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JPWO2013154075A1 - 微細パターンを表面に有する物品の製造方法 - Google Patents

微細パターンを表面に有する物品の製造方法 Download PDF

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Abstract

微細パターンを有する硬化樹脂層の剥離が抑えられ、かつ光硬化性樹脂組成物を塗布した際のハジキに由来する硬化樹脂層の欠陥が抑えられた、微細パターンを表面に有する物品の製造方法を提供する。(a)シランカップリング剤の溶液を基材12の表面に塗布しプライマ層14を形成する工程、(b)光硬化性樹脂組成物をプライマ層14の表面に塗布し光硬化性樹脂層18を形成する工程、(c)微細パターン20の反転パターンを表面に有するモールド30とプライマ層14との間に光硬化性樹脂層18を挟んだ状態にて光を照射し硬化樹脂層16とする工程、および(d)硬化樹脂層16からモールド30を分離して物品10を得る工程を有し、シランカップリング剤の溶液が、(メタ)アクリロイルオキシ基を有するシランカップリング剤およびエポキシ基を有するシランカップリング剤を含む。

Description

本発明は、ナノインプリントリソグラフィ法によって微細パターンを表面に有する物品を製造する方法に関する。
半導体デバイス等の製造におけるエッチング工程の際にマスクとして用いる所定のパターンを有するレジストを形成する方法として、ナノインプリントリソグラフィ法が注目されている。
ナノインプリントリソグラフィ法によってレジストを形成する方法としては、たとえば、下記の方法が知られている。
フォトレジスト(光硬化性樹脂組成物)を基材の表面に塗布し、所定のパターンの反転パターンを表面に有するモールドと基材との間にフォトレジストを挟んだ状態にて光を照射し、フォトレジストを硬化させた後、モールドを分離して、所定のパターンを有するレジスト(微細パターンを有する硬化樹脂層)を基材の表面に形成する方法。
ナノインプリントリソグラフィ法においては、モールドを分離する際にレジストが基材から剥離しないことが必要であり、そのためには基材とレジストとの密着性が重要となる。特に、レジストが薄膜(たとえば200nm以下)であったり、モールドの反転パターンが微細であったり、モールドの反転パターンが高アスペクト比であったり、モールドが大面積であったりした場合、モールドを分離する際にレジストが基材から剥離しやすくなるため、該場合には、基材とレジストとの間に高い密着性が要求される。
基材とレジストとの間の密着性を確保するために、フォトレジストを基材の表面に塗布する前に、シランカップリング剤の溶液を基材の表面に塗布し、プライマ層をあらかじめ形成することが行われる。たとえば、石英基材の表面に、エポキシ基を有するシランカップリング剤または(メタ)アクリロイルオキシ基を有するシランカップリング剤を塗布してプライマ層を形成する例(特許文献1)、シリコン基材の表面に、(メタ)アクリロイルオキシ基を有するシランカップリング剤を塗布してプライマ層を形成する例(特許文献2)がある。
日本特開2007−313880号公報 日本特開2011−222732号公報
エポキシ基を有するシランカップリング剤は、基材との密着性はよいものの、レジストとの密着性が悪く、特に、ナノインプリント用レジストとして多用されている(メタ)アクリレート型のフォトレジスト(光硬化性樹脂組成物)との密着性に劣るため、通常、レジストを形成する際のプライマ層として用いられることはあまりない。
(メタ)アクリロイルオキシ基を有するシランカップリング剤は、基材およびレジストとの密着性がよいため、レジストを形成する際のプライマ層として好適に用いられる。
しかし、(メタ)アクリロイルオキシ基を有するシランカップリング剤の希薄溶液を未洗浄のシリコン基材に塗布した場合、シランカップリング剤のハジキが発生し、プライマ層を基材の表面に均一に形成できないことが判明した。そのため、プライマ層の形成が不充分な箇所において、レジストの剥離が発生しやすい。
本発明者らの検討により、(メタ)アクリロイルオキシ基を有するシランカップリング剤の希薄溶液に、テトラアルコキシシランを含ませることによって、シランカップリング剤のハジキが抑えられることが判明した。
しかし、シランカップリング剤の希薄溶液にテトラアルコキシシランを含ませた場合、プライマ層の表面に塗布されたフォトレジストのハジキが発生し、該箇所がレジストの欠陥となる問題(基板が剥き出しとなる問題)が新たに生じた。該フォトレジストのハジキは、レジストが薄膜(たとえば200nm以下)であったり、塗布方法が、スピンコート法、ダイコート法、ディップコート法、スプレーコート、ブレードコート法、バーコート法、ロールコート法、グラビアコート法等といったフォトレジストの薄膜を10mm以上の面積において均一に塗布する塗布方法であったり、レジストが溶媒を含む溶液で、特に加熱乾燥を必要とする場合に顕著となる。
本発明は、微細パターンを有する硬化樹脂層の剥離が抑えられ、かつ光硬化性樹脂組成物を塗布した際のハジキに由来する硬化樹脂層の欠陥が抑えられた、微細パターンを表面に有する物品の製造方法を提供する。
本発明の微細パターンを表面に有する物品の製造方法は、基材と、該基材の表面に形成されたプライマ層と、該プライマ層の表面に形成された硬化樹脂層とを有し、該硬化樹脂層が微細パターンを有する物品を製造する方法であって、(a)シランカップリング剤の溶液を前記基材の表面に塗布し、前記プライマ層を形成する工程と、(b)光硬化性樹脂組成物を前記プライマ層の表面に塗布し、光硬化性樹脂層を形成する工程と、(c)前記微細パターンの反転パターンを表面に有するモールドと、前記プライマ層との間に、前記光硬化性樹脂層を挟んだ状態にて光を照射し、前記光硬化性樹脂層を硬化させて前記硬化樹脂層とする工程と、(d)前記硬化樹脂層から前記モールドを分離して前記物品を得る工程とを有し、前記シランカップリング剤の溶液として、(メタ)アクリロイルオキシ基を有するシランカップリング剤と、エポキシ基を有するシランカップリング剤とを含むものを用いることを特徴とする。
前記シランカップリング剤の溶液における(メタ)アクリロイルオキシ基を有するシランカップリング剤とエポキシ基を有するシランカップリング剤との合計量を100質量%としたとき、(メタ)アクリロイルオキシ基を有するシランカップリング剤の割合が、1〜99質量%であることが好ましい。
前記光硬化性樹脂組成物は、該組成物のうち0.05〜5質量%の含フッ素界面活性剤を含むことが好ましい。
前記光硬化性樹脂組成物は、(メタ)アクリロイルオキシ基を有する化合物を含むことが好ましい。
前記光硬化性樹脂組成物の塗布方法は、光硬化性樹脂層を10mm以上の面積において形成可能な方法であることが好ましい。
本発明の微細パターンを表面に有する物品の製造方法においては、溶媒を含む前記光硬化性樹脂組成物を前記プライマ層の表面に塗布した後、60℃以上に加熱して前記溶媒を揮発させて、前記光硬化性樹脂層を形成することが好ましい。
前記基材の材料は、シリコン、石英またはガラスであることが好ましい。
上記した数値範囲を示す「〜」とは、その前後に記載された数値を下限値および上限値として含む意味で使用され、特段の定めがない限り、以下本明細書において「〜」は、同様の意味をもって使用される。
本発明の微細パターンを表面に有する物品の製造方法によれば、微細パターンを有する硬化樹脂層の剥離が抑えられ、かつ光硬化性樹脂組成物を塗布した際のハジキに由来する硬化樹脂層の欠陥が抑えられる。
本発明の製造方法で得られる微細パターンを表面に有する物品の一例を示す断面図である。 本発明の微細パターンを表面に有する物品の製造方法の各工程を説明するための断面図である。 微細パターンを有する硬化樹脂層をレジストとしてエッチングを行い、基材の表面に微細パターンを直接形成する工程を示す断面図である。
本明細書においては、以下のように定義する。
微細パターンないし反転パターンとは、幅、長さおよび高さ(すなわち、深さ)のうち最小の寸法が1nm〜100μmである1つ以上の凸部および/または凹部からなる形状をいう。
(メタ)アクリロイルオキシ基は、アクリロイルオキシ基またはメタクリロイルオキシ基をいう。
(メタ)アクリレートは、アクリレートまたはメタクリレートをいう。
シランカップリング剤は、有機材料と反応し得る官能基(たとえば、(メタ)アクリロイルオキシ基、エポキシ基等の官能基)と、加水分解によってシラノール基を形成し得る加水分解性シリル基とを同一分子内に有する化合物をいう。
<微細パターンを表面に有する物品>
本発明の製造方法で得られる微細パターンを表面に有する物品は、基材と、該基材の表面に形成されたプライマ層と、該プライマ層の表面に形成された硬化樹脂層とを有し、該硬化樹脂層が微細パターンを有するものである。
図1は、微細パターンを表面に有する物品の一例を示す断面図である。物品10は、基材12と、基材12の表面に形成されたプライマ層14と、プライマ層14の表面に形成された硬化樹脂層16とを有する。硬化樹脂層16は、複数の凸部22と凸部22間の凹部24とからなる微細パターン20を有する。
(基材)
基材12の材料としては、シリコン(たとえば、単結晶シリコン、ポリシリコン、アモルファスシリコン等)、石英、ガラス、窒化珪素、窒化アルミニウム、シリコンカーバイド、サファイア、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、金属(たとえば、アルミニウム、ニッケル、銅等)、金属酸化物(アルミナ、酸化亜鉛、酸化マグネシウム等)、およびこれらの基材の表面に酸化物層および/または金属層(たとえば、クロム、アルミニウム、ニッケル、モリブデン、タンタル、タングステン、ITO、酸化錫、金、銀、銅、白金、チタン等を主成分とするもの)を形成したもの、ならびに各種樹脂等が挙げられる。基材12の材料としては、後述する理由から、シリコン、石英またはガラスが好ましい。
本発明において、基材12としては、薄く可とう性のあるものから、厚い板状のものまで、厚さを問わず適用が可能である。搬送、取り扱いのしやすさの観点から、基材12の厚さとしては0.05〜10mmが好ましく、0.10〜6.35mmがより好ましい。
基材12は、プライマ層14との密着性をさらに向上させる点から、表面処理されていてもよい。表面処理としては、オゾン処理、紫外線洗浄処理、プラズマ処理、コロナ処理、フレーム処理、イトロ処理(ITRO株式会社が開発したCombustion Chemical Vapor Deposition の一種の処理)、SPM(Sulfuric Acid Hydrogen Peroxide Mixture)処理等が挙げられる。
(プライマ層)
プライマ層14は、後述するシランカップリング剤の溶液を基材12の表面に塗布し、乾燥させ、さらにシランカップリング剤の加水分解性シリル基が加水分解して形成されたシラノール基を基材12の表面の官能基(水酸基等)と反応させることによって形成される層である。
(硬化樹脂層)
硬化樹脂層16は、後述する光硬化性樹脂組成物をプライマ層14の表面に塗布し、光照射によって光硬化性樹脂組成物に含まれる光硬化性化合物の一部または全部を硬化させ、かつ光硬化性化合物の一部をプライマ層14の表面のシランカップリング剤に由来する官能基((メタ)アクリロイルオキシ基等)と反応させることによって形成される層である。
(微細パターン)
硬化樹脂層16は、表面に微細パターン20を有する。微細パターン20は、後述するモールドの表面の反転パターンを転写して形成されるパターンである。
微細パターン20は、複数の凸部22と凸部22間の凹部24とからなる。凸部22としては、硬化樹脂層16の表面に延在する凸条、表面に点在する突起等が挙げられる。
凸条の形状としては、直線、曲線、折れ曲がり形状等が挙げられる。凸条は、複数が平行に存在して縞状をなしていてもよい。
凸条の、長手方向に直交する方向の断面形状としては、長方形、台形、三角形、半円形等が挙げられる。
突起の形状としては、三角柱、四角柱、六角柱、円柱、三角錐、四角錐、六角錐、円錐、半球、多面体等が挙げられる。
凸条の幅は、1nm〜100μmが好ましく、1nm〜10μmがより好ましく、10nm〜500nmが特に好ましい。凸条の幅とは、長手方向に直交する方向の断面における半値全幅を意味する。
突起の幅は、1nm〜100μmが好ましく、1nm〜10μmがより好ましく、10nm〜500nmが特に好ましい。突起の幅とは、底面が細長い場合、長手方向に直交する方向の断面における半値全幅を意味し、また突起の底面が細長くない場合、突起の高さの半分の位置の水平断面における重心を通る線の最小長さを意味する。
凸部22の高さは、1nm〜100μmが好ましく、1nm〜10μmがより好ましく、10nm〜500nmがさらに好ましい。
微細パターン20が密集している領域において、隣接する凸部22間の間隔は、1nm〜100μmが好ましく、1nm〜10μmがより好ましく、10nm〜1μmがさらに好ましい。隣接する凸部22間の間隔とは、凸部22の断面の底辺の始端から、隣接する凸部22の断面の底辺の始端までの距離を意味する。
前記各寸法は、3箇所で測定した寸法を平均したものである。
凸部22の最小寸法は、1nm〜100μmが好ましく、1nm〜10μmがより好ましく、10nm〜500nmが特に好ましい。最小寸法とは、凸部の幅、長さおよび高さのうち最小の寸法を意味する。
<微細パターンを表面に有する物品の製造方法>
本発明の微細パターンを表面に有する物品の製造方法は、下記の工程(a)〜(d)を有する方法である。
(a)図2に示すように、シランカップリング剤の溶液を基材12の表面に塗布し、プライマ層14を形成する工程。
(b)図2に示すように、工程(a)の後、光硬化性樹脂組成物をプライマ層14の表面に塗布し、光硬化性樹脂層18を形成する工程。
(c)図2に示すように、工程(b)の後、上述した微細パターン20の反転パターンを表面に有するモールド30と、プライマ層14との間に、光硬化性樹脂層18を挟んだ状態にて光を照射し、光硬化性樹脂層18を硬化させて硬化樹脂層16とする工程。
(d)図2に示すように、工程(c)の後、硬化樹脂層16からモールド30を分離して物品10を得る工程。
〔工程(a)〕
基材12の表面にシランカップリング剤の溶液を塗布し、乾燥させ、さらにシランカップリング剤の加水分解性シリル基が加水分解して形成されたシラノール基を基材12の表面の官能基(たとえば、水酸基等)と反応させることによって、プライマ層14を形成する。
(基材)
基材12としては、上述した材料のものが挙げられる。基材12の材料としては、シリコン、石英またはガラスが好ましい。基材12の材料がシリコン、石英またはガラスの場合、(メタ)アクリロイルオキシ基を有するシランカップリング剤のハジキが発生しやすい。よって、基材12の材料がシリコン、石英またはガラスの場合に本発明の製造方法を適用することによって、本発明による効果が顕著に現れやすい。
基材12およびモールド30のうち少なくとも一方は、光硬化性樹脂組成物の光重合開始剤が作用する波長の光を40%以上透過する材料とする。
(シランカップリング剤の溶液)
シランカップリング剤の溶液は、シランカップリング剤と、溶媒とを含み、必要に応じてシランカップリング剤の加水分解性シリル基の加水分解を促進する触媒、他のシラン化合物等を含んでいてもよい。
シランカップリング剤の溶液としては、(メタ)アクリロイルオキシ基を有するシランカップリング剤と、エポキシ基を有するシランカップリング剤とを含むものを用いる。
シランカップリング剤の加水分解性シリル基としては、たとえば、−Si(OCH、−SiCH(OCH、−Si(OCHCH、−SiCl、−Si(OCOCH、および−Si(NCO)からなる群から選ばれる少なくとも1種が、好ましい例として挙げられる。
(メタ)アクリロイルオキシ基を有するシランカップリング剤としては、たとえば、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリエトキシシランからなる群から選ばれる少なくとも1種が、好ましい例として挙げられる。
エポキシ基を有するシランカップリング剤としては、たとえば、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシランからなる群から選ばれる少なくとも1種が、好ましい例として挙げられる。
シランカップリング剤の溶液に(メタ)アクリロイルオキシ基を有するシランカップリング剤を含ませることによって、(メタ)アクリロイルオキシ基を有するシランカップリング剤を含ませない場合に比べて、硬化樹脂層16の剥離が抑えられる。また、シランカップリング剤の溶液に、(メタ)アクリロイルオキシ基を有するシランカップリング剤とともに、エポキシ基を有するシランカップリング剤を含ませることによって、エポキシ基を有するシランカップリング剤を含ませない場合に比べて、基材12の表面に塗布した際の(メタ)アクリロイルオキシ基を有するシランカップリング剤のハジキが抑えられる。
すなわち、エポキシ基を有するシランカップリング剤に、わずかでも(メタ)アクリロイルオキシ基を有するシランカップリング剤を加えることによって、硬化樹脂層16の剥離の抑制効果が得られる。また、(メタ)アクリロイルオキシ基を有するシランカップリング剤に、わずかでもエポキシ基を有するシランカップリング剤を加えることによって、シランカップリング剤のハジキの抑制効果が得られる。
よって、本発明の効果を少しでも発揮させるのであれば、(メタ)アクリロイルオキシ基を有するシランカップリング剤の割合は、(メタ)アクリロイルオキシ基を有するシランカップリング剤とエポキシ基を有するシランカップリング剤との合計(100質量%)のうち、1〜99質量%であればよく、1〜80質量%がより好ましい。本発明の効果を充分に発揮させるための(メタ)アクリロイルオキシ基を有するシランカップリング剤の割合の最適な範囲は、基材12、光硬化性樹脂組成物、モールド30の反転パターンの形状やサイズ、シランカップリング剤等の種類によって変わるため一概には決められないが、いずれの材料であっても本発明の効果を充分に発揮できる共通の範囲として、5〜60質量%が特に好ましい。
同様に、シランカップリング剤の溶液におけるエポキシ基を有するシランカップリング剤の割合は、(メタ)アクリロイルオキシ基を有するシランカップリング剤とエポキシ基を有するシランカップリング剤との合計(100質量%)のうち、1〜99質量%であればよく、30〜99質量%がより好ましい。本発明の効果を充分に発揮させるためのエポキシ基を有するシランカップリング剤の最適な範囲としては、40〜95質量%が特に好ましい。
また、特に基材としてガラスを使用する場合について、ガラス表面の汚染物質によるシランカップリング剤のハジキを抑制する効果の観点から、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランと2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシランの組合せを使用することが特に好ましい。
シランカップリング剤の溶液は、本発明の効果を損なわない範囲で、(メタ)アクリロイルオキシ基を有するシランカップリング剤およびエポキシ基を有するシランカップリング剤以外の、他のシランカップリング剤を含んでいてもよい。なお、本発明の効果を充分に発揮させるためには、シランカップリング剤の溶液としては、他のシランカップリング剤をできるだけ含まないものが好ましく、シランカップリング剤として(メタ)アクリロイルオキシ基を有するシランカップリング剤およびエポキシ基を有するシランカップリング剤のみを含むものがより好ましい。
シランカップリング剤の溶液における(メタ)アクリロイルオキシ基を有するシランカップリング剤と、エポキシ基を有するシランカップリング剤とのシランカップリング剤の割合は、シランカップリング剤の溶液(100質量%)のうち、0.01〜2質量%が好ましく、0.1〜1質量%がより好ましい。かかるシランカップリング剤の割合が0.01質量%以上であると、シランカップリング剤が基材12上を充分に被覆でき、密着性を向上できる。シランカップリング剤の割合が2質量%以下であると、シランカップリング剤の溶液を調製した時に、溶液中での凝集体の発生を防ぎ、溶液を安定化できる。
溶媒としては、水、アルコール類(メタノール、エタノール、2−プロパノール、n−プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、エチレングリコール等)、エーテル類(ジエチルエーテル、ジメチルエーテル、メチルエチルエーテル、テトラヒドロフラン等)、ケトン類(アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等)等が挙げられる。溶媒としては、加水分解反応の制御性、溶解性や、溶媒の沸点、人体への安全性の観点から、水、メタノール、エタノール、2−プロパノール、n−プロパノールが特に好ましい。
シランカップリング剤の溶液は、シランカップリング剤の加水分解性シリル基の加水分解を促進する触媒を含むことが好ましい。
触媒としては、酸触媒、塩基性触媒等が挙げられる。
酸触媒としては、塩酸、硝酸、酢酸、硫酸、燐酸、スルホン酸、メタンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸等が挙げられる。
塩基性触媒としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア、トリエチルアミン等が挙げられる。
触媒の割合は、シランカップリング剤の溶液(100質量%)のうち、0.005〜1質量%が好ましい。
シランカップリング剤の溶液は、本発明の効果を損なわない範囲で、シランカップリング剤以外の他のシラン化合物を含んでいてもよい。
他のシラン化合物としては、テトラアルコキシシラン(たとえば、テトラエトキシシラン等)、トリアルコキシモノアルキルシラン、ジアルコキシジアルキルシラン、モノアルコキシトリアルキルシラン等が挙げられる。なお、テトラアルコキシシランを含む場合、プライマ層14の表面に塗布された光硬化性樹脂組成物のハジキを発生させやすいため、本発明の効果を充分に発揮させるためには、シランカップリング剤の溶液としては、他のシラン化合物をできるだけ含まないものが好ましく、他のシラン化合物を含まないものがより好ましい。
(プライマ層の形成)
シランカップリング剤の溶液の塗布方法としては、スピンコート法、ダイコート法、ディップコート法、スプレーコート法、インクジェット法、ポッティング法、ロールコート法、ブレードコート法、グラビアコート法、キャスト法、バーコート法等が挙げられる。
シランカップリング剤の溶液については、塗布する直前に細口径0.1〜5μmのろ過フィルターを使用したろ過を行うことが好ましい。
基材12の表面にシランカップリング剤の溶液を塗布した後、シランカップリング剤の溶液の塗布層を乾燥させるのが好ましい。この塗布層の乾燥温度は、80〜150℃が好ましく、100〜130℃がより好ましい。乾燥温度が80℃以上であれば、乾燥時間が短くなり、また、シランカップリング剤と基材12との反応が進行しやすい。乾燥温度が150℃以下であれば、シランカップリング剤の熱分解反応を抑えることができる。乾燥時間は、30秒〜20分間が好ましく、2分〜10分間がより好ましい。
プライマ層14は、基材12表面への吸着反応により単分子層を形成し、その密着性能を発現するものである。前記塗布方法を用いた場合、実際には単分子膜以上の厚さで成膜されることが多いが、厚すぎた場合はプライマ層14内の凝集破壊による剥離が発生することがあり、またナノインプリントリソグラフィ法においてプライマ層14の存在を無視できなくなってくる等の不具合が生じるため、プライマ層14の厚さは、20nm以下が好ましく、10nm以下がより好ましい。
〔工程(b)〕
プライマ層14の表面に光硬化性樹脂組成物を塗布し、光硬化性樹脂組成物が溶媒を含む場合は乾燥させ、光硬化性樹脂層18を形成する。
(光硬化性樹脂組成物)
光硬化性樹脂組成物は、光硬化性化合物を含み、必要に応じて含フッ素界面活性剤、光重合開始剤、溶媒、他の添加剤を含む。
光硬化性化合物としては、硬化速度が速く、硬化物の透明性が高く、プライマ層14との密着性に優れる点から、(メタ)アクリロイルオキシ基を有する化合物が好ましい。
(メタ)アクリロイルオキシ基を有する化合物(以下、(メタ)アクリレート系化合物とも記す。)としては、1分子あたり(メタ)アクリロイルオキシ基を1〜15個有する化合物が好ましい。
(メタ)アクリレート系化合物は、比較的低分子の化合物(以下、アクリレート系モノマーと記す。)であってもよく、繰り返し単位を2個以上有する比較的高分子量の化合物(以下、(メタ)アクリレート系オリゴマーと記す。)であってもよい。
(メタ)アクリレート系化合物としては、(メタ)アクリレート系モノマーの1種以上からなるもの、(メタ)アクリレート系オリゴマーの1種以上からなるもの、(メタ)アクリレート系モノマーの1種以上と(メタ)アクリレート系オリゴマーの1種以上とからなるものが挙げられる。
(メタ)アクリレート系オリゴマーとしては、繰り返し単位を2個以上有する分子鎖(たとえば、ポリウレタン鎖、ポリエステル鎖、ポリエーテル鎖、ポリカーボネート鎖等)と(メタ)アクリロイルオキシ基とを有する分子構造の(メタ)アクリレート系オリゴマーが挙げられ、硬化後の膜の柔軟性や表面硬度の調整が容易であること、さらにプライマ層14との密着性に優れるという点から、ウレタン結合と2個以上の(メタ)アクリロイルオキシ基とを有するウレタン(メタ)アクリレート系オリゴマーがより好ましく、ウレタン結合と6〜15個の(メタ)アクリロイルオキシ基とを有するウレタン(メタ)アクリレート系オリゴマーがさらに好ましい。
光硬化性樹脂組成物における光硬化性化合物の割合は、光硬化性樹脂組成物のうち硬化樹脂として残る成分の量を100質量%としたときに、50〜100質量%が好ましく、60〜100質量%がより好ましい。光硬化性化合物の割合が50質量%以上であれば、硬化後に充分な強度の樹脂を得ることができる。
光硬化性樹脂組成物は、光硬化性樹脂層18の平坦性、硬化樹脂層16とモールド30との離型性の点から、含フッ素界面活性剤を含むことが好ましい。
含フッ素界面活性剤としては、フッ素含有量が10〜70質量%の含フッ素界面活性剤が好ましく、フッ素含有量が10〜40質量%の含フッ素界面活性剤がより好ましい。含フッ素界面活性剤は、水溶性であってもよく、脂溶性であってもよい。
含フッ素界面活性剤としては、アニオン性含フッ素界面活性剤、カチオン性含フッ素界面活性剤、両性含フッ素界面活性剤、またはノニオン性含フッ素界面活性剤が好ましく、光硬化性樹脂組成物における相溶性、および硬化樹脂層16における分散性の点から、ノニオン性含フッ素界面活性剤がより好ましい。
光硬化性樹脂組成物における含フッ素界面活性剤の割合は、光硬化性樹脂組成物のうち硬化樹脂として残る成分の量を100質量%としたときに、0.05〜5質量%が好ましく、0.1〜5質量%がより好ましい。含フッ素界面活性剤の割合が0.05質量%以上であれば、光硬化性樹脂層18の平坦性、硬化樹脂層16とモールド30との離型性が良好となる。含フッ素界面活性剤の割合が5質量%以下であれば、光硬化樹脂組成物の他の成分と安定的に均一混合の状態を保ちやすく、硬化後の樹脂パターン形状への影響も抑えられる。
光硬化性樹脂組成物は、光硬化性の点から、光重合開始剤を含むことが好ましい。
光重合開始剤としては、アセトフェノン系光重合開始剤、ベンゾイン系光重合開始剤、ベンゾフェノン系光重合開始剤、チオキサントン系光重合開始剤、α−アミノケトン系光重合開始剤、α−ヒドロキシケトン系光重合開始剤、α−アシルオキシムエステル、ベンジル−(o−エトキシカルボニル)−α−モノオキシム、アシルホスフィンオキシド、グリオキシエステル、3−ケトクマリン、2−エチルアンスラキノン、カンファーキノン、テトラメチルチウラムスルフィド、アゾビスイソブチロニトリル、ベンゾイルパーオキシド、ジアルキルパーオキシド、tert−ブチルパーオキシピバレート等が挙げられ、感度および相溶性の点から、アセトフェノン系光重合開始剤、ベンゾイン系光重合開始剤、α−アミノケトン系光重合開始剤またはベンゾフェノン系光重合開始剤が好ましい。
光硬化性樹脂組成物における光重合開始剤の割合は、光硬化性樹脂組成物のうち硬化樹脂として残る成分の量を100質量%としたときに、0.01〜5.0質量%が好ましく、0.1〜3.0質量%がより好ましい。光重合開始剤の割合が0.01質量%以上であれば、少ない光量で硬化を進めることができるため、光硬化のプロセスにかかる時間を短くできる。光重合開始剤の割合が5.0質量%以下であれば、光硬化性樹脂組成物の他の成分と均一に混ざりやすく、光硬化後の分子量低下による強度の低下を抑制できる。
光硬化性樹脂組成物は、溶媒を含むことが好ましい。光硬化性樹脂組成物が溶媒を含む場合、光硬化性樹脂組成物を塗布した際にハジキが発生しやすく、さらに、乾燥時の加熱によってハジキの発生が促進される。よって、光硬化性樹脂組成物が溶媒を含む場合に本発明の製造方法を適用することによって、本発明による効果が顕著に現れやすい。
溶媒としては、エステル類、ケトン類、アルコール類、環式エーテル類等が挙げられる。
光硬化性樹脂組成物中の溶媒の割合は、使用する塗工手段に応じて、乾燥後に目標とする膜厚が得られるように設計することが好ましい。溶媒で希釈することで、光硬化性樹脂組成物の粘度を低減させて薄膜塗工しやすくする効果と、塗工後に溶媒を蒸発させることで膜厚減少するために薄膜を得やすくなる効果がある。
光硬化性樹脂組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、光増感剤、重合禁止剤、樹脂、金属酸化物微粒子、炭素化合物、金属微粒子、他の有機化合物等の他の添加剤を含んでいてもよい。
(光硬化性樹脂層の形成)
光硬化性樹脂組成物の塗布方法としては、モールド30を接触させる前の時点で光硬化性樹脂層18を10mm以上の面積において均一な膜厚で形成可能な方法が好ましい。比較として、光硬化性樹脂組成物を10mm未満の液滴状に滴下してモールドで押し拡げ、薄く平らに延ばす方法がある。この方法と比較して、10mm以上の面積で実質的に均一な塗膜を作製してからモールドを押し当てる手法の方が、広い面積に転写を行う上で迅速に効率よく塗膜を作製でき、さらに硬化後に全面において膜厚の均一性が高くできるという利点がある。光硬化性樹脂層18を10mm以上の面積において形成可能な方法としては、スピンコート法、ダイコート法、ディップコート法、スプレーコート法、インクジェット法、ポッティング法、ロールコート法、ブレードコート法、グラビアコート法、キャスト法、バーコート法等が挙げられる。塗布方法がスピンコート法、ダイコート法、ディップコート法、スプレーコート法、ブレードコート法、バーコート法、ロールコート法またはグラビアコート法の場合、光硬化性樹脂組成物を塗布した際にハジキが発生しやすいため、本発明の製造方法を適用することによって、本発明による効果が顕著に現れやすい。塗布方法としては、装置コスト、膜厚制御の精度等の観点から、スピンコート法、ダイコート法、ディップコート、スプレーコート法が特に好ましい。
光硬化性樹脂組成物が溶媒を含む場合、光硬化性樹脂組成物の塗布層を乾燥することが好ましい。この塗布層の乾燥温度は、60℃以上が好ましい。乾燥温度が60℃以上であれば、溶媒の蒸発が促され、乾燥を効率よく行うことが可能である。また、乾燥温度が60℃以上の場合、光硬化性樹脂組成物の粘度が加熱により低下して流動性が高くなり、ハジキの発生が促進される。よって、乾燥温度が60℃以上の場合に本発明の製造方法を適用することによって、本発明による効果が顕著に現れやすい。乾燥温度の上限は、光硬化性樹脂組成物が熱分解するのを抑制する観点から、200℃が好ましい。乾燥時間は、30秒〜5分間が好ましい。
光硬化性樹脂層18の厚さ(ここにおいて、光硬化性樹脂組成物が溶媒を含む場合は乾燥後の厚さをいう。)Aは、200nm以下が好ましく、150nm以下がより好ましい。厚さAが200nm以下の場合、残膜の厚さを低減できるところ、光硬化性樹脂組成物を塗布した際にハジキが発生しやすく、また、モールド30を分離する際に硬化樹脂層16がプライマ層14から剥離しやすい。よって、厚さAが200nm以下の場合に本発明の製造方法を適用することによって、本発明による効果が顕著に現れやすい。
また、光硬化性樹脂層18の厚さAは、モールド30の反転パターン(すなわち、凹部)の深さB以下であり、深さBの90%以下が好ましい。厚さAが深さB以下であれば、反転パターン(凹部)に充填されない余分な光硬化性化合物が少なくなるため、残膜の厚さRを薄くでき、また、残膜の厚さRの均一性がさらに向上する。厚さAは、光硬化性樹脂層18のすべてが反転パターン(凹部)に充填され、残膜が形成されないときに、レジストパターンとして必要な高さCの微細パターン20(すなわち、凸部)を形成できるような必要最低限の厚さ(理論膜厚)以上が好ましく、微細パターン20(凸部)を面内均一に形成する点からは、理論膜厚の110%以上がより好ましい。
厚さAは、光硬化性樹脂層18の厚さを3箇所で測定し、これら厚さを平均したものである。
〔工程(c)〕
モールド30とプライマ層14との間に、光硬化性樹脂層18を挟んだ状態にて光を照射し、光硬化性樹脂層18を硬化させ、かつ光硬化性樹脂組成物の光硬化性化合物の一部をプライマ層14の表面のシランカップリング剤に由来する官能基((メタ)アクリロイルオキシ基等)と反応させることによって、硬化樹脂層16を形成する。
(モールド)
モールド30の材料としては、非透光材料または透光材料が挙げられる。
非透光材料としては、シリコン、金属(たとえば、ニッケル、銅、ステンレス、チタン等)、SiC、マイカ等が挙げられる。
透光材料としては、石英、ガラス、各種樹脂(たとえば、ポリジメチルシロキサン、環状ポリオレフィン、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、透明フッ素樹脂等)等が挙げられる。
モールド30および基材12のうち少なくとも一方は、光重合開始剤が作用する波長の光を40%以上透過する材料とする。
(反転パターン)
モールド30は、表面に反転パターンを有する。反転パターンは、得ようとする物品の表面の微細パターン20に対応した反転パターンである。
反転パターンは、複数の凹部と凹部間の凸部とからなる。凹部としては、モールドの表面に延在する溝、表面に点在する孔等が挙げられる。
溝の形状としては、直線、曲線、折れ曲がり形状等が挙げられる。溝は、複数が平行に存在して縞状をなしていてもよい。
溝の、長手方向に直交する方向の断面形状としては、長方形、台形、三角形、半円形等が挙げられる。
孔の形状としては、三角柱、四角柱、六角柱、円柱、三角錐、四角錐、六角錐、円錐、半球、多面体等が挙げられる。
溝の幅(すなわち、凹部が溝状である場合の溝の幅)は、1nm〜100μmが好ましく、1nm〜10μmがより好ましく、10nm〜500nmが特に好ましい。溝の幅とは、長手方向に直交する方向の断面における半値全幅を意味する。
孔の幅(すなわち、凹部が孔状である場合の孔の幅)は、1nm〜100μmが好ましく、1nm〜10μmがより好ましく、10nm〜500nmが特に好ましい。孔の幅とは、開口部が細長い場合、長手方向に直交する方向の断面における半値全幅を意味し、そうでない場合、孔の深さの半分の位置の水平断面における重心を通る線の最小長さを意味する。
凹部の深さBは、1nm〜100μmが好ましく、1nm〜10μmがより好ましく、10nm〜500nmがさらに好ましい。
また、凹部の深さBと溝の幅の比率(凹部の深さB/溝の幅)もしくは凹部の深さBと孔の幅(凹部の深さB/孔の幅)の値が2以上の場合、モールド30と硬化樹脂層16の密着性が高くなり、モールド30を分離する際に硬化樹脂層16がプライマ層14から剥離しやすい。よって、(凹部の深さB/溝の幅)もしくは(凹部の深さB/孔の幅)の値が2以上の場合に本発明の製造方法を適用することによって、本発明による効果が顕著に現れやすい。
反転パターンが密集している領域において、隣接する凹部間の間隔は、1nm〜100μmが好ましく、1nm〜10μmがより好ましく、10nm〜1μmがさらに好ましい。隣接する凹部間の間隔とは、凹部の断面の上辺の始端から、隣接する凹部の断面の上辺の始端までの距離を意味する。
前記各寸法は、3箇所で測定した寸法を平均したものである。
凹部の最小寸法は、1nm〜100μmが好ましく、1nm〜10μmがより好ましく、10nm〜500nmがさらに好ましい。最小寸法とは、凹部の幅、長さおよび深さのうち最小の寸法を意味する。
(硬化樹脂層の形成)
モールド30から光硬化性樹脂層18に加わる圧力は、0.05MPa以上が好ましく、0.3MPa以上がより好ましい。圧力が0.05MPa以上であれば、モールド30と光硬化性樹脂層18の接触が促進され、接触不良が低減する。モールド30から光硬化性樹脂層18に加わる圧力は、基材12やモールド30の耐久性の点から、50MPa以下が好ましい。
モールド30とプライマ層14との間への光硬化性樹脂層18の挟みこみは、大気圧下で行ってもよく、減圧下で行ってもよい。大気圧下で行う場合、減圧のための大掛かりな装置が不要となり、また、工程(c)の時間が短縮され、また、光硬化性樹脂層18に含まれる成分の揮発が抑えられる。減圧下で行なう場合、挟みこみ時の泡の噛みこみが抑えられ、孔に対して光硬化性樹脂が充填しやすいという利点がある。
光硬化性樹脂層18に照射される光としては、紫外線、可視光線、赤外線、電子線、放射線等が挙げられる。
紫外線の光源としては、殺菌灯、紫外線用蛍光灯、カーボンアーク、キセノンランプ、複写用高圧水銀灯、中圧または高圧水銀灯、超高圧水銀灯、無電極ランプ、メタルハライドランプ、自然光等が挙げられる。
光の照射は、常圧下で行ってもよく、減圧下で行ってもよい。また、空気中で行ってもよく、窒素雰囲気、二酸化炭素雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行ってもよい。
なお、モールド30が非透光材料の場合には、基材12の反対面(すなわち、モールド30が配される側と反対面)側から光が照射される。モールド30が透光材料の場合には、基材12のどちらの面側から光を照射してもよい。
〔工程(d)〕
硬化樹脂層16からモールド30を分離して、硬化樹脂層16からなる微細パターン20を表面に有する物品10を得る。
硬化樹脂層16からモールド30を分離する方法としては、真空吸着によって双方を固定して片方を離す方向で移動させる方法、機械的に双方を固定して片方を離す方向で移動させる方法等が挙げられる。
硬化樹脂層16からモールド30を分離した後、硬化樹脂層16をさらに硬化させてもよい。硬化の方法としては、加熱処理、光照射等が挙げられる。
〔工程(e)〕
工程(d)で得られた微細パターン20を表面に有する物品10は、半導体デバイス等の製造においては、エッチング工程、すなわち下記の工程(e)に供される場合がある。
(e)図3に示すように、工程(d)の後、硬化樹脂層16からなる微細パターン20をレジストとしてエッチングを行い、基材12の表面に微細パターン20を直接形成する工程。
エッチングの方法としては、公知の方法が挙げられ、ハロゲン系ガスを用いたエッチング法が好ましい。
エッチングの後、基材12の微細パターン20の表面に残ったレジストを除去することが好ましい。除去方法としては、剥離液等によるウエット処理、酸素プラズマ等によるドライ処理、レジストの熱分解を促す温度での熱処理等が挙げられる。
〔作用効果〕
以上説明した本発明の微細パターンを表面に有する物品10の製造方法にあっては、プライマ層14を形成するためのシランカップリング剤の溶液として、(メタ)アクリロイルオキシ基を有するシランカップリング剤と、エポキシ基を有するシランカップリング剤とを含むものを用いるため、モールド30を分離する際に硬化樹脂層16のプライマ層14からの剥離が抑えられ、かつ光硬化性樹脂組成物をプライマ層14の表面に塗布した際の光硬化性樹脂組成物のハジキに由来する硬化樹脂層16の欠陥が抑えられる。
該効果は、モールド30を分離する際に硬化樹脂層16がプライマ層14から剥離しやすくなる条件、すなわち硬化樹脂層16が薄膜(厚さが200nm以下)である場合、モールド30の反転パターンが微細(凹部間の間隔が1μm以下)である場合、モールドの反転パターンが高アスペクト比(アスペクト比が2以上)である場合において、顕著に現れる。ここにおいて、アスペクト比は、凹部の深さBと溝の幅の比率(凹部の深さB/溝の幅)もしくは凹部の深さBと孔の幅(凹部の深さB/孔の幅)の値で定義される。
また、該効果は、シランカップリング剤を基材12の表面に塗布した際にシランカップリング剤のハジキが発生し、その結果、プライマ層14の形成が不充分な箇所において硬化樹脂層16の剥離が発生しやすい条件、すなわち基材がシリコン、石英またはガラスである場合において、顕著に現れる。
また、該効果は、光硬化性樹脂組成物をプライマ層14の表面に塗布した際に光硬化性樹脂組成物のハジキが発生しやすい条件、すなわち硬化樹脂層16が薄膜(厚さが200nm以下)である場合、塗布方法が、光硬化性樹脂層を10mm以上の面積において形成可能な方法である場合、レジストが溶媒を含む溶液である場合において、顕著に現れる。
以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されない。
例5〜35、40、41は実施例であり、例1〜4、36〜39は比較例である。
(厚さ)
光硬化性樹脂層の厚さを、卓上膜厚測定システム(フィルメトリクス社製、F20)を用いて測定した。
(シランカップリング剤のハジキ)
基材の表面にプライマ層を形成した直後のプライマ層を顕微鏡および目視で観察し、シランカップリング剤のハジキの有無を下記の基準にて官能評価した。
◎:顕微鏡で観察してもシランカップリング剤のハジキは見られない。
○:顕微鏡で観察した場合、シランカップリング剤のハジキが見られるが、目視で観察した場合、シランカップリング剤のハジキは見られない。
×:目視で観察してシランカップリング剤のハジキが見られる。
(硬化樹脂層の剥離)
プライマ層の表面に光硬化性樹脂層を形成し、ナノインプリント法によって微細パターンを形成した後の硬化樹脂層を目視で観察し、硬化樹脂層の剥離の有無を下記の基準にて官能評価した。
◎:5つのサンプルで試験を行った時、硬化樹脂層の剥離が1つも見られない。
○:5つのサンプルで試験を行った時、硬化樹脂層の剥離が見られたサンプルが2つ以下。
×:5つのサンプルで試験を行った時、硬化樹脂層の剥離が見られたサンプルが3つ以上。
(光硬化性樹脂組成物のハジキに由来する硬化樹脂層の欠陥)
プライマ層の表面に光硬化性樹脂層を形成し、ナノインプリント法によって微細パターンを形成した後の硬化樹脂層を目視で観察し、光硬化性樹脂組成物のハジキに由来する硬化樹脂層の欠陥の有無を下記の基準にて官能評価した。
◎:目視で観察して光硬化性樹脂組成物のハジキに由来する硬化樹脂層の欠陥は見られない。
×:目視で観察して光硬化性樹脂組成物のハジキに由来する硬化樹脂層の欠陥が見られる。
(シランカップリング剤)
KBM303:2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン(信越シリコーン社製)、
KBM403:3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(信越シリコーン社製)、
KBM5103:3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン(信越シリコーン社製)、
KBM503:3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン(信越シリコーン社製)。
(他のシラン化合物)
TEOS:テトラエトキシシラン(東京化成工業社製試薬)。
〔例1〕
(工程(a))
サンプル管に、2−プロパノールの9g、0.6質量%の硝酸水溶液の1g、KBM403の100mgをはかりとり、1時間撹拌し、シランカップリング剤の溶液を調製した。
直径4インチの円形のシリコン基材(SUMCO社製、厚さ:525μm、<1.0.0>面、 片面ミラーウエハ、 CZ法)の表面に、シランカップリング剤の溶液を滴下し、4000rpmで20秒間のスピンコートを行い、その後、ホットプレート上にて130℃で10分間の加熱を行い、厚さ10nm未満のプライマ層を形成した。シランカップリング剤のハジキの有無を確認した。結果を表1に示す。
(工程(b))
U−6H(新中村化学工業社製、ウレタンアクリレート系オリゴマー)の5質量%、IRGACURE907(BASFジャパン社製、光重合開始剤)の3質量%、サーフロンS−650(AGCセイミケミカル社製、ノニオン性含フッ素界面活性剤)の3質量%および酢酸イソブチルからなる光硬化性樹脂組成物を、プライマ層の表面に滴下し、3000rpmで20秒間のスピンコートを行い、その後、ホットプレート上にて70℃で1分間の加熱を行い、厚さ120nmの光硬化性樹脂層を形成した。
(工程(c))
光硬化性樹脂層に対して、ライン/スペースの微細パターンを有する石英モールド(ラインの線幅:60nm、スペースの溝幅:60nm、溝深さ:130nm)を、ナノインプリント装置(東芝機械社製、ST50)を用い、真空下、25℃にて、3MPaの圧力で押し付けて密着させ、その状態のまま紫外線(2000mJ/cm)を照射した。
(工程(d))
石英モールドを垂直方向に0.1mm/秒の速度で剥がし取り、硬化樹脂層からなる微細パターン付きシリコン基材を得た。硬化樹脂層の剥離、光硬化性樹脂組成物のハジキに由来する硬化樹脂層の欠陥の有無を確認した。結果を表1に示す。
〔例2〜39〕
シランカップリング剤の溶液に含まれるシランカップリング剤、他のシラン化合物を、表1に示す種類、量に変更した以外は、例1と同様にして硬化樹脂層からなる微細パターン付きシリコン基材を得た。シランカップリング剤のハジキの有無、硬化樹脂層の剥離の有無、光硬化性樹脂組成物のハジキに由来する硬化樹脂層の欠陥の有無を表1または表2に示す。
〔例40,41〕
基材を100mm角のガラス(旭硝子社製、厚さ:1mm)に変更した以外は、例1〜39と同様にして硬化樹脂層からなる微細パターン付きガラス基材を得た。シランカップリング剤のハジキの有無、硬化樹脂層の剥離の有無、光硬化性樹脂組成物のハジキに由来する硬化樹脂層の欠陥の有無を表2に示す。
Figure 2013154075
Figure 2013154075
本発明の微細パターンを表面に有する物品の製造方法は、半導体デバイス、光学素子、反射防止部材、バイオチップ、マイクロリアクターチップ、記録メディア、触媒の担持体、ナノインプリントリソグラフィ法に用いるモールド等の製造に有用である。
なお、2012年4月9日に出願された日本特許出願2012−088633号の明細書、特許請求の範囲、図面および要約書の全内容をここに引用し、本発明の開示として取り入れるものである。
10 物品
12 基材
14 プライマ層
16 硬化樹脂層
18 光硬化性樹脂層
20 微細パターン
22 凸部
24 凹部
30 モールド

Claims (9)

  1. 基材と、該基材の表面に形成されたプライマ層と、該プライマ層の表面に形成された硬化樹脂層とを有し、該硬化樹脂層が微細パターンを有する物品を製造する方法であって、
    (a)シランカップリング剤の溶液を前記基材の表面に塗布し、前記プライマ層を形成する工程と、
    (b)光硬化性樹脂組成物を前記プライマ層の表面に塗布し、光硬化性樹脂層を形成する工程と、
    (c)前記微細パターンの反転パターンを表面に有するモールドと、前記プライマ層との間に、前記光硬化性樹脂層を挟んだ状態にて光を照射し、前記光硬化性樹脂層を硬化させて前記硬化樹脂層とする工程と、
    (d)前記硬化樹脂層から前記モールドを分離して前記物品を得る工程と、
    を有し、
    前記シランカップリング剤の溶液として、(メタ)アクリロイルオキシ基を有するシランカップリング剤と、エポキシ基を有するシランカップリング剤とを含むものを用いる、微細パターンを表面に有する物品の製造方法。
  2. 前記シランカップリング剤の溶液における(メタ)アクリロイルオキシ基を有するシランカップリング剤とエポキシ基を有するシランカップリング剤との合計量を100質量%としたとき、(メタ)アクリロイルオキシ基を有するシランカップリング剤の割合が、1〜99質量%である、請求項1に記載の微細パターンを表面に有する物品の製造方法。
  3. 前記光硬化性樹脂層の厚さが、200nm以下である、請求項1または2に記載の微細パターンを表面に有する物品の製造方法。
  4. 前記光硬化性樹脂組成物が、該組成物のうち0.05〜5質量%の含フッ素界面活性剤を含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の微細パターンを表面に有する物品の製造方法。
  5. 前記光硬化性樹脂組成物が、(メタ)アクリロイルオキシ基を有する化合物を含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の微細パターンを表面に有する物品の製造方法。
  6. 前記光硬化性樹脂組成物の塗布方法が、光硬化性樹脂層を10mm以上の面積において形成可能な方法である、請求項1〜5のいずれか一項に記載の微細パターンを表面に有する物品の製造方法。
  7. 溶媒を含む前記光硬化性樹脂組成物を前記プライマ層の表面に塗布した後、60℃以上に加熱して前記溶媒を揮発させて、前記光硬化性樹脂層を形成する、請求項1〜6のいずれか一項に記載の微細パターンを表面に有する物品の製造方法。
  8. 前記基材の材料が、シリコン、石英またはガラスである、請求項1〜7のいずれか一項に記載の微細パターンを表面に有する物品の製造方法。
  9. 前記(d)工程の後に、前記硬化樹脂層からなる微細パターンをレジストとしてエッチングを行い、基材の表面に微細パターンを形成する、請求項1〜8のいずれか一項に記載の微細パターンを表面に有する物品の製造方法。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI635365B (zh) * 2014-08-21 2018-09-11 日商富士軟片股份有限公司 Sublayer film forming composition, laminate, pattern forming method, imprint forming kit, and device manufacturing method
KR101720895B1 (ko) * 2016-01-20 2017-03-29 경희대학교 산학협력단 나노임프린팅 방법
US10754245B2 (en) * 2016-03-31 2020-08-25 Canon Kabushiki Kaisha Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold
TW201817582A (zh) * 2016-09-16 2018-05-16 日商富士軟片股份有限公司 圖案形成方法及半導體元件的製造方法
TW201825617A (zh) * 2016-09-16 2018-07-16 日商富士軟片股份有限公司 壓印用底漆層形成用組成物、壓印用底漆層及積層體
JP6865047B2 (ja) * 2017-01-27 2021-04-28 東京応化工業株式会社 インプリント用下層膜形成用組成物及びパターン形成方法
WO2018159576A1 (ja) * 2017-02-28 2018-09-07 富士フイルム株式会社 プライマ層形成用組成物、キット、プライマ層および積層体
KR102395554B1 (ko) * 2017-06-09 2022-05-06 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 미세 요철 패턴 부가 기판의 제조 방법, 수지 조성물 및 적층체
EP3862156A4 (en) * 2018-10-04 2021-12-01 Toppan Printing Co., Ltd. SHEET FOR CONCRETE DECORATION PROCESS AND DECORATIVE STAMPING ELEMENT FOR CONCRETE
JP7156620B2 (ja) * 2018-10-15 2022-10-19 東京エレクトロン株式会社 微細パターンを有する基板にシリコン膜を形成する方法
EP4354488A1 (en) * 2021-06-09 2024-04-17 Canon Kabushiki Kaisha Curable composition, film formation method, and article manufacturing method

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050260522A1 (en) * 2004-02-13 2005-11-24 William Weber Permanent resist composition, cured product thereof, and use thereof
US7862756B2 (en) * 2006-03-30 2011-01-04 Asml Netherland B.V. Imprint lithography
JP2007320072A (ja) * 2006-05-30 2007-12-13 Asahi Glass Co Ltd モールドおよびその製造方法
JP5117002B2 (ja) * 2006-07-10 2013-01-09 富士フイルム株式会社 光硬化性組成物およびそれを用いたパターン形成方法
KR100831046B1 (ko) * 2006-09-13 2008-05-21 삼성전자주식회사 나노 임프린트용 몰드 및 그 제조 방법
US20080093776A1 (en) * 2006-10-05 2008-04-24 3M Innovative Properties Company Method of molding ultraviolet cured microstructures and molds
US8027086B2 (en) * 2007-04-10 2011-09-27 The Regents Of The University Of Michigan Roll to roll nanoimprint lithography
JP5037243B2 (ja) * 2007-07-06 2012-09-26 富士フイルム株式会社 界面結合剤、該界面結合剤を含有するレジスト組成物、及び該界面結合剤からなる層を有する磁気記録媒体形成用積層体、並びに該界面結合剤を用いた磁気記録媒体の製造方法、及び該製造方法により製造された磁気記録媒体
JP4637221B2 (ja) * 2007-09-28 2011-02-23 富士フイルム株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた硬化膜形成方法
JP2009206197A (ja) * 2008-02-26 2009-09-10 Fujifilm Corp ナノインプリント用硬化性組成物、硬化物およびその製造方法
KR101702278B1 (ko) * 2008-05-29 2017-02-03 아사히 가라스 가부시키가이샤 광경화성 조성물 및 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법
JP5052534B2 (ja) * 2009-01-08 2012-10-17 株式会社ブリヂストン 光硬化性転写シート、及びこれを用いた凹凸パターンの形成方法
JP2010212392A (ja) * 2009-03-10 2010-09-24 Fujifilm Corp 光ナノインプリント用硬化性組成物
WO2011021573A1 (ja) * 2009-08-17 2011-02-24 Jsr株式会社 パターン形成方法
JP2011222732A (ja) * 2010-04-09 2011-11-04 Fujifilm Corp パターン形成方法及びパターン基板製造方法

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