JPS63176A - 複合型光センサ - Google Patents
複合型光センサInfo
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- JPS63176A JPS63176A JP61143902A JP14390286A JPS63176A JP S63176 A JPS63176 A JP S63176A JP 61143902 A JP61143902 A JP 61143902A JP 14390286 A JP14390286 A JP 14390286A JP S63176 A JPS63176 A JP S63176A
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- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 30
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 3
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
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- G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
-
- G—PHYSICS
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- G01J1/0407—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings
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- G01J1/4228—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors arrangements with two or more detectors, e.g. for sensitivity compensation
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02325—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements not being integrated nor being directly associated with the device
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- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
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- G01J1/0204—Compact construction
- G01J1/0209—Monolithic
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
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- G01J1/02—Details
- G01J1/0214—Constructional arrangements for removing stray light
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分野1
本発明は外光の照度を検出する光センサに関するもので
、特に複数の受光素子が一体に設けられ、異なる目的の
照度測定が一体の光センサで行なえるようにしたもので
あり、例えば自動車の照明灯の自動点灯を行なうときに
は、周辺光の測定と前方光の測定などのように使用され
る複合光センサに係るものである。 【従来の技術】 従来、光センサを用いて異なる目的の照度測定、例えば
平均照度と部分照度の測定を行なうときには、夫々の目
的に合致するように専用に製作された個別の光センサを
必要数だけ使用するものであった。 に発明が解決しようとする問題点】 しかしながら、上記に説明した従来の方法では、第一に
、光センサを個別に設けるために小形化が困難である問
題点を生じ、第二には、この個別に設けることによって
光センサ設置の際には夫々にその取付方向の調整などを
行なうことが必要となり生産工程上でも手間のかかると
いう問題点を生ずるものであった。 K問題点を解決するための手段】 本発明は前記した従来の問題点を解決するための具体的
手段として、受光素子を透明樹脂にモールドして成るセ
ンサ部と、該センサ部を収納しレンズなど受光手段が設
けられたケース部とから成る光センサにおいて、前記セ
ンサ部は前記透明樹脂に少なくとも二個の受光素子が、
該受光素子の前面が受光部となるように一体にモールド
されてモールドパッケージとされ、前記ケース部の前記
受光手段は前記センサ部の前記受光部を介して前記受光
素子の夫々に受光角などで異なる光学特性を与えるよう
に形成されていることを特徴とする複合型光センサを提
供することで、前記した従来の問題点を解決するもので
ある。 K実 施 例】 つぎに、本発明を図に示す一実施例に基づいて詳細に説
明する。 第1図、第2図に示すものは本発明の複合型光センサの
最も基本的なセンサ部1を示すもので透明樹脂、例えば
エポキシ樹脂などでホトダイオードなどの二個の受光素
子13が一体にモールドされて、モールドパッケージ1
0とされている。 このときに前記モールドパッケージ10の前記受光素子
13夫々の前面に対応する位置には要求する受光角など
、光学特性を与えるのに適宜な形状が形成され受光部1
1.12とされている。 また、前記受光素子13はセ
ラミック基板14上の規定の位置に予めマウントし、リ
ード線15を設けたものとすれば工程を容易なものとす
ることができ好ましく、又このセラミツクキ板14を利
用して前記受光素子13の増幅回路などを組込むことも
可能であり、図中に符号16で示したものは、このよう
にして組込まれた増幅回路などの回路部品の取付の例を
示したものである。 第3図に示すものは本発明の複合型光セン号のセンサ部
1aのモールドパッケージ10aの別の実施例を示した
ものであり、前記受光部の一方が符号12aで示すよう
に球面状に樹脂モールドで形成されたものであり、ここ
で示すように前記受光部は目的とする受光に適する形状
であればどのような形状にしても良いのである。 尚、
その他の部分については前記第1図、第2図の実施例と
全くに同様であるので説明を省略する。 第4図、第5図に示すものは同じく本発明のセンサ部1
bのモールドパッケージ10’bの更に好ましい別の実
施例であり、受光素子13が夫々に設けられている略中
間の位δ、即ち前記受光部11bと受光部12bとの略
中間の位置の前記モールドパッケージ10bには適宜な
幅の摺割状の溝状凹部17が設けられ、該溝状凹部17
には不透明部材18が嵌合されている。 このようにす
ることで、例えば受光部11b側から入射した光線が他
の一方の側の受光素子13の側に達することを防止する
遮光部が構成されると共に、この溝状凹部17の背面側
も外部からの光線が達し難くなるので図中に符号19で
示すようにこの部分に、例えば前記受光素子13の前置
増幅用の半導体集積回路をチップの状態で配設しても外
光による誤動作などを生ずることを防止するものとなる
。 この実施例においても、上記に説明した以外の部分は、
第1図、第2図、及び第3図で説明したものと同様であ
るので説明を省略する。 第6図に示すものは前記で説明した本発明のセンサ部1
.1a11bなどを、同じく本発明のケース部2に収納
した状態を示したものであり、代表的にセンサ部1の例
で示しである。 このときに前記ケース部2には透明な
樹脂などによる前面レンズ20と、不透明な樹脂などに
よるホルダケース23とがあり、前記前面レンズ20に
は前記センサ部1に設けられた受光部11.12と夫々
に対応するように受光手段として受光レンズ21.22
が設けられている。 その具体的な例として本図の実施
例においては、−方の側の受光レンズ21は受光角を広
くするために平板状とされ、他の一方の側の受光レンズ
22は前記受光角を狭くするために凸レンズ状とされて
いる例で示しであるが、この形状は目的に適合するもの
であればどのような形状としても良いことは言うまでも
なく、又、ここでの図示は省略するが第4図、第5図で
示したものと同様な方法で、この前面レンズ20の側に
前記溝状凹部を設けて遮光部とすることも当然に可能で
ある。 尚、前記ホルダケース23には適宜の前記前面
レンズ20を取付けるためのレンズ受部24、或いは前
記センサ部1の駆シJ回路30を収納する回路ケース部
25などが設けられている。 第7図に示すものは更に詳細に本発明の複合型光センサ
の要部を拡大して示したもので、特に前記遮光部が前面
レンズ20の側に設けられた例が示してあり、該前面レ
ンズ20に設けられた溝状凹部27aには不透明部材2
8が嵌合され遮光部とされると共に、前記溝状凹部27
aの背面側に生ずる凸部27bと嵌合するようにセンサ
部1にも溝状凹部17aが形成されていて、該センサ部
1を前記ケース部2に収納したときには前記受光部11
と受光レンズ21、及び受光部12と受光レンズ22と
の相互位置関係を正確に維持するようにされている。
この様にすることで、組立工程上において高い精度が容
易に維持され、また、誤組立も防止でき好都合である。 つぎに、本発明の主目的である夫々の受光素子13aと
13bとに対する光学的な特性について説明を行なうと
、受光素子13aの側においては受光部11を広くとり
、更に受光レンズ21を平板状としたことで、受光角α
は約45度とし、受光素子13bの側においては受光部
12を狭くとり、更に受光レンズ22を凸レンズ状とし
たことで、受光角βは約3.5度として、目的を達して
いる。 K発明の効果】 以上に詳細に説明したように本発明により、センサ部に
は透明樹脂に少なくとも二個の受光素子が、該受光素子
の前面が受光部となるように一体にモールドされてモー
ルドパッケージとされ、ケース部の受光手段は前記セン
サ部の前記受光部を介して前記受光素子の夫々に受光角
などで異なる光学特性を与えるように形成して複合型光
センサとしたことで、−体のセンサで、例えば広角と挟
角、或いは正面と斜方向など、異なる種類の照度検出が
可能となり、この種の装置を部品点数を削減して小形化
し、取付、調整も容易にする優れた効果を奏すると共に
、併せて設ける遮光部などにより、遮光と位置決めの作
用を発揮させ、その効果の確実性を一層に高めるもので
ある。
、特に複数の受光素子が一体に設けられ、異なる目的の
照度測定が一体の光センサで行なえるようにしたもので
あり、例えば自動車の照明灯の自動点灯を行なうときに
は、周辺光の測定と前方光の測定などのように使用され
る複合光センサに係るものである。 【従来の技術】 従来、光センサを用いて異なる目的の照度測定、例えば
平均照度と部分照度の測定を行なうときには、夫々の目
的に合致するように専用に製作された個別の光センサを
必要数だけ使用するものであった。 に発明が解決しようとする問題点】 しかしながら、上記に説明した従来の方法では、第一に
、光センサを個別に設けるために小形化が困難である問
題点を生じ、第二には、この個別に設けることによって
光センサ設置の際には夫々にその取付方向の調整などを
行なうことが必要となり生産工程上でも手間のかかると
いう問題点を生ずるものであった。 K問題点を解決するための手段】 本発明は前記した従来の問題点を解決するための具体的
手段として、受光素子を透明樹脂にモールドして成るセ
ンサ部と、該センサ部を収納しレンズなど受光手段が設
けられたケース部とから成る光センサにおいて、前記セ
ンサ部は前記透明樹脂に少なくとも二個の受光素子が、
該受光素子の前面が受光部となるように一体にモールド
されてモールドパッケージとされ、前記ケース部の前記
受光手段は前記センサ部の前記受光部を介して前記受光
素子の夫々に受光角などで異なる光学特性を与えるよう
に形成されていることを特徴とする複合型光センサを提
供することで、前記した従来の問題点を解決するもので
ある。 K実 施 例】 つぎに、本発明を図に示す一実施例に基づいて詳細に説
明する。 第1図、第2図に示すものは本発明の複合型光センサの
最も基本的なセンサ部1を示すもので透明樹脂、例えば
エポキシ樹脂などでホトダイオードなどの二個の受光素
子13が一体にモールドされて、モールドパッケージ1
0とされている。 このときに前記モールドパッケージ10の前記受光素子
13夫々の前面に対応する位置には要求する受光角など
、光学特性を与えるのに適宜な形状が形成され受光部1
1.12とされている。 また、前記受光素子13はセ
ラミック基板14上の規定の位置に予めマウントし、リ
ード線15を設けたものとすれば工程を容易なものとす
ることができ好ましく、又このセラミツクキ板14を利
用して前記受光素子13の増幅回路などを組込むことも
可能であり、図中に符号16で示したものは、このよう
にして組込まれた増幅回路などの回路部品の取付の例を
示したものである。 第3図に示すものは本発明の複合型光セン号のセンサ部
1aのモールドパッケージ10aの別の実施例を示した
ものであり、前記受光部の一方が符号12aで示すよう
に球面状に樹脂モールドで形成されたものであり、ここ
で示すように前記受光部は目的とする受光に適する形状
であればどのような形状にしても良いのである。 尚、
その他の部分については前記第1図、第2図の実施例と
全くに同様であるので説明を省略する。 第4図、第5図に示すものは同じく本発明のセンサ部1
bのモールドパッケージ10’bの更に好ましい別の実
施例であり、受光素子13が夫々に設けられている略中
間の位δ、即ち前記受光部11bと受光部12bとの略
中間の位置の前記モールドパッケージ10bには適宜な
幅の摺割状の溝状凹部17が設けられ、該溝状凹部17
には不透明部材18が嵌合されている。 このようにす
ることで、例えば受光部11b側から入射した光線が他
の一方の側の受光素子13の側に達することを防止する
遮光部が構成されると共に、この溝状凹部17の背面側
も外部からの光線が達し難くなるので図中に符号19で
示すようにこの部分に、例えば前記受光素子13の前置
増幅用の半導体集積回路をチップの状態で配設しても外
光による誤動作などを生ずることを防止するものとなる
。 この実施例においても、上記に説明した以外の部分は、
第1図、第2図、及び第3図で説明したものと同様であ
るので説明を省略する。 第6図に示すものは前記で説明した本発明のセンサ部1
.1a11bなどを、同じく本発明のケース部2に収納
した状態を示したものであり、代表的にセンサ部1の例
で示しである。 このときに前記ケース部2には透明な
樹脂などによる前面レンズ20と、不透明な樹脂などに
よるホルダケース23とがあり、前記前面レンズ20に
は前記センサ部1に設けられた受光部11.12と夫々
に対応するように受光手段として受光レンズ21.22
が設けられている。 その具体的な例として本図の実施
例においては、−方の側の受光レンズ21は受光角を広
くするために平板状とされ、他の一方の側の受光レンズ
22は前記受光角を狭くするために凸レンズ状とされて
いる例で示しであるが、この形状は目的に適合するもの
であればどのような形状としても良いことは言うまでも
なく、又、ここでの図示は省略するが第4図、第5図で
示したものと同様な方法で、この前面レンズ20の側に
前記溝状凹部を設けて遮光部とすることも当然に可能で
ある。 尚、前記ホルダケース23には適宜の前記前面
レンズ20を取付けるためのレンズ受部24、或いは前
記センサ部1の駆シJ回路30を収納する回路ケース部
25などが設けられている。 第7図に示すものは更に詳細に本発明の複合型光センサ
の要部を拡大して示したもので、特に前記遮光部が前面
レンズ20の側に設けられた例が示してあり、該前面レ
ンズ20に設けられた溝状凹部27aには不透明部材2
8が嵌合され遮光部とされると共に、前記溝状凹部27
aの背面側に生ずる凸部27bと嵌合するようにセンサ
部1にも溝状凹部17aが形成されていて、該センサ部
1を前記ケース部2に収納したときには前記受光部11
と受光レンズ21、及び受光部12と受光レンズ22と
の相互位置関係を正確に維持するようにされている。
この様にすることで、組立工程上において高い精度が容
易に維持され、また、誤組立も防止でき好都合である。 つぎに、本発明の主目的である夫々の受光素子13aと
13bとに対する光学的な特性について説明を行なうと
、受光素子13aの側においては受光部11を広くとり
、更に受光レンズ21を平板状としたことで、受光角α
は約45度とし、受光素子13bの側においては受光部
12を狭くとり、更に受光レンズ22を凸レンズ状とし
たことで、受光角βは約3.5度として、目的を達して
いる。 K発明の効果】 以上に詳細に説明したように本発明により、センサ部に
は透明樹脂に少なくとも二個の受光素子が、該受光素子
の前面が受光部となるように一体にモールドされてモー
ルドパッケージとされ、ケース部の受光手段は前記セン
サ部の前記受光部を介して前記受光素子の夫々に受光角
などで異なる光学特性を与えるように形成して複合型光
センサとしたことで、−体のセンサで、例えば広角と挟
角、或いは正面と斜方向など、異なる種類の照度検出が
可能となり、この種の装置を部品点数を削減して小形化
し、取付、調整も容易にする優れた効果を奏すると共に
、併せて設ける遮光部などにより、遮光と位置決めの作
用を発揮させ、その効果の確実性を一層に高めるもので
ある。
第1図は本発明に係る複合型光センサのセンサ部の一実
施例を示す断面図、第2図は同じ実施例の正面図、第3
図は同じく本発明の別の実施例を示す断面図、第4図は
更に別の実施例を示す断面図、第5図は第4図の実施例
の正面図、第6図はセンサ部とケース部を組合わせた本
発明の実施例を示す断面図、第7図はセンサ部とケース
部との組合わせを要部で詳細に示す説明図である。 1・・・・・・センサ部 10・・・・・・モールドパッケージ 11.11a・・・・・・受光部 12.12 a 、 12 b−・−・−受光部13.
13a、13b・・・・・・受光素子14・・・・・・
セラミック基板 15・・・・・・リード!1 16・・・・・・回路
部品17.17a・・・・・・溝状凹部 18・・・・・・不透明部材 19・・・・・・半導体集積回路 2・・・・・・ケース部 20・・・・−・前面レンズ 21.22・・・・・・受光レンズ 23・・・・・・ホルダケース 24・・・・・・レン
ズ受部25・・・・・・回路ケース部 30・・・・・
・駆動回路第1図 第2図
施例を示す断面図、第2図は同じ実施例の正面図、第3
図は同じく本発明の別の実施例を示す断面図、第4図は
更に別の実施例を示す断面図、第5図は第4図の実施例
の正面図、第6図はセンサ部とケース部を組合わせた本
発明の実施例を示す断面図、第7図はセンサ部とケース
部との組合わせを要部で詳細に示す説明図である。 1・・・・・・センサ部 10・・・・・・モールドパッケージ 11.11a・・・・・・受光部 12.12 a 、 12 b−・−・−受光部13.
13a、13b・・・・・・受光素子14・・・・・・
セラミック基板 15・・・・・・リード!1 16・・・・・・回路
部品17.17a・・・・・・溝状凹部 18・・・・・・不透明部材 19・・・・・・半導体集積回路 2・・・・・・ケース部 20・・・・−・前面レンズ 21.22・・・・・・受光レンズ 23・・・・・・ホルダケース 24・・・・・・レン
ズ受部25・・・・・・回路ケース部 30・・・・・
・駆動回路第1図 第2図
Claims (5)
- (1)受光素子を透明樹脂にモールドして成るセンサ部
と、該センサ部を収納しレンズなど受光手段が設けられ
たケース部とから成る光センサにおいて、前記センサ部
は前記透明樹脂に少なくとも二個の受光素子が、該受光
素子の前面が受光部となるように一体にモールドされて
モールドパッケージとされ、前記ケース部の前記受光手
段は前記センサ部の前記受光部を介して前記受光素子の
夫々に受光角などで異なる光学特性を与えるように形成
されていることを特徴とする複合型光センサ。 - (2)少なくとも二個の受光素子を透明樹脂にモールド
した前記センサ部のモールドパッケージの、前記受光素
子に対応する少なくとも一方の位置の前記受光部はレン
ズ状に形成され、前記ケース部の前記受光手段と組合さ
れて前記受光素子の夫々に受光角などで異なる光学特性
を与えるように形成されていることを特徴とする特許請
求の範囲1項記載の複合型光センサ。 - (3)前記センサ部のモールドパッケージの前記受光部
の略中間の位置、或いは前記ケース部の前記受光手段の
略中間の位置のいずれか一方には溝状凹部が設けられ、
該溝状凹部には不透明部材が嵌合されることで遮光部と
されていることを特徴とする特許請求の範囲1項、及び
特許請求の範囲2項記載の複合型光センサ。 - (4)前記センサ部、或いはケース部に設けられた前記
遮光部の背面側には半導体集積回路チップが配設されて
いることを特徴とする特許請求の範囲1項記載、特許請
求の範囲2項、及び特許請求の範囲3項記載の複合型光
センサ。 - (5)前記ケース部と前記センサ部とを嵌合するときに
、前記ケース部に形成された遮光部を形成する前記溝状
凹部の背面側凸部が該ケース部の前記受光手段と、前記
センサ部の前記受光素子との相互位置を定める位置ガイ
ド部を兼ねるようにしたことを特徴とする特許請求の範
囲1項、特許請求の範囲2項記載、特許請求の範囲3項
、及び特許請求の範囲4項記載記載の複合型光センサ。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61143902A JPS63176A (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | 複合型光センサ |
US07/062,442 US4808812A (en) | 1986-06-19 | 1987-06-11 | Composite type light sensor having plural sensors with different light receiving angle optical characteristics |
CA000539917A CA1277390C (en) | 1986-06-19 | 1987-06-17 | Composite type light sensor |
FR878708621A FR2600459B1 (fr) | 1986-06-19 | 1987-06-19 | Detecteur de lumiere de type composite |
GB8714400A GB2192709B (en) | 1986-06-19 | 1987-06-19 | Composite light sensor |
DE3720406A DE3720406C2 (de) | 1986-06-19 | 1987-06-19 | Lichtsensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61143902A JPS63176A (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | 複合型光センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63176A true JPS63176A (ja) | 1988-01-05 |
JPH0560673B2 JPH0560673B2 (ja) | 1993-09-02 |
Family
ID=15349723
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61143902A Granted JPS63176A (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | 複合型光センサ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4808812A (ja) |
JP (1) | JPS63176A (ja) |
CA (1) | CA1277390C (ja) |
DE (1) | DE3720406C2 (ja) |
FR (1) | FR2600459B1 (ja) |
GB (1) | GB2192709B (ja) |
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1986
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1987
- 1987-06-11 US US07/062,442 patent/US4808812A/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-06-17 CA CA000539917A patent/CA1277390C/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-06-19 DE DE3720406A patent/DE3720406C2/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-06-19 GB GB8714400A patent/GB2192709B/en not_active Expired
- 1987-06-19 FR FR878708621A patent/FR2600459B1/fr not_active Expired - Fee Related
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---|---|
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DE3720406A1 (de) | 1988-01-07 |
US4808812A (en) | 1989-02-28 |
GB8714400D0 (en) | 1987-07-22 |
GB2192709A (en) | 1988-01-20 |
CA1277390C (en) | 1990-12-04 |
GB2192709B (en) | 1989-12-13 |
FR2600459B1 (fr) | 1990-08-31 |
JPH0560673B2 (ja) | 1993-09-02 |
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