KR100436220B1

KR100436220B1 - 바닥 반사방지막용 유기 중합체, 그의 제조방법 및 그를함유하는 조성물

Info

Publication number: KR100436220B1
Application number: KR10-2001-0053032A
Authority: KR
Inventors: 김준영; 하성현; 안광덕; 강종희
Original assignee: 주식회사 네패스
Priority date: 2001-08-30
Filing date: 2001-08-30
Publication date: 2004-06-12
Also published as: US20030073028A1; KR20010099104A; US6610457B2

Abstract

본 발명은 고집적 반도체 소자 제조 시 원자외선을 이용한 초미세회로 가공공정에 사용가능한 반사방지막용 이소플라본 발색단 함유 공중합체 및 그의 제조방법, 상기 중합체를 함유하는 바닥 반사방지막 조성물과 이를 이용한 바닥 반사방지막 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.

본 발명에 따른 이소플라본 발색단 함유 공중합체를 이용한 바닥 반사방지막은 64 메가빗디램 이상 기가빗디램의 고집적 반도체 소자 제조에 사용할 경우, 회로의 층간 난반사 및 정재파 현상을 억제하고 제거하므로 원하는 100 ~ 200 nm의 고해상도 미세회로를 안정적으로 형성하여 반도체 소자의 생산수율을 증대시킬 수 있다.

Description

바닥 반사방지막용 유기 중합체, 그의 제조방법 및 그를 함유하는 조성물{Organic polymers for bottom antireflective coating, processes for preparing the same, and compositions containing the same}

본 발명은 짧은 파장의 원자외선을 이용한 고집적 반도체의 미세회로 형성을 위한 노광공정인 광미세가공기술(photolithography)에서 포토레지스트 밑의 기질층에서 일어나는 난반사(reflective notching)를 억제하고 사용 광원 및 포토레지스트의 두께 변화에 따른 정재파(standing wave) 효과를 제거할 수 있는 바닥 반사방지막(bottom antireflective coaing layer)용 이소플라본 발색단 함유 유기 감광재료에 관한 것으로, 상기와 같은 유기 중합체 및 그의 제조, 유기 중합체 조성물, 이러한 조성물을 함유하는 바닥 반사방지막 및 그의 제조방법에 관한 것이다.

반사방지막(antireflective coating: ARC)은 기가비트(Gb)급 초고집적 반도체를 생산하는데 필수적인 100 ~ 200 nm 및 그 이하의 초미세회로를 안정적으로 형성시키기 위해 사용되는 매우 얇은 광흡수 감광재료 층으로 반도체 광미세회로가공(photolithography) 공정에 사용되고 있으며 기존의 공정에 사용되고 있는 고해상도 포토레지스트(photoresist: PR) 재료와 상호 접착계면 및 광 특성이 잘 맞아야 한다. 이와 같은 반사방지막은 원자외선 노광 공정 중 포토레지스트 층의 하단에 먼저 도포되므로 바닥 반사방지막(BARC, bottom ARC)라 부르고, 현재의 발달된 고집적 반도체 광미세가공 공정에서 높은 흡광도의 유기 바닥 반사방지막이 일반적으로 사용되고 있다. 따라서, 유기 반사방지막은 특정한 노광 파장에 대응하여 높은 광흡수가 요구되므로 고집적 반도체 미세가공기술 공정의 발달에 따른 광원의 단파장화(G-line, I-line, KrF, ArF, F2 등)에 각각 대응할 수 있어야 한다 [M. Padmanaban et al.,Proc. SPIE, 3678, 550 (1999); E. Iguchi et al.,Proc. SPIE, 3999, 521 (2000); M. Padmanalan et al.,Proc. SPIE, 3333, 206 (1998)].

근년에 이르러 초고집적 반도체 제조업에서 다양한 기술이 괄목하게 발전하였지만 실리콘 웨이퍼 위에 감광재료인 포토레지스트를 스핀 도포하여 노광하는 기존의 광미세회로 가공기술만으로는 100 ~ 200 nm 급의 초미세회로를 안정적으로 제작하기 불가능한 상황에 도달하여 포토레지스트 층을 도포하기 이전에 노광시에 필요한 특별한 박막의 도포가 필요하게 되었다. 이렇게 필요 불가결하게 부가되는 반사방지막은 포토레지스트층 내에서 노광에 따른 입사광과 기질로부터의 반사광의 간섭에 의해 발생되는 정재파 효과를 방지하고 또한 이전에 만들어 놓은 회로로부터 기인하는 단차(topography)에 따른 반사나 모서리에서의 난반사를 방지 또는 현저히 감소시키는 작용을 하여 원하는 초미세회로 치수(critical dimension: CD)를 정확하게 제어하여 제조공정 조건의 허용도를 완화하여 준다. 이와 같은 반사방지막은 그 조성에 따라 스핀 도포하는 유기물계와 화학 기상증착을 이용하는 무기물계로 나눌 수 있고 최근에 와서 유기 반사방지막의 활용 빈도가 증가하고 있는 실정이다.

특히, 원자외선과 같은 큰 에너지의 단파장을 사용하는 노광공정의 발달로 인해 원자외선 영역에서의 높은 흡광성을 가진 발색단이 요구되며, 근간에는 나프탈렌이나 안트라센계 유도체를 이용한 유기 반사방지막용 재료의 발명이 주류를 이루고 있다 [J. Fahey et al., Proc. SPIP, 2195, 422 (1994); K. Mizutani et al., Proc. SPIE, 3678, 518 (1999)]. 이러한 기술은 미합중국 특허 제 5693691, 5851738, 5886102, 5919599 및 6033830 호에 개시되어 있다.

크립톤 플루오라이드(KrF) 엑시머 레이저를 이용하는 광미세회로 공정이 본격화된 이후 반사방지막의 역할은 더욱 중요하게 되고 있으며, 대부분의 유기 바닥 반사방지막용 조성물은 다음의 조건을 갖추어야 한다 [P. Trefonas et al., Proc. SPIE, 3678, 702 (1999); W. -B. Kang et al., J. Phtopolym. Sci. Technol., 10, 471 (1997)].

- 반도체 제조에 사용되는 광원에 대해 적합한 광학 상수(optical constants)인 굴절률(n)과 광흡수 상수(k)를 가져야 한다.

- 바닥 유기 반사방지막은 상부의 포토레지스트와 비교하여 플라즈마 건식에칭에 대해 높은 선택비를 지녀야 하며, 건식 에칭에 따른 결점이 생기지 말아야 한다.

- 포토레지스트와 바닥 반사방지막 간의 상호섞임(intermixing) 현상이 없어야 하며 이를 위해 유기 중합체 내에 적절한 가교구조가 형성될 수 있는 반응기가있어야 한다.

- 바닥 유기 반사방지막은 노광공정 후 현상 시 포토레지스트와 산평형을 이루어 패턴의 하단에 언더커팅(undercutting)이나 푸팅(footing)이 생성되지 않아야 한다.

- 공정회전도 표시에 적합한 바닥 반사방지막의 두께 구현 능력과 우수한 도막 형성능력 및 도막 균일도를 가지고 있어야 한다.

본 발명의 기술적 목적은 고집적 반도체 소자 제조공정 중 248 nm 파장의 크립톤 플루오라이드(KrF) 및 193 nm 파장의 알곤플루오라이드(ArF) 엑시머 레이저를 노광원으로 이용하는 초미세회로 가공공정에서 반사방지막으로 사용할 수 있는 이소플라본 발색단(isoflavone chromophore)을 함유하는 신규의 유기 감광재료 및 그의 제조방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 노광공정시 난반사를 방지할 수 있는 이소플라본 발색단을 측쇄로 가지는 유기 고분자 물질 및 그의 제조 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 또다른 목적은 상기 유기 고분자 물질을 이용한 바닥 반사방지막 조성물을 제공하는 것이다.

본 발명의 또다른 목적은 이러한 바닥 반사방지막 조성물을 사용하여 생성된 난반사 방지막 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 바닥 반사방지막용 중합체는 주쇄에 248 nm 및 193 nm의 노광파장에서 높은 광흡수를 일으키는 이소플라보닐 발색단과 반사방지막 형성 시 가교를 위한 하이드록시기를 함유한 단량체 및 중합체의 물성을 조절하기 위한 공단량체 등 3 종 또는 4 종의 서로 상이한 단량체로 구성된 이원 공중합체, 삼원 공중합체 또는 사원 공중합체로, 하기 일반식 I로 표시된다.

<일반식 I>

즉, 본 발명에 따르는 바닥 반사방지막용 중합체는 상기 일반식 1과 같은 -(M_a)_k-(M_b)₁-(M_c)_m-(M_d)_n- 의 구조를 가지며, 그 중,

M_a는 메타크릴산 메틸에스테르 또는 아크릴산 메틸에스테르를 함유하는 이소플라보닐 단량체로서 하기 화학식 (1)로 표시되고,

M_b는 하이드록시기를 함유한 (메타)아크릴레이트계 단량체로서 하기 화학식(2)로 표시되며,

M_c는 하이드록시기를 함유한 알킬말레이미드계 단량체로서 하기 화학식(3)으로 표시되고,

M_d는 (메타)아크릴레이트계 단량체로서 하기 화학식(4)로 표시된다.

상기 화학식 (1), (2), (3) 및 (4)에서,

R₁~ R₇는 서로 독립적으로, 수소, 메톡시, 하이드록시, 할로겐, 알데하이드, C₁~ C₆의 알콕시알킬 또는 C₁~ C₅의 알콕시알칸을 나타내며,

R₈, R₉및 R₁₀은 수소 또는 메틸을 나타내고,

R₁₁및 x는 C₁~ C₆의 알킬기를 나타낸다.

상기 일반식 (I)에서, 중합체의 단량체 비율은 k + l + m + n 의 총 몰수를 기준으로, k는 0.1 내지 0.5, l과 m은 0 내지 0.4, n은 0.3 내지 0.6의 몰비를 갖는 값이다.

본 발명에 따르는 이소플라본 발색단 단량체(1)는 종래의 안트라센 계열 발색단 유도체에 비해 건식 에칭에 대한 플라즈마 에칭성이 우수하며, 크립톤 플루오라이드 엑사이머 레이저(248 nm) 파장 영역에서 흡광도가 클 뿐만 아니라 치환된 관능기로 인한 웨이퍼에 대한 접착성을 대폭 증가시킨다.

본 발명에 따르는 상기 일반식(I)의 중합체는 통상의 라디칼 중합 방법에 의해 라디칼 중합 개시제를 사용하여 2 내지 24 시간 동안 질소, 아르곤 등 불활성 기체 분위기 하에 반응을 수행하여 제조될 수 있다. 사용되는 라디칼 중합 개시제로 벤조일 퍼옥시드(BPO), 아조비스이소부티로니트릴(AIBN), 디-t-부틸퍼옥시드(DTBP) 등의 열중합 개시제를 들 수 있고, 이러한 열중합 개시제를 사용하는 경우 반응은 50 ~ 90℃의 반응 온도에서 수행된다. 중합용매로서는 디옥산, 테트라히드로퓨란, 벤젠 등의 방향족 용제가 바람직하게 사용되며, 단량체와 중합용매의 양을 각각 조절하거나 라디칼 개시제의 양을 조절하여 에칭 성능이 적절한 분자량의 중합체를 합성할 수 있다. 일반식 (I)의 중합체 분자량은 합성조건을 조절하여 겔 투과 크로마토그래피(GPC)를 이용, 측정한 분자량의 범위가 5000 내지 100,000 정도로 조절하되 적당한 도포능력을 갖는 분자량의 중합체를 얻어야 한다.

본 발명에 따르는 유기 바닥 반사방지막 조성물은 상기 일반식(I)의 중합체를 반도체 공정용 용제인 프로필렌 글리콜 모노메틸에테르 아세테이트(PGMEA)나 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 메틸 3-메톡시프로피오네이트, 사이클로헥사논과 같은 도막형성 능력이 뛰어난 유기 용매에 0.5 내지 50 중량% 첨가하고 다양한 기능성 첨가제를 부가하여 용해시킨 뒤 미세 입자 여과장치를 거쳐 실리콘 웨이퍼에 도포하고 적당한 열로 가교시키면 원하는 반사방지막이 형성된다. 이 반사방지막을 이용하면 원자외선 미세회로 가공공정시 반사에 의해 발생되는 문제점들을 완벽히 제어할 수 있어 반도체 소자 생산을 원활히 수행할 수 있다.

본 발명에 따르는 이소플라본 발색단 함유 반사방지막 중합체는 단파장 원자외선인 248 nm, 193 nm 및 157 nm의 노광파장 영역에서 미세회로 형성을 위한 유기 바닥 반사방지막으로 우수한 성능을 나타내었으며, 종래 안트라센 발색단을 기초로 하는 반사방지막에 비해 빠른 플라즈마 에칭속도를 가지므로, 반도체 소자 형성 시 초미세회로의 형성에 유용한 것으로 확인되었다.

(실시예)

이하, 본 발명에 따르는 이소플라본 발색단 함유 메타크릴레이트계 단량체와 본 발명의 이소플라본 발색단 함유 메타크릴레이트계 중합체의 제조방법 및 이를 이용한 유기 바닥 반사방지막 조성물 및 그의 제조에 대하여 실시예를 들어 구체적으로 설명한다. 그러나, 이들 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로 본 발명이 이들 실시예에 국한되는 것은 아니다.

실시예 1: 이소플라보닐 메타크릴레이트 단량체(IFVMA)의 제조

반응식 1

7-히드록시이소플라본(5) (100.00 g, 0.42 mol)을 피리딘(150 ml)에 용해시키고, 메타크릴로일 클로라이드(42.00g, 0.42 mol)를 서서히 가하여 4℃에서 5 시간 동안 교반하였다. 반응물을 차가운 물에 침전시킨 뒤 여과하고, 메틸렌 클로라이드로 수 회 추출하여 정제한 다음, 생성물을 진공 하에서 건조시켜 연한 노란색의 결정성 이소플라보닐 메트아크릴레이트(isoflavonyl methacrylate, 6)를 회수하였다. 수율 116.4 g (82%), 융점 168℃.

실시예 2: 메톡시기 함유 이소플라보닐 메타크릴레이트 단량체(MIFVMA)의 제조

반응식 2

포모노넥틴(7) (100.00 g, 0.37 mol)을 피리딘(150 ml)에 용해시키고 메타크릴로일 클로라이드(37.00 g, 0.37 mol)를 서서히 가하여 4℃에서 3 시간 동안 교반하였다. 반응물을 차가운 물에 침전시킨 뒤 여과하고 클로로포름으로 수 회 추출하여 정제한 다음, 생성물을 진공 하에서 건조시켜 진한 노란색의 메톡시기를 가진 이소플라보닐 메타크릴레이트(8)를 회수하였다. 수율 119.2 g(87%), 융점 194℃.

실시예 3: 단량체 (2), (4), (6)을 사용한 삼원공중합체의 합성

중합용기에 IFVMA(6) 단량체(20.00 g, 65.5 mmol), 하이드록시에틸메타크릴레이트(2)(HEMA) 단량체(8.52 g, 65.5 mmol), 메틸메타아크릴레이트(4)(MMA) 단량체(8.74 g, 87.3 mmol) 및 라디칼 개시제인 아조비스부티로니트릴 5 mol%를 넣고 디옥산(70 ml)으로 용해시킨 다음, 질소 분위기 하에서 60℃의 중합 온도로 10 시간 중합하였다. 중합 반응물을 과량의 메탄올에 침전시킨 다음, 여과 및 건조과정을 거쳐 삼원 공중합체인 폴리(IFVMA-HEMA-MMA)를 합성하였다. 얻어진 폴리(IFVMA-HEMA-MMA)의 전환율은 83%이며, GPC에 의한 분자량 측정 결과 중량평균 분자량이 46,000 정도로 필름 성형이 용이하였다.

실시예 4: 단량체(2), (4), (8)를 사용한 삼원공중합체의 합성

중합용기에 MIFVMA(8) 단량체(22.00 g, 65.4 mmol), 하이드록시에틸메타크릴레이트(2)(HEMA) 단량체 98.52 g, 65.5 mmol), 메틸 메타크릴레이트(4)(MMA) 단량체(8.74 g, 87.3 mmol) 및 라디칼 개시제인 아조비스부티로니트릴 5 mol%를 넣고 테트라히드로퓨란(79 ml)으로 용해시킨 다음, 질소 분위기 하에서 60℃ 중합 온도로 10 시간 중합하였다. 중합 반응물을 과량의 메탄올에 침전시킨 다음 여과 및 건조과정을 거쳐 삼원공중합체인 폴리(MIFVMA-HEMA-MMA)를 합성하였다. 수득된 폴리(MIFVMA-HEMA-MMA)의 전환율은 91%이며 GPC에 의한 분자량 측정 결과 중량평균 분자량이 44,000 정도로 필름 성형이 용이하였다.

실시예 5: 단량체 (2), (3), (4), (6)을 사용한 사원공중합체의 합성

중합 용기에 IFVMA(6) 단량체(9.00 g, 38 mmol), MIFVMA(8) 단량체(10.3 g, 38 mmol), 하이드록시에틸메타크릴레이트(2)(HEMA) 단량체(8.52 g, 65.5 mmol), 메틸메타크릴레이트(4)(MMA) 단량체(8.74 g, 87.3 mmol) 및 라디칼 개시제인 아조비스부티로니트릴 5 몰%를 넣고 테트라히드로퓨란/메틸에테르케톤 혼합용매(73 ml)로 용해시킨 다음 질소 분위기 하에서 60℃ 중합온도로 10 시간 중합하였다. 중합 반응물을 과량의 메탄올에 침전시킨 다음 여과 및 건조공정을 거쳐 사원공중합체인 폴리(IFVMA-MIFVMA-HEMA-MMA)를 합성하였다. 수득된 폴리(IFVMA-MIFVMA-HEMA-MMA)의 전환율은 79%이며 GPC에 의한 분자량 측정결과 중량평균분자량이 40,500정도로 필름 성형이 용이 하였다.

실시예 6: 단량체(2),(4),(6),(8)을 사용한 사원공중합체의 합성

중합용기에 IFVMA(6) 단량체(9.00g, 38mmol), MIFVMA(8)단량체(10.3g, 38mmol), 하이드록시에틸메타크릴레이트(2)(HEMA) 단량체(8.52g, 65.5mmol), 메틸메타크릴레이트(4)(MMA) 단량체(8.74g, 87.3mmol) 및 라디칼 개시제인 아조비스부틸로니트릴 5mol%을 넣고 테트라히드로퓨란/메틸에테르케톤 혼합용매(73ml)로 용해시킨 다음 질소 분위기 하에서 60℃ 중합온도로 10시 중합하였다. 중합반응물을 과량의 메탄올에 침전시킨 다음 여과 및 건조공정을 거쳐 사원공중합체인 P(IFVMA-MIFVMA-HEMA-MMA)을 합성하였다. 얻어진 P(IFVMA-MIFVMA-HEMA-MMA)의 전환율은 88%이며, GPC에 의한 분자량 측정 결과 중량평균 분자량이 43,500 정도로 필름 성형이 용이하였다.

실시예 7: 유기 바닥 반사방지막 조성물의 제조 및 응용

실시예 1 내지 6에서 수득된 공중합체를 프로필렌 글리콜 모노메틸에테르 아세테이트에 대해 중량비로 1:20 내지 1:50 정도로 용해시킨 다음, 열가교결합제, 안정제와 같은 다양한 첨가제를 부가하여 교반하고, 이 용액을 0.05 ??m 멤브레인 필터로 여과하여 유기 반사방지막 용액을 제조하였다. 이를 실리콘 웨이퍼 위에 스핀 도포하고 100℃ 내지는 250℃에서 10 내지 120 초 동안 가교시켜 포토레지스트와의 상호섞임 현상을 방지한다. 이후 일반적인 공정순서에 따라 상업용 포토레지스트를 반사방지막 위에 스핀 도포하여 광미세회로 가공형성 공정을 수행하였다. 실시예들로부터 얻어진 공중합체를 이용한 유기 바닥 반사방지막 조성물은 노광공정 후 현상 시 포토레지스트와 산평형을 이루어 포토레지스트 미세패턴의 하단에 언더커팅(undercutting)이나 푸팅(footing)이 형성되지 않았으며 난반사에 기인한 패턴의 미세회로 치수변화 역시 매우 적어 안정적으로 미세회로의 형성이 용이하게 이루어졌다.

위의 실시예들에서 나타난 바와 같이 본 발명에 따르는 공중합체를 기본 구조로 하는 중합체를 이용한 반사방지막은 새로운 고흡광 이소플라본 발색단을 수지 측쇄에 공유결합으로 도입함으로 인하여 고온 열가교를 진행하여도 발생되는 가스가 거의 없어 열에 의한 안정성이 뛰어나고 바닥 반사방지막으로서 가져야 할 충분한 흡광도를 가지고 있어 노광공정 시 하단막층에서 일어나는 반사를 억제하고 사용 광원 및 포토레지스트의 두께 변화에 따른 정재파를 제거할 수 있으며 플라즈마에 대한 높은 에칭 능력으로 인해 안정적으로 기저에 회로를 전사할 수 있다. 따라서, 본 발명에 의한 중합체를 반도체 제조시 노광 파장 248 nm, 193 nm 및 157 nm의 엑시머 레이저를 사용하는 노광 공정에 바닥 반사방지막으로 이용하면 64메가빗디램 이상의 기가빗 메모리 소자 내지 0.1 ~ 0.2 미크론 단위의 시스템 집적회로의 미세회로 형성을 안정적으로 수행할 수 있어 반도체 소자의 생산수율을 증대시킬 수 있다.

이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만, 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims

하기 화학식(1)로 표시되는 이소플라보닐계 유도체를 단량체로 포함하는 것을 특징으로하는, 반도체 미세회로 노광공정을 위한 반사방지막용 중합체.

<화학식 1>

식 중, R₁~ R₇은 서로 독립적으로 수소, 메톡시, 하이드록시, 할로겐, 알데하이드, C₁~ C₆의 알콕시알킬, C₁~ C₅의 알콕시알칸을 나타내며, R₈은 수소 또는 메틸을 나타낸다.
7-히드록시이소플라본 유도체와 메타크릴로일 클로라이드를 반응시켜 하기 화학식 (1)로 표시되는 이소플라보닐 메틸(메타)아크릴레이트를 제조하는 방법.

<화학식 1>
하기 구조식(I)으로 표시되는 중합단위를 주쇄에 함유한 이원 내지 사원 공중합체.

<구조식 (I)>

식중, R₁~ R₇는 서로 독립적으로, 수소, 메톡시, 하이드록시, 할로겐, 알데하이드, C₁~ C₆의 알콕시알킬 또는 C₁~ C₅의 알콕시알칸을 나타내며, R₈, R₉및 R₁₀은 수소 또는 메틸을 나타내고, R₁₁및 x는 C₁~ C₆의 알킬기를 나타내며, 중합체의 단량체 비율은 k + l + m + n 의 총 몰수를 기준으로, k는 0.1 내지 0.5, l과 m은 0 내지 0.4, n은 0.3 내지 0.6의 몰비를 갖는 값이다.
제 3 항에 있어서, 공중합체의 평균 분자량이 10,000 내지 100,000인 이소플라본계 단량체 함유 공중합체.
하기 구조식(I)으로 표시되는 중합단위를 주쇄에 함유한 이원 내지 사원 공중합체의 제조방법에 있어서, 중합용매로 디옥산, 테트라히드로퓨란, 메틸에틸케톤 또는 방향족 용제로 이루어진 군에서 선택된 것을 사용하고, 개시제로 벤조일 퍼옥시드(BPO), 아조비스이소부티로니트릴(AIBN) 또는 디-t-부틸 퍼옥시드(DTBP)로 이루어진 군에서 선택된 것을 사용하여 중합을 수행하는 방법.

<구조식 (I)>

식 중, R₁~ R₇는 서로 독립적으로, 수소, 메톡시, 하이드록시, 할로겐, 알데하이드, C₁~ C₆의 알콕시알킬 또는 C₁~ C₅의 알콕시알칸을 나타내며, R₈, R₉및 R₁₀은 수소 또는 메틸을 나타내고, R₁₁및 x는 C₁~ C₆의 알킬기를 나타내며, 중합체의 단량체 비율은 k + l + m + n 의 총 몰수를 기준으로, k는 0.1 내지 0.5, l과 m은 0 내지 0.4, n은 0.3 내지 0.6의 몰비를 갖는 값이다.
하기 구조식(I)으로 표시되는 중합체와 열가교결합제, 안정제를 포함하는 반도체 제조공정용 바닥 반사방지막 조성물.

<구조식 (I)>

식 중, R₁~ R₇는 서로 독립적으로, 수소, 메톡시, 하이드록시, 할로겐, 알데하이드, C₁~ C₆의 알콕시알킬 또는 C₁~ C₅의 알콕시알칸을 나타내며, R₈, R₉및 R₁₀은 수소 또는 메틸을 나타내고, R₁₁및 x는 C₁~ C₆의 알킬기를 나타내며, 중합체의 단량체 비율은 k + l + m + n 의 총 몰수를 기준으로, k는 0.1 내지 0.5, l과 m은 0 내지 0.4, n은 0.3 내지 0.6의 몰비를 갖는 값이다.
삭제
삭제