JPS63239412A - Automatic focusing system - Google Patents
Automatic focusing systemInfo
- Publication number
- JPS63239412A JPS63239412A JP7338687A JP7338687A JPS63239412A JP S63239412 A JPS63239412 A JP S63239412A JP 7338687 A JP7338687 A JP 7338687A JP 7338687 A JP7338687 A JP 7338687A JP S63239412 A JPS63239412 A JP S63239412A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- light
- wafer
- image sensor
- optical system
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 45
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 11
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 13
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 2
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Automatic Focus Adjustment (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、部材の表面を光学的に観測する装置におい
て、部材表面と観測光学系との焦点合わせ制御に適用さ
れるオートフォーカス方式に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to an autofocus method applied to focusing control between a member surface and an observation optical system in an apparatus for optically observing the surface of a member.
[従来の技術]
この柱の装置として、集積回路のウェハの表面に付着し
た微小異物の検査を行う異物検査装置がある。[Prior Art] As a mainstay device, there is a foreign matter inspection device that inspects minute foreign matter adhering to the surface of an integrated circuit wafer.
この異物検査装置においては一般に、ウェハ表面の異物
検出のための観W11光学系を固定し、ウェハを移動さ
せながら異物検出を行う。そして、検出精度の高い装置
においては、検査中に観測光学系の焦点をウェハ表面に
合わせるためのオートフォーカス方式が適用されている
。In this foreign matter inspection apparatus, generally, the viewing W11 optical system for detecting foreign matter on the wafer surface is fixed, and foreign matter detection is performed while moving the wafer. In devices with high detection accuracy, an autofocus method is applied to focus the observation optical system on the wafer surface during inspection.
従来、このオートフォーカス方式は、観測光学系に固定
された静電容量変位計により観測光学系とウェハ表面と
の焦点ずれ量を検出し、この検出信号に従いウェハを[
IJ測光学系の光軸方向に微小移動させることにより、
観測光学系の焦点をウェハ表面に−・致させるというも
のであった。Conventionally, this autofocus method detects the amount of defocus between the observation optical system and the wafer surface using a capacitance displacement meter fixed to the observation optical system, and then moves the wafer to [
By slightly moving the IJ optical measurement system in the optical axis direction,
The objective was to focus the observation optical system on the wafer surface.
[解決しようとする問題点]
しかし、焦点ずれ量の検出精度が比較的低く、またウェ
ハの厚み変動による影響を受けやすいため、焦点合わせ
の精度および安定度が不1−分で゛あった。[Problems to be Solved] However, since the detection accuracy of the amount of defocus is relatively low and it is easily affected by changes in the thickness of the wafer, the accuracy and stability of focusing have been inadequate.
この発明は、この問題点に鑑みてなされたもので、ウェ
ハ異物検査装置などの部材の表面を光学的に観測する装
置において、観測光学系とウェハなどの部材の表面との
焦点合わせを高精度かつ安定に行うことができ、さらに
焦点精度の調整などが容易なオートフォーカス方式を提
供することを目的とする。This invention was made in view of this problem, and it is used in a device that optically observes the surface of a component such as a wafer foreign object inspection device, and allows for high-precision focusing between the observation optical system and the surface of the component such as a wafer. It is an object of the present invention to provide an autofocus method that can be performed stably and that allows easy adjustment of focus accuracy.
[問題点を解決するための手段]
このL1的を達成するために、この発明は、部材の表面
を観測するE測光学系に対して固定された投影光学系と
、この投影光学系の光軸上に2つのパターン板を前後に
重ねて少なくとも当該光軸方向の位置調整可能に固定す
る機構とを備え、前記2つのパターン板はそれぞれ相対
向する而に濃淡パターンを有し、また、前記投影光学系
によって前記部材の表面に投影された前記各パターン板
の濃淡パターンを撮像するための2次元イメージセンサ
と、この2次元イメージセンサの出力信号を入力とし、
前記Mく材の表面に投影された前記各パターン板の濃淡
パターンの平均的なコントラスト比がほぼ1になるよう
に前記部品と前記観測光学系とを相対的に移動させるた
めの駆動手段を制御するフォーカス制御1段とを備え、
前記投影光学系は前記部材の表面と前記観測光学系の焦
点とが−・致した場合に前記2つのパターン板のほぼ中
間点を前記部材の表面に結像させるものとした構成を有
するものである。[Means for Solving the Problems] In order to achieve this L1 objective, the present invention provides a projection optical system fixed to the E optical measurement system for observing the surface of a member, and a projection optical system that a mechanism for stacking two pattern plates back and forth on an axis and fixing them so that their positions can be adjusted at least in the direction of the optical axis, the two pattern plates facing each other and having shading patterns; a two-dimensional image sensor for imaging the shading pattern of each of the pattern plates projected onto the surface of the member by a projection optical system, and an output signal of the two-dimensional image sensor as input;
Controlling a driving means for relatively moving the component and the observation optical system so that an average contrast ratio of the light and shade patterns of each of the pattern plates projected onto the surface of the M strip becomes approximately 1. Equipped with 1 stage focus control,
The projection optical system is configured such that when the surface of the member and the focal point of the observation optical system are aligned, an image is formed approximately at the midpoint between the two pattern plates on the surface of the member. be.
[作用]
この発明は上述のように、部材表面に投影された2つの
濃淡パターンのコントラスト比の形で焦点ずれを光学的
に検出する構成であるから、静電容量変位計を用いた従
来方式のように部材の厚さの変動による影響を本質的に
排除することができ、また、焦点ずれの検出精度を大幅
に上げることができる。[Function] As described above, this invention is configured to optically detect defocus in the form of the contrast ratio of two shading patterns projected on the surface of a member, so it is not possible to use the conventional method using a capacitance displacement meter. The influence of variations in the thickness of the members can be essentially eliminated, and the accuracy of detecting defocus can be greatly improved.
また、このコントラスト比は、視野の広がりを持つ2次
元イメージセンサの出力信号から求められる平均的なコ
ントラスト比であり、部材表面の微小異物などに殆ど影
響されない。Further, this contrast ratio is an average contrast ratio determined from an output signal of a two-dimensional image sensor having a wide field of view, and is hardly affected by minute foreign matter on the surface of the member.
したがって、rm光学系によって観測されるウェハなど
の部材の表面と観測光学系の焦点合わせを高精度かつ安
定に行うことができる。Therefore, the surface of a member such as a wafer observed by the rm optical system and the observation optical system can be focused with high accuracy and stability.
また、前後のパターン板の相対向する而に濃淡パターン
を設け、またパターン板の少なくとも投影光学系の光軸
方向の位置を調整できるため、実施例に関連して詳述す
るように、焦点ずれ許容範囲の幅、下限、上限を任意に
設定できるとともに、オートフォーカス系の調整を容易
かつ正確に行うことができる。In addition, since the front and rear pattern plates are provided with light and shade patterns where they face each other, and the position of the pattern plates at least in the optical axis direction of the projection optical system can be adjusted, as will be described in detail in connection with the embodiments, defocusing can be avoided. The width, lower limit, and upper limit of the allowable range can be arbitrarily set, and the autofocus system can be adjusted easily and accurately.
[実施例]
以ド、図面を参照し、この発明の一実施例について説明
する。[Embodiment] Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
第1図はウェハの異物検査装置に適用された、この発明
のオートフォーカス方式の概要図である。FIG. 1 is a schematic diagram of an autofocus system of the present invention applied to a wafer foreign matter inspection apparatus.
図においてlOはx、ylzの各方向に移動するXYZ
ステージであり、この上に検査対象のウェハ12が負圧
吸着などによって固定される。In the figure, lO is an XYZ moving in each direction of x and ylz.
This is a stage, on which the wafer 12 to be inspected is fixed by negative pressure suction or the like.
この実施例の異物検査装置においては、ウェハ12の表
面にS偏光レーザビームが照射され、その垂直方向の散
乱光がIIJ測光学系に受光され、その散乱光の強度、
散乱光のP偏光成分の強度、または散乱光のP偏光成分
とS偏光成分の強度の比にょうでウェハ12の表面の異
物の検出が行われる。In the foreign matter inspection apparatus of this embodiment, the surface of the wafer 12 is irradiated with an S-polarized laser beam, and the scattered light in the vertical direction is received by the IIJ optical measurement system, and the intensity of the scattered light is
Foreign matter on the surface of the wafer 12 is detected based on the intensity of the P-polarized component of the scattered light or the ratio of the intensities of the P-polarized component and the S-polarized component of the scattered light.
ただし、非偏光レーザビームなど光ビームをウェハ表面
に照射する構成の異物Je4査装置において、当該オー
トフォーカス方式は同様に適用できるものである。However, the autofocus method can be similarly applied to a foreign material Je4 scanning apparatus configured to irradiate a wafer surface with a light beam such as a non-polarized laser beam.
14は前記S偏光レーザビームを照射するためのレーザ
発振器であり、1Bは前記観測光学系の対物レンズであ
る。ウェハ12の表面のレーザ照射スポットからの垂直
方向の散乱光は、この対物レンズ16、ハーフミラ−1
8を経由して観測光学系の受光部20に入射する。この
受光部20に、前記のようなP偏光成分やS偏光成分の
抽出、光電変換などのための手段が含まれる。検査動作
中において、XYZステージ10によりウェハ12をX
方向およびY方向に移動させることにより、ウェハ表面
のスキャンが行われる。14 is a laser oscillator for irradiating the S-polarized laser beam, and 1B is an objective lens of the observation optical system. Scattered light in the vertical direction from the laser irradiation spot on the surface of the wafer 12 is transmitted through the objective lens 16 and the half mirror 1.
8 and enters the light receiving section 20 of the observation optical system. The light receiving section 20 includes means for extracting the P-polarized light component and the S-polarized light component, photoelectric conversion, etc. as described above. During the inspection operation, the wafer 12 is moved by the XYZ stage 10.
The wafer surface is scanned by moving in the direction and the Y direction.
このような検査動作に関連した構成は、この発明の要旨
に直接係わる部分ではないから、これ以上の詳細につい
ては説明を省略する。Since the configuration related to such an inspection operation is not directly related to the gist of the present invention, further detailed explanation will be omitted.
このような異物検査装置に適用されたオートフォーカス
方式の構成について説明する。まず、オートフォーカス
のための濃淡縞パターンをウェハ表面に投影させる部分
について説明する。なお、この深く分は観測光学系に対
して固定した関係に設けられる。The configuration of an autofocus method applied to such a foreign matter inspection device will be described. First, a description will be given of a portion in which a light and shade striped pattern for autofocus is projected onto the wafer surface. Note that this deep portion is provided in a fixed relationship with respect to the observation optical system.
22と24はパターン板であり、それぞれガラス板の相
対向する面にオートフォーカス用の濃淡縞パターンを金
属の蒸着などによって設けたものである。この濃淡縞パ
ターンと、パターン板22゜24の固定機構については
後述する。Reference numerals 22 and 24 designate pattern plates, each of which has a dark and light striped pattern for autofocus provided on opposing surfaces of a glass plate by metal vapor deposition or the like. The dark and light striped pattern and the fixing mechanism of the pattern plates 22 and 24 will be described later.
26はパターン板22.24の照明用光源である。この
光源24からの光(白色光)をレンズ26により平行ビ
ームにしてパターン板22.24を照明する。パターン
板22.24の濃淡縞パターンは、レンズ30、ハーフ
ミラ−18および対物レンズ16を介してウェハ12の
表面に投影される。26 is a light source for illuminating the pattern plates 22 and 24. The light (white light) from this light source 24 is converted into a parallel beam by a lens 26 and illuminates the pattern plates 22 and 24. The light and shade striped pattern on the pattern plates 22 and 24 is projected onto the surface of the wafer 12 via the lens 30, the half mirror 18, and the objective lens 16.
なお、ウェハ表面が観測光学系の焦点に一致したときに
、前後のパターン板22.24の中間点がウェハ表面に
結像するように、ハーフミラ−18および対物レンズ1
6とともに濃淡縞パターンの投影光学系を構成するレン
ズ30の焦点距離、およびレンズ30とパターン板22
.24との間隔が調節される(詳細は後述する)。The half mirror 18 and the objective lens 1 are arranged so that when the wafer surface coincides with the focus of the observation optical system, the midpoint between the front and rear pattern plates 22 and 24 is imaged on the wafer surface.
The focal length of the lens 30, which together with 6 constitutes the projection optical system of the light and shade striped pattern, and the lens 30 and the pattern plate 22.
.. 24 is adjusted (details will be described later).
次にウェハ表面に投影されたオートフォーカス用濃淡縞
パターンの撮像系について説明する。この部分は、観測
光学系に対して固定した関係に設けられている。Next, a description will be given of an imaging system for an autofocus gray stripe pattern projected onto the wafer surface. This part is provided in a fixed relationship with respect to the observation optical system.
32はウェハ表面の濃淡縞パターンが投影される部分を
撮像するための2次元イメージセンサである。この実施
例にあっては、この2次元イメージセンサ32として、
41X14画素のCODイメージセンサが用いられてい
る。34と36は、ウェハ表面の濃淡縞パターンが投影
される部分を2次元イメージセンサセンサ32の撮像面
に結像させるためのミラーとシリンドリカルレンズであ
る。38は赤外カットフィルタである。32 is a two-dimensional image sensor for capturing an image of the portion of the wafer surface onto which the shading stripe pattern is projected. In this embodiment, the two-dimensional image sensor 32 includes:
A 41×14 pixel COD image sensor is used. Reference numerals 34 and 36 denote a mirror and a cylindrical lens for forming an image on the imaging surface of the two-dimensional image sensor 32 of a portion of the wafer surface onto which the light and shade striped pattern is projected. 38 is an infrared cut filter.
なお、ウェハ表面における濃淡縞パターンの投影部分と
2次元イメージセンサ32の視野は、異物検出用レーザ
ビームの照射スポットからずれている。Note that the projected portion of the shading stripe pattern on the wafer surface and the field of view of the two-dimensional image sensor 32 are shifted from the irradiation spot of the foreign object detection laser beam.
34はフォーカス制御回路である。この回路は2次元イ
メージセンサ32の出力信号からフォーカスエラー信S
7を生成し、このフォーカスエラー信号に従って焦点ず
れを打ち消すようにXYzス゛テージ10のフォーカス
調節用モータ37を駆動する。このモータ37は例えば
ピエゾモータであり、焦点調整のためにウェハ12をZ
方向(1〕下方向)に高速微動させるものである。ウェ
ハ12を大きくZ方向に移動させるためのモータは別に
XYzステージ10に設けられている。34 is a focus control circuit. This circuit receives a focus error signal S from the output signal of the two-dimensional image sensor 32.
7 is generated, and the focus adjustment motor 37 of the XYZ stage 10 is driven in accordance with this focus error signal so as to cancel out the focus shift. This motor 37 is, for example, a piezo motor, and moves the wafer 12 in a Z direction for focus adjustment.
This is a high-speed fine movement in the direction (1) downward. A motor for largely moving the wafer 12 in the Z direction is separately provided on the XYz stage 10.
39はXYzステージ10の移動、その他の装置全体の
制御を司る装置制御部である。Reference numeral 39 denotes a device control section that controls the movement of the XYZ stage 10 and other controls of the entire device.
第2図は、パターン板22.24に設けられたオートフ
ォーカス用濃淡縞パターンの説明図である。図において
、22aはパターン板22に設けられた濃淡縞パターン
の製部であり、24aはパターン板24に設けられた濃
淡縞パターンの淵部である。この図から明らかなように
、光軸方向から見た場合、パターン板22.24の濃淡
縞パターンは、それぞれの淵部22 a * 24
aが交互に並ぶような関係となっている。FIG. 2 is an explanatory diagram of the autofocus shading stripe pattern provided on the pattern plates 22 and 24. In the figure, 22a is a part of the light and shade striped pattern provided on the pattern plate 22, and 24a is the edge of the light and shade striped pattern provided on the pattern plate 24. As is clear from this figure, when viewed from the optical axis direction, the dark and light striped patterns of the pattern plates 22 and 24 are located at each edge 22 a * 24
The relationship is such that a's are arranged alternately.
なお、オートフォーカス用濃淡縞パターンとウェハ1−
の回路パターンとの混同を避けるために、この濃淡縞パ
ターンをウェハ表面に投影した場合、濃淡縞パターンは
ウェハ12の基本格子方向であるX1Y方向に対して約
45度の角度で交差するようにされている。この関係を
明らかにするために、ウェハ12の縮小した輪郭を鎖線
12aで示しである。ウェハ12の回路パターンは大部
分がX方向またはY方向に走る。In addition, the shading stripe pattern for autofocus and wafer 1-
In order to avoid confusion with the circuit pattern, when this shading stripe pattern is projected onto the wafer surface, the shading stripe pattern intersects the X1Y direction, which is the basic lattice direction of the wafer 12, at an angle of approximately 45 degrees. has been done. In order to clarify this relationship, a reduced outline of the wafer 12 is shown by a chain line 12a. The circuit patterns on wafer 12 mostly run in the X or Y direction.
さらに、ウェハーLの回路パターンおよび微小異物と濃
淡縞パターンとの混同を避けるために、濃淡縞パターン
の淵部および浅部の幅および長さは、回路パターンおよ
び巽物よりも大きく決定されている。Furthermore, in order to avoid confusion between the circuit pattern and minute foreign matter on the wafer L and the dark and light striped pattern, the width and length of the deep and shallow parts of the dark and light striped pattern are determined to be larger than those of the circuit pattern and the striped pattern. .
第3図は、2次元イメージセンサ32の視野分割の説明
図である。この図に示すように、2次元イメージセンサ
32の視ffF32aは+FI側パターン板24の濃淡
縞パターンの淵部24aの撮像領域Aと、後側パターン
板22の濃淡縞パターンの淵部22aの撮像領域Bとに
交1iに分割して扱われる。そして、各撮像領域に対応
の濃淡縞パターンが入るように、パターン板22.24
と2次元イメージセンサ32の位置が調節される。FIG. 3 is an explanatory diagram of the field of view division of the two-dimensional image sensor 32. As shown in this figure, the visual field ffF32a of the two-dimensional image sensor 32 is an imaging area A of the edge 24a of the dark and light striped pattern of the +FI side pattern plate 24, and an image of the edge 22a of the dark and light striped pattern of the rear pattern plate 22. It is divided into 1i areas intersecting with area B and handled. Then, pattern plates 22 and 24 are arranged so that each imaging area has a corresponding dark and light striped pattern.
and the position of the two-dimensional image sensor 32 is adjusted.
第4図はフォーカス制御回路34の概略ブロック図であ
る。この図において、40は2次元イメージセンサ32
の撮像領域A(第3図)に対応する画素の出力信号の平
均値(または合計値)を求めるための回路、42は2次
元イメージセンサ32の撮像領域Bに対応する画素の出
力信号の平均値(または合計値)を求めるための回路で
ある。FIG. 4 is a schematic block diagram of the focus control circuit 34. In this figure, 40 is a two-dimensional image sensor 32
42 is a circuit for calculating the average value (or total value) of the output signals of pixels corresponding to the imaging area A (FIG. 3) of the two-dimensional image sensor 32; This is a circuit for finding a value (or total value).
44は回路40の出力信号値と回路42の出力信号値と
の差を求めてフォーカスエラー信号ERRを出力する減
算回路である。このフォーカスエラー信号ERRはウェ
ハ表面に投影された前後の濃淡縞パターンの平均的なコ
ントラスト比に比例するイ、:号であり、その絶対値は
焦点ずれ量に対応し、その極性は焦点ずれの方向に対応
する。44 is a subtraction circuit that calculates the difference between the output signal value of the circuit 40 and the output signal value of the circuit 42 and outputs a focus error signal ERR. This focus error signal ERR is proportional to the average contrast ratio of the front and rear dark and light striped patterns projected onto the wafer surface, its absolute value corresponds to the amount of defocus, and its polarity corresponds to the amount of defocus. Corresponds to the direction.
46はフォーカスエラー信号ERRに従って焦点調整用
モータ37を駆動するドライバである。A driver 46 drives the focus adjustment motor 37 in accordance with the focus error signal ERR.
48はウェハ表面がオートフォーカスの引き込み範囲内
に入ったことを検出するために設けられたピーク通過検
出回路であり、フォーカスエラー信号ERRが所定の閾
値レベル以にのピークを通過した時にピーク通過検出4
11号PTを出力する。Reference numeral 48 denotes a peak passage detection circuit provided to detect that the wafer surface has entered the autofocus pull-in range, and detects peak passage when the focus error signal ERR passes a peak equal to or higher than a predetermined threshold level. 4
Output No. 11 PT.
このピーク通過検出信号PTは装置制御部39に与えら
れる。装置制御部39は、ピーク通過検出信号PTが発
生すると、XYZステージ10の2方向移動(上昇また
は下降)を停止りさせ、ドライバ46に対する抑止信号
DEをオフし、ドライバ46を作動杖態にしてオートフ
ォーカス動作を開始させる。This peak passage detection signal PT is given to the device control section 39. When the peak passage detection signal PT is generated, the device control unit 39 stops the two-direction movement (ascending or descending) of the XYZ stage 10, turns off the inhibition signal DE to the driver 46, and puts the driver 46 in the operating position. Start autofocus operation.
第5図は、観測光学系とウェハ表面との焦点すれとフォ
ーカスエラー信号ERRとの関係を示している。FIG. 5 shows the relationship between the out-of-focus between the observation optical system and the wafer surface and the focus error signal ERR.
焦点ずれがゼロのジャストフォーカス点よりウェハ12
の表面があるulだけドがると、前側のパターン板24
の濃淡縞パターンは、その結像面がウェハ表面に一致す
るため、ウェハ表面に明瞭に投影される。したがって、
この濃淡縞パターンの撮像信号の平均値(もしくは合計
値)つまり回路40の出力信シフ値が最大となる。この
時、後側の濃淡縞パターンは、その結像面がウェハ表面
から大きく外れるため、淡い像としてしかウェハ而に投
影されないので、その撮像信号の平均値(もしくは合計
値)である回路42の出力信号値はほぼゼロとなる。Wafer 12 from the just focus point with zero defocus
When the surface of
The light and shade striped pattern is clearly projected onto the wafer surface because its image plane coincides with the wafer surface. therefore,
The average value (or total value) of the imaging signals of this light and dark striped pattern, that is, the output signal shift value of the circuit 40 becomes the maximum. At this time, since the imaging plane of the rear shading stripe pattern is far away from the wafer surface, it is projected onto the wafer only as a faint image. The output signal value becomes almost zero.
逆にジャストフォーカス点からウェハ表面がある晴だけ
Lがるき、後側パターン板22の濃淡縞パターンの結像
面がウェハ表面に−・致し、回路42の出力信号値が最
大となり、前側の濃淡縞パターンの撮像信号の平均値(
もしくは合計値)はほぼゼロになる。Conversely, when the wafer surface is clear from the just focus point, the imaging plane of the light and shade striped pattern on the rear pattern plate 22 reaches the wafer surface, the output signal value of the circuit 42 becomes maximum, and the front side Average value of the imaging signal of the light and shade striped pattern (
or the total value) will be almost zero.
ジャストフォーカス点では、前後の濃淡縞パターンの中
間点がウェハ表面に結像されるため、前後の濃淡縞パタ
ーンはいずれも淡い像としてウェハ表面に投影され、そ
れぞれの\IL均的なコントラスト比はほぼ1になる。At the just-focus point, the midpoint between the front and rear shading stripes is imaged on the wafer surface, so both the front and rear shading stripes are projected onto the wafer surface as pale images, and the average contrast ratio of each \IL is It becomes almost 1.
そして、フォーカスエラー信号ERRは、回路40.4
2の出力信υ値の差信号、すなわちウェハ表面に投影さ
れた前後の濃淡縞パターンの平均的なコントラスト比の
比例信′I)である。したがって、ウェハ表面がジャス
トフォーカス点を中心として一トドすると、フォーカス
エラー4K 号E RRハ絶対値および極性が図示のよ
うに変化する。The focus error signal ERR is output from the circuit 40.4.
This is a difference signal between the two output signals υ values, that is, a proportional signal 'I) of the average contrast ratio of the front and rear dark and light striped patterns projected onto the wafer surface. Therefore, when the wafer surface moves around the just focus point, the absolute value and polarity of the focus error 4K change as shown.
以りのように構成された本実施例の動作について説明す
る。ウェハ12がXYZステージ10に固定されると、
装置調御部39の制御によりXY2ステージ10はXお
よびY方向の基準位置まで駆動される。なお、この時点
ではXYZステージ10は最下位置まで下がっている。The operation of this embodiment configured as described above will be explained. When the wafer 12 is fixed on the XYZ stage 10,
Under the control of the device control section 39, the XY2 stage 10 is driven to the reference position in the X and Y directions. Note that at this point, the XYZ stage 10 has been lowered to the lowest position.
次に装置制御部39の制御により、xYzステージ10
が上昇駆動され、ウェハ12は徐々に上昇する。そして
、ジャストフォーカス点に近づくトフォーカスエラー信
号ERRがプラス側のピークまで増加し、その直後にピ
ーク通過検出回路48からピーク通過検出信号PTが出
る。すなわち、オートフォーカスの引き込み範囲内にウ
ェハ表面が入ったということである。Next, under the control of the device control unit 39, the xYz stage 10
is driven upward, and the wafer 12 gradually rises. Then, the focus error signal ERR approaching the just focus point increases to a peak on the plus side, and immediately after that, the peak passage detection signal PT is output from the peak passage detection circuit 48. In other words, the wafer surface has entered the autofocus pull-in range.
このピーク通過検出信号PTに応答して、装置制御部3
9はXYZステージioの上昇駆動を停+1−するとと
もに、抑11−信号1)E(これまでオン状態であった
)をオフすることによりドライバ46を作動させ、一定
時間を経過後にXYZステージ10のXまたはY方向に
移動させながら異物検査動作を行わせる。In response to this peak passage detection signal PT, the device control unit 3
9 stops the upward drive of the XYZ stage io, and activates the driver 46 by turning off the inhibit signal 1)E (which had been on until now), and after a certain period of time has elapsed, the XYZ stage 10 The foreign object inspection operation is performed while moving in the X or Y direction.
さて、抑止信号DEのオフによりフォーカス制御回路3
4が作動を開始する。フォーカスエラー信号ERRがプ
ラス極性の時には、ウェハ12を微小り昇させる方向に
フォーカス調整用モータ37がドライバ46によって駆
動される。逆にフォーカスエラー信号ERRがマイナス
極性の時には、ウェハ12を下降させる方向にモータ3
7はドライバ46により駆動される。このようにして、
フォーカスエラー信号ERRをほぼゼロに保つようにウ
ェハ12の高さが微調整される。Now, by turning off the inhibition signal DE, the focus control circuit 3
4 starts operating. When the focus error signal ERR has positive polarity, the focus adjustment motor 37 is driven by the driver 46 in a direction that slightly raises the wafer 12. Conversely, when the focus error signal ERR has negative polarity, the motor 3 moves in the direction of lowering the wafer 12.
7 is driven by a driver 46. In this way,
The height of the wafer 12 is finely adjusted so as to keep the focus error signal ERR at approximately zero.
このようなフォーカスサーボががかった状態における焦
点誤差は、フォーカス制御回路34の利得と前後パター
ン板22.24の間際によっては。The focus error in such a state where the focus servo is applied depends on the gain of the focus control circuit 34 and the distance between the front and rear pattern plates 22 and 24.
ぼ決まり、ウェハ12の厚さ変動による影響は受けない
。また、用−トフォーカス用濃淡縞パターンを1次元イ
メージセンサではな(,2次元イメージ七ン32により
撮像し、その出力信号から前後の濃淡縞パターンの平均
的なコントラスト比に対応したフォーカスエラー信号E
RRを作成してフォーカス制御を行うから、ウェハ面の
微小異物や回路パターンによる影響を殆ど受けない。The thickness of the wafer 12 is fixed and is not affected by variations in the thickness of the wafer 12. In addition, the shading stripe pattern for focus is imaged not by a one-dimensional image sensor (2D image sensor 32), and from the output signal, a focus error signal corresponding to the average contrast ratio of the front and rear shading stripe patterns is detected. E
Since focus control is performed by creating an RR, there is almost no influence from minute foreign matter or circuit patterns on the wafer surface.
換言すれば、視野の広がりのある2次元イメージセンサ
で撮像し平均的コントラスト比を求めるから、前記のよ
うに濃淡縞パターンの方向およびサイズを決定すること
により、ウェハ面の微小異物や回路パターンによる影響
をより確実に排除できるわけである。In other words, since images are captured using a two-dimensional image sensor with a wide field of view and the average contrast ratio is determined, by determining the direction and size of the dark and light striped pattern as described above, it is possible to detect minute foreign objects on the wafer surface and circuit patterns. This means that the effects can be more reliably eliminated.
このように、本実施例のオートフォーカス方式によれば
、観測光学系とウェハ面とのフォーカス制御を従来より
遥に高精度かつ安定に杼うことができる。As described above, according to the autofocus method of this embodiment, focus control between the observation optical system and the wafer surface can be performed with much higher precision and stability than in the past.
第6図は、パターン板22.24の位置調整固定機構の
概略斜視図である。図において、50はパター゛ン板2
2,24を一体的に2方向に微動するための2微動テー
ブルである。このZ微動テーブル50の固定部は固定部
材52に固定される。FIG. 6 is a schematic perspective view of the position adjustment and fixing mechanism of the pattern plates 22,24. In the figure, 50 is the pattern board 2
This is a 2-fine movement table for integrally moving 2 and 24 in two directions. A fixed portion of this Z fine movement table 50 is fixed to a fixed member 52.
54はパターン板22.24をX方向(光軸方向)に微
動させるためのX微動テーブルであり、その固定部はZ
微動テーブル60の可動部に固定されている。58はパ
ターン板24をX方向に微動させるためのX微動テーブ
ルであり、その可動部はZ形金具58を介してX微動テ
ーブル54の可動部に固定されている。60はパターン
板24をY方向に微動させるためのY微動テーブルであ
り、その固定部はX微動テーブル5Bの固定部に固定さ
れている。62はパターン板22が取り付けられたブラ
ケットであり、これはZ形金具58に固定されている。54 is an X fine movement table for finely moving the pattern plates 22 and 24 in the X direction (optical axis direction), and its fixed part is
It is fixed to the movable part of the fine movement table 60. 58 is an X fine movement table for finely moving the pattern plate 24 in the X direction, and its movable part is fixed to the movable part of the X fine movement table 54 via a Z-shaped metal fitting 58. 60 is a Y fine movement table for finely moving the pattern plate 24 in the Y direction, and its fixed portion is fixed to the fixed portion of the X fine movement table 5B. 62 is a bracket to which the pattern plate 22 is attached, and this is fixed to the Z-shaped metal fitting 58.
64はパターン板24が取り付けられたブラケットであ
り、これはX微動テーブル60の可動部に固定されてい
る。64 is a bracket to which the pattern plate 24 is attached, and this is fixed to the movable part of the X fine movement table 60.
このような構造であるから、Z微動テーブル50の回転
嫡子50aを操作することにより、X微動テーブル54
、lk動テーブル56およびY微動テーブル60を全体
としてZ方向に微動させ、パターン板22.24のZ方
向位置の微調整を行うことができる。With such a structure, by operating the rotary successor 50a of the Z fine movement table 50, the X fine movement table 54
, lk movement table 56 and Y fine movement table 60 as a whole can be moved slightly in the Z direction to finely adjust the position of the pattern plates 22, 24 in the Z direction.
また、X微動テーブル54の回転嫡子54aを操作する
ことによりZ彫金具58に固定された部分を一体的に微
動させ、パターン板22.24のX方向位置の微調整を
行うことができる。Further, by operating the rotary heir 54a of the X fine movement table 54, the portion fixed to the Z engraving tool 58 can be integrally moved finely, thereby making it possible to finely adjust the position of the pattern plates 22, 24 in the X direction.
さらに、X微動テーブル56の回転嫡子58aの操作に
よりY微動テーブル60を全体として移動させ、パター
ン板24のX方向位置の微調整を行うことができる。Further, by operating the rotating heir 58a of the X fine movement table 56, the Y fine movement table 60 can be moved as a whole, and the position of the pattern plate 24 in the X direction can be finely adjusted.
また、Y微動テーブル60の回転嫡子80aを操作する
ことにより、パターン板24のY方向位置の微調整が可
能である。Furthermore, by operating the rotary heir 80a of the Y fine movement table 60, the position of the pattern plate 24 in the Y direction can be finely adjusted.
ここまでの説明から明らかなように、この発明によれば
、オートフォーカス用の2つの濃淡縞パターンは独立し
た2つのパターン板22.24に設けられており、パタ
ーン板22.24の光軸方向位置および間隔を容易に調
節することができるので、フォーカスサーボがかかった
状態における焦点ずれの許容範囲の幅(焦点合わせ精度
)と、そのl−限および下限位置をそれぞれ任意に設定
1−4能で、また、その調整が容易である。As is clear from the above description, according to the present invention, the two light and shade striped patterns for autofocus are provided on two independent pattern plates 22.24, and the optical axis direction of the pattern plates 22.24 is Since the position and interval can be easily adjusted, the width of the allowable range of focus deviation (focusing accuracy) when the focus servo is applied, and its l-limit and lower limit positions can be set arbitrarily using functions 1-4. Also, it is easy to adjust.
因みに、1枚のガラス板の両面に濃淡縞パターンを設け
た場合、濃淡縞パターンの間隔はガラス板の厚さによっ
て固定していまうから、焦点合わせ精度の調整は不可能
である。また、そのガラス板の位置によって焦点ずれ許
容範囲の一1〕限と上限位置も決定してしまい、それぞ
れを任意に設定することはできない。Incidentally, when shading stripe patterns are provided on both sides of a single glass plate, the intervals between the shading stripes are fixed depending on the thickness of the glass plate, making it impossible to adjust the focusing accuracy. Further, the position of the glass plate determines the limit and upper limit of the allowable defocus range, and it is not possible to set each of them arbitrarily.
しかも、パターン板22.24の相対向する面に濃淡縞
パターンが設けられているから、パターン板22.24
(ガラス板)の厚さに関係なく、前後の濃淡縞パターン
の間隔は極めて小さくすることができる。換言すれば、
パターン板22.24として比較的厚いガラス板を用い
ることができる。Moreover, since the pattern plates 22, 24 are provided with light and shade striped patterns on opposing surfaces, the pattern plates 22, 24
Regardless of the thickness of the (glass plate), the interval between the front and rear shading striped patterns can be made extremely small. In other words,
Relatively thick glass plates can be used as pattern plates 22,24.
因みに1枚のガラス板の両面に濃淡縞パターンを設けた
場合、強度などの而でガラス板の最小厚さは自ずと決ま
り、その厚さによって焦点合わせ精度が決まってしまう
が、この発明によれば、そような制約はなくなる。Incidentally, when a pattern of light and dark stripes is provided on both sides of a single glass plate, the minimum thickness of the glass plate is automatically determined by factors such as strength, and focusing accuracy is determined by that thickness. , such restrictions disappear.
さらに、1枚のガラス板の両面に濃淡縞パターンを設け
た場合、ウェハ而がジャストフォーカス点にある時に、
ガラス板の中間点、つまりパターンのない部分がウェハ
而に結像するように投影光学系とガラス板との間隔など
を調節しなければならず、調整のためのU−1標がない
ため、その調節が面倒であり、また不正確になりやすい
。Furthermore, if a pattern of light and dark stripes is provided on both sides of a single glass plate, when the wafer is at the just focus point,
The distance between the projection optical system and the glass plate must be adjusted so that the midpoint of the glass plate, that is, the part without a pattern, is imaged onto the wafer, and there is no U-1 marker for adjustment. Adjustment is troublesome and tends to be inaccurate.
これに対し、この発明にあっては濃淡縞パターンをパタ
ーン板22.24の相対向する面に設けるため、各濃淡
縞パターンの位置調整などを容易かつ正確に行うことが
できる。この点を1らかにするため、その調整手順の一
例を以下説明する。In contrast, in the present invention, since the light and shade striped patterns are provided on opposing surfaces of the pattern plates 22 and 24, the position of each light and shade striped pattern can be easily and accurately adjusted. In order to clarify this point, an example of the adjustment procedure will be described below.
まず、パターン板22.24を密着させ、前後の濃淡縞
パターンをほぼ同一・而に屯ねる。そして、ウェハ而を
基f4p高さ位置に調節する。First, the pattern plates 22 and 24 are brought into close contact with each other so that the front and rear shading striped patterns are almost the same. Then, the wafer is adjusted to the height position f4p.
この状態で、各濃淡縞パターンが2次元イメージセンサ
32の対応する撮像領域に入るように、回転嫡子50
a * 60 aの操作によってパターン板22.24
のZ方向位置およびY方向位置を調節する。また、2次
元イメージセンサ32の出力が最大になるように、回転
嫡子54aの操作によりパターン板22.24のX方向
(光軸方向)の位置を調節する。In this state, the rotating heir 50
a * 60 Pattern board 22.24 by operation of a
Adjust the Z-direction position and Y-direction position of. Furthermore, the position of the pattern plates 22, 24 in the X direction (optical axis direction) is adjusted by operating the rotating heir 54a so that the output of the two-dimensional image sensor 32 is maximized.
この調節段階は、1枚のガラス板の両面に濃淡縞パター
ンを設けた場合においては、ガラス板の中間点に関して
行う必要があり、調節の[目標がないので調節が極めて
面倒であった。しかし、この発明にあっては、前後濃淡
縞パターンを密着させ、その濃淡縞パターンを目標とす
ることができるので、調節が容易でかつ正確である。When a pattern of light and dark stripes is provided on both sides of a single glass plate, this adjustment step needs to be performed at the midpoint of the glass plate, making the adjustment extremely troublesome because there is no target for the adjustment. However, in the present invention, the front and rear shading stripes patterns are brought into close contact with each other, and the shading stripe pattern can be targeted, so that the adjustment is easy and accurate.
次にウェハ而を焦点ずれの許容範囲の上限位置まで一、
t Wr−させる。そして、後側パターン板22の濃淡
縞パターンに対応する2次元イメージセンサ32の出力
が最大となるように、回転嫡子54aを操作する。Next, move the wafer to the upper limit of the allowable defocus range.
t Wr-. Then, the rotating heir 54a is operated so that the output of the two-dimensional image sensor 32 corresponding to the light and shade striped pattern on the rear pattern plate 22 is maximized.
次にウェハ而を焦点ずれ許容範囲の下限位置まで丁げる
。そして、回転嫡子58aを操作することにより、前側
パターン板24の濃淡縞パターンに対応した2次元イメ
ージセンサ32の出力が最大となるように、パターン板
24のX方向位置を調節する。Next, the wafer is lowered to the lower limit of the allowable defocus range. Then, by operating the rotating heir 58a, the position of the pattern plate 24 in the X direction is adjusted so that the output of the two-dimensional image sensor 32 corresponding to the light and shade striped pattern of the front pattern plate 24 is maximized.
これでパターン板22.24の位置および間隔すなわち
焦点ずれ許容範囲の1−限および下限位置と幅(焦点合
わせ精度)の調節が終了する。This completes the adjustment of the position and interval of the pattern plates 22 and 24, that is, the 1-limit and lower limit positions and width (focusing accuracy) of the allowable defocus range.
なお、本実施例におけるフォーカス制御回路34の機能
の一部をソフトウェアによって実現してもよい。Note that part of the functions of the focus control circuit 34 in this embodiment may be realized by software.
また、オートフォーカス用濃淡パターンのパターン形態
などを適宜変形してもよい。Further, the pattern form of the autofocus gray pattern may be modified as appropriate.
さらに、オートフォーカス用2次元イメージセンサ32
は、前記CODイメージセンサ以外のものを用いてもよ
い。Furthermore, a two-dimensional image sensor 32 for autofocus
may use a sensor other than the COD image sensor.
また前記実施例はウェハの異物検査装置に適用されたも
のであるが、この発明のオートフォーカス方式は、マス
ク基板の表面検査装置など、部材の表面を光学的に観測
する装置に一般的に適用できるものである。Furthermore, although the above embodiment was applied to a wafer foreign matter inspection device, the autofocus method of the present invention is generally applicable to devices that optically observe the surface of a member, such as a mask substrate surface inspection device. It is possible.
[発明の効果コ
以にの説明から明らかなように、この発明によれば、部
材の厚さの変動による影響および部材表面の微小異物な
どによる影響を排除し、ウェハな、 どの部材の表面
と観測光学系の焦点合わせを高精度かつ安定に行うこと
ができ、また、焦点ずれ許容範囲の幅、下限、上限を任
意に設定できるとともに、その調整を容易かつ正確に行
うことができるなどの効果を達成できる。[Effects of the Invention] As is clear from the description below, according to the present invention, the effects of variations in the thickness of the member and the effects of minute foreign matter on the surface of the member can be eliminated, and the surface of any member, such as a wafer, can be eliminated. The observation optical system can be focused with high accuracy and stability, and the width, lower limit, and upper limit of the allowable range of defocus can be arbitrarily set, and the adjustments can be made easily and accurately. can be achieved.
第1図はウェハ異物検査装置に適用された、この発明の
オートフォーカス方式の一実施例のI!要図、第2図は
オートフォーカス用濃淡縞パターンの説明図、第3図は
濃淡縞パターン撮像用2次元イメージセンサの視野分割
の説明図、第4図はフォーカス制御回路のブロック図、
第5図は焦点すれとフォーカスエラー信号との関係を示
す特性線図、第6図はパターン板の位置調整固定機構の
概略斜視図である。
10・・・XYZステージ、12・・・ウェハ、16・
・・11J測光学系の対物レンズ、18・・・ハーフミ
ラ−122,24・・・パターン板、30・・・投影光
学系のレンズ、32・・・2次元イメージセンサ、34
−・・ミラー、3B−・・シリンドリカルレンズ、34
・・・フォーカス制御回路、37・・・フォーカス調整
用モータ、50・・・2微動テーブル、54.56・−
X微動テーブル、60・・・Y微動テーブル。FIG. 1 shows an embodiment of the autofocus system of the present invention applied to a wafer foreign matter inspection device. 2 is an explanatory diagram of a gray stripe pattern for autofocus, FIG. 3 is an explanatory diagram of field division of a two-dimensional image sensor for imaging a gray stripe pattern, and FIG. 4 is a block diagram of a focus control circuit.
FIG. 5 is a characteristic diagram showing the relationship between out-of-focus and focus error signals, and FIG. 6 is a schematic perspective view of a pattern plate position adjustment and fixing mechanism. 10...XYZ stage, 12...wafer, 16.
...Objective lens of 11J optical measuring system, 18...Half mirror 122, 24...Pattern plate, 30...Lens of projection optical system, 32...Two-dimensional image sensor, 34
--Mirror, 3B--Cylindrical lens, 34
...Focus control circuit, 37...Focus adjustment motor, 50...2 fine movement table, 54.56.-
X fine movement table, 60...Y fine movement table.
Claims (2)
れた投影光学系と、この投影光学系の光軸上に2つのパ
ターン板を前後に重ねて少なくとも当該光軸方向の位置
調整可能に固定する機構とを備え、前記2つのパターン
板はそれぞれ相対向する面に濃淡パターンを有し、また
、前記投影光学系によって前記部材の表面に投影された
前記各パターン板の濃淡パターンを撮像するための2次
元イメージセンサと、この2次元イメージセンサの出力
信号を入力とし、前記部材の表面に投影された前記各パ
ターン板の濃淡パターンの平均的なコントラスト比がほ
ぼ1になるように前記部品と前記観測光学系とを相対的
に移動させるための駆動手段を制御するフォーカス制御
手段とを備え、前記投影光学系は前記部材の表面と前記
観測光学系の焦点とが一致した場合に前記2つのパター
ン板のほぼ中間点を前記部材の表面に結像させるもので
あることを特徴とするオートフォーカス方式。(1) A projection optical system that is fixed to the observation optical system that observes the surface of the component, and two pattern plates stacked back and forth on the optical axis of this projection optical system so that the position can be adjusted at least in the optical axis direction. and a mechanism for fixing the two pattern plates to each other, each of the two pattern plates having a shading pattern on opposing surfaces, and imaging the shading pattern of each of the pattern plates projected onto the surface of the member by the projection optical system. A two-dimensional image sensor is used to perform the image processing, and an output signal of the two-dimensional image sensor is input, and the image sensor is configured such that the average contrast ratio of the light and shade patterns of each of the pattern plates projected onto the surface of the member becomes approximately 1. focus control means for controlling a drive means for relatively moving the component and the observation optical system; An autofocus system characterized in that an image is formed on the surface of the member at approximately a midpoint between two pattern plates.
方のパターン板の濃淡パターンに対応する2次元イメー
ジセンサの出力信号の平均値または合計値と、前記部材
表面に投影された他方のパターン板の濃淡パターンに対
応する2次元イメージセンサの出力信号の平均値または
合計値との差を平均的コントラスト比として求めること
を特徴とする特許請求の範囲第1項に記載のオートフォ
ーカス方式。(2) The focus control means calculates the average value or total value of the output signals of the two-dimensional image sensor corresponding to the shading pattern of one pattern plate projected onto the surface of the member, and the average value or total value of the output signal of the two-dimensional image sensor corresponding to the light and shade pattern of one pattern plate projected onto the surface of the member. 2. The autofocus method according to claim 1, wherein the difference between the average value or the total value of the output signals of the two-dimensional image sensor corresponding to the grayscale pattern is determined as the average contrast ratio.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7338687A JPS63239412A (en) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | Automatic focusing system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7338687A JPS63239412A (en) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | Automatic focusing system |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63239412A true JPS63239412A (en) | 1988-10-05 |
Family
ID=13516700
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7338687A Pending JPS63239412A (en) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | Automatic focusing system |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63239412A (en) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5596406A (en) * | 1979-01-19 | 1980-07-22 | Hitachi Ltd | Device for determining roughness of surface |
JPS61235808A (en) * | 1985-04-12 | 1986-10-21 | Hitachi Ltd | Method and device for automatic focusing |
JPS6281616A (en) * | 1985-10-07 | 1987-04-15 | Hitachi Ltd | Focus position detecting device |
-
1987
- 1987-03-27 JP JP7338687A patent/JPS63239412A/en active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5596406A (en) * | 1979-01-19 | 1980-07-22 | Hitachi Ltd | Device for determining roughness of surface |
JPS61235808A (en) * | 1985-04-12 | 1986-10-21 | Hitachi Ltd | Method and device for automatic focusing |
JPS6281616A (en) * | 1985-10-07 | 1987-04-15 | Hitachi Ltd | Focus position detecting device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4860374A (en) | Apparatus for detecting position of reference pattern | |
US4650983A (en) | Focusing apparatus for projection optical system | |
DE60020656T2 (en) | Autofocus device and method | |
US8180156B2 (en) | Method and device for machine-cutting a plate-shaped workpiece | |
JP4613357B2 (en) | Apparatus and method for adjusting optical misregistration measuring apparatus | |
CN110132374B (en) | Self-compensating laser liquid level measuring system | |
JP2523227Y2 (en) | Foreign matter inspection device | |
KR0132269B1 (en) | Alignment apparatus of stepper and control method therefor | |
US4496241A (en) | Process and device for relatively aligning the image and object surfaces in optical copying systems | |
US4579453A (en) | Method and apparatus for detecting a mark position | |
JP5208896B2 (en) | Defect inspection apparatus and method | |
JP2006317428A (en) | Face position detector | |
JP2006184777A (en) | Focus detector | |
JPH035651B2 (en) | ||
JPS63239412A (en) | Automatic focusing system | |
JPH077653B2 (en) | Observation device by scanning electron microscope | |
JPS63213810A (en) | Auto-focusing system | |
JPS63212911A (en) | Auto focus system | |
JP2000164680A (en) | Position adjusting device for wafer | |
JP2828145B2 (en) | Optical section microscope apparatus and method for aligning optical means thereof | |
JPH01107990A (en) | Automatic focus detector | |
JP4604651B2 (en) | Focus detection device | |
JPH0677096B2 (en) | Projector focusing device | |
JP2951361B2 (en) | Automatic focusing device | |
KR100254253B1 (en) | Control device of stage focus and level of water and the method thereof |