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KR100189642B1 - 전자 부품 및 조립체를 피복시키거나 접착시키는 방법 - Google Patents

전자 부품 및 조립체를 피복시키거나 접착시키는 방법 Download PDF

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KR100189642B1
KR100189642B1 KR1019910025362A KR910025362A KR100189642B1 KR 100189642 B1 KR100189642 B1 KR 100189642B1 KR 1019910025362 A KR1019910025362 A KR 1019910025362A KR 910025362 A KR910025362 A KR 910025362A KR 100189642 B1 KR100189642 B1 KR 100189642B1
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로타르쉔
베른하르트슈타프
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헬무트마르케르트
폴케어무레어
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디어터 크리스트
지멘스 악티엔게젤샤프트
베르너 뵈켈
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Abstract

- 양이온적으로 경화 가능한 무용제성 에폭시 수지,
- 에폭시 수지의 중량을 기준으로 하여 음이온으로서 헥사플루오로 포스페이트, 헥사플루오로 아르세네이트 또는 헥사플루오로안티온에이트를 갖는 트리아릴술포늄 염 0.1 내지 5중량%, 및
- 에폭시 수지의 중량을 기준으로 하여 음이온으로서 헥사 플루오로 포스페이트, 헥사플루오로 아르세네이트 또는 헥사플루오로 안티온에이트를 갖는 벤질 티올라늄 염 0.01 내지 5중량%, 및 또한
- 임의로, 표준 첨가제를 포함하는 반응 수지 혼합물이 사용하고,
반응 수지 혼합물이 UV 방사선에 의해 그리고 열에 의해 경화됨을 특징으로 하는 저장-안정성 반응 수지 혼합물을 전자부품 및 조립체를 피복 또는 접착하기 위한 방법에 관한 것이다.

Description

전자 부품 및 조립체를 피복시키거나 접착시키는 방법
본 발명은 전자 부품 및 조립체를 저장-안정성 반응 수지 혼합물로 피복시키거나 접착시키기 위한 방법에 관한 것이다.
중첨가 반응 동안 카르복실산 무수물, 아민 또는 메르캅탄에 의해 열적으로 경화되는 에폭시 수지(참조 : Advances in Polymer Science, vol. 30 (1996), pages 173 to 202)는 종종 전자 부품 및 조립체를 피복, 즉 래커칠, 커버링 또는 캡슐화시키거나 접착시키기 위한 반응 수지로서 사용된다. 또한, 에폭시 수지의 중합 반응에 근거하여 경화 반응이 일어나는 열경화성 에폭시 수지 혼합물은 공지되어 있다. 이와 관련하여, 중합 반응은 3차 아민 또는 루이스산에 의해(C.A. May, Y. Tanaka, Epoxy Resin, Marcel Dekker Inc., New York 1973, pages 283 to 296), 또는 오늄염에 의해 수행될 수 있다. 이와 같이, 개시제로서 방향족 오늄염을 사용하는 것은 미합중국 특허 제216,288 호로부터 공지되어 있으며, 이러한 경우에 환원제가 추가로 제공될 수 있다. 일본 공고 특허 명세서 제56-152, 833호에는 촉진제로서 술포늄염 및 티오페놀을 함유하는 열경화성 에폭시 수지 조성물이 기술되어 있다(참조 : Chemical Abstracts, vol. 96 (1982), No. 182205h). 벤질티올라늄염을 함유하는 저장 안정성이고 열경화성인 혼합물이 또한 공지되어 있다(참조 : 일본 공고 특허 명세서 제58-037, 003호 또는 Chemical Abstracts, vol. 99 (1983), No. 141034v).
에폭시 수지의 열경화의 단점은 경화를 위해 상을 가열시키는 동안 수지의 점도가 자주 감소한다는 점이다. 이는, 예를 들어 래커링의 경우에는 균일하지 않은 층 두께 및 이른바 래커의 유출을 초래하고, 반응 수지 방울에 의해 인쇄 회로판 및 하이브리드 회로상에 캡슐화되지 않은 접착된 IC의 국부 커버링의 경우에는 바람직하지 않은 방울 형태의 유출을 초래한다. 그 외에도, 열경화법은 경화가 시간-및 공간-제한적이기 때문에 자동화된 조립체 생산 과정에 대해 제한된 적합성만을 갖는다.
에폭시 수지의 열적으로 활성화된 경화 외에도, 광개시제의 존재하에서 UV 방사선에 의해 개시되는 경화 반응이 또한 공지되어 있으며, 이와 관련하여 활성 광개시제는 트리아릴술포늄염이다[참조 : 미합중국 특허 제4 058 401호, 제4 138 255호 및 제4 173 476호]. UV-개시된 경화의 중요한 특징은 경화 반응이 단지 광-도달 영역 중에서만 일어난다는 것이다. 비록 트리아릴술포늄염으로 개시되는 반응이 또한 UV 조사의 종결 후에 계속 수행된다 할지라도(참조 : N. S. Allen, Developments in Polymer Photochemistry-2, Applied Science Publishers Ltd., London 1981, pages 13 and 14), 이러한 반응은 단지 광개시제가 UV 방사선에 의해 분해되는 영역 중에서만 일어난다는 것이 공지되어 있다. 그러나, 열경화는 트리아릴술포늄염으로 개시될 수 없다[참조 : Farbe+Lack, vol. 93 (1987), pages 803 to 807]. 따라서, UV-경화성 에폭시 수지 혼합물은 전자 부품 및 조립체의 피복(래커링, 커버링, 캡슐화) 및 접착에서 종종 광-차단 영역이 존재할 수 있기 때문에, 단지 전자 분야에서 제한된 정도로만 사용될 수 있다.
이러한 문제점은 예를 들어 인쇄 회로판 조립체의 래커링시에 명백해진다. 이러한 경우에서는 래커를 침지에 의해 인쇄 회로판 조립체에 도포하여 회로를 침식성 주변 시약으로부터 보호하는 것이 통상적이다. 이러한 경우에는 기술적 및 경제적 측면에 대해 유리한 UV-경화성 래커가 사용될 수 없는데, 그 이유는 침지 동안 래커가 예를 들어 인쇄 회로판과 부품 사이의 틈새 영역에 침투되고 이러한 영역은 UV 방사선에 의해 영향받지 않게 되어 경화될 수 없기 때문이다.
또한, 적당한 UV 세기가 보다 더 깊은 층에서 더 이상 존재하지 않을 정도로, UV 광이 보다 더 상층에서 충전제, 안료, 염료 및 광개시제와 같은 첨가제 또는 다른 수지 성분에 의해 흡수 또는 산란되는 경우, UV-경화성 에폭시 수지의 사용은 불가능하다. 예를 들어, 이러한 경우는 반응 수지 방울에 의해 하이브리드 회로상의 캡슐화되지 않은 IC를 국부 커버링하는 경우이다. 이러한 반응 수지는 기술적 이유로 무기 충전제로 고도로 충전되어야 하고, 그 외에도 검댕 또는 염료가 첨가되어야 한다. 그러나, 이러한 경우는 UV 방사선이 보다 더 깊은 영역 내로 투과되는 것을 방해한다.
본 발명의 목적은, 반응 수지 혼합물이 광-도달 영역 및 광-차단 영역 둘 모두에서 경화될 수 있게 하는, 저장 안정성 반응 수지 혼합물로 전자 부품 및 조립체를 피복 또는 접착시키기 위한 방법을 제공하는 데에 있다.
본 발명에 따라, 상기 목적은
- 양이온적으로 경화 가능한, 용매를 함유하지 않는 에폭시 수지,
- 에폭시 수지의 질량을 기준으로 하여 0.01 내지 5질량%의 함량을 갖는, 음이온으로서 텍사플루오로포스페이트, 헥사플루오로아르세네이트 또는 헥사플루오로안티몬에이트를 갖는 트리아릴술포늄 염 및
- 에폭시 수지의 질량을 기준으로 하여 0.01 내지 5 질량%의 함량을 갖는, 음이온으로서 엑사플루오로포스페이트, 헥사플루오로아르세네이트 또는 헥사플루오로안티몬에이트를 갖는 벤질티올라늄염, 및/또한
- 임의로, 표준 첨가제를 함유하는 반응 수지 혼합물을 사용하고,
반응 수지 혼합물을 UV 조사 및 열에 의해 경화시킴으로써 달성된다.
특히, 트리아릴술포늄염 및 벤질티올라늄염이 양이온적으로 경화 가능한 에폭시 수지 혼합물 중에 동시에 존재할 수 있고, 그럼에도 불구하고, 동시에, 상기 혼합물이 심지어는 몇 개월 후에도 단일-성분계로서 처리될 수 있을 정도의 높은 저장 안정성이 달성될 수 있다는 것이 발견되었다. 기술적 측면에서, 한편으로는 혼합물이 높은 UV 반응성을 가지고, 다른 한편으로는 열경화가 중간 정도의 온도에서 일어날 수 있는 것이 또한 장점이다. 따라서, 본 발명에 따른 방법은 부품들의 하부 및 보다 더 깊은 층에서와 같이 심지어는 광-차단 영역이 존재하는 경우에도 전자 부품 및 조립체의 피복 또는 접착을 수행하는 것을 가능하게 한다.
본 발명에 따른 방법에서는 용매를 함유하지 않는 반응 수지 혼합물이 사용된다는 것이 또한 장점이다. 지금까지는 인쇄 회로판 조립체에 대한 보호성 피복제의 제조에 있어서 물리적 건조, 즉, 용제의 증발 또는 증기화에 의해 막 형성을 일으키는 용매-함유 래커칠 시스템이 특별히 사용되어 왔다. 그러나, 접착제를 가공 처리 가능한 점도가 될 때까지 희석하기 위해 유기 용매를 사용하는 것은 여러 가지 이유로 인해 불리하다. 용매의 낮은 인화점 및 그와 관련된 폭발 및 화재 위험은, 한편으로는 래커의 제조 및 가공 처리시에 비용이 많이 드는 보호 장치 및 모니터링 장치를 필요로 한다. 또한, 환경을 보호하기 위해, 다른 한편으로는 고비용으로 열풍노로부터의 배출 공기로부터 유기 용매를 제거하는 것이 필요하다. 침지 래커링의 경우에는 또한, 침지 탱크로부터 증발하는 용매를 연속적으로 교체해서 가공 처리시에 일정한 래커 점도를 보장해주는 것을 염두에 두어야 한다. 이러한 문제점은 본 발명에 따르는 방법에서 용매를 함유하지 않고, 그럼에도 불구하고 낮은 점도의 계를 사용함으로써 해소된다. 따라서, 래커는 예를 들어 인쇄 회로판 조립체를 래커링할 때에 부품을 아래로부터 침지시킬 수 있으며, 즉, 심지어는 부품과 인쇄 회로판 사이의 좁은 틈새 내로 침투될 수 있다.
본 발명에 따른 방법에서는, 전술한 바와 같이, 반응 수지 혼합물은 UV 조사 및 열 둘 모두에 의해 경화된다. 열경화는 80 내지 200℃의 온도에서 수행하는 것이 유리하며, 80 내지 150℃의 온도에서 경화를 수행하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 방법에서는, 비스페놀 A, 비스페놀 F 또는 노볼락을 주성분으로 하는 글리시딜 에테르를 에폭시 수지로서 사용하는 것이 바람직하지만 ; 예를 들어 글리세롤 및 펜타에리트리톨의 글리시딜 에테르가 또한 적합하다. 또한, 에폭시화된 폴리부타디엔 및 에폭시화된 콩 오일과 같은 선형 지방족 에폭시 수지 및 3,4-에폭시시클로헥실메틸-3', 4'-에폭시시클로헥산카르복실레이트과 같은 지환족 에폭시 수지가 바람직하다. 3, 4-에폭시시클로헥실메틸-3', 4'-에폭시시클로헥산카르복실레이트는 특히 높은 반응성 및 낮은 점도가 현저하다. 또한, 양이온적으로 경화 가능한 에폭시 수지의 혼합물이 또한 사용될 수 있다.
경화 속도를 증가시키고 성형 재료의 기계적 특성을 개선시키기 위해 히드록실기를 함유하는 유기 화합물, 즉, 히드록실 또는 폴리히드록실 화합물 및 이들의 비닐 에테르를 에폭시 수지 혼합물에 첨가하는 것이 유리할 수 있다. 히드록실기를 함유하는 화합물로서 폴리옥시알킬렌폴리올, 폴리알킬렌폴리올 및 지환족 히드록실 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 상기에서 언급한 유형의 비닐 에테르 이외에도 비닐기를 함유하는 다른 화합물이 또한 사용될 수 있다.
광-도달 영역의 UV-경화를 위한 광개시제로서는 하기 구조를 갖는 트리아릴술포늄염을 사용하는 것이 바람직하다 ;
상기식에서,
X-는 PF, AsF또는 SbF이다.
상기 트리아릴술포늄염의 예로는, 4-디페닐술포니오디페닐 설파이드 헥사플루오로안티몬에이트 및 비스[4-(디페닐술포니오) 페닐] 설파이드 비스헥사 플루오로안티몬에이트를 언급할 수 있다. 트리아릴술포늄염은 에폭시 수지의 중량을 기준으로 하여 0.01 내지 5중량%의 농도로 사용되며 ; 트리아릴술포늄 염의 함량은 0.05 내지 3중량%인 것이 바람직하다.
UV 광이 도달하지 않는 영역, 예를 들어 UV-광 흡수 또는 광-산란 에폭시 수지 제제의 부품 하부 또는 보다 더 깊은 층에서 반응 수지 혼합물의 경화는 열적으로 활성화될 수 있는 개시제에 의해 수행된다. 이를 위해, 하기 구조의 벤질티올라늄염을 사용하는 것이 바람직하다.
상기식에서,
R¹은 수소, 알킬, 아릴, 알콕시, 티오에테르, 할로겐, CN 또는 NO2이고 ;
R²는 수소, 알킬 또는 아릴이고 ;
R³는 수소, 알킬 또는 아릴이거나, 티올란 고리는 방향족 계의 한 성분이며 ;
X는 PF, AsF또는 SbF이다.
이와 관련하여, 비치환된 벤질티올라늄염을 사용하는 것이 바람직하며, 특히 벤질티올라늄헥사플루오로안티몬에이트가 사용된다. 벤질 티올라늄염은 모든 경우에서 에폭시 수지의 중량을 기준으로 하여 0.01 내지 5 중량%, 바람직하게는 0.05 내지 3중량%의 농도로 사용된다.
또한, 저장 안정성을 증가시키기 위해 안정화 성분을 반응 수지 혼합물에 첨가하는 것이 유리할 수 있다. 이와 관련하여, 모든 경우에 에폭시 수지의 중량을 기준으로 하여 0.001 내지 1 중량%, 바람직하게는 0.001 내지 0.05 중량%의 농도로 사용되는 3차 아민이 안정화제로서 유리한 것으로 입증되었다. 디이소프로필아미노에탄올 및 트리에탄올아민과 같은 에탄올아민이 이러한 3차 아민으로서 바람직하다. 그러나, 상기 목적을 위해 에폭시 수지를 기준으로 하여 (메트) 아크릴레이트를 1 내지 30 중량%의 농도로 사용하는 것이 또한 유리할 수 있다. 이와 관련하여, 폴리프로필렌 글리콜 모노메타크릴레이트와 같은 메타크릴레이트가 바람직하다. 상기 언급한 유형의 화합물은 규정된 농도에서, 실질적으로 개시제의 반응성에 악영향을 미치지 않으면서 탁월한 안정화 작용을 나타낸다.
첨가제로서, 무기 또는 유기 충전제 및 추가의 공지된 첨가제 및 틱소트로픽 부여제, 탈기제, 습윤제, 접착 촉진제, 염료 및 안료와 같은 첨가제가 본 발명에 따른 반응 수지 혼합물에 첨가될 수 있다. 첨가제는 경화되지 않은 혼합물의 특성 또는 성형 재료의 특성을 변화시킬 수 있다.
특히, 이와 관련하여 디자인적인 이유로 인해 광-차단 영역이 존재하고 그리고/또는 완전한 경화를 위해 수지 내로의 UV 방사선의 관통 깊이가 너무 낮다면, 전자 부품 및 조립체를 피복 및 접착시키기 위해 본 발명에 따르는 방법이 적합하다. 바람직한 응용 분야는 전자 조립체(광-차단 영역을 가짐)의 쉬트형 피복, 특히 인쇄 회로판 조립체의 래커링, 및 또한 초소형 전자 부품, 특히 캡슐화되지 않고 접착된 IC의 국소적 커버링이며 ; 국소적 커버링의 경우에는 염료 또는 안료를 함유하고 높은 비율의 무기 충전제를 갖는 반응 수지 혼합물이 사용된다.
광-도달 영역은 본 발명에 따른 방법에 따라 UV 광을 조사함으로써 경화된다. 이와 관련하여, 원칙적으로 크세논, 텅스텐, 수은 및 금속 할로겐화물 개시제와 같은 모든 통상적인 UV 공급원, 및 매우 다양한 UV 레이저, 예를 들어 엑시머 및 Nd/YAG 레이저가 방사선 조사원으로서 사용될 수 있다. 이러한 경우에는 라디에이터의 UV 방출이 연속적이거나 펄스화될 수 있다.
광-차단 영역에서의 열 경화는 UV 방사선을 조사함과 동시에, 직후에 또는 차후에 분리된 열적 방법으로 수행될 수 있다. 전술한 바와 같이, 이러한 방법은 80 내지 200℃, 바람직하게는 80 내지 150℃에서 수행된다. 열경화를 위해 필요한 열은 적외선 복사, 적외선 레이저 또는 가열된 순환공기에 의해 공급될 수 있다. 그러나, 예를 들어 수은 라디에이터 및 크세논 라디에이터에 대한 경우에서와 같이, UV 라디에이터에 의해 방출된 IR 방사선 성분을 이용하거나 편리하게는 뜨거운 라디에이터 벽으로부터 전달된 열을 이용할 수도 있다. 또한, 기판을 통한 또는 부품을 통한 열전도에 의해 필요한 열을 공급할 수 있다.
본 발명은 하기의 예시적 실시예와 관련하여 더욱 상세하게 설명될 것이다.
실시예 1 내지 7
실시예 1 내지 7은 분배 방법에 의한 도포에 적합한 에폭시 수지 혼합물을 기술한다. 실시예 2, 3, 6 및 7에 기술된 혼합물은 검댕을 포함하고, 따라서, 검댕을 포함하지 않는 실시예 1, 4 및 5에 따르는 혼합물과 대조적으로 더 깊은 층에서 UV 경화가 이루어지기 어렵다.
사용되는 혼합물의 조성물은 표 1에 기재되어 있다. 이 경우에 각각의 성분들은 중량부로 명시되고 ; 헥사플루오로안티몬산 아릴술포늄은 탄산프로필렌 중의 용액(시판용 제품)으로서 존재한다. 감압(20mbar)하에 그리고 UV 광을 차단하여 실온에서 0.5시간 동안 혼합물을 균일화시킨다.
[표 1]
모든 경우에, 혼합물을 직경 25mm의 원통형 리세스를 갖는 테플론 모울드에 부가하고, 수은 매질-압력 램프(약 100mW/㎠)에 의한 UV 조사에 의해 경화시킨다. 그 다음, 10분 내에 150℃에서 열경화를 수행한다.
본 발명에 관련된 결과를 표 2에 요약하였다.
[표 2]
검댕-함유 혼합물은 단지 얇은 층에서 순수 UV 조사에 의해 경화될 수 있음을 발견하였다. 보다 더 깊은 층에서는 UV 경화 후에 여전히 액체인 영역을 본 발명에 따라, 단지 벤질티올라늄염의 존재(실시예 3 및 7)하에 열경화시킬 수 있다. 이러한 경우에, 완전한 성형체는 150℃에서 10분의 경화 후에 150℃ 이상의 유리 전이 온도(Tg)에 도달한다.(3K/min의 가열 속도 및 1Hz의 주파수에 의한 동력학적 분석에서의 손실율이 최대임). 벤질티올라늄염의 부재하에서는 보다 더 깊은 영역은 액체상 유지한다(실시예 2 및 6).
상기 결과는 비충전된 혼합물(실시예 1 내지 4)에 의해 얻어지고, 또한 용융 석영 분말을 함유하는 혼합물(실시예 5 내지 7)에 의해 얻어진 것이다. 모든 혼합물에 의해 필요한 저장 안정성이 달성된다. 인쇄 회로 기판 및 하이브리드 회로상의 캡슐화되지 않고 접착된 IC는, 예를 들어 실시예 5 내지 7의 혼합물을 사용하는 분배-도포된 드롭으로 국소적으로 커버링될 수 있다. 특히, 활성 레이저 트리밍이 수행되는 하이브리드 회로에 대해서는 검댕 첨가가 필요하며(실시예 2, 3, 6 및 7), 즉, 단지 본 발명에 따르는 방법이 사용되는 경우에만 완전한 경화가 가능하다.
실시예 8 내지 11
실시예 8 내지 11에서는 침지 도포에 적합한 에폭시 수지 혼합물을 기술한다. 사용되는 혼합물의 조성물은 표 3에 명기하였다. 표 3에는 각각의 성분을 중량부로 명시하였고 ; 헥사플루오로안티몬산 아릴술포늄은 탄산프로필렌 중의 용액(시판용 제품)으로서 존재한다. 감압(10mbar)하에 그리고 UV 광을 차단하여 실온에서 0.5시간 동안 혼합물을 균일화시킨다.
[표 3]
표 4는 본 발명에 관련하여 중요한 혼합물 9 내지 11의 특성을 요약한 것이다. 실시예 8에 따르는 혼합물의 경우에는, 초기 점도가 2배가 되는 시간은 2개월이다.
[표 4]
표 4로부터 UV 조사에 의한 그리고 열을 공급함에 의한 경화를 위해 2개의 개시제가 모두 필요함을 결론지을 수 있다. 실시예 9는 실시예 11과 비교할 경우, 헥사플루오로안티몬산 아릴술포늄이 실제로 열(130℃)이 공급될 때 겔화 시간에 영향을 주지 않음을 보여준다. 한편으로는, 실시예 9 및 10으로부터 헥사플루오로안티몬산 아릴술포늄이 UV 조사에 의해 겔화 시간에 영향을 주지 않음을 결론지을 수 있다(층두께 : 0.5㎜ ; 금속 할로겐화물 라디에이터; UVA 분말 밀도 ; 25mW/㎠). 또한, 2개의 개시제가 동시에 존재한다면 혼합물의 필요한 저장 안정성이 보장된다(실시예 9). 실시예 8과 비교하여, 실시예 9는 또한 메타크릴레이트의 첨가가 저장 안정성을 2개월로부터 6개월 이상으로 증가시킨다는 것을 보여준다.
인쇄 회로 기판 조립체를 혼합물 9로 래커링시킬 수 있다. 이를 위해 인쇄 회로 기판 조립체를 저점도 수지에 침지시키고 이 수지로부터 꺼낸다. 짧은 배출 시간 후에 래커를 광-도달점에서 UV 조사에 의해 경화시키고, 광-차단 영역에서는 125℃에서 열경화시킨다.

Claims (11)

  1. - 양이온적으로 경화 가능한, 용매를 함유하지 않는 에폭시 수지, - 에폭시 수지의 중량을 기준으로 하여 음이온으로서 헥사플루오로포스페이트, 헥사플루오로아르세네이트 또는 헥사플루오로안티몬에이트를 갖는 트리아릴술포늄염 0.01 내지 5 중량%, 및 - 에폭시 수지의 중량을 기준으로 하여 음이온으로서 헥사 플루오로포스페이트, 헥사플루오로아르세네이트 또는 헥사플루오로안티몬에이트를 갖는 벤질 티올라늄염 0.01 내지 5 중량%를 함유하는 반응 수지 혼합물을 사용하고, 반응 수지 혼합물을 UV 방사선 및 열에 의해 경화시킴을 특징으로 하여, 저장-안정성 반응 수지 혼합물로 전자 부품 및 조립체를 피복 또는 접착시키는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 열 경화가 80 내지 200℃의 온도에서 수행됨을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항 또는 2항에 있어서, 비스페놀 A, 비스페놀 F 또는 노볼락을 기본으로 하는 글리시딜 에테르, 선형 지방족 에폭시 수지 및 지환족 에폭시 수지가 양이온적으로 경화 가능한 에폭시 수지로서 사용됨을 특징으로 하는 방법.
  4. 제1항 또는 2항에 있어서, 폴리옥시알칼렌폴리올, 폴리알킬렌폴리올 또는 지환족 히드록실 화합물 또는 이들의 비닐 에테르로 구성된 군으로부터 선택된 히드록실기를 함유하는 유기 화합물이 에폭시 수지에 첨가됨을 특징으로 하는 방법.
  5. 제1항 또는 2항에 있어서, 하기의 구조를 갖는 화합물이 트리아릴술포늄염으로서 사용됨을 특징으로 하는 방법 :
    상기식에서,
    X는 PF, AsF또는 SbF이다.
  6. 제1항 또는 2항에 있어서, 하기 구조를 갖는 화합물이 벤질티올라늄염으로서 사용됨을 특징으로 하는 방법 :
    상기식에서,
    R¹은 수소, 알킬, 아릴, 알콕시, 티오에테르, 할로겐, CN 또는 NO2이고 ;
    R²는 수소, 알킬 또는 아릴이고 ;
    R³는 수소, 알킬 또는 아릴이거나, 티올란 고리는 방향족 계의 한 성분이며 ;
    X는 PF, AsF또는 SbF이다.
  7. 제1항 또는 2항에 있어서, 3차 아민이 에폭시 수지의 중량을 기준으로 하여 0.001 내지 1 중량%의 양으로 반응 수지 혼합물에 첨가됨을 특징으로 하는 방법.
  8. 제1항 또는 2항에 있어서, (메트)아크릴레이트가 에폭시 수지의 중량을 기준으로 하여1 내지 30 중량%의 양으로 반응 수지 혼합물에 첨가됨을 특징으로 하는 방법.
  9. 전자 조립체의 쉬트형 피복 및 인쇄 회로판 조립체의 래커칠을 위해 제1 내지 8항 중 어느 한 항에 따른 방법을 사용하는 방법.
  10. 염료 또는 안료를 포함하며 높은 비율의 무기 충전제를 갖는 반응 수지 혼합물을 사용하는 초소형 전자 부품의 국소적 커버링을 위해 제1 내지 8항 중 어느 한 항에 따른 방법을 사용하는 방법.
  11. 제1항에 있어서, 반응 수지 혼합물이 무기 또는 유기 충전제, 틱소트로픽 부여제, 탈기제, 습윤제, 접착 촉진제, 염료 및 안료로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 성분을 함유함을 특징으로 하는 방법.
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