KR0167392B1

KR0167392B1 - A film-type inductor and method for preparing the same

Info

Publication number: KR0167392B1
Application number: KR1019950028920A
Authority: KR
Inventors: 오태희; 송병무; 이충국
Original assignee: 우덕창; 쌍용양회공업주식회사
Priority date: 1995-09-05
Filing date: 1995-09-05
Publication date: 1999-01-15
Also published as: KR970017724A

Abstract

본 발명의 박막형 인덕터는 스파이럴 형태의 도체 패턴층을 형성할 때 중심에 있는 스파이럴 패턴의 한쪽 끝을 외부 전극과 연결시키기 위한 인출선을 형성하는 것을 특징으로 하며, 기존의 인출선은 도체 패턴층과 같은 평면 쪽에 위치하여 제조 방법이 까다롭고 정전용량으로 인하여 고주파사용에 한계가 있으나, 본 발명에서는 인출선의 제작을 기판을 관통하여 기판 하부면에 형성시킴으로 인해 제조 공정이 간단하고 도체 패턴_절연물_인출선에서 오는 정전 용량을 무시할 수 있기 때문에 인덕터의 주파수 사용 한계를 높일 수 있다.The thin film inductor of the present invention is characterized by forming a leader line for connecting one end of a spiral pattern at the center to an external electrode when forming a spiral pattern conductor pattern layer. It is located on the same plane and the manufacturing method is difficult and there is a limit to the use of high frequency due to the capacitance. However, in the present invention, the manufacturing process is simple and the conductor pattern_insulation_drawing is performed by forming the lead wire through the substrate to form the lower surface of the substrate. The capacitance from the line can be ignored, which increases the frequency usage limit of the inductor.

Description

Thin film inductor and manufacturing method thereof

제1(a)도는 코일의 기본 형상이 스파이럴 형태인 종래의 박막형 인덕터의 평면도이다.1 (a) is a plan view of a conventional thin film inductor in which the basic shape of the coil is spiral.

제1(b)도는 제1(a)도의 중심부분의 단면도이다.FIG. 1 (b) is sectional drawing of the center part of FIG. 1 (a).

제2도는 본 발명에 따라 제조된 박막형 인덕터의 사시도이다2 is a perspective view of a thin film inductor manufactured according to the present invention.

제3도는 제2도의 본 발명에 따른 박막형 인덕터를 제조하기 위한 공정도이다.3 is a process chart for manufacturing a thin film inductor according to the present invention of FIG.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

20 : 박막형 인덕터 21,31 : 절연기판20: thin film type inductor 21,31: insulated substrate

22,33 : 도체층 24 : 절연필름22,33: conductor layer 24: insulating film

22a : 스파이럴 연결부의 끝부분 22b : 스파이럴 연결부22a: end of spiral connection 22b: spiral connection

23a,23b,34,34',38,38' : 외부전극 25,37 : 연결 도선(인출선)23a, 23b, 34, 34 ', 38, 38': external electrode 25, 37: connecting lead (leader line)

26 : 연결 전극의 선단부 32 : 상부면26: distal end of the connecting electrode 32: the upper surface

35 : 연결 구멍 36 : 하부면35: connection hole 36: lower surface

본 발명은 박막형 인덕터 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 특히, 도체 패턴의 한쪽 끝을 외부 전극과 연결시키기 위한 인출선을 도체 패턴이 형성된 면과 반대면에 형성시킴으로써 제조 공정이 간단하고 신뢰도를 높인 고주파에서 사용하기에 용이한 박막형 인덕터 및 그의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a thin film inductor and a method of manufacturing the same. In particular, by forming a lead line for connecting one end of the conductor pattern with the external electrode on the surface opposite to the surface on which the conductor pattern is formed, the thin film type inductor which is easy to use at high frequency with a simple manufacturing process and high reliability, and its manufacturing method It is about.

첨부 도면 제1(a)도와 제1(b)도는 종래의 고주파용 박막형 인덕터를 나타낸 것으로서, 제1(a)도는 평면도이고, 제1(b)도는 제1(a)도의 연결도선이 있는 부위를 자른 단면의 형상을 보여주고 있다.1 (a) and 1 (b) show a conventional high frequency thin film inductor, where FIG. 1 (a) is a plan view and FIG. 1 (b) is a portion where the connection line of FIG. 1 (a) is located. It shows the shape of the cut section.

제1도에서 고주파용 박막형 인덕터(20)는 절연 기판(21)과 해당 절연 기관(21)위에 형성된 도체층(22)을 포함하고 있다. 상기 도체층(22)은 외부 전극(22a,23b)과 기판 중앙부에 있는 스파이럴 연결부(22b)를 포함하고 있다.In FIG. 1, the high frequency thin film inductor 20 includes an insulating substrate 21 and a conductor layer 22 formed on the insulating engine 21. The conductor layer 22 includes external electrodes 22a and 23b and a spiral connection 22b at the center of the substrate.

상기 스파이럴 연결부의 한쪽 끝부분(22a)은 외부 전극(23a)과 연결되어 있고, 스파이럴 연결부(22b)는 연결 전결의 선단부(26)와 연결되어 있다. 상기 도체층(22)은 절연 필름(24)에 의해 보호되고 있으며, 상기 절연 필름(24)에 의해 형성된 연결 전극의 선단부(26)의 한쪽 끝은 스파이럴 연결부(22b)와 연결되어 있고 다른 한쪽 끝부분은 외부 전극(23b)에 연결되어 있다.One end portion 22a of the spiral connection portion is connected to the external electrode 23a, and the spiral connection portion 22b is connected to the tip portion 26 of the connection connection. The conductor layer 22 is protected by the insulating film 24, one end of the tip portion 26 of the connecting electrode formed by the insulating film 24 is connected to the spiral connecting portion 22b and the other end The part is connected to the external electrode 23b.

제1도(a)도에서 볼수 있는 바와 같이 스파이럴 연결부(22b)를 외부 전극(23b)에 연결시키기 위해서는 상기한 바와 같이 절연 필름(24)를 만들어 단락을 막아야 한다.As shown in FIG. 1A, in order to connect the spiral connecting portion 22b to the external electrode 23b, the insulating film 24 should be made as described above to prevent a short circuit.

위와 같이 구조를 갖는 종래의 고주파용 박막형 인덕터(20)는 다음과 같은 공정에 의해서 제조된다.The conventional high frequency thin film inductor 20 having the structure as described above is manufactured by the following process.

즉, 절연기판(21)에 스퍼터링 또는 증착 등에 의해 금속 박막을 입힌 다음, 상기 금속 박막을 포토 에칭하여 도체층(22)과 외부 전극(23a,23b)을 만든다. 스파이럴 형태로 만들어진 도체층(22)과 외부 전극(23a,23b)을 포함하는 절연기판(21)에 폴리이미드의 절연필름(24)을 도포한다.That is, a metal thin film is coated on the insulating substrate 21 by sputtering or vapor deposition, and then the metal thin film is photoetched to form the conductor layer 22 and the external electrodes 23a and 23b. An insulating film 24 of polyimide is coated on the insulating substrate 21 including the conductor layer 22 and the external electrodes 23a and 23b formed in a spiral shape.

상기 절연 필름(24)의 중앙 부분은 스파이럴 연결부(22b)와 연결 도선(25)의 선단부(26)과의 연결을 위해서 천공되고, 외부 전극(23a,23b)을 위해서 양 끝부분이 제거되게 된다. 이 절연 필름(24)위에 금속 박막을 코팅시킨 후 포토 에칭하여 연결도선(25)와 선단부(26)을 형성한다.The central portion of the insulating film 24 is perforated for connection between the spiral connection portion 22b and the tip portion 26 of the connection lead 25, and both ends are removed for the external electrodes 23a and 23b. . A metal thin film is coated on the insulating film 24 and then photoetched to form the connecting lead 25 and the tip portion 26.

상기 기술은 도체층의 패턴 형성후 절연층을 도포 및 에칭하는 등 그 공정이 복잡할 뿐 아니라 제1(a)도에 나타낸 바와 같이 스파이럴 형태의 도체 패턴과 그를 가로 질러 있는 연결 도선과의 정전 용량에 의한 영향이 커져서 공진 주파수가 낮아지는 결과를 초래하게 된다. 즉 고주파 사용에의 한계가 나타나게 되는 것이다. 위와 같은 정전용량의 증가를 막기 위해서는 도체 패턴의 폭을 좁히거나 도체패턴과 연결 도선의 거리를 멀리해야 하는 등의 방법을 모색해야 하나, 폭을 좁히고 두께를 두껍게 하는 것은 금속 에칭시 수직으로 설계한 형태대로 하는 것이 어렵고, 고단차로 인하여 연결부위의 신뢰성의 저하 등이 생기게 된다. 또, 위에 예시한 방법을 사용해도 같은 평면상에서는 공정이 복잡해지며 정전용량을 줄이는 것에도 한계가 있다.The above technique is not only complicated in the process of coating and etching the insulating layer after pattern formation of the conductor layer, but also the capacitance between the spiral-shaped conductor pattern and the connecting conductor across it as shown in FIG. 1 (a). This effect is increased, resulting in a lower resonance frequency. That is, the limit to the use of high frequency appears. In order to prevent the above increase of capacitance, it is necessary to seek a method of narrowing the width of the conductor pattern or keeping the distance between the conductor pattern and the connecting wire, but narrowing the width and increasing the thickness are designed vertically during metal etching. It is difficult to form, and the high step causes the deterioration of the reliability of the connection part. In addition, even if the above-described method is used, the process becomes complicated on the same plane and there is a limit in reducing the capacitance.

따라서, 본 발명은 박막형 인덕터에서 제조 공정 시 절연층을 도포 및 식각하는 공정을 없애고 연결 도선(인출선)을 도체 패턴층이 없는 기판 후면으로 인출함으로써 제조 공정의 단순화 및 신뢰도를 높인 고주파용 박막형 인덕터 및 그의 제조방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.Therefore, the present invention eliminates the process of coating and etching the insulating layer in the thin film inductor and draws the connecting lead (lead line) to the back of the substrate without the conductor pattern layer, thereby simplifying the manufacturing process and increasing reliability. And its production method.

이하 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

본 발명의 박멱형 인덕터는 절연 기판에 도체 패턴을 형성시켜 고주파에서 사용되는 박막형 인덕터로서, 상기 절연 기판의 한면에 스파이럴 형태로 형성된 도체 패턴층의 한쪽 단자가 동일 면 상의 외부 전극과 연결되어 있고, 상기 도체 패턴층의 다른쪽 단자는 상기 절연 기판의 중아부에서 해당 절연 기판을 관통하는 연결 구멍을 통해서 해당 절연 기판의 반대면에 형성된 인출선에 의해 외부 전극과 연결되어 있는 것을 특징으로 한다.The thin inductor of the present invention is a thin film inductor used at high frequency by forming a conductor pattern on an insulating substrate, and one terminal of the conductor pattern layer formed in a spiral shape on one surface of the insulating substrate is connected to an external electrode on the same surface. The other terminal of the conductor pattern layer is connected to the external electrode by a lead wire formed on the opposite surface of the insulating substrate through a connection hole passing through the insulating substrate in the middle portion of the insulating substrate.

본 발명에 따른 박막형 인덕터는 도체_절연층_인출선에서 발생하는 인덕터의 정전 용량을 최소화시켜 고주파에서 사용이 가능하다.The thin film type inductor according to the present invention can be used at high frequency by minimizing the capacitance of the inductor generated in the conductor_insulation layer_lead line.

또한, 본 발명의 박막형 인덕터를 제조하는 방법으로는, 절연 기판의 한면에서 그 반대면으로 관통하는 연결 구멍을 중앙 부위에 형성하는 단계; 상기 절연기판의 양쪽면 가장자리에 외부 전극을 각각 형성하는 단계; 및 상기 절연기판의 반대면에 각각 상기 연결 구멍과 상기 외부 전극을 연결하는 인출선과 스파이럴 형태의 도체 패턴층을 형성하는 단계로 이루어진다.In addition, a method of manufacturing a thin film inductor of the present invention includes the steps of forming a connection hole penetrating from one side of the insulating substrate to the opposite side in the center portion; Forming external electrodes on edges of both surfaces of the insulating substrate, respectively; And forming a lead wire and a spiral pattern conductor pattern connecting the connection hole and the external electrode to opposite surfaces of the insulating substrate, respectively.

이와 같은 본 발명을 첨부한 도면에 의거하여 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.When described in more detail based on the accompanying drawings of the present invention as follows.

본 발명의 고주파용 박막형 인덕터는 제조 공정 시 절연층을 도포 및 식각하는 공정을 없애고 연결도선(인출선)을 도체 패턴층이 형성되어 있는 명의 반대면에 형성함으로써 제조 공정이 단순하고, 신뢰도도 높은 특징을 가지고 있다.The high frequency thin film inductor of the present invention eliminates the process of coating and etching the insulating layer during the manufacturing process and forms a connecting lead (leader line) on the opposite side of the plate where the conductor pattern layer is formed, thereby simplifying the manufacturing process and providing high reliability. Has characteristics.

본 발명에 따른 고주파용 박막형 인덕터는 첨부 도면 제2도에 예시한 바와 같은바, 세라믹 절연 기판(31)의상부면(32)에 스파이럴 형태로 형성된 도체 패턴층(33)의 한쪽 단자가 동일면 상의 외부 전극(34)과 연결되어 있고, 상기 도체 패턴층(33)의 다른쪽 단자는 상기 세라믹 절연 기판(31)의 중앙부에서 해당 세라믹 절연 기판(31)을 관통하는 연결 구멍(35)을 통해서 해당 절연 기판의 하부면(36)에 형성된 인출선(37)에 의해 외부 전극(38)과 연결되어 있다.In the high frequency thin film inductor according to the present invention, as illustrated in FIG. 2, one terminal of the conductive pattern layer 33 formed in the spiral shape on the upper surface 32 of the ceramic insulating substrate 31 has an outer surface on the same surface. The other terminal of the conductive pattern layer 33 is connected to the electrode 34 and is insulated through a connection hole 35 passing through the ceramic insulating substrate 31 at the center of the ceramic insulating substrate 31. It is connected to the external electrode 38 by a leader line 37 formed on the lower surface 36 of the substrate.

위와 같은 고주파용 박막형 인덕터는 아래와 같은 방법에 의해 제조되어질 수 있다. 먼저, 제3(a)도에 예시한 바와 같이 세라믹 절연 기판(31)의 중압부에 일정 크기 이상의 연결 구멍(35)이 형성되어 있는 것을 사용하거나, 아니면 상기 연결 구멍(35)을 임의로 만들은 세라믹 절연 기판(31)을 사용한다.The high frequency thin film inductor as described above may be manufactured by the following method. First, as illustrated in FIG. 3 (a), a connection hole 35 having a predetermined size or more is formed in the middle pressure portion of the ceramic insulating substrate 31, or the connection hole 35 is arbitrarily made. A ceramic insulating substrate 31 is used.

상기 연결 구멍(35)의 크기는 최소한 나중에 형성시키는 도체 패턴층(33)의 폭 보다는 넓게 만들어야 한다. 상기 연결 구멍(35)의 크기가 상기 도체 패턴층(33)의 폭 보다 작을 경우에는 연결의 신뢰도가 떨어짐은 몰론이고 인덕터스 소자의 직류 저항이 커지게 되어 열잡음이 생기는 등의 영향을 받게 된다.The connection hole 35 should be made at least wider than the width of the conductor pattern layer 33 formed later. When the size of the connection hole 35 is smaller than the width of the conductor pattern layer 33, the reliability of the connection is reduced, and the DC resistance of the inductance element is increased, resulting in thermal noise.

다음에 제3(b)도에서와 같이 상기 세라믹 절연 기판(31)의 양쪽 끝부분에 각각 외부 전극(34,34')을 각각 형성한다. 상기 외부 전극(34,34')을 형성하는 방법으로는 프러터링, 진공 증착, 이온 도금 등의 건식 코팅을 하여 에칭하거나, 도금 등을 이용하는 방법이 있다. 그러나, 상기 외부 전극(34,34')과 상기 연결 구멍(35)을 동시에 형성하기 위해서는 마스크를 이용한 스크린 인쇄법이 더욱 효과적일 수 있다. 이때 사용하는 물질로는 구리, 은, 니켈, 크롬, 금 알루미늄. 티타늄 또는 이들을 포함한 복합 물질들 중에서 선택하여 사용할 수 있다.Next, as shown in FIG. 3 (b), external electrodes 34 and 34 'are formed on both ends of the ceramic insulating substrate 31, respectively. The external electrodes 34 and 34 'may be formed by etching by dry coating such as puttering, vacuum deposition, or ion plating, or by using plating. However, in order to simultaneously form the external electrodes 34 and 34 ′ and the connection hole 35, a screen printing method using a mask may be more effective. The material used at this time is copper, silver, nickel, chromium, gold aluminum. Titanium or composite materials including them may be selected and used.

상기한 바와 같은 세라믹 절연 기판(31)의 상부면[도체 패턴층(33)이 있는 면]에서의 외부 전극(34,34')형성 및 연결 구멍(35)의 처리가 끝나게 되면 상기 세라믹 절연 기판(31)을 뒤집어서 제3(c)도에서와 같이 아래쪽에 보이는 하부면(36)에 외부 전극(38,38')을 각각 형성하고, 연결 구멍(35)과 상기 외부 전극(38,38')을 이어주기 위하여 인출선(37)을 형성한다.When the external electrodes 34 and 34 'are formed on the upper surface of the ceramic insulating substrate 31 (the surface with the conductive pattern layer 33) and the processing of the connection hole 35 is completed, the ceramic insulating substrate 31 is finished. (31) is reversed to form external electrodes (38, 38 ') on the lower surface (36) shown below as shown in FIG. 3 (c), respectively, and a connection hole (35) and the external electrodes (38,38'). ), The leader line 37 is formed.

상기 세라믹 절연 기판(31)의 하부면에 형성하는 인출선(37) 및 외부 전극(38,38')의 재료 및 이의 형성 방법은 상부면의 그것과 같은 재료와 방법을 사용한다. 이때도 역시 스크린 인쇄를 이용하면 더욱 효과적이며 세라믹 절연 기판(31)을 관통하는 연결구멍(35)의 효과적인 채움을 위하여 하부면에서 외부 전극(38,38')을 형성할 때 상기 연결 구멍(35)을 채우게 되면 특별한 공정의 삽입이 필요 없이 전류의 흐름에 신뢰성이 높아지는 장점이 있다. 또, 상기한 인출선(37)도 역시 그 폭을 나중에 형성하게 되는 도체 패턴층(330보다 넓으면 저항이 감소하여 우수한 인덕터를 얻을 수 있게 된다.The material of the leader line 37 and the external electrodes 38 and 38 'formed on the lower surface of the ceramic insulating substrate 31 and the method of forming the same use the same materials and methods as those of the upper surface. Again, screen printing is more effective, and the connection hole 35 is formed when the external electrodes 38 and 38 'are formed on the lower surface for the effective filling of the connection hole 35 penetrating the ceramic insulating substrate 31. ) Has the advantage of increasing the reliability of the current flow without the need for special process insertion. In addition, when the lead wire 37 is also wider than the conductor pattern layer 330, which is to be formed later, the resistance decreases, thereby obtaining an excellent inductor.

한편, 도체 패턴층(33)은 2개의 단자 전극이 필요하게 되는데, 즉, 제3(d)도 에서와 같이 세라믹 절연 기판(31)상부면의 외부 전극(34)과 연결되는 부분과 스파이럴 형태의 도체가 감겨 상기 기판(31) 중앙부로 들어오게 되면 이를 외부 전극으로 연결시키기 위한 것이 바로 그것이다. 즉, 제3(d)에서 상기 연결 구멍(35)을 지칭하는 것이며 전류는 기판을 관통하여 하면의 연결 구멍(35)에 닿게 되고 인출선(37)를 따라 흐른 후에 최종적으로는 또 다른 외부 전극(38)을 통해 외부회로와 연결되게 되는 것이다.On the other hand, the conductor pattern layer 33 requires two terminal electrodes, that is, a portion connected to the external electrode 34 on the upper surface of the ceramic insulating substrate 31 as shown in FIG. When the conductor is wound into the center of the substrate 31, it is for connecting it to the external electrode. That is, in the third (d) it refers to the connection hole 35 and the current passes through the substrate to reach the connection hole 35 of the lower surface and flows along the leader line 37, and finally another external electrode. It is to be connected to the external circuit through (38).

본 발명에 따른 박막형 인덕터의 장점은 아래와 같다. 연결 구멍의 제조시 외부 전극과 일괄 처리하여 한꺼번에 만들 수 있다는 것과 연결 구멍을 외부전극과 이어주는 것을 기판을 관통하여 기판 하면에서 처리 되기 때문에 도체 패턴층과 후에 외부 전극으로 연결시켜 주는 인출선과의 절연층이 따로 필요하지 않다는 것이다. 절연층을 따로 제작해야 할 경우 절연 필름을 도포함은 물론 포토에칭 등의 방법을 사용하여야 하기 때문에 공정이 복잡해지고 비용도 상승하게 된다. 또, 인출선과 도체 패턴의 필연적인 단차(높이차이)로인해 연결하는 부위가 얇아져 저항이 상승하게 되고 연결 상태의 신뢰도도 떨어지게 된다. 따라서, 본 발명에서는 절연층이 없음으로 공정이 단순해질 뿐만 아니라 연결구멍과 도체패턴층의 높이차가 생기지 않으므로 소자의 신뢰도가 높아지고 열잡음등의 문제를 제거할 수가 있다.Advantages of the thin film inductor according to the present invention are as follows. In the manufacture of connecting holes, it is possible to process them together with external electrodes to make them all at once, and connecting the connecting holes with external electrodes is processed at the bottom of the substrate through the substrate, so that the insulating layer between the conductor pattern layer and the lead wire connecting to the external electrodes later This is not necessary. If the insulation layer is to be manufactured separately, the process is complicated and costs are increased because the insulation film must be coated as well as a method such as photoetching. In addition, due to the inevitable step (height difference) between the leader line and the conductor pattern, the connection portion becomes thin, resulting in an increase in resistance and inferior connection reliability. Therefore, the present invention not only simplifies the process due to the absence of an insulating layer, but also does not cause a height difference between the connection hole and the conductor pattern layer, thereby increasing the reliability of the device and eliminating problems such as thermal noise.

또, 박막형 인덕터의 공진주파수를 결정하는 것(즉, 사용주파수의 한계를 결정하는 것)은 도체_절연층_도체로 구성되는 정전 용량에 의하게 되는데 박막형 인덕터에서 정전용량에 영향을 끼치는 것은 그 구조상 패턴과 패턴 사이, 패턴과 인출선 사이에서 발생한다. 이중 패턴과 인출선과, 그 사이에 있는 절연층에 의해 발생하는 정전 용량에 의한 영향이 차지하는 부분이 상당히 크고 결국 위의 영향이 인덕터의 사용 주파수에 한계를 가져오게 된다. 그러나, 본 발명에서는 절연층을 사용하지 않고 인출선을 기판 후면의 도체 패턴과 반대면에 제조하기 때문에 패턴_절연층_인출선 구조에서 오는 정전 용량을 무시할 수 있게 된다. 따라서, 공진 주파수는 증가하게 되어 그만큼 사용 주파수가 높은 박막형 인덕터가 되는 것이다.In addition, determining the resonant frequency of the thin film inductor (ie, determining the limit of the use frequency) is based on the capacitance composed of the conductor_insulation layer_conductor. Occurs between patterns and between patterns and leader lines. The influence of the capacitance caused by the double pattern and the lead line and the insulating layer between them is quite large, and the above effects limit the frequency of use of the inductor. However, in the present invention, since the leader line is manufactured on the opposite side of the conductor pattern on the back surface of the substrate without using the insulating layer, the capacitance from the pattern_insulation layer_leader line structure can be ignored. Therefore, the resonant frequency is increased to become a thin film type inductor with a high use frequency.

[실시예]EXAMPLE

96%의 알루미나P 세라믹 원료와 알콜 등의 용제, 가소제 및 결합제 등을 혼합한 슬러리를 만든후 테잎 캐스팅법으로 세라믹 그린 시트를 만든 후 소자가 생성될 부위를 결정하고 제3(a)와 같은 연결 구멍을 제작한다. 이러한 그린 시트는 산화물로에서 10oC/분의 승온 속도로 1500oC에서 2시간 열처리하여 세라믹 기판을 제조하였다. 이 세라믹 기판에 구리(Cu)분말이 주성분으로 이루어진 도체 페이스트를 인쇄하여 기판 상명의 외부 전극 및 연결 구멍을 형성하고 건조시켰다. 연결 구멍도 도체 페이스트로 잘 충진되어 있음을 확인할 수 있었다. 건조된 시편의 하부면에도 상부면과 같은 방법을 이용하여 외부 전극과 인출선을 도체 페이스트로 인쇄한 후 건조하였다. 건조된 시편 900oC, 질소분위기에서 열처리하였다.After making a slurry of 96% of alumina P ceramic raw material and solvent such as alcohol, plasticizer and binder, make ceramic green sheet by tape casting method and decide the part where device is to be created. Make a hole. The green sheet was heat-treated at 1500 ° C. for 2 hours at an elevated temperature rate of 10 ° C./min in an oxide furnace to prepare a ceramic substrate. A conductor paste composed mainly of copper (Cu) powder was printed on the ceramic substrate to form external electrodes and connecting holes on the substrate top and dried. It was confirmed that the connection hole was also well filled with the conductor paste. On the lower surface of the dried specimen, the external electrode and the leader line were printed with a conductor paste and dried using the same method as the upper surface. The dried specimens were heat-treated at 900 ° C. and nitrogen atmosphere.

다음은 도체 패제조하는 것으로, 도체 패턴층을 형성하기 위하여 먼저 1㎛의 구리를 스퍼터링 방법을 이용하여 상면에 구리층을 형성하고 그 위에 양성광 저항체를 코팅, 식각하는 포토 에칭법을 이용하여 두께 1㎛의 도체 패턴을 얻었다. 그러한 후 소자의 인덕턴스값을 증진시키기 위하여 상기의 도체패턴층을 전극으로 이용하여 전기 도금법으로 두께 20㎛의 두꺼운 패턴을 얻을 수 있었다. 이러한 소자는 에폭시계 수지로 코팅하여 보호하였다.Next, in order to form a conductor pattern, in order to form a conductor pattern layer, a thickness of 1 μm is formed by using a photoetching method of forming a copper layer on the upper surface by sputtering and coating and etching a positive light resistor thereon. A micrometer conductor pattern was obtained. Then, in order to increase the inductance value of the device, a thick pattern having a thickness of 20 μm was obtained by electroplating using the conductor pattern layer as an electrode. These devices were protected by coating with epoxy resin.

전체 소자의 크기를 2.0㎜ × 1.25㎜의 표면 실장용 부품의 크기로 하고 도체 패턴의 폭을 60㎛, 패턴 간의 간격을 60㎛, 도체의 두께를 20㎛으로 하였을 때 500MHZ에서 인덕턴스값은 3nH이었으며 사용주파수의 한계도 3GHZ이상이었다.The inductance value was 3 nH at 500 MHz when the total device size was 2.0 mm × 1.25 mm and the surface mounting component size was 60 µm, the width of the conductor pattern was 60 µm, and the thickness of the conductor was 20 µm. The frequency limit was over 3GHZ.

Claims

In the thin film type inductor used by forming a conductor pattern layer 33 on the insulating substrate 31 at a high frequency, one terminal of the conductor pattern layer 33 formed in a spiral shape on one surface of the insulating substrate 31 is formed on the same surface. The other terminal of the conductive pattern layer 33 is connected to an external electrode 34 and is connected to the insulating substrate through a connection hole 35 passing through the insulating substrate 31 at the center of the insulating substrate 31. Thin film inductor for high frequency, characterized in that connected to the external electrode 38 by the lead line 37 formed on the opposite side of the (31).

Forming a connection hole at a central portion thereof, penetrating from one side of the insulating substrate to the other side thereof; Forming external electrodes on both side edges of the insulating substrate; And forming a leader line and a spiral pattern conductor pattern layer connecting the connection hole and the external electrode to opposite surfaces of the insulating substrate, respectively.

The method of claim 2, wherein the external electrode is simultaneously manufactured with a connection hole, and the conductor pattern layer is selected from copper, silver, nickel, chromium, gold, titanium, aluminum, or a composite material including the same. .