KR100366697B1

KR100366697B1 - Semiconductor laser diode and manufacturing method thereof

Info

Publication number: KR100366697B1
Application number: KR1019960014879A
Authority: KR
Inventors: 김준영
Original assignee: 삼성전자 주식회사
Priority date: 1996-05-07
Filing date: 1996-05-07
Publication date: 2003-02-26
Also published as: KR970077846A

Abstract

PURPOSE: A semiconductor laser diode and a manufacturing method thereof are provided to increase the yield of the semiconductor laser diode by diffusing zinc(Zn) to form a current breaking layer. CONSTITUTION: A p-type buffer layer(12) is deposited on an upper portion of a p-type substrate(11). A p-type first clad layer(18) is deposited on an upper portion of the p-type buffer layer(12). An active layer(19) is deposited on an upper portion of the p-type first clad layer(18). An n-type second clad layer(16) is deposited on an upper portion of the active layer(19). An n-type diffusion preventing layer(13) is deposited on an upper portion of the n-type second clad layer(16). An n-type third clad layer is deposited on an upper portion of the n-type diffusion preventing layer(13). An n-type cap layer is deposited on an upper portion of the n-type third clad layer. A current breaking layer(15) is formed on the n-type diffusion preventing layer(13), n-type third clad layer, and both sides of the n-type cap layer by selectively diffusing zinc(Zn). An n-type metal electrode layer(21) is deposited on upper portions of the current breaking layer(15) and the n-type cap layer. A p-type metal electrode layer(20) is deposited on a lower surface of the p-type substrate(11).

Description

Semiconductor laser diode and manufacturing method thereof

본 발명은 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 아연 확산법으로 아연을 확산시킴으로써 전류 차단층이 형성되는 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser diode and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a semiconductor laser diode in which a current blocking layer is formed by diffusing zinc by a zinc diffusion method and a method of manufacturing the same.

일반적으로, 반도체 레이저 다이오드는 P-N접합을 기본으로 하여 양자와 전자의 개념을 포함하는 반도체 소자로서, 활성층에 전류를 인가하여 인위적으로 전자-정공의 재결합을 유도함으로써 재결합에 따른 에너지의 감소분을 빛으로 발진시키게 된다.In general, a semiconductor laser diode is a semiconductor device including a concept of protons and electrons based on a PN junction, and artificially induces recombination of electron-holes by applying a current to the active layer, thereby reducing the energy reduction due to the recombination into light. Rash.

통상 메사 구조의 반도체 레이저 다이오드 제조 기술로는 소정 패턴의 마스크(보통 SiO₂마스크)를 이용한 선택적 에칭(etching)에 의해 리지(ridge)를 형성하고, 그 양측에 전류 차단층을 형성하는 기술이 적용되어 왔다. 또한, 전면 에피택시(epitaxy)에 의해 다층 성장으로 VSIS(V-channelled Substrate Inner Stripe) 구조의 반도체 레이저 소자를 제조하는 기술이 사용되기도 한다.As a technique for manufacturing a semiconductor laser diode having a mesa structure, a technique of forming a ridge by selective etching using a mask having a predetermined pattern (usually a SiO ₂ mask) and forming a current blocking layer on both sides thereof is applied. Has been. In addition, a technique for manufacturing a semiconductor laser device having a V-channeled substrate inner stripe (VSIS) structure by multi-layer growth by epitaxial epitaxy is used.

그런데, 종래의 이와 같은 기술들에 있어서, SiO₂마스크를 이용한 선택적 에피택시 이후, SiO₂마스크 하부의 층에 스트레스(stress)로 인한 결정 결함이 생겨 결국, 완성품 소자의 신뢰성이 저하되는 문제가 있다. 이와 같은 문제는SBR(Selectively Buried Ridge) 구조의 반도체 레이저 다이오드에 있어서도 예외는 아닌 것으로 나타나고 있다.However, in such conventional techniques, after selective epitaxy using a SiO ₂ mask, crystal defects are generated due to stress on the layer under the SiO ₂ mask, resulting in a problem that the reliability of the finished device is deteriorated. . Such a problem appears to be no exception for semiconductor laser diodes of SBR (Selectively Buried Ridge) structure.

이와 같은 반도체 레이저 다이오드에 있어서, InGaP/InGaAlP 계의 적색 레이저 소자는 GaAs와 격자 정합이 되는 III-V족 반도체중 밴드 갭이 가장 큰 물질계로 레이저 소자 제작 시 발진 파장 630∼700nm로 적색광을 방출한다. 600nm 밴드 대의 적색 레이저 소자는 고밀도 광기록 장치의 광원, 레이저 빔 프린터, 레이저 포인터, POS(Point of Sales)시스템 및 의료기기, 그리고 최근에 개발된 플라스틱 파이버(plastic fiber) 통신용 레이저 소자 등에의 응용 가능성으로 인해 주목받고 있다.In such a semiconductor laser diode, the InGaP / InGaAlP-based red laser device is a material system having the largest band gap among group III-V semiconductors lattice matched with GaAs, and emits red light with an oscillation wavelength of 630 to 700 nm when fabricating a laser device. . The red laser device in the 600nm band is applicable to light sources of high density optical recording devices, laser beam printers, laser pointers, point of sales systems and medical devices, and recently developed laser devices for plastic fiber communication. It is getting attention because of.

제1도에서 제4도 까지는 종래의 반도체 레이저 다이오드의 제조단계별 공정후의 개략적 수직 단면도이다.1 to 4 are schematic vertical cross-sectional views after each step of manufacturing a conventional semiconductor laser diode.

제1도를 참조하면, 그 저면에 n-금속 전극(10)이 적층된 n-GaAs 기판(1) 상에 n-GaAs 버퍼층(2), n-InGaAlP 제1 클래드층(3), 미도핑된 InGaP 활성층(4), p-InGaAlP 제2 클래드층(5) 및 p-InGaP 통전용이층(6)이 순차적으로 성장되어 있다. 그 후, p-InGaAlp 제2 클래드층(5) 및 p-InGaP 통전 용이층(6)의 양측부를 제2도에 도시된 바와 같이 리지-메사 에칭(ridge-mesa etching)시킨다(제1 단계). 다음에 에칭된 공간에는 방출될 레이저보다 에너지 밴드 갭(energy band gap)이 적은 물질을 선택 성장시킴으로써 제3도에 도시된 바와 같이 n-GaAs 전류 차단층(7)을 형성한다(제2 단계). 그 후, 제4도에 도시된 바와 같이, p-InGaP 통전 용이층(6)과 n-GaAs 전류 차단층(7) 상에 P-GaAs 캡층(8)과 p-금속 전극(9)을 적층시킨다(제3 단계).Referring to FIG. 1, an n-GaAs buffer layer 2, an n-InGaAlP first cladding layer 3, and an undoping layer are disposed on an n-GaAs substrate 1 on which n-metal electrodes 10 are stacked on a bottom surface thereof. The InGaP active layer 4, the p-InGaAlP second cladding layer 5, and the p-InGaP conducting transition layer 6 are sequentially grown. Thereafter, both sides of the p-InGaAlp second cladding layer 5 and the p-InGaP conducting layer 6 are ridge-mesa etched as shown in FIG. 2 (first step). . Next, in the etched space, an n-GaAs current blocking layer 7 is formed as shown in FIG. 3 by selectively growing a material having an energy band gap smaller than that of the laser to be emitted (second step). . Thereafter, as shown in FIG. 4, the P-GaAs cap layer 8 and the p-metal electrode 9 are laminated on the p-InGaP conducting easy layer 6 and the n-GaAs current blocking layer 7. (Step 3).

또한, n-GaAs 전류 차단층(7)과 p-GaAs 캡층(8)을 성장시키기 위해서는 600℃ 이상의 온도가 필요하며, 이 때 먼저 성장된 p-InGaAlP 제2 클래드층(5)의 도판트(dopant)로 아연을 사용하는데 아연의 확산속도가 빨라 성장 도중 미도핑된 InGaP 활성층(4)에 아연이 확산되어 재결합 중심이 되는 결함을 유발할 뿐만 아니라, 위에서 상술한 바와 같이, SBR 구조 성장시 3 단계에 걸친 결정 성장이 요구되어 제품의 성능에 악영향을 미쳐 제품의 신뢰성을 저하시키는 문제가 있다.In addition, in order to grow the n-GaAs current blocking layer 7 and the p-GaAs cap layer 8, a temperature of 600 ° C or higher is required, and at this time, the dopant of the p-InGaAlP second cladding layer 5 grown first ( dopant), which uses zinc as its diffusion rate is high, which not only causes zinc to diffuse into the undoped InGaP active layer 4 during growth, but also causes defects that become recombination centers. There is a problem that crystal growth over is required, adversely affecting the performance of the product, thereby lowering the reliability of the product.

본 발명은 상기 문제를 해결하도록 안출된 것으로서, 유기 금속에 의한 화학 기상 증착(metal organic chemical vapor deposition; MOCVD)법에 의해 1차 결정 성장 후 아연 확산용 마스크를 사용하여 아연을 선택적으로 확산시켜 전류 차단층을 형성하는 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법을 제공함을 그 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and it is possible to selectively diffuse zinc using a zinc diffusion mask after primary crystal growth by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD). It is an object of the present invention to provide a semiconductor laser diode for forming a blocking layer and a method of manufacturing the same.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드는,In order to achieve the above object, the semiconductor laser diode according to the present invention,

p형 기판과,p-type substrate,

상기 p형 기판 상부에 적층된 p형 버퍼층과,A p-type buffer layer stacked on the p-type substrate,

상기 p형 버퍼층 상부에 적층된 p형 제1 클래드층과,A p-type first cladding layer stacked on the p-type buffer layer,

상기 p형 제1 클래드층 상부에 적층된 활성층과,An active layer stacked on the p-type first cladding layer,

상기 활성층 상부에 적층되는 n형 제2 클래드 층과,An n-type second clad layer stacked on the active layer;

상기 n형 제2 클래드층 상부에 적층되는 n형 확산 방지층과,An n-type diffusion barrier layer stacked on the n-type second cladding layer,

상기 n형 확산 방지층 상부에 적층되는 n형 제3 클래드층과,An n-type third clad layer stacked on the n-type diffusion barrier layer,

상기 n형 제3 클래드층 상부에 적층되는 n형 캡층과,An n-type cap layer laminated on the n-type third cladding layer,

아연 확산용 미스크를 준비하여 선택적으로 아연을 확산시켜 상기 n형 확산 방지층과, 상기 n형 제3 클래드층 및 상기 n형 캡층의 양측부에 형성된 전류 차단층과,A current diffusion layer formed on both sides of the n-type diffusion barrier layer, the n-type third cladding layer and the n-type cap layer by preparing zinc diffusion misc and selectively diffusing zinc;

상기 전류 차단층 및 상기 n형 캡층 상부에 적층되는 n형 금속 전극층 및An n-type metal electrode layer stacked on the current blocking layer and the n-type cap layer;

상기 p형 기판 저면에 적층된 p형 금속 전극층을 포함하는 특징이 있다.And a p-type metal electrode layer laminated on the bottom of the p-type substrate.

본 발명에 있어서, 상기 각 p형 충의 도판트로 탄소를 사용하는 것이 바람직하고,In the present invention, it is preferable to use carbon as the dopant of each p-type filler,

상기 n형 확산 방지층으로 n-GaAs가 사용되는 것이 바람직하고,Preferably, n-GaAs is used as the n-type diffusion barrier layer,

아연 확산이 이루어진 후 남아있는 상기 n형 제3 클래드층의 레이징 폭이 아연 확산 시간 및 온도에 의해 제어되는 것이 바람직하디.Preferably, the lasing width of the n-type third cladding layer remaining after zinc diffusion is controlled by zinc diffusion time and temperature.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 반도체 레이저 제조방법은,In order to achieve the above object, the semiconductor laser manufacturing method according to the present invention,

p형 기판 상에 p형 버퍼층과, p형 제1 클래드층과, 활성층과, n형 제2 클래드 층과, n형 확산 방지층과, n형 제3 클래드층 및 n형 캡층을 순차적으로 적층하는 단계와,A p-type buffer layer, a p-type first cladding layer, an active layer, an n-type second cladding layer, an n-type diffusion barrier layer, an n-type third clad layer and an n-type cap layer are sequentially stacked on the p-type substrate. Steps,

아연 확산용 미스크를 준비하여 선택적으로 아연을 확산시켜 상기 n형 확산 방지층과, 상기 n형 제3 클래드층 및 상기 n형 캡층의 양측부에 전류 차단층을 형성하는 단계와,Forming a current blocking layer on both sides of the n-type diffusion barrier layer, the n-type third cladding layer, and the n-type cap layer by preparing zinc diffusion misc and selectively diffusing zinc;

상기 전류 차단층 및 상기 n형 캡층 상부에 n형 금속 전극층을 적층하는 단계 및Stacking an n-type metal electrode layer on the current blocking layer and the n-type cap layer;

상기 p형 기판 저면에 p형 금속 전극층을 적층하는 단계를 포함하는 특징이 있다.And laminating a p-type metal electrode layer on the bottom of the p-type substrate.

상기 각 p형 층의 도판트로 탄소를 사용하는 것이 바람직하고,It is preferable to use carbon as the dopant of each p-type layer,

아연 확산이 이루어진 후 남아있는 상기 n형 제3 클래드층의 레이징 폭이 아연 확산 시간 및 온도에 의해 제어되는 것이 바람직하다.It is preferable that the lasing width of the n-type third clad layer remaining after zinc diffusion is controlled by zinc diffusion time and temperature.

첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 한 바람직한 실시예가 다음과 같이 설명된다.With reference to the accompanying drawings, one preferred embodiment according to the present invention is described as follows.

제5도는 본 발명에 따라 MOCVD 방법으로 성장된 반도체 레이저 다이오드의 개략적 단면도이고,5 is a schematic cross-sectional view of a semiconductor laser diode grown by the MOCVD method in accordance with the present invention,

제6도는 제4도에 도시된 반도체 레이저 다이오드에 아연 확산법으로 아연을 확산시킴으로써 전류 차단층이 형성된 반도체 레이저 다이오드의 개략적 단면도이다.6 is a schematic cross-sectional view of a semiconductor laser diode in which a current blocking layer is formed by diffusing zinc into the semiconductor laser diode shown in FIG.

제5도 및 제6도를 참조하면, 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드는 p형 GaAs 기판(11) 상에 p형 InGaP 버퍼층(12)과, p형 InGaAlP 제1 클래드층(18)과, 미도핑된 InGaP 활성층(19)과, n형 InGaAlP 제2 클래드 층(16)과, n형 GaAs 확산 방지층(13)과, n형 InGaAlP 제3 클래드층(17) 및 n형 GaAs 캡층(14)을 MOCVD 방법으로 1차 결정 성장시켜 순차적으로 적층한 후, 아연 확산용 미스크를 준비하여 선택적으로 아연을 확산시켜 상기 n형 GaAs 확산 방지층(13)과, 상기 n형 InGaAlP 제3 클래드층(17) 및 상기 n형 GaAs 캡층(14)의 양측부에 전류 차단층(15)을 형성하고,상기 전류 차단층(15) 및 상기 n형 GaAs 캡층(14) 상부에 n형 금속 전극층(21)을 적층하고, 상기 p형 GaAs 기판(11) 저면에 p형 금속 전극층(20)을 적층하여 얻어진다.5 and 6, a semiconductor laser diode according to the present invention comprises a p-type InGaP buffer layer 12, a p-type InGaAlP first cladding layer 18 on a p-type GaAs substrate 11, The doped InGaP active layer 19, the n-type InGaAlP second cladding layer 16, the n-type GaAs diffusion barrier layer 13, the n-type InGaAlP third cladding layer 17 and the n-type GaAs cap layer 14 After primary crystal growth and sequentially stacking by MOCVD, zinc diffusion masks are prepared to selectively diffuse zinc to diffuse the n-type GaAs diffusion barrier layer 13 and the n-type InGaAlP third cladding layer 17. And forming a current blocking layer 15 on both sides of the n-type GaAs cap layer 14, and stacking an n-type metal electrode layer 21 on the current blocking layer 15 and the n-type GaAs cap layer 14. The p-type metal electrode layer 20 is laminated on the bottom surface of the p-type GaAs substrate 11.

MOCVD 방법으로 1차 결정 성장 도중에 발생하는 아연의 확산 방지를 위해 모든 p형 도판트로는 탄소가 사용된다.Carbon is used as all p-type dopants to prevent zinc diffusion during primary crystal growth by the MOCVD method.

통상적으로 아연 확산은 650℃에서 많이 이루어지고 있으며, GaAs가 InGaAlP 보다 아연의 확산 속도가 수십배 느리기 때문에 본 발명에서는 확산 방지층인 n-GaAs층(13)으로 인해 n형 InGaAlP 제2 클래드층(16)으로 아연이 확산되는 것을 줄였다.In general, zinc diffusion is performed at 650 ° C., and since the diffusion rate of zinc is several ten times slower than that of InGaAlP, the n-type InGaAlP second cladding layer 16 is formed by the n-GaAs layer 13, which is a diffusion barrier layer. To reduce the diffusion of zinc.

아연 확산이 이루어진 후 남아있는 상기 n형 InGaAlP 제3 클래드층(17)의 레이징 폭(d)이 아연 확산 시간 및 온도에 의해 제어된다.The lasing width d of the n-type InGaAlP third cladding layer 17 remaining after zinc diffusion is controlled by the zinc diffusion time and temperature.

본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드 제조 방법은,The semiconductor laser diode manufacturing method according to the present invention,

p형 GaAs 기판(11) 상에 p형 InGaP 버퍼층(12)과, p형 InGaAlP 제1 클래드층(18)과, 미도핑된 InGaP 활성층(19)과, n형 InGaAlP 제2 클래드층(16)과, n형 GaAs 확산 방지층(13)과, n형 InGaAlP 제3 클래드층(17) 및 n형 GaAs 캡층(14)을 순차적으로 적층하는 단계와,The p-type InGaP buffer layer 12, the p-type InGaAlP first cladding layer 18, the undoped InGaP active layer 19, and the n-type InGaAlP second cladding layer 16 on the p-type GaAs substrate 11. And sequentially stacking the n-type GaAs diffusion barrier layer 13, the n-type InGaAlP third clad layer 17 and the n-type GaAs cap layer 14,

아연 확산용 미스크를 준비하여 선택적으로 아연을 확산시켜 상기 n형 GaAs 확산 방지층(13)과, 상기 n형 InGaAlP 제3 클래드층(17) 및 상기 n형 GaAs 캡층(14)의 양측부에 전류 차단층(15)을 형성하는 단계와,Zinc diffusion mists are prepared and zinc is selectively diffused so that currents are formed at both sides of the n-type GaAs diffusion barrier layer 13, the n-type InGaAlP third clad layer 17, and the n-type GaAs cap layer 14. Forming a blocking layer 15,

상기 전류 차단층(15) 및 상기 n형 GaAs 캡층(14) 상부에 n형 금속전극층(21)을 적층하는 단계 및Stacking an n-type metal electrode layer 21 on the current blocking layer 15 and the n-type GaAs cap layer 14; and

상기 p형 GaAs 기판(11) 저면에 p형 금속 전극층(20)을 적층하는 단계를 포함한다.And depositing a p-type metal electrode layer 20 on a bottom surface of the p-type GaAs substrate 11.

이상과 같이 본 발명에 의하면, 상기와 같이 형성된 구조의 웨이퍼 표면에는 단차가 전혀 발생하지 않고 칩과 칩 사이에 특별한 분리가 필요없이 전극 분리만으로 테스트가 가능하며 MOCVD 방법으로 단한 차례의 결정 성장이 이루어져 공정수를 줄일 수 있어 반도체 레이저 다이오드의 수율이 높고 특성이 향상된다.As described above, according to the present invention, the wafer surface of the structure formed as described above does not generate any step, and can be tested by only electrode separation without requiring special separation between the chip and the chip, and the crystal growth is performed once by MOCVD method. Since the number of processes can be reduced, the yield of semiconductor laser diodes is high and the characteristics are improved.

본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 저뭉리 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허 청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야만 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to one embodiment shown in the drawings, this is merely exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.

제1도에서 제4도 까지는 종래의 반도체 레이저 다이오드의 제조 단계별 공정후의 개략적 수직 단면도이고,1 to 4 is a schematic vertical cross-sectional view after the step-by-step process of manufacturing a conventional semiconductor laser diode,

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings

1; n-GaAs 기판 2; n-GaAs 버퍼층One; n-GaAs substrate 2; n-GaAs buffer layer

3; n-InGaAlP 제1 클래드층 4, 19; 미도핑된 InGaP 활성층3; n-InGaAlP first cladding layers 4, 19; Undoped InGaP Active Layer

5; p-InGaAlP 제2 클래드층 6; p-InGaP 통전 용이층5; p-InGaAlP second cladding layer 6; p-InGaP conduction easy layer

7; n-GaAs 전류 차단층 8; p-GaAs 캡층7; n-GaAs current blocking layer 8; p-GaAs cap layer

9, 20; p-금속 전극 10, 21; n-금속 전극9, 20; p-metal electrodes 10, 21; n-metal electrode

11; p-GaAs 기판 12; p-InGaP 버퍼층11; p-GaAs substrate 12; p-InGaP buffer layer

13; n-GaAs 확산 방지층 14; n-GaAs 캡층13; n-GaAs diffusion barrier layer 14; n-GaAs cap layer

15; 전류 차단층 16; n-InGaAlP 제2 클래드층15; Current blocking layer 16; n-InGaAlP second cladding layer

17; n-InGaAlP 제3 클래드층 18; p-InGaAlP 제1 클래드층17; n-InGaAlP third cladding layer 18; p-InGaAlP first cladding layer

Claims

p-type substrate,

A p-type buffer layer stacked on the p-type substrate,

A p-type first cladding layer stacked on the p-type buffer layer,

An active layer stacked on the p-type first cladding layer,

An n-type second clad layer stacked on the active layer;

An n-type diffusion barrier layer stacked on the n-type second cladding layer,

An n-type third clad layer stacked on the n-type diffusion barrier layer,

An n-type cap layer laminated on the n-type third cladding layer,

A current diffusion layer formed on both sides of the n-type diffusion barrier layer, the n-type third cladding layer and the n-type cap layer by preparing zinc diffusion misc and selectively diffusing zinc;

An n-type metal electrode layer stacked on the current blocking layer and the n-type cap layer;

And a p-type metal electrode layer laminated on the bottom of the p-type substrate.

The semiconductor laser diode according to claim 1, wherein carbon is used as a dopant of each p-type layer.

The semiconductor laser diode according to claim 1, wherein n-GaAs is used as the n-type diffusion barrier layer.

The semiconductor laser diode according to claim 1, wherein the lasing width of the n-type third clad layer remaining after zinc diffusion is controlled by zinc diffusion time and temperature.

A p-type buffer layer, a p-type first cladding layer, an active layer, an n-type second cladding layer, an n-type diffusion barrier layer, an n-type third clad layer and an n-type cap layer are sequentially stacked on the p-type substrate. Steps,

Forming a current blocking layer on both sides of the n-type diffusion barrier layer, the n-type third cladding layer, and the n-type cap layer by preparing zinc diffusion misc and selectively diffusing zinc;

Stacking an n-type metal electrode layer on the current blocking layer and the n-type cap layer;

And depositing a p-type metal electrode layer on the bottom surface of the p-type substrate.

The method of manufacturing a semiconductor laser diode according to claim 5, wherein carbon is used as a dopant of each p-type layer.

The method of manufacturing a semiconductor laser diode according to claim 5, wherein n-GaAs is used as the n-type diffusion barrier layer.

The method of claim 5, wherein the lasing width of the n-type third cladding layer remaining after zinc diffusion is controlled by zinc diffusion time and temperature.