JPWO2017002701A1

JPWO2017002701A1 - 液晶組成物およびそれを使用した液晶表示素子

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Publication number: JPWO2017002701A1
Application number: JP2017526313A
Authority: JP
Inventors: 晴己大石; 士朗谷口
Original assignee: DIC Corp
Current assignee: DIC Corp
Priority date: 2015-07-01
Filing date: 2016-06-23
Publication date: 2017-12-14
Also published as: WO2017002701A1; KR20180027531A; CN107849455A; TW201716550A

Abstract

「要約」「課題」本発明が解決しようとする課題は、誘電率異方性、粘度、ネマチック相上限温度、低温でのネマチック相安定性、γ１等の液晶表示素子としての諸特性および表示素子の焼き付き特性を悪化させること無く、液晶表示素子に用いることにより優れた表示特性を実現可能な、誘電率異方性が正の液晶組成物を用いた液晶表示素子を提供する。「解決手段」第一成分として一般式（ｉ）で表される化合物の群から少なくとも一つと、第二成分として一般式（ｉｉ）および一般式（ｉｉｉ）で表される化合物の群から少なくとも一つと、を含有することを特徴とする液晶組成物。「選択図」なし

Description

本発明は液晶表示材料として有用な誘電率異方性（Δε）が正の値を示す組成物およびこれを用いた液晶表示素子に関する。

液晶表示素子は、時計、電卓をはじめとして、各種測定機器、自動車用パネル、ワードプロセッサー、電子手帳、プリンター、コンピューター、テレビ、時計、広告表示板等に用いられている。液晶表示素子としては、その代表的なものにＴＮ（ツイステッド・ネマチック）型、ＳＴＮ（スーパー・ツイステッド・ネマチック）型、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を用いた垂直配向型やＩＰＳ（イン・プレーン・スイッチング）型等がある。これらの液晶表示素子に用いられる液晶組成物は水分、空気、熱、光などの外的刺激に対して安定であること、また、室温を中心としてできるだけ広い温度範囲で液晶相を示し、低粘性であり、かつ駆動電圧が低いことが求められる。さらに液晶組成物は個々の表示素子にとって誘電率異方性（Δε）またはおよび屈折率異方性（Δｎ）等を最適な値とするために、数種類から数十種類の化合物を選択し、構成されている。

垂直配向（ＶＡ）型ディスプレイではΔεが負の液晶組成物が用いられており、ＴＮ型、ＳＴＮ型またはＩＰＳ（イン・プレーン・スイッチング）型等の水平配向型ディスプレイではΔεが正の液晶組成物が用いられている。また、Δεが正の液晶組成物を電圧無印加時に垂直に配向させ、横電界を印加する事で表示する駆動方式も報告されており、Δεが正の液晶組成物の必要性はさらに高まっている。一方、全ての駆動方式において低電圧駆動、高速応答、広い動作温度範囲が求められている。すなわち、Δεが正で絶対値が大きく、粘度（η）が小さく、高いネマチック相−等方性液体相転移温度（Ｔｎｉ）が要求されている。また、Δｎとセルギャップ（ｄ）との積であるΔｎ×ｄの設定から、液晶組成物のΔｎをセルギャップに合わせて適当な範囲に調節する必要がある。加えて液晶表示素子をテレビ等へ応用する場合においては高速応答性が重視されるため、回転粘性（γ１）の小さい液晶組成物が要求される。

高速応答性を志向した液晶組成物の構成として、例えば、Δεが正の液晶化合物である式（Ａ−１）や（Ａ−２）で表される化合物、およびΔεが中性の液晶化合物である（Ｂ）を組み合わせて使用した液晶組成物の開示がされている（特許文献１から４）。

一方で、液晶表示素子の用途が拡大するに至り、その使用方法、製造方法にも大きな変化が見られる。これらの変化に対応するためには、従来知られているような基本的な物性値以外の特性を最適化することが求められるようになった。すなわち、液晶組成物を使用する液晶表示素子はＶＡ型やＩＰＳ型等が広く使用されるに至り、その大きさも５０型以上の超大型サイズの表示素子が実用化されるに至り使用されるようになった。基板サイズの大型化に伴い、液晶組成物の基板への注入方法も従来の真空注入法から滴下注入（ＯＤＦ：ＯｎｅＤｒｏｐＦｉｌｌ）法が注入方法の主流となったが、液晶組成物を基板に滴下した際の滴下痕が表示品位の低下を招く問題が表面化するに至った。

さらに、ＯＤＦ法による液晶表示素子製造工程においては、液晶表示素子のサイズに応じて最適な液晶注入量を滴下する必要がある。注入量のずれが最適値から大きくなると、あらかじめ設計された液晶表示素子の屈折率や駆動電界のバランスが崩れ、斑発生やコントラスト不良などの表示不良が生じる。特に、最近流行しているスマートフォンに多用される小型液晶表示素子は、最適な液晶注入量が少ないために最適値からのずれを一定範囲内に制御すること自体が難しい。従って、液晶表示素子の歩留まり高く保持するために、例えば、液晶滴下時に生じる滴下装置内の急激な圧力変化や衝撃に対する影響が少なく、長時間にわたって安定的に液晶を滴下し続けることが可能な性能も必要である。

このように、ＴＦＴ素子等で駆動するアクティブマトリックス駆動液晶表示素子に使用される液晶組成物おいては、高速応答性能等の液晶表示素子として求められている特性や性能を維持しつつ、従来から重視されてきた高い比抵抗値あるいは高い電圧保持率を有することや光や熱等の外部刺激に対して安定であるという特性に加えて、液晶表示素子の製造方法を考慮した開発が求められてきている。

特開２００８−０３７９１８号特開２００８−０３８０１８号特開２０１１−０５２１２０号

上記特許文献１〜３の実施例に記載の液晶組成物で使用されているΔεが中性の液晶化合物（Ｂ）は、少なくとも一方の端部の基（Ｒ^１またはＲ^２）がアルキル基を有している構造であり、ある程度の低い粘度の液晶組成物を調製することができるが、液晶ディスプレイに要求される高速応答性の潮流に対応する低粘度の液晶組成物を提供しきれていないのが現状である。

また、高速応答性と同様に重視される液晶組成物の信頼性の特性として、光や熱等の外部刺激に対して安定であることが要求され、長期間にわたって安定的に液晶状態を維持する指標の一つとして低温安定性が挙げられる。上記の高速応答性を確保するために、比較的分子量の低い中性の液晶化合物を液晶組成物に多く含有していると、Δεが低下するため、Δεを維持するために上記特許文献１〜３のような式（Ａ−１）や（Ａ−２）で表されるΔεが正の液晶化合物と組み合わせると、液晶相の温度範囲や低温安定性が損なわれることになる。そのため、高速応答性とΔεとを維持しつつ、液晶相の温度範囲や低温安定性に優れた液晶組成物が求められている。

そこで、これらの課題を解決するために、両端をアルケニル基にした中性の液晶化合物と、特定の構造の正の液晶化合物とを組み合わせることで低温安定性や液晶相の温度範囲が著しく向上し、かつ低粘度の液晶組成物を提供できることが確認された。

本発明が解決しようとする課題は、Δεが正の液晶組成物であって、広い温度範囲の液晶相を有し、低粘度であり、かつ低温での溶解性が良好である液晶組成物を提供することである。さらに、本発明が解決しようとする別の課題としては、広い温度範囲の液晶相を有し、比抵抗や電圧保持率が高く、熱や光に対して安定な液晶組成物を提供し、更にこれを用いることで、透過率や表示品位に優れ、焼き付きや滴下痕等の表示不良の発生し難いＩＰＳまたはＦＦＳ型やＴＮ型等の液晶表示素子を歩留まりよく提供することにある。

また、本発明が解決しようとする別の課題としては、高速応答性に関係する弾性定数Ｋ値を向上する液晶組成物を提供することである。

本発明者は、種々の液晶化合物および種々の化学物質を検討し、特定の液晶化合物を組み合わせることにより前記課題を解決することができることを見出し、本発明を完成するに至った。

一般式（ｉ）で表される化合物と、一般式（ｉｉ）および一般式（ｉｉｉ）で表される化合物群から選択される１種または２種以上を含有する液晶組成物、当該液晶組成物を使用した液晶表示素子および当液晶該組成物を使用した液晶表示素子を提供する。

本発明の正の誘電率異方性を有する液晶組成物は、大幅に低い粘性を得ることができ、低温での溶解性が良好で、比抵抗や電圧保持率が熱や光によって受ける変化が極めて小さい。

本発明の正の誘電率異方性を有する液晶組成物は、当該液晶組成物に含まれる一般式（ｉ）で表される化合物と、一般式（ｉｉ）および一般式（ｉｉｉ）で表される化合物群から選択される少なくとも１種または２種以上の化合物との組み合わせにより、大幅に低い粘性や高い弾性定数Ｋａｖｇを得ることができ、低温での溶解性が良好である。

本発明の液晶組成物は、片側の基がアルケニル基の化合物を含む液晶組成物より低粘度でかつ低温安定性が顕著に向上する相乗効果を示す。

本発明の正の誘電率異方性を有する液晶組成物は、大幅に低い粘性を得ることができ、低温での溶解性が良好で、比抵抗や電圧保持率が熱や光によって受ける変化が極めて小さいため製品の実用性が高く、これを用いたＩＰＳ型やＦＦＳ型等の液晶表示素子は高速応答を達成できる。

本発明は、液晶表示素子製造工程において安定的に性能を発揮できるため、工程起因の表示不良が抑制されて歩留まり高く製造できるので、非常に有用である。

本発明の液晶組成物は、室温（２５℃）において液晶相を呈することが好ましく、ネマチック相を呈することが更に好ましい。また、本発明の液晶組成物は誘電的にほぼ中性の化合物（Δεの値が−２〜２）および正の化合物（Δεの値が２より大きい）を含有する。尚、化合物の誘電率異方性は、２５℃において誘電的にほぼ中性の液晶組成物に添加して調製した液晶組成物の誘電率異方性の測定値から外挿した値である。なお、以下含有量を％で記載するが、これは重量％を意味する。

本発明の第一は、一般式（ｉ）：

（上記一般式（ｉ）中、Ｒ^ｉａおよびＲ^ｉｂはそれぞれ独立して、炭素原子数２〜８個のアルケニル基であり、
Ａ^ｉ１およびＢ^ｉ１は以下の基（ａ）および基（ｂ）：
（ａ）１，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−または隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）
（ｂ）１，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝または隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ｂ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子または塩素原子で置換されていても良く、
ｍ^ｉ１は０から３の整数である。）で表される化合物を１種または２種以上と、
一般式（ｉｉ）：

（上記一般式（ｉｉ）中、Ｒ^ｉｉ１は、炭素原子数１〜８のアルキル基または炭素原子数２〜１０のアルケニル基を表し、基中の１個または非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−または−ＯＣＯ−によって置換されていても良く、基中の１個または非隣接の２個以上の水素原子はそれぞれ独立して、フッ素原子で置換されていても良く、
Ｋ^ｉｉ０、Ｋ^ｉｉ１およびＫ^ｉｉ２はそれぞれ独立して、以下の基（ａ）および基（ｂ）：
（ａ）１，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−または隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−またはＳ−に置き換えられてもよい。）
（ｂ）１，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝または隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ｂ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子または塩素原子で置換されていても良く、
Ｚ^ｉｉ１、Ｚ^ｉｉ２およびＺ^ｉｉ３はそれぞれ独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−またはＣ≡Ｃ−を表し、ｎ^ｉｉｋが０の場合は、Ｚ^ｉｉ１およびＺ^ｉｉ２のうちいずれか一つは、−ＯＣＨ_２−または−ＣＨ_２Ｏ−を表し、ｎ^ｉｉｋが１以上の場合は、Ｚ^ｉｉ１、Ｚ^ｉｉ２およびＺ^ｉｉ３のうちいずれか一つは、−ＯＣＨ_２−または−ＣＨ_２Ｏ−を表し、
ｎ^ｉｉｋはそれぞれ独立して、０、１、２、３または４を表し、ｎ^ｉｉｉｋが２以上場合、Ｋ^ｉｉ２はそれぞれ同一でも良く、異なっていても良く、ｎ^ｉｉｉｋが２以上場合、Ｚ^ｉｉ３はそれぞれ同一でも良く、異なっていても良く、
Ｘ^ｉｉ１、Ｘ^ｉｉ２、Ｘ^ｉｉ３およびＸ^ｉｉ４はそれぞれ独立して、水素原子またはフッ素原子を表し、
Ｙ^ｉｉ１はそれぞれ独立して、フッ素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基、２，２，２−トリフルオロエチル基で表される化合物および一般式（ｉｉｉ）：

（上記一般式（ｉｉｉ）中、Ｒ^ｉｉｉ１は炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個または非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−またはＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
ｎ^ｉｉｉ１は、０、１、２、３または４を表し、
Ａ^ｉｉｉ１およびＡ^ｉｉｉ２はそれぞれ独立して、
（ａ）１，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−または隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−またはＳ−に置き換えられてもよい。）および
（ｂ）１，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝または隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）および基（ｂ）はそれぞれ独立して、シアノ基、フッ素原子または塩素原子で置換されていても良く、
Ｚ^ｉｉｉ１およびＺ^ｉｉｉ２はそれぞれ独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−またはＣ≡Ｃ−を表し、
ｎ^ｉｉｉ１が２、３または４であってＡ^ｉｉｉ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ｎ^ｉｉｉ１が２、３または４であってＺ^ｉｉｉ１が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、
Ｘ^ｉｉｉ３およびＸ^ｉｉｉ４はそれぞれ独立して、水素原子、塩素原子またはフッ素原子を表し、
Ｙ^ｉｉｉ２は、水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基または２，２，２−トリフルオロエチル基を表す。）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種または２種以上を含む液晶組成物である。

本発明に係る液晶組成物は、一般式（ｉ）で表される化合物と、一般式（ｉｉ）または一般式（ｉｉｉ）で表される化合物とを含む液晶組成物により、片側の基がアルケニル基の化合物だけを含む液晶組成物と比較して、より低粘度でかつ低温安定性が顕著に向上する。より詳細には、片側がアルケニル基の化合物を複数種混合する液晶組成物と比べて、本願発明が、低粘度でかつ低温安定性に優れ、弾性定数（特にＫ３３）を向上することができる。

本発明の液晶組成物は、２５℃における屈折率異方性（Δｎ）が０．０６から０．２０であるが、０．０７から０．１８が更に好ましく、０．０８から０．１６が特に好ましい。更に詳述すると、薄いセルギャップに対応する場合は０．１１から０．１４であることが好ましく、厚いセルギャップに対応する場合は０．０８から０．１１であることが好ましい。

本発明の液晶組成物は、２５℃における誘電率異方性（Δε）が＋１から＋１５である事が好ましく、＋１．５から＋１２がより好ましく、＋２から＋１０がさらに好ましい。

本発明の液晶組成物は、ネマチック相−等方性液体相転移温度（Ｔ_ｎｉ）が６０℃から１２０℃であるが、７０℃から１１０℃がより好ましく、７０℃から１００℃が特に好ましい。

本発明の液晶組成物は、２５℃における粘度（η）が５からｍＰａ・ｓであるが、１８ｍＰａ・ｓ以下であることが更に好ましく、１５ｍＰａ・ｓ以下であることが特に好ましい。

本発明の液晶組成物は、２５℃における回転粘性（γ_１）が２０から１２０ｍＰａ・ｓであるが、１００ｍＰａ・ｓ以下であることが更に好ましく、８０ｍＰａ・ｓ以下であることがより更に好ましく、６０ｍＰａ・ｓ以下であることが特に好ましい。

本発明に係るＫａｖｅｒａｇｅ（Ｋａｖｇとも称する。）は、１０ｐＮ以上であることが好ましく、１０〜２０の範囲であることがより好ましく、１０〜１９の範囲であることがさらに好ましく、１１〜１８の範囲であることがよりさらに好ましく、１１〜１７の範囲であることがさらにより好ましく、１２〜１６の範囲であることが特に好ましい。Ｋ１１、Ｋ２２、Ｋ３３は液晶を封入した状態のセルの印加電圧−静電容量カーブ特性から求めることができ、Ｋａｖｅｒａｇｅはその平均値として算出することができる。

以下、本発明に係る液晶組成物の必須成分である一般式（ｉ）、（ｉｉ）および（ｉｉｉ）で表される化合物を順に詳説した後、本発明の液晶組成物に使用できる好適な他の液晶化合物について説明する。

本発明に係る一般式（ｉ）で表される化合物は、誘電的にほぼ中性の化合物（Δεの値が−２〜２）であることが好ましい。

一般式（ｉ）において、Ｒ^ｉａおよびＲ^ｉｂはそれぞれ独立して、炭素原子数２〜８個のアルケニル基であり、直鎖状または分岐状が好ましく、直鎖状がより好ましい。直鎖状の炭素原子数２〜６個のアルケニル基であることがさらに好ましく、直鎖状の炭素原子数２〜３個のアルケニル基であることが特に好ましい。

本発明に係るより好ましいアルケニル基としては、式（Ｒ１）から式（Ｒ５）のいずれかで表される基から選ばれることが好ましい。（各式中の黒点は環構造中の炭素原子を表す。）

で表される。なお、本明細書中において、アルケニル基の例は共通であり、各々のアルキル基の炭素原子数の数によって適宜上記例示から選択される。

本発明に係る一般式（ｉ）におけるＲ^ｉａおよびＲ^ｉｂはそれぞれ独立して、式（Ｒ１）、式（Ｒ２）、式（Ｒ４）が好ましく、式（Ｒ１）、式（Ｒ２）がより好ましい。

また、本発明に係る一般式（ｉ）で表される化合物は、両側の基にアルケニル基を備えていることから、片側にアルルケニル基を有する化合物を２種以上混合した液晶組成物に対して粘度の低下と、弾性定数Ｋ３３の向上との効果にシナジーを示す。

一般式（ｉ）において、Ａ^ｉ１およびＢ^ｉ１はそれぞれ独立して、１，４−シクロヘキシレン基および１，４−フェニレン基からなる群より選ばれる基であることが好ましく、当該基はそれぞれ独立して、フッ素原子で置換されていても良い。

本発明に係る一般式（ｉ）において、Ｂ^ｉ１が１，４−フェニレン基を表す場合、Ｒ^ｉｂは（Ｒ４）および（Ｒ５）から選ばれる基であることが更に好ましい。

上記一般式（ｉ）において、ｍ^ｉ１は０から２の整数であることが好ましく、ｍ^ｉ１は０または１の整数であることがより好ましく、ｍ^ｉ１は０であることが特に好ましい。すなわち、上記式（ｉ）で表される化合物は、２〜４環の化合物が好ましく、２〜３環の化合物が好ましく、２環の化合物が特に好ましい。

また、上記一般式（ｉ）で表される化合物は、分子内にシクロヘキサン環を２つ備えることが好ましい。したがって、上記一般式（ｉ）において、ｍ^ｉ１個のＡ^ｉ１およびＢ^ｉ１からなる群から選択される１つの基が、１，４−シクロヘキシレン基であることが好ましく、Ｂ^ｉ１が１，４−シクロヘキシレン基であることが特に好ましい。

本発明の液晶組成物の総量に対しての式（ｉ）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、５％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％であり、２３％であり、２５％であり、３０％であり、３１％であり、３２％であり、３３％であり、３４％であり、３６％であり、３８％であり、３９％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、６５％であり、６３％であり、６０％であり、５８％であり、５７％であり、５５％であり、５３％であり、５２％であり、５０％であり、４８％であり、４０％であり、３７％であり、３５％であり、３３％であり、３０％であり、２７％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１７％であり、１５％であり、１３％であり、１０％である。

上記一般式（ｉ）で表される化合物は、以下の一般式（ｉ−ａ）であることが好ましい。

（上記一般式（ｉ−ａ）中、Ｒ^ｉａおよびＲ^ｉｂはそれぞれ独立して、炭素原子数２〜５個のアルケニル基であり、
Ａ^ｉ３は、以下の基（ａ）および基（ｂ）：
（ａ）１，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−または隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）
（ｂ）１，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝または隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）および基（ｂ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子または塩素原子で置換されていても良く、
ｍ^ｉ２は０〜１の整数を表す。）
ｍ^ｉ２が１の場合は、Ａ^ｉ３は１，４−フェニレン基であることが好ましく、上記一般式（ｉ−ａ）において、ｍ^ｉ２が０であることが特に好ましい。シクロヘキサン環が直接連結し、かつ両端の基がアルケニル基の構造であると、弾性定数を向上させ、低粘度の液晶組成物を実現することができる。これにより一般式（ｉｉ）または（ｉｉｉ）との組み合わせた液晶組成物は、低粘度で高速応答性を実現することができる。

本発明の組成物の総量に対しての一般式（ｉ−ａ）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％であり、２３％であり、２５％であり、３０％であり、３１％であり、３２％であり、３３％である。３４％であり、３６％であり、３８％であり、３９％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、６５％であり、６３％であり、６０％であり、５８％であり、５７％であり、５５％であり、５３％であり、５２％であり、５０％であり、４８％であり、４０％であり、３７％であり、３５％であり、３３％であり、３０％であり、２７％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１７％であり、１５％であり、１３％であり、１２％であり、１０％である。

一般式（ｉ）で表される化合物は、一般式（ｉ−１）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中Ｒ^ｉａおよびＲ^ｉｂはそれぞれ独立して、炭素原子数２〜８個のアルケニル基を表す。）
上記式（ｉ−１）において、Ｒ^ｉａおよびＲ^ｉｂはそれぞれ独立して、直鎖状の炭素原子数２〜６のアルケニル基が好ましい。

本発明の液晶組成物の総量に対しての式（ｉ−１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、５％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％であり、２３％であり、２５％であり、３０％であり、３１％であり、３２％であり、３３％である。３４％であり、３６％であり、３８％であり、３９％である。
好ましい含有量の上限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、６５％であり、６３％であり、６０％であり、５８％であり、５７％であり、５５％であり、５３％であり、５２％であり、５０％であり、４８％であり、４０％であり、３７％であり、３５％であり、３３％であり、３０％であり、２７％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１７％であり、１５％であり、１３％であり、１０％である。

さらに、一般式（ｉ−１）で表される化合物は、式（ｉ−１．１）から式（ｉ−１．１５）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（ｉ−１．１）〜式（ｉ−１．５）、式（ｉ−１．７）、式（ｉ−１．８）、式（ｉ−１．１４）で表される化合物群から選ばれる化合物であること更に好ましく、式（ｉ−１．１）、式（ｉ−１．２）、式（ｉ−１．４）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが特に好ましい。

特に、式（ｉ−１．１）、式（ｉ−１．４）で表される化合物は、本発明の液晶組成物の応答速度を特に改善するため好ましい。また、応答速度よりも高いＴｎｉを求めるときは、式（ｉ−１．２）、式（ｉ−１．３）、式（ｉ−１．７）および式（ｉ−１．８）で表される化合物を用いることが好ましい。また、低温での溶解度を良くするためには、式（ｉ−１．１）、式（ｉ−１．３）、式（ｉ−１．４）および式（ｉ−１．５）で表される化合物が好ましい。さらに、低粘度、かつ弾性定数Ｋ３３の値を向上するには式（ｉ−１．１）、式（ｉ−１．２）および式（ｉ−１．４）で表される化合物が好ましく、低粘度の化合物と、弾性定数Ｋ３３の値を向上する化合物とを別々に混合した液晶組成物より、式（ｉ−１．１）、式（ｉ−１．２）および式（ｉ−１．４）で表される化合物を使用した方が前者よりシナジーを示す。

一般式（ｉ）で表される化合物は一般式（ｉ−２）で表される下記の化合物である。

（式中Ｒ^ｉａおよびＲ^ｉｂはそれぞれ独立して炭素原子数２〜８個のアルケニル基を表す。）
一般式（ｉ−２）において、Ｒ^ｉａおよびＲ^ｉｂはそれぞれ独立して、直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。

本発明の液晶組成物の総量に対しての式（ｉ−２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、５％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％であり、２３％であり、２５％であり、３０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、６０％であり、５５％であり、５０％であり、４５％であり、４０％であり、３７％であり、３５％であり、３３％であり、３０％であり、２７％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１７％であり、１５％であり、１３％であり、１０％である。

さらに、一般式（ｉ−２）で表される化合物は、式（ｉ−２．１）から式（ｉ−２．８）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（ｉ−２．１）、式（ｉ−２．２）、式（ｉ−２．５）、式（ｉ−２．６）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが更に好ましい。

一般式（ｉ）で表される化合物は、以下の一般式（ｉ−３）で表される化合物が好ましい。

（式中Ｒ^ｉａおよびＲ^ｉｂはそれぞれ独立して炭素原子数２〜８個のアルケニル基を表す。）
一般式（ｉ−３）において、Ｒ^ｉａおよびＲ^ｉｂはそれぞれ独立して、直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。

本発明の液晶組成物の総量に対しての式（ｉ−３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、５％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％であり、２３％であり、２５％であり、３０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、６０％であり、５５％であり、５０％であり、４５％であり、４０％であり、３７％であり、３５％であり、３３％であり、３０％であり、２７％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１７％であり、１５％であり、１３％であり、１０％である。

さらに、一般式（ｉ−３）で表される化合物は、式（ｉ−３．１）から式（ｉ−３．３）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

一般式（ｉ）で表される化合物は、以下の一般式（ｉ−４）で表される化合物が好ましい。

（式中Ｒ^ｉａおよびＲ^ｉｂはそれぞれ独立して炭素原子数２〜８個のアルケニル基を表す。）
一般式（ｉ−４）において、Ｒ^ｉａおよびＲ^ｉｂはそれぞれ独立して、直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。

本発明の液晶組成物の総量に対しての式（ｉ−４）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、５％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％であり、２３％であり、２５％であり、３０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、６０％であり、５５％であり、５０％であり、４５％であり、４０％であり、３７％であり、３５％であり、３３％であり、３０％であり、２７％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１７％であり、１５％であり、１３％であり、１０％である。

さらに、一般式（ｉ−４）で表される化合物は、式（ｉ−４．１）から式（ｉ−４．２）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（ｉ−４．１）で表される化合物がより好ましい。

一般式（ｉ）で表される化合物は、以下の一般式（ｉ−５）で表される化合物が好ましい。

（式中Ｒ^ｉａおよびＲ^ｉｂはそれぞれ独立して炭素原子数２〜８個のアルケニル基を表す。）
一般式（ｉ−５）において、Ｒ^ｉａおよびＲ^ｉｂはそれぞれ独立して、直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。

本発明の液晶組成物の総量に対しての式（ｉ−５）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、５％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％であり、２３％であり、２５％であり、３０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、６０％であり、５５％であり、５０％であり、４５％であり、４０％であり、３７％であり、３５％であり、３３％であり、３０％であり、２７％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１７％であり、１５％であり、１３％であり、１０％である。

さらに、一般式（ｉ−５）で表される化合物は、式（ｉ−５．１）から式（ｉ−５．３）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

本発明に係る一般式（ｉｉ）で表される化合物は、正の化合物（Δεの値が２より大きい）であることが好ましい。

一般式（ｉｉ）において、Ｒ^ｉｉ１は、炭素原子数１〜８のアルキル基または炭素原子数２〜８のアルケニル基を表すことが好ましい。

一般式（ｉｉ）において、Ｋ^ｉｉ１およびＫ^ｉｉ２はそれぞれ独立して、１，４−シクロヘキシレン基（基中の１個または非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−によって置換されていても良い。）または１，４−フェニレン基を表すことが好ましく、当該基中の水素原子はそれぞれ独立して、フッ素原子で置換されていても良い。

一般式（ｉｉ）において、Ｋ^ｉｉ０は、１，４−シクロヘキシレン基（基中の１個または非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−によって置換されていても良い。）または１，４−フェニレン基を表すことが好ましい。

一般式（ｉｉ）において、Ｚ^ｉｉ１、Ｚ^ｉｉ２またはＺ^ｉｉ３のいずれか一つが、単結合、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−または−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ−を表し、ｎ^ｉｉｋが０の場合は、Ｚ^ｉｉ１およびＺ^ｉｉ２のうちいずれか一つは、−ＯＣＨ_２−または−ＣＨ_２Ｏ−を表し、ｎ^ｉｉｋが１以上の場合は、Ｚ^ｉｉ１、Ｚ^ｉｉ２およびＺ^ｉｉ３のうちいずれか一つは、−ＯＣＨ_２−または−ＣＨ_２Ｏ−を表し、Ｚ^ｉｉ１、Ｚ^ｉｉ２またはＺ^ｉｉ３のいずれか一つが、単結合、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−または−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ−を表し、かつＺ^ｉｉ１、Ｚ^ｉ２またはＺ^ｉｉ３のうちいずれか一つは、−ＯＣＨ_２−または−ＣＨ_２Ｏ−を表すことがより好ましい。

一般式（ｉｉ）において、ｎ^ｉｉｋは、０、１または２を表すことが好ましく、かつｎ^ｉｉｋが２以上場合、Ｋ^ｉｉ２は同一でも良く、異なっていても良く、ｎ^ｉｉｋが０または１を表すことがより好ましい。誘電率、Δｎの観点からベンゼン環が３つ（以上）含まれていることが好ましい。

一般式（ｉｉ）において、Ｘ^ｉｉ３またはＸ^ｉｉ４のいずれか２つ以上がフッ素原子を表すことがより好ましい。

一般式（ｉｉ）において、Ｙ^ｉｉ１は、フッ素原子、トリフルオロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基、２，２，２−トリフルオロエチル基または炭素原子数１〜５個のアルコキシ基（基中の１個以上の−ＣＨ_２−ＣＨ_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−によって置換されていても良い）であることが好ましく、フッ素原子、トリフルオロメチル基またはトリフルオロメトキシ基であることがより好ましい。

本発明の液晶組成物の総量に対しての一般式（ｉｉ）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、４０％であり、３７％であり、３５％であり、３２％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

本発明に係る一般式（ｉｉ）で表される化合物は、その構造中に下記の部分構造を有していることが好ましい。

（式中の黒点は上記部分構造が結合している環構造中の炭素原子を表す。）
上記部分構造を有する化合物として、一般式（ｉｉ−１）〜（ｉｉ−９）で表される化合物群から選択される少なくとも一種であることが好ましい。

一般式（ｉｉ−１）で表される化合物は下記のものである。

（式中、Ｘ^{ｉｉ１１１}およびＸ^{ｉｉ１１２}はそれぞれ独立してフッ素原子または水素原子を表し、Ｙ^{ｉｉ１１１}はフッ素原子、塩素原子またはＯＣＦ_３を表し、Ｒ^{ｉｉ１１１}は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｗ^{ｉｉ１１１}およびＷ^{ｉｉ１１２}はそれぞれ独立して、−ＣＨ_２−または−Ｏ−を表す。）
一般式（ｉｉ−１）において、Ｗ^{ｉｉ１１１}またはＷ^{ｉｉ１１２}の少なくとも一つ以上が−Ｏ−の場合、Ｘ^{ｉｉ１１１}及びＸ^{ｉｉ１１２}が、フッ素原子であることが好ましい。

本発明の液晶組成物の総量に対しての一般式（ｉｉ−１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

本発明の液晶組成物の粘度を低く保ち、応答速度が速い組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。さらに、焼き付きの発生しにくい組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値を高めに、上限値を高めにすることが好ましい。

さらに、本発明の液晶組成物に使用される一般式（ｉｉ−１）で表される化合物は、具体的には式（ｉｉ−１．１）から式（ｉｉ−１．１２）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（ｉｉ−１．５）から式（ｉｉ−１．１２）で表される化合物を含有することが好ましい。

本発明の液晶組成物の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

一般式（ｉｉ−２）で表される化合物は下記のものである。

（式中、Ｘ^{ｉｉ１２１}〜Ｘ^{ｉｉ１２４}はそれぞれ独立してフッ素原子または水素原子を表し、Ｙ^{ｉｉ１２１}はフッ素原子、塩素原子またはＯＣＦ_３を表し、Ｒ^{ｉｉ１２１}は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表す。）
本発明の液晶組成物の総量に対しての一般式（ｉｉ−２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

さらに、本発明の液晶組成物に使用される一般式（ｉｉ−２）で表される化合物は、具体的には式（ｉｉ−２．１）から式（ｉｉ−２．８）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（ｉｉ−２．１）から式（ｉｉ−２．４）で表される化合物を含有することが好ましい。

一般式（ｉｉ−３）で表される化合物は下記のものである。

（式中、Ｘ^{ｉｉ１３１}およびＸ^{ｉｉ１３２}はそれぞれ独立してフッ素原子または水素原子を表し、Ｙ^{ｉｉ１３１}はフッ素原子、塩素原子またはＯＣＦ_３を表し、Ｒ^{ｉｉ１３１}は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｗ^{ｉｉ１３１}およびＷ^{ｉｉ１３２}はそれぞれ独立して、−ＣＨ_２−またはＯ−を表す。）
本発明の液晶組成物の総量に対しての一般式（ｉｉ−３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

さらに、本発明の液晶組成物に使用される一般式（ｉｉ−３）で表される化合物は、具体的には式（ｉｉ−３．１）から式（ｉｉ−３．１２）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（ｉｉ−３．５）から式（ｉｉ−３．８）で表される化合物を含有することが好ましい。

一般式（ｉｉ−４）で表される化合物は下記のものである。

（式中、Ｘ^{ｉｉ１４１}〜Ｘ^{ｉｉ１４４}はそれぞれ独立してフッ素原子または水素原子を表し、Ｙ^{ｉｉ１４１}はフッ素原子、塩素原子またはＯＣＦ_３を表し、Ｒ^{ｉｉ１４１}は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｗ^{ｉｉ１４１}およびＷ^{ｉｉ１４２}はそれぞれ独立して、−ＣＨ_２−または−Ｏ−を表す。）
一般式（ｉｉ−４）において、Ｗ^{ｉｉ１４１}またはＷ^{ｉｉ１４２}の少なくとも一つ以上が−Ｏ−の場合、Ｘ^{ｉｉ１４３}及びＸ^{ｉｉ１４４}が、フッ素原子であることが好ましい。

本発明の液晶組成物の総量に対しての一般式（ｉｉ−４）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

さらに、本発明の液晶組成物に使用される一般式（ｉｉ−４）で表される化合物は、具体的には式（ｉｉ−４．１）から式（ｉｉ−４．２８）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（ｉｉ−４．１）から（ｉｉ−４．４）、（ｉｉ−４．１１）から（ｉｉ−４．１８）、（ｉｉ−４．２１）から（ｉｉ−４．２８）で表される化合物を含有することが好ましく、式（ｉｉ−４．１）から（ｉｉ−４．４）、（ｉｉ−４．１１）から（ｉｉ−４．１４）、（ｉｉ−４．２５）から（ｉｉ−４．２８）で表される化合物を含有することがより好ましい。

一般式（ｉｉ−５）で表される化合物は下記のものである。

（式中、Ｘ^{ｉｉ１５１}〜Ｘ^{ｉｉ１５４}はそれぞれ独立してフッ素原子または水素原子を表し、Ｙ^{ｉｉ１５１}はフッ素原子、塩素原子またはＯＣＦ_３を表し、Ｒ^{ｉｉ１５１}は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｗ^{ｉｉ１５１}およびＷ^{ｉｉ１５２}はそれぞれ独立して、−ＣＨ_２−またはＯ−を表す。）
本発明の液晶組成物の総量に対しての一般式（ｉｉ−５）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

さらに、本発明の液晶組成物に使用される一般式（ｉｉ−５）で表される化合物は、具体的には式（ｉｉ−５．１）から式（ｉｉ−５．８）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（ｉｉ−５．５）および式（ｉｉ−５．８）で表される化合物を含有することが好ましい。

一般式（ｉｉ−６）で表される化合物は下記のものである。

（式中、Ｘ^{ｉｉ１６１}およびＸ^{ｉｉ１６２}はそれぞれ独立してフッ素原子または水素原子を表し、Ｙ^{ｉｉ１６１}はフッ素原子、塩素原子またはＯＣＦ_３を表し、Ｒ^{ｉｉ１６１}は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｗ^{ｉｉ１６１}およびＷ^{ｉｉ１６２}はそれぞれ独立して、−ＣＨ_２−またはＯ−を表す。）
本発明の液晶組成物の総量に対しての一般式（ｉｉ−６）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

さらに、本発明の液晶組成物に使用される一般式（ｉｉ−６）で表される化合物は、具体的には式（ｉｉ−６．１）から式（ｉｉ−６．１４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（ｉｉ−６．５）から式（ｉｉ−６．８）、式（ｉｉ−６．１１）から式（ｉｉ−６．１４）で表される化合物を含有することが好ましい。

一般式（ｉｉ−７）で表される化合物は下記のものである。

（式中、Ｘ^{ｉｉ１７１}〜Ｘ^{ｉｉ１７４}はそれぞれ独立してフッ素原子または水素原子を表し、Ｙ^{ｉｉ１７１}はフッ素原子、塩素原子またはＯＣＦ_３を表し、Ｒ^{ｉｉ１７１}は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表す。）
本発明の液晶組成物の総量に対しての一般式（ｉｉ−７）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

さらに、本発明の液晶組成物に使用される一般式（ｉｉ−７）で表される化合物は、具体的には式（ｉｉ−７．１）から式（ｉｉ−７．８）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（ｉｉ−７．１）から式（ｉｉ−７．４）で表される化合物を含有することが好ましい。

一般式（ｉｉ−８）で表される化合物は下記のものである。

（式中、Ｘ^{ｉｉ１８１}〜Ｘ^{ｉｉ１８４}はそれぞれ独立してフッ素原子または水素原子を表し、Ｙ^{ｉｉ１８１}はフッ素原子、塩素原子またはＯＣＦ_３を表し、Ｒ^{ｉｉ１８１}は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｗ^{ｉｉ１８１}およびＷ^{ｉｉ１８２}はそれぞれ独立して、−ＣＨ_２−または−Ｏ−を表す。）
一般式（ｉｉ−８）において、Ｗ^{ｉｉ１８１}およびＷ^{ｉｉ１８２}の少なくとも一方が−Ｏ−であることが好ましい。Ｗ^{ｉｉ１８１}およびＷ^{ｉｉ１８２}の少なくとも一方に−Ｏ−を導入すると、誘電率異方性および弾性定数Ｋ１１を上昇させることができる。溶解性を重視する場合はＷ^{ｉｉ１８１}およびＷ^{ｉｉ１８２}の一方のみが−Ｏ−である事が好ましく、誘電率異方性を重視する場合はＷ^{ｉｉ１８１}およびＷ^{ｉｉ１８２}の両方が−Ｏ−である事が好ましく、いずれの場合も、Ｘ^{ｉｉ１８１}もしくはＸ^{ｉｉ１８２}のいずれか、またはＸ^{ｉｉ１８１}およびＸ^{ｉｉ１８２}両方をフッ素に置換することで、更に高い誘電率異方性と高い溶解性を得ることができるが、両方をフッ素原子に置換した場合、弾性定数Ｋ１１の上昇効果はいくらか減殺される。

一般式（ｉｉ−８）において、Ｘ^{ｉｉ１８３}およびＸ^{ｉｉ１８４}の少なくとも一方はフッ素原子であることが好ましく、両方がフッ素原子であることが更に好ましい。Ｗ^{ｉｉ１８１}およびＷ^{ｉｉ１８２}の両方が−ＣＨ_２−であっても、Ｘ^{ｉｉ１８１}およびＸ^{ｉｉ１８２}のいずれかまたは両方をフッ素に置換することで、高い誘電率異方性と高い溶解性を得ることができるが、その場合、弾性定数Ｋ１１は−○−を導入した化合物よりも有意に低下する。この弾性定数の低下は、ＴＮディスプレイにおいては閾値電圧の低下、ＩＰＳディスプレイおよびＦＦＳディスプレイにおいては駆動電圧の低下に加えて、透過率の低下、戻りの応答速度の悪化をもたらす場合があるため、Ｗ^{ｉｉ１８１}およびＷ^{ｉｉ１８２}、並びに、Ｘ^{ｉｉ１８１}およびＸ^{ｉｉ１８２}は目的に応じて適宜選択される。Ｙ^{ｉｉ１８１}はフッ素原子、−ＯＣＦ_３、−ＣＦ_３、炭素原子数２以上のフッ化アルキル基であることが好ましく、フッ素である事が特に好ましい。

本発明の液晶組成物の総量に対しての一般式（ｉｉ−８）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１２％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

さらに、本発明の液晶組成物に使用される一般式（ｉｉ−８）で表される化合物は、具体的には式（ｉｉ−８．１）から式（ｉｉ−８．５２）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（ｉｉ−８．２１）から式（ｉｉ−８．３２）、式（ｉｉ−８．４１）から式（ｉｉ−８．４８）で表される化合物を含有することが好ましい。

一般式（ｉｉ−９）で表される化合物は下記のものである。

（式中、Ｘ^{ｉｉ１９１}〜Ｘ^{ｉｉ１９６}はそれぞれ独立してフッ素原子または水素原子を表し、Ｙ^{ｉｉ１９１}はフッ素原子、塩素原子またはＯＣＦ_３を表し、Ｒ^{ｉｉ１９１}は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表す。）
上記一般式（ｉｉ−９）において、Ｘ^{ｉｉ１９１}またはＸ^{ｉｉ１９２}が水素原子であることが好ましい。

上記一般式（ｉｉ−９）において、Ｘ^{ｉｉ１９３}またはＸ^{ｉｉ１９４}のいずれか一方がフッ素原子であることが好ましい。

上記一般式（ｉｉ−９）において、Ｘ^{ｉｉ１９５}およびＸ^{ｉｉ１９６}がフッ素原子であることが好ましい。

上記一般式（ｉｉ−９）において、Ｙ^{ｉｉ１９１}はフッ素原子であることが好ましい。

本発明の液晶組成物の総量に対しての一般式（ｉｉ−９）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

さらに、本発明の液晶組成物に使用される一般式（ｉｉ−９）で表される化合物は、具体的には式（ｉｉ−９．１）から式（ｉｉ−９．１２）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（ｉｉ−９．５）から式（ｉｉ−９．８）で表される化合物を含有することが好ましい。

本発明に係る一般式（ｉｉｉ）で表される化合物は、正の化合物（Δεの値が２より大きい）であることが好ましい。

一般式（ｉｉｉ）において、Ｒ^ｉｉｉ１は、直鎖状または分岐状が好ましく、直鎖状がより好ましい。また前記Ｒ^ｉｉｉ１は、炭素原子数１〜８個のアルキル基、炭素原子数２〜８個のアルケニル基または炭素原子数１〜８のアルコキシ基が好ましく、素原子数１〜６個のアルキル基、炭素原子数２〜６個のアルケニル基または炭素原子数１〜６のアルコキシ基がより好ましい。

一般式（ｉｉｉ）において、ｎ^ｉｉｉ１は、０、１、２または３を表すことが好ましく、ｎ^ｉｉｉ１は、０、１または２を表すことがより好ましい。ｎ^ｉｉｉ１が２以上の整数の場合であってＡ^ｉｉｉ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ｎ^ｉｉｉ１が２以上の整数あってＺ^ｉｉｉ１が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良い。

一般式（ｉｉｉ）において、Ａ^Ｋ１およびＡ^Ｋ２はそれぞれ独立して、１，４−フェニレン基を表すことが好ましく、上記のフェニレン基上の水素原子はそれぞれ独立して、フッ素原子で置換されていても良い。これにより、組成物全体のΔｎを大幅に向上することができる。

一般式（ｉｉｉ）において、Ｚ^Ｋ１およびＺ^Ｋ２はそれぞれ独立して単結合、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−またはＣ≡Ｃ−を表すことが好ましい。

一般式（ｉｉｉ）において、Ｘ^Ｋ１およびＸ^Ｋ３はそれぞれ独立して水素原子またはフッ素原子を表すことが好ましい。

一般式（ｉｉｉ）において、Ｙ^Ｋ２は、水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基または２，２，２−トリフルオロエチル基を表すことが好ましい。

本発明の液晶組成物の総量に対しての一般式（ｉｉｉ）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、４０％であり、３７％であり、３５％であり、３２％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

一般式（ｉｉｉ）で表される化合物は、例えば一般式（ｉｉｉ−１）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^{ｉｉｉ１１}は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｘ^{ｉｉｉ１１}〜Ｘ^{ｉｉｉ１４}はそれぞれ独立して水素原子またはフッ素原子を表し、Ｙ^{ｉｉｉ１１}はフッ素原子またはＯＣＦ_３を表す。）
組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの所望の性能に応じて組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類以上である。

本発明の液晶組成物の総量に対しての式（ｉｉｉ−１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％であり、２２％であり、２５％であり、３０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

本発明の液晶組成物の粘度を低く保ち、応答速度が速い組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。さらに、本発明の液晶組成物のＴｎｉを高く保ち、温度安定性の良い組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値を高めに、上限値を高めにすることが好ましい。

さらに、一般式（ｉｉｉ−１）で表される化合物は、具体的には式（ｉｉｉ−１．１）から式（ｉｉｉ−１．４）で表される化合物であることが好ましく、式（ｉｉｉ−１．１）または式（ｉｉｉ−１．２）で表される化合物が好ましく、式（ｉｉｉ−１．２）で表される化合物がさらに好ましい。また、式（ｉｉｉ−１．１）または式（ｉｉｉ−１．２）で表される化合物を同時に使用することも好ましい。

一般式（ｉｉｉ）で表される化合物は、例えば一般式（ｉｉｉ−２）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^{ｉｉｉ２１}は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｘ^{ｉｉｉ２１}〜Ｘ^{ｉｉｉ２４}はそれぞれ独立して水素原子またはフッ素原子を表し、Ｙ^{ｉｉｉ２１}はフッ素原子またはＯＣＦ_３を表す。）
組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの所望の性能に応じて組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類以上である。

本発明の液晶組成物の総量に対しての式（ｉｉｉ−２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％であり、２２％であり、２５％であり、３０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

さらに、一般式（ｉｉｉ−２）で表される化合物は、具体的には式（ｉｉｉ−２．１）から式（ｉｉｉ−２．６）で表される化合物であることが好ましく、式（ｉｉｉ−２．５）または式（ｉｉｉ−２．６）で表される化合物が好ましく、式（ｉｉｉ−２．６）で表される化合物がさらに好ましい。また、式（ｉｉｉ−２．５）または式（ｉｉｉ−２．６）で表される化合物を同時に使用することも好ましい。

一般式（ｉｉｉ）で表される化合物は、例えば一般式（ｉｉｉ−３）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^{ｉｉｉ３１}は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｘ^{ｉｉｉ３１}〜Ｘ^{ｉｉｉ３６}はそれぞれ独立して水素原子またはフッ素原子を表し、Ｙ^{ｉｉｉ３１}はフッ素原子またはＯＣＦ_３を表す。）
組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの所望の性能に応じて組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類以上である。

本発明の液晶組成物の総量に対しての式（ｉｉｉ−３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％であり、２２％であり、２５％であり、３０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

さらに、一般式（ｉｉｉ−３）で表される化合物は、具体的には式（ｉｉｉ−３．１）から式（ｉｉｉ−３．４）で表される化合物であることが好ましく、式（ｉｉｉ−３．１）または式（ｉｉｉ−３．２）で表される化合物であることがより好ましい。また、式（ｉｉｉ−３．１）および式（ｉｉｉ−３．２）で表される化合物を同時に使用することも好ましい。

一般式（ｉｉｉ）で表される化合物は、例えば一般式（ｉｉｉ−４）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^{ｉｉｉ４１}は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｘ^{ｉｉｉ４１}〜Ｘ^{ｉｉｉ４６}はそれぞれ独立して水素原子またはフッ素原子を表し、Ｙ^{ｉｉｉ４１}はフッ素原子またはＯＣＦ_３を表し、Ｚ^{ｉｉｉ４１}は−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−またはＣＦ_２Ｏ−を表す。）
組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの所望の性能に応じて組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類以上である。

本発明の液晶組成物の総量に対しての式（ｉｉｉ−４）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、８％であり、９％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％であり、２２％であり、２５％であり、３０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１２％であり、８％であり、５％である。

さらに、一般式（ｉｉｉ−４）で表される化合物は、具体的には式（ｉｉｉ−４．１）から式（ｉｉｉ−４．１８）で表される化合物であることが好ましく、式（ｉｉｉ−４．１）、式（ｉｉｉ−４．２）、式（ｉｉｉ−４．１１）、（ｉｉｉ−４．１２）で表される化合物がより好ましい。また、式（ｉｉｉ−４．１）、式（ｉｉｉ−４．２）、式（ｉｉｉ−４．１１）、（ｉｉｉ−４．１２）で表される化合物を同時に使用することも好ましい。

本発明の液晶組成物の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、９％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１２％であり、８％であり、５％である。

一般式（ｉｉｉ）で表される化合物は、例えば一般式（ｉｉｉ−５）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^{ｉｉｉ５１}は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｘ^{ｉｉｉ５１}〜Ｘ^{ｉｉｉ５６}はそれぞれ独立して水素原子またはフッ素原子を表し、Ｙ^{ｉｉｉ５１}はフッ素原子またはＯＣＦ_３を表し、Ｚ^{ｉｉｉ５１}は−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−またはＣＦ_２Ｏ−を表す。）
組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの所望の性能に応じて組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類以上である。

本発明の液晶組成物の総量に対しての式（ｉｉｉ−５）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％であり、２２％であり、２５％であり、３０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

さらに、一般式（ｉｉｉ−５）で表される化合物は、具体的には式（ｉｉｉ−５．１）から式（ｉｉｉ−５．１８）で表される化合物であることが好ましく、式（ｉｉｉ−５．１１）から式（ｉｉｉ−５．１４）で表される化合物が好ましく、式（ｉｉｉ−５．１２）で表される化合物がさらに好ましい。

本発明の液晶組成物の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、６％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

一般式（ｉｉｉ）で表される化合物は、例えば一般式（ｉｉｉ−６）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^{ｉｉｉ６１}は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｘ^{ｉｉｉ６１}〜Ｘ^{ｉｉｉ６８}はそれぞれ独立して水素原子またはフッ素原子を表し、Ｙ^{ｉｉｉ６１}はフッ素原子またはＯＣＦ_３を表し、Ｚ^{ｉｉｉ６１}は単結合、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−またはＣＦ_２Ｏ−を表す。）
組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの所望の性能に応じて組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類以上である。

本発明の液晶組成物の総量に対しての式（ｉｉｉ−６）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％であり、２２％であり、２５％であり、３０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

さらに、一般式（ｉｉｉ−６）で表される化合物は、具体的には式（ｉｉｉ−６．１）から式（ｉｉｉ−６．１８）で表される化合物であることが好ましく、式（ｉｉｉ−６．１５）から式（ｉｉｉ−６．１８）で表される化合物が好ましく、式（ｉｉｉ−６．１６）および式（ｉｉｉ−６．１７）で表される化合物がさらに好ましい。また、式（ｉｉｉ−６．１６）と式（ｉｉｉ−６．１７）で表される化合物を同時に使用することも好ましい。

本発明に係る液晶組成物は、必要に応じて一般式（Ｌ）で表される化合物を１種類または２種類以上含有することもできる。一般式（Ｌ）で表される化合物は誘電的にほぼ中性の化合物（Δεの値が−２〜５、好ましくは−２〜２）に該当する。

（式中、Ｒ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個または非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−またはＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
ＯＬは０、１、２または３を表し、
Ｂ^Ｌ１、Ｂ^Ｌ２およびＢ^Ｌ３はそれぞれ独立して
（ａ）１，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−または隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）および
（ｂ）１，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝または隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子または塩素原子で置換されていても良く、
Ｌ^Ｌ１およびＬ^Ｌ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−またはＣ≡Ｃ−を表し、
ＯＬが２または３であってＬ^Ｌ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ＯＬが２または３であってＢ^Ｌ３が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良いが、ただし、一般式（ｉ）で表される化合物、一般式（ｉｉ）で表される化合物および一般式（ｉｉｉ）で表される化合物を除く。）
一般式（Ｌ）で表される化合物は単独で用いてもよいが、組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの所望の性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類である。あるいは本発明の別の実施形態では２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類であり、６種類であり、７種類であり、８種類であり、９種類であり、１０種類以上である。

本発明の液晶組成物において、一般式（Ｌ）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。

本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、１０％であり、２０％であり、３０％であり、４０％であり、５０％であり、５５％であり、６０％であり、６５％であり、７０％であり、７５％であり、８０％である。好ましい含有量の上限値は、９５％であり、８５％であり、７５％であり、６５％であり、５５％であり、４５％であり、３５％であり、２５％である。

本発明の液晶組成物の粘度を低く保ち、応答速度が速い組成物が必要な場合は上記の下限値が高く上限値が高いことが好ましい。さらに、本発明の液晶組成物のＴｎｉを高く保ち、温度安定性の良い組成物が必要な場合は上記の下限値が高く上限値が高いことが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値を低く上限値が低いことが好ましい。

信頼性を重視する場合にはＲ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２はともにアルキル基であることが好ましく、粘性の低下を重視する場合には少なくとも一方はアルケニル基であることが好ましい。

Ｒ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２は、それが結合する環構造がフェニル基（芳香族）である場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基および炭素原子数４〜５のアルケニル基が好ましく、それが結合する環構造がシクロヘキサン、ピランおよびジオキサンなどの飽和した環構造の場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基および直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。

本発明に係る一般式（Ｌ）で表される化合物は、下記の一般式（Ｌ−１）〜一般式（Ｌ−９）で表される化合物群より少なくとも１種または２種以上選ばれることが好ましい。

一般式（Ｌ）で表される化合物は一般式（Ｌ−１）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｌ１１およびＲ^Ｌ１２はそれぞれ独立して、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基および直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基を表す。但し、一般式（ｉ）で表される化合物を除く。）
組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

好ましい含有量の下限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１５％であり、２０％であり、２５％であり、３０％であり、３５％であり、４０％であり、４５％であり、５０％であり、５５％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、９５％であり、９０％であり、８５％であり、８０％であり、７５％であり、７０％であり、６５％であり、６０％であり、５５％であり、５０％であり、４５％であり、４０％であり、３５％であり、３０％であり、２５％である。

本発明の液晶組成物の粘度を低く保ち、応答速度が速い組成物が必要な場合は上記の下限値が高く上限値が高いことが好ましい。さらに、本発明の液晶組成物のＴｎｉを高く保ち、温度安定性の良い組成物が必要な場合は上記の下限値が中庸で上限値が中庸であることが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値を低く上限値が低いことが好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−１）で表される化合物は一般式（Ｌ−１−１）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中Ｒ^Ｌ１２は一般式（Ｌ−１）における意味と同じ意味を表す。）
さらに、一般式（Ｌ−１−１）で表される化合物は、式（Ｌ−１−１．１）から式（Ｌ−１−１．３）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｌ−１−１．２）または式（Ｌ−１−１．３）で表される化合物であることが好ましく、特に、式（Ｌ−１−１．３）で表される化合物であることが好ましい。

本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−１−１．３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、２０％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、７％であり、６％であり、５％であり、３％である。

さらに、一般式（Ｌ−１）で表される化合物は一般式（Ｌ−１−２）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中Ｒ^Ｌ１２は一般式（Ｌ−１）における意味と同じ意味を表す。）
本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−１−２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、５％であり、１０％であり、１５％であり、２０％であり、３０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、６０％であり、５５％であり、５０％であり、４５％であり、４０％であり、３５％であり、３３％であり、３０％である。

さらに、一般式（Ｌ−１−２）で表される化合物は、式（Ｌ−１−２．１）から式（Ｌ−１−２．４）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｌ−１−２．２）から式（Ｌ−１−２．４）で表される化合物であることが好ましい。特に、式（Ｌ−１−２．２）で表される化合物は本発明の液晶組成物の応答速度を特に改善するため好ましい。また、応答速度よりも高いＴｎｉを求めるときは、式（Ｌ−１−２．３）または式（Ｌ−１−２．４）で表される化合物を用いることが好ましい。式（Ｌ−１−２．３）および式（Ｌ−１−２．４）で表される化合物の含有量は、低温での溶解度を良くするために３０％以上にすることは好ましくない。

本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−１−２．２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１０％であり、１５％であり、２０％であり、２５％であり、２７％であり、３０％であり、３５％であり、４０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、６０％であり、５５％であり、５０％であり、４５％であり、４３％であり、４０％であり、３８％であり、３５％であり、３２％であり、３０％であり、２７％であり、２５％であり、２２％である。

本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−１−１．３）で表される化合物および式（Ｌ−１−２．２）で表される化合物の合計の好ましい含有量の下限値は、１０％であり、１５％であり、２０％であり、２５％であり、２７％であり、３０％であり、３５％であり、４０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、６０％であり、５５％であり、５０％であり、４５％であり、４３％であり、４０％であり、３８％であり、３５％であり、３２％であり、３０％であり、２７％であり、２５％であり、２２％である。

さらに、一般式（Ｌ−１）で表される化合物は一般式（Ｌ−１−３）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中Ｒ^Ｌ１１およびＲ^Ｌ１２は一般式（Ｌ−１）における意味と同じ意味を表す。）
組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて組み合わせる。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類である。

本発明の液晶組成物において、一般式（Ｌ−１−３）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。

本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−１−３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、５％であり、１０％であり、１５％であり、２０％であり、３０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、６０％であり、５５％であり、５０％であり、４５％であり、４０％であり、３５％であり、３３％であり、３０％である。

さらに、一般式（Ｌ−１−３）で表される化合物は、式（Ｌ−１−３．１）から式（Ｌ−１−３．４）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｌ−１−３．１）、式（Ｌ−１−３．３）または式（Ｌ−１−３．４）で表される化合物であることが好ましい。特に、式（Ｌ−１−３．１）で表される化合物は本発明の液晶組成物の応答速度を特に改善するため好ましい。また、応答速度よりも高いＴｎｉを求めるときは、式（Ｌ−１−３．３）または式（Ｌ−１−３．４）で表される化合物を用いることが好ましい。式（Ｌ−１−３．３）および式（Ｌ−１−３．４）で表される化合物の含有量は、低温での溶解度を良くするために２０％以上にすることは好ましくない。

本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−１−３．１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、２０％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、７％であり、６％であり、５％であり、３％である。

さらに、一般式（Ｌ）で表される化合物は一般式（Ｌ−２）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｌ２１は炭素原子数１〜５のアルキル基または炭素原子数２〜５のアルケニル基を表し、Ｒ^Ｌ２２は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表す。）
組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて組み合わせる。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類である。

本発明の液晶組成物において、一般式（Ｌ−２）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。

低温での溶解性を重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、反対に、応答速度を重視する場合は含有量を少なめに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、２０％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、７％であり、６％であり、５％であり、３％である。

さらに、一般式（Ｌ−２）で表される化合物は、式（Ｌ−２．１）から式（Ｌ−２．６）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｌ−２．３）、式（Ｌ−２．４）および式（Ｌ−２．６）で表される化合物であることが好ましい。

さらに、一般式（Ｌ）で表される化合物は一般式（Ｌ−３）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｌ３１およびＲ^Ｌ３２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表す。）
組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて組み合わせる。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類である。

本発明の液晶組成物において、一般式（Ｌ−３）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。

本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、２５％であり、２０％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、７％であり、６％であり、５％であり、３％である。

高い複屈折率を得る場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、反対に、高いＴｎｉを重視する場合は含有量を少なめに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−３）で表される化合物は、式（Ｌ−３．１）から式（Ｌ−３．４）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｌ−３．２）から式（Ｌ−３．４）で表される化合物であることが好ましい。

さらに、一般式（Ｌ）で表される化合物は、例えば一般式（Ｌ−４）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（Ｒ^Ｌ４１は炭素原子数１〜５のアルキル基または炭素原子数２〜５のアルケニル基を表し、Ｒ^Ｌ４２は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表す。但し、一般式（ｉ）で表される化合物を除く。）
組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて組み合わせる。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類以上である。

本発明の液晶組成物において、一般式（Ｌ−４）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。

本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−４）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１４％であり、１６％であり、２０％であり、２３％であり、２６％であり、３０％であり、３５％であり、４０％である。本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−４）で表される化合物の好ましい含有量の上限値は、５０％であり、４５％であり、４０％であり、３５％であり、３０％であり、２０％であり、１５％であり、１０％であり、５％である。

さらに、一般式（Ｌ−４）で表される化合物は、例えば式（Ｌ−４．１）から式（Ｌ−４．３）で表される化合物であることが好ましい。

低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、式（Ｌ−４．１）で表される化合物を含有していても、式（Ｌ−４．２）で表される化合物を含有していても、式（Ｌ−４．１）で表される化合物と式（Ｌ−４．２）で表される化合物との両方を含有していても良いし、式（Ｌ−４．１）から式（Ｌ−４．３）で表される化合物を全て含んでいても良い。本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−４．１）または式（Ｌ−４．２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、３％であり、５％であり、７％であり、９％であり、１１％であり、１２％であり、１３％であり、１８％であり、２１％である。好ましい上限値は、４５％であり、４０％であり、３５％であり、３０％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％である。

式（Ｌ−４．１）で表される化合物と式（Ｌ−４．２）で表される化合物との両方を含有する場合、本発明の液晶組成物の総量に対しての両化合物の好ましい含有量の下限値は、１５％であり、１９％であり、２４％であり、３０％である。好ましい上限値は、４５％であり、４０％であり、３５％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％である。

さらに、一般式（Ｌ−４）で表される化合物は、例えば式（Ｌ−４．４）から式（Ｌ−４．６）で表される化合物であることが好ましい。

低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、式（Ｌ−４．４）で表される化合物を含有していても、式（Ｌ−４．５）で表される化合物を含有していても、式（Ｌ−４．４）で表される化合物と式（Ｌ−４．５）で表される化合物との両方を含有していても良い。

本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−４．４）または式（Ｌ−４．５）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、３％であり、５％であり、７％であり、９％であり、１１％であり、１２％であり、１３％であり、１８％であり、２１％である。好ましい上限値は、４５％であり、４０％であり、３５％であり、３０％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％である。

さらに、一般式（Ｌ−４）で表される化合物は、例えば式（Ｌ−４．７）から式（Ｌ−４．１０）で表される化合物であることが好ましく、特に、式（Ｌ−４．９）で表される化合物が好ましい。

さらに、一般式（Ｌ）で表される化合物は、一般式（Ｌ−５）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（Ｒ^Ｌ５１は炭素原子数１〜５のアルキル基または炭素原子数２〜５のアルケニル基を表し、Ｒ^Ｌ５２は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表す。但し、一般式（ｉ）で表される化合物を除く。）
組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて組み合わせる。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類以上である。

本発明の液晶組成物において、一般式（Ｌ−５）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。

本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−５）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１４％であり、１６％であり、２０％であり、２３％であり、２６％であり、３０％であり、３５％であり、４０％である。本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−５）で表される化合物の好ましい含有量の上限値は、５０％であり、４０％であり、３５％であり、３０％であり、２０％であり、１５％であり、１０％であり、５％である
さらに、一般式（Ｌ−５）で表される化合物は、例えば式（Ｌ−５．１）または式（Ｌ−５．２）で表される化合物であることが好ましく、特に、式（Ｌ−５．１）で表される化合物であることが好ましい。本発明の液晶組成物の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％である。これら化合物の好ましい含有量の上限値は、２０％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、９％であり、８％である。

さらに、一般式（Ｌ−５）で表される化合物は、たとえば式（Ｌ−５．３）または式（Ｌ−５．４）で表される化合物であることが好ましい。本発明の液晶組成物の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％である。これら化合物の好ましい含有量の上限値は、２０％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、９％であり、６％である。

さらに、一般式（Ｌ−５）で表される化合物は、たとえば式（Ｌ−５．５）から式（Ｌ−５．７）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、特に式（Ｌ−５．７）で表される化合物であることが好ましい。本発明の液晶組成物の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％である。これら化合物の好ましい含有量の上限値は、２０％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、９％である。

更に、一般式（Ｌ）で表される化合物は、一般式（Ｌ−６）で表される群より選ばれるであることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｌ６１およびＲ^Ｌ６２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜５のアルキル基または炭素原子数２〜５のアルケニル基を表し、Ｘ^Ｌ６１およびＸ^Ｌ６２はそれぞれ独立して水素原子またはフッ素原子を表す。）
組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて組み合わせる。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類以上である。

本発明の液晶組成物において、一般式（Ｌ−６）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。

本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−６）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１４％であり、１６％であり、２０％であり、２３％であり、２６％であり、３０％であり、３５％であり、４０％である。本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−６）で表される化合物の好ましい含有量の上限値は、５０％であり、４５％であり、４０％であり、３８％であり、３５％であり、３２％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２０％であり、１５％であり、１０％であり、５％である。

さらに、一般式（Ｌ−６）で表される化合物は、例えば式（Ｌ−６．１）から式（Ｌ−６．９）で表される化合物であることが好ましい。

組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、これらの化合物の中から１種〜３種類含有することが好ましく、１種〜４種類含有することがさらに好ましい。また、選ぶ化合物の分子量分布が広いことも溶解性に有効であるため、例えば、式（Ｌ−６．１）または（Ｌ−６．２）で表される化合物から１種類、式（Ｌ−６．４）または（Ｌ−６．５）で表される化合物から１種類、式（Ｌ−６．６）または式（Ｌ−６．７）で表される化合物から１種類、式（Ｌ−６．８）または（Ｌ−６．９）で表される化合物から１種類の化合物を選び、これらを適宜組み合わせることが好ましい。その中でも、式（Ｌ−６．１）、式（Ｌ−６．３）式（Ｌ−６．４）、式（Ｌ−６．６）および式（Ｌ−６．９）で表される化合物を含むことが好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−６）で表される化合物は、例えば式（Ｌ−６．１０）から式（Ｌ−６．２５）で表される化合物であることが好ましく、その中でも、式（Ｌ−６．１０）、式（Ｌ−６．１１）、式（Ｌ−６．１２）、式（Ｌ−６．１３）、式（Ｌ−６．１８）および式（Ｌ−６．１９）で表される化合物であることが好ましい。

本発明の液晶組成物の総量に対してのこれら化合物（式（Ｌ−６．１）〜式（Ｌ−６．２５））の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１２％である。これら化合物の好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２５％であり、２０％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、９％である。

さらに、一般式（Ｌ）で表される化合物は、一般式（Ｌ−７）で表される群より選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｌ７１およびＲ^Ｌ７２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ａ^Ｌ７１およびＡ^Ｌ７２はそれぞれ独立して１,４-シクロヘキシレン基または１,４-フェニレン基を表すが、Ａ^Ｌ７１およびＡ^Ｌ７２上の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子によって置換されていてもよく、Ｑ^Ｌ７１は単結合またはＣＯＯ−を表し、Ｘ^Ｌ７１およびＸ^Ｌ７２はそれぞれ独立してフッ素原子または水素原子を表す。但し、一般式（ｉ）で表される化合物を除く。）
組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて組み合わせる。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類である。

本発明の液晶組成物において、一般式（Ｌ−７）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。

本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−７）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１４％であり、１６％であり、２０％である。本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−７）で表される化合物の好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１０％であり、５％である。

本発明の液晶組成物が高いＴｎｉの実施形態が望まれる場合は式（Ｌ−７）で表される化合物の含有量を多めにすることが好ましく、低粘度の実施形態が望まれる場合は含有量を少なめにすることが好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、式（Ｌ−７．１）から式（Ｌ−７．４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｌ−７．２）で表される化合物であることが好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、式（Ｌ−７．１１）から式（Ｌ−７．１３）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｌ−７．１１）で表される化合物であることが好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、式（Ｌ−７．２１）から式（Ｌ−７．２３）で表される化合物である。式（Ｌ−７．２１）で表される化合物であることが好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、式（Ｌ−７．３１）から式（Ｌ−７．３４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｌ−７．３１）または／および式（Ｌ−７．３２）で表される化合物であることが好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、式（Ｌ−７．４１）から式（Ｌ−７．４４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｌ−７．４１）または／および式（Ｌ−７．４２）で表される化合物であることが好ましい。

また、当該第一成分としての一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、以下の一般式（Ｌ−７−１）で表される化合物を少なくとも１種類または２種以上含むことが好ましい。

（上記一般式（Ｌ−７−１）中、Ｒ^Ｌ７２はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜１０個のアルキル基、炭素原子数２〜１０個のアルケニル基および炭素原子数１〜１０個のアルコキシ基からなる群から選択される一つの基である。）
液晶組成物の耐光性、耐熱性または焼き付きといった信頼性の向上の観点から一般式（Ｌ−７−１）で表される化合物を含むことが好ましい。

さらに、前記一般式（１）で表される化合物は、式（Ｌ−７．４５）〜式（Ｌ−７．４９）で表される化合物であることが特に好ましい。

一般式（Ｌ）で表される化合物は、下記の一般式（Ｌ−８）で表される群より選ばれるであることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｌ８１およびＲ^Ｌ８２はそれぞれ独立して一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２と同じ意味を表し、Ａ^Ｌ８１は一般式（Ｌ）におけるＡ^Ｌ１と同じ意味または単結合を表すが、Ａ^Ｌ８１上の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子によって置換されていてもよく、Ｘ^Ｌ８１〜Ｘ^Ｌ８６はそれぞれ独立してフッ素原子または水素原子を表す。）
式中、Ｒ^Ｌ８１およびＲ^Ｌ８２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、Ａ^Ｌ８１は１,４-シクロヘキシレン基または１,４-フェニレン基が好ましく、Ａ^Ｌ７１およびＡ^Ｌ７２上の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子によって置換されていてもよく、一般式（Ｌ−８）中の同一の環構造上にフッ素原子は０個または１個が好ましく、分子内にフッ素原子は０個または１個であることが好ましい。

組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて組み合わせる。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類である。

本発明の液晶組成物において、一般式（Ｌ−８）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。

本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−８）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１４％であり、１６％であり、２０％である。本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−８）で表される化合物の好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１０％であり、５％である。

本発明の液晶組成物が高いＴｎｉの実施形態が望まれる場合は式（Ｌ−８）で表される化合物の含有量を多めにすることが好ましく、低粘度の実施形態が望まれる場合は含有量を少なめにすることが好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−８）で表される化合物は、式（Ｌ−８．１）から式（Ｌ−８．４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｌ−８．３）、式（Ｌ−８．５）、式（Ｌ−８．６）、式（Ｌ−８．１３）、式（Ｌ−８．１６）から式（Ｌ−８．１８）、式（Ｌ−８．２３）から式（Ｌ−８．２８）で表される化合物であることがより好ましい。

一般式（Ｌ）で表される化合物は、下記の一般式（Ｌ−９）で表される群より選ばれることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｌ９１およびＲ^Ｌ９２は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表す。）
本発明の液晶組成物の総量に対しての一般式（Ｌ−９）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、７％であり、９％であり、１０％であり、１２％であり、１５％であり、１７％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

末端にアリルエーテル基を有する液晶化合物は、液晶組成物の構成成分として良好な特性を有するが、信頼性に問題があった。しかしながら、一般式（Ｌ−９）で表される化合物は、アリルエーテル基を有するベンゼン環の特定の位置をジフッ素化することにより、骨格本来の優れた特性を損なわずに、信頼性を著しく向上させ、さらに相溶性を改善し、粘性を低下させる。さらに、誘電率異方性としては、側鎖の基の種類により、若干の正の誘電率異方性（５以下）を帯びる場合があるが、本明細書では中性の液晶化合物の構成成分として分類している。

また、一般式（Ｌ−９）中のＲ^Ｌ９２においてフッ素原子に置換したアルキル基やアルケニル基（例えばビニル基）を選択する場合等は、正の誘電率異方性を付与することが可能である。例えば一般式（Ｌ−９）で表される化合物は、単独で４０〜１１０℃の範囲で液晶相を示し、Δｎが０．２６程度であり、フロー粘度が２５ｍＰａ・ｓ程度と低く、誘電率異方性が＋４〜５程度であり、さらに液晶組成物の成分として用いた場合に極めて良好な相溶性を有する。

さらに、本発明の液晶組成物に使用される一般式（Ｌ−９）で表される化合物は、具体的には式（Ｌ−９．１）から式（Ｌ−９．２４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｌ−９．５）、式（Ｌ−９．６）、式（Ｌ−９．１３）及び式（Ｌ−９．１４）で表される化合物を含有することが好ましい。

本発明の液晶組成物の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、６％であり、７％であり、８％であり、９％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

本発明に係る液晶組成物は、必要に応じて一般式（Ｊ）で表される化合物を１種類または２種類以上含有することが好ましい。これら化合物は誘電的に正の化合物（Δεが２より大きい。）に該当する。

（式中、Ｒ^Ｊ１は炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個または非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−またはＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
ｎ^Ｊ１は、０、１、２、３または４を表し、
Ａ^Ｊ１、Ａ^Ｊ２およびＡ^Ｊ３はそれぞれ独立して、
（ａ）１，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−または隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）
（ｂ）１，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝または隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）および
（ｃ）（ｃ）ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基またはデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基または１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝または隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）および基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子、塩素原子、メチル基、トリフルオロメチル基またはトリフルオロメトキシ基で置換されていても良く、
Ｚ^Ｊ１およびＺ^Ｊ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−またはＣ≡Ｃ−を表し、
ｎ^Ｊ１が２、３または４であってＡ^Ｊ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ｎ^Ｊ１が２、３または４であってＺ^Ｊ１が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、
Ｘ^Ｊ１は、水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基または２，２，２−トリフルオロエチル基を表すが、一般式（ｉ）、（ｉｉ）、（ｉｉｉ）および一般式（Ｌ）で表される化合物を除く。）
一般式（Ｊ）中、Ｒ^Ｊ１は、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基、炭素原子数２〜８のアルケニル基または炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基、炭素原子数２〜５のアルケニル基または炭素原子数２〜５のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基または炭素原子数２〜５のアルケニル基が更に好ましく、炭素原子数２〜５のアルキル基または炭素原子数２〜３のアルケニル基が更に好ましく、炭素原子数３のアルケニル基（プロペニル基）が特に好ましい。

信頼性を重視する場合にはＲ^Ｊ１はアルキル基であることが好ましく、粘性の低下を重視する場合にはアルケニル基であることが好ましい。

また、それが結合する環構造がフェニル基（芳香族）である場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基および炭素原子数４〜５のアルケニル基が好ましく、それが結合する環構造がシクロヘキサン、ピランおよびジオキサンなどの飽和した環構造の場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基および直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。ネマチック相を安定化させるためには炭素原子および存在する場合酸素原子の合計が５以下であることが好ましく、直鎖状であることが好ましい。

アルケニル基としては、式（Ｒ１）から式（Ｒ５）のいずれかで表される基から選ばれることが好ましい。（各式中の黒点はアルケニル基が結合している環構造中の炭素原子を表す。）

Ａ^Ｊ１、Ａ^Ｊ２およびＡ^Ｊ３はそれぞれ独立してΔｎを大きくすることが求められる場合には芳香族であることが好ましく、応答速度を改善するためには脂肪族であることが好ましく、トランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ピペリジン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基または１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基を表すことが好ましく、それらはフッ素原子により置換されていてもよく、下記の構造を表すことがより好ましく、

下記の構造を表すことがより好ましい。

Ｚ^Ｊ１およびＺ^Ｊ２はそれぞれ独立して−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−または単結合を表すことが好ましく、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−または単結合が更に好ましく、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−または単結合が特に好ましい。

Ｘ^Ｊ１はフッ素原子またはトリフルオロメトキシ基が好ましく、フッ素原子が好ましい。

ｎ^Ｊ１は、０、１、２または３が好ましく、０、１または２が好ましく、Δεの改善に重点を置く場合には０または１が好ましく、Ｔｎｉを重視する場合には1または２が好ましい。

組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの所望の性能に応じて組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類である。またさらに、本発明の別の実施形態では４種類であり、５種類であり、６種類であり、７種類以上である。

本発明の液晶組成物において、一般式（Ｊ）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。

本発明の液晶組成物の総量に対しての一般式（Ｊ）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、１０％であり、２０％であり、３０％であり、４０％であり、５０％であり、５５％であり、６０％であり、６５％であり、７０％であり、７５％であり、８０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、例えば本発明の一つの形態では９５％であり、８５％であり、７５％であり、６５％であり、５５％であり、４５％であり、３５％であり、２５％である。

一般式（Ｊ）で表される化合物としては一般式（Ｍ）で表される化合物が好ましい。

本発明の液晶組成物は、一般式（Ｍ）で表される化合物を１種類または２種類以上含有することが好ましい。これら化合物は誘電的に正の化合物（Δεが２より大きい。）に該当する。

前記一般式（Ｍ）で表される化合物は、

（式中、Ｒ^Ｍ１は炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個または非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−またはＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
ＰＭは、０、１、２、３または４を表し、
Ｃ^Ｍ１およびＣ^Ｍ２はそれぞれ独立して、
（ｄ）１，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−または隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−またはＳ−に置き換えられてもよい。）および
（ｅ）１，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝または隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ｄ）および基（ｅ）上の水素原子はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子または塩素原子で置換されていても良く、
Ｋ^Ｍ１およびＫ^Ｍ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−またはＣ≡Ｃ−を表し、
ＰＭが２、３または４であってＫ^Ｍ１が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ＰＭが２、３または４であってＣ^Ｍ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、
Ｘ^Ｍ１およびＸ^Ｍ３はそれぞれ独立して水素原子、塩素原子またはフッ素原子を表し、
Ｘ^Ｍ２は、水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基または２，２，２−トリフルオロエチル基を表す。ただし、一般式（Ｌ）で表される化合物、一般式（ｉ）で表される化合物、一般式（ｉｉ）で表される化合物、一般式（ｉｉｉ）および一般式（Ｌ）で表される化合物を除く。）
組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの所望の性能に応じて組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類である。またさらに、本発明の別の実施形態では４種類であり、５種類であり、６種類であり、７種類以上である。

本発明の液晶組成物において、一般式（Ｍ）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。

本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｍ）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、１０％であり、２０％であり、３０％であり、４０％であり、５０％であり、５５％であり、６０％であり、６５％であり、７０％であり、７５％であり、８０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、例えば本発明の一つの形態では９５％であり、８５％であり、７５％であり、６５％であり、５５％であり、４５％であり、３５％であり、２５％である。

信頼性を重視する場合にはＲ^Ｍ１はアルキル基であることが好ましく、粘性の低下を重視する場合にはアルケニル基であることが好ましい。

Ｒ^Ｍ１は、それが結合する環構造がフェニル基（芳香族）である場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基および炭素原子数４〜５のアルケニル基が好ましく、それが結合する環構造がシクロヘキサン、ピランおよびジオキサンなどの飽和した環構造の場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基および直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。

一般式（Ｍ）で表される化合物は組成物の化学的な安定性が求められる場合には塩素原子をその分子内に有さないことが好ましい。更に液晶組成物内に塩素原子を有する化合物が５％以下であることが好ましく、３％以下であることが好ましく、１％以下であることが好ましく、０．５％以下であることが好ましく、実質的に含有しないことが好ましい。実質的に含有しないとは、化合物製造時の不純物として生成した化合物等の意図せず塩素原子を含む化合物のみが組成物に混入することを意味する。

一般式（Ｍ）で表される化合物は、例えば一般式（Ｍ−１）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｍ１１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｘ^Ｍ１１からＸ^Ｍ１５はそれぞれ独立して水素原子またはフッ素原子を表し、Ｙ^Ｍ１１はフッ素原子またはＯＣＦ_３を表す。）
組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの所望の性能に応じて組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類以上である。

本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｍ−１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％であり、２２％であり、２５％であり、３０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

さらに、一般式（Ｍ−１）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ−１．１）から式（Ｍ−１．４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｍ−１．１）または式（Ｍ−１．２）で表される化合物が好ましく、式（Ｍ−１．２）で表される化合物がさらに好ましい。また、式（Ｍ−１．１）または式（Ｍ−１．２）で表される化合物を同時に使用することも好ましい。

本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｍ−１．１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、６％である。好ましい含有量の上限値は、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｍ−１．２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、６％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％である。

本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｍ−１．１）および式（Ｍ−１．２）で表される化合物の合計の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、６％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％である。

さらに、一般式（Ｍ）で表される化合物は、例えば一般式（Ｍ−２）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｍ２１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｘ^Ｍ２１およびＸ^Ｍ２２はそれぞれ独立して水素原子またはフッ素原子を表し、Ｙ^Ｍ２１はフッ素原子、塩素原子またはＯＣＦ_３を表す。）
本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｍ−１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％であり、２２％であり、２５％であり、３０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

本発明の液晶組成物の粘度を低く保ち、応答速度が速い組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。さらに、本発明の液晶組成物のＴｎｉを高く保ち、焼きつきの発生しにくい組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値を高めに、上限値を高めにすることが好ましい。

さらに、一般式（Ｍ−２）で表される化合物は、式（Ｍ−２．１）から式（Ｍ−２．５）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｍ−２．３）または／および式（Ｍ−２．５）で表される化合物であることが好ましい。

本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｍ−２．２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、６％である。好ましい含有量の上限値は、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｍ−２．３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、６％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％である。

本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｍ−２．５）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、６％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％である。

本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｍ−２．２）、（Ｍ−２．３）および式（Ｍ−２．５）で表される化合物の合計の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、６％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％である。

含有量は、本発明の液晶組成物の総量に対して１％以上であることが好ましく、５％以上がより好ましく、８％以上がさらに好ましく、１０％以上がさらに好ましく、１４％以上がさらに好ましく、１６％以上が特に好ましい。また、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性などを考慮して、最大比率を３０％以下にとどめることが好ましく、２５％以下がさらに好ましく、２２％以下がより好ましく、２０％未満が特に好ましい。

本発明の液晶組成物に使用される一般式（Ｍ）で表される化合物は、一般式（Ｍ−３）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｍ３１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｘ^Ｍ３１からＸ^Ｍ３６はそれぞれ独立して水素原子またはフッ素原子を表し、Ｙ^Ｍ３１はフッ素原子、塩素原子またはＯＣＦ_３を表す。）
組み合わせることのできる化合物に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などを考慮して１種から２種類以上組み合わせることが好ましい。

一般式（Ｍ−３）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの特性を考慮して実施形態ごとに上限値と下限値がある。

本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｍ−３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

さらに、本発明の液晶組成物に使用される一般式（Ｍ−３）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ−３．１）から式（Ｍ−３．４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−３．１）および／または式（Ｍ−３．２）で表される化合物を含有することが好ましい。

本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｍ−３．１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｍ−３．２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｍ−３．１）および式（Ｍ−３．２）で表される化合物の合計の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

さらに、一般式（Ｍ）で表される化合物は、一般式（Ｍ−４）で表される群より選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｍ４１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｘ^Ｍ４１からＸ^Ｍ４８はそれぞれ独立してフッ素原子または水素原子を表し、Ｙ^Ｍ４１はフッ素原子、塩素原子またはＯＣＦ_３を表す。）
組み合わせることのできる化合物に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などを考慮して１種、２種または３種類以上組み合わせることが好ましい。

一般式（Ｍ−４）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの特性を考慮して実施形態ごとに上限値と下限値がある。

本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｍ−４）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

本発明の液晶組成物が、セルギャップの小さい液晶表示素子用に用いられる場合は、一般式（Ｍ−４）で表される化合物の含有量を多めにすることが適している。駆動電圧の小さい液晶表示素子用に用いられる場合は、一般式（Ｍ−４）で表される化合物の含有量を多めにすることが適している。また、低温の環境で用いられる液晶表示素子用に用いられる場合は一般式（Ｍ−４）で表される化合物の含有量を少なめにすることが適している。応答速度の速い液晶表示素子に用いられる液晶組成物である場合は、一般式（Ｍ−４）で表される化合物の含有量を少なめにすることが適している。

さらに、本発明の液晶組成物に使用される一般式（Ｍ−４）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ−４．１）から式（Ｍ−４．４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−４．２）から式（Ｍ−４．４）で表される化合物を含有することが好ましく、式（Ｍ−４．２）で表される化合物を含有することがより好ましい。

さらに、一般式（Ｍ）で表される化合物は、一般式（Ｍ−５）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｍ５１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｘ^Ｍ５１およびＸ^Ｍ５２はそれぞれ独立して水素原子またはフッ素原子を表し、Ｙ^Ｍ５１はフッ素原子、塩素原子またはＯＣＦ_３を表す。）
組み合わせることのできる化合物の種類に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などを考慮して、実施形態ごとに適宜組み合わせて使用する。例えば、本発明の一つの実施形態では１種類、別の実施形態では２種類、さらに別の実施形態では３種類、またさらに別の実施形態では４種類、またさらに別の実施形態では５種類、またさらに別の実施形態では６種類以上組み合わせる。

本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｍ−５）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％であり、２２％であり、２５％であり、３０％である。好ましい含有量の上限値は、５０％であり、４５％であり、４０％であり、３５％であり、３３％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

さらに、一般式（Ｍ−５）で表される化合物は、式（Ｍ−５．１）から式（Ｍ−５．４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｍ−５．１）から式（Ｍ−５．４）で表される化合物であることが好ましい。

本発明の液晶組成物の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

さらに、一般式（Ｍ−５）で表される化合物は、式（Ｍ−５．１１）から式（Ｍ−５．１７）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｍ−５．１１）、式（Ｍ−５．１３）および式（Ｍ−５．１７）で表される化合物であることが好ましい。

さらに、一般式（Ｍ−５）で表される化合物は、式（Ｍ−５．２１）から式（Ｍ−５．２８）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｍ−５．２１）、式（Ｍ−５．２２）、式（Ｍ−５．２３）および式（Ｍ−５．２５）で表される化合物であることが好ましい。

本発明の液晶組成物の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％であり、２２％であり、２５％であり、３０％である。好ましい含有量の上限値は、４０％であり、３５％であり、３３％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

さらに、一般式（Ｍ）で表される化合物は、一般式（Ｍ−６）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｍ６１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｘ^Ｍ６１からＸ^Ｍ６４はそれぞれ独立してフッ素原子または水素原子を表し、Ｙ^Ｍ６１はフッ素原子、塩素原子またはＯＣＦ_３を表す。）
組み合わせることのできる化合物の種類に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などを考慮して実施形態ごとに適宜組み合わせる。

本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｍ−６）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

本発明の液晶組成物が、駆動電圧の小さい液晶表示素子用に用いられる場合は、一般式（Ｍ−６）で表される化合物の含有量を多めにすることが適している。また応答速度の速い液晶表示素子に用いられる液晶組成物である場合は、一般式（Ｍ−６）で表される化合物の含有量を少なめにすることが適している。

さらに、一般式（Ｍ−６）で表される化合物は具体的には式（Ｍ−６．１）から式（Ｍ−６．４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−６．２）および式（Ｍ−６．４）で表される化合物を含有することが好ましい。

さらに、一般式（Ｍ−６）で表される化合物は具体的には式（Ｍ−６．１１）から式（Ｍ−６．１４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−６．１２）および式（Ｍ−６．１４）で表される化合物を含有することが好ましい。

さらに、一般式（Ｍ−６）で表される化合物は具体的には式（Ｍ−６．２１）から式（Ｍ−６．２４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−６．２１）、式（Ｍ−６．２２）および式（Ｍ−６．２４）で表される化合物を含有することが好ましい。

さらに、一般式（Ｍ−６）で表される化合物は具体的には式（Ｍ−６．３１）から式（Ｍ−６．３４）で表される化合物が好ましい。中でも式（Ｍ−６．３１）および式（Ｍ−６．３２）で表される化合物を含有することが好ましい。

さらに、一般式（Ｍ−６）で表される化合物は具体的には式（Ｍ−６．４１）から式（Ｍ−６．４４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−６．４２）で表される化合物を含有することが好ましい。

更に、一般式（Ｍ）で表される化合物は、一般式（Ｍ−７）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｘ^Ｍ７１からＸ^Ｍ７６はそれぞれ独立してフッ素原子または水素原子を表し、Ｒ^Ｍ７１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｙ^Ｍ７１はフッ素原子またはＯＣＦ_３を表す。）
組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、これらの化合物の中から１種〜２種類含有することが好ましく、１種〜３種類含有することがより好ましく、１種〜４種類含有することが更に好ましい。

一般式（Ｍ−７）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの特性を考慮して実施形態ごとに上限値と下限値がある。

本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｍ−７）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

本発明の液晶組成物が、セルギャップの小さい液晶表示素子用に用いられる場合は、一般式（Ｍ−７）で表される化合物の含有量を多めにすることが適している。駆動電圧の小さい液晶表示素子用に用いられる場合は、一般式（Ｍ−７）で表される化合物の含有量を多めにすることが適している。また、低温の環境で用いられる液晶表示素子用に用いられる場合は一般式（Ｍ−７）で表される化合物の含有量を少なめにすることが適している。応答速度の速い液晶表示素子に用いられる液晶組成物である場合は、一般式（Ｍ−７）で表される化合物の含有量を少なめにすることが適している。

さらに、一般式（Ｍ−７）で表される化合物は、式（Ｍ−７．１）から式（Ｍ−７．４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｍ−７．２）で表される化合物であることが好ましい。

さらに、一般式（Ｍ−７）で表される化合物は、式（Ｍ−７．１１）から式（Ｍ−７．１４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｍ−７．１１）および式（Ｍ−７．１２）で表される化合物であることが好ましい。

さらに、一般式（Ｍ−７）で表される化合物は、式（Ｍ−７．２１）から式（Ｍ−７．２４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｍ−７．２１）および式（Ｍ−７．２２）で表される化合物であることが好ましい。

さらに、一般式（Ｍ）で表される化合物は、一般式（Ｍ−８）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｘ^Ｍ８１からＸ^Ｍ８４はそれぞれ独立してフッ素原子または水素原子を表し、Ｙ^Ｍ８１はフッ素原子、塩素原子またはＯＣＦ_３を表し、Ｒ^Ｍ８１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ａ^Ｍ８１およびＡ^Ｍ８２はそれぞれ独立して、１，４−シクロヘキシレン基、１,４-フェニレン基または

を表すが、１,４-フェニレン基上の水素原子はフッ素原子によって置換されていてもよい。）
本発明の液晶組成物の総量に対しての一般式（Ｍ−８）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

さらに、本発明の液晶組成物に使用される一般式（Ｍ−８）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ−８．１）から式（Ｍ−８．４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−８．１）および式（Ｍ−８．２）で表される化合物を含有することが好ましい。

さらに、本発明の液晶組成物に使用される一般式（Ｍ−８）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ−８．１１）から式（Ｍ−８．１４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−８．１２）で表される化合物を含有することが好ましい。

さらに、本発明の液晶組成物に使用される一般式（Ｍ−８）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ−８．２１）から式（Ｍ−８．２４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−８．２２）で表される化合物を含有することが好ましい。

さらに、本発明の液晶組成物に使用される一般式（Ｍ−８）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ−８．３１）から式（Ｍ−８．３４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−８．３２）で表される化合物を含有することが好ましい。

さらに、本発明の液晶組成物に使用される一般式（Ｍ−８）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ−８．４１）から式（Ｍ−８．４４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−８．４２）で表される化合物を含有することが好ましい。

さらに、本発明の液晶組成物に使用される一般式（Ｍ−８）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ−８．５１）から式（Ｍ−８．５４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−８．５２）で表される化合物を含有することが好ましい。

本発明の液晶組成物の総量に対しての一般式（ｉ）、一般式（ｉｉ）および一般式（ｉｉｉ）、で表される化合物の合計の好ましい含有量の下限値は、７０％であり、７５％であり、７８％であり、８０％であり、８８％、９０％であり、９３％であり、９４％であり、９５％であり、９６％であり、９７％であり、９８％であり、９９％であり、１００％である。好ましい含有量の上限値は、１００％であり、９９％であり、９８％であり、９５％、９０％である。

本発明の液晶組成物の総量に対しての一般式（ｉ）、一般式（ｉｉ）または一般式（ｉｉｉ）、一般式（Ｌ）および（Ｊ）で表される化合物の合計の好ましい含有量の下限値は、８０％であり、８５％であり、８８％であり、９０％であり、９２％であり、９３％であり、９４％であり、９５％であり、９６％であり、９７％であり、９８％であり、９９％であり、１００％である。好ましい含有量の上限値は、１００％であり、９９％であり、９８％であり、９５％である。

本発明の液晶組成物の総量に対しての一般式（ｉ）、一般式（ｉｉ）または一般式（ｉｉｉ）、一般式（Ｌ−１）から（Ｌ−９）および（Ｍ−１）から（Ｍ−８）で表される化合物の合計の好ましい含有量の下限値は、８０％であり、８５％であり、８８％であり、９０％であり、９２％であり、９３％であり、９４％であり、９５％であり、９６％であり、９７％であり、９８％であり、９９％であり、１００％である。好ましい含有量の上限値は、１００％であり、９９％であり、９８％であり、９５％である。

本願発明の液晶組成物は、分子内に過酸（−ＣＯ−ＯＯ−）構造等の酸素原子同士が結合した構造を持つ化合物を含有しないことが好ましい。

組成物の信頼性および長期安定性を重視する場合にはカルボニル基を有する化合物の含有量を前記液晶組成物の総質量に対して５％以下とすることが好ましく、３％以下とすることがより好ましく、１％以下とすることが更に好ましく、実質的に含有しないことが最も好ましい。

ＵＶ照射による安定性を重視する場合、塩素原子が置換している化合物の含有量を前記液晶組成物の総質量に対して１５％以下とすることが好ましく、１０％以下とすることが好ましく、８％以下とすることが好ましく、５％以下とすることがより好ましく、３％以下とすることが好ましく、実質的に含有しないことが更に好ましい。

分子内の環構造がすべて６員環である化合物の含有量を多くすることが好ましく、分子内の環構造がすべて６員環である化合物の含有量を前記液晶組成物の総質量に対して８０％以上とすることが好ましく、９０％以上とすることがより好ましく、９５％以上とすることが更に好ましく、実質的に分子内の環構造がすべて６員環である化合物のみで液晶組成物を構成することが最も好ましい。

液晶組成物の酸化による劣化を抑えるためには、環構造としてシクロヘキセニレン基を有する化合物の含有量を少なくすることが好ましく、シクロヘキセニレン基を有する化合物の含有量を前記液晶組成物の総質量に対して１０％以下とすることが好ましく、８％以下とすることが好ましく、５％以下とすることがより好ましく、３％以下とすることが好ましく、実質的に含有しないことが更に好ましい。

粘度の改善およびＴｎｉの改善を重視する場合には、水素原子がハロゲンに置換されていてもよい２−メチルベンゼン−１，４−ジイル基を分子内に持つ化合物の含有量を少なくすることが好ましく、前記２−メチルベンゼン−１，４−ジイル基を分子内に持つ化合物の含有量を前記液晶組成物の総質量に対して１０％以下とすることが好ましく、８％以下とすることが好ましく、５％以下とすることがより好ましく、３％以下とすることが好ましく、実質的に含有しないことが更に好ましい。

本願において実質的に含有しないとは、意図せずに含有する物を除いて含有しないという意味である。

本発明の第一実施形態の液晶組成物に含有される化合物が、側鎖としてアルケニル基を有する場合、前記アルケニル基がシクロヘキサンに結合している場合には当該アルケニル基の炭素原子数は２〜５であることが好ましく、前記アルケニル基がベンゼンに結合している場合には当該アルケニル基の炭素原子数は４〜５であることが好ましく、前記アルケニル基の不飽和結合とベンゼンは直接結合していないことが好ましい。

本発明の液晶組成物には、ＰＳモード、横電界型ＰＳＡモードまたは横電界型ＰＳＶＡモードなどの液晶表示素子を作製するために、重合性化合物を含有することができる。使用できる重合性化合物として、光などのエネルギー線により重合が進行する光重合性モノマーなどが挙げられ、構造として、例えば、ビフェニル誘導体、ターフェニル誘導体などの六員環が複数連結した液晶骨格を有する重合性化合物などが挙げられる。更に具体的には、一般式（ＸＸ）

（式中、Ｘ^２０１およびＸ^２０２はそれぞれ独立して、水素原子またはメチル基を表し、
Ｓｐ^２０１およびＳｐ^２０２はそれぞれ独立して、単結合、炭素原子数１〜８のアルキレン基またはＯ−（ＣＨ_２）_ｓ−（式中、ｓは２から７の整数を表し、酸素原子は芳香環に結合するものとする。）が好ましく、
Ｚ^２０１は−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２−ＯＣＯ−、−ＣＹ^１＝ＣＹ^２−（式中、Ｙ^１およびＹ^２はそれぞれ独立して、フッ素原子または水素原子を表す。）、−Ｃ≡Ｃ−または単結合を表し、
Ｍ^２０１は１，４−フェニレン基、トランス−１，４−シクロヘキシレン基または単結合を表し、式中の全ての１，４−フェニレン基は、任意の水素原子がフッ素原子により置換されていても良い。）で表される二官能モノマーが好ましい。

Ｘ^２０１およびＸ^２０２は、何れも水素原子を表すジアクリレート誘導体、何れもメチル基を有するジメタクリレート誘導体の何れも好ましく、一方が水素原子を表しもう一方がメチル基を表す化合物も好ましい。これらの化合物の重合速度は、ジアクリレート誘導体が最も早く、ジメタクリレート誘導体が遅く、非対称化合物がその中間であり、その用途により好ましい態様を用いることができる。ＰＳＡ表示素子においては、ジメタクリレート誘導体が特に好ましい。

Ｓｐ^２０１およびＳｐ^２０２はそれぞれ独立して、単結合、炭素原子数１〜８のアルキレン基またはＯ−（ＣＨ_２）_ｓ−を表すが、ＰＳＡ表示素子においては少なくとも一方が単結合であることが好ましく、共に単結合を表す化合物または一方が単結合でもう一方が炭素原子数１〜８のアルキレン基またはＯ−（ＣＨ_２）_ｓ−を表す態様が好ましい。この場合１〜４のアルキル基が好ましく、ｓは１〜４が好ましい。

Ｚ^２０１は、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−または単結合が好ましく、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−または単結合がより好ましく、単結合が特に好ましい。

Ｍ^２０１は任意の水素原子がフッ素原子により置換されていても良い１，４−フェニレン基、トランス−１，４−シクロヘキシレン基または単結合を表すが、１，４−フェニレン基または単結合が好ましい。Ｃが単結合以外の環構造を表す場合、Ｚ^２０１は単結合以外の連結基も好ましく、Ｍ^２０１が単結合の場合、Ｚ^２０１は単結合が好ましい。

これらの点から、一般式（ＸＸ）において、Ｓｐ^２０１およびＳｐ^２０２の間の環構造は、具体的には次に記載する構造が好ましい。

一般式（ＸＸ）において、Ｍ^２０１が単結合を表し、環構造が二つの環で形成される場合において、次の式（ＸＸａ−１）から式（ＸＸａ−５）を表すことが好ましく、式（ＸＸａ−１）から式（ＸＸａ−３）を表すことがより好ましく、式（ＸＸａ−１）を表すことが特に好ましい。

（式中、両端はＳｐ^２０１またはＳｐ^２０２に結合するものとする。）
これらの骨格を含む重合性化合物は重合後の配向規制力がＰＳＡ型液晶表示素子に最適であり、良好な配向状態が得られることから、表示ムラが抑制されるか、または、全く発生しない。

以上のことから、重合性モノマーとしては、一般式（ＸＸ−１）〜一般式（ＸＸ−４）が特に好ましく、中でも一般式（ＸＸ−２）が最も好ましい。

（式中、Ｓｐ^２０は炭素原子数２から５のアルキレン基を表す。）
本発明において、重合性化合物を重合させる方法としては、液晶の良好な配向性能を得るためには、適度な重合速度が望ましいので、紫外線または電子線等の活性エネルギー線を単一または併用または順番に照射することによって重合させる方法が好ましい。紫外線を使用する場合、偏光光源を用いても良いし、非偏光光源を用いても良い。また、重合性化合物含有液晶組成物を２枚の基板間に挟持させて状態で重合を行う場合には、少なくとも照射面側の基板は活性エネルギー線に対して適当な透明性が与えられていなければならない。また、光照射時にマスクを用いて特定の部分のみを重合させた後、電場や磁場または温度等の条件を変化させることにより、未重合部分の配向状態を変化させて、更に活性エネルギー線を照射して重合させるという手段を用いても良い。特に紫外線露光する際には、重合性化合物含有組成物に交流電界を印加しながら紫外線露光することが好ましい。印加する交流電界は、周波数１０Ｈｚから１０ｋＨｚの交流が好ましく、周波数６０Ｈｚから１０ｋＨｚがより好ましく、電圧は液晶表示素子の所望のプレチルト角に依存して選ばれる。

前記照射時の温度は、本発明の液晶組成物の液晶状態が保持される温度範囲内であることが好ましい。室温に近い温度、即ち、典型的には１５〜３５℃での温度で重合させることが好ましい。紫外線を発生させるランプとしては、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ等を用いることができる。また、照射する紫外線の波長としては、液晶組成物の吸収波長域でない波長領域の紫外線を照射することが好ましく、必要に応じて、紫外線をカットして使用することが好ましい。照射する紫外線の強度は、０．１ｍＷ／ｃｍ^２〜１００Ｗ／ｃｍ^２が好ましく、２ｍＷ／ｃｍ^２〜５０Ｗ／ｃｍ^２がより好ましい。照射する紫外線のエネルギー量は、適宜調整することができるが、１０ｍＪ／ｃｍ^２から５００Ｊ／ｃｍ^２が好ましく、１００ｍＪ／ｃｍ^２から２００Ｊ／ｃｍ^２がより好ましい。紫外線を照射する際に、強度を変化させても良い。紫外線を照射する時間は照射する紫外線強度により適宜選択されるが、１０秒から３６００秒が好ましく、１０秒から６００秒がより好ましい。

本発明の液晶組成物にモノマーを添加する場合において、重合開始剤が存在しない場合でも重合は進行するが、重合を促進するために重合開始剤を含有していてもよい。重合開始剤としては、ベンゾインエーテル類、ベンゾフェノン類、アセトフェノン類、ベンジルケタール類、アシルフォスフィンオキサイド類等が挙げられる。

本発明における液晶組成物は、さらに、一般式（Ｑ）で表される化合物を含有することができる。

（式中、Ｒ^Ｑは炭素原子数１から２２の直鎖アルキル基または分岐鎖アルキル基を表し、該アルキル基中の１つまたは２つ以上のＣＨ_２基は、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−で置換されてよく、Ｍ^Ｑはトランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基または単結合を表す。）
Ｒ^Ｑは炭素原子数１から２２の直鎖アルキル基または分岐鎖アルキル基を表し、該アルキル基中の１つまたは２つ以上のＣＨ_２基は、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−で置換されてよいが、炭素原子数１から１０の直鎖アルキル基、直鎖アルコキシ基、１つのＣＨ_２基が−ＯＣＯ−またはＣＯＯ−に置換された直鎖アルキル基、分岐鎖アルキル基、分岐アルコキシ基、１つのＣＨ_２基が−ＯＣＯ−またはＣＯＯ−に置換された分岐鎖アルキル基が好ましく、炭素原子数１から２０の直鎖アルキル基、１つのＣＨ_２基が−ＯＣＯ−またはＣＯＯ−に置換された直鎖アルキル基、分岐鎖アルキル基、分岐アルコキシ基、１つのＣＨ_２基が−ＯＣＯ−またはＣＯＯ−に置換された分岐鎖アルキル基が更に好ましい。Ｍ^Ｑはトランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基または単結合を表すが、トランス−１，４−シクロへキシレン基または１，４−フェニレン基が好ましい。

一般式（Ｑ）で表される化合物は、より具体的には、下記の一般式（Ｑ−ａ）から一般式（Ｑ−ｄ）で表される化合物が好ましい。

式中、Ｒ^Ｑ１は炭素原子数１から１０の直鎖アルキル基または分岐鎖アルキル基が好ましく、Ｒ^Ｑ２は炭素原子数１から２０の直鎖アルキル基または分岐鎖アルキル基が好ましく、Ｒ^Ｑ３は炭素原子数１から８の直鎖アルキル基、分岐鎖アルキル基、直鎖アルコキシ基または分岐鎖アルコキシ基が好ましく、Ｌ^Ｑは炭素原子数１から８の直鎖アルキレン基または分岐鎖アルキレン基が好ましい。一般式（Ｑ−ａ）から一般式（Ｑ−ｄ）で表される化合物中、一般式（Ｑ−ｃ）および一般式（Ｑ−ｄ）で表される化合物が更に好ましい。

本願発明の液晶組成物において、一般式（Ｑ）で表される化合物を１種または２種を含有することが好ましく、１種から５種含有することが更に好ましく、その含有量は０．００１から１％であることが好ましく、０．００１から０．１％が更に好ましく、０．００１から０．０５％が特に好ましい。

本発明の重合性化合物を含有した液晶組成物は、これに含まれる重合性化合物が紫外線照射により重合することで液晶配向能が付与され、組成物の複屈折を利用して光の透過光量を制御する液晶表示素子に使用される。

本発明の液晶組成物を用いた液晶表示素子は高速応答と表示不良の抑制を両立させた有用なものであり、特に、アクティブマトリックス駆動用液晶表示素子に有用であり、ＶＡモード、ＰＳＶＡモード、ＰＳＡモード、ＩＰＳモード、ＦＦＳモードまたはＥＣＢモード用液晶表示素子に適用できる。当該液晶表示素子として、ＡＭ−ＬＣＤ（アクティブマトリックス液晶表示素子）、ＴＮ（ネマチック液晶表示素子）、ＳＴＮ−ＬＣＤ（超ねじれネマチック液晶表示素子）、ＯＣＢ−ＬＣＤ、ＩＰＳ−ＬＣＤ（インプレーンスイッチング液晶表示素子）およびＦＦＳ−ＬＳＤ（フリンジフィールドスイッチング液晶表示素子）に有用であるが、ＡＭ−ＬＣＤに特に有用であり、透過型あるいは反射型の液晶表示素子に用いることができる。

より具体的には、本発明に係る液晶表示素子は、対向に配置された第一の基板および第二の基板と、前記第一の基板と前記第二の基板との間に充填された本発明の液晶組成物を含有する液晶層と、前記第一の基板上に、共通電極、マトリクス状に配置される複数個のゲートバスラインおよびデータバスライン、前記ゲートバスラインとデータバスラインとの交差部に設けられる薄膜トランジスタならびに前記薄膜トランジスタにより駆動され前記共通電極との間で基板に対して略平行な電界を形成する画素電極を画素毎に有する電極層と、前記液晶層と前記第一の基板および前記第二の基板との間にそれぞれ形成されたホモジニアス配向を誘起する配向膜層と、を有する液晶表示素子であることがより好ましい。換言すると、本発明に係る液晶表示素子は、第一の偏光板と、第一の基板と、共通電極と、絶縁層と、前記薄膜トランジスタを含む電極層と、（第一の）配向膜と、液晶組成物を含む液晶層と、（第二の）配向膜と、カラーフィルターと、第二の基板と、第二の偏光板と、が順次積層された構成であることが好ましい。

本発明の正の誘電率異方性を有する液晶組成物は、大幅に低い粘性や高い弾性定数Ｋａｖｇを得ることができ、低温での溶解性が良好で、比抵抗や電圧保持率が熱や光によって受ける変化が極めて小さいため製品の実用性が高く、これを用いたＩＰＳ型やＦＦＳ型等の液晶表示素子は高速応答を達成できる。

液晶表示素子に使用される液晶セルの２枚の基板はガラスまたはプラスチックの如き柔軟性をもつ透明な材料を用いることができ、一方はシリコン等の不透明な材料でも良い。透明電極層を有する透明基板は、例えば、ガラス板等の透明基板上にインジウムスズオキシド（ＩＴＯ）をスパッタリングすることにより得ることができる。

第一の基板および第二の基板上に設けられるカラーフィルターは、例えば、顔料分散法、印刷法、電着法または、染色法等によって作成することができる。顔料分散法によるカラーフィルターの作成方法を一例に説明すると、カラーフィルター用の硬化性着色組成物を、該透明基板上に塗布し、パターニング処理を施し、そして加熱または光照射により硬化させる。この工程を、赤、緑、青の３色についてそれぞれ行うことで、カラーフィルター用の画素部を作成することができる。その他、該基板上に、ＴＦＴ、薄膜ダイオード、金属絶縁体金属比抵抗素子等の能動素子を設けた画素電極を設置してもよい。

前記基板を、透明電極層が内側となるように対向させる。その際、スペーサーを介して、基板の間隔を調整してもよい。このときは、得られる調光層の厚さが１〜１００μｍとなるように調整するのが好ましい。１．５から１０μｍが更に好ましく、偏光板を使用する場合は、コントラストが最大になるように液晶の屈折率異方性Δｎとセル厚ｄとの積を調整することが好ましい。又、二枚の偏光板がある場合は、各偏光板の偏光軸を調整して視野角やコントラトが良好になるように調整することもできる。更に、視野角を広げるための位相差フィルムも使用することもできる。スペーサーとしては、例えば、ガラス粒子、プラスチック粒子、アルミナ粒子、フォトレジスト材料などからなる柱状スペーサー等が挙げられる。その後、エポキシ系熱硬化性組成物等のシール剤を、液晶注入口を設けた形で該基板にスクリーン印刷し、該基板同士を貼り合わせ、加熱しシール剤を熱硬化させる。

２枚の基板間に重合性化合物含有組成物を狭持させる方法は、通常の真空注入法またはＯＤＦ法などを用いることができるが、真空注入法においては滴下痕が発生しないものの、注入の跡が残る課題を有しているものであるが、本願発明においては、ＯＤＦ法を用いて製造する表示素子により好適に使用することができる。ＯＤＦ法の液晶表示素子製造工程においては、バックプレーンまたはフロントプレーンのどちらか一方の基板にエポキシ系光熱併用硬化性などのシール剤を、ディスペンサーを用いて閉ループ土手状に描画し、その中に脱気下で所定量の液晶組成物を滴下後、フロントプレーンとバックプレーンを接合することによって液晶表示素子を製造することができる。本発明の液晶組成物は、ＯＤＦ工程における液晶組成物の滴下が安定的に行えるため、好適に使用することができる。

以下に実施例を挙げて本発明を更に詳述するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。また、以下の実施例および比較例の液晶組成物における「％」は『質量％』を意味する。

実施例中、測定した特性は以下の通りである。

Ｔ_ＮＩ／℃：ネマチック相−等方性液体相転移温度（℃）
Δｎ：２９８Ｋにおける屈折率異方性
Δε ：２９８Ｋにおける誘電率異方性
η／ｍＰａ・ｓ：２９３Ｋにおける粘度（ｍＰａ・ｓ）
γ_１／ｍＰａ・ｓ：２９８Ｋにおける回転粘度（ｍＰａ・ｓ)
Ｖｔｈ：厚さ６ミクロンのＴＮセルに液晶を封入し、２９８Ｋ、クロスニコル偏光板において電圧を印加した際に透過率が１０％変化する電圧。
Ｋ１１、Ｋ２２、Ｋ３３：２９８Ｋにおける弾性定数。Ｋａｖｅｒａｇｅはそれらの平均値を意味する。Ｋ１１、Ｋ３３は測定装置ＥＣ−１（東陽テクニカ製）を用い、セルギャップが３０μｍである水平配向セルに液晶を封入し３０→０ボルト印加（Ｖ）で得られた静電容量（Ｃ）変化のカーブ（ＣＶカーブ）をフィッティングすることで算出した。Ｋ２２は２０μｍのＴＮセルに同液晶を封入し、同様に電圧を印加して得られたＣＶカーブをフィッティングして閾値電圧（Ｖｃ）を求め、以下の式（１）を用いて算出した。

上記式（１）において、ε_０は真空の誘電率を表す。

ＶＨＲ：
周波数６０Ｈｚ，印加電圧５Ｖの条件下で３３３Ｋにおける電圧保持率（％）耐熱試験後ＶＨＲ：液晶組成物サンプルを封入した電気光学特性評価用ＴＥＧ（テスト・エレメント・グループ）を１３０℃の恒温槽中に１時間保持した後、上述のＶＨＲ測定方法と同条件で測定した。

焼き付き：
液晶表示素子の焼き付き評価は、表示エリア内に所定の固定パターンを任意の試験時間表示させた後に、全画面均一な表示を行ったときの固定パターンの残像が、許容できない残像レベルに達するまでの試験時間を計測した。
１）ここで言う試験時間とは固定パターンの表示時間を示し、この時間が長いほど残像の発生が抑制されており、性能が高いことを示している。
２）許容できない残像レベルとは、出荷合否判定で不合格となる残像が観察されるレベルである。例）サンプルＡ：１０００時間サンプルＢ：５００時間サンプルＣ：２００時間サンプルＤ：１００時間
性能は、Ａ＞Ｂ＞Ｃ＞Ｄである。

滴下痕：
液晶表示装置の滴下痕の評価は、全面黒表示した場合における白く浮かび上がる滴下痕を目視にて以下の５段階評価で行った。

５：滴下痕無し（優）
４：滴下痕ごく僅かに有るも許容できるレベル（良）
３：滴下痕僅かに有り、合否判定のボーダーラインレベル（条件付で可）
２：滴下痕有り許容できないレベル（不可）
１：滴下痕有りかなり劣悪（悪）
プロセス適合性：
プロセス適合性は、ＯＤＦプロセスにおいて、定積計量ポンプを用いて、液晶を１回に５０ｐＬずつ「０〜１００回、１０１〜２００回、２０１〜３００回、・・・・」と１００回ずつ滴下したときの各１００回滴下分の液晶の質量を計測し、質量のバラつきがＯＤＦプロセスに適合できない大きさに達した滴下回数で評価した。
滴下回数が多いほど長時間にわたって安定的に滴下可能であり、プロセス適合性が高いといえる。
例）サンプルＡ：９５０００回
サンプルＢ：４００００回
サンプルＣ：１０００００回
サンプルＤ：１００００回
性能は、Ｃ＞Ａ＞Ｂ＞Ｄである。

低温保存性（ＬＴＳ）：
低温での保存性評価は、液晶組成物を調製後、１ｍＬのサンプル瓶に液晶組成物を０．５ｇ秤量し、これを−２５℃の温度制御式試験槽の中で２４０時間保存して目視にて液晶組成物からの析出物の発生を観察し、析出物が観察されたときの試験時間を計測した。析出発生までの試験時間が長いほど低温での保存性が良好であるといえる。

低温での溶解性：
低温での溶解性評価は、液晶組成物を調製後、２ｍＬのサンプル瓶に液晶組成物を１ｇ秤量し、これに温度制御式試験槽の中で、次の運転状態「−２０℃（１時間保持）→昇温（０．１℃／毎分）→０℃（１時間保持）→昇温（０．１℃／毎分）→２０℃（１時間保持）→降温（−０．１℃／毎分）→０℃（１時間保持）→降温（−０．１℃／毎分）→−２０℃」を１サイクルとして温度変化を与え続け、目視にて液晶組成物からの析出物の発生を観察し、析出物が観察されたときの試験時間を計測した。
試験時間が長いほど長時間にわたって安定して液晶相を保っており、低温での溶解性が良好である。例）サンプルＡ：７２時間サンプルＢ：６００時間サンプルＣ：３８４時間サンプルＤ：１４４０時間性能は、Ｄ＞Ｂ＞Ｃ＞Ａである。

揮発性／製造装置汚染性：
液晶材料の揮発性評価は、真空攪拌脱泡ミキサーの運転状態をストロボスコープを用いて観察し、液晶材料の発泡を目視により観察することによって行った。具体的には、容量２．０Ｌの真空攪拌脱泡ミキサーの専用容器に液晶組成物を０．８ｋｇ入れ、４ｋＰａの脱気下、公転速度１５Ｓ−１、自転速度７．５Ｓ−１で真空攪拌脱泡ミキサーを運転し、発泡が始まるまでの時間を計測した。

発泡が始まるまでの時間が長いほど揮発しにくく、製造装置を汚染する可能性が低いので、高性能であることを示す。例）サンプルＡ：２００秒サンプルＢ：４５秒サンプルＣ：６０秒サンプルＤ：１５秒性能は、Ａ＞Ｃ＞Ｂ＞Ｄである。
尚、実施例において化合物の記載について以下の略号を用いる。
（環構造）

（側鎖構造および連結構造）
−Ｆ −Ｆフッ素原子
Ｆ− −Ｆフッ素原子
−ｎ −Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１炭素原子数ｎ個の直鎖状のアルキル基
ｎ− Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１− 炭素原子数ｎ個の直鎖状のアルキル基
−Ｏｎ −ＯＣ_ｎＨ_２ｎ＋１炭素原子数ｎ個の直鎖状のアルコキシ基
ｎＯ− Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１Ｏ− 炭素原子数ｎ個の直鎖状のアルコキシ基
−Ｖ −ＣＨ＝ＣＨ_２
Ｖ− ＣＨ_２＝ＣＨ−
−Ｖ１ −ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ_３
１Ｖ− ＣＨ_３−ＣＨ＝ＣＨ−
−２Ｖ −ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ＝ＣＨ_３
Ｖ２− ＣＨ_３＝ＣＨ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−
−２Ｖ１ −ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ_３
１Ｖ２− ＣＨ_３−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ_２−ＣＨ_２
（連結基）
−ＣＦ２Ｏ− −ＣＦＦＯ−
−ＯＣＦ２− −Ｏ−ＣＦ_２−
−１Ｏ− −ＣＨ_２−Ｏ−
−Ｏ１− −Ｏ−ＣＨ_２−
−ＣＯＯ− −ＣＯＯ−
次に示す組成を有する液晶組成物（比較例１（特許文献１の実施例３の液晶組成物）、実施例１〜５）をそれぞれ調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表１に示す。

実施例１の液晶組成物は、比較例１と比べて、同程度のΔεおよびγ１を有するが、より高いネマチック転移温度（ＴＮＩ）とΔｎを有している事がわかる。実施例２の液晶組成物は、比較例１と同程度のネマチック転移温度（ＴＮＩ）、Δε、Δｎを有するが、γ１が大幅に改善されていることがわかる。また、本願発明の成分（ｉ）あるいは成分（ｉｉ）の構成を変更した実施例３〜５においても同様の効果が得られることがわかる。これら実施例に記載された液晶組成物は、小さいγ１を有することから、透過率を重視するＩＰＳ、ＦＦＳモード等に適している。

次に示す組成を有する液晶組成物（比較例２、３および実施例６〜１０）をそれぞれ調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表２に示す。

比較例２は、一般式（ｉ）の化合物の代わりに、片側のみがアルケニル基の化合物を含む液晶化合物である。一方、実施例６は、片側がアルケニル基の化合物の代わりに一般式（ｉ）の化合物を含む液晶組成物である。両者を比べると、実施例６の液晶組成物はＴｎｉは低下するものの、γ１が大幅に改善されていることがわかる。このため、比較例２を元にして、実施例６とネマチック転移温度が同程度になるよう調整し、比較例３を調製した。この比較例３と比べても、実施例６は、より低いγ１を有しており、上記Ｋ３３が上昇している。実施例６をベースに一部の化合物を置換した実施例７では、更に改善されたγ１と、より高いＫ１１、Ｋ２２を有することがわかる。実施例８〜１０は比較例３と同程度か或いはやや改善されたγ１を有し、より高いΔｎ、より高い弾性定数Ｋａｖｇを有する。これら実施例の液晶組成物は比較的高いΔεと転移温度を有し、且つ高いＫａｖｇを有することから、特にモバイル用高コントラストＩＰＳ・ＦＦＳディスプレイの構成部材として適している。なお、Ｋ３３が高くなると液晶組成物の応答速度が向上することが知られている。

比較例３、実施例６および実施例７について、ＦＦＳモードセルでの光学特性測定結果を表３に示す。測定には、透明ＩＺＯ櫛型電極（線幅３ミクロン、電極間隔４ミクロン）、絶縁層（ＳｉＮ_Ｘ）５００ミクロンのＦＦＳ基板を用い、配向膜（ＳＥ−５８１１、日産化学製）を塗布、ラビングし、セルギャップが３．５ミクロンになるように対抗基板と貼りあわせて使用した。配向膜のラビング方向は透明櫛型電極の長手方向に対して５°になるよう作製した。
表中の各項目の意味は以下のとおりである。
Ｖ１００：透過率が最大となる印加電圧。
ＴＯＮ：０Ｖ状態からＶ１００を印加した際に透過率が９０％に達するまでの液晶応答時間。
ＴＯＦＦ：Ｖ１００状態から電圧をオフにした際に透過率が１０％に達するまでの液晶応答時間。

比較例３と比べて、実施例６は応答時間が改善されていることがわかる。また、成分（ｉｉ）の構成を変更した実施例７では更に応答時間が高速化されていることがわかる。

次に示す組成を有する液晶組成物（実施例１１〜１４）をそれぞれ調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表４に示す。

これら実施例の液晶組成物は比較的高いΔｎと低いγ１を有するため、高速応答狭ギャップ液晶表示素子用の構成部材として適している。また、これらの液晶組成物は屋内ディスプレイ用として好適な転移温度を有し、かつ比較的高いΔεを有することから、ＩＰＳモード、ＦＦＳモードにおいて櫛型電極間の幅を広げることができるため、透過率に優れた屋内ディスプレイの構成部材として適している。

次に示す組成を有する液晶組成物（実施例１５〜１８）をそれぞれ調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表５に示す。

これら実施例の液晶組成物は高いΔｎと極めて低いγ１を有するため、高速応答用の狭ギャップ液晶表示素子用の構成部材として非常に適している。また、これらの液晶組成物は屋内ディスプレイ用として好適な転移温度を有し、かつ小さいΔεによりＩＰＳモード、ＦＦＳモードにおいて透過率を向上させることができるため、透過率に優れた高速応答屋内用ディスプレイの構成部材として適している。

次に示す組成を有する液晶組成物（実施例１９〜２２）をそれぞれ調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表６に示す。

これら実施例の液晶組成物は非常に広い液晶温度範囲と低いγ１を有するため、屋外用ディスプレイ、車載用ディスプレイ用の構成部材として適している。

以上の結果から、本願発明の構成により液晶組成物の低温保存性を損なうことなく、改善されたγ１、Δｎ、Δε、ネマチック転移温度を有する液晶組成物を提供することができる。また、これを液晶表示素子に用いることによりその性能を向上せしめることができる。本願発明の成分（ｉｉ）〜（ｉｉｉ）の構造を適宜選択する事により、より更に改善された物性値を有する液晶組成物並びにそれを用いてより効果的に性能を改善した液晶表示素子の提供が可能となる。

以上で説明した各実施態様における各構成およびそれらの組み合わせ等は一例であり、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、構成の付加、省略、置換、およびその他の変更が可能である。また、本発明は各実施態様によって限定されることはなく、請求項（クレーム）の範囲によってのみ限定される。

本発明にかかる液晶組成物は、液晶表示素子および液晶ディスプレイの分野に広く適用可能である。

Claims

一般式（ｉ）：

（上記一般式（ｉ）中、Ｒ^ｉａおよびＲ^ｉｂはそれぞれ独立して、炭素原子数２〜８個のアルケニル基であり、
環Ａ^ｉ１および環Ｂ^ｉ１は以下の基（ａ）および基（ｂ）：
（ａ）１，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−または隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）
（ｂ）１，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝または隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ｂ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子または塩素原子で置換されていても良く、
ｍ^ｉ１は０から３の整数である。）で表される化合物を１種または２種以上と、
一般式（ｉｉ）：

（上記一般式（ｉｉ）中、Ｒ^ｉｉ１は、炭素原子数１〜８のアルキル基または炭素原子数２〜１０のアルケニル基を表し、基中の１個または非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−または−ＯＣＯ−によって置換されていても良く、基中の１個または非隣接の２個以上の水素原子はそれぞれ独立して、フッ素原子で置換されていても良く、
Ｋ^ｉｉ０、Ｋ^ｉｉ１およびＫ^ｉｉ２はそれぞれ独立して、以下の基（ａ）および基（ｂ）：
（ａ）１，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−または隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−またはＳ−に置き換えられてもよい。）
（ｂ）１，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝または隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ｂ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子または塩素原子で置換されていても良く、
Ｚ^ｉｉ１、Ｚ^ｉｉ２およびＺ^ｉｉ３はそれぞれ独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−またはＣ≡Ｃ−を表し、ｎ^ｉｉｋが０の場合は、Ｚ^ｉｉ１およびＺ^ｉｉ２のうちいずれか一つは、−ＯＣＨ_２−または−ＣＨ_２Ｏ−を表し、ｎ^ｉｉｋが１以上の場合は、Ｚ^ｉｉ１、Ｚ^ｉｉ２およびＺ^ｉｉ３のうちいずれか一つは、−ＯＣＨ_２−または−ＣＨ_２Ｏ−を表し、
ｎ^ｉｉｋはそれぞれ独立して、０、１、２、３または４を表し、かつｎ^ｉｉｉｋが２以上場合、Ｚ^ｉｉ３およびＫ^ｉｉ２はそれぞれ同一でも良く、異なっていても良く、
Ｘ^ｉｉ３およびＸ^ｉｉ４はそれぞれ独立して、水素原子またはフッ素原子を表し、
Ｙ^ｉｉ１はそれぞれ独立して、フッ素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基、２，２，２−トリフルオロエチル基で表される化合物および一般式（ｉｉｉ）：

（上記一般式（ｉｉｉ）中、Ｒ^ｉｉｉ１は炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個または非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−またはＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
ｎ^ｉｉｉ１は、０、１、２、３または４を表し、
Ａ^ｉｉｉ１およびＡ^ｉｉｉ２はそれぞれ独立して、
（ａ）１，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−または隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−またはＳ−に置き換えられてもよい。）および
（ｂ）１，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝または隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）および基（ｂ）はそれぞれ独立して、シアノ基、フッ素原子または塩素原子で置換されていても良く、
Ｚ^ｉｉｉ１およびＺ^ｉｉｉ２はそれぞれ独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−またはＣ≡Ｃ−を表し、
ｎ^ｉｉｉ１が２、３または４であってＡ^ｉｉｉ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ｎ^ｉｉｉ１が２、３または４であってＺ^ｉｉｉ１が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、
Ｘ^ｉｉｉ１およびＸ^ｉｉｉ３はそれぞれ独立して、水素原子、塩素原子またはフッ素原子を表し、
Ｙ^ｉｉｉ２は、水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基または２，２，２−トリフルオロエチル基を表す。）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種または２種以上を含む液晶組成物。
一般式（Ｌ）：

（式中、Ｒ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個または非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−またはＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
ｎ^Ｌ１は０、１、２または３を表し、
Ａ^Ｌ１、Ａ^Ｌ２およびＡ^Ｌ３はそれぞれ独立して、
（ａ）１，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−または隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）
（ｂ）１，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝または隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）および
（ｃ）（ｃ）ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基またはデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基または１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝または隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）および基（ｃ）はそれぞれ独立して、シアノ基、フッ素原子または塩素原子で置換されていても良く、
Ｚ^Ｌ１およびＺ^Ｌ２はそれぞれ独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−またはＣ≡Ｃ−を表し、
ｎ^Ｌ１が２または３であってＡ^Ｌ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ｎ^Ｌ１が２または３であってＺ^Ｌ３が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良いが、一般式（ｉ）で表される化合物で表される化合物を除く。）で表される化合物から選ばれる化合物を１種または２種以上含有する、請求項１に記載の液晶組成物。
一般式（Ｍ）：

（上記一般式（Ｍ）中、Ｒ^Ｍ１は炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基または炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表し、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基またはアルケニルオキシ基中の１つ以上の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基またはアルケニルオキシ基中の１個または非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−またはＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
ＰＭは、０、１、２、３または４を表し、
Ｃ^Ｍ１およびＣ^Ｍ２はそれぞれ独立して、
（ｄ）１，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−または隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−またはＳ−に置き換えられてもよい。）および
（ｅ）１，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝または隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ｄ）、基（ｅ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子または塩素原子で置換されていても良く、
Ｋ^Ｍ１およびＫ^Ｍ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−またはＣ≡Ｃ−を表し、
ＰＭが２、３または４であってＫ^Ｍ１が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ＰＭが２、３または４であってＣ^Ｍ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、
Ｘ^Ｍ１およびＸ^Ｍ３はそれぞれ独立して水素原子、塩素原子またはフッ素原子を表し、
Ｘ^Ｍ２は、水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基または２，２，２−トリフルオロエチル基を表す。ただし、一般式（ｉ）、一般式（ｉｉ）および一般式（Ｌ）で表される化合物を除く。）で表される化合物をさらに含む、請求項１または２に記載の液晶組成物。
前記一般式（ｉｉ）で表される化合物は、その構造中に下記の部分構造：

（式中の黒点は上記部分構造が結合している環構造中の炭素原子を表す。）
を有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の液晶組成物。
重合性化合物を含有する請求項１から４のいずれか１項に記載の液晶組成物。
請求項１から５のいずれか１項に記載の液晶組成物を用いた液晶表示素子。
請求項１から５のいずれか１項に記載の液晶組成物を用いたアクティブマトリックス駆動液晶表示素子。
請求項１から５のいずれか１項に記載の液晶組成物を用いたＶＡモード、ＰＳＡモード、ＶＡ−ＩＰＳモード、ＩＰＳモード、ＦＦＳモードまたはＥＣＢモード液晶表示素子。