JPS6315866A - 厚膜ペ−スト用導電性組成物 - Google Patents
厚膜ペ−スト用導電性組成物Info
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- JPS6315866A JPS6315866A JP15922886A JP15922886A JPS6315866A JP S6315866 A JPS6315866 A JP S6315866A JP 15922886 A JP15922886 A JP 15922886A JP 15922886 A JP15922886 A JP 15922886A JP S6315866 A JPS6315866 A JP S6315866A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発朗は、Cuペースト、或いは、AU、Agを主成分
とするAL+ペース)・、Agペースト、A g−P
d系ペースト、Ag−pt系ペースト等の厚膜導電性ペ
ースト用の導電性組成物に関し、特K例えば、レーザー
てよる穿孔加工を施こされたスルーホールの平滑内壁等
への被着π用(・て好適な厚膜ペースト用の導電性組成
物に関する。
とするAL+ペース)・、Agペースト、A g−P
d系ペースト、Ag−pt系ペースト等の厚膜導電性ペ
ースト用の導電性組成物に関し、特K例えば、レーザー
てよる穿孔加工を施こされたスルーホールの平滑内壁等
への被着π用(・て好適な厚膜ペースト用の導電性組成
物に関する。
Auペースト1.Agペースト、AgPdぺ−ストは、
各種厚膜導電回路の形成て用いられており、近時は安価
で高導電率であることから、Cuペーストも注目を集め
ている。斯る厚膜導電ペーストは基板表面上だけではな
く、スルーホール内壁や基板端面にも塗付されて導電路
を形成するために用いられる。
各種厚膜導電回路の形成て用いられており、近時は安価
で高導電率であることから、Cuペーストも注目を集め
ている。斯る厚膜導電ペーストは基板表面上だけではな
く、スルーホール内壁や基板端面にも塗付されて導電路
を形成するために用いられる。
ところで、上記スルーホールが、例えばセラミック基板
を型抜き穿孔して形成されたものは、その内壁は微視的
て見て比較的凹凸があるが、レーザー加工によって穿孔
されたスルーポールの内壁は、微視的に見ても略鏡面状
の極めて平滑な表面となって−・る。このレーザー加工
によるスルーホール内壁へ、厚膜導電ペーストを基板の
表裏より印刷することによって導電路を形成した場合、
焼成時の引張り応力等によってスルーホール内壁の“′
導体はがれ″が生じ易いものであった。
を型抜き穿孔して形成されたものは、その内壁は微視的
て見て比較的凹凸があるが、レーザー加工によって穿孔
されたスルーポールの内壁は、微視的に見ても略鏡面状
の極めて平滑な表面となって−・る。このレーザー加工
によるスルーホール内壁へ、厚膜導電ペーストを基板の
表裏より印刷することによって導電路を形成した場合、
焼成時の引張り応力等によってスルーホール内壁の“′
導体はがれ″が生じ易いものであった。
この様子を示したのか第4図および第5図で、第4図は
スルーホールを縦に切断した要部断端面図、第5図は第
4図のB−B線切断端面図である。
スルーホールを縦に切断した要部断端面図、第5図は第
4図のB−B線切断端面図である。
同各図において、1はセラミック基板、2はし一ザー加
工によって穿設されたスルーホール、3は導電体で、厚
膜導電ペースト、例えばガラスボンディングタイプのC
uペーストをセラミック基板1の表裏からスクリーン印
刷で塗付し、これを焼成することによって形成される。
工によって穿設されたスルーホール、3は導電体で、厚
膜導電ペースト、例えばガラスボンディングタイプのC
uペーストをセラミック基板1の表裏からスクリーン印
刷で塗付し、これを焼成することによって形成される。
ところで、上述した構成においてレーザー加工によって
形成されたスルーポール2の内壁面は、前述したように
その表面が極めて平滑であるため、導電体のスルーホー
ル2内壁面への喰付き力が弱いと考えられること、また
、レーザー加工を行なった場合通常多用されている96
係アルミナ基板等において、スルーホール2の内壁表面
が通常よりもA、 l 203プアーな状態(換言する
なら、アルミナ基板中の結合添加材たるMgO・5IO
2等がリッチな状態)となることが実験で確認され、こ
のため、CuA1204化合物生成によるCuペースト
で期待される界面の結合メカニズムの一部が阻害される
と推察されること等によって、焼結時に働らくスルーホ
ール中心方向に向うCuの収縮・引張力が、スルーホー
ル2内壁表面と導電体1との界面の接着力に勝り、図示
のように、亀裂、剥れが生じるものであった。(なお、
Cuペースト等の導電ペーストの接着メカニズム、導電
性金属粉体の焼結時の金属成長・引張、力等については
現状1. OO係確実て解析し得す、上述の理由は推察
によるものと理解されたい。) 〔発明の目的〕 従って本発明の目的とするところは、レーサー加工で穿
設されたスルーホール等πも信頼性高く被着可能な、厚
膜ペースト用の導電性組成物を提供するにある。
形成されたスルーポール2の内壁面は、前述したように
その表面が極めて平滑であるため、導電体のスルーホー
ル2内壁面への喰付き力が弱いと考えられること、また
、レーザー加工を行なった場合通常多用されている96
係アルミナ基板等において、スルーホール2の内壁表面
が通常よりもA、 l 203プアーな状態(換言する
なら、アルミナ基板中の結合添加材たるMgO・5IO
2等がリッチな状態)となることが実験で確認され、こ
のため、CuA1204化合物生成によるCuペースト
で期待される界面の結合メカニズムの一部が阻害される
と推察されること等によって、焼結時に働らくスルーホ
ール中心方向に向うCuの収縮・引張力が、スルーホー
ル2内壁表面と導電体1との界面の接着力に勝り、図示
のように、亀裂、剥れが生じるものであった。(なお、
Cuペースト等の導電ペーストの接着メカニズム、導電
性金属粉体の焼結時の金属成長・引張、力等については
現状1. OO係確実て解析し得す、上述の理由は推察
によるものと理解されたい。) 〔発明の目的〕 従って本発明の目的とするところは、レーサー加工で穿
設されたスルーホール等πも信頼性高く被着可能な、厚
膜ペースト用の導電性組成物を提供するにある。
〔問題点を解決するだめの技術的手段〕発明者らは種々
検討の結果、Cu粉末、ALI粉末、Ag粉末のうちの
少くとも1種を主成分とする導電性組成物に、TiO2
粉末を添加した厚膜ペースト用導電性組成物によって上
記目的が達成されることを見出した。
検討の結果、Cu粉末、ALI粉末、Ag粉末のうちの
少くとも1種を主成分とする導電性組成物に、TiO2
粉末を添加した厚膜ペースト用導電性組成物によって上
記目的が達成されることを見出した。
また、本発明の好ましい実施態様によれば、前記TiO
2粉末は、粒径0.5μm以下のルチル形T i 02
粉末とされる。
2粉末は、粒径0.5μm以下のルチル形T i 02
粉末とされる。
通常厚膜導電ペーストに用いられる0、8〜1.57ノ
m程度の粒径のCu粉体、ALI粉イ茶、Ag粉体より
も充分に粒径の小さい、即ち、粒径が0、511m以下
のルチル形のイオン結晶構造をもつTiO2粉末を適量
上記導電性金属粉末と混合し、これを、ガラスフリット
、B’203.5t)203と共に混合したものを、有
機ビヒクルと混練して厚膜導電ペーストを作製する。こ
のように作製された導電ペーストの状態では、TiO2
粉末はその粒径が小さいので導電性金属粉末(例えばC
u粉末)の隙間に分散して存在している。そして、この
導電ペーストを印刷後焼成すると、この焼成過程でCu
の成長に伴って、TiO2は針状結晶として成長し、該
針状結晶同志が結合して立体網目構造を形成する。そし
て、この立体網目構造によるTiO2のネットワークは
、軟化導電性金属の可動性を成る程度制限する(収縮を
制限する)膜内構造強化ネットワークとして作用すると
考えられる。また、アルミナ基板とは、Al2O3・T
IO2相互の反応・結合による接着反応層を生成する
ことが期待される。
m程度の粒径のCu粉体、ALI粉イ茶、Ag粉体より
も充分に粒径の小さい、即ち、粒径が0、511m以下
のルチル形のイオン結晶構造をもつTiO2粉末を適量
上記導電性金属粉末と混合し、これを、ガラスフリット
、B’203.5t)203と共に混合したものを、有
機ビヒクルと混練して厚膜導電ペーストを作製する。こ
のように作製された導電ペーストの状態では、TiO2
粉末はその粒径が小さいので導電性金属粉末(例えばC
u粉末)の隙間に分散して存在している。そして、この
導電ペーストを印刷後焼成すると、この焼成過程でCu
の成長に伴って、TiO2は針状結晶として成長し、該
針状結晶同志が結合して立体網目構造を形成する。そし
て、この立体網目構造によるTiO2のネットワークは
、軟化導電性金属の可動性を成る程度制限する(収縮を
制限する)膜内構造強化ネットワークとして作用すると
考えられる。また、アルミナ基板とは、Al2O3・T
IO2相互の反応・結合による接着反応層を生成する
ことが期待される。
発明者らは、レーザー加工によって形成されたスルーホ
ール内壁ても密着性良く被着形成可能な厚膜ペースト用
の導電性組成物を種々検討した。
ール内壁ても密着性良く被着形成可能な厚膜ペースト用
の導電性組成物を種々検討した。
そして、Cuペースト、Agペース1−1A IJペー
スト等において、密着性の強化と焼成時の収縮抑止を計
るため、導電性金属粉末に相当量の割合で各種無機粉末
を混合することてよって上記改善が見られるかを検討し
た。添加・混合する無機粉としては、化学的に安定で、
且つ工業的に安定供給されて安価であることに留意し、
Al2O3粉末の各種粒径のもの、ルチル形とアナター
ゼ形のTiO2粉末の各種粒径のもの、市販のガラスフ
リット各種を選定し、それぞれ混合比を変えて、焼成膜
条件・回路用導体との親和性・シート抵抗値・アルミナ
基板との密着性およびその経時変化・スルーホール部信
頼性の各項目を検討した結果、粒径05μm以下のルチ
ル形T I 02粉末を適量混合したものが、上記諸条
件を満足し、好適なものであることが判明した。
スト等において、密着性の強化と焼成時の収縮抑止を計
るため、導電性金属粉末に相当量の割合で各種無機粉末
を混合することてよって上記改善が見られるかを検討し
た。添加・混合する無機粉としては、化学的に安定で、
且つ工業的に安定供給されて安価であることに留意し、
Al2O3粉末の各種粒径のもの、ルチル形とアナター
ゼ形のTiO2粉末の各種粒径のもの、市販のガラスフ
リット各種を選定し、それぞれ混合比を変えて、焼成膜
条件・回路用導体との親和性・シート抵抗値・アルミナ
基板との密着性およびその経時変化・スルーホール部信
頼性の各項目を検討した結果、粒径05μm以下のルチ
ル形T I 02粉末を適量混合したものが、上記諸条
件を満足し、好適なものであることが判明した。
〔実施例−1〕
今、導電性金属粉末をCL]粉末とすると共に、Cuペ
ース)・全体を’l−00重量部としだ時該□u粉末を
80.5重量部、Bi2O3粉末を4.8重量部、5b
203粉末を15重量部、ガラスフリット20重量部、
有機ビヒクルを11.2重量部としたもの(従来型Cu
ペースl−)をペース配分とした。この組成配分の内、
Cu粉末以外の重量比は固定して、上記80.5重量部
のCu粉末の幾割かを、他の無機粉末と置換してなるC
uペーストを各種作製した。実験の都合上、Cu粉末と
置換する形で混合される無機粉末は、容積比でCu粉末
と無機粉末との割合が9:1〜4:6とされ、無機粉末
としては前述したように、各種粒径のAl2O3粉末、
各種ガラスフリノ)・、各種粒径のアナターゼ形T】0
2粉末、各種粒径のルチル形TiO2粉末のうちの1種
を選定した。(なお、耐薬品性に乏しく化学的に不安定
な他の代表的無機粉、例えばZr]0等は予め除外した
。) 上述のように作製した各種□uペーストを印刷・焼成し
た結果、 (a) A I 203粉末を混入したものは、A I
203とCuペースト中のCuとの所謂「ぬれ性」が
悪いことに起因して、Cu粒子同志の結合・成長が阻害
され、Cuが未焼結になり易く、空孔も多数発生し、焼
結性の点で問題があった。
ース)・全体を’l−00重量部としだ時該□u粉末を
80.5重量部、Bi2O3粉末を4.8重量部、5b
203粉末を15重量部、ガラスフリット20重量部、
有機ビヒクルを11.2重量部としたもの(従来型Cu
ペースl−)をペース配分とした。この組成配分の内、
Cu粉末以外の重量比は固定して、上記80.5重量部
のCu粉末の幾割かを、他の無機粉末と置換してなるC
uペーストを各種作製した。実験の都合上、Cu粉末と
置換する形で混合される無機粉末は、容積比でCu粉末
と無機粉末との割合が9:1〜4:6とされ、無機粉末
としては前述したように、各種粒径のAl2O3粉末、
各種ガラスフリノ)・、各種粒径のアナターゼ形T】0
2粉末、各種粒径のルチル形TiO2粉末のうちの1種
を選定した。(なお、耐薬品性に乏しく化学的に不安定
な他の代表的無機粉、例えばZr]0等は予め除外した
。) 上述のように作製した各種□uペーストを印刷・焼成し
た結果、 (a) A I 203粉末を混入したものは、A I
203とCuペースト中のCuとの所謂「ぬれ性」が
悪いことに起因して、Cu粒子同志の結合・成長が阻害
され、Cuが未焼結になり易く、空孔も多数発生し、焼
結性の点で問題があった。
(1)) ガラスフリノ)・を相当量混入したもの(
前記20重量部のガラスボンティング用のカラスフリッ
ト以外に前述した比でCuと置き換えてカラスを混入し
たもの)は、回路基板中の他のCu導電パターンとの親
和性が悪く、他のパターンとの重なり部分でしふくれ」
が発生し、この点で実用化π不向きであることが判明し
た。
前記20重量部のガラスボンティング用のカラスフリッ
ト以外に前述した比でCuと置き換えてカラスを混入し
たもの)は、回路基板中の他のCu導電パターンとの親
和性が悪く、他のパターンとの重なり部分でしふくれ」
が発生し、この点で実用化π不向きであることが判明し
た。
(C) アナターゼ形のT 102粉末を混入したも
のは、アナターゼ形の結晶構造が焼結19[ルチル形に
転位する影響から、′rlo2が]Oμm程度の針状結
晶に成長した。このことは、通常]、 II m前後の
Cuが3μm程度まで成長し→ないことを勘案すると、
TiO2の成長結晶で形成されるネットワークの網目構
造が大きすぎることを意味し、空孔が大きくなってこれ
また実用性に乏しいことが判明した。
のは、アナターゼ形の結晶構造が焼結19[ルチル形に
転位する影響から、′rlo2が]Oμm程度の針状結
晶に成長した。このことは、通常]、 II m前後の
Cuが3μm程度まで成長し→ないことを勘案すると、
TiO2の成長結晶で形成されるネットワークの網目構
造が大きすぎることを意味し、空孔が大きくなってこれ
また実用性に乏しいことが判明した。
これに対し、ルチル形TiO2粉末を混入したものは、
半田付は性無以外の各チェック項目で総べて良好な結果
を示すことが判明した。特に、ルチル形TiO2の粒径
は05μm以下が好適で、更に望ましくは焼成・成長し
たCu粒子の平均径25〜4μmに対して1/4〜]/
8の粒径のTiO2粉末であると、適当な大きさの針状
結晶からなるネットワークを形成する。また、Cu粉末
とルチル形T+02粉末の混合比は、両者の混合物全体
を100重量部として、ルチル形TiO2粉末を7〜2
Qwt%の範囲(CuとTiO2との容積比において、
略々85:15〜65:35の範囲)Kすることが望ま
しい。即ち、ルチル形TiO2粉末が7wt%未満であ
ると基板との密着力が弱まり、加速環境試験5 Q Q
h r後の引張り試1験において2 kg/ 2 n
m ’以下となるものがでる。一方、ルチル形TiO2
粉末が上記20 W t %を超えるとシート抵抗値が
1.OmQ/口を超えて、Cuペーストに本来求められ
る1Mへ接値が維持できなくなる。
半田付は性無以外の各チェック項目で総べて良好な結果
を示すことが判明した。特に、ルチル形TiO2の粒径
は05μm以下が好適で、更に望ましくは焼成・成長し
たCu粒子の平均径25〜4μmに対して1/4〜]/
8の粒径のTiO2粉末であると、適当な大きさの針状
結晶からなるネットワークを形成する。また、Cu粉末
とルチル形T+02粉末の混合比は、両者の混合物全体
を100重量部として、ルチル形TiO2粉末を7〜2
Qwt%の範囲(CuとTiO2との容積比において、
略々85:15〜65:35の範囲)Kすることが望ま
しい。即ち、ルチル形TiO2粉末が7wt%未満であ
ると基板との密着力が弱まり、加速環境試験5 Q Q
h r後の引張り試1験において2 kg/ 2 n
m ’以下となるものがでる。一方、ルチル形TiO2
粉末が上記20 W t %を超えるとシート抵抗値が
1.OmQ/口を超えて、Cuペーストに本来求められ
る1Mへ接値が維持できなくなる。
(勿論、シート抵抗値が10mΩ/口を超えても、市販
のAg−Pd系ペーストのそれが13〜35InΩ/[
]であることに比すると高い値ではないが。)(実験例
−1) Cu粉末として、三井金属鉱山(ト)→製の粒径125
11mのCu粉末と、同社製の粒径0.38/7mのC
u粉末を、前者と後者の重量比で7:3の割合で混合し
たものを用意した。このCu粉末と、粒径0.2577
mのルチル形TiO2粉末〔石原産業■、商品名CR−
90)とを合わせたものを100重量部とした時、’r
ho2を1. Q W tφ(容量比でCu:TiO2
が略8:2)混入した。このCuと′rlO2の混合物
72gに対し、ホウケイ酸鉛系のガラスフリット〔旭硝
子■製、商品名ASF−1381、] 29、球状型の
I3+203粉末〔住友金属鉱山■製〕48g、球状型
のS b 203粉末〔住友金属鉱山■製〕20gを調
合し、これて有機ビヒクル14 gと分散剤スポイ)・
3滴を合わせたものを、3本ロールにて充分て分散・混
合してCuペーストを作製した。なお、ガラスフリット
はボールミルにて充分粉砕したものを用意し、上記有機
ビヒクルとしては、アクリール系樹脂〔三菱レーヨン■
製、BR−101〕と、溶剤としてジエチルフタレート
〔■犬へ化学工業所製〕とを1=4の重量比で混合した
ものとし、また分散剤としては共栄社油脂化学工業■製
の商品名フローレンAC−300を用いた。
のAg−Pd系ペーストのそれが13〜35InΩ/[
]であることに比すると高い値ではないが。)(実験例
−1) Cu粉末として、三井金属鉱山(ト)→製の粒径125
11mのCu粉末と、同社製の粒径0.38/7mのC
u粉末を、前者と後者の重量比で7:3の割合で混合し
たものを用意した。このCu粉末と、粒径0.2577
mのルチル形TiO2粉末〔石原産業■、商品名CR−
90)とを合わせたものを100重量部とした時、’r
ho2を1. Q W tφ(容量比でCu:TiO2
が略8:2)混入した。このCuと′rlO2の混合物
72gに対し、ホウケイ酸鉛系のガラスフリット〔旭硝
子■製、商品名ASF−1381、] 29、球状型の
I3+203粉末〔住友金属鉱山■製〕48g、球状型
のS b 203粉末〔住友金属鉱山■製〕20gを調
合し、これて有機ビヒクル14 gと分散剤スポイ)・
3滴を合わせたものを、3本ロールにて充分て分散・混
合してCuペーストを作製した。なお、ガラスフリット
はボールミルにて充分粉砕したものを用意し、上記有機
ビヒクルとしては、アクリール系樹脂〔三菱レーヨン■
製、BR−101〕と、溶剤としてジエチルフタレート
〔■犬へ化学工業所製〕とを1=4の重量比で混合した
ものとし、また分散剤としては共栄社油脂化学工業■製
の商品名フローレンAC−300を用いた。
上記CLJペーストを、京セラ■製の96係アルミナ基
板上および該基板上にレーザー加工によって穿設したス
ルーホールてスクリーン印刷によって塗布した。印刷条
件は、325メソシユスクリーンを使用し、スキージ硬
度H8を70、スキージギャップSGを1mm、スキー
ジ圧spを2kg。
板上および該基板上にレーザー加工によって穿設したス
ルーホールてスクリーン印刷によって塗布した。印刷条
件は、325メソシユスクリーンを使用し、スキージ硬
度H8を70、スキージギャップSGを1mm、スキー
ジ圧spを2kg。
スキージスピードSSを40 mm/ SeCとし、焼
成後の膜厚がl Q p m弱となるように設定した。
成後の膜厚がl Q p m弱となるように設定した。
上記条件で印刷後、5分間のl/ベリング、150℃で
10分間の乾燥後、ピーク温度900℃の60分プロフ
ァイルにてチノ素雰囲気中で焼成を行なった。
10分間の乾燥後、ピーク温度900℃の60分プロフ
ァイルにてチノ素雰囲気中で焼成を行なった。
このように形成されたCuペーストによる導電体は、電
子顕微鏡による表面および断面観察において空孔のない
緻密で良好な焼結膜であることが確認された。また、焼
結後の基板との密着性も極めて良好で、第2,3図示の
ようにセラミック基板1のスルーホール2の内壁て導電
体3が完全に密着してし・ることか確認された。また、
90℃と0°Cの繰返しヒートショック試験においても
、良好な信頼性が維持され、100回の繰返しヒートシ
ョック試験後のスルーホール部の拡大観察の結果、剥れ
、裂け、収縮が略100係認められなかった。また、4
端子法によるシート抵抗値測定によれば膜厚15 p
m換算で5mΩ/口という極めて高い導電率が示された
。
子顕微鏡による表面および断面観察において空孔のない
緻密で良好な焼結膜であることが確認された。また、焼
結後の基板との密着性も極めて良好で、第2,3図示の
ようにセラミック基板1のスルーホール2の内壁て導電
体3が完全に密着してし・ることか確認された。また、
90℃と0°Cの繰返しヒートショック試験においても
、良好な信頼性が維持され、100回の繰返しヒートシ
ョック試験後のスルーホール部の拡大観察の結果、剥れ
、裂け、収縮が略100係認められなかった。また、4
端子法によるシート抵抗値測定によれば膜厚15 p
m換算で5mΩ/口という極めて高い導電率が示された
。
第1図は上述のように形成された導電体1中のCuを、
熱濃硫酸でエツチング除去した後の無機粉体の焼結構造
を示す、電子顕微鏡撮影による1万倍拡大写真である。
熱濃硫酸でエツチング除去した後の無機粉体の焼結構造
を示す、電子顕微鏡撮影による1万倍拡大写真である。
(なお、第1図は表面の状態を示しているが、断面各部
の観察においても同図と同等の構造を呈している。)第
1図から明らかなように該実験例ておけるCuペースト
による導電膜(導電体1)中には、無機物による針状結
晶が結合した立体網目構造によるネットワークが形成さ
れている。この針状結晶は添加した無機物の比重と混合
比を勘案するとルチル形TiO2粉体を主体としたもの
が針状に成長して立体網目状の比較的強固なネットワー
クを形成するものと考察される。(何んとなればTiO
2無添加のCuペーストによる導電膜をエツチングする
と、アルミナ基板の表面の粒子のみが観察された。)第
1図において下部の横線の長さが1μmの指標で、これ
から明らかなように粒径0.25μmのルチル形TiO
2粉末は、長さ2〜3μm程度の針状結晶に成長してお
り、TiO2ネットワークの空隙で示されるCuは粒径
3/7m程度に成長し、各個が結合・導通している。
の観察においても同図と同等の構造を呈している。)第
1図から明らかなように該実験例ておけるCuペースト
による導電膜(導電体1)中には、無機物による針状結
晶が結合した立体網目構造によるネットワークが形成さ
れている。この針状結晶は添加した無機物の比重と混合
比を勘案するとルチル形TiO2粉体を主体としたもの
が針状に成長して立体網目状の比較的強固なネットワー
クを形成するものと考察される。(何んとなればTiO
2無添加のCuペーストによる導電膜をエツチングする
と、アルミナ基板の表面の粒子のみが観察された。)第
1図において下部の横線の長さが1μmの指標で、これ
から明らかなように粒径0.25μmのルチル形TiO
2粉末は、長さ2〜3μm程度の針状結晶に成長してお
り、TiO2ネットワークの空隙で示されるCuは粒径
3/7m程度に成長し、各個が結合・導通している。
上記したCu、TiO2の成長過程メカニズムの詳細は
明らかではないが、CuとTiO2との融点から見て、
焼結時の加熱によってCuが先ず軟化してその幾つか同
志が一体化して成長を始め、次KCu間の隙間でTiO
2が針状て成長して、Cuの成長と併行もしくは退行す
る形で」二連のネットワークを形成するものと窺え、と
のネットワークの存在が軟化したCuの流動を阻止して
導電膜の収縮を阻止する一助となるものと推考される。
明らかではないが、CuとTiO2との融点から見て、
焼結時の加熱によってCuが先ず軟化してその幾つか同
志が一体化して成長を始め、次KCu間の隙間でTiO
2が針状て成長して、Cuの成長と併行もしくは退行す
る形で」二連のネットワークを形成するものと窺え、と
のネットワークの存在が軟化したCuの流動を阻止して
導電膜の収縮を阻止する一助となるものと推考される。
また、この導電膜とアルミナ基板との接合部を、X線回
析した結果、アルミナ基板成分中のα−A I 203
とルチル形TiO2の固結晶相の他に、2つの結晶相の
ピーク(結晶面間隔d=2.1.9Aおよび162Aの
結晶相のピーク)が存在していることが判明しくなお、
TiO2無添加の資料ではα−AI 203結晶相のみ
が検出される)、この新らたな結晶相てよる化合物は詳
らではないが、ルチル形TiO2とα−AI 203間
で反応を生じ、この生成物が基板との接合強化に関与し
ていると推考される。
析した結果、アルミナ基板成分中のα−A I 203
とルチル形TiO2の固結晶相の他に、2つの結晶相の
ピーク(結晶面間隔d=2.1.9Aおよび162Aの
結晶相のピーク)が存在していることが判明しくなお、
TiO2無添加の資料ではα−AI 203結晶相のみ
が検出される)、この新らたな結晶相てよる化合物は詳
らではないが、ルチル形TiO2とα−AI 203間
で反応を生じ、この生成物が基板との接合強化に関与し
ていると推考される。
一方また、該実験例−1による資料を恒温橿にて150
℃の加速環境試験を行ない、該環境試験500時間後に
おいて、該資料上の導電膜を清浄してこの上に市販のT
iO2無添加のCuペースト(Cermal 1oy社
製、7229Cuペースト)で、当該実験例−1と同等
の印刷・焼成条件で導電膜を形成し、この上に引張り試
験ピンを半田付けして、経時T支台の引張強度を測定し
た結果、5に9f / 2 rnm口という極めて良好
な結果を示した。
℃の加速環境試験を行ない、該環境試験500時間後に
おいて、該資料上の導電膜を清浄してこの上に市販のT
iO2無添加のCuペースト(Cermal 1oy社
製、7229Cuペースト)で、当該実験例−1と同等
の印刷・焼成条件で導電膜を形成し、この上に引張り試
験ピンを半田付けして、経時T支台の引張強度を測定し
た結果、5に9f / 2 rnm口という極めて良好
な結果を示した。
また、当該実験例−1,による導電膜作成後に、上記市
販のCuペーストによる導電膜を形成し、この直後、お
よび500時間加速環境試験後冗封口ても、同等の引張
強度を示すことが確認され、経時使用下にお(゛・ても
引張強度の変化が殆んどないことが確認された。そして
また、との引張試験のための市販Cuペーストによる多
層膜形成てよって、他の(、u回路導体との親和性も極
めて良好であることが確認された。
販のCuペーストによる導電膜を形成し、この直後、お
よび500時間加速環境試験後冗封口ても、同等の引張
強度を示すことが確認され、経時使用下にお(゛・ても
引張強度の変化が殆んどないことが確認された。そして
また、との引張試験のための市販Cuペーストによる多
層膜形成てよって、他の(、u回路導体との親和性も極
めて良好であることが確認された。
(実験例−2)
実験例−1と全く同一の材料を用い、Cu粉末とルチル
形TiO2粉末とを合わせたものを100重量部とした
時、TiO2をそれぞれ5.4wt%、16.0wt%
、19.4.wt%(容量比でCu:TiO2がそれぞ
れ、85:15,70:30゜65:35)混入した。
形TiO2粉末とを合わせたものを100重量部とした
時、TiO2をそれぞれ5.4wt%、16.0wt%
、19.4.wt%(容量比でCu:TiO2がそれぞ
れ、85:15,70:30゜65:35)混入した。
この各々、73.79゜67.59,64..89に対
して前記実験例−1と全く同一材料のB ’ 203
+ S b203 +ガラスフリット、有機ビヒクル、
分散剤を実験例−1と同−重量分混合して充分分散・混
練してCuペーストを作成した。これを用いて実験例−
1と同等の印刷・焼成条件にて導電膜(導電体1)を形
成した結果、cu : TiO2の容量比が70:30
のものは、シート抵抗値が8mΩ/口である以外は、他
の総べての評価項目において実験例−1と同様の良好な
結果を示した。またCu:TiO2の容量比が85:1
5のものは、シート抵抗値が3.5mΩ/口と極めて良
好であるが、前記500時間加速環境試験後の引張試験
(該実験例による試料をムキ出しで環境試験したもの)
において、引張強度が2〜3に9f/2mm口となった
が、一般の厚膜ペーストの引張強度の合格ライン2 k
gf / 2 mm口をクリアした。他の評価項目は実
験例−1と同等の良好な結果を示した。また、Cu:T
iO2の容量比が65:35のものは、シート抵抗値が
lQm、Q/日程度(この程度でもAg−Pdペースト
に比すと良好で、Cuペーストに求められる高導電率を
維持している)を示した以外は、実験例−1と同様の良
好な結果を示した。
して前記実験例−1と全く同一材料のB ’ 203
+ S b203 +ガラスフリット、有機ビヒクル、
分散剤を実験例−1と同−重量分混合して充分分散・混
練してCuペーストを作成した。これを用いて実験例−
1と同等の印刷・焼成条件にて導電膜(導電体1)を形
成した結果、cu : TiO2の容量比が70:30
のものは、シート抵抗値が8mΩ/口である以外は、他
の総べての評価項目において実験例−1と同様の良好な
結果を示した。またCu:TiO2の容量比が85:1
5のものは、シート抵抗値が3.5mΩ/口と極めて良
好であるが、前記500時間加速環境試験後の引張試験
(該実験例による試料をムキ出しで環境試験したもの)
において、引張強度が2〜3に9f/2mm口となった
が、一般の厚膜ペーストの引張強度の合格ライン2 k
gf / 2 mm口をクリアした。他の評価項目は実
験例−1と同等の良好な結果を示した。また、Cu:T
iO2の容量比が65:35のものは、シート抵抗値が
lQm、Q/日程度(この程度でもAg−Pdペースト
に比すと良好で、Cuペーストに求められる高導電率を
維持している)を示した以外は、実験例−1と同様の良
好な結果を示した。
〔実施例−2〕
前述した実施例−1と同一の手法で、Auペーストを各
種検討した。この結果、Auと置き換えられるルチル形
TiO2の量を、Au粉末と該ルチル形TiO2粉末と
を合わせた混合物全体を100重量部とした時、ルチル
形TiO2を3.5〜lQwt%とじた場合に(容量比
でAu:TiO2が85:15〜65:35)、前記実
施例−1の(uペーストと同等の良好なシート抵抗値、
引張強度、経時信頼性を示し、レーザー加工によるスル
ーホールへの密着強度も良好で、前述したヒートショッ
クによっても不良品は見られなかった。
種検討した。この結果、Auと置き換えられるルチル形
TiO2の量を、Au粉末と該ルチル形TiO2粉末と
を合わせた混合物全体を100重量部とした時、ルチル
形TiO2を3.5〜lQwt%とじた場合に(容量比
でAu:TiO2が85:15〜65:35)、前記実
施例−1の(uペーストと同等の良好なシート抵抗値、
引張強度、経時信頼性を示し、レーザー加工によるスル
ーホールへの密着強度も良好で、前述したヒートショッ
クによっても不良品は見られなかった。
また、使用されるAu粉末の粒径は05〜3μmのもの
が選定され、これに対しルチル形TiO2粉末の粒径は
Q、51Jm以下が適当であることが判明した。
が選定され、これに対しルチル形TiO2粉末の粒径は
Q、51Jm以下が適当であることが判明した。
(実験例−3)
粒径1 /J mのA 1+粉末〔国中マソセイ■製、
TR1,14Glと、前記実1験例−1と同一のルチル
形TiO2粉末とを両者の混合物全体を100重量部と
した時、TiO2を4.9wt係(容量比でAu:Ti
O2が8=2)混入した。このALIとTiO2粉末の
混合物]、 47.2 gに対し、前記実験例−1と同
一材料、同−重量分のl3i203 、5b203+ガ
ラスフリツト、分散剤、有機ビヒクルを混合し、充分分
散・混合してAullベースを作成した。
TR1,14Glと、前記実1験例−1と同一のルチル
形TiO2粉末とを両者の混合物全体を100重量部と
した時、TiO2を4.9wt係(容量比でAu:Ti
O2が8=2)混入した。このALIとTiO2粉末の
混合物]、 47.2 gに対し、前記実験例−1と同
一材料、同−重量分のl3i203 、5b203+ガ
ラスフリツト、分散剤、有機ビヒクルを混合し、充分分
散・混合してAullベースを作成した。
このA llペースとを実験例−1と同一条件で印刷し
、5分間のレベリング、150℃で10分間の乾燥後、
ピーク温度870℃の60分プロファイルにて焼成を行
なった。
、5分間のレベリング、150℃で10分間の乾燥後、
ピーク温度870℃の60分プロファイルにて焼成を行
なった。
この結果、総べての評価項目πおいて実験例=1と同等
の良好な結果を示し、シート抵抗は45mΩ/[]、5
00時間加速環境試1験後の引張強度も5に9.f/2
mm口以上であり、レーザー加工てよるスルーホールへ
の密着性も良好であった。
の良好な結果を示し、シート抵抗は45mΩ/[]、5
00時間加速環境試1験後の引張強度も5に9.f/2
mm口以上であり、レーザー加工てよるスルーホールへ
の密着性も良好であった。
〔実施例−3〕
前述した実施例−1と同一の手法でAgペーストを各種
検討した。この結果、Agと置き換えられるルチル形T
iO2の量を、Ag粉末と該ルチル形TiO2粉末とを
合わせた混合物全体を100重量部とした時、ルチル形
TiO2を63〜l 7wt%とした場合に(容量比で
Ag:TiO2が85 : 1.5〜65:35)、前
記実施例−1のCuペーストと略々間等の好結果を示し
、レーザー加工によるスルーポールへも密着信頼性良く
被着した。
検討した。この結果、Agと置き換えられるルチル形T
iO2の量を、Ag粉末と該ルチル形TiO2粉末とを
合わせた混合物全体を100重量部とした時、ルチル形
TiO2を63〜l 7wt%とした場合に(容量比で
Ag:TiO2が85 : 1.5〜65:35)、前
記実施例−1のCuペーストと略々間等の好結果を示し
、レーザー加工によるスルーポールへも密着信頼性良く
被着した。
また、使用されるAg粉末の粒径は1〜2μmのものが
選定され、これに対しルチル形TiO2粉末の粒径は0
5μm以下のものが適当であることが判定した。
選定され、これに対しルチル形TiO2粉末の粒径は0
5μm以下のものが適当であることが判定した。
(実1験例−4)
粒径1 p rnのAg粉末〔■高純度化学研究新製、
E−201と、前記実験例−]と同一のルチル形TiO
2粉末とを両者の混合物全体を1. O0重量部とした
時、TiO2を8.6wt係(容量比でAg:TiO2
が8:2)混入した。 このAgとTiO2の混合物8
37gに対し、前記実験例−1と同一材量、同−重量分
のB ’ 203 + S b203 +ガラスフリッ
ト、分散剤、有機ビヒクルを混合し、充分分散、混合し
てAgペーストを作成した。
E−201と、前記実験例−]と同一のルチル形TiO
2粉末とを両者の混合物全体を1. O0重量部とした
時、TiO2を8.6wt係(容量比でAg:TiO2
が8:2)混入した。 このAgとTiO2の混合物8
37gに対し、前記実験例−1と同一材量、同−重量分
のB ’ 203 + S b203 +ガラスフリッ
ト、分散剤、有機ビヒクルを混合し、充分分散、混合し
てAgペーストを作成した。
このAgペーストを実験例−1と同一条件で印刷し、5
分間のレベリング、150℃で10分間の乾燥後、ピー
ク温度850℃の60分プロファイルてて焼成を行なっ
た。
分間のレベリング、150℃で10分間の乾燥後、ピー
ク温度850℃の60分プロファイルてて焼成を行なっ
た。
この結果、総べての評価項目において実験例−1と同等
の良好な結果を示し、シート抵抗値は約5mΩ/■、5
00時間加速環境試、験後の引張強度も5 kgf /
2 mm[]以上であり、レーザー加工によるスルー
ボールへの密着性も良好であった。
の良好な結果を示し、シート抵抗値は約5mΩ/■、5
00時間加速環境試、験後の引張強度も5 kgf /
2 mm[]以上であり、レーザー加工によるスルー
ボールへの密着性も良好であった。
以上、Cuペースト、Auペースト、Agペーストにつ
いて述べたが、A g −IJ d 系ペースト等にお
いても本発明は適用可能であり、粒径0.57on以下
のルチル形TiO2と、例えば8:2型のAg−Pd粉
末とを容量比で、85:15〜65 : 35で混合す
ることてよって、前e実施例と同様のし一ザー加工面へ
の密着信頼性を計れることが期待できる。更にはまた、
B i 20315l)203 + ガラスフリット
を添加したガラスボンドタイプの厚膜ペーストを示した
が、CdO,NiO等のケミカルボンディングメカニズ
ムのためのものを混入しても良(、有機ビヒクル用の樹
脂としてはアクリル系以外にもセルロール系が、また溶
剤としてはα−テルピネオール、トリデカノール等々が
適用可能で、本発明の精神を逸脱しない範囲で種々のバ
リエーションが考えられる。
いて述べたが、A g −IJ d 系ペースト等にお
いても本発明は適用可能であり、粒径0.57on以下
のルチル形TiO2と、例えば8:2型のAg−Pd粉
末とを容量比で、85:15〜65 : 35で混合す
ることてよって、前e実施例と同様のし一ザー加工面へ
の密着信頼性を計れることが期待できる。更にはまた、
B i 20315l)203 + ガラスフリット
を添加したガラスボンドタイプの厚膜ペーストを示した
が、CdO,NiO等のケミカルボンディングメカニズ
ムのためのものを混入しても良(、有機ビヒクル用の樹
脂としてはアクリル系以外にもセルロール系が、また溶
剤としてはα−テルピネオール、トリデカノール等々が
適用可能で、本発明の精神を逸脱しない範囲で種々のバ
リエーションが考えられる。
以上詳述したように本発明によれば、レーザー加工で穿
設されたスルーホール等にも信頼性高く密着して被着・
形成可能な厚膜導電ペーストを提供できて、その価値は
多大である。
設されたスルーホール等にも信頼性高く密着して被着・
形成可能な厚膜導電ペーストを提供できて、その価値は
多大である。
【図面の簡単な説明】
第1図〜第3図は本発明の実施例て係り、第1図は本発
明の実施例によるCuをエツチングで除去した状態の膜
を示す拡大写真図、第2図および第3図はスルーホール
への被着状態を示す断正面図並びに第2図A−A線断面
図、第4図および第5図は従来例によるスルーホールへ
の被着状態を牢す要部断正面図並びて第4図B−B線断
面図である。 1・・・・・セラミンク基板(アルミナ基板)2・・・
スルーホール 3・・・・・・導電体
明の実施例によるCuをエツチングで除去した状態の膜
を示す拡大写真図、第2図および第3図はスルーホール
への被着状態を示す断正面図並びに第2図A−A線断面
図、第4図および第5図は従来例によるスルーホールへ
の被着状態を牢す要部断正面図並びて第4図B−B線断
面図である。 1・・・・・セラミンク基板(アルミナ基板)2・・・
スルーホール 3・・・・・・導電体
Claims (5)
- (1)Cu粉末、Au粉末、Ag粉末のうちの少くとも
1種を主成分とする導電性組成物に、TiO_2粉末を
添加したことを特徴とする厚膜ペースト用導電性組成物
。 - (2)前記TiO_2粉末は、粒径0、5μm以下のル
チル形TiO_2粉末であることを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載の厚膜ペースト用導電性組成物。 - (3)導電性金属をCu粉末とし、該Cu粉末と前記ル
チル形TiO_2粉末の混合物全体を100重量部とし
た場合、ルチル形TiO_2粉末は7〜20wt%とさ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第2項記載の
厚膜用導電性組成物。 - (4)導電性金属をAu粉末とし、該Au粉末と前記ル
チル形TiO_2粉末の混合物全体を100重量部とし
た場合、ルチル形TiO_2粉末は3.5〜10wt%
とされていることを特徴とする特許請求の範囲第2項記
載の厚膜ペースト用導電性組成物。 - (5)導電性金属をAg粉末とし、該Ag粉末と前記ル
チル形TiO_2粉末の混合物全体を100重量部とし
た場合、ルチル形TiO_2粉末は6.3〜17wt%
とされていることを特徴とする特許請求の範囲第2項記
載の厚膜ペースト用導電性組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15922886A JPS6315866A (ja) | 1986-07-07 | 1986-07-07 | 厚膜ペ−スト用導電性組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15922886A JPS6315866A (ja) | 1986-07-07 | 1986-07-07 | 厚膜ペ−スト用導電性組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6315866A true JPS6315866A (ja) | 1988-01-22 |
JPH0255460B2 JPH0255460B2 (ja) | 1990-11-27 |
Family
ID=15689136
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15922886A Granted JPS6315866A (ja) | 1986-07-07 | 1986-07-07 | 厚膜ペ−スト用導電性組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6315866A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02256106A (ja) * | 1989-03-29 | 1990-10-16 | Shoei Chem Ind Co | 厚膜銅ペースト |
JPH043496A (ja) * | 1990-04-19 | 1992-01-08 | Fujitsu Ltd | 多層セラミック基板のバイヤ形成方法 |
EP0587382A2 (en) * | 1992-09-05 | 1994-03-16 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Aluminum nitride circuit board and method of producing it |
JP2001076534A (ja) * | 1999-09-03 | 2001-03-23 | Toshiba Chem Corp | 導電性ペースト |
JP2006278071A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Toyo Aluminium Kk | ペースト組成物、電極およびそれを備えた太陽電池素子 |
Families Citing this family (1)
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5730309A (en) * | 1980-07-29 | 1982-02-18 | Tdk Electronics Co Ltd | Electrode pasge for porcelain capacitor |
JPS6047412A (ja) * | 1983-08-24 | 1985-03-14 | ティーディーケイ株式会社 | 電子部品の製造方法及び導電性ペ−スト組成物 |
-
1986
- 1986-07-07 JP JP15922886A patent/JPS6315866A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5730309A (en) * | 1980-07-29 | 1982-02-18 | Tdk Electronics Co Ltd | Electrode pasge for porcelain capacitor |
JPS6047412A (ja) * | 1983-08-24 | 1985-03-14 | ティーディーケイ株式会社 | 電子部品の製造方法及び導電性ペ−スト組成物 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02256106A (ja) * | 1989-03-29 | 1990-10-16 | Shoei Chem Ind Co | 厚膜銅ペースト |
JPH043496A (ja) * | 1990-04-19 | 1992-01-08 | Fujitsu Ltd | 多層セラミック基板のバイヤ形成方法 |
EP0587382A2 (en) * | 1992-09-05 | 1994-03-16 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Aluminum nitride circuit board and method of producing it |
EP0587382A3 (en) * | 1992-09-05 | 1994-11-23 | Shinko Electric Ind Co | Aluminum nitride printed circuit board and process for its manufacture. |
US5464950A (en) * | 1992-09-05 | 1995-11-07 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Aluminum nitride circuit board and method of producing same |
JP2001076534A (ja) * | 1999-09-03 | 2001-03-23 | Toshiba Chem Corp | 導電性ペースト |
JP2006278071A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Toyo Aluminium Kk | ペースト組成物、電極およびそれを備えた太陽電池素子 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0255460B2 (ja) | 1990-11-27 |
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