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JPS63237429A - Wafer prober - Google Patents

Wafer prober

Info

Publication number
JPS63237429A
JPS63237429A JP62072010A JP7201087A JPS63237429A JP S63237429 A JPS63237429 A JP S63237429A JP 62072010 A JP62072010 A JP 62072010A JP 7201087 A JP7201087 A JP 7201087A JP S63237429 A JPS63237429 A JP S63237429A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
chuck
stages
stage
measured
Prior art date
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Granted
Application number
JP62072010A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH0687473B2 (en
Inventor
Toshimi Yasuda
安田 利美
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP62072010A priority Critical patent/JPH0687473B2/en
Publication of JPS63237429A publication Critical patent/JPS63237429A/en
Publication of JPH0687473B2 publication Critical patent/JPH0687473B2/en
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Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

PURPOSE:To shorten a waiting time until a start of a measuring operation and to enhance a productivity by a method wherein two independent wafer chucks are installed and one wafer can be measured while the other wafer is aligned finely so that the measuring operation of the latter can be started immediately after completion of the measuring operation of the former. CONSTITUTION:When a fine-alignment operation is completed, a wafer chuck 5a is shifted under a probe card 11; after a pad on a chip to be measured has been brought into contact with a probe, a measuring operation is executed by using a tester. When the measuring operation of one chip is completed, following chips are shifted intermittently, and these chips are measured in succession. On the other hand, simultaneously with a start of the measuring operation of a wafer 6a, a wafer 6b which has been accommodated in a carrier 7b is placed on a chuck 5b. Simultaneously with the start of an unloading operation of the wafer chuck 5a after completion of the measuring operation of the wafer 6a, the wafer chuck 5b is shifted under the probe card 11 and th measuring operation of the wafer 6b is started. After that, above-mentioned operations are separated, and all the wafers in carriers 7a and 7b are measured; accordingly, the wafers can be measured successively.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体基板上に形成された集積回路素子の検査
を行うために用いられるウエハブローバに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a wafer blobber used for inspecting integrated circuit elements formed on a semiconductor substrate.

°〔従来の技術〕 半導体基板(以下ウェハと称する)上に形成された集積
回路素子(以下チップと称する)の検査を行うためのウ
エハプローバの主たる役目は、ウェハ上のチップの電i
<以下パッドと称する〉にプローブカード上に形成され
た探針プローブの先端を正確に接触させ、1個または複
数個のチップを測定可能な状態とすることであり、通常
このような状態とする作業をブロービングと呼んでいる
° [Prior Art] The main role of a wafer prober for inspecting integrated circuit elements (hereinafter referred to as chips) formed on a semiconductor substrate (hereinafter referred to as wafer) is to inspect the electrical current of chips on the wafer.
This is to accurately contact the tip of a probe formed on a probe card with <hereinafter referred to as a pad> to make it possible to measure one or more chips, and this is usually the state. The process is called blobbing.

通常のウェハの検査は、このような10−ビングを繰り
返し行ってウェハ上のすべてのチップを検査する。
In normal wafer inspection, such 10-bings are repeated to inspect all chips on the wafer.

一般的な全自動形のウエハプローバの動作は、以下のよ
うになっている。すなわち、キャリア内に収納されたウ
ェハをベルトやバキュームハンドなどの手段によってキ
ャリアから取出し、取出したウェハのオリエンテーショ
ンフラットを検出してそのオリエンテーションフラット
を一定の方向に合わせて試料台(以下ウェハチャックと
称する)に搭載する(通常これをロードするという)。
The operation of a typical fully automatic wafer prober is as follows. That is, the wafer stored in the carrier is taken out from the carrier by means such as a belt or a vacuum hand, the orientation flat of the taken out wafer is detected, and the orientation flat is aligned in a certain direction and the sample stage (hereinafter referred to as wafer chuck) is moved. ) (usually called loading this).

ウェハチャックに搭載したウェハは、容量センサ等を用
いてその外周を3点計測して中心を求め、続いてウェハ
の厚さやそり等を計測する。この後、位置補正(以下フ
ァインアライメントと称する)を行い、探針プローブと
パッドとが正確に接触できる状態をつくる。ファインア
ライメントが終了すると、ウェハチャックは探針プロー
ブの直下へ移動し、探針プローブとパッドとを接触させ
てチップの測定を開始する。ウェハ上のすべてのチップ
について測定が終了すると、そのウェハをキャリアへ収
納(これをアンロードという)する。アンロードが終了
すると次のウェハをロードして同様の方法で測定を行う
The wafer mounted on the wafer chuck is measured at three points on its outer circumference using a capacitive sensor or the like to find the center, and then the thickness, warpage, etc. of the wafer are measured. After this, position correction (hereinafter referred to as fine alignment) is performed to create a state in which the tip probe and the pad can accurately contact each other. When fine alignment is completed, the wafer chuck moves directly below the tip probe, brings the tip probe into contact with the pad, and starts measuring the chip. When all chips on the wafer have been measured, the wafer is stored in a carrier (this is called unloading). When unloading is completed, the next wafer is loaded and measured in the same manner.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

上記のような従来のウエハプローバでは、ウェハチャッ
クにウェハをロードする時点からファインアライメント
が終了する時点すなわちウェハ上のチップの測定開始直
前の時点までの所要時間は、およそ40秒〜80秒程度
必要である。この40秒〜80秒の時間は、試験装置(
以下テスタと称する)は測定動作を行っていない状態で
ある。1枚のウェハを測定するごとに発生するこの損失
時間を60秒とすると、50枚のウェハを測定するとき
には49分の時間損失があり、この間テスタは測定動作
を行わずに待機していることになる。
With the conventional wafer prober as described above, the time required from loading the wafer onto the wafer chuck to the point at which fine alignment is completed, that is, just before the measurement of chips on the wafer begins, is approximately 40 to 80 seconds. It is. This period of 40 seconds to 80 seconds is
(hereinafter referred to as a tester) is in a state where it is not performing a measurement operation. Assuming that this loss time that occurs each time one wafer is measured is 60 seconds, there is a time loss of 49 minutes when measuring 50 wafers, and during this time the tester is on standby without performing any measurement operations. become.

このように従来のウエハプローバはウェハをロードする
時点からチップの測定と開始する時点迄の間に測定を行
わない待時間があり、この待時間は損失時間となってウ
エハプローバの生産性の向上を妨げる要因になっている
。これは、従来のプローバにはウェハチャックが1つし
かのいためであり、このような構成では、ウェハのロー
ドおよびアンロード時の時間損失をなくすことは不可能
である。
In this way, with conventional wafer probers, there is a waiting time during which no measurement is performed between the time when the wafer is loaded and the time when chip measurement begins, and this waiting time becomes lost time, which improves the productivity of the wafer prober. It is a factor that hinders This is because conventional probers have only one wafer chuck, and with such a configuration, it is impossible to eliminate time loss during wafer loading and unloading.

本発明の目的は、従来の°ウエハプローバの上述のよう
な欠点を除去して、2個の独立なウェハチャックを備え
、一方のウェハチャック上のウェハを測定している間に
、他の一方のウェハチャック上のウェハをファインアラ
イメントしておき、前者が測定終了すると直ちに後者の
測定を開始することをできるようにして、測定開始まで
の待時間を小さくして生産性を向上させることのできる
ウエハプローバを提供することにある。
It is an object of the present invention to eliminate the above-mentioned drawbacks of conventional wafer probers and to provide two independent wafer chucks, so that while the wafer on one wafer chuck is being measured, the wafer on the other is being measured. The wafer on the wafer chuck is fine-aligned, and the measurement of the latter can be started immediately after the measurement of the former is completed, thereby reducing the waiting time until the start of measurement and improving productivity. The purpose of the present invention is to provide a wafer prober.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明のウエハプローバは、水平面内で横方向の運動を
案内する2個のX軸ガイドと、前記X軸ガイド上に跨座
して設置された2個のXステージと、前記2個のXステ
ージのおのおのに設けられた2個のY軸ガイドと、前記
Y軸ガイドによって水平面内の縦方向の運動を案内され
る2個のYステージと、前記2個のYステージのおのお
のに設けられf:2個のZθステージと、前記2個のZ
θステージのおのおのに設けられた2個のウェハチャッ
クとを有し、直線運動または回転運動によって前記2個
のウェハチャックを測定位置と待機位置との二つの位置
の間を移動自在としたステージベースと、前記ウェハチ
ャックの測定位置の上方に設けた1個のプローブカード
と、前記ウェハチャックの待機位置の上方に設けた少く
とも1個のアライメント装置と、前記ウェハチャックに
搭載すべきウェハを収容する少くとも1個のキャリャと
、前記キャリヤに収容された前記ウェハを前記ウェハチ
ャックにロードまたはアンロードするローダと、前記プ
ローブカードに接続されたテスタ測定部と、前記ステー
ジベースと前記アラメイント装置と前記ローダと前記テ
スタ測定部との動作の制御を行う制御部とを備えて構成
される。
The wafer prober of the present invention includes two X-axis guides that guide lateral movement in a horizontal plane, two X-stages installed astride the X-axis guides, and two two Y-axis guides provided on each of the stages, two Y-stages whose vertical movement in a horizontal plane is guided by the Y-axis guides, and f provided on each of the two Y-stages. : Two Zθ stages and the two Z
A stage base having two wafer chucks provided on each of the θ stages, and in which the two wafer chucks are movable between two positions, a measurement position and a standby position, by linear motion or rotational motion. a probe card provided above the measurement position of the wafer chuck; at least one alignment device provided above the standby position of the wafer chuck; and a wafer to be mounted on the wafer chuck. at least one carrier for loading or unloading the wafer contained in the carrier onto or unloading the wafer chuck, a tester measurement section connected to the probe card, the stage base, and the alament device. The apparatus includes a control section that controls operations of the loader and the tester measurement section.

〔実施例〕〔Example〕

次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図は本発明の第一の実施例を示す斜視図、第2図は
第1図の実施例の制御系を示すブロック図である。
FIG. 1 is a perspective view showing a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a block diagram showing a control system of the embodiment of FIG.

第1図において、ステージベース1上には、2本の平行
な横軸の案内部(X軸ガイド)8が設けられており、こ
のX軸ガイド8上に跨座して2個のXステージ2aおよ
び2bが搭載されている。
In FIG. 1, two parallel horizontal axis guides (X-axis guides) 8 are provided on the stage base 1, and two X-stages are seated astride the X-axis guides 8. 2a and 2b are installed.

Xステージ2a・2bはX軸ガイド8上を自在に往復運
動することができる。なお、Xステージ2aとXステー
ジ2bとは機械的に干渉しない構造となっている。Xス
テージ2aおよび2b上にはそれぞれ縦軸方向の案内(
Y軸ガイド)9aおよび9bが設けられており、これら
のY軸ガイド9aおよび9b上には、それぞれXステー
ジ3aおよび3bが搭載されている。Xステージ3aお
よび3bは、Xステージ2aおよび2bと同様にY軸ガ
イド9aまたは9b上をそれぞれ独立に往復運動するこ
とができる。Xステージ2aおよび2bとXステージ3
aおよび3bとは、共に送りねじ機構等の駆動手段によ
って往復運動が可能である。Xステージ3aおよび3b
上には、それぞれZθステージ4aおよび4b(詳細な
図示は省略)が設けられており、これらはそれぞれウェ
ハチャック5aおよび5bと結合している。Zθステー
ジ4aおよび4bはその上に搭載されているウェハチャ
ック5aおよび5bをそれぞれ上下方向に往復運動させ
ると共に上下方向を回転軸として回転運動をさせること
ができるようになっている。このように、ウェハチャッ
ク5aおよび5bは、ステージベース1上でそれぞれ独
立に横方向および縦方向および上下方向の往復運動と水
平面内の回転運動を行うことができるようになっている
The X stages 2a and 2b can freely reciprocate on the X-axis guide 8. Note that the X stage 2a and the X stage 2b have a structure that does not mechanically interfere with each other. On the X stages 2a and 2b, there are guides in the vertical axis direction (
Y-axis guides) 9a and 9b are provided, and X stages 3a and 3b are mounted on these Y-axis guides 9a and 9b, respectively. Like the X stages 2a and 2b, the X stages 3a and 3b can reciprocate independently on the Y axis guide 9a or 9b. X stage 2a and 2b and X stage 3
Both a and 3b can be reciprocated by driving means such as a feed screw mechanism. X stage 3a and 3b
Zθ stages 4a and 4b (detailed illustrations are omitted) are provided above, respectively, and these are coupled to wafer chucks 5a and 5b, respectively. The Zθ stages 4a and 4b are capable of vertically reciprocating the wafer chucks 5a and 5b mounted thereon, respectively, and also rotating with the vertical direction as an axis of rotation. In this way, the wafer chucks 5a and 5b can independently perform reciprocating movements in the horizontal, vertical, and vertical directions and rotational movement in the horizontal plane on the stage base 1.

ウェハチャック5aおよび5bの上方には、ヘッドプレ
ー1・とよばれるプローブカード11を保持する機構が
あり、これはステージベース1の中央上方に固定されて
いる。プローブカード11は、ウェハ6aおよび6bの
チップ内のパッドと接触する探針プローブを有しており
、テスタ測定部55と電気的に接続されている。アライ
メント装置10aおよび10bは、それぞれウェハチャ
ック5aおよび5bの上方に設置されており、ウェハ6
aまたは6bのファインアライメントを行うものである
。アライメント装K 10 aおよび10bは、He−
Neレーザや半導体レーザとビデオカメラ等を用いて構
成されている。なお、第1図には示していないが、ウェ
ハ6aおよび6bの中心位置や厚さまたはそりなどを検
知する容量センサが、ウェハチャック5aおよび5bの
おのおの上方に設置されている。
Above the wafer chucks 5a and 5b, there is a mechanism for holding a probe card 11 called a head plate 1, which is fixed above the center of the stage base 1. The probe card 11 has probes that come into contact with pads in the chips of the wafers 6a and 6b, and is electrically connected to the tester measurement section 55. The alignment devices 10a and 10b are installed above the wafer chucks 5a and 5b, respectively, and the wafer 6
This is to perform fine alignment of a or 6b. The alignment devices K 10a and 10b are He-
It is constructed using a Ne laser, a semiconductor laser, a video camera, etc. Although not shown in FIG. 1, capacitive sensors for detecting the center position, thickness, warpage, etc. of the wafers 6a and 6b are installed above each of the wafer chucks 5a and 5b.

第2図に示すように、Xステージ2aとXステージ3a
とZθステージ4aおよびウェハチャック5aは、ステ
ージ制御部52aによって制御され、同様にXステージ
2bとYステージ3bとZθステージ4bおよびウェハ
チャック5bはステージ制御部52bにより制御される
。ウェハ6aまたは6bをキャリア7aまたは7bから
取り出してウェハチャック5aおよび5bに供給し、ウ
ェハチャック5aおよび5bからキャリア7aまたは7
bへ収納するためのウェハローダは、ローダ制御部51
によって制御される。またアライメンI・装置10aお
よび10bは、アライメン1〜制御部53で制御される
。これらの制御部は主制御部50で制御される。主制御
部50はまたテスタ・(図示省略)との交信などの機能
も有している。
As shown in FIG. 2, the X stage 2a and the X stage 3a
The Zθ stage 4a and the wafer chuck 5a are controlled by a stage controller 52a, and similarly the X stage 2b, Y stage 3b, Zθ stage 4b, and wafer chuck 5b are controlled by a stage controller 52b. The wafer 6a or 6b is taken out from the carrier 7a or 7b and supplied to the wafer chucks 5a and 5b.
The wafer loader for storing the wafer in the loader control unit 51
controlled by Further, the alignment device I/devices 10a and 10b are controlled by the alignment device 1 to the control section 53. These control units are controlled by a main control unit 50. The main control section 50 also has functions such as communication with a tester (not shown).

次に上述の実施例の動作について説明する。Next, the operation of the above embodiment will be explained.

キャリア7aにはウェハが収納されており、ウェハロー
ダによってウェハチャック5ac′ニー搭載される。ウ
ェハチャック5aは、容量センサ(図示省略)の下へ移
動し、ウェハ6aの中心と厚さまたはそりを計測したの
ち、アライメント装置10aの下へ移動する。アライメ
ント装置10aは、ウェハ6aの表面のアライメントの
ためのデータを収集し、アライメント制御部53で分析
すると同時にステージ制御52aによってXステージ2
aとYステージ3aとZθステージ4aとを駆動してウ
ェハ6aのファインアライメントを行う。
A wafer is stored in the carrier 7a, and is loaded onto the wafer chuck 5ac' knee by a wafer loader. The wafer chuck 5a moves below the capacitive sensor (not shown), measures the center and thickness or warp of the wafer 6a, and then moves below the alignment device 10a. The alignment device 10a collects data for alignment of the surface of the wafer 6a, analyzes it in the alignment control section 53, and simultaneously controls the X stage 2 by the stage control 52a.
Fine alignment of the wafer 6a is performed by driving the Y stage 3a and Zθ stage 4a.

ファインアライメントが終了すると、ウェハチャック5
aはプローブカード11の下に移動し、測定すべきチッ
プのパッドと探針プローブとを接触させてテスタ測定部
55およびテスタによって測定を行う。1個のチップの
測定が終了すると、次に測定すべきチップへ間欠移動し
て次のチップの測定を行い以下順次残余のチップの測定
を行う。
When fine alignment is completed, the wafer chuck 5
a moves below the probe card 11, brings the pad of the chip to be measured and the tip probe into contact, and the tester measuring section 55 and the tester perform measurement. When the measurement of one chip is completed, it moves intermittently to the next chip to be measured, measures the next chip, and then sequentially measures the remaining chips.

一方、ウェハ6aの測定が開始されると同時に、キャリ
ア7bに収納されているウェハ6bはウェハローダによ
ってチャック5b上に搭載される。−以下ウェハ6aの
場合と同様に、ウェハチャック6bは容量センサの下へ
移動してウェハ6bの中心と厚さまたはそりを計測した
のちアライメント装置iobの下へ移動する。
On the other hand, at the same time that the measurement of the wafer 6a is started, the wafer 6b stored in the carrier 7b is loaded onto the chuck 5b by the wafer loader. - Similarly to the case of the wafer 6a, the wafer chuck 6b moves below the capacitive sensor to measure the center and thickness or warp of the wafer 6b, and then moves below the alignment device iob.

アライメンt・装置lObはウェハ6bの表面のアライ
メントのためのデータを収集してアライメント制御部5
3で分析し、これと同時にステージ制御部52bによっ
てXステージ2bとYステージ3bとZθステージ4b
とを駆動してウェハ6bのファインアライメントを行い
、ウェハ6bのファインアライメントが終了するとその
位置で待機する。一般的にウェハ1枚の測定時間よりも
そのアライメント時間の方がはるかに短いため、ウェハ
6bは必ず待機する状態になる。
The alignment unit 1Ob collects data for alignment of the surface of the wafer 6b and performs the alignment control unit 5.
3, and at the same time, the stage controller 52b controls the X stage 2b, Y stage 3b, and Zθ stage 4b.
Fine alignment of the wafer 6b is performed by driving the wafer 6b, and when the fine alignment of the wafer 6b is completed, it waits at that position. Generally, the alignment time is much shorter than the measurement time for one wafer, so the wafer 6b is always on standby.

ウェハ6aの測定が終了してウェハチャック5aがアン
ロード動作に入るのと同時に、ウェハチャック5bはプ
ローブカード11の下へ移動番開始する。そして測定ず
べきチップと探針プローブとを接触させてウェハ6bの
測定を開始する。以下ウェハチップの間欠移動を繰り返
し行ってウェハ6bのすべてのチップの測定を終了させ
てアンロード動作に入る。ウェハチャック5bがアンロ
ード動作に入ると、今度はウェハチャック5aが°プロ
ーブカード11の下へ移動してウェハチャック5a上に
搭載された次のウェハの測定を開始する。
At the same time that the measurement of the wafer 6a is completed and the wafer chuck 5a starts an unloading operation, the wafer chuck 5b starts moving below the probe card 11. Then, the chip to be measured and the tip probe are brought into contact with each other, and measurement of the wafer 6b is started. Thereafter, intermittent movement of the wafer chips is repeated until measurement of all chips on the wafer 6b is completed, and an unloading operation is started. When the wafer chuck 5b enters the unloading operation, the wafer chuck 5a moves below the probe card 11 and starts measuring the next wafer mounted on the wafer chuck 5a.

以下、上記の動作を繰り返し行ってキャリア7aおよび
7bのすべてのウェハの測定を行う。
Thereafter, the above operations are repeated to measure all the wafers on carriers 7a and 7b.

第3図は本発明の第二の実施例を示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing a second embodiment of the invention.

第3図において、Xステージ22aおよび22bとYス
テージ23aおよび23bとZθステージ24aおよび
24bとウェハチャック25aおよび25bは前述の第
一の実施例の場合と同様である。
In FIG. 3, X stages 22a and 22b, Y stages 23a and 23b, Zθ stages 24a and 24b, and wafer chucks 25a and 25b are the same as in the first embodiment.

本実施例では、プローブカード31をウェハチャック2
5bの上方に設置し、アライメント装置30をウェハチ
ャック25aの上方に設置しており、アライメント装置
30は1個のみである。またステージベース21はステ
ージベース回転制御部66によって水平面内で回転する
ようになっている。ステージベース21が180°回転
すると、アライメント装置30の下にあったウェハチャ
ック5aがプローブカード11の下に位置し、プローブ
カード31の下方にあったウェハチャック5bがアライ
メント装置30の下に位置するようになる。
In this embodiment, the probe card 31 is attached to the wafer chuck 2.
The alignment device 30 is installed above the wafer chuck 25a, and there is only one alignment device 30. Furthermore, the stage base 21 is configured to rotate within a horizontal plane by a stage base rotation control section 66. When the stage base 21 rotates 180 degrees, the wafer chuck 5a that was under the alignment device 30 is positioned under the probe card 11, and the wafer chuck 5b that was under the probe card 31 is positioned under the alignment device 30. It becomes like this.

次に第二の実施例の動作について説明する。Next, the operation of the second embodiment will be explained.

キャリア27には測定すべきウェハが収納されており、
ウェハローダ(図示省略)によってウェハチャック25
a上に搭載される。ウェハチップキュ25aは、容量セ
ンサ(図示省略)の下へ移動し、ウェハ6aの中心と厚
さまたはそりを計測したのち、アライメント装置3oの
下へ移動する。
A wafer to be measured is stored in the carrier 27,
The wafer chuck 25 is mounted by a wafer loader (not shown).
It is mounted on a. The wafer chip cue 25a moves below the capacitive sensor (not shown) and measures the center and thickness or warp of the wafer 6a, and then moves below the alignment device 3o.

アライメント装置30によってアライメントが終了する
と、ステージベース21はステージベース回転制御部6
6によって駆動されて18o°回転し、ウエシ1チャッ
ク25aが10−ブカード31の下へ移動して測定を開
始する。一方、ステージベース21の回転動作が終了す
るのと同時に、キャリア27から次のウェハがウェハチ
ャック25b上に搭載されてアライメントを行い、それ
が終了すると待機する。ウェハ6aの測定が終了すると
、ステージベース21はさらに18o°回転し、ウェハ
6bの測定が開始される。以下、上記の動作を繰り返し
てキャリア27に収容したすべてのウェハの測定を行う
When the alignment is completed by the alignment device 30, the stage base 21 is moved to the stage base rotation control unit 6.
The wafer 1 chuck 25a moves below the 10-wafer card 31 and starts measurement. On the other hand, at the same time as the rotation of the stage base 21 is completed, the next wafer is loaded from the carrier 27 onto the wafer chuck 25b and aligned, and when the alignment is completed, the next wafer is placed on standby. When the measurement of the wafer 6a is completed, the stage base 21 is further rotated by 18 degrees, and the measurement of the wafer 6b is started. Thereafter, the above operations are repeated to measure all the wafers accommodated in the carrier 27.

〔発明の効果〕  ′ 以上説明したように、本発明は互に独立にウェハを搭載
できる2個のウェハチャックを保有し、一方のウェハチ
ャック上のウェハの測定中に他方のウェハチャック上の
ウェハのアライメントを行って待機し、その測定が終了
すると直ちに他方のウェハチャック上のウェハの測定を
開始することができるようにすることにより、ウェハを
連続的に測定することが可能になるため、ウェハのロー
ディングとアライメントのための待時間を除くことがで
きるという効果があり、従って生産性を向上できるとい
う効果がある。
[Effects of the Invention] 'As explained above, the present invention has two wafer chucks on which wafers can be mounted independently, and while the wafer on one wafer chuck is being measured, the wafer on the other wafer chuck is not being measured. By aligning and waiting for the wafer on the other wafer chuck, and then immediately starting measuring the wafer on the other wafer chuck, it is possible to measure the wafer continuously. This has the effect of eliminating the waiting time for loading and alignment, thus improving productivity.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の第一の実施例を示す斜視図、第2図は
第1図の実施例の制御系を示すブロック図、第3図は本
発明の第二の実施例を示す斜視図である。 1・21・・・ステーズベース、2a・2b・22a−
22b−Xステージ、3a−3b・23a・23 b−
Yステージ、4a・4b・24a・24b−zθステー
ジ、5a−5b−25a−25b・・・ウェハチャック
、6a・6b・・・ウェハ、7a・7b・27・・・キ
ャリア、8・28a・28b・・・X軸ガイド、9a・
9b・29a・29b・・・Y軸ガイド、10a・10
b・30・・・アライメント装置、11・31・・・プ
ローブカード、50・・・主制御部、51・・・ローダ
制御部、52a・52b・・・ステージ制御部、53・
63・・・アライメント制御部、55・65・・・テス
タ測定部。 代理人 弁理士 内 原  晋か L+− イ、 第2図
Fig. 1 is a perspective view showing a first embodiment of the present invention, Fig. 2 is a block diagram showing a control system of the embodiment of Fig. 1, and Fig. 3 is a perspective view showing a second embodiment of the invention. It is a diagram. 1/21...Staise Base, 2a/2b/22a-
22b-X stage, 3a-3b/23a/23b-
Y stage, 4a, 4b, 24a, 24b-zθ stage, 5a-5b-25a-25b...Wafer chuck, 6a, 6b...Wafer, 7a, 7b, 27...Carrier, 8, 28a, 28b ...X-axis guide, 9a.
9b/29a/29b...Y-axis guide, 10a/10
b.30... Alignment device, 11.31... Probe card, 50... Main control section, 51... Loader control section, 52a.52b... Stage control section, 53.
63... Alignment control section, 55.65... Tester measurement section. Agent Patent Attorney Susumu Uchihara L+-I, Figure 2

Claims (1)

【特許請求の範囲】  水平面内で横方向の運動を案内する2個のX軸ガイド
と、前記X軸ガイド上に跨座して設置された2個のXス
テージと、前記2個のXステージのおのおのに設けられ
た2個のY軸ガイドと、前記Y軸ガイドによって水平面
内の縦方向の運動を案内される2個のYステージと、前
記2個のYステージのおのおのに設けられた2個のZθ
ステージと、前記2個のZθステージのおのおのに設け
られた2個のウェハチャックとを有し、直線運動または
回転運動によって前記2個のウェハチャックを測定位置
と待機位置との二つの位置の間を移動自在としたステー
ジベースと、 前記ウェハチャックの測定位置の上方に設けた1個のプ
ローブカードと、 前記ウェハチャックの待機位置の上方に設けた少くとも
1個のアライメント装置と、 前記ウェハチャックに搭載すべきウェハを収容する少く
とも1個のキャリヤと、 前記キャリヤに収容された前記ウェハを前記ウェハチャ
ックにロードまたはアンロードするローダと、 前記プローブカードに接続されたテスタ測定部と、 前記ステージベースと前記アラメイント装置と前記ロー
ダと前記テスタ測定部との動作の制御を行う制御部と を備えることを特徴とするウエハプローバ。
[Claims] Two X-axis guides that guide lateral movement in a horizontal plane, two X-stages installed astride the X-axis guides, and the two X-stages. two Y-axis guides provided on each of the two Y-axis guides, two Y-stages whose vertical movement in a horizontal plane is guided by the Y-axis guides, and two Y-stages provided on each of the two Y-stages. Zθ
It has a stage and two wafer chucks provided on each of the two Zθ stages, and the two wafer chucks are moved between two positions, a measurement position and a standby position, by linear movement or rotational movement. a stage base that is movable; one probe card provided above the measurement position of the wafer chuck; at least one alignment device provided above the standby position of the wafer chuck; and the wafer chuck. at least one carrier for accommodating a wafer to be mounted on the wafer; a loader for loading or unloading the wafer accommodated in the carrier onto or from the wafer chuck; a tester measurement section connected to the probe card; A wafer prober comprising a stage base, a control section that controls operations of the alament device, the loader, and the tester measurement section.
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