JPS6352314A - ヨ−ク型薄膜磁気ヘツド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 と−の１−　野 この発明は再生専用のヨーク型薄膜磁気ヘッドに関し、
特にヨークと、磁気変化検出素子である磁気抵抗素子と
の磁気的結合構造に関する。

是象＠改１ 外部から加えられる磁界の変化で磁気抵抗値か変化する
磁気抵抗素子（以下ＭＲ素子と称す）は、磁気テープに
記録された情報を読み取ることに優れ、またＭＲ素子は
薄膜化が容易であり、さらに一般のバルク型磁気ヘッド
のような巻線を要しないといった構造上の優位性から、
再生専用の磁気ヘッドに賞月されている。このに’ｌ　
Ｒ素子個った磁気へ、ドは大別して２タイプがあり、１
タイプはＭＲ素子を磁気テープに直接に接触（又は近接
）させて、磁気テープの情報を読み取るようにしたもの
であり、他の１タイプは磁気テープの磁界変化を磁性体
のヨークを通してＭＲ素子に導（ものである。

上記前者タイプの磁気ヘッドは構造か簡単であるが、大
気中の水分て酸化してＭＲ素子の特注か劣化し易く、信
頼性が劣る問題かあって、現在は上記後者タイプのヨー
ク型薄膜磁気ヘッドが主流になっている。このヨーク型
薄膜磁気ヘッドは、ＭＲ素子を絶縁層で気密にンールし
て保＝ρし、信頼性を上げた構造のもので、その従来構
造例としては、電子通信学会技術研究報告ＭＲ−８４・
４４があり、第３図及び第４図を参照して説明する。

第３図及び第４図に示す磁気ヘッドはＮｊ−Ｚｎ合金や
Ｍｎ　−Ｚｎ合金なとの磁性体の基［（１）上　にＳ　
ｉＯ２や脛２０３の絶縁層（２）　、Ｃｕ等のバイアス
導体（３）、Ｎｉ−Ｆｅ合金なとのＭＲ素子（４）　、
Ｎｉ　　Ｆｅ合金なとの磁性体のフロントヨーク（５）
及び磁性体基板（１）と直接接続しているバックヨーク
（６）の各薄膜を積層したものである。バイアス導体（
３）は基板（＋）の近（を横切る（紙面表面−裏面方向
に）帯状のものであり、ＭＲ素子（４）はバイアス導体
（３）の一部に平行に対向する３００Ａ〜５００Ａの厚
さの矩形薄膜で、その両端からリード（７）（７゛）が
導出される。フロントヨーク（５）の一端上基板（＋）
の一端との間で例えば、２５００　Ａ〜３００ＯＡの磁
気ギャップ（ｇ）が形成される。フロントヨーク（５）
は磁気ギヤ、プ（ｇ）からＭＲ素子（４）の−端部上ま
で延び、バックヨーク（６）はＭＲ素子（４）の他の一
端部−ヒから延びて基板（１）上に達する。フロントヨ
ーク（５）の後方端部とＳｉ　Ｒ素子（４）の間、及び
バックヨーク（６）の前方基部とＮＩＲ素子（４）の間
に絶縁層（２）の一部が介在して、両ヨーク（５）（Ｅ
ｉ）とＭＲ素子（４）は電気的絶縁された状態で磁気的
結合され、これにより磁気ギヤ。

プ（ｇ）に加えられた外部磁束は、図番て示すと、（５
）−（４）−（６）−（１）の閉ループの磁気回路を流
れる。

ＭＲ素子（４）にリード（７）（７’）を介して、ＭＲ
素子（４）の磁気抵抗変化を検出するための電流１１を
流し、バイアス導体（３）にｋｉＲ素子（４）に垂直な
バイアス磁界を印加するためにバイアス電流１２を流し
て、磁気ギャップ（ｇ）に極接近させて磁気テープ（８
）を走行させる。すると磁気テープ（８）の情報である
信号磁束か、フロントヨーク（５）からＭＲ素子（４）
、バックヨーク（６）、基板（１）へと前述の閉ループ
を通り、ＭＲ素子（４）の電気抵抗値か変化して、ＭＲ
素子（４）を流れる電流１１から磁気テープ（８）の情
報か読み取られ、再生か行われる。

日がｌ　よ゛　　い　占 上記ヨーク型薄膜磁気へノドにおいて、ＭＲ素子（４）
　トフロントヨーク（５）及びバックヨーク（６）を直
接に接続すると、ＭＲ素子（４）に流れる電流が両ヨー
ク（５）（Ｇ）に流れて、感度が悪くなるので、ｈｉＲ
素子（４）の両端部上に両ヨーク（５）（Ｇ）の端部を
絶縁層（２）で電気的絶縁かつ磁気的結合させている。

このような結合構造の場合、フラ。

トなＭＲ素子（４）の両端部上で両ヨーク（５）（Ｅｉ
）の端面が接近して対向することになり、そのためフロ
ントヨーク（５）からＭＲ素子（４）に流れる磁束の一
部は、フロントヨーク（５）から直接にバックヨーク（
６）にＭＲ素子（４）を飛び越して流れることかあり、
これがヨーク型薄膜磁気ヘッドの効率を悪くする一要因
になっている。

１、ＩＩ占ル　　　　ための− この発明は、上記問題を解決する目的で提唱されたもの
であり、フロントヨーク及びバックヨークとＭＲ素子と
の各近接端部間に、電気的には絶縁性大であり、磁気的
には晶透磁率の軟磁性物質を介在させることを特徴とし
ている。つまり、この発明は、ＭＲ素子とフロントヨー
ク、バックヨークとの磁束伝達効率を可能なかぎり高め
ることを意図する技術である。

１厄 この発明によれば、軟磁性物質かフロントヨーク、バッ
クヨークとＭＲ素子との磁束伝達媒体となるので、不要
な漏れ磁束、つまりフロントヨークから直接バックヨー
クへと流れる磁束を皆無とし、著しく磁気伝達効率を改
善することかできる。

灸１■ 第１図は、この発明の一実施例を示すヨーク型薄膜磁気
へ、ドの断面図である。まず（ｌＯ）は、Ｎｉ−Ｚｎフ
ェライトやＭｎ　−Ｚｎフェライトなと強磁性体の基板
、（１１）〜（Ｉ７）は、基板（１０）上に積尺形成さ
れた薄膜であって、（１１）は、非Ｆｒｆ！性体で絶縁
体でもあるＳｉＯ又はａ　１２０３の絶縁層、（１２）
はバイアス磁界を発生させるための通電バイアス導体で
、材質はＣｕや入Ｕ等である。つぎに（１３）は、Ｎｉ
８］−Ｆｅ１９合金などを成膜形成させたＭＲ素子、（
＋４）（１５）は材質的にはＭＲ素子（１３）とほぼ同
等で、ＭＲ素子よりも厚膜形成されたフロントヨーク、
バックヨークである。そして、（＋６１＋７）は、この
発明の要旨となるＮｉ　　Ｚｎフェライトの軟磁性物質
で、ＭＲ素子（１３）の両端部と、フロントヨーク（１
４）及びバックヨーク（１５）のＭＲ素子近接端部との
間に、それぞれ局所的に成膜して介在させたものである
。

上述のように軟磁性物質（ＩＧ）（＋７）にて各ヨーク
（１４）（１５）と磁気的に結合させた構造とするには
、例えば次のようにすればよい。はじめに従来通りに第
２図（イ）に示すように、基［（１０）上に、絶縁層（
１１）にてバイアス導体（１２）を埋め込み形成してＲ
素子（１３）スパッタリング被着形成する。それかみ、
第２図（ロ）のように、ＭＲ素子（１３）を軟磁性物質
膜（ＩＥｉ’）で−担完全に覆い、ついで、破線で示す
中央部（１９）を、フォ）　Ｕソグラフィ技術を用いて
、エツチング除去する。そしてさらに、第２図（ハ）に
示すように、ヨーク厚膜（２０）を形成しておき、ＭＲ
素子（１３）と付着している中央部（２０”）をエツチ
ング除去して、Ｓ　ｉ　Ｏ２等の保護絶縁物（２１）を
詰めると、第１図に示したヨーク型薄膜磁気へノドか得
られる。

尚、上記実施例では、軟磁性物質としてＮｉ−Ｚｎフェ
ライトを選定したが、この発明では、要するに電気的絶
縁性が大きく、かつ高透磁率である物質であればその池
に、Ｍｎ−Ｚｎフェライト等としてもさしつかえない。

光１と仇呈− この発明によれば、フロントヨーク及びバックヨークと
ＭＲ素子との間を流れる磁束は、全て軟磁性物質を介し
て漏洩することなく伝達され、磁気ヘッドの再生出力を
十分大きくすることができ、高感高性能のヨーク型薄膜
磁気ヘットか実現てきる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明の一実施例を示すヨーク型薄膜磁気
へノドの断面図、第２図（イ）〜（ニ）はその磁気ヘッ
トの製造工程を示す断面図、第３図及び第４図は、従来
のヨーク型薄膜磁気へ、ドを示す断面図及び平面図であ
る。 １０・・・・・・基板（強磁性体）、 ＩＩ・・・・・・絶縁層、 １３・・・・・・磁気抵抗素子、 １４・・・・・・フロントヨーク、 １５・・・・・・バックヨーク、 １６．１７・・・・・・軟磁性物質。 特　許　出　願　人　　関西日本電気株式会社（ＭＲｐ
Ｍ風）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 薄膜のフロントヨークとバックヨークの間に薄膜の磁気
   抵抗素子を電気的に絶縁し、磁気的には結合させて配置
   したものであって、 上記フロントヨーク及びバックヨークと磁気抵抗素子と
   の各近接端部間に、電気的絶縁性大かつ高透磁率の軟磁
   性物質を介在させたことを特徴とするヨーク型薄膜磁気
   ヘッド。