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KR100252220B1 - 반도체장치의산화막두께표준시료및그제조방법 - Google Patents

반도체장치의산화막두께표준시료및그제조방법 Download PDF

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KR100252220B1
KR100252220B1 KR1019970027093A KR19970027093A KR100252220B1 KR 100252220 B1 KR100252220 B1 KR 100252220B1 KR 1019970027093 A KR1019970027093 A KR 1019970027093A KR 19970027093 A KR19970027093 A KR 19970027093A KR 100252220 B1 KR100252220 B1 KR 100252220B1
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oxide film
thickness
semiconductor device
plasma
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이상길
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윤종용
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Abstract

본 발명은 산화막의 두께를 관리하는 반도체장치의 산화막 두께표준시료 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 반도체장치의 산화막 두께표준시료는 반도체 기판 상에 1μm 내지 5.3 μm 두께로 형성되고 균일도가 상기 산화막 두께 대비 0.1 내지 0.3 % 임을 구비함을 특징으로 한다.
그리고 본 발명의 반도체장치의 산화막 두께표준시료의 제조방법은, 반도체장치의 산화막 두께표준시료의 제조방법에 있어서, 동일 공정조건하에서 상기 산화막의 형성공정을 연속적으로 반복수행하여 상기 산화막을 반도체 기판 상에 1μm 내지 5.3 μm 두께로 형성시킴을 특징으로 한다.
따라서, 1μm 내지 5.3 μm 두께로 형성되는 산화막의 두께의 관리를 효율적으로 관리함으로 인해 생산성이 향상되는 효과가 있다.

Description

반도체장치의 산화막 두께표준시료 및 그 제조방법{Oxide film thickness standard reference of semiconductor device and manufacturing method thereof}
본 발명은 반도체장치의 산화막 두께표준시료 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 산화막을 1μm 이상의 두께로 형성시킨 반도체장치의 산화막 두께표준시료 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체장치의 제조에서는 반도체 기판 상에 다양한 막(Film)을 형성시키고, 이러한 다양한 막들은 공정수행시 제한된 스펙(Spec) 즉, 그 두께 등을 한정하여 형성시킨다.
이에 따라 반도체장치의 제조에서는 상기 다양한 막들의 형성시 상기 한정된 두께의 기준을 제공하는 표준시료(SRM : Standard Reference Material) 즉, 두께표준시료를 이용하여 상기 다양한 막들의 두께 등을 관리하고 있다.
그리고 상기 다양한 막들 중에서 산화막의 두께를 관리하는 종래의 산화막 두께표준시료는 1μm 이하의 두께로 이루어지는 산화막에 대한 두께표준시료만이 제공되었다.
여기서 상기 산화막이 1μm 이하의 두께로 형성되는 산화막 두께표준시료는 VLSI사에서 제공하는 VLSI Standards Incroporated 1996 Product Guide의 카탈로그(Catalogue)에 자세히 기술되어 있다.
최근의 반도체장치의 제조에서는 산화막을 1μm 이상의 두께로 형성시키는 것이 일반적인 추세이지만, 상기와 같은 1μm 이하의 두께로 이루어지는 산화막 표준두께시료는 최근의 1μm 이상의 두께로 형성되는 반도체장치의 산화막의 두께를 관리할 수 없었다.
그러나 1μm 이상의 두께로 형성되는 산화막은 그 균일도(Uniformity) 등의 결함으로 인해 상기 산화막 두께표준시료로 제조할 산화막의 제조방법 즉, 공정조건의 결정이 용이하지 않았고, 상기 산화막 두께표준시료로 형성할 산화막의 두께의 기준치 즉, 선형성(Linearity)을 갖는 기준치의 설정이 용이하지 않았기 때문에 1μm 이상의 두께의 산화막으로 이루어지는 산화막 두께표준시료의 제조에는 어려움이 많았다.
따라서 종래에는 1μm 이상의 두께로 형성시키는 산화막의 제조시 상기 산화막의 두께의 관리가 이루어지지 않는 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은, 1μm 내지 5.3 μm의 두께로 형성되는 산화막의 두께를 용이하게 관리하기 위한 반도체장치의 산화막 두께표준시료 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.
도1은 본 발명에 따른 반도체장치의 산화막 두께표준시료를 나타내는 단면도이다.
도2는 본 발명에 따른 반도체장치의 산화막 두께표준시료의 제조방법을 나타내는 공정도이다.
도3은 도2에 의한 산화막의 두께의 기준치를 나타내는 그래프이다.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 두께표준시료 10 : 반도체 기판
12 : 산화막
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체장치의 산화막 두께표준시료는 반도체 기판 상에 1μm 내지 5.3 μm 두께로 형성되는 산화막을 구비하며, 상기 산화막의 균일도(Uniformity)는 상기 산화막의 두께 대비 0.1% 내지 0.3% 임을 특징으로 한다.
상기 산화막은 플라즈마를 이용하여 형성되는 플라즈마 산화막(PE-OX : Plasma Enhanced Oxide Film)일 수 있으며 또는 상기 산화막은 O3-TEOS(Tetra-Ethyl-Orthosilicate) 산화막일 수 있다.
상기 산화막은 1.1μm 내지 1.3μm, 2.3μm 내지 2.5μm, 3.2μm 내지 3.4μm, 4.3μm 내지 4.5μm 및 5.1μm 내지 5.3μm 등의 두께로 형성될 수 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체장치의 산화막 두께표준시료의 제조방법은 반도체장치의 산화막 두께표준시료의 제조방법에 있어서, 동일 공정조건하에서 상기 산화막의 형성공정을 연속적으로 반복수행하여 상기 산화막을 반도체 기판 상에 1μm 내지 5.3 μm 두께로 형성시킴을 특징으로 한다.
상기 산화막은 플라즈마를 이용한 공정(Plasma Enhanced Oxidation)을 수행하여 형성시킬 수 있다.l
상기 플라즈마를 이용한 공정에 의해 1회 수행시 형성되는 상기 산화막의 두께는 4,000Å 임일 수 있다.
상기 플라즈마를 이용한 공정은 분당 95리터(Liter)의 실란(SiH4)가스 및 1,800리터의 일산화이질소(N2O)가스가 공급될 수 있으며, 400℃의 온도 및 2.9토르(Torr)의 압력에서 수행될 수 있다.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도1은 본 발명에 따른 반도체장치의 산화막 두께표준시료를 나타내는 단면도이고, 도2는 본 발명에 따른 반도체장치의 산화막 두께표준시료의 제조방법을 나타내는 공정도이며, 도3은 도2에 의한 산화막의 두께의 기준치를 나타내는 그래프이다.
먼저, 도1은 반도체 기판(10) 상에 산화막(12)이 형성된 두께표준시료(1)를 나타내는 것으로써, 본 발명은 소정의 직경을 갖는 반도체 기판(10) 상에 1μm 내지 5.3 μm의 두께의 산화막(12)을 형성시킬 수 있고, 실시예에서는 200mm의 직경을 갖는 반도체 기판(10) 즉, 실리콘(Si) 기판 상에 1μm 내지 5.3 μm의 두께로 산화막(12)을 형성시킨다.
그리고 본 발명은 상기 산화막(12)을 플라즈마(Plasma)를 이용한 공정을 수행하여 상기 반도체 기판(10) 상에 플라즈마 산화막(Plasma Enhanced Oxide Film) 또는 O3-TEOS(Tetra-Ethyl-Orthsilicate) 산화막 등을 형성시킬 수 있고, 상기 산화막(12)의 균일도는 상기 산화막(12)의 두께 대비 0.3% 이내를 유지하도록 한다.
또한 본 발명의 상기 산화막(12)은 그 두께로 표현되는 두께값들이 소정의 연속성, 즉 선형성을 가지도록 형성시킬 수 있고, 실시예에서는 상기 두께값이 평면좌표계에서 일차함수로 표현되는 연속성을 가지도록 상기 산화막(12)의 두께값을 설정하여 형성시킨다.
이에 따라 본 발명은 상기 산화막(12)을 1.1μm 내지 1.3μm, 2.3μm 내지 2.5μm, 3.2μm 내지 3.4μm, 4.3μm 내지 4.5μm 및 5.1μm 내지 5.3μm 등의 두께로 형성시킬 수 있고, 실시예에서는 1.2μm, 2.4μm, 3.3μm, 4.4μm 및 5.2μm 등의 두께로 상기 산화막(12)을 형성시킨다.
그리고 도2는 상기 산화막(12)의 두께표준시료(1)를 제조하는 공정도로써, 먼저 상기 두께표준시료(1)로 제조할 산화막(12) 즉, 여러 방법 등으로 재조되는 산화막들의 특성을 테스트하여 상기 두께표준시료(1)로 제조할 산화막(12)의 제조방법을 결정한다.
본 발명에서는 상기 산화막(12)의 제조방법으로 플라즈마를 이용한 공정(Plasma Enhanced Oxidation)을 수행하여 플라즈마 산화막을 형성시킨다.
여기서 본 발명은 상기 플라즈마를 이용한 공정수행을 400℃의 온도 및 2.9토르의 압력으로 분당 95리터의 실란가스 및 1,800리터의 일산화이질소가스를 공급하면서 공정을 수행한다.
이에 따라 본 발명의 상기 플라즈마를 이용한 공정은 4,000Å의 두께를 설정두께로 하여 상기 플라즈마 산화막을 형성시킨다.
또한 본 발명은 상기 플라즈마를 이용한 공정을 연속적으로 수행하여 상기 산화막(12)을 1μm 내지 5.3 μm의 두께로 형성시킨다.
여기서 상기와 같은 공정의 수행으로 형성되는 산화막(12)의 균일도는 상기 산화막(12)의 두께 대비 0.3% 이내로 확보할 수 있고, 실시예에서는 상기 균일도를 0.2% 이내로 확보할 수 있다.
그리고 본 발명은 상기 두께표준시료(1)로 이용할 산화막(12)의 두께의 기준치를 설정하기 위하여 종래의 0.7μm 이하의 두께를 갖는 두께표준시료를 이용하여 본 발명의 1μm 내지 5.3 μm의 두께를 갖는 두께표준시료(1)의 두께의 기준치를 설정한다.
여기서 본 발명의 상기 두께의 기준치는 도3과 같이 소정의 연속성을 가지도록 설정되고, 실시예에서는 평면좌표계에서 일차함수로 표현되는 기준치로 설정된다.
이에 따라 본 발명은 상기 설정된 두께의 기준치에 적합하도록 상기 산화막(12)의 두께를 설정하여 1.2μm, 2.4μm, 3.3μm, 4.4μm 및 5.2μm 등의 두께로 상기 산화막(12)을 형성시킨다.
여기서 상기 산화막(12)은 상기의 공정을 연속적으로 수행하여 형성시키는 것으로써, 1.2μm 두께의 산화막(12)은 상기의 공정을 3회 수행하여 형성시키고, 2.4μm 두께의 산화막(12)은 상기의 공정을 6회 수행하여 형성시키며, 3.3μm 두께의 산화막(12)은 상기의 공정을 8회 수행하여 형성시킨다.
그리고 4.4μm 두께의 산화막(12)은 상기의 공정을 11회 수행하여 형성시키고, 5.2μm 두께의 산화막(12)은 상기의 공정을 13회 수행하여 형성시킨다.
계속해서 본 발명은 상기와 같은 연속적인 공정의 수행으로 형성된 산화막(12)을 평가하는 평가공정을 수행한다.
여기서 상기 평가공정은 상기 산화막(12)이 설정된 두께로 형성되었는 지를 평가하고, 그 균일도 및 굴절율 등을 평가하여 상기 평가공정의 데이터(Data)가 이론치와 만족하는 지를 평가한다.
그리고 본 발명의 상기와 같은 공정의 수행으로 형성된 산화막(12)의 평가결과는 두께표준시료(1)로 이용할 수 있는 데이터를 만족함으로 인해 반도체 기판(10) 상에 상기 산화막(12)을 형성시켜 두께표준시료(1)로 이용한다.
이에 따라 본 발명은 1μm 내지 5.3 μm의 두께의 산화막 두께표준시료를 제조하여 제공함으로써 1μm 내지 5.3 μm의 두께로 형성되는 산화막(12)을 효율적으로 관리할 수 있다.
전술한 구성으로 이루어지는 본 발명의 실시예에 대한 구체적인 작용 및 효과에 대하여 설명한다.
먼저, 여러 방법 등으로 제조되는 산화막들의 특성을 테스트(Test)하여 상기 테스트한 결과를 기준으로 상기 두께표준시료(1)로 제조할 산화막(12)의 제조방법을 결정한다.
평균값(Å) 표준편차(Å) 최대값-최소값(Å) 균일도(%)
산화막1 3,897.95 1.3 4.42 0.11
산화막2 3,771.12 0.97 3.64 0.1
(식 1)
균일도=(최대값-최소값)×100/평균값
두 께(Å) 굴절율(Nf) G.O.F
산화막1 3,877.85 1.4661 0.9804
산화막2 3,741.54 1.4701 0.9825
여기서 상기 산화막1 및 산화막2는 플라즈마를 이용하여 형성시킨 플라즈마 산화막으로써, 표1에 제시된 바를 기준으로 상기 식1을 이용하여 계산한 결과 상기 균일도는 0.11% 및 0.1%로 양호한 상태를 나타낸다.
그리고 상기 굴절율은 광학탐침계측기(Optical Probe)로 상기 산화막1 및 산화막2가 형성된 반도체 기판(10)의 중심을 기준으로 5mm 내외의 범위에서 21곳을 측정한 결과 상기 표2에 제시된 바와 같이 상기 굴절율의 이론값과 실제값의 차이를 나타내는 G.O.F(Good Of Fitness)가 0.9804 및 0.9825로 나타남으로써 안정된 상태를 나타낸다.
이에 따라 본 발명은 두께표준시료(1)로 제조할 산화막(12)의 제조방법 즉, 공정조건을 플라즈마를 이용한 공정으로 결정한다.
여기서 상기 플라즈마를 이용한 공정은 400℃의 온도 및 2.9토르의 압력으로 분당 95리터의 실란가스 및 1,800리터의 일산화이질소가스를 공급하면
서 공정을 수행토록 한다.
이에 따라 상기와 같은 공정의 1회 수행시 4,000Å의 산화막(12) 즉, 플라즈마 산화막이 형성된다.
계속해서 본 발명은 상기 제조방법을 결정한 후, 1μm 내지 5.3 μm로 형성되는 상기 산화막(12)의 두께의 기준치를 설정한다.
여기서 상기 산화막(12)의 두께의 기준치는 상기 산화막(12)의 두께값으로 표현되는 두께값이 평면좌표계에서 일차함수로 표현되도록 설정한다.
이에 따라 본 발명의 상기 산화막(12)의 두께의 기준치의 설정은 종래의 0.7μm 이하의 산화막 두께표준시료의 기준치를 이용하여 1μm 내지 5.3 μm의 산화막 두께표준시료의 산화막(12)의 두께의 기준치를 설정한다.
즉, 본 발명은 1μm 내지 5.3 μm의 두께로 상기 산화막(12)을 형성시킨 후, 광학탐침계측기를 이용하여 계측된 측정값 즉, 상기 산화막(12)의 두께로 표현되는 두께값을 종래의 0.7μm 이하의 두께표준시료의 두께의 기준치에 대입하여 표3과 같은 결과를 얻는다.
측 정 1 측 정 2 측 정 3 측 정 4 평 균 값
12000(Å) 12290.6 12257 12262.2 112266.9 12269.2
12306.9 12274.1 12277.7 12276.1 12283.7
12399.6 12364.9 12365 12366.9 12374.1
12305.9 12271.3 12276.7 12279.4 12283.3
12376.1 12343.6 12349.1 12345.5 12353.6
24000(Å) 24677.5 24623.7 24622.7 24638.1 24640.5
24569.7 24490.2 24492.3 24504.1 24514.1
24605 24540.1 24541.9 24545.8 24558.2
24742 24667.5 24668.1 24682.1 24689.9
24633.7 24556.5 24577.6 24563.2 24582.8
33000(Å) 32955.5 32866.7 32870 32881.9 32893.5
33113 33018.9 33018.8 33026.3 33044.2
32933.1 32822.7 32837.4 32839.5 32858.2
32933.1 32822.7 32837.4 32839.5 32858.2
33135.1 33035.7 33031.6 33057.5 33065
44000(Å) 44872.4 44745.3 44757.3 44773 44787
45011.7 44905.8 44882.1 44910.1 44927.4
44859.4 44735.8 44754.2 44767.5 44779.2
40895 40762.7 40783.4 40779.7 40805.2
41084.8 40990.5 40983.2 41002.7 41015.3
53000(Å) 53046.8 52892.2 52906.1 52919 52941
53389.6 53252.7 53259.7 53268.7 53292.7
52965.8 52807.7 52832.5 52840.5 52861.6
52915.8 52750.9 52773.9 52775.8 52804.1
53365.3 53226.3 53237.9 53239.1 53267.1
이에 따라 본 발명은 상기 평균값을 기준으로 1μm 내지 5.3 μm의 두께표준시료(1)의 산화막(12)의 두께의 기준치를 설정할 수 있다.
그리고 표3의 평균값을 기준으로 본 발명의 산화막(12)의 두께의 기준치는 도3과 같은 선형성을 가지고, 또한 식2와 같은 일차함수로 나타낼 수 있다.
(식 2)
Y=0.9991X-2.1514
즉, 도3에 도시된 바와 같이 Y축의 기준값과 상기 측정값인 X축의 설정값으로 표현되는 상기 식2의 일차함수의 기울기가 1에 근사한 값을 나타낸다.
이에 따라 본 발명은 상기 표3의 결과 즉, 평균값을 기준으로 상기 산화막(12)의 두께를 1.2μm, 2.4μm, 3.3μm, 4.4μm 및 5.3μm 등으로 설정할 수 있다.
즉, 표3에서 제시한 측정치를 종래의 두께표준시료의 기준치에 대입하여 산출되는 데이터의 평균으로 본 발명의 산화막(12)의 두께의 기준치를 설정한다.
이렇게 상기와 같이 선형성을 가지는 두께들로 산화막(12)의 두께를 설정한 후, 전술한 공정 즉, 플라즈마를 이용한 공정을 연속적으로 수행하여 상기 두께표준시료(1)의 산화막(12)을 형성시킨다.
여기서 상기 산화막(12)은 그 직경이 200mm인 반도체 기판(10) 즉, 실리콘 기판 상에 형성시킨다.
그리고 본 발명은 상기 플라즈마를 이용한 공정을 3회 연속적으로 수행하여 1.2μm의 두께를 가지는 산화막(12)을 형성시킬 수 있고, 6회 연속수행하여 2.4μm의 두께를 가지는 산화막(12)을 형성시킬 수 있으며, 8회 연속수행하여 3.3μm의 두께를 가지는 산화막(12)을 형성시킬 수 있다.
또한 상기 공정을 11회 연속수행하여 4.4μm의 두께를 가지는 산화막(12)을 형성시킬 수 있고, 13회 연속수행하여 5.3μm의 두께를 가지는 산화막(12)을 형성시킬 수 있다.
이렇게 상기와 같이 설정된 두께로 상기 산화막(12)을 형성시킨 후, 본 발명은 상기 산화막(12)을 평가하는 평가공정을 수행한다.
즉, 상기 산화막(12)의 두께가 상기 설정된 두께로 제조되었는지, 상기 산화막(12)의 균일도가 두께표준시료(1)로써의 활용도가 가능할 정도로 형성되었는지 등을 평가한다.
평 균 값(Å) 최대값-최소값(Å) 균 일 도(%)
1 12289.3 21 0.17
2 12301.2 14.01 0.11
3 12392.3 11.92 0.1
4 12304.3 20 0.16
5 12369 13.28 0.11
6 24658.7 20.9 0.08
7 24528.9 40.97 0.17
8 24580 20.72 0.08
9 24704.2 25.66 0.1
10 24594.2 35.01 0.14
11 32919.6 44.22 0.13
12 33059.7 27.49 0.08
13 33046.9 46.57 0.14
14 32862 32.95 0.1
15 33079.5 42.87 0.13
16 44792.7 42.57 0.1
17 44935 45.89 0.1
18 44785.1 42.68 0.1
19 40814.1 42.75 0.1
20 41043 41.62 0.1
21 52969 53.34 0.1
22 53327.1 68.73 0.13
23 52887.5 52.5 0.1
24 52834.2 90.18 0.17
25 53292 57.54 0.11
(식 3)
균일도=(최대값-최소값)×100/평균값
여기서 본 발명은 상기 표3의 데이터의 결과 및 식3을 이용하여 상기 산화막(12)의 균일도를 평가한 결과 상기 산화막(12)의 균일도는 상기 산화막(12)의 두께 대비 0.2% 이내를 만족함으로써 상기 산화막(12)이 두께표준시료(1)의 제조에 신뢰성을 제공한다.
이러한 구성으로 이루어지는 본 발명은 1μm 내지 5.3 μm의 두께로 이루어지는 산화막(12)의 두께표준시료(1)를 제조할 수 있으므로 인해 상기 두께표준시료(1)를 이용하여 1μm 내지 5.3 μm의 두께로 형성되는 산화막(12)의 두께의 관리를 용이하게 할 수 있다.
즉, 본 발명의 두께표준시료(1)는 산화막을 1μm 내지 5.3 μm의 두께로 형성시키는 최근의 반도체장치의 제조에 효율적으로 이용할 수 있다.
이에 따라 본 발명의 두께표준시료(1)를 이용한 두께의 관리는 최근의 반도체장치의 제조에서 화학기상증착(CVD) 등을 이용한 산화막의 형성시 상기 산화막의 두께의 관리를 효율적으로 할 수 있다.
따라서, 본 발명에 의하면 1μm 내지 5.3 μm의 두께로 형성되는 산화막의 두께의 관리를 효율적으로 관리함으로 인해 생산성이 향상되는 효과가 있다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (10)

  1. 반도체 기판 상에 1μm 내지 5.3 μm 두께로 형성되는 산화막을 구비하며, 상기 산화막의 균일도(Uniformity)는 상기 산화막의 두께 대비 0.1% 내지 0.3% 임을 특징으로 하는 반도체장치의 산화막 두께표준시료.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 산화막은 플라즈마를 이용하여 형성되는 플라즈마 산화막(PE-OX : Plasma Enhanced Oxide Film)임을 특징으로 하는 상기 반도체장치의 산화막 두께표준시료.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 산화막은 O3-TEOS(Tetra-Ethyl-Orthosilicate) 산화막임을 특징으로 하는 상기 반도체장치의 산화막 두께표준시료.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 산화막은 1.1μm 내지 1.3μm, 2.3μm 내지 2.5μm, 3.2μm 내지 3.4μm, 4.3μm 내지 4.5μm 및 5.1μm 내지 5.3μm 등의 두께로 형성되는 산화막임을 특징으로 하는 상기 반도체장치의 산화막 두께표준시료.
  5. 반도체장치의 산화막 두께표준시료의 제조방법에 있어서,
    동일 공정조건하에서 상기 산화막의 형성공정을 연속적으로 반복수행하여 상기 산화막을 반도체 기판 상에 1μm 내지 5.3 μm 두께로 형성시킴을 특징으로 하는 반도체장치의 산화막 두께표준시료의 제조방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 산화막은 플라즈마를 이용한 공정(Plasma Enhanced Oxidation)을 수행하여 형성시킴을 특징으로 하는 상기 반도체장치의 산화막 두께표준시료의 제조방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 플라즈마를 이용한 공정에 의해 1회 수행시 형성되는 상기 산화막의 두께는 4,000Å 임을 특징으로 하는 상기 반도체장치의 산화막 두께표준시료의 제조방법.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 플라즈마를 이용한 공정은 분당 95리터(Liter)의 실란(SiH4)가스 및 1,800리터의 일산화이질소(N2O)가스가 공급됨을 특징으로 하는 상기 반도체장치의 산화막 두께표준시료의 제조방법.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 플라즈마를 이용한 공정은 400℃의 온도로 수행함을 특징으로 하는 상기 반도체장치의 두께표준시료의 제조방법.
  10. 제 6 항에 있어서,
    상기 플라즈마를 이용한 공정은 2.9토르(Torr)의 압력으로 수행함을 특징으로 하는 상기 반도체장치의 산화막 두께표준시료의 제조방법.
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