Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

KR100437658B1 - 플라즈마 표시장치용 크세논가스의 회수 및 정제장치 그리고 그 회수 및 정제방법 - Google Patents

플라즈마 표시장치용 크세논가스의 회수 및 정제장치 그리고 그 회수 및 정제방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100437658B1
KR100437658B1 KR10-2001-0005190A KR20010005190A KR100437658B1 KR 100437658 B1 KR100437658 B1 KR 100437658B1 KR 20010005190 A KR20010005190 A KR 20010005190A KR 100437658 B1 KR100437658 B1 KR 100437658B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
xenon
getter
gas
pdp
recovery
Prior art date
Application number
KR10-2001-0005190A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20020064604A (ko
Inventor
이택홍
Original Assignee
주식회사 컴텍스
이택홍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 컴텍스, 이택홍 filed Critical 주식회사 컴텍스
Priority to KR10-2001-0005190A priority Critical patent/KR100437658B1/ko
Publication of KR20020064604A publication Critical patent/KR20020064604A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100437658B1 publication Critical patent/KR100437658B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2209/00—Apparatus and processes for manufacture of discharge tubes
    • H01J2209/38—Control of maintenance of pressure in the vessel
    • H01J2209/385—Gettering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/24—Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases
    • H01J9/241—Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases the vessel being for a flat panel display

Landscapes

  • Separation Of Gases By Adsorption (AREA)

Abstract

본 발명은 플라즈마 표시장치(Plasma Display Panel : PDP)용 방전가스의 회수 및 정제장치에 관한 것으로, 고체 입자를 여과하는 여과장치, 크세논을 액화시켜 선택적으로 흡착하는 흡착탑, 및 크세논에 함유된 불순물 가스를 흡착 제거하는 게터 장치로 구성되는 것을 특징으로 한다.

Description

플라즈마 표시장치용 크세논가스의 회수 및 정제장치 그리고 그 회수 및 정제방법{Recovery and Purifying system of discharge gas for PDP}
본 발명은 플라즈마 표시장치(Plasma Display Panel : PDP)용 방전가스의 회수 및 정제장치 그리고 그 공정에 관한 것이다.
화상이나 정보의 표시소자로서 현재 널리 쓰이는 브라운관(CRT)은 부피가 크고 소모전력이 큰 단점을 갖고 있어, 소형이며 작은 부피가 요구되는 휴대용 컴퓨터나 화면이 40-50"가 요구되는 차세대 고서화질 TV에 필요한 표시기로 플라즈마 표시장치(Plasma Display Panel : PDP)가 주목된다. 이러한 PDP 제조시 사용되는 방전가스 성분은 Xe, Ne 등 희귀 가스로 이루어져 있어 상당히 고가임에도 공정 상 방전가스가 손실되는 문제점이 있다.
크세논은 공기 중에 0.086ppm 정도로 근소한 극소량 밖에 포함되어 있지 않으므로 공기에서 분리하는 것이 어렵고 비용이 많이 들어 회수하여 재사용할 수 있는 방법에 대해 많은 연구가 모색되어 왔다.
따라서, 본 발명의 목적은 플라즈마 표시장치(Plasma Display Panel : PDP)용 방전가스의 회수 및 정제장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 플라즈마 표시장치(Plasma Display Panel : PDP)용 방전가스의 회수 및 정제공정을 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명의 일례의 개략적인 공정도.
도 2는 크세논의 상전이 다이아그램.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
1 : Xe/Ne 가스 공급 실린더 2 : 퍼지가스 공급 장치
3 : 유량 조절 탱크 4 : 여과 장치
5 : 압축기 6 : 저장 탱크
7 : 흡착탑 8 : 송풍기
9 : 게터 정제기 10: 열교환기
11: 상온 게터 정제기 100:PDP
상기 본 발명의 목적은, 고체 입자를 여과하는 여과장치, 크세논을 액화시켜 선택적으로 흡착하는 흡착탑, 및 크세논에 함유된 불순물 가스를 흡착 제거하는 게터 장치로 구성되는 플라즈마 표시장치(Plasma Display Panel : PDP)용 방전가스의 회수 및 정제장치에 의해 달성된다.
본 발명의 다른 목적은 PDP용 방전가스에 포함된 고체 입자를 여과하여 제거하고, 크세논을 액화시켜 크세논을 선택적으로 흡착시킨 다음, 크세논에 함유된 불순물은 게터를 사용하여 흡착 제거하는 것으로 구성되는 플라즈마 표시장치(Plasma Display Panel : PDP)용 방전가스의 회수 및 정제방법에 의해 달성된다.
이하 도면을 참조하여 본 발명을 상세하게 설명한다.
Xe/Ne 가스는 실린더(1)로부터 PDP(100)로 공급된다. 방전가스는 퍼지가스(purge gas) 공급 장치(2)에 의해 퍼징되어 유량 조절탱크(3)로 공급될 수 있다. 이때 퍼지 가스로는 질소 가스나 아르곤 가스 등이 사용된다. 혹은 진공 펌프(2')를 이용하여 유량 조절탱크(3)로 공급될 수도 있다. 유량 조절 탱크(3)는 본 발명의 회수 및 정제 장치에 공급되는 폐가스의 유량 및 유속을 일정하게 공급하는 역활을 한다. 일정 유량 및 유속으로 조절된 가스는 여과 장치(4)로 공급된다. 여과 장치(4)를 통해 방전 중에 포함된 고체 입자들이 가스로부터 제거된다. 압축기(5)에서 승압된 가스는 저장 탱크(6)에서 임시로 저장되었다가 흡착탑(7)으로 이송된다. 흡착탑(7)에는 크세논을 선택적으로 흡착하는 흡착제가 충진되어 있다. 이러한 크세논을 선택적으로 흡착하는 흡착제로서는 활성탄 또는 분자체(예를 들어, 제올라이트)가 사용된다. 크세논 함유가스는 흡착탑에서 크세논이 액화되는 온도로 냉각되고 액화된 크세논만 흡착되고 나머지 가스는 배기된다. 크세논이 액화되는 조건은 도 2의 상전이 다이아그램에 도시되어 있다. 즉, 1bar의 압력에서 크세논은 -108.80℃에서 액화한다. 압력이 승압되면 그 이상의 온도에서도 액화가 가능하다. 냉동기(20)에 의해 공급된 냉매로 저온에 노출된 흡착제에 의하여 액화된 크세논은 흡착탑(7) 내부의 히터에 의해 다시 가열되어 가스 상태로 송풍기(8)에 의해 게터 정제기(9)로 공급된다. 게터 정제기(9)에서는 주로 크세논 가스에함유된 메탄이나 일산화탄소, 이산화탄소 등의 불순물이 제거되며 게터에 의한 흡착은 200-600℃의 온도에서 이루어진다. 사용되는 게터의 종류는 이러한 일산화탄소, 이산화탄소 및 메탄 흡착에 유용한 게터라면 어떤 종류의 게터라도 사용할 수 있고, 예를 들어 Zr-V-Fe와 같은 지르코늄 합금 등이 사용될 수 있다. 1차 게터에 의한 흡착 정제가 이루어진 가스는 열교환기(10)에 의해 상온으로 냉각되어 상온에서 조작되는 게터 정제기(11)로 이송된다. 이 게터 정제기(11)에서는 주로 크세논 가스에 불순물로 포함되는 수소 가스가 흡착에 의해 제거된다. 사용되는 게터의 종류는 수소 흡착에 유용한 게터라면 어떤 종류의 게터라도 사용할 수 있고, 예를 들어 Zr-Fe 합금과 같은 게터가 사용될 수 있다. 회수 정제된 Xe 을 실린더의 가스 농도와 동일한 수준으로 재생시킨다.
본 발명에 의하면, 고순도 Xe 가스(순도 99.99% 이상)를 연속적으로 안정하게 공급할 수 있으며, 회수율은 95% 이상으로 회수할 수 있다.
분석방법
정제 전후의 불순물 분석은 하기 표 1의 방법에 의해 측정되었다.
표 1
항목 분석기 분석방식 최소검출한계
수소 GC-DID 방전이온화 <50ppb
질소 GC-DID 방전이온화 <50ppb
산소 Delta-F 전하량 측정식 <0.2ppb
일산화탄소 GC-FID(with Methanizer) 불꽃 이온화 <10ppb
이산화탄소 GC-FID(with Methanizer) 불꽃 이온화 <10ppb
메탄 GC-FID 불꽃 이온화 <10ppb
수분 Super-Dew Al2O3방식 <2ppb
Ne,Xe GC-TCD 열전도도 차이 <10ppm
실시예
실린더(1)와 PDP 출구(101)의 각 가스 성분을 상기 분석방법으로 분석한 후, 도 1의 장치를 사용해 회수 및 정제를 행하였다. 퍼지 가스로 질소 가스를 사용하여 유량 조절탱크(3)로 공급된 Xe 가스는 분당 15ℓ의 속도로 처리된다. 여과 장치(4)를 통해 방전 중에 포함된 고체 입자들을 제거한 다음, 압축기(5)에서 승압된 가스는 저장 탱크(6)에서 임시로 저장되었다가 활성탄이 충진된 흡착탑(7)으로 이송된다. 흡착탑을 냉동기(20)를 가동하여 -150℃로 냉각시켜 흡착시키고 나머지 가스는 배기시켰다. 상온까지 가온하고 크세논을 회수하여 송풍기(8)를 통해 게터 정제기(9)로 공급하였다. 게터를 사용하여 350℃의 온도에서 흡착을 행하고, 다시 열교환기(10)를 사용하여 상온으로 냉각한 다음 게터 정제기(11)로 이송하여 게터를 사용하여 정제하였다. 회수 정제된 가스를 상기 분석 방법으로 분석하였고 그 결과는 하기 표 2에 게시하였다.
표 2
Ne 실린더 PDP 출구 회수 정제 장치 출구
수소질소산소일산화탄소+이산화탄소메탄수분 -<2.0ppm<1.0ppm<0.5ppm<0.5ppm<1.0ppm 6.2ppm<0.49ppm<0.70ppm<2.20ppm<0.40ppm<49.0ppm (<2.0ppm)<0.5ppm<0.5ppm<0.5ppm<0.5ppm<1.0ppm
Xe 농도 보정범위 지정농도±5% 이내5%+/-5%(4.75∼5.25%) 지정농도±5% 이내5%+/-5%(4.75∼5.25%)
본 발명의 장치 및 공정에 의하면 PDP 품질에 영향을 미치지 않으면서 고순도의 방전가스를 높은 회수율로 회수할 수 있다.

Claims (4)

  1. 고체 입자를 여과하는 여과장치, 크세논을 액화시켜 선택적으로 흡착하는 흡착탑, 및 크세논에 함유된 불순물 가스를 흡착 제거하는 게터 장치로 구성되는 플라즈마 표시장치(Plasma Display Panel : PDP)용 크세논가스의 회수 및 정제장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 흡착탑에는 활성탄 또는 분자체가 충진되는 것을 특징으로 하는 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 게터 장치는 주로 일산화탄소, 이산화탄소 및 메탄을 흡착 제거하는 게터와 수소를 흡착제거하는 게터로 구성되는 것을 특징으로 하는 장치.
  4. 고체 입자를 여과하여 제거하고, 크세논을 액화시켜 크세논을 선택적으로 흡착시킨 다음, 크세논에 함유된 불순물은 게터를 사용하여 흡착 제거하는 것으로 구성되는 플라즈마 표시장치(Plasma Display Panel : PDP)용 크세논가스의 회수 및 정제방법.
KR10-2001-0005190A 2001-02-02 2001-02-02 플라즈마 표시장치용 크세논가스의 회수 및 정제장치 그리고 그 회수 및 정제방법 KR100437658B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2001-0005190A KR100437658B1 (ko) 2001-02-02 2001-02-02 플라즈마 표시장치용 크세논가스의 회수 및 정제장치 그리고 그 회수 및 정제방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2001-0005190A KR100437658B1 (ko) 2001-02-02 2001-02-02 플라즈마 표시장치용 크세논가스의 회수 및 정제장치 그리고 그 회수 및 정제방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020064604A KR20020064604A (ko) 2002-08-09
KR100437658B1 true KR100437658B1 (ko) 2004-06-26

Family

ID=27693190

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2001-0005190A KR100437658B1 (ko) 2001-02-02 2001-02-02 플라즈마 표시장치용 크세논가스의 회수 및 정제장치 그리고 그 회수 및 정제방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100437658B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004101916A (ja) * 2002-09-10 2004-04-02 Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd ガス放電表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20020064604A (ko) 2002-08-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6270557B1 (en) Process for purifying air by adsorption before cryogenic distillation
JP3983310B2 (ja) ガス流から二酸化炭素を除去する方法
US5039500A (en) Process for producing xenon
US5125934A (en) Argon recovery from argon-oxygen-decarburization process waste gases
JP5392745B2 (ja) キセノンの濃縮方法、キセノン濃縮装置、及び空気液化分離装置
AU670808B2 (en) Purification of oxygen by cryogenic adsorption
CS145292A3 (en) Process for preparing extremely pure argon
US6658894B2 (en) Process and adsorbent for the recovery of krypton and xenon from a gas or liquid stream
KR20020002243A (ko) 가스 정화법
KR100501423B1 (ko) 기체 또는 액체 스트림으로부터 크립톤 및 크세논을 회수하기 위한 공정 및 흡착제
CN111566044B (zh) 在低温温度下从气体或液体流中回收氙的吸附性方法
US4746332A (en) Process for producing high purity nitrogen
EP0826629B1 (en) Recovery of noble gases
JPH10113502A (ja) 高純度液体状態の低温流体を生成する方法および装置
US5857356A (en) Process for the purification of a cryogenic fluid by filtration and/or adsorption
JP5248478B2 (ja) キセノンの濃縮方法および濃縮装置
EP0646543A1 (en) Purification of fluids by adsorption
KR20030013311A (ko) 압력 스윙 흡착에 의한 가스 정제법
KR100437658B1 (ko) 플라즈마 표시장치용 크세논가스의 회수 및 정제장치 그리고 그 회수 및 정제방법
JP3268177B2 (ja) ネオン、ヘリウムの製造方法
JP2003062419A (ja) ガス混合物の分離方法及びその装置
JPH10137530A (ja) 多孔質金属酸化物への吸着による不活性ガスからのｏ２／ｃｏ除去
JP3639087B2 (ja) ヘリウム回収方法
US5913893A (en) Process for the purification of a cryogenic fluid by filtration and/or adsorption
JP3294067B2 (ja) クリプトンの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee