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KR100301239B1 - An energy ray curing composition containing a novel onium salt, a photopolymerization initiator, a crosslinking agent and a curing agent - Google Patents

An energy ray curing composition containing a novel onium salt, a photopolymerization initiator, a crosslinking agent and a curing agent Download PDF

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KR100301239B1
KR100301239B1 KR1019940013597A KR19940013597A KR100301239B1 KR 100301239 B1 KR100301239 B1 KR 100301239B1 KR 1019940013597 A KR1019940013597 A KR 1019940013597A KR 19940013597 A KR19940013597 A KR 19940013597A KR 100301239 B1 KR100301239 B1 KR 100301239B1
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이시이가즈히꼬
요꼬시마미노루
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다께다 가즈히꼬
니폰 가야꾸 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명의 조성물은 혼화성, 투명성 및 경화성이 우수하며 경화된 코우팅물의 광택이 우수하고 냄새가 거의 없으며, 이러한 우수한 특성을 가진 경화물은 조성물을 경화시켜 제조할 수 있다.The composition of the present invention is excellent in miscibility, transparency and curability, has excellent gloss of the cured coating material, has almost no odor, and a cured product having such excellent properties can be prepared by curing the composition.

본 발명은 아래의 구조식 (1) 으로 나타내어지는 오늄염 (onium salt) 에 관한 것이다.The present invention relates to an onium salt represented by the following structural formula (1).

위의 식에서 Ar 은 1 가 내지 4 가의 방향족 그룹이고, X 는 치환기를 가져도 좋은 비스페닐술포니오 그룹이며, a 는 1 ~ 4 의 수이고, b 는 0 또는 1 ~ 3 의 수이며, a + b 는 1 ~ 4, n 은 1 ~ 4 의 수이고, 그리고 Z 는 아래의 일반식 (3) 으로 나타내어지는 할로겐화물이다.In the above formula, Ar is a monovalent to tetravalent aromatic group, X is a bisphenylsulfonio group which may have a substituent, a is a number of 1 to 4, b is 0 or a number of 1 to 3, a + b is 1 to 4, n is a number of 1 to 4, and Z is a halide represented by the following general formula (3).

위의 식에서 M 은 붕소 원자, 인 원자, 비소 원자 또는 안티몬 원자이고, Q는 할로겐 원자, m은 3 ~ 6 의 수이고,은 0 또는 1 이며, m +은 4 ~ 6 이다.Wherein M is a boron atom, phosphorus atom, arsenic atom or antimony atom, Q is a halogen atom, m is a number of 3 to 6, Is 0 or 1, m + Is 4 to 6.

또한, 본 발명은 이 오늄염을 활성 성분으로 함유한 광중합 반응 개시제, 이 개시제를 함유한 에너지선 경화 조성물 및 그 경화물에 관한 것이다.The present invention also relates to a photopolymerization initiator containing the onium salt as an active ingredient, an energy ray curable composition containing the initiator, and a cured product thereof.

Description

[발명의 명칭][Title of the Invention]

신규의 오늄염, 광중합 반응 개시제, 이 개시제를 함유한 에너지선 경화 조성물 및 경화물A novel onium salt, a photopolymerization initiator, an energy ray curable composition containing the initiator, and a cured product

[발명의 상세한 설명]DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [

본 발명은 특이한 구조를 가진 신규의 오늄염 (onium salt), 이 오늄염을 활성 성분으로 함유한 광중합 반응 개시제, 이 개시제를 함유하며 에너지선의 조사(照射) 에 의해 경화되는 에너지선 (energy ray) 경화 조성물 및 그 경화물에 관한 것이다.The present invention relates to a novel onium salt having a specific structure, a photopolymerization initiator containing the onium salt as an active ingredient, an energy ray containing the initiator and cured by irradiating the energy ray, And a cured product thereof.

광중합 조성물에 대해서는 잉크, 페인트, 코우팅, 액상 레지스트 (resist) 잉크 등의 분야에 있어서 에너지 절감, 공간 절감 및 환경 오염 방지의 요망에서 철저하게 연구되어 왔으며 실용화를 시도하고 있다. 그러나, 이들 연구의 대다수는 이중 결합의 라디칼 중합 반응에 기초를 둔 것이다. 에폭시 수지 등의 양이온 중합성 물질은 그 특성이 우수하나 광중합이 곤난하다. 따라서, 이제까지는 아크릴 변성에 의해 도입된 이러한 이중결합을 가진 물질을 주로 사용하고 있었다.The photopolymer composition has been thoroughly studied in the fields of ink, paint, coating, liquid resist ink, etc. in order to save energy, to save space, and to prevent environmental pollution. However, the majority of these studies are based on the radical polymerization of double bonds. Cationic polymeric materials such as epoxy resins have excellent properties but are difficult to photopolymerize. Therefore, so far, materials having such double bonds introduced by acrylic denaturation have been mainly used.

에폭시 수지를 광에 노출시켜 경화하는 방법으로서는 미합중국 특허 제 3,794,576 호 공보에는 감광성 방향족 디아조늄염을 광중합 반응 개시제로 사용하는 것을 제안하고 있다. 그러나, 방향족 디아조늄염은 광에 의하여 분해되어 질소 가스를 발생하며, 에폭시 수지의 코우팅 두께가 15μ이상이면 코우팅막이 발포(發疱) 하기 때문에 개시제를 두꺼운 코우팅에 사용하기에는 적합하지 않다. 더욱이, 에폭시 수지와의 혼합물은 광 존재하에서도 점차로 경화하므로 저장 안정성에 있어서 문제가 있어 원팩형 조성물 (one-pack type composition)로서 사용할 수 없다.As a method of curing an epoxy resin by exposing it to light, US Pat. No. 3,794,576 proposes to use a photosensitive aromatic diazonium salt as a photopolymerization initiator. However, the aromatic diazonium salt is decomposed by light to generate nitrogen gas, and when the coating thickness of the epoxy resin is 15 mu or more, the coating film is bloomed, so that the initiator is not suitable for thick coating . Furthermore, since the mixture with epoxy resin gradually cures even in the presence of light, there is a problem in storage stability and can not be used as a one-pack type composition.

디아조늄염 광중합 반응 개시제의 결점을 해결하고자 하는 시도로서 여러가지 연구가 수행된 결과, 방향족 술포늄염 또는 방향족 요도늄염 등의 개시제와 이것을 함유하는 경화성 수지 조성물은 두꺼운 코우팅 두께를 개선하고 저장 안정성을 향상시킨다는 것이 보고되어 있다 [JP-B-52-14278 및 JP-B-52 14277, 미합중국 특허 제 4, 161, 478 호 및 미합중국 특허 제 4,273,688 호 참조]. 그러나, 이들 방향족 오늄염을 함유하는 조성물들은 디아조늄염을 함유하는 조성물에 비하여 경화성이 불량하다. 더욱이, 방향족 술포늄염은 경화물에 악취가 있다는 문제점을 가지고 있다. 이들 문제점을 해결하기 위하여 미합중국 특허 제 4,374,066 호에는 특정한 기 (group) 를 가진 방향족 술포늄염의 사용에 대해 제안하고 있다. 그러나, 이러한 문제는 아직까지 충분히 해결되어 있지 않다. 더욱이, 광중합성 조성물의 이용 분야가 확대됨에 따라 신규의 광중합 반응 개시제와 이것을 함유하는 조성물의 개발이 시장 수요를 충족시키기 위해서 중요하게 되었다.Various attempts have been made to solve the drawbacks of the diazonium salt photopolymerization initiator. As a result, it has been found that an initiator such as an aromatic sulfonium salt or an aromatic iodonium salt and a curable resin composition containing the initiator improve the thick coating thickness and improve the storage stability JP-B-52-14278 and JP-B-52 14277, U.S. Pat. Nos. 4, 161, 478 and U.S. Pat. No. 4,273,688). However, compositions containing these aromatic onium salts have poorer curability than compositions containing diazonium salts. Furthermore, the aromatic sulfonium salts have a problem of odor in the cured product. To address these problems, US Pat. No. 4,374,066 proposes the use of aromatic sulfonium salts with specific groups. However, this problem has not yet been sufficiently solved. Furthermore, as the field of use of the photopolymerizable composition is expanded, the development of a novel photopolymerization initiator and a composition containing the same is important to meet market demand.

본 발명자들은 철저한 연구를 한 결과 신규의 광중합 반응 개시제를 개발하였고, 저장 안정성과 혼화성 (compatibility) (특히, 본 발명의 광중합 반응 개시제와 여러가지 비닐 에테르 사이의 혼화성) 및 경화성이 우수하며 악취가 없는 경화물을 생성하는 에너지선 경화조성물을 제공하는데 성공하였다.As a result of intensive research, the inventors of the present invention have developed a novel photopolymerization initiator which has excellent storage stability and compatibility (in particular, miscibility between the photopolymerization initiator of the present invention and various vinyl ethers) ≪ / RTI > to provide a radiation curable composition that produces a cured product that does not have a cured product.

즉, 본 발명은 아래와 같은 오늄염, 이들 오늄염을 활성 성분으로 함유하는 광중합 반응 개시제, 에너지선 경화 조성물 및 이 조성물의 경화 방법에 관한 것이다.That is, the present invention relates to an onium salt as described below, a photopolymerization initiator containing the onium salt as an active ingredient, an energy ray curable composition, and a curing method of the composition.

(1) 아래의 일반 구조식 (I)로 나타내어지는 오늄염 :(1) an onium salt represented by the following general structural formula (I):

[위의 식에서 Ar은 1 가 내지 4 가의 방향족 그룹이고, X는 치환기를 가져도 좋은 비스페닐술포니오 그룹이며, a 는 1 ~4 의 수이고, b 는 0 또는 1 ~ 3 의 수이며, a + b 는 1 ~ 4, n 은 1 ~ 4 의 수이고, 그리고 Z 는 아래의 일반식 (3) 으로 나타내어지는 할로겐화물이다 :[Wherein Ar is a monovalent to tetravalent aromatic group, X is a bisphenylsulfonio group which may have a substituent, a is a number of 1 to 4, b is 0 or a number of 1 to 3, a + b is a number from 1 to 4, n is a number from 1 to 4, and Z is a halide represented by the following general formula (3):

위의 식에서 M은 붕소 원자, 인 원자, 비소 원자 또는 안티몬 원자이고, Q는 할로겐 원자, m은 3 ~ 6의 수이고,은 0 또는 1 이며, m+은 4~6이다].Wherein M is a boron atom, phosphorus atom, arsenic atom or antimony atom, Q is a halogen atom, m is a number of 3 to 6, Is 0 or 1, m + Is 4 to 6].

(2) 위의 (1) 항에 있어서 아래와 같이 정의되는 오늄염 :(2) Ononium salts defined in (1) above as:

Ar은 아래의 방향족 그룹들이고,Ar is the following aromatic groups,

[이들 방향족 그룹들은 (C1-C5) 알킬 그룹, (C1-C5) 알킬옥시카르보닐 그룹, (C1-C5) 알킬카르보닐옥시 그룹, 벤조일 그룹, 시아노 그룹, (C1-C5) 알킬디오 그룹 및 할로겐 원자 중에서 선택되는 최소한 하나의 치환기를 가져도 좋음] ;These aromatic groups may be substituted with a group selected from the group consisting of (C 1 -C 5 ) alkyl groups, (C 1 -C 5 ) alkyloxycarbonyl groups, (C 1 -C 5 ) alkylcarbonyloxy groups, benzoyl groups, cyano groups, 1 to 5 ) alkyldiio group and a halogen atom;

치환기를 가져도 좋은 비스페닐술포니오 그룹은 아래의 구조식 (2)로 나타내어지는 그룹이며,The bisphenylsulfonio group which may have a substituent is a group represented by the following structural formula (2)

[위의 식에서 R1-R10각각은 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로 그룹, 알콕시 그룹, C1-C25알킬그룹, C6-C18의 치환기를 가져도 좋은 페닐 그룹, 페녹시 그룹, 페닐카르보닐 그룹, 알킬티오 그룹, 페닐티오 그룹, 벤질옥시 그룹, 최소한 하나의 히드록실 그룹을 가진 C1-C25지방족 그룹 또는 아래의 구조식으로 나타내어지는 그룹을 하나 가진 C3-C25지방족 그룹이다.Wherein each of R 1 -R 10 is a hydrogen atom, a halogen atom, a nitro group, an alkoxy group, a C 1 -C 25 alkyl group, a phenyl group which may have a substituent of C 6 -C 18 , a phenoxy group, a phenyl Carbonyl group, alkylthio group, phenylthio group, benzyloxy group, a C 1 -C 25 aliphatic group having at least one hydroxyl group, or a C 3 -C 25 aliphatic group having one group represented by the following structural formula .

(위의 식에서 R11은 수소 원자 또는 알킬 그룹임)] ;(Wherein R < 11 > is a hydrogen atom or an alkyl group)];

a는 1~4의 수; b는 0 또는 1~3의 수 ; a+b는 1~4 ; n은 1~4의 수 ; 및 z는 아래의 식(3)으로 나타내어지는 할로겐화물이다 :a is a number from 1 to 4; b is 0 or a number from 1 to 3; a + b is 1 to 4; n is a number from 1 to 4; And z is a halide represented by the following formula (3):

(위의 식에서 M은 붕소 원자, 인 원자, 비소 원자 또는 안티몬 원자이고, Q는 할로겐 원자이며, m은 3~6의 수,은 0 또는 1이고, 그리고 m+은 4~6이다].(In the above formula, M is a boron atom, phosphorus atom, arsenic atom or antimony atom, Q is a halogen atom, m is a number of 3 to 6, Is 0 or 1, and m + Is 4 to 6].

(3) 위의 (2)항에 있어서 Ar은이고, R1-R10은 각각 수소 원자, 할로겐 원자, 알콕시 그룹 또는 (C1-C5) 알킬 그룹이며, M은 인 원자 또는 안티몬 원자인 오늄염.(3) In the above (2), Ar , Each of R 1 -R 10 is a hydrogen atom, a halogen atom, an alkoxy group or a (C 1 -C 5 ) alkyl group, and M is a phosphorus atom or an antimony atom.

(4) 위의 (3) 항에 있어서 R1-R5중의 최소한 하나가 할로겐 원자이고 R1-R5의 나머지는 수소 원자이며, R6-R10중의 최소한 하나가 할로겐 원자이고 R6-R10의 나머지는 수소 원자인 오늄염.4 and 3, wherein in the rest of the R 1 -R 5 is a halogen atom and at least one of R 1 -R 5 is a hydrogen atom of the above, R 6 -R 10 is at least one halogen atom, and R 6 - And the remainder of R 10 is a hydrogen atom.

(5) 위의 (2) 항에 있어서 Ar은이고, R3과 R8은 할로겐 원자이며, R1, R2, R4-R7, R9및 R10은 수소 원자이고, a는 2, b는 0, n은 2, M은 인 원자 또는 안티몬 원자, m은 6, 그리고은 0인 오늄염.(5) In the above (2), Ar R 3 and R 8 are halogen atoms and R 1 , R 2 , R 4 -R 7 , R 9 and R 10 are hydrogen atoms, a is 2, b is 0, n is 2, M is phosphorus atom Or an antimony atom, m is 6, and Lt; / RTI >

(6) 위의 (5) 항에 있어서 할로겐 원자가 플루오르 원자인 오늄염.(6) The onium salt in which the halogen atom in the above (5) is a fluorine atom.

(7) 아래의 구조식으로 나타내어지는 오늄염.(7) An onium salt represented by the following structural formula.

(8) 아래의 구조식으로 나타내어지는 오늄염.(8) An onium salt represented by the following structural formula.

(9) 위의 (1)~(8) 항의 오늄염을 활성 성분으로 함유하는 광중합 반응 개시제.(9) A photopolymerization initiator comprising the onium salt of the above (1) to (8) as an active ingredient.

(10) 양이온 중합 물질과 위의 (1)~(8) 항의 오늄염을 함유하는 에너지선 경화 조성물.(10) An energy ray-curable composition containing a cationic polymerization material and the onium salt of the above (1) to (8).

(11) 양이온 중합물질이 에폭시 화합물, 비닐 에테르 화합물 또는 환식 에테르 화합물인 위의 (10) 항의 조성물.(11) The composition of (10) above, wherein the cationic polymerization material is an epoxy compound, a vinyl ether compound or a cyclic ether compound.

(12) 위의 (11) 항에 있어서 에폭시 화합물이 지환식(脂環式) 에폭시 수지인 조성물.(12) The composition according to item (11) above, wherein the epoxy compound is an alicyclic (alicyclic) epoxy resin.

(13) 위의 (11) 항에 있어서 비닐 에테르 화합물이 트리에틸렌 글리콜 디비닐 에테르, 테트라에틸렌 글리콜 디비닐 에테르, 시클로헥산-1,4-디메틸롤디비닐 에테르, 1,4-부탄디올디비닐 에테르,(13) The positive resist composition according to item (11) above, wherein the vinyl ether compound is at least one compound selected from the group consisting of triethylene glycol divinyl ether, tetraethylene glycol divinyl ether, cyclohexane-1,4-dimethylol divinyl ether,

또는 우레탄 폴리비닐 에테르인 조성물.Or urethane polyvinyl ether.

(14) 위의 (10) 항에 있어서 오늄염은 위의 (7) 항 또는 (8) 항의 오늄염인 조성물.(14) The composition according to item (10) above, wherein the onium salt is the onium salt of the above (7) or (8).

(15) 위의 (10) 항에 있어서 에너지선이 자외선인 조성물.(15) The composition according to item (10) above, wherein the energy ray is ultraviolet ray.

(16) 위의 (10) 항에 있어서 양이온 중합물질 100 중량부와 오늄염 0.01 ~ 20 중량부를 함유하는 조성물.(16) The composition according to item (10) above, which comprises 100 parts by weight of a cationic polymeric material and 0.01 to 20 parts by weight of an onium salt.

(17) 지환식 에폭시 수지 100 중량부와 위의 (7) 항 또는 (8) 항의 오늄염 0.1~10 중량부를 함유하는 자외선 경화 조성물.(17) An ultraviolet curing composition comprising 100 parts by weight of an alicyclic epoxy resin and 0.1 to 10 parts by weight of an onium salt of the above (7) or (8).

(18) 비닐 에테르 화합물 100 중량부와 위의 (7) 항 또는 (8) 항의 오늄염 0.1~10 중량부를 함유하는 자외선 경화 조성물.(18) An ultraviolet curing composition comprising 100 parts by weight of a vinyl ether compound and 0.1 to 10 parts by weight of an onium salt of the above (7) or (8).

(19) 위의 (18) 항에 있어서 비닐 에테르 화합물이 트리에틸렌 글리콜 디비닐 에테르, 테트라에틸렌 글리콜 디비닐 에테르, 시클로헥산-1,4-디메틸롤디비닐 에테르, 1,4-부탄디올디비닐 에테르,(19) The positive resist composition according to item (18) above, wherein the vinyl ether compound is at least one compound selected from the group consisting of triethylene glycol divinyl ether, tetraethylene glycol divinyl ether, cyclohexane-1,4-dimethylol divinyl ether,

또는 우레탄 폴리비닐 에테르인 조성물.Or urethane polyvinyl ether.

(20) 위의 (10)~(19)의 조성물의 경화물.(20) A cured product of the composition of (10) to (19) above.

(21) 조성물에 자외선을 조사(照射)하는 위의 (10~(19) 항의 조성물의 경화 방법.(21) A method of curing a composition according to any one of (10) to (19) above, wherein the composition is irradiated with ultraviolet light.

구조식 (1)에 있어서 Ar로 나타내어지는 1 가 내지 4 가의 방향족 그룹의 예로서는 다음의 것들을 들 수 있다.Examples of the monovalent to tetravalent aromatic group represented by Ar in the structural formula (1) include the following.

이들 중에서 바람직한 것들은 m-페닐렌 그룹, m-나프틸렌 그룹등과 같은 m 위치(1,3-위치)에 결합을 가진 2 가의 그룹이다. 1 가 내지 4 가의 방향족 그룹은 예컨대 (C1-C4) 알킬그룹 (예 : 메틸, 에틸, 프로필 및 부틸), (C1-C4) 알킬카르보닐옥시 그룹, 할로겐 원자 (예 : 플루오르, 염소, 브롬 및 요오드), (C1-C4) 알콕시 그룹, 벤조일 그룹, 페닐 그룹, 페닐티오 그룹, (C1-C4) 알킬티오 그룹 및 시아노 그룹중에서 최소한 하나의 치환기를 가져도 좋다.Among these, preferred are m-phenylene group , m-naphthylene group And the like at the m-position (1,3-position). The monovalent to tetravalent aromatic groups include, for example, (C 1 -C 4 ) alkyl groups such as methyl, ethyl, propyl and butyl, (C 1 -C 4 ) alkylcarbonyloxy groups, halogen atoms such as fluorine, chlorine, bromine and iodine), (C 1 -C 4) alkoxy group, benzoyl group, phenyl group, phenylthio group, (C 1 -C 4) may have at least one substituent from the alkylthio group, and cyano group, .

치환기 하나를 가져도 좋은 비스페닐술포니오 그룹 (X)의 예에 속하는 것으로는 위의 식 (2)로 나타내어지는 그룹을 들 수 있다. 구조식 (2)에서 치환기 R1-R10의 할로겐 원자로는 F, Cl, Br 및 I가 있는데 F가 바람직하다. 알콕시 그룹의 예로서는 메톡시 그룹, 에톡시 그룹, 프로폭시 그룹, 부톡시 그룹 및 펜톡시 그룹 등의 C1-C25알콕시 그룹을 들 수 있는데 바람직한 것은 C1-C5알콕시 그룹이다. 알킬 그룹에 속하는 것들로서는 메틸 그룹, 에틸 그룹, 프로필 그룹 및 펜틸 그룹 등의 C1-C25알킬 그룹이 있는데 바람직한 것은 C1-C5알킬 그룹이다. 치환기 C6-C18중의 하나를 가져도 좋은 페닐 그룹의 치환기로서는 C6-C18알킬 그룹이 있는데, 그 예로서는 노닐 그룹이 있고, 치환기의 위치는 파라(para) 위치가 바람직하다. 알킬티오 그룹의 예로서는 메틸티오 그룹, 에틸티오 그룹, 프로필티오 그룹, 부틸티오 그룹 및 펜틸티오 그룹 등의 C1-C5알킬티오 그룹이 있다. 최소한 하나의 히드록실 그룹을 가지는 C1-C25지방족 그룹의 예로서는 아래의 구조식으로 나타내어지는 그룹들이 있다.Examples of the bisphenylsulfonyl group (X) which may have one substituent include the group represented by the above formula (2). In the structural formula (2), the halogen atom of the substituent group R 1 -R 10 is F, Cl, Br and I, and F is preferable. Examples of the alkoxy group include a C 1 -C 25 alkoxy group such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, a butoxy group and a pentoxy group, and a C 1 -C 5 alkoxy group is preferable. Examples of the alkyl group include a C 1 -C 25 alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group and a pentyl group, preferably a C 1 -C 5 alkyl group. As the substituent of the phenyl group which may have one of the substituents C 6 -C 18 , there is a C 6 -C 18 alkyl group, for example, a nonyl group, and the substituent is preferably a para position. Examples of the alkylthio group include C 1 -C 5 alkylthio groups such as methylthio group, ethylthio group, propylthio group, butylthio group and pentylthio group. Examples of C 1 -C 25 aliphatic groups having at least one hydroxyl group include groups represented by the following structural formulas.

(위의 식에서 Y는 0 또는 S 이고, R 은 메틸렌, 디메틸렌, 트리메틸렌 또는 테트라메틸렌 등의 C1-C25폴리메틸렌 또는 C3-C10시클로알킬렌이며, R은 메틸 또는 에틸 등의 C1-C5알킬 그룹을 가져도 좋고, h는 1~3이다.)(Wherein Y is O or S, R is C 1 -C 25 polymethylene or C 3 -C 10 cycloalkylene such as methylene, dimethylene, trimethylene or tetramethylene, and R is methyl or ethyl C 1 -C 5 alkyl group, and h is 1 to 3.)

그 구체적인 예를 들자면 다음과 같다.A concrete example is as follows.

-O-CH2CH2CH2CH2-OH-O-CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -OH

아래의 구조식 (a)으로 나타내어지는 그룹을 가진 C3-C25지방족 그룹의 예로서는Examples of C 3 -C 25 aliphatic groups having the group represented by the structural formula (a) below include

구조식 (b) 및 (c)로 나타내어지는 그룹을 들 수 있다.And groups represented by Structural Formulas (b) and (c).

(위의 식에서 R12는 수소 원자 또는 알킬 그룹이고, i는 2~12, 바람직하게는 2~5이며, R11은 앞서 정의한 바와 같음)(Wherein R 12 is a hydrogen atom or an alkyl group, i is 2 to 12, preferably 2 to 5, and R 11 is as defined above)

(위의 식에서 j는 1~10의 정수이고, k는 1 또는 2이며, R11은 앞서 정의한 바와 같음)(Wherein j is an integer of 1 to 10, k is 1 or 2, and R < 11 > is as defined above)

구조식 (b)의 그룹의 예로서는Examples of the group of the structural formula (b)

등이 있고 구조식 (c) 의 그룹의 예로서는And the like, and examples of the group of the structural formula (c)

가 있다..

R11의 예에 속하는 것으로는 메틸 그룹, 에틸 그룹, 프로필 그룹, 부틸 그룹 및 펜틸 그룹 등의 C1-C5알킬 그룹이 있다.Examples of R 11 include C 1 -C 5 alkyl groups such as methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group and pentyl group.

이들 그룹중에서 바람직한 것들은 ① 할로겐 원자, ② 알킬 그룹, ③ 알콕시 그룹, ④ 최소한 하나의 히드록실 그룹을 가진 C1-C25지방족 그룹, 및 ⑤ 아래의 구조식으로 나타내어지는 그룹을 가진 C3-C25지방족 그룹이다.Among these groups, preferred are (1) a halogen atom, (2) an alkyl group, (3) an alkoxy group, (4) a C 1 -C 25 aliphatic group having at least one hydroxyl group, and (5) a C 3 -C 25 Aliphatic group.

위의 구조식 (2) 에서 치환기 R1-R10의 조합에 속하는 것들로서는 (a) R1-R10모두가 수소 원자인 것, (b) R1-R10중에서 9 ~ 6 개가 수소 원자이고 1 ~ 4 개가 수소 원자 이외의 그룹인 것, (c) R1-R5중의 3 ~ 4 개가 수소 원자이고 1 ~ 2 개가 수소 원자 이외의 그룹이며, R6-R10중의 3 ~ 5개가 수소 원자이고, 0 ~ 2 개가 수소 원자 이외의 그룹인 것 등이 있는데, 위의 조합 (c)가 조합 (b) 에 있어서 바람직한 것이다. 더욱 구체적으로는 조합 (c) 에 속하는 것으로는 (d) R1, R2및 R3중의 하나, 바람직하게는 R1또는 R3가 수소 원자 이외의 그룹이고 나머지가 수소 원자인 것과, (e) R1, R2및 R3중의 하나 또는 두개와 R6, R7및 R8중의 하나 또는 두개가 위의 ① ~ ③ 의 그룹이고 나머지가 수소 원자인 것이다. (e) 에 있어서 보다 바람직한 예는 R3과 R8이 위의 ① ~ ③ 의 그룹, 바람직하게는 할로겐 원자이고 나머지가 수소 원자인 것들이다.Those substituents in the structural formula (2) above that belongs to a combination of R 1 -R 10 as (a) R 1 -R 10 all being of a hydrogen atom, (b) R 1 -R 10 are hydrogen atoms from 9-6 dogs (C) 3 to 4 of R 1 to R 5 are hydrogen atoms, 1 to 2 are groups other than hydrogen atoms, and 3 to 5 of R 6 to R 10 are hydrogen And 0 to 2 are atoms other than hydrogen atoms, and the above combination (c) is preferred in combination (b). (D) one of R 1 , R 2 and R 3 , preferably R 1 or R 3, is a group other than a hydrogen atom and the remainder is a hydrogen atom, and (e) ) One or two of R 1 , R 2 and R 3 and one or two of R 6 , R 7 and R 8 are the groups of the above (1) to (3), and the remainder is a hydrogen atom. (e), R 3 and R 8 are groups of the above (1) to (3), preferably a halogen atom and the remainder are hydrogen atoms.

위의 구조식 (1) 에서 a 는 1 ~ 2 가 바람직하고, b 는 0 이 바람직하며, n 은 1 ~ 2 가 바람직하다.In the above structural formula (1), a is preferably 1 to 2, b is preferably 0, and n is preferably 1 to 2.

구조식 (1) 에 사용된 구조식 (3) 에서 M 으로서 바람직한 것은 인 원자 또는 안티몬 원자이고, 할로겐 원자로서 바람직한 것은 플루오르 원자이다. m 은 5 ~ 6 이 바람직하고,은 0 이 바람직하며, 바람직한 예로서는 PF6와 SbF6이다.In the structural formula (3) used in the structural formula (1), preferred as M is a phosphorus atom or an antimony atom, and a halogen atom is preferably a fluorine atom. m is preferably from 5 to 6, It is 0, and preferably, a preferred example PF 6 and SbF 6.

구조식 (1) 으로 나타내어지는 본 발명의 오늄염의 예로서는 다음과 같은 술포늄염 화합물들이 있다.Examples of onium salts of the present invention represented by the structural formula (1) include the following sulfonium salt compounds.

본 발명의 오늄염은 다음에 나오는 합성 방법 (1) 또는 (2) 에 의해 합성할 수 있다.The onium salt of the present invention can be synthesized by the following synthesis method (1) or (2).

합성 방법 (1) :Synthesis method (1):

오늄염은 출발물질로서 아래의 구조식 (5) 의 디페닐 술피드 화합물과 아래의 구조식 (4) 의 치환 또는 비치환의 디페닐 술폭시드 화합물을 사용하여 공지의 술포늄염 제조 방법에 따라 제조한다.The onium salt is prepared according to a known method for preparing a sulfonium salt using a diphenyl sulfide compound of the following structural formula (5) and a substituted or unsubstituted diphenyl sulfoxide compound of the following structural formula (4) as starting materials.

(위의 식에서 Ar 과 C 는 앞서 정의한 바와 같음)(Wherein Ar and C are as defined above)

(위의 식에서 R1-R10은 앞서 정의한 바와 같음)(Wherein R < 1 > -R < 10 > is as defined above)

합성 방법 (2) :Synthesis method (2):

오늄염은 상응한 치환 또는 비치환의 술포늄염을 미리 제조한 다음 치환기를 변환시키거나 도입함으로써 제조한다.The onium salt is prepared by previously preparing a corresponding substituted or unsubstituted sulfonium salt, and then converting or introducing the substituent.

합성 방법 (1) 에 대하여 이하 구체적으로 설명한다.The synthesis method (1) will be specifically described below.

구조식 (5) 로 나타내어지는 디페닐 술피드 화합물을 구조식 (4) 로 나타내어지는 치환 또는 비치환의 디페닐 술폭시드 화합물과 공지의 방법에 따라, 예컨대 탈수제(예 : 오산화인, 진한 황산, 무수 아세트산 등) 존재하에 실온 내지 150℃ 에서 축합 반응시킨 다음, 반응 혼합물을 아래의 구조식 (3′) 으로 나타내어지는 화합물의 수용액에 방울씩 첨가한다.The diphenyl sulfide compound represented by the structural formula (5) can be reacted with a substituted or unsubstituted diphenyl sulfoxide compound represented by the structural formula (4) in the presence of a dehydrating agent such as phosphorus pentoxide, concentrated sulfuric acid, acetic anhydride ) At room temperature to 150 캜, and then the reaction mixture is added dropwise to the aqueous solution of the compound represented by the following structural formula (3 ').

(위의 식에서 B 는 알칼리 금속이고, M, Q, m 및은 앞서 정의한 바와 같음)(Wherein B is an alkali metal and M, Q, m and Lt; / RTI >

위의 반응에서 구조식 (5) 의 디페닐 술피드 화합물의 말단 술피드 그룹 1 당량에 대하여 구조식 (4) 의 치환 또는 비치환의 디페닐 술폭시드 화합물을 바람직하게는 0.25 ~ 1.2 몰, 보다 바람직하게는 1.0 ~ 1.1 몰의 양으로 하여 축합 반응시킨다.In the above reaction, the substituted or unsubstituted diphenyl sulfoxide compound of the structural formula (4) is preferably used in an amount of 0.25 to 1.2 mol, more preferably 0.25 to 1.2 mol, per equivalent of the terminal sulfide group of the diphenyl sulfide compound of the structural formula (5) And the condensation reaction is carried out in an amount of 1.0 to 1.1 moles.

구조식 (5) 의 화합물의 예는 아래에 나온 바와 같다.Examples of compounds of formula (5) are as follows.

구조식 (4) 로 나타내어지는 화합물의 예로서는 디페닐 술폭시드, 4,4´-디플루오로디페닐 술폭시드, 2,2´-디플루오로디페닐 술폭시드, 3,3´-디플루오로디페닐 술폭시드, 4,2´-디플루오로디페닐 술폭시드, 4,4´-디브로모디페닐 술폭시드, 4,4´-디클로로디페닐 술폭시드, 2,2´-디클로로디페닐 술폭시드, 2,2´,4,4´-테트라클로로디페닐 술폭시드, 4,4´-디메틸디페닐 술폭시드, 4,4´-디에틸디페닐 술폭시드, 4,4´-디메톡시디페닐 술폭시드, 4-메틸티오디페닐 술폭시드, 4-페닐티오디페닐 술폭시드, 4-페닐카르보닐디페닐 술폭시드, 4-벤질옥시디페닐 술폭시드, 2-니트로디페닐 술폭시드, 4-페닐디페닐 술폭시드, 4-(p-노닐페닐)디페닐 술폭시드 및 4-페닐옥시디페닐 술폭시드 등이 있다.Examples of the compound represented by the structural formula (4) include diphenylsulfoxide, 4,4'-difluorodiphenylsulfoxide, 2,2'-difluorodiphenylsulfoxide, 3,3'-difluorodiphenylsulfoxide , 4,2'-difluorodiphenyl sulfoxide, 4,4'-dibromodiphenyl sulfoxide, 4,4'-dichlorodiphenyl sulfoxide, 2,2'-dichlorodiphenyl sulfoxide, 2,2 ', 4,4'-tetrachlorodiphenylsulfoxide, 4,4'-dimethyldiphenylsulfoxide, 4,4'-diethyldiphenylsulfoxide, 4,4'-dimethoxydiphenylsulfoxide, 4 4-phenyldiphenyl sulfoxide, 4-phenyldiphenyl sulfoxide, 4-phenyldiphenyl sulfoxide, 4-phenyldiphenyl sulfoxide, 4-phenyldiphenyl sulfoxide, 4-phenylpyridine, 4-phenylpiperidine, 4-phenylpiperidine, 4- (p-nonylphenyl) diphenylsulfoxide and 4-phenyloxydiphenylsulfoxide.

위의 구조식 (3´) 에 있어서 B 는 Na 또는 K 등의 알칼리 금속이다.In the above structural formula (3 '), B is an alkali metal such as Na or K.

구조식 (3´) 의 화합물의 예로서는 NaSbF6, NaPF6, NaAsF6, NaBF4, NaSbF5OH, KSbF6, KPF6, KAsF6및 KSbF5OH 등이 있다.Examples of the compound of the structural formula (3 ') include NaSbF 6 , NaPF 6 , NaAsF 6 , NaBF 4 , NaSbF 5 OH, KSbF 6 , KPF 6 , KAsF 6 and KSbF 5 OH.

구조식 (5) 의 화합물은 방향족 카르복시산 화합물과 디페닐 술피드를 반응시켜 제조할 수 있다. 반응 용매로서는 메탄술폰상 등의 알킬술폰산에 무수 인산을 용해하여 제조한 용액이 바람직하다. 반응 온도는 실온 내지 130℃ 가 바람직하고, 반응 시간은 0.5 ~ 15 시간이 바람직하다. 방향족 카르복시산 화합물과 디페닐 술피드의 비율은 방향족 카르복시산 화합물의 카르복시산 1 당량에 대해 디페닐 술피드 약 1 몰이 바람직하다.The compound of formula (5) can be prepared by reacting an aromatic carboxylic acid compound with diphenylsulfide. As the reaction solvent, a solution prepared by dissolving phosphoric anhydride in an alkylsulfonic acid such as methanesulfone is preferable. The reaction temperature is preferably room temperature to 130 ° C, and the reaction time is preferably 0.5 to 15 hours. The ratio of the aromatic carboxylic acid compound to the diphenyl sulfide is preferably about 1 mole of diphenyl sulfide relative to one equivalent of the carboxylic acid of the aromatic carboxylic acid compound.

방향족 카르복시산 화합물의 예는 아래에 나오는 모노카르복시산 또는 폴리카르복시산을 들 수 있다. 즉, 방향족 모노카르복시산으로서는 벤조산, o-메틸 벤조산, m-메틸벤조산, p-메틸벤조산, 3,5-디메틸벤조산, p-에틸벤조산, p-부틸벤조산, o-메틸카르보닐옥시벤조산, p-메틸옥시카르보닐벤조산, o-클로로벤조산, m-클로로벤조산, p-클로로벤조산, 2,4-디클로로벤조산, o-플루오로 벤조산, m-플루오로벤조산, 2,4-디플루오로벤조산, p-메톡시벤조산, o-벤조일벤조산, p-페닐벤조산, 나프탈렌-2-카르복시산, p-페닐티오벤조산, o-시아노벤조산, p-시아노벤조산, p-메틸티오벤조산 등이 있고, 방향족 폴리카르복시산으로서는 이소프탈산, 테레프탈산, 벤젠-1,2,4-트리카르복시산, 나프탈렌-1,4,5,8-테트라카르복시산, 나프탈렌-2,6-디카르복시산, 나프탈렌-2,3-디카르복시산,Examples of the aromatic carboxylic acid compound include monocarboxylic acid or polycarboxylic acid shown below. Examples of the aromatic monocarboxylic acid include benzoic acid, o-methylbenzoic acid, m-methylbenzoic acid, p-methylbenzoic acid, 3,5-dimethylbenzoic acid, p-ethylbenzoic acid, Chlorobenzoic acid, p-chlorobenzoic acid, 2,4-dichlorobenzoic acid, o-fluorobenzoic acid, m-fluorobenzoic acid, 2,4-difluorobenzoic acid, p Benzoic acid, p-phenylbenzoic acid, naphthalene-2-carboxylic acid, p-phenylthiobenzoic acid, o-cyanobenzoic acid, p-cyanobenzoic acid and p- Examples of the carboxylic acid include isophthalic acid, terephthalic acid, benzene-1,2,4-tricarboxylic acid, naphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic acid, naphthalene-2,6-dicarboxylic acid,

등이 있다..

이어서, 합성 방법 (2) 에 대하여 이하 구체적으로 설명한다.Next, the synthesis method (2) will be described in detail.

합성 방법 (2) 는 구조식 (2) 에 있어서 R1-R10중의 최소한 하나가 알콕시 그룹, 최소한 하나의 히드록실 그룹을 가진 C1-C25지방족 그룹 또는 아래의 구조식으로 나타내어지는 그룹을 가진 C3-C25지방족 그룹인 구조식 (1) 의 화합물의 제조에 적합하다.The synthesis method (2) is a method wherein at least one of R 1 -R 10 in the structural formula (2) is an alkoxy group, a C 1 -C 25 aliphatic group having at least one hydroxyl group, or C Are suitable for the preparation of compounds of formula (1) which are 3 to 25 aliphatic groups.

이 방법은 위의 합성 방법 (1) 에서 합성한 술포늄염, 예컨대 아래의 구조식 (6) 의 화합물인 할로겐화물 화합물과 알코올을 공지의 방법, 예컨대 염기성 화합물(예 : 수산화 나트륨 또는 수산화 칼륨) 존재하에 실온 내지 150℃ 에서 반응시켜 실시할 수 있다.This method is a method in which a sulfonium salt synthesized in the above synthesis method (1), for example, a halide compound which is a compound of the following structural formula (6) and an alcohol are reacted with each other in a known manner, for example, in the presence of a basic compound such as sodium hydroxide or potassium hydroxide At room temperature to 150 ° C.

(위의 식에서 A 는 할로겐 원자이고, Ar, a, b, n 및 Z 는 앞서 정의한 바와 같다)(Wherein A is a halogen atom and Ar, a, b, n and Z are the same as defined above)

알코올의 예로서는 메탄올, 에탄올, 카르비톨, 에틸렌 글리콜, 폴리에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 글리세린, 트리메틸롤프로판, 1,4-부탄디올, 시클로 헥산디올 및 모노히드록시에틸티올 등이 있다.Examples of the alcohol include methanol, ethanol, carbitol, ethylene glycol, polyethylene glycol, propylene glycol, glycerin, trimethylolpropane, 1,4-butanediol, cyclohexanediol and monohydroxyethylthiol.

합성 방법 (2) 에 의하여 위에 나온 할로겐화물의 할라이드 부분이 아래와 같은 치환기로 전환된 오늄염을 제조할 수 있다.According to the synthesis method (2), an onium salt in which the halide moiety of the above-mentioned halide is converted into the following substituent can be produced.

본 발명은 치환기가 히드록실 그룹을 가진 치환기로 전환된 합성 방법 (2) 에서 얻은 화합물의 히드록실 그룹과 락톤 (예 : ε-카프로락톤) 또는 산 (예 : 아세트산, 아세트산 무수물) 을 공지의 방법으로 반응시켜 제조한 오늄염도 포함하고 있다.The present invention relates to a process for synthesizing a hydroxyl group and a lactone (for example,? -Caprolactone) or an acid (for example, acetic acid, acetic anhydride) of the compound obtained in the synthesis method (2) in which a substituent is converted into a substituent having a hydroxyl group And the like.

이어서, 본 발명의 에너지선 경화 조성물에 대하여 설명한다.Next, the energy ray hardening composition of the present invention will be described.

이 조성물에 사용된 양이온 중합물질의 예로서는 에폭시 화합물, 스티렌과 비닐 에테르 및 환식 에테르 화합물, 바람직하게는 스피로-오르토에스테르, 비시클로-오르토에스테르 및 스피로-오르토카르보네이트 등의 스피로 환식 에테르 화합물 등의 양이온 중합성 비닐 에테르 화합물이 있다.Examples of the cationic polymerization material used in this composition include epoxy compounds, styrene and vinyl ethers, and cyclic ether compounds, preferably spirocyclic ether compounds such as spiro-orthoester, bicyclo-orthoester and spiro-orthocarbonate Cationic polymerizable vinyl ether compounds.

에폭시 화합물의 예로서는 종래부터 공지되어 있는 방향족 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 지방족 에폭시 수지 및 더욱이는 에폭시드 단량체와 에피술피드 단량체가 있다.Examples of the epoxy compound include conventionally known aromatic epoxy resins, alicyclic epoxy resins, aliphatic epoxy resins, and further, epoxide monomers and episulfide monomers.

방향족 에폭시 수지의 예로서는 최소한 하나의 방향족핵을 가진 다가 페놀(polyhydric phenol) 또는 그 산화 알킬렌 첨가 생성물의 폴리글리시딜 에테르, 예를 들자면 비스페놀 A, 비스페놀 F 및 비스페놀 S 등의 비스페놀 화합물 또는 이들 비스페놀 화합물의 산화 알킬렌 (예 : 산화 에틸렌, 산화 프로필렌 또는 산화 부틸렌) 첨가 생성물과 에피클로로히드린과의 반응에 의해 제조된 글리시딜 에테르류, 노볼락형 에폭시 수지(예 : 페놀-노볼락형 에폭시 수지, 크레솔-노볼락형 에폭시 수지 및 브롬화 페놀-노볼락형 에폭시 수지) 및 트리스페놀메탄 트리글리시딜 에테르 등이 있다.Examples of the aromatic epoxy resin include polyhydric phenol having at least one aromatic nucleus or polyglycidyl ether of the alkylene oxide adduct thereof, for example, bisphenol compounds such as bisphenol A, bisphenol F and bisphenol S, Glycidyl ethers prepared by reaction of an alkylene oxide (e.g., ethylene oxide, propylene oxide or butylene oxide) adduct of a compound with epichlorohydrin, novolak type epoxy resins (e.g., phenol-novolak Cresol-novolak-type epoxy resin, and brominated phenol-novolak-type epoxy resin) and trisphenol methane triglycidyl ether.

지환식 에폭시 수지의 예로서는 3,4-에폭시시클로헥실메틸-3,4-에폭시시클로헥산 카르복실레이트, 비스-(3,4-에폭시시클로헥실메틸)아디패이트, 2-(3,4-에폭시시클로헥실-5,5-스피로-3,4-에폭시)시클로헥산온-m-디옥산, 비스(2,3-에폭시시클로펜틸)에테르 및 EHPE-3150 (Daicel 사제의 연화점 71℃ 의 지환식 에폭시 수지) 등이 있다.Examples of the alicyclic epoxy resin include 3,4-epoxycyclohexylmethyl-3,4-epoxycyclohexanecarboxylate, bis- (3,4-epoxycyclohexylmethyl) adipate, 2- (3,4- Bis (2,3-epoxycyclopentyl) ether and EHPE-3150 (a cycloaliphatic epoxy resin having a softening point of 71 ° C manufactured by Daicel Co., Ltd.) Resin).

지방족 에폭시 수지의 예로서는 지방족 다가 알코올 (polyhydric alcohol) 또는 그 산화 알킬렌 첨가 생성물의 폴리글리시딜 에테르가 있다. 그 대표적인 예는 1,4-부탄디올의 디글리시딜 에테르, 1,6-헥산디올의 디글리시딜에테르, 글리세린의 트리글리시딜 에테르, 트리메틸롤프로판의 트리글리시딜 에테르, 폴리에틸렌 글리콜의 디글리시딜 에테르, 프로필렌 글리콜의 디글리시딜 에테르 및 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜 및 글리세린 등의 지방족 다가 알코올에 최소한 한가지의 산화 알킬렌 (예 : 산화 에틸렌 및 산화 프로필렌) 을 첨가하여 제조한 폴리에테르 폴리올의 폴리글리시딜 에테르 등이 있다.Examples of aliphatic epoxy resins include aliphatic polyhydric alcohols or polyglycidyl ethers of alkylene oxide adducts thereof. Representative examples thereof include diglycidyl ether of 1,4-butanediol, diglycidyl ether of 1,6-hexanediol, triglycidyl ether of glycerin, triglycidyl ether of trimethylol propane, diglycidyl ether of polyethylene glycol A polyether polyol prepared by adding at least one alkylene oxide (e.g., ethylene oxide and propylene oxide) to an aliphatic polyhydric alcohol such as ethylene glycol, propylene glycol and glycerin, Polyglycidyl ether, and the like.

에폭시드 단량체의 예로서는 지방족 고급 알코올의 모노글리시딜 에테르와, 페놀, 크레솔 또는 산화 알킬렌을 첨가하여 제조된 폴리에테르 알코올 또는 부틸페놀의 모노글리시딜 에테르가 있다.Examples of epoxide monomers include monoglycidyl ethers of aliphatic higher alcohols and polyglycidyl ethers of polyether alcohols or butyl phenols prepared by the addition of phenol, cresol or alkylene oxide.

양이온 중합성 비닐 에테르 화합물의 예로서는 트리에틸렌 글리콜 디비닐 에테르, 테트라에틸렌 글리콜 디비닐 에테르, 시클로헥산-1,4-디메틸롤비닐 에테르, 1,4-부탄디올디비닐 에테르,,및 우레탄 폴리비닐 에테르 (예 : Allied-Signal 사제의 VECtomer 2010) 등이 있다.Examples of the cationically polymerizable vinyl ether compound include triethylene glycol divinyl ether, tetraethylene glycol divinyl ether, cyclohexane-1,4-dimethylol vinyl ether, 1,4-butanediol divinyl ether, , And urethane polyvinyl ethers (e.g., VECtomer 2010 from Allied-Signal).

이들 양이온 중합물질을 단독으로 사용하거나 두가지 이상의 혼합물로 해서 사용한다.These cationic polymerization materials may be used singly or as a mixture of two or more thereof.

본 발명의 경화 조성물은 100 중량부의 양이온 중합물질과 활성 성분으로서의 구조식 (1) 의 오늄염을 함유하는 광중합 반응 개시제 0.01 ~ 20 중량부, 보다 바람직하게는 0.1 ~ 10 중량부를 필수 성분들로서 함유한다. 이들 성분의 특성 비율은 양이온 중합물질의 성질, 에너지선의 종류, 에너지선의 조사량 및 코우팅물의 소요의 경화 시간과 온도, 습도 및 두께에 따라 결정된다. 양이온 중합물질중에 광중합 반응 개시제를 용해하기 쉽도록 하기 위하여 광중합 반응 개시제를 용매 (예 : 프로필렌 카보네이트, 카르비톨, 카르비톨 아세테이트 또는-부티로락톤) 중에 미리 용해하여도 좋다.The curing composition of the present invention contains as essential components 0.01 to 20 parts by weight, more preferably 0.1 to 10 parts by weight, of a photopolymerization initiator containing 100 parts by weight of a cationic polymerization substance and an onium salt of the structural formula (1) as an active ingredient. The characteristic ratios of these components are determined by the properties of the cationic polymeric material, the type of energy ray, the amount of irradiation of the energy ray, and the curing time and temperature, humidity and thickness of the curing material. In order to easily dissolve the photopolymerization initiator in the cationic polymerization material, the photopolymerization initiator is dissolved in a solvent (e.g., propylene carbonate, carbitol, carbitol acetate or -Butyrolactone). ≪ / RTI >

본 발명의 경화 조성물은 양이온 중합물질과 광중합 반응 개시제를 혼합, 용해, 혼련 (kneading) 등의 방법으로 제조할 수 있다.The curing composition of the present invention can be prepared by mixing, dissolving, or kneading a cationic polymerization material with a photopolymerization initiator.

본 발명의 경화 조성물은 자외선 등의 에너지선으로 0.1 초 내지 수분 동안 조사하여 용매중에서 불용성인 상태 또는 고화촉감 상태로 경화시킬 수 있다. 적절한 에너지선으로는 광중합 반응 개시제를 분해시킬 수 있는 에너지를 가진 것이면 어느것이나 사용할 수 있다. 바람직하게 사용될 수 있는 것으로는 고압 또는 저압 수은등, 크세논 램프, 살균등, 레이저등으로부터 얻는 파장 2000 ~ 7000 옹스트롬의 전자파(電磁波 : electromagnetic wave) 에너지 또는 전자선, X 선, 방사선 등의 고에너지선인데, 자외선이 바람직하다. 에너지선에 대한 노출은 에너지선의 강도에 따라 달라지나 통상 약 0.1 ~ 10 초 정도이면 충분하다. 그러나, 비교적 두께가 두꺼운 막의 경우에는 노출 시간을 길게 하는 것이 바람직하다. 에너지선으로 조사한 후 0.1 초 ~ 수분내에 대부분의 조성물은 양이온 중합 반응으로 인하여 고화촉감 상태로 까지 건조되지만, 어떤 경우에 있어서는 가열을 하여 양이온 중합 반응을 촉진시키는 것이 바람직하다.The curing composition of the present invention can be irradiated with an energy ray such as ultraviolet rays for 0.1 seconds to several minutes to be cured in a solvent insoluble state or in a tackified state. Any suitable energy ray may be used as long as it has energy capable of decomposing the photopolymerization initiator. Electron wave energy of a wavelength of 2000 to 7000 angstroms or high energy radiation such as electron beam, X-ray, and radiation obtained from a high-pressure or low-pressure mercury lamp, xenon lamp, Ultraviolet rays are preferred. Exposure to the energy beam depends on the intensity of the energy beam, but typically about 0.1 to 10 seconds is sufficient. However, in the case of a relatively thick film, it is preferable to increase the exposure time. Most of the compositions are dried to the solidified tactile state due to the cationic polymerization reaction within 0.1 seconds to several minutes after irradiation with the energy ray, but in some cases, it is preferable to accelerate the cationic polymerization reaction by heating.

본 발명의 조성물은 양이온 중합 반응을 저해하지 않는한 희석용 용매를 함유하여도 좋으며, 개질을 위해서는 비반응성 수지와 (메타)아크릴레이트 에스테르 화합물 [예컨대, 비스페놀 A 형 에폭시, 노볼락형 에폭시 수지 등의 에폭시 수지와 (메타)아크릴산과의 반응 생성물인 에폭시(메타)아크릴레이트, 우레탄(메타)아크릴레이트 및 폴리에스테르 폴리(메타)아크릴레이트 등의 올리고머 및 2-히드록시(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디(메타)아크릴레이트, 1,9-노난디올 디(메타) 아크릴레이트, 트리메틸롤프로판 트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리(메타)아크릴레이트 등의 단량체] 을 함유하여도 좋다. (메타)아크릴레이트 화합물을 사용할 경우 1-히드록시시클로헥실페닐 케톤, 아세토페논 디메틸케탈 또는 벤조일메틸 에테르 등의 광라디칼 (photo-radical) 중합 반응 개시제와 더불어 사용하는 것이 바람직하다. 더욱이, 유기 카르복시산 또는 산 무수물을 사용하여 전기적인 특성을 개선하여도 좋고, 또는 폴리올과 기타 가요성 프리폴리머(flexible prepolymer) 를 첨가하여 고무 탄성을 부여하여도 좋다.The composition of the present invention may contain a diluting solvent as long as it does not inhibit the cationic polymerization reaction. For the modification, a non-reactive resin and a (meth) acrylate ester compound [such as bisphenol A type epoxy, novolak type epoxy resin Oligomers such as epoxy (meth) acrylate, urethane (meth) acrylate and polyester poly (meth) acrylate which are reaction products of epoxy resin of (meth) acrylic acid with 2-hydroxy , Monomers such as 6-hexanediol di (meth) acrylate, 1,9-nonanediol di (meth) acrylate, trimethylol propane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri . When a (meth) acrylate compound is used, it is preferably used together with a photo-radical polymerization initiator such as 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, acetophenone dimethyl ketal or benzoyl methyl ether. Further, the organic characteristics may be improved by using an organic carboxylic acid or an acid anhydride, or rubber elasticity may be imparted by adding a polyol and other flexible prepolymer.

본 발명의 조성물을 주로 기재(基材) 의 표면에 예컨대 1 ~ 200 ㎛, 바람직하게는 3 ~ 50 ㎛ 의 두께로 코우팅하며, 일반적으로 투명한 액상으로 하여 사용한다. 어떤 용도의 경우에서는 본 발명의 조성물에 비활성 안료, 염료, 충전제, 대전 방지제, 난연제, 소포제, 유동성 조절제, 증감제(增感劑), 촉진제, 광안정제 등을 첨가하여도 좋다. 본 발명의 조성물을 금속, 목재, 고무, 플라스틱, 유리, 세라믹스 등에 적용할 수 있다. 본 발명의 특이한 용도에 속하는 것으로는 페인트, 코우팅제, 잉크, 레지스트, 액상 레지스트, 접착제, 성형 재료, 캐스팅 (casting) 재료, 퍼티 (putty), 유리 섬유 함침제, 밀봉제 등이 있다.The composition of the present invention is coated on the surface of a base material to a thickness of, for example, 1 to 200 m, preferably 3 to 50 m, and is generally used as a transparent liquid. In some applications, inert pigments, dyes, fillers, antistatic agents, flame retardants, antifoaming agents, flow control agents, sensitizers, accelerators, light stabilizers and the like may be added to the composition of the present invention. The composition of the present invention can be applied to metals, wood, rubber, plastic, glass, ceramics and the like. Among the particular applications of the present invention are paints, coatings, inks, resists, liquid resists, adhesives, molding materials, casting materials, putty, glass fiber impregnants, sealants and the like.

본 발명을 아래의 실시예에 따라 설명한다. 각 실시예와 합성예에서 부(部)는 모두가 중량부이다.The present invention will be described with reference to the following examples. In the examples and the synthesis examples, all parts are parts by weight.

구조식 (5) 의 디메닐 술피드 화합물의 합성예Synthesis Example of Dimethylsulfide Compound of Structural Formula (5)

합성예 1 [구조식 (i) 의 화합물의 합성]Synthesis Example 1 [Synthesis of Compound of Structural Formula (i)

오산화인 16.2 부를 메탄술폰산 161.7 부에 완전히 용해한 다음, 이 용액에 디페닐 술피드 18.6 부와 벤조산 12.2 부를 가하고 80℃에서 1 시간 동안 반응시켰다. 반응 완료를 액체 크로마토그래피로 확인하였다. 이 반응 혼합물을 수산화 칼륨 수용액 (수산화칼륨 200 부를 물 800 부에 용해하여 제조한 것) 1000 부에 방울씩 첨가하고, 생성된 침전물을 여과하여 수거해서 건조한 다음 에탄올 400 부중에 가열 (60℃) 하면서 용해한 후 5℃ 로 냉각하였다. 침전물을 여과하여 수거해서 건조함으로써 백색 고체의 목적 화합물 (i) 20.3 부를 얻었다. 이 생성물의 융점은 69 ~ 70℃ 이었다.16.2 parts of phosphorus pentoxide was completely dissolved in 161.7 parts of methanesulfonic acid, 18.6 parts of diphenylsulfide and 12.2 parts of benzoic acid were added to this solution, and the mixture was reacted at 80 DEG C for 1 hour. The completion of the reaction was confirmed by liquid chromatography. The reaction mixture was added dropwise to 1000 parts of an aqueous solution of potassium hydroxide (prepared by dissolving 200 parts of potassium hydroxide in 800 parts of water), and the resulting precipitate was collected by filtration, dried and heated in 400 parts of ethanol After dissolution, it was cooled to 5 캜. The precipitate was collected by filtration and dried to obtain 20.3 parts of a target compound (i) as a white solid. The melting point of this product was 69 to 70 占 폚.

합성예 2 [구조식 (ii) 의 화합물의 합성]Synthesis Example 2 [Synthesis of Compound of Structural Formula (ii)

오산화인 18.3 부를 메탄술폰산 180.3 부에 완전히 용해한 다음, 이 용액에 디페닐 술피드 18.6 부와 p-메틸벤조산 13.6 부를 가하고 80℃ 에서 1 시간동안 반응시켰다. 반응 완료를 액체 크로마토그래피로 확인하였다. 이 반응 혼합물을 합성예 1 에서와 동일한 방법으로 처리하여 백색 고체의 목적 화합물 (ii) 20.2 부를 얻었다. 이 생성물의 융점은 117 ~ 118℃ 이었다.After 18.3 parts of phosphorus pentoxide was completely dissolved in 180.3 parts of methanesulfonic acid, 18.6 parts of diphenyl sulfide and 13.6 parts of p-methylbenzoic acid were added to this solution, and the mixture was reacted at 80 ° C for 1 hour. The completion of the reaction was confirmed by liquid chromatography. This reaction mixture was treated in the same manner as in Synthesis Example 1 to obtain 20.2 parts of a target compound (ii) as a white solid. The melting point of this product was 117 to 118 占 폚.

합성예 3 [구조식 (iii) 의 화합물의 합성]Synthesis Example 3 [Synthesis of Compound of Structural Formula (iii)

오산화인 20.8 부를 메탄술폰산 208.2 부에 완전히 용해한 다음, 이 용액에 디페닐 술피드 18.6 부와 p-클로로벤조산 15.7 부를 가하고 80℃ 에서 1 시간 동안 반응시켰다. 반응 완료를 액체 크로마토그래피로 확인하였다. 이 반응 혼합물을 합성예 1 에서와 동일한 방법으로 처리하여 백색 고체의 목적 화합물 (iii) 21.6 부를 얻었다. 이 생성물의 융점은 134 ~ 135℃ 이었다.After 20.8 parts of phosphorus pentoxide was completely dissolved in 208.2 parts of methanesulfonic acid, 18.6 parts of diphenylsulfide and 15.7 parts of p-chlorobenzoic acid were added to this solution, and the mixture was reacted at 80 DEG C for 1 hour. The completion of the reaction was confirmed by liquid chromatography. This reaction mixture was treated in the same manner as in Synthesis Example 1 to obtain 21.6 parts of the desired compound (iii) as a white solid. The melting point of this product was 134 to 135 占 폚.

합성예 4 [구조식 (iv)의 화합물의 합성]Synthesis Example 4 [Synthesis of compound of structural formula (iv)] [

오산화인 23.9 부를 메탄술폰산 238.6 부에 완전히 용해한 다음, 이 용액에 디페닐 술피드 18.6 부와 p-메틸옥시카르보닐벤조산 18.0 부를 가하고 80℃에서 1 시간 동안 반응시켰다. 반응 완료를 액체 크로마토그래피로 확인하였다. 이 반응 혼합물을 합성예 1 에서와 동일한 방법으로 처리하여 백색 고체의 목적 화합물 (iv) 21.6 부를 얻었다. 이 생성물의 융점은 145 ~ 148℃ 이었다.After 23.9 parts of phosphorus pentoxide was completely dissolved in 238.6 parts of methanesulfonic acid, 18.6 parts of diphenylsulfide and 18.0 parts of p-methyloxycarbonylbenzoic acid were added to the solution, and the mixture was reacted at 80 DEG C for 1 hour. The completion of the reaction was confirmed by liquid chromatography. This reaction mixture was treated in the same manner as in Synthesis Example 1 to obtain 21.6 parts of the desired compound (iv) as a white solid. The melting point of this product was 145 to 148 占 폚.

합성예 5 [구조식 (V) 의 화합물의 합성]Synthesis Example 5 [Synthesis of Compound of Structural Formula (V)

오산화인 22.0 부를 메탄술폰산 220.1 부에 완전히 용해한 다음, 이 용액에 디페닐 술피드 37.2 부와 이소프탈산 16. 6 부를 가하고 80℃ 에서 6시간 동안 반응시켰다. 반응 완료를 액체 크로마토그래피로 확인하였다. 이 반응 혼합물을 합성예 1 에서와 동일한 방법으로 처리하여 백색 고체의 목적 화합물 (V) 35.2 부를 얻었다. 이 생성물의 융점은 147 ~ 152℃ 이었다.22.0 parts of phosphorus pentoxide was completely dissolved in 220.1 parts of methanesulfonic acid, 37.2 parts of diphenyl sulfide and 16. 6 parts of isophthalic acid were added to this solution, and the mixture was reacted at 80 DEG C for 6 hours. The completion of the reaction was confirmed by liquid chromatography. This reaction mixture was treated in the same manner as in Synthesis Example 1 to obtain 35.2 parts of the aimed compound (V) as a white solid. The melting point of this product was 147 to 152 占 폚.

합성예 6 [구조식(vi) 의 화합물의 합성]Synthesis Example 6 [Synthesis of Compound of Structural Formula (vi)

오산화인 28.6 부를 메탄술폰산 286.4 부에 완전히 용해한 다음, 이 용액에 디페닐 술피드 37.2 부와 나프탈렌-2,6-디카르복시산 21.6 부를 가하고 80℃에서 6 시간 동안 반응시켰다. 반응 완료를 액체 크로마토그래피로 확인하였다. 이 반응 혼합물을 합성예 1 에서와 동일한 방법으로 처리하여 백색 고체의 목적 화합물 (vi) 37.0 부를 얻었다. 이 생성물의 융점은 195 ~ 200℃ 이었다.28.6 parts of phosphorus pentoxide was completely dissolved in 286.4 parts of methanesulfonic acid, 37.2 parts of diphenyl sulfide and 21.6 parts of naphthalene-2,6-dicarboxylic acid were added to this solution, and the mixture was reacted at 80 ° C for 6 hours. The completion of the reaction was confirmed by liquid chromatography. This reaction mixture was treated in the same manner as in Synthesis Example 1 to obtain 37.0 parts of a target compound (vi) as a white solid. The melting point of this product was 195 to 200 占 폚.

구조식 (1) 의 오늄염 합성 :Synthesis of onium salt of structural formula (1):

[실시예 1] 화합물 (a) 의 합성[Example 1] Synthesis of Compound (a)

합성예 1 에서 제조한 화합물 (4-벤조일-디페닐 술피드) 29.0 부, 4,4´-디플루오로디페닐 술폭시드 23.9부, 오산화인 39.8 부 및 용매인 메탄술폰산 398 부를 가하고 80℃ 로 가열하여 교반하면서 3 시간 반응시켰다. 교반하면서 이 반응 혼합물을 NaPF6수용액 (물 263.2 부에 NaPF616.8 부를 용해하여 제조한 것) 280.0 부에 5℃ 에서 방울씩 서서히 첨가하였다. 백색 고체의 침전물을 여과하고 건조하여 이소프로판올 650 부에 가열 (70℃) 하면서 용해한 다음 0℃로 냉각하고 여과한 후 건조하여 백색 고체의 본 목적 화합물 (a) 46.0 부를 얻었다. 이 생성물의 융점은 131 ~ 139℃ 이었다. 원소 분석의 결과는 계산치와 거의 동일하였다.29.0 parts of the compound (4-benzoyl-diphenylsulfide) prepared in Synthesis Example 1, 23.9 parts of 4,4'-difluorodiphenylsulfoxide, 39.8 parts of phosphorus pentoxide and 398 parts of methanesulfonic acid as a solvent were added and heated to 80 ° C And reacted for 3 hours while stirring. While stirring, this reaction mixture was slowly added to 280.0 parts of an aqueous solution of NaPF 6 (prepared by dissolving 16.8 parts of NaPF 6 in 263.2 parts of water) at 5 ° C, dropwise. The precipitate of the white solid was filtered, dried and dissolved in 650 parts of isopropanol while heating (70 DEG C), followed by cooling to 0 DEG C, filtration and drying to obtain 46.0 parts of the target compound (a) as a white solid. The melting point of this product was 131 to 139 占 폚. The result of the elemental analysis was almost the same as the calculated value.

[실시예 2] 화합물 (b) 의 합성[Example 2] Synthesis of compound (b)

합성예 2 에서 제조한 화합물 [4-(p-메틸벤조일-디페닐 술피드] 30.4 부, 디페닐 술폭시드 20.2 부 및 진한 황산 179.8 부를 가하고 실온에서 24 시간 반응시켰다. 교반하면서 이 반응 혼합물을 NaSbF6수용액 (물 405.3 부에 NaSbF625.8 부를 용해하여 제조한 것) 431.1 부에 5℃에서 방울씩 서서히 첨가하였다. 백색 고체의 침전물을 여과하고 건조하여 이소프로판올 650 부에 가열 (70℃) 하면서 용해한 다음, 이 용액을 0℃로 냉각하고 여과한 후 건조하여 백색 고체의 본 목적 화합물 (b) 50.8 부를 얻었다. 이 생성물의 융점은 110 ~ 118℃ 이었다. 원소 분석의 결과는 계산치와 거의 동일하였다.30.4 parts of the compound [4- (p-methylbenzoyl-diphenylsulfide)] prepared in Synthesis Example 2, 20.2 parts of diphenylsulfoxide and 179.8 parts of concentrated sulfuric acid were added and reacted at room temperature for 24 hours. 6 aqueous solution (prepared by dissolving 25.8 parts of NaSbF 6 in 405.3 parts of water) was slowly added dropwise at 5 ° C. The precipitate of the white solid was filtered and dried, and dissolved in 650 parts of isopropanol while heating (70 ° C.) , The solution was cooled to 0 deg. C, filtered and dried to obtain 50.8 parts of the desired compound (b) as a white solid. The melting point of the product was 110 to 118 DEG C. The result of elemental analysis was almost the same as the calculated value.

[실시예 3] 화합물 (c)의 합성[Example 3] Synthesis of compound (c)

합성예 3 에서 제조한 화합물 [4-(p-클로로벤조일)-디페닐 술피드] 32.5 부, 4,4´-디브로모 디페닐 술폭시드 36 부 및 진한 황산 240.6 부를 가하고 실온에서 24 시간 반응시켰다. 교반하면서 이 반응 혼합물을 NaSbF6수용액(물 405.3 부에 NaSbF625.8 부를 용해하여 제조한 것) 431.1 부에 5℃ 에서 방울씩 서서히 첨가하였다. 백색 고체의 침전물을 여과하고 건조하여 이소프로판올 650 부에 가열 (70℃) 하면서 용해한 다음, 이 용액을 0℃ 로 냉각하고 여과한 후 잔류물을 건조하여 백색 고체의 본 목적 화합물 (c) 63.3 부를 얻었다. 이 생성물의 융점은 125 ~ 129℃ 이었다. 원소 분석의 결과는 계산치와 거의 동일하였다.32.5 parts of the compound [4- (p-chlorobenzoyl) -diphenylsulfide] prepared in Synthesis Example 3, 36 parts of 4,4'-dibromodiphenylsulfoxide and 240.6 parts of concentrated sulfuric acid were added and the mixture was reacted at room temperature for 24 hours . While stirring, this reaction mixture was gradually added to 431.1 parts of an aqueous solution of NaSbF 6 (prepared by dissolving 25.8 parts of NaSbF 6 in 405.3 parts of water) at 5 ° C, dropwise. The precipitate of the white solid was filtered, dried and dissolved in 650 parts of isopropanol while heating (70 ° C). The solution was cooled to 0 ° C and filtered, and the residue was dried to obtain 63.3 parts of the target compound (c) as a white solid . The melting point of this product was 125 to 129 占 폚. The result of the elemental analysis was almost the same as the calculated value.

[실시예 4] 화합물 (d) 의 합성[Example 4] Synthesis of Compound (d)

합성예 4 에서 제조한 화합물 34.8 부, 디페닐 술폭시드 20.2 부 및 진한 황산 173.1 부를 가하고 실온에서 24 시간 반응시켰다. 교반하면서 이 반응 혼합물을 NaSbF6수용액 (물 405.3 부에 NaSbF626.8 부를 용해하여 제조한 것) 431.1 부에 0℃ 에서 방울씩 서서히 첨가하였다. 백색 고체의 침전물을 여과하고 건조하여 이소프로판올 650 부에 가열 (70℃) 하면서 용해한 다음, 이 용액을 0℃ 로 냉각하고 여과한 후 잔류물을 건조하여 백색 왁스상의 본 목적 화합물 (d) 53.9 부를 얻었다. 이 생성물의 원소 분석의 결과는 계산치와 거의 동일하였다.34.8 parts of the compound prepared in Synthesis Example 4, 20.2 parts of diphenylsulfoxide, and 173.1 parts of concentrated sulfuric acid were added and reacted at room temperature for 24 hours. While stirring, this reaction mixture was gradually added to 431.1 parts of an aqueous solution of NaSbF 6 (prepared by dissolving 26.8 parts of NaSbF 6 in 405.3 parts of water) at 0 ° C, dropwise. The precipitate of the white solid was filtered, dried and dissolved in 650 parts of isopropanol while heating (70 ° C). The solution was cooled to 0 ° C and filtered, and then the residue was dried to obtain 53.9 parts of the desired compound (d) . The result of the elemental analysis of this product was almost the same as the calculated value.

[실시예 5] 화합물 (e) 의 합성[Example 5] Synthesis of Compound (e)

합성예 5 에서 제조한 화합물 50.3 부, 디페닐 술폭시드 40.4 부 및 진한 황상 208.1 부를 가하고 실온에서 24 시간 반응시켰다. 교반하면서 이 반응 혼합물을 NaSbF6수용액 (물 810.6 부에 NaSbF651.7 부를 용해하여 제조한 것) 862.3 부에 실온에서 방울씩 서서히 첨가하였다. 백색 고체의 침전물을 여과하고 건조하여 이소프로판올 650 부에 가열(70℃) 하면서 용해한 다음, 이 용액을 0℃ 로 냉각하고 여과한 후 잔류물을 건조하여 백색 고체의 본 목적 화합물 (e) 94.1 부를 얻었다. 이 생성물의 융점은 152 ~ 162℃ 이었다. 원소 분석의 결과는 계산치와 거의 동일하였다.50.3 parts of the compound prepared in Synthesis Example 5, 40.4 parts of diphenylsulfoxide and 208.1 parts of a concentrated sulfuric acid were added and reacted at room temperature for 24 hours. While stirring, this reaction mixture was slowly added to 862.3 parts of an aqueous NaSbF 6 solution (prepared by dissolving 51.7 parts of NaSbF 6 in 810.6 parts of water) at room temperature. The precipitate of the white solid was filtered, dried and dissolved in 650 parts of isopropanol while heating (70 ° C). The solution was cooled to 0 ° C and filtered. The residue was dried to obtain 94.1 parts of the target compound (e) as a white solid . The melting point of this product was 152 to 162 ° C. The result of the elemental analysis was almost the same as the calculated value.

[실시예 6] 화합물 (f) 의 합성[Example 6] Synthesis of Compound (f)

합성예 6 에서 제조한 화합물 55.3 부, 4,4´-디메틸디페닐 술폭시드 46.1 부 및 진한 황산 233.4 부를 가하고 실온에서 24 시간 반응시켰다. 교반하면서 이 반응 혼합물을 NaSbF6수용액 (물 810.6 부에 NaSbF651.7 부를 용해하여 제조한 것) 862.3 부에 실온에서 방울씩 서서히 처가하였다. 백색 고체의 침전물을 여과하고 건조하여 이소프로판을 650 부에 가열 (70℃) 하면서 용해한 다음, 이 용액을 0℃ 로 냉각하고 여과한 후 잔류물을 건조하여 백색 고체의 본 목적 화합물 (f) 96.5 부를 얻었다. 이 생성물의 융점은 201 ~ 205℃이었다. 원소 분석의 결과는 계산치와 거의 동일하였다.55.3 parts of the compound prepared in Synthesis Example 6, 46.1 parts of 4,4'-dimethyldiphenylsulfoxide, and 233.4 parts of concentrated sulfuric acid were added and reacted at room temperature for 24 hours. While stirring, this reaction mixture was slowly added dropwise at room temperature to 862.3 parts of an aqueous solution of NaSbF 6 (prepared by dissolving 51.7 parts of NaSbF 6 in 810.6 parts of water). The precipitate of the white solid was filtered and dried to dissolve 650 parts of isopropane while heating (70 ° C). The solution was cooled to 0 ° C and filtered, and the residue was dried to obtain the target compound (f) I got wealth. The melting point of this product was from 201 to 205 ° C. The result of the elemental analysis was almost the same as the calculated value.

[실시예 7] 화합물 (g) 의 합성[Example 7] Synthesis of Compound (g)

합성예 5 에서 제조한 화합물 50.3 부, 4,4´-디플루오로디페닐 술폭시드 47.6 부 및 진한 황산 225.4 부를 가하고 실온에서 24 시간 반응시켰다.50.3 parts of the compound prepared in Synthesis Example 5, 47.6 parts of 4,4'-difluorodiphenylsulfoxide, and 225.4 parts of concentrated sulfuric acid were added and reacted at room temperature for 24 hours.

교반하면서 이 반응 혼합물을 NaSbF6수용액 (물 810.6 부에 NaSbF651.7 부를 용해하여 제조한 것) 862.3 부에 실온에서 방울씩 서서히 첨가하였다. 백색 고체의 침전물을 여과하고 건조하여 이소프로판올 650 부에 가열 (70℃) 하면서 용해한 다음, 이 용액을 0℃ 로 냉각하고 여과한 후 잔류물을 건조하여 백색 고체의 본 목적 화합물 (g) 94.1 부를 얻었다. 이 생성물의 융점은 163 ~ 172℃ 이었다. 원소 분석의 결과는 계산치와 거의 동일하였다.While stirring, this reaction mixture was slowly added to 862.3 parts of an aqueous NaSbF 6 solution (prepared by dissolving 51.7 parts of NaSbF 6 in 810.6 parts of water) at room temperature. The precipitate of the white solid was filtered, dried and dissolved in 650 parts of isopropanol while heating (70 ° C). The solution was cooled to 0 ° C and filtered, and the residue was dried to obtain 94.1 parts of the target compound (g) as a white solid . The melting point of this product was 163 to 172 占 폚. The result of the elemental analysis was almost the same as the calculated value.

[실시예 8] 화합물 (h) 의 합성[Example 8] Synthesis of Compound (h)

실시예 1 에서 제조한 화합물 32.8 부, 수산화 나트륨 4.0 부 및 1,4- 부탄디올 100 부를 가하고 실온에서 24 시간 반응시켰다. 이어서, 이 반응 혼합물을 물속에 부어 넣고 생성한 기름 상태의 물질을 분리하고 건조하여 담황색 액체의 본 목적 화합물 (h) 41.8 부를 얻었다. 이 생성물의 원소 분석의 결과는 계산치와 거의 동일하였다.32.8 parts of the compound prepared in Example 1, 4.0 parts of sodium hydroxide and 100 parts of 1,4-butanediol were added and reacted at room temperature for 24 hours. Subsequently, the reaction mixture was poured into water, and the resulting oily substance was separated and dried to obtain 41.8 parts of the target compound (h) as a pale yellow liquid. The result of the elemental analysis of this product was almost the same as the calculated value.

[실시예 9] 화합물 (j) 의 합성[Example 9] Synthesis of compound (j)

실시예 7 에서 제조한 화합물 70.8 부, 수산화 나트륨 4.0 부 및 에틸렌 글리콜 200 부를 가하고 실온에서 24 시간 동안 반응시킨 다음, 이 반응 혼합물을 물 속에 부어 넣고 석출한 백색 고체 침전물을 여과한 후 건조하여 실온에서 고체인 생성물을 얻었다. 이어서, 이 생성물 78.2 부, ε-카프로락톤 48.5 부 및 염화 제 1 주석 0.04 부를 가하고 120℃ 에서 15 시간 동안 반응시켰다.70.8 parts of the compound prepared in Example 7, 4.0 parts of sodium hydroxide and 200 parts of ethylene glycol were added and reacted at room temperature for 24 hours. The reaction mixture was poured into water, and the precipitated white solid precipitate was filtered, A solid product was obtained. Subsequently, 78.2 parts of this product, 48.5 parts of? -Caprolactone and 0.04 part of stannous chloride were added and reacted at 120 ° C for 15 hours.

반응 혼합물증의 ε-카프로락톤의 함유량이 1 % 이하인 것이 확인되었을 때 반응을 종료하여 액상의 생성물 [화합물 (j)] 126.7 부를 얻었다. 원소 분석의 결과는 계산치와 거의 동일하였다.When it was confirmed that the content of? -Caprolactone in the reaction mixture was 1% or less, the reaction was terminated to obtain 126.7 parts of a liquid product (compound (j)). The result of the elemental analysis was almost the same as the calculated value.

[실시예 10] 화합물 (k) 의 합성[Example 10] Synthesis of Compound (k)

합성예 5 에서 제조한 화합물 50.3 부, 4,4´-디플루오로디페닐 술폭시드 47.6 부 및 진한 황산 225.4 부를 가하고 실온에서 24 시간 반응시켰다. 교반하면서 이 반응 혼합물을 NaPF6수용액 (물 5.62 부에 NaPF633.6 부를 용해하여 제조한 것) 559.8 부에 실온에서 방울씩 서서히 첨가하였다. 백색 고체의 침전물을 여과하고 건조하여 이소프로판올 650 부에 가열 (70℃) 하면서 용해한 다음, 이 용액을 0℃ 로 냉각하고 여과한 후 잔류물을 건조하여 백색 고체의 본 목적 화합물 (k) 104.9 부를 얻었다. 이 생성물의 융점은 154 ~ 163℃이었다. 원소 분석의 결과는 계산치와 거의 동일하였다.50.3 parts of the compound prepared in Synthesis Example 5, 47.6 parts of 4,4'-difluorodiphenylsulfoxide, and 225.4 parts of concentrated sulfuric acid were added and reacted at room temperature for 24 hours. While stirring, the reaction mixture was gradually added to 559.8 parts of an NaPF 6 aqueous solution (prepared by dissolving 33.6 parts of NaPF 6 in 5.62 parts of water) at room temperature. The precipitate of the white solid was filtered, dried and dissolved in 650 parts of isopropanol while heating (70 ° C). The solution was cooled to 0 ° C and filtered, and the residue was dried to obtain 104.9 parts of the target compound (k) as a white solid . The melting point of this product was 154 to 163 占 폚. The result of the elemental analysis was almost the same as the calculated value.

[실시예 11 ~ 30 및 비교예 1 ~ 6][Examples 11 to 30 and Comparative Examples 1 to 6]

(각 조성물에 대한 실험)(Experiment on each composition)

표 1 과 표 2 에 나와 있는 각 성분을 혼합, 용해하여 에너지선 경화 조성물을 각각 제조하였다. 각 조성물을 알루미늄 시험판 위에 5μ의 두께로 코우팅 하고 코우팅면으로 부터 8 cm 떨어진 거리에 설치한 고압 수은등 (80 W/cm) 으로 자외선 조사를 하여 코우팅물을 경화시켰다. 제조된 조성물을 투명성, 저장 안정성, 고화촉감, 경화 도막의 광택 및 냄새 등에 대하여 시험하였다. 그 결과는 표 1 과 표 2 에 나와 있다.Each of the components shown in Table 1 and Table 2 was mixed and dissolved to prepare an energy ray curable composition. Each composition was coated on an aluminum test plate to a thickness of 5 mu and irradiated with ultraviolet rays by a high-pressure mercury lamp (80 W / cm) installed at a distance of 8 cm from the surface of the cortex to cure the cortex. The prepared composition was tested for transparency, storage stability, tactile sensation, luster and smell of cured coating film and the like. The results are shown in Table 1 and Table 2.

시험 방법 :Test Methods :

투명성 : 조성물의 투명성을 육안으로 평가하였다.Transparency: The transparency of the composition was visually evaluated.

: 완전히 투명함. : Totally transparent.

: 약간 흐림. : Slightly cloudy.

× : 흐림.X: Cloudy.

×× : 각 성분으로 즉시 분리됨.XX: Separated immediately into each component.

저장 안정성 : 조성물을 40℃ 에서 3 개월간 저장하여 그 안정성을 조사하였다.Storage stability: The composition was stored at 40 占 폚 for 3 months and its stability was examined.

: 변화없음. : No change.

: 약간 점착성 있음. : Slightly tacky.

× : 겔화하였음.X: Gelled.

고화촉감 : 코우팅물이 고화촉감 상태에 도달하는데 소요되는 조사량(照射量) (mJ/cm2) 을 측정하여 결정하였다.Solidification tactile sensation: The amount of irradiation (amount of irradiation) (mJ / cm 2 ) required to reach the solidified tactile state was determined and determined.

광택 : 코우팅물이 고화촉감 상태에 도달하는데 소요되는 량 (mJ/cm2) 의 자외선을 코우팅물에 조사하여 경화된 코우팅물의 표면을 육안으로 판정하였다.Gloss: The amount of ultraviolet light (mJ / cm 2 ) required to reach the tacky state of the coating material was irradiated to the coating material, and the surface of the cured material was visually judged.

: 광택 양호. : Good gloss.

: 다소 흐림. : Slightly cloudy.

× : 무광택.X: Matte.

냄새 : 코우팅물의 표면을 1000 mJ/cm2의 자외선을 조사하여 경화된 코우팅물의 표면의 냄새를 조사하였다.Odor: The surface of the coating material was irradiated with ultraviolet rays of 1000 mJ / cm 2 to examine the surface of the cured coating material.

: 냄새 없음. : No odor.

: 냄새 약간 있음. : There is a little odor.

× : 냄새가 상당히 있음.X: There is considerable smell.

××: 냄새가 많음.××: There is a lot of smell.

[표 1][Table 1]

[표 2][Table 2]

표 1 과 표 2 의 결과로 부터 알 수 있는 바와 같이 본 발명의 광중합 반응 개시제를 함유한 조성물들은 혼화성, 투명성 및 경화성이 우수하며 경화된 코우팅물의 광택이 우수하고 냄새가 거의 없으며 금속에 대한 접착성도 우수하다.As can be seen from the results of Tables 1 and 2, the compositions containing the photopolymerization initiator of the present invention are excellent in compatibility, transparency and curability, have excellent gloss of the cured coating material, have little odor, It is also excellent in adhesiveness.

Claims (21)

아래의 일반 구조식 (1)로 나타내어지는 오늄염 :Onium salts represented by the following general structural formula (1): [위의 식에서 Ar은 1 가 내지 4 가의 방향족 그룹이고, X는 치환기를 가져도 좋은 비스페닐술포니오 그룹이며, a 는 1 ~ 2, b 는 0 또는 1, a + b 는 1 ~ 2, n 은 1 ~ 2, 그리고 Z 는 아래의 일반식 (3)으로 나타내어지는 할로겐화물이다 ;Wherein Ar is a monovalent to tetravalent aromatic group, X is a bisphenylsulfonio group which may have a substituent, a is 1 to 2, b is 0 or 1, a + b is 1 to 2, n is 1 to 2, and Z is a halide represented by the following general formula (3); (위의 식에서 M 은 붕소 원자, 인 원자, 비소 원자 또는 안티몬 원자이고, Q 는 할로겐 원자, m 은 3 ~ 6 이고,은 0 또는 1 이며, m +은 4 ~ 6 이다)].(In the above formula, M is a boron atom, phosphorus atom, arsenic atom or antimony atom, Q is a halogen atom, m is 3 to 6, Is 0 or 1, m + Is 4 to 6). 제 1 항에 있어서, 아래와 같이 정의되는 오늄염 :The onium salt according to claim 1, which is defined as follows: Ar 은 아래의 방향족 그룹들이고,Ar is the following aromatic groups, [이들 방향족 그룹들은 (C1-C5) 알킬 그룹, (C1-C5) 알킬옥시카르보닐 그룹 및 할로겐 원자중에서 선택되는 적어도 하나의 치환기를 가져도 좋음] ;[These aromatic groups may have at least one substituent selected from a (C 1 -C 5 ) alkyl group, a (C 1 -C 5 ) alkyloxycarbonyl group and a halogen atom]; 치환기를 가져도 좋은 비스페닐술포니오 그룹은 아래의 구조식 (2) 으로 나타내어지는 그룹이며,The bisphenylsulfonio group which may have a substituent is a group represented by the following structural formula (2) [위의 식에서 R1-R10각각은 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬 그룹, 적어도 하나의 히드록실 그룹을 가진 C1-C5지방족 그룹이다.] ;[Wherein each of R 1 -R 10 is a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, or a C 1 -C 5 aliphatic group having at least one hydroxyl group]; a 는 1 ~ 2 ; b 는 0 또는 1 ; a + b 는 1 ~ 2 ; n 은 1 ~ 2 ; 및 Z 는 아래의 식 (3) 으로 나타내어지는 할로겐화물이다.a is 1 to 2; b is 0 or 1; a + b is 1 to 2; n is 1 to 2; And Z is a halide represented by the following formula (3). (위의 식에서 M 은 붕소 원자, 인 원자, 비소 원자 또는 안티몬 원자이고, Q 는 할로겐 원자이며, m 은 3 ~ 6,은 0 또는 1 이고, 그리고 m +은 4 ~ 6 이다).(Wherein M is a boron atom, phosphorus atom, arsenic atom or antimony atom, Q is a halogen atom, m is from 3 to 6, Is 0 or 1, and m + Is 4 to 6). 제 2 항에 있어서, Ar 은이고, R1-R10은 각각 수소 원자, 할로겐 원자, 또는 (C1-C5) 알킬 그룹이며, M 은 인 원자 또는 안티몬 원자인 오늄염.The compound according to claim 2, wherein Ar is , Each of R 1 -R 10 is a hydrogen atom, a halogen atom, or a (C 1 -C 5 ) alkyl group, and M is a phosphorus atom or an antimony atom. 제 3 항에 있어서, R1-R5중의 최소한 하나가 할로겐 원자이고 나머지는 수소 원자이며, R6-R10중의 최소한 하나가 할로겐 원자이고, R6-R10의 나머지는 수소 원자인 오늄염.The compound according to claim 3, wherein at least one of R 1 to R 5 is a halogen atom and the other is a hydrogen atom, at least one of R 6 to R 10 is a halogen atom, and the remainder of R 6 to R 10 is a hydrogen atom . 제 2 항에 있어서, Ar 은이고, R3과 R8은 할로겐 원자이며, R1, R2, R4-R7, R9및 R10은 수소 원자이고, a 는 2, b 는 0, n 은 2, M 은 인 원자 또는 안티몬 원자, m 은 6, 그리고은 0 인 오늄염.The compound according to claim 2, wherein Ar is R 3 and R 8 are halogen atoms and R 1 , R 2 , R 4 -R 7 , R 9 and R 10 are hydrogen atoms, a is 2, b is 0, n is 2, M is phosphorus atom Or an antimony atom, m is 6, and Lt; / RTI > 제 5 항에 있어서, 할로겐 원자가 플루오르 원자인 오늄염.The onium salt according to claim 5, wherein the halogen atom is a fluorine atom. 아래의 구조식으로 나타내어지는 오늄염.Onium salt represented by the following structural formula. 아래의 구조식으로 나타내어지는 오늄염.Onium salt represented by the following structural formula. 제 1 항 내지 제 8 항의 오늄염을 활성 성분으로 함유하는 광중합 반응 개시제.A photopolymerization initiator comprising the onium salt of any one of claims 1 to 8 as an active ingredient. 양이온 중합물질과 제 1 항 내지 제 8 항의 오늄염을 함유하는 에너지선 경화 조성물.An energy ray curable composition comprising a cationic polymeric material and the onium salt of any one of claims 1 to 8. 제 10 항에 있어서, 양이온 중합물질이 에폭시 화합물, 비닐 에테르 화합물 또는 지환식 에테르 화합물인 조성물.11. The composition of claim 10 wherein the cationic polymeric material is an epoxy compound, a vinyl ether compound or an alicyclic ether compound. 제 11 항에 있어서, 에폭시 화합물이 지환식 에폭시 수지인 조성물.The composition according to claim 11, wherein the epoxy compound is an alicyclic epoxy resin. 제 11 항에 있어서, 비닐 에테르 화합물이 트리에틸렌 글리콜 디비닐 에테르, 테트라에틸렌 글리콜 디비닐 에테르, 시클로헥산-1,4-디메틸롤디비닐 에테르, 1,4-부탄디올디비닐 에테르,,또는 우레탄 폴리비닐 에테르인 조성물.12. The composition of claim 11, wherein the vinyl ether compound is selected from the group consisting of triethylene glycol divinyl ether, tetraethylene glycol divinyl ether, cyclohexane-1,4-dimethylol divinyl ether, , Or urethane polyvinyl ether. 제 10 항에 있어서, 오늄염이 제 7 항 또는 제 8 항의 오늄염인 조성물.11. The composition of claim 10, wherein the onium salt is the onium salt of claim 7 or claim 8. 제 10 항에 있어서, 에너지선이 자외선인 조성물.11. The composition of claim 10 wherein the energy beam is ultraviolet. 제 10 항에 있어서, 양이온 중합물질 100 중량부와 오늄염 0.01 ~ 20 중량부를 함유하는 조성물.11. The composition of claim 10 comprising 100 parts by weight of the cationic polymeric material and 0.01 to 20 parts by weight of the onium salt. 지환식 에폭시 수지 100 중량부와 제 7 항 또는 제 8 항의 오늄염 0.1 ~ 10 중량부를 함유하는 자외선 경화 조성물.100 parts by weight of an alicyclic epoxy resin and 0.1 to 10 parts by weight of an onium salt of claim 7 or 8. 비닐 에테르 화합물 100 중량부와 제 7 항 또는 제 8 항의 오늄염 0.1 ~ 10 중량부를 함유하는 자외선 경화 조성물.100 parts by weight of a vinyl ether compound and 0.1 to 10 parts by weight of an onium salt of claim 7 or 8. 제 18 항에 있어서, 비닐 에테르 화합물이 트리에틸렌 글리콜 디비닐 에테르, 테트라에틸렌 글리콜 디비닐 에테르, 시클로헥산-1,4-디메틸톨디비닐 에테르, 1,4-부탄디올디비닐 에테르, 또는 우레탄 폴리비닐 에테르인 조성물.19. The composition according to claim 18, wherein the vinyl ether compound is selected from the group consisting of triethylene glycol divinyl ether, tetraethylene glycol divinyl ether, cyclohexane-1,4-dimethyltolvinyl ether, 1,4-butanediol divinyl ether, Or urethane polyvinyl ether. 제 10 항 내지 제 19 항의 조성물의 경화물.A cured product of the composition of any one of claims 10 to 19. 조성물에 자외선을 조사하는 제 10 항 내지 제 19 항의 조성물의 경화 방법.A method of curing a composition according to any one of claims 10 to 19, wherein the composition is irradiated with ultraviolet light.
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