 10에서는 대략 13㎲) 안에 제 1초기화전압(Vint1)을 충분히 공급할 수 있다.
도 10에서 알 수 있는 바와 같이 초기화 스위칭소자들(T4 내지 T6)은 어느 정도의 채널폭이 확보되어야만 제 1초기화전압(Vint1)을 제 2데이터선(DL)으로 충분히 공급할 수 있고, 이에 따라 안정된 동작을 확보할 수 있다. 여기서, 초기화 스위칭소자들(T4 내지 T6)의 채널폭을 모두 동일하게 설정하려면 제 4초기화 스위칭소자(T4)와 동일한 채널폭을 갖도록 제 5초기화 스위칭소자(T5) 및 제 6초기화 스위칭소자(T6)의 채널폭을 제어하여야 한다.
하지만, 초기화 스위칭소자들(T4 내지 T6)의 채널폭을 모두 동일하게 설정하면 초기화 스위칭소자들(T4 내지 T6)이 차지하는 면적이 증가되어 설계 자유도를 확보하기 곤란하다. 아울러, 초기화 스위칭소자들(T4 내지 T6)이 차지하는 면적이 증가되면 주변회로들의 차지하는 면적이 줄어들고, 이에 따라 신뢰성을 떨어질 염려가 있다. 따라서, 본 발명의 실시예에서는 초기화 스위칭소자들(T4 내지 T6)의 턴-온시간에 대응하여 초기화 스위칭소자들(T4 내지 T6)의 사이즈(즉, 채널폭)를 서로 다르게 설정한다.
다시 말하여, 도 11과 같이 주사신호가 공급되는 기간동안 가장 짧은 턴-온시간을 갖는 제 4초기화 스위칭소자(T4)의 사이즈를 가장 크게 설정하고, 가장 긴 턴-온시간을 갖는 제 6초기화 스위칭소자(T6)의 사이즈를 가장 작게 설정한다. 이와 같이 초기화 스위칭소자들(T4 내지 T6)의 턴-온시간에 대응하여 초기화 스위칭소자들(T4 내지 T6)의 사이즈를 서로 다르게 설정하면 초기화 스위칭소자들(T5, T6)이 차지하는 면적이 줄어들고, 이에 따라 설계 자유도를 확보할 수 있다. 더불어, 나중에 턴-온되는 초기화 스위칭소자들의 사이즈를 작게 설정하면 초기화 스위칭소자로부터 공급되는 전압(또는 전류)가 감소되어 소비전력을 저감할 수 있다.
상기 발명의 상세한 설명과 도면은 단지 본 발명의 예시적인 것으로서, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 따라서, 이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 보호 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 디멀티플렉싱 회로 및 이를 이용한 발광 표시장치에 의하면 디멀티플렉서를 이용하여 하나의 출력선로 공급되는 데이터신호를 i개의 데이터선으로 공급할 수 있기 때문에 제조비용을 절감할 수 있다. 또한, 초기화부에 i개의 초기화 스위칭소자들을 추가로 설치하고, 초기화 스위칭소자와 동일한 데이터선에 접속된 비디오 스위칭소자가 턴-온되기 전까지 초기 화 스위칭소자를 턴-온함으로써 화소들에 원하는 데이터신호를 공급할 수 있다. 그리고, 본 발명에서는 초기화 스위칭소자의 사이즈를 턴-온시간에 대응하여 서로 다르게 설정함으로써 초기화 스위칭소자들의 사이즈를 줄일 수 있고, 이에 따라 설계 자유도를 확보할 수 있다. 또한, 초기화 스위칭소자들의 사이즈를 줄임으로써 초기화 스위칭소자를 경유하여 공급되는 전압(또는 전류)를 최소화할 수 있고, 이에 따라 소비전력을 저감할 수 있다.
Claims (14)
- 주사선으로 주사신호를 순차적으로 공급하기 위한 주사 구동부와,상기 주사신호가 공급되는 기간동안 제 1데이터선들로 복수의 데이터신호를 공급하기 위한 데이터 구동부와,복수의 화소들을 포함하는 화상표시부와,상기 각각의 제 1데이터선마다 설치되어 상기 제 1데이터선으로 공급되는 데이터신호를 복수의 제 2데이터선으로 공급하기 위한 디멀티플렉서들과,소정의 전압을 상기 복수의 제 2데이터선으로 인가하기 위하여 복수의 초기화 트랜지스터들을 포함하는 초기화부들을 구비하며,상기 초기화 트랜지스터들 각각의 사이즈는 턴-온기간에 대응하여 설정되는 발광 표시장치.
- 제 1항에 있어서,상기 초기화 트랜지스터들 각각의 채널폭은 상기 턴-온기간이 길수록 좁게 설정되는 발광 표시장치.
- 제 2항에 있어서,상기 초기화부 각각은 i(i는 2이상의 자연수)개의 상기 초기화 트랜지스터들을 포함하며, 상기 i개의 상기 초기화 트랜지스터들은 상기 소정의 전압을 공급하 기 위한 소정의 전압원과 i개의 제 2데이터선 사이에 접속되는 발광 표시장치.
- 제 3항에 있어서,상기 디멀티플렉서들 각각은 상기 초기화부와 동일한 복수의 트랜지스터들을 구비하는 발광 표시장치.
- 제 4항에 있어서,상기 트랜지스터들 및 초기화 트랜지스터들의 턴-온 및 턴-오프 타이밍을 제어하기 위한 디먹스 제어부를 더 구비하는 발광 표시장치.
- 제 5항에 있어서,상기 디먹스 제어부는 상기 주사신호가 공급되는 기간동안 상기 복수의 트랜지스터들이 순차적으로 턴-온되도록 복수의 제어신호를 공급하는 발광 표시장치.
- 제 6항에 있어서,상기 디먹스 제어부는 상기 주사신호와 동기되어 상기 초기화 트랜지스터들이 턴-온되도록 초기화 제어신호를 공급하는 발광 표시장치.
- 제 7항에 있어서,상기 디먹스 제어부는 상기 초기화 트랜지스터들이 서로 다른 시간에 턴-오 프되도록 상기 초기화 제어신호를 공급하는 발광 표시장치.
- 제 8항에 있어서,상기 트랜지스터들과 동일한 제 2데이터선에 접속된 초기화 트랜지스터들은 상기 동일한 데이터선에 접속된 상기 트랜지스터들이 턴-온되기 전에 턴-오프되는 발광 표시장치.
- 외부로부터 공급되는 데이터신호를 복수의 데이터선으로 공급하기 위한 복수의 트랜지스터들을 포함하는 디멀티플렉서들과,소정의 전압을 상기 복수의 데이터선으로 인가하기 위한 복수의 초기화 트랜지스터들을 포함하는 초기화부를 구비하며,상기 초기화 트랜지스터들 각각의 사이즈는 턴-온기간에 대응하여 설정되는 디멀티플렉싱 회로.
- 제 10항에 있어서,상기 초기화 트랜지스터들 각각의 채널폭은 상기 턴-온기간이 길수록 좁게 설정되는 디멀티플렉싱 회로.
- 제 10항에 있어서,상기 복수의 트랜지스터들은 순차적으로 턴-온되면서 상기 복수의 데이터선 으로 상기 데이터신호를 공급하는 디멀티플렉싱 회로.
- 제 12항에 있어서,상기 초기화 트랜지스터들은 동시에 턴-온됨과 동시에 서로 다른 시간에 턴-오프되는 디멀티플렉싱 회로.
- 제 13항에 있어서,상기 초기화 트랜지스터들 각각은 자신과 동일한 데이터선과 접속된 비디오 스위칭소자가 턴-온되기 전에 턴-오프되는 디멀티플렉싱 회로.
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