JPS634997B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS634997B2 JPS634997B2 JP57083018A JP8301882A JPS634997B2 JP S634997 B2 JPS634997 B2 JP S634997B2 JP 57083018 A JP57083018 A JP 57083018A JP 8301882 A JP8301882 A JP 8301882A JP S634997 B2 JPS634997 B2 JP S634997B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photodiode
- dark current
- power supply
- imaging device
- state imaging
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 8
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/63—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Picture Signal Circuits (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はMOS形固体撮像素子のフオトダイオ
ードの暗電流（ｇ―ｒ）電流を制御し、再生画質
の劣化を防止する固体撮像装置に関する。
ードの暗電流（ｇ―ｒ）電流を制御し、再生画質
の劣化を防止する固体撮像装置に関する。
第１図はMOS形固体撮像素子の１つのフオト
ダイオードから信号を読みだすときの固体撮像装
置の等価回路である。
ダイオードから信号を読みだすときの固体撮像装
置の等価回路である。
フオトダイオード１には寄生容量２があり、光
が入射しないとき容量２の電位は電源電圧に保た
れている。フオトダイオードに光があたるとダイ
オード電流が流れ、容量２の蓄積電荷を徐々に中
和し、容量２の電位は変わる。
が入射しないとき容量２の電位は電源電圧に保た
れている。フオトダイオードに光があたるとダイ
オード電流が流れ、容量２の蓄積電荷を徐々に中
和し、容量２の電位は変わる。
水平および垂直走査回路のシフトレジスタ３と
４の出力パルスでスイツチングトランジスタ５，
６が導通すると、コンデンサ２にはふたたび電源
９から電源電圧が供給され、電源電圧とコンデン
サ２の電位の差が信号として外部負荷１０にとり
だされる。
４の出力パルスでスイツチングトランジスタ５，
６が導通すると、コンデンサ２にはふたたび電源
９から電源電圧が供給され、電源電圧とコンデン
サ２の電位の差が信号として外部負荷１０にとり
だされる。
なお、コンデンサ７，８は回路に寄生する容量
である。
である。
上述のごとく信号成分は光の強さに応じてフオ
トダイオード中を流れる電流できまるが、フオト
ダイオードには暗電流（ｇ―ｒ電流）があり、画
質劣化の一因をなしている。このｇ―ｒ電流はフ
オトダイオード両端の電位差の1/2乗に近い値で
変化し、温度上昇にともない指数関数的に増加す
る。
トダイオード中を流れる電流できまるが、フオト
ダイオードには暗電流（ｇ―ｒ電流）があり、画
質劣化の一因をなしている。このｇ―ｒ電流はフ
オトダイオード両端の電位差の1/2乗に近い値で
変化し、温度上昇にともない指数関数的に増加す
る。
従来の固体テレビジヨンカメラでは第１図９に
示す電源電圧をある一定値に固定して使用してい
た。
示す電源電圧をある一定値に固定して使用してい
た。
そのため外部温度が上り、カメラ内の撮像素子
の温度が上昇すると暗電流が急増し、再生画像中
に細かい点状の雑音が発生するなどの問題があつ
た。
の温度が上昇すると暗電流が急増し、再生画像中
に細かい点状の雑音が発生するなどの問題があつ
た。
そこで、本発明では、温度上昇にともなう暗電
流の増加を第１図９の電源電圧を可変とすること
により補正し、常に良好な像を再生しようとする
ものである。
流の増加を第１図９の電源電圧を可変とすること
により補正し、常に良好な像を再生しようとする
ものである。
本発明の実施例としては、第２図に示すような
回路方式が考えられる。
回路方式が考えられる。
撮像素の絵素のフオトダイオードと同一基板上
に形成したフオトダイオードを用いて第２図に示
す回路を構成する。フオトダイオード１１に流れ
る暗電流は抵抗１２で検出できるので、その信号
を増幅器１３で増幅したのち差動増幅器１４で基
準信号１５と比較して増幅し、その出力を第１図
に示す電源電圧に用いれば、周囲温度が変化して
も、フオトダイオードに流れる暗電流が常に一定
になるように回路が動作するので、再生画質を悪
くすることがない。
に形成したフオトダイオードを用いて第２図に示
す回路を構成する。フオトダイオード１１に流れ
る暗電流は抵抗１２で検出できるので、その信号
を増幅器１３で増幅したのち差動増幅器１４で基
準信号１５と比較して増幅し、その出力を第１図
に示す電源電圧に用いれば、周囲温度が変化して
も、フオトダイオードに流れる暗電流が常に一定
になるように回路が動作するので、再生画質を悪
くすることがない。
第２図の回路では、暗電流検出用のフオトダイ
オードと電圧コントロールをうけるフオトダイオ
ードが異なるためオープンループ制御になるが、
同一基板上に形成したフオトダイオード特性には
大きな誤差はないものと考えられるので、精度良
い暗電流制御ができる。なお、本方式はMOS形
撮像デバイスに限らず、CCD，BBD，CIDにも
適用できる。
オードと電圧コントロールをうけるフオトダイオ
ードが異なるためオープンループ制御になるが、
同一基板上に形成したフオトダイオード特性には
大きな誤差はないものと考えられるので、精度良
い暗電流制御ができる。なお、本方式はMOS形
撮像デバイスに限らず、CCD，BBD，CIDにも
適用できる。
第１図は従来の固体撮像装置の概略図、第２図
は本発明の実施例を示す図である。 １，１１……フオトダイオード、１３……増幅
器、１４……差動増幅器、１５……基準電源。
は本発明の実施例を示す図である。 １，１１……フオトダイオード、１３……増幅
器、１４……差動増幅器、１５……基準電源。
Claims (1)
- １ 同一半導体基板の一主表面上に２次元状に配
列され入射光に応じた信号電荷を蓄積する複数個
のフオトダイオードと、このフオトダイオードに
蓄積された信号電荷の読み出し時に上記フオトダ
イオードに所定電圧を印加するための手段とを備
えた固体撮像装置において、上記半導体基板の上
記主表面上に設けられた暗電流検出用のフオトダ
イオードと、このフオトダイオードに流れる暗電
流を検出する手段と、この検出手段の出力に応じ
て上記所定電圧の値を制御する手段とを有するこ
とを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57083018A JPS57197967A (en) | 1982-05-19 | 1982-05-19 | Solid-state image pickup element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57083018A JPS57197967A (en) | 1982-05-19 | 1982-05-19 | Solid-state image pickup element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57197967A JPS57197967A (en) | 1982-12-04 |
| JPS634997B2 true JPS634997B2 (ja) | 1988-02-01 |
Family
ID=13790497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57083018A Granted JPS57197967A (en) | 1982-05-19 | 1982-05-19 | Solid-state image pickup element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57197967A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0759056B2 (ja) * | 1986-03-05 | 1995-06-21 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| DE3620931A1 (de) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Siemens Ag | Empfaenger fuer optische digitalsignale |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5164823A (ja) * | 1974-12-03 | 1976-06-04 | Nippon Electric Co |
-
1982
- 1982-05-19 JP JP57083018A patent/JPS57197967A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5164823A (ja) * | 1974-12-03 | 1976-06-04 | Nippon Electric Co |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57197967A (en) | 1982-12-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7326904B2 (en) | In-pixel kTC noise suppression using circuit techniques | |
| US6064431A (en) | Photoelectric conversion device | |
| JP4846159B2 (ja) | 自動露出検出をする高感度貯蔵画素センサー | |
| US8243190B2 (en) | Solid state image pickup device and camera with focus detection using level shifting | |
| US20060092300A1 (en) | Self-calibrating anti-blooming circuit for CMOS image sensor | |
| JPH08149376A (ja) | 固体撮像装置 | |
| US7746383B2 (en) | Photodiode CMOS imager with column-feedback soft-reset for imaging under ultra-low illumination and with high dynamic range | |
| US4338514A (en) | Apparatus for controlling exposure of a solid state image sensor array | |
| JP3927696B2 (ja) | 撮像装置 | |
| JPH05207376A (ja) | 固体撮像装置及びその制御方法 | |
| JP3278243B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| US6831691B1 (en) | Solid-state image pickup device | |
| US6917029B2 (en) | Four-component pixel structure leading to improved image quality | |
| JP4300654B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH11274463A (ja) | 固体撮像素子 | |
| KR20040047901A (ko) | 광전 센서 | |
| JPS634997B2 (ja) | ||
| JP4320693B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP4345145B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2545469B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| JP2000174247A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP2674255B2 (ja) | オーバーフロードレインを備えた撮像素子を用いた測光装置 | |
| JP2884195B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH10267752A (ja) | 熱型赤外線センサ | |
| JPS61157178A (ja) | 撮像装置 |