JPWO2013179774A1

JPWO2013179774A1 - Ｎｔｃサーミスタ素子およびその製造方法

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Publication number: JPWO2013179774A1
Application number: JP2014518326A
Authority: JP
Inventors: 広池田; 三浦　忠将; 忠将三浦
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2012-05-28
Filing date: 2013-04-08
Publication date: 2016-01-18
Anticipated expiration: 2033-04-08
Also published as: JP5846305B2; WO2013179774A1; CN104335295A; US20150070127A1; US9373431B2; CN104335295B

Abstract

耐熱性向上のため、ＮＴＣサーミスタ素子１は、Ｍｎ、Ｎｉ、ＦｅおよびＴｉを含有するセラミック材料からなる基体２と、基体２に形成された二個一対の外部電極４ａ，４ｂと、を備える。基体２におけるＭｎのモル量をａ［ｍｏｌ％］とし、Ｎｉのモル量をｂ［ｍｏｌ％］としたとき、ａ＋ｂ＝１００、４４．９０≦ａ≦６５．２７、かつ、３４．７３≦ｂ≦５５．１０である。また、Ｆｅのモル量をｃ［ｍｏｌ％］とし、Ｔｉのモル量をｄ［ｍｏｌ％］としたとき、ａ＋ｂ＝１００に対し、２４．２２≦ｃ≦３９．５７、かつ、５．０４≦ｄ≦１０．１８である。

Description

本発明は、負の温度特性を有するＮＴＣサーミスタ素子およびその製造方法に関する。

従来、ＮＴＣサーミスタ素子としては、例えば、下記の特許文献１に記載のものがある。このＮＴＣサーミスタ素子は、大略的には、セラミック素体と、該セラミック素体に形成される外部電極とを備える。セラミック素体は、Ｍｎ，Ｎｉ及びＴｉを含む半導体セラミック材料からなり、以下の条件（１）および（２）を満たす。また、半導体セラミック材料にはＦｅが添加されていても構わない。

（１）半導体セラミック材料に含まれるＭｎのモル量をａ、及びＮｉのモル量をｂとするとき、５５／４５≦ａ／ｂ≦９０／１０であること。
（２）半導体セラミック材料におけるＭｎ及びＮｉの総モル量を１００モル部とすると、Ｔｉが０．５モル部以上２５モル部以下の範囲で含有されること。

国際公開第２００６／０８５５０７号

近年、ＮＴＣサーミスタ素子は、家電製品や民生用機器だけでなく、車載用途にも使用されている。通常、車載用デバイスには、耐熱性等の面で、民生用よりも厳しい信頼性試験が課せられる。

しかしながら、特許文献１のＮＴＣサーミスタ素子では、１５０℃で１０００時間放置という試験方法で耐熱性試験を実施した場合、抵抗値の変化やＢ定数の変化が大きく、耐熱性の面で問題点があった。

それゆえに、本発明は、耐熱性に優れたＮＴＣサーミスタ素子を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の第一局面は、ＮＴＣサーミスタ素子であって、Ｍｎ、Ｎｉ、ＦｅおよびＴｉを含有するセラミック材料からなる基体と、前記基体に形成された二個一対の外部電極と、を備える。

ここで、Ｍｎのモル量をａ［ｍｏｌ％］とし、Ｎｉのモル量ｂ［ｍｏｌ％］としたとき、ａ＋ｂ＝１００、４４．９０≦ａ≦６５．２７、かつ、３４．７３≦ｂ≦５５．１０である。また、Ｆｅのモル量をｃ［ｍｏｌ％］とし、Ｔｉのモル量ｄ［ｍｏｌ％］としたとき、ａ＋ｂ＝１００に対し、２４．２２≦ｃ≦３９．５７、かつ、５．０４≦ｄ≦１０．１８である。

また、本発明の第二局面は、ＮＴＣサーミスタ素子の製造方法であって、マンガン化合物、ニッケル化合物、鉄化合物およびチタン化合物からなるセラミック素原料から、基体を生成する第一工程と、前記第一工程で形成された基体に二個一対の外部電極を生成する第二工程と、を備える。

ここで、前記セラミック素原料におけるＭｎのモル量をａ'［ｍｏｌ％］とし、該素原料におけるＮｉのモル量ｂ'［ｍｏｌ％］としたとき、ａ'＋ｂ'＝１００、４５．００≦ａ'≦６５．４２、かつ、３４．５８≦ｂ'≦５５．００である。

また、前記セラミック素原料におけるＦｅのモル量をｃ'［ｍｏｌ％］とし、該素原料におけるＴｉのモル量ｄ'［ｍｏｌ％］としたとき、ａ'＋ｂ'＝１００に対し、２５．４８≦ｃ'≦４０．００、かつ、５．００≦ｄ'≦１０．１０である。

上記第一および第二局面によれば、耐熱性に優れたＮＴＣサーミスタ素子を提供することが可能となる。

本発明の一実施形態に係るＮＴＣサーミスタ素子の構成を示す縦断面図である。

（実施形態）
以下、図１を参照して、本発明の一実施形態に係るＮＴＣサーミスタ素子１を詳説する。

まず、図１に示すＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を定義する。Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸は、ＮＴＣサーミスタ素子１の左右方向、前後方向および上下方向を示す。

（ＮＴＣサーミスタ素子の構成）
図１には、表面実装型のＮＴＣサーミスタ素子１が例示される。このＮＴＣサーミスタ素子１は、基体２と、複数の内部電極３（図示は内部電極３ａ〜３ｄ）と、二個一対の外部電極４ａ，４ｂと、第一メッキ膜５ａ，５ｂと、第二メッキ膜６ａ，６ｂとを備える。

基体２は、本実施形態では、例えば、左右方向に長い略直方体形状を有する。この基体２は、負の温度特性を有するセラミック材料からなる。より具体的には、基体２は、Ｍｎ（マンガン）およびＮｉ（ニッケル）を主成分（基本組成）として含有し、さらに、Ｆｅ（鉄）およびＴｉ（チタン）を添加物として含有する。

各内部電極３ａ〜３ｄは、空気中で酸化しにくい貴金属合金（例えば銀パラジウム合金）からなり、基体２の内部に形成される。図１の例では、内部電極３ａ，３ｂが左側の櫛歯状電極を、内部電極３ｃ，３ｄが右側の櫛歯状電極を構成する。具体的には、内部電極３ａ，３ｂはそれぞれ、基体２の左端から右端に向けて延在し、内部電極３ｃ，３ｄはそれぞれ、基体２の右端から左端に向けて延在する。また、内部電極３ａ，３ｂ（左側の櫛歯状電極）と、内部電極３ｃ，３ｄ（右側の櫛歯状電極）は、上下方向に所定間隔を空けて噛み合っている。

外部電極４ａ，４ｂは、貴金属（例えば銀）からなる。外部電極４ａは、内部電極３ａ，３ｂと電気的に導通するように基体２の左端面上に形成され、外部電極４ｂは、内部電極３ｃ，３ｄと電気的に導通するように基体２の右端面上に形成される。

また、第一メッキ膜５ａ，５ｂは、例えばＮｉからなり、外部電極４ａ，４ｂ上に形成される。第二メッキ膜６ａ，６ｂは、例えばＳｎ（スズ）からなり、第一メッキ膜５ａ，５ｂ上に形成される。

（ＮＴＣサーミスタ素子の製法の一例）
上記ＮＴＣサーミスタ素子１の製造工程は、大略的には、内部電極３を内蔵した基体２を作製する第一工程と、該第一工程で作製された基体２に外部電極４ａ，４ｂ等を形成する第二工程とからなる。

第一工程は、より具体的には、以下の（Ａ）〜（Ｈ）の詳細な工程を含む。
（Ａ）セラミック素原料であるＭｎ₃Ｏ₄、ＮｉＯ、Ｆｅ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂が所定量秤量される。
（Ｂ）工程（Ａ）で秤量されたセラミック素原料は、ジルコニア等の粉砕媒体が内有されたボールミルに投入され、十分に湿式粉砕される。
（Ｃ）工程（Ｂ）で粉砕されたセラミック素原料は、７６０℃、２時間の条件で仮焼処理され、これによって、セラミック粉末が作製される。
（Ｄ）工程（Ｃ）で作製されたフェライト粉末には、所定量の有機バインダが加えられる。フェライト粉末および有機バインダは、湿式で混合処理され、スラリー状にされる。
（Ｅ）工程（Ｄ）で得られたスラリーはドクターブレード法等により成形加工され、これによって、セラミックグリーンシートが得られる。
（Ｆ）工程（Ｅ）で得られたセラミックグリーンシートには、銀パラジウム合金を主成分とした内部電極用ペーストで、内部電極３のパターンがスクリーン印刷される。
（Ｇ）工程（Ｆ）で、内部電極３が印刷されたセラミックグリーンシートが複数枚積層される。これによって得られた積層体の上下両面には、内部電極３が印刷されていないセラミックグリーンシートが圧着される。
（Ｈ）工程（Ｇ）で得られた積層体は、所定寸法に切断された後、ジルコニア製の匣に収容される。その後、切断された積層体に、３５０℃、２時間の条件で脱バインダ処理が行われ、その後、所定温度（例えば１１００℃〜１１７５℃）で焼成処理が行われる。これによって、内部電極３を内蔵する基体２が得られる。

次に、第二工程が行われる。この第二工程は、以下の（Ｉ）および（Ｊ）の詳細な工程を含む。
（Ｉ）工程（Ｈ）で得られた基体２の左右両端面に、銀を主成分とする外部電極用ペーストが塗布され焼き付けられる。これによって、外部電極４ａ，４ｂが形成される。
（Ｊ）工程（Ｉ）で形成された外部電極４ａ，４ｂには、電界メッキにより、Ｎｉの第一メッキ膜５ａ，５ｂが形成される。この第一メッキ膜５ａ，５ｂ上には、電界メッキにより、Ｓｎの第二メッキ膜６ａ，６ｂが形成される。

以上の工程（Ａ）〜（Ｊ）により、ＮＴＣサーミスタ素子１が完成する。

（基体の詳細な組成）
本実施形態において、ＮＴＣサーミスタ素子１の完成品の基体２におけるＭｎ、Ｎｉ、ＦｅおよびＴｉの含有量は、サーミスタ素子１の耐熱性向上のために、下記（１）および（２）に記載の数値範囲内である。

（１）基体２におけるＭｎ、Ｎｉのモル量をａ［ｍｏｌ％］、ｂ［ｍｏｌ％］（但し、ａ＋ｂ＝１００［ｍｏｌ％］）とした時、６４．４３≦ａ≦６５．２７であり、かつ、３４．７３≦ｂ≦３５．５７である。

（２）基体２におけるＦｅ、Ｔｉのモル量をｃ［ｍｏｌ％］、ｄ［ｍｏｌ％］とした時、ａ＋ｂ＝１００に対し、２４．２２≦ｃ≦２５．２５であり、９．２８≦ｄ≦１０．１８である。

本願発明者は、以下の表１に示すように１８通りのＭｎ、Ｎｉ、ＦｅおよびＴｉの含有量の組み合わせを有するセラミック素原料を用いて、１８種類（ロット番号１〜１８）のＮＴＣサーミスタ素子を作製した。ここで、表１において、ロット番号１〜１７は本実施形態に係るＮＴＣサーミスタ素子１の素原料におけるＭｎ等の含有比率である。また、ロット番号１８は、従来のＮＴＣサーミスタ素子の素原料におけるＭｎ等の含有比率である。

表１では、セラミック素原料におけるＭｎ、Ｎｉのモル量をａ'［ｍｏｌ％］、ｂ'［ｍｏｌ％］としている。また、この素原料におけるＦｅ、Ｔｉのモル量をｃ'［ｍｏｌ％］、ｄ'［ｍｏｌ％］としている。但し、ａ'＋ｂ'＝１００［ｍｏｌ％］である。また、ｃ'およびｄ'は、ａ'＋ｂ'＝１００に対するモル量である。

ロット番号１の場合、ａ'は６５．００［ｍｏｌ％］であり、ｂ'は３５．００［ｍｏｌ％］であり、ｃ'は２５．００［ｍｏｌ％］であり、ｄ'は９．６５［ｍｏｌ％］である。他のロット番号２〜１８に関しても、ロット番号１の場合と同じ要領で、ａ'、ｂ'、ｃ'、ｄ'が記載されている。

本願発明者は、さらに、ＷＤＸ（Wavelength Dispersive X-ray Spectrometer）により、各サーミスタ素子１の基体２におけるＭｎ、Ｎｉ、ＦｅおよびＴｉの含有比率を分析した。本願発明者は、さらに、各サーミスタ素子１について直流抵抗値Ｒ２５，Ｒ５０を、２５℃、５０℃の恒温液相中で測定した。また、以下の式（１）により、２５℃および５０℃間のＢ定数（Ｂ２５／５０）を算出した。

また、各ロット番号のＮＴＣサーミスタ素子１に対し、信頼性試験Ａ，Ｂを実施した。信頼性試験Ａの条件は、１２５℃で１０００時間放置であり、信頼性試験Ｂの条件は１５０℃で１０００時間放置である。本願発明者は、各信頼性試験Ａ，Ｂ実施後の抵抗変化率ΔＲ、Ｂ定数変化率ΔＢ２５／５０を算出した。ΔＲは、以下の式（２）から算出され、ΔＢ２５／５０は、以下の式（３）から算出される。

式（２）において、Ｒ２５（１０００ｈｒ）は、１２５℃または１５０℃で１０００時間放置後に、２５℃の恒温液相中で測定した直流抵抗値である。Ｒ２５（０ｈｒ）は、信頼性試験Ａ，Ｂの実施前に、２５℃の恒温液相中で測定した直流抵抗値である。

また、式（３）において、Ｂ２５/５０（１０００ｈｒ）は、１２５℃または１５０℃で１０００時間放置後に算出された、２５℃および５０℃間のＢ定数である。Ｂ２５/５０（０ｈｒ）は、信頼性試験Ａ，Ｂの実施前に算出された、２５℃および５０℃間のＢ定数である。

以上の分析・測定結果および算出値を以下の表２に示す。

表２では、ＮＴＣサーミスタ素子の完成品におけるＭｎ、Ｎｉのモル量をａ［ｍｏｌ％］、ｂ［ｍｏｌ％］としている。また、この完成品におけるＦｅ、Ｔｉのモル量をｃ［ｍｏｌ％］、ｄ［ｍｏｌ％］としている。但し、ａ＋ｂ＝１００［ｍｏｌ％］である。また、ｃおよびｄは、ａ＋ｂ＝１００に対するモル量である。

また、表２には、ロット番号ごとに、ａ〜ｄと、直流抵抗値Ｒ２５に対応する電気抵抗率ρ２５と、Ｂ２５/５０と、信頼性試験ＡでのΔＲおよびΔＢ２５／５０と、信頼性試験ＢでのΔＲおよびΔＢ２５／５０とが記載されている。

例えば、ロット番号１のＮＴＣサーミスタ素子は、表１に示す同じロット番号のセラミック素原料を用いて製作されたものである。ロット番号１の場合、ａは６４．８５［ｍｏｌ％］であり、ｂは３５．１５［ｍｏｌ％］であり、ｃは２４．７３［ｍｏｌ％］であり、ｄは９．７３［ｍｏｌ％］である。また、ρ２５は５２．０［ｋΩｃｍ］であり、Ｂ２５／５０は４０８６［Ｋ］である。信頼性試験ＡでのΔＲおよびΔＢ２５／５０は０．０４％および０．０１である。また、信頼性試験ＢでのΔＲおよびΔＢ２５／５０は０．３４％および０．０４である。

他のロット番号２〜１８に関しても、ロット番号１の場合と同じ要領で、表２には各数値が記載されている。なお、表２において、ロット番号１〜１７は本実施形態に係るＮＴＣサーミスタ素子１におけるＭｎ等の含有比率である。また、ロット番号１８は、従来のＮＴＣサーミスタ素子におけるＭｎ等の含有比率である。

表１および表２から分かるように、ロット番号１〜１７は、ロット番号１８と同様、ＮＴＣサーミスタ素子として十分実用的な電気的特性（ρ２５，Ｂ２５／５０）を有する。そうでありながら、ロット番号１〜１７について、信頼性試験Ｂの実施後のΔＲは０．３９％以下であり、ΔＢ２５／５０は０．０５％以下である。これらの値は、ロット番号１８の値と比較して格段に優れており、これらサーミスタ素子１が１５０℃という高温環境下で１０００時間もの間放置されても、電気的特性（抵抗値やＢ定数）の変化が極めて小さくなっていることが分かる。

以上説明した通り、基体２におけるＭｎ、Ｎｉ、ＦｅおよびＴｉの含有量を上記（１）および（２）に記載の数値範囲内にすると、ＮＴＣサーミスタ素子１の耐熱性を向上させることが可能となる。

また、違う観点では、セラミック素原料におけるＭｎ、Ｎｉ、ＦｅおよびＴｉの含有量を下記（３）および（４）に記載の数値範囲内にして、上記製法によりＮＴＣサーミスタ素子１を作製することで、ＮＴＣサーミスタ素子１の耐熱性を向上させることができる。

（３）セラミック素原料におけるＭｎ、Ｎｉのモル量をａ'［ｍｏｌ％］、ｂ'［ｍｏｌ％］を、６４．５８≦ａ'≦６５．４２、かつ、３４．５８≦ｂ'≦３５．４２とする。

（４）セラミック素原料におけるＦｅ、Ｔｉのモル量をｃ'［ｍｏｌ％］、ｄ'［ｍｏｌ％］を、２４．４８≦ｃ'≦２５．５２であり、９．２０≦ｄ'≦１０．１０とする。

（付記）
上記実施形態では、表面実装型のＮＴＣサーミスタ素子について説明した。しかし、ＮＴＣサーミスタ素子のプリント基板への実装方法は、表面実装型に限らず、ＢＧＡ（Ball Grid Array）型でも構わない。

また、上記実施形態では、内部電極３ａ〜３ｄが貴金属合金からなり、外部電極４ａ，４ｂは貴金属からなるとして説明した。しかし、これに限らず、内部電極３ａ〜３ｄが貴金属からなり、外部電極４ａ，４ｂが貴金属合金からなっても構わない。

また、上記実施形態では、銀からなる外部電極４ａ，４ｂとの相性を考慮して、第一メッキ膜５ａ，５ｂはＮｉメッキであり、第二メッキ膜６ａ，６ｂはＳｎメッキとした。しかし、これに限らず、第一メッキ膜５ａ，５ｂおよび第二メッキ膜６ａ，６ｂの材料は、外部電極４ａ，４ｂの材料に応じて適宜選択される。

また、上記実施形態では、セラミック素原料として、Ｍｎ₃Ｏ₄等の酸化物が使用された。しかし、これに限らず、Ｍｎ等の炭酸塩または水酸化物等が使用されても構わない。Ｎｉ、Ｆｅ、Ｔｉについても同様である。つまり、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｔｉの様々な化合物をセラミック素原料として用いることが可能である。

また、上記実施形態では、製法の一例では、ドクターブレード法により、基体２が積層構造とされた。しかし、これに限らず。内部電極３を備えず、基体２の左右両端面に外部電極４ａ，４ｂのみが形成される場合、乾式成形で基体２が形成されても構わない。

（付記）の欄に記載の各事項は、以下の変形例に係るＮＴＣサーミスタ素子でも同様に当てはまる。

（変形例）
次に、上記実施形態の変形例に係るＮＴＣサーミスタ素子について説明する。変形例に係るＮＴＣサーミスタ素子は、前述の実施形態に係るものと比較すると、基本的な構成には相違は無く、下記の表３に示すように基体の組成が相違するだけである。それゆえ、本変形例の説明では、図１を援用すると共に、変形例において、実施形態の構成に相当するものには同一符号を付け、それぞれの説明を省略する。

（基体の詳細な組成）
本変形例において、NTCサーミスタ素子１の素原料におけるＭｎ、Ｎｉ、ＦｅおよびＴｉのモル量は、耐熱性向上のために、下記（５）および（６）の記載の数値範囲内である。

（５）セラミック素原料におけるＭｎ、Ｎｉのモル量をａ'［ｍｏｌ％］、ｂ'［ｍｏｌ％］（但し、ａ'＋ｂ'＝１００［ｍｏｌ％］）を、４５．００≦ａ'≦６５．００、かつ、３５．００≦ｂ'≦５５．００とする。

（６）セラミック素原料におけるＦｅ、Ｔｉのモル量をｃ'［ｍｏｌ％］、ｄ'［ｍｏｌ％］（但し、、ｃ'およびｄ'は、ａ'＋ｂ'＝１００に対するモル量）を、２５．００≦ｃ'≦４０．００であり、５．００≦ｄ'≦９．６５とする。

また、本変形例において、上記素原料を用いたＮＴＣサーミスタ素子１の完成品の基体２におけるＭｎ、Ｎｉ、ＦｅおよびＴｉの含有量は、耐熱性向上のために、下記（７）および（８）に記載の数値範囲内である。

（７）基体２におけるＭｎ、Ｎｉのモル量をａ［ｍｏｌ％］、ｂ［ｍｏｌ％］（但し、ａ＋ｂ＝１００［ｍｏｌ％］）とした時、４４．９０≦ａ≦６４．８５であり、かつ、３５．１５≦ｂ≦５５．１０である。

（８）基体２におけるＦｅ、Ｔｉのモル量をｃ［ｍｏｌ％］、ｄ［ｍｏｌ％］とした時、ａ＋ｂ＝１００に対し、２４．７３≦ｃ≦３９．５７であり、５．０４≦ｄ≦９．７３である。

本願発明者は、上記素原料を用いたＮＴＣサーミスタ素子の完成品の耐熱性を確認すべく、以下の表３に記載の素原料を用いて、表４に記載の組成を有する１３種類（ロット番号１９〜３１）のＮＴＣサーミスタ素子を作製した。なお、表３、表４の参照の仕方は、表１、表２と同様である。

本願発明者は、ロット番号１９〜３１のそれぞれについて、上記実施形態と同様の手法で、２５℃および５０℃間のＢ定数（Ｂ２５／５０）を算出した。

また、各ロット番号１９〜３１のそれぞれに対し、上記実施形態に記載の信頼性試験Ａ，Ｂを実施して、信頼性試験Ａ，Ｂ実施後の抵抗変化率ΔＲ、Ｂ定数変化率ΔＢ２５／５０を算出した。

表４には、ロット番号ごとに、以上の算出値も記載されている。

表４から分かるように、ロット番号２１〜２３，２６，２９は、ロット番号１〜１７と同様、ＮＴＣサーミスタ素子として十分実用的な電気的特性（ρ２５，Ｂ２５／５０）を有する。さらに、ロット番号２１〜２３，２６，２９においては、信頼性試験Ｂの実施後のΔＲは０．３６％以下であり、ΔＢ２５／５０は０．０９％以下である。これらの値は、従来のＮＴＣサーミスタ素子（つまり、ロット番号１８）の値よりも低く、これらロット番号２１〜２３，２６，２９が１５０℃という高温環境下で１０００時間もの間放置されても、電気的特性の変化が極めて小さくなっていることが分かる。つまり、耐熱性に優れていることが分かる。

以上説明した通り、基体２におけるＭｎ、Ｎｉ、ＦｅおよびＴｉの含有量を上記（７）および（８）に記載の数値範囲内にすると、ＮＴＣサーミスタ素子１の耐熱性を向上させることが可能となる。

（まとめ）
上記実施形態と上記変形例とをまとめると、ＮＴＣサーミスタ素子１の素原料におけるＭｎ、Ｎｉ、ＦｅおよびＴｉのモル量を下記（９）および（１０）に記載の数値範囲内とすると、その耐熱性を向上させることができる。

（９）４５．００≦ａ’≦６５．４２であり、かつ、３４．５８≦ｂ’≦５５．００である。
（１０）２５．４８≦ｃ’≦４０．００であり、５．００≦ｄ’≦１０．１０である。

また、ＮＴＣサーミスタ素子１の完成品に関しては、基体２におけるＭｎ、Ｎｉ、ＦｅおよびＴｉの含有量を下記（１１）および（１２）に記載の数値範囲内とすると、その耐熱性を向上させることができる。

（１１）４４．９０≦ａ≦６５．２７であり、かつ、３４．７３≦ｂ≦５５．１０である。
（１２）２４．２２≦ｃ≦３９．５７であり、５．０４≦ｄ≦１０．１８である。

本発明に係るサーミスタ素子は、耐熱性に優れており、家電製品や民生用機器だけでなく、特に車載用途に好適である。

１サーミスタ素子
２基体
３内部電極
４ａ，４ｂ外部電極
５ａ，５ｂ第一メッキ膜
６ａ，６ｂ第二メッキ膜

Claims

Ｍｎ、Ｎｉ、ＦｅおよびＴｉを含有するセラミック材料からなる基体と、
前記基体に形成された二個一対の外部電極と、を備え、
Ｍｎのモル量をａ［ｍｏｌ％］とし、Ｎｉのモル量ｂ［ｍｏｌ％］としたとき、ａ＋ｂ＝１００、４４．９０≦ａ≦６５．２７、かつ、３４．７３≦ｂ≦５５．１０であり、
Ｆｅのモル量をｃ［ｍｏｌ％］とし、Ｔｉのモル量ｄ［ｍｏｌ％］としたとき、ａ＋ｂ＝１００に対し、２４．２２≦ｃ≦３９．５７、かつ、５．０４≦ｄ≦１０．１８である、ＮＴＣサーミスタ素子。
マンガン化合物、ニッケル化合物、鉄化合物およびチタン化合物からなるセラミック素原料から、基体を生成する第一工程と、
前記第一工程で形成された基体に二個一対の外部電極を生成する第二工程と、を備え、
前記セラミック素原料におけるＭｎのモル量をａ'［ｍｏｌ％］とし、該素原料におけるＮｉのモル量ｂ'［ｍｏｌ％］としたとき、ａ'＋ｂ'＝１００、４５．００≦ａ'≦６５．４２、かつ、３４．５８≦ｂ'≦５５．００であり、
前記セラミック素原料におけるＦｅのモル量をｃ'［ｍｏｌ％］とし、該素原料におけるＴｉのモル量ｄ'［ｍｏｌ％］としたとき、ａ'＋ｂ'＝１００に対し、２５．４８≦ｃ'≦４０．００、かつ、５．００≦ｄ'≦１０．１０である、ＮＴＣサーミスタ素子の製造方法。