JPS6384176A - 磁界収束型ホ−ル素子及びその製造方法 - Google Patents
磁界収束型ホ−ル素子及びその製造方法Info
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- JPS6384176A JPS6384176A JP61230679A JP23067986A JPS6384176A JP S6384176 A JPS6384176 A JP S6384176A JP 61230679 A JP61230679 A JP 61230679A JP 23067986 A JP23067986 A JP 23067986A JP S6384176 A JPS6384176 A JP S6384176A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は磁界収束型ホール素子(ホール効果を用いた磁
気センサ)及びその製造方法に関する。
気センサ)及びその製造方法に関する。
(従来の技術)
磁場の強弱で抵抗が変わるのをホール効果という。従来
の磁界収束型ホール素子構造は、第3図のようにリード
フレーム1のペラP部la上にM n −Z nフェラ
イト等の高透磁率を有する軟質性基板2をs A gペ
ーストや半田材のような接合材料6でマウントし、その
上に更にGa人3゜In8b等のホール素子3をAgペ
ースト等でマウントし、がンディングワイヤ4によりホ
ール素子3上の電極とリードフレームのインナーリード
とを接続し、次にM n −Z nフェライトのような
軟磁性粉を含有するエンキャップ剤5でベレット中央部
に山盛り状にポツティングされている。ベレット上下の
磁性体により、磁界を収束させることによってホール素
子感度を向上させていた。図中2はモールドレジンであ
る。
の磁界収束型ホール素子構造は、第3図のようにリード
フレーム1のペラP部la上にM n −Z nフェラ
イト等の高透磁率を有する軟質性基板2をs A gペ
ーストや半田材のような接合材料6でマウントし、その
上に更にGa人3゜In8b等のホール素子3をAgペ
ースト等でマウントし、がンディングワイヤ4によりホ
ール素子3上の電極とリードフレームのインナーリード
とを接続し、次にM n −Z nフェライトのような
軟磁性粉を含有するエンキャップ剤5でベレット中央部
に山盛り状にポツティングされている。ベレット上下の
磁性体により、磁界を収束させることによってホール素
子感度を向上させていた。図中2はモールドレジンであ
る。
(発明が解決しようとする問題点)
上記従来例のようにベレット下にフェライトのような軟
質磁性体基板チップを置く方法は、比較的高感度な磁気
特性は得られるが、フェライト板2のようなものと重ね
ているため、外囲器の薄型化要求は対処できなかった。
質磁性体基板チップを置く方法は、比較的高感度な磁気
特性は得られるが、フェライト板2のようなものと重ね
ているため、外囲器の薄型化要求は対処できなかった。
本発明は外囲器形状をできるだけ薄くし、しかも高感度
特性が得られるようにしたものである。
特性が得られるようにしたものである。
(問題点を解決するための手段と作用)従来は、ホール
素子を固着するリードフレーム材料として、非磁性体材
料であるCuもしくはCu合金(例えばリン青銅)を用
いていた。これに対して本発明は、リードフレーム材料
として・9−マロイなどの軟質強磁性メタルを用いるこ
とにより、薄形かつ高感度化を行なうものである。
素子を固着するリードフレーム材料として、非磁性体材
料であるCuもしくはCu合金(例えばリン青銅)を用
いていた。これに対して本発明は、リードフレーム材料
として・9−マロイなどの軟質強磁性メタルを用いるこ
とにより、薄形かつ高感度化を行なうものである。
(実施例)
以下図面を参照して本発明の一実施例を説明する。第1
図は同実施例の平面図、第2図は同断面図である。即ち
軟質強磁性金属(例えばパーマロイ)よりなるリードフ
レーム1′のベッド部上に、GaAs、In−8b等の
ホール素子3が接着剤6にて固定されている。その後ワ
イヤ4を用いて素子3の電極とリード間のワイヤデンデ
ィングがなされる。その後、軟質強磁性粉を含有するエ
ンキャップレジン5を素子表面に滴下し硬化させる。そ
れからエポキシ等のトランスファモールドレジン7で成
形硬化させるものである。
図は同実施例の平面図、第2図は同断面図である。即ち
軟質強磁性金属(例えばパーマロイ)よりなるリードフ
レーム1′のベッド部上に、GaAs、In−8b等の
ホール素子3が接着剤6にて固定されている。その後ワ
イヤ4を用いて素子3の電極とリード間のワイヤデンデ
ィングがなされる。その後、軟質強磁性粉を含有するエ
ンキャップレジン5を素子表面に滴下し硬化させる。そ
れからエポキシ等のトランスファモールドレジン7で成
形硬化させるものである。
上記のように構成された磁界収束型ホール素子にあつて
は、軟質強磁性金属よりなるリードフレーム1′と軟質
性強磁性粉を含有するエンキャップレジン5が磁気を集
める役目をするから高感度磁気特性を維持しつつ、第3
図のフェライト板2を省略できる等で外囲器の薄形化が
可能となるものである。ちなみに従来はモールド形状と
して厚さが1.1諷必要であったが、本発明では厚さを
0.6露とほぼ半分にすることができた。
は、軟質強磁性金属よりなるリードフレーム1′と軟質
性強磁性粉を含有するエンキャップレジン5が磁気を集
める役目をするから高感度磁気特性を維持しつつ、第3
図のフェライト板2を省略できる等で外囲器の薄形化が
可能となるものである。ちなみに従来はモールド形状と
して厚さが1.1諷必要であったが、本発明では厚さを
0.6露とほぼ半分にすることができた。
以上説明した如く本発明によれば、金属細条(リードフ
レーム材料)として軟質強磁性メタルを用いたため、磁
界収束型ホール素子の高感度特性を維持しつつ、外囲器
形状の薄形化が可能となった。
レーム材料)として軟質強磁性メタルを用いたため、磁
界収束型ホール素子の高感度特性を維持しつつ、外囲器
形状の薄形化が可能となった。
第1図は本発明の一実施例の平面図、第2図は同断面図
、第3図は従来素子の断面図である。 1′・・・軟質強磁性リードフレーム、3・・・ホール
素子、4・・・デンディングワイヤ、5・−磁性粉入リ
エンキャップ剤、6・・・接合材、7・・・モールドレ
ジン。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 産業1図 第2図 第3図
、第3図は従来素子の断面図である。 1′・・・軟質強磁性リードフレーム、3・・・ホール
素子、4・・・デンディングワイヤ、5・−磁性粉入リ
エンキャップ剤、6・・・接合材、7・・・モールドレ
ジン。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 産業1図 第2図 第3図
Claims (2)
- (1)軟質強磁性体よりなる金属細条と、該金属細条の
上に固着されたホール効果型磁性素子と、インナリード
と前記素子上の電極を接続するボンディングワイヤと、
前記素子を上方から覆う軟質強磁性粉を含有する樹脂と
を具備したことを特徴とする磁界収束型ホール素子。 - (2)パターニングされた軟質強磁性体よりなる金属細
条の上にホール効果型磁性素子を接合し、インナリード
と前記素子上の電極とをボンディングワイヤで接続し、
前記素子表面上に軟質強磁性粉を含有する樹脂を滴下し
て硬化させ、前記各部材を囲むようにモールドレジンに
て成形硬化させたことを特徴とする磁性収束型ホール素
子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61230679A JPS6384176A (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | 磁界収束型ホ−ル素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61230679A JPS6384176A (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | 磁界収束型ホ−ル素子及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6384176A true JPS6384176A (ja) | 1988-04-14 |
Family
ID=16911607
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61230679A Pending JPS6384176A (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | 磁界収束型ホ−ル素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6384176A (ja) |
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1986
- 1986-09-29 JP JP61230679A patent/JPS6384176A/ja active Pending
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