JPWO2010079803A1 - 圧電振動デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
2 水晶振動板
20 振動部
201 枠部の一主面
202 枠部の他主面
23 励振電極
24 引出電極
25 第1接合電極
26 突起部
27 薄肉部
28 枠部
3 下蓋部材
33 第2接合電極
4 上蓋部材
5 接合材
50 Auメッキ層
51 第1接合材
52 第2接合材
53 第3接合材
54 第4接合材
以下、本発明にかかる第1の実施形態について図面を参照しながら説明する。第1の実施形態においては、圧電振動板として水晶板が使用された水晶振動子を例に挙げて説明する。
本発明にかかる第2の実施形態を以下に示す。第2の実施形態では、上記の第1の実施形態と同様に、圧電振動板として水晶振動板を用いた水晶振動子を例に挙げて説明する。そのため、第2の実施形態では、第1の実施形態と同様の構成部材については同番号を付し、その説明の一部を割愛する。また、第2の実施形態の構成のうち、第1の実施形態と同様の構成については同様の効果を有する。以下、第1の実施形態との相違点を中心に、第2の実施形態を説明する。
本発明にかかる第3の実施形態を、上記の第1の実施形態や第2の実施形態と異なり、図23に示すように、水晶振動板2自体が上蓋部材4と下蓋部材3とによって気密封止された実施形態である。そこで、第3の実施形態では、第1の実施形態や第2の実施形態と同一名称の構成部材については同番号を付し、第1の実施形態や第2の実施形態と同様の構成部材や製造方法については説明の一部を割愛する。また、第3の実施形態の構成のうち、第1の実施形態や第2の実施形態と同様の構成や製造方法については同様の効果を有する。以下、第1の実施形態や第2の実施形態との相違点を中心に、第3の実施形態を説明する。
Claims (4)
- 圧電振動デバイスの製造方法において、
励振電極が形成された圧電振動板と、前記励振電極を気密封止する上蓋部材および下蓋部材とが設けられ、前記圧電振動板と前記上蓋部材とが接合材を介して接合され、前記圧電振動板と前記下蓋部材とが接合材を介して接合された圧電振動デバイスの製造方法であり、
多数個の前記下蓋部材が一体成形された厚肉のウエハを用意するウエハ成形工程と、
前記ウエハ内の下蓋部材の一主面に前記圧電振動板を接合し、前記圧電振動板上に前記上蓋部材を接合する接合工程と、
前記ウエハを前記ウエハの他主面側から薄肉化する薄肉化工程と、
前記薄肉化工程により薄肉化した前記ウエハの他主面に、前記励振電極と電気的に接続する外部端子を形成する外部端子形成工程と、
隣接する前記圧電振動デバイス間を切断することによって多数個の前記圧電振動デバイスを得る分割工程と、を有する圧電振動デバイスの製造方法。 - 圧電振動デバイスの製造方法において、
励振電極が形成された圧電振動板と、前記圧電振動板を気密封止する上蓋部材および下蓋部材とが設けられ、前記上蓋部材と前記下蓋部材とが接合材を介して接合された圧電振動デバイスの製造方法であり、
多数個の前記下蓋部材が一体成形された厚肉のウエハを用意するウエハ成形工程と、
前記ウエハ内の下蓋部材の一主面に前記圧電振動板を接合し、前記下蓋部材上に前記上蓋部材を接合する接合工程と、
前記ウエハを前記ウエハの他主面側から薄肉化する薄肉化工程と、
前記薄肉化工程により薄肉化した前記ウエハの他主面に、前記励振電極と電気的に接続する外部端子を形成する外部端子形成工程と、
隣接する前記圧電振動デバイス間を切断することによって多数個の前記圧電振動デバイスを得る分割工程と、を有する圧電振動デバイスの製造方法。 - 請求項1または2に記載の圧電振動デバイスの製造方法において、
前記薄肉化工程前に、前記下蓋部材の一主面側から、導体を充填した有底孔を形成し、
前記薄肉化工程において、前記ウエハの他主面側から、前記有底孔が露出するまで薄肉化し、
前記外部端子形成工程において、前記有底孔を覆うように前記外部端子を形成する圧電振動デバイスの製造方法。 - 請求項1または2に記載の圧電振動デバイスの製造方法において、
前記ウエハ成形工程において用意する前記ウエハの厚さを予め設定した厚さとし、
前記薄肉化工程において薄肉化する前記ウエハの厚さを前記圧電振動板の厚さに応じて可変させる圧電振動デバイスの製造方法。
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JP2012186532A (ja) * | 2011-03-03 | 2012-09-27 | Seiko Instruments Inc | ウエハ、パッケージの製造方法、及び圧電振動子 |
JP5956723B2 (ja) * | 2011-03-28 | 2016-07-27 | セイコーインスツル株式会社 | パッケージの製造方法 |
US20150008794A1 (en) * | 2012-02-17 | 2015-01-08 | Nec Casio Mobile Communications, Ltd. | Piezoelectric-type electroacoustic conversion device |
US9698756B2 (en) | 2014-12-24 | 2017-07-04 | Qorvo Us, Inc. | Acoustic RF resonator parallel capacitance compensation |
US9862592B2 (en) * | 2015-03-13 | 2018-01-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | MEMS transducer and method for manufacturing the same |
US10581156B2 (en) | 2016-05-04 | 2020-03-03 | Qorvo Us, Inc. | Compensation circuit to mitigate antenna-to-antenna coupling |
US10581403B2 (en) | 2016-07-11 | 2020-03-03 | Qorvo Us, Inc. | Device having a titanium-alloyed surface |
KR101872599B1 (ko) * | 2016-08-26 | 2018-06-28 | 삼성전기주식회사 | 탄성파 필터 장치 |
US11050412B2 (en) | 2016-09-09 | 2021-06-29 | Qorvo Us, Inc. | Acoustic filter using acoustic coupling |
US10284174B2 (en) | 2016-09-15 | 2019-05-07 | Qorvo Us, Inc. | Acoustic filter employing inductive coupling |
US10367470B2 (en) * | 2016-10-19 | 2019-07-30 | Qorvo Us, Inc. | Wafer-level-packaged BAW devices with surface mount connection structures |
US11165412B2 (en) | 2017-01-30 | 2021-11-02 | Qorvo Us, Inc. | Zero-output coupled resonator filter and related radio frequency filter circuit |
US11165413B2 (en) | 2017-01-30 | 2021-11-02 | Qorvo Us, Inc. | Coupled resonator structure |
US10873318B2 (en) | 2017-06-08 | 2020-12-22 | Qorvo Us, Inc. | Filter circuits having acoustic wave resonators in a transversal configuration |
US10361676B2 (en) | 2017-09-29 | 2019-07-23 | Qorvo Us, Inc. | Baw filter structure with internal electrostatic shielding |
US11152913B2 (en) | 2018-03-28 | 2021-10-19 | Qorvo Us, Inc. | Bulk acoustic wave (BAW) resonator |
US11146247B2 (en) | 2019-07-25 | 2021-10-12 | Qorvo Us, Inc. | Stacked crystal filter structures |
US11757430B2 (en) | 2020-01-07 | 2023-09-12 | Qorvo Us, Inc. | Acoustic filter circuit for noise suppression outside resonance frequency |
US11146245B2 (en) | 2020-01-13 | 2021-10-12 | Qorvo Us, Inc. | Mode suppression in acoustic resonators |
US11146246B2 (en) | 2020-01-13 | 2021-10-12 | Qorvo Us, Inc. | Phase shift structures for acoustic resonators |
US11632097B2 (en) | 2020-11-04 | 2023-04-18 | Qorvo Us, Inc. | Coupled resonator filter device |
US11575363B2 (en) | 2021-01-19 | 2023-02-07 | Qorvo Us, Inc. | Hybrid bulk acoustic wave filter |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10209799A (ja) * | 1997-01-24 | 1998-08-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 振動子 |
JP2003264444A (ja) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Citizen Watch Co Ltd | 圧電デバイス用集合基板、圧電デバイス及びその製造方法 |
JP2004523949A (ja) * | 2001-01-18 | 2004-08-05 | インフィネオン テクノロジーズ アクチェンゲゼルシャフト | フィルタデバイスおよびフィルタデバイスを製作する方法 |
JP2006180169A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Kyocera Kinseki Corp | 振動子パッケージの製造方法 |
JP2006186463A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電振動子及びその製造方法 |
JP2006351591A (ja) * | 2005-06-13 | 2006-12-28 | Sony Corp | マイクロデバイスのパッケージング方法及びマイクロデバイス |
JP2007013628A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電振動子の製造方法及び圧電振動子 |
JP2007068113A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-15 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶振動子の製造方法 |
JP2008022090A (ja) * | 2006-07-10 | 2008-01-31 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装用とした水晶デバイスの製造方法及びこれ用のシート状基板 |
JP2008098712A (ja) * | 2006-10-05 | 2008-04-24 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶振動子 |
JP2008206002A (ja) * | 2007-02-22 | 2008-09-04 | Epson Toyocom Corp | パッケージ及びこれを用いた圧電デバイス |
JP2008219943A (ja) * | 2004-09-13 | 2008-09-18 | Seiko Epson Corp | 電子部品の製造方法 |
JP2008236741A (ja) * | 2007-02-20 | 2008-10-02 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | パッケージ型圧電振動子及びパッケージ型圧電振動子の製造方法 |
JP2008289055A (ja) * | 2007-05-21 | 2008-11-27 | Daishinku Corp | シート基板とシート基板を用いた圧電振動デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7067964B1 (en) * | 2004-05-14 | 2006-06-27 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Piezoelectric resonator with reduced deformation sensitivity |
JP2006109400A (ja) * | 2004-09-13 | 2006-04-20 | Seiko Epson Corp | 電子部品、回路基板、電子機器、電子部品の製造方法 |
US8018065B2 (en) * | 2008-02-28 | 2011-09-13 | Atmel Corporation | Wafer-level integrated circuit package with top and bottom side electrical connections |
JP5370371B2 (ja) * | 2008-12-24 | 2013-12-18 | 株式会社大真空 | 圧電振動デバイスの製造方法、および圧電振動デバイスを構成する構成部材のエッチング方法 |
-
2010
- 2010-01-07 WO PCT/JP2010/050097 patent/WO2010079803A1/ja active Application Filing
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Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10209799A (ja) * | 1997-01-24 | 1998-08-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 振動子 |
JP2004523949A (ja) * | 2001-01-18 | 2004-08-05 | インフィネオン テクノロジーズ アクチェンゲゼルシャフト | フィルタデバイスおよびフィルタデバイスを製作する方法 |
JP2003264444A (ja) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Citizen Watch Co Ltd | 圧電デバイス用集合基板、圧電デバイス及びその製造方法 |
JP2008219943A (ja) * | 2004-09-13 | 2008-09-18 | Seiko Epson Corp | 電子部品の製造方法 |
JP2006180169A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Kyocera Kinseki Corp | 振動子パッケージの製造方法 |
JP2006186463A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電振動子及びその製造方法 |
JP2006351591A (ja) * | 2005-06-13 | 2006-12-28 | Sony Corp | マイクロデバイスのパッケージング方法及びマイクロデバイス |
JP2007013628A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電振動子の製造方法及び圧電振動子 |
JP2007068113A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-15 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶振動子の製造方法 |
JP2008022090A (ja) * | 2006-07-10 | 2008-01-31 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装用とした水晶デバイスの製造方法及びこれ用のシート状基板 |
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