JPS6289907A - 偏光膜一体型透明導電性フイルム - Google Patents
偏光膜一体型透明導電性フイルムInfo
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は偏光膜一体型透明導電性フィルムに関する。詳
しくはジスアゾ化合物によって染色されたポリビニルア
ルコール系偏光膜にその支持層としてのポリサルフォン
系フィルムを積層し次いで導電性を有する透明被膜を順
次積層してなる偏光膜一体型透明導電性フィルムに関す
る。
しくはジスアゾ化合物によって染色されたポリビニルア
ルコール系偏光膜にその支持層としてのポリサルフォン
系フィルムを積層し次いで導電性を有する透明被膜を順
次積層してなる偏光膜一体型透明導電性フィルムに関す
る。
従来の技術
従来よりＴＮ型液晶表示素子の製造工程を簡略化し、コ
ストダウンをはかる目的で、偏光膜の支持層として有機
高分子フィルムを用い、その表面に透明導電性を有する
被膜を設け、偏光膜と透明導電性フィルムとを一体型に
することが検討されてきた。偏光膜の支持層としては、
従来よりアセテート系、例えばトリアセテートセルロー
スフィルム（ＴＡＣフィルム）カ用いられてきたが、一
体型を考える場合、ＴＡＣフィルムは耐熱性が低いため
高品質の透明導電性被膜を形成させるためのスパッタリ
ングや真空蒸着条件、また液晶表示素子の組み立て条件
に耐えられないという欠点を有していた。また耐熱性が
低いということは、偏光膜の支持層という面からも適当
ではない。
ストダウンをはかる目的で、偏光膜の支持層として有機
高分子フィルムを用い、その表面に透明導電性を有する
被膜を設け、偏光膜と透明導電性フィルムとを一体型に
することが検討されてきた。偏光膜の支持層としては、
従来よりアセテート系、例えばトリアセテートセルロー
スフィルム（ＴＡＣフィルム）カ用いられてきたが、一
体型を考える場合、ＴＡＣフィルムは耐熱性が低いため
高品質の透明導電性被膜を形成させるためのスパッタリ
ングや真空蒸着条件、また液晶表示素子の組み立て条件
に耐えられないという欠点を有していた。また耐熱性が
低いということは、偏光膜の支持層という面からも適当
ではない。
また従来、透明導電性フィルムとして検討されているポ
リエステルなどのフィルムは、その高分子特性を引き出
すために延伸配向がなされており、そのため光学異方性
を有する。この光学異方性は、光の偏光を利用している
ＴＮ型液晶表示素子には致命的欠陥である。
リエステルなどのフィルムは、その高分子特性を引き出
すために延伸配向がなされており、そのため光学異方性
を有する。この光学異方性は、光の偏光を利用している
ＴＮ型液晶表示素子には致命的欠陥である。
又偏光膜に含有せしめる偏光素子としては、従来ヨウ素
が使用され最近は有機系の染料の使用も検討されている
がヨウ素は昇華性が大きい為に偏光素子として偏光膜に
含有せしめた時その耐熱性が十分でなく、又有機系の染
料についても従来のものはその偏光特性がヨウ素に比べ
るとかなり劣る程度のものであった。
が使用され最近は有機系の染料の使用も検討されている
がヨウ素は昇華性が大きい為に偏光素子として偏光膜に
含有せしめた時その耐熱性が十分でなく、又有機系の染
料についても従来のものはその偏光特性がヨウ素に比べ
るとかなり劣る程度のものであった。
発明が解決しようとする問題点
従来達成することが困難であった偏光膜と透明導電性フ
ィルムとを一体型にすることによりＴＮ型液晶表示素子
の製造工程の簡略化をはかり、コストを下げるべく十分
な耐熱性を有すると共にヨウ素に匹敵する偏光能を有す
る偏光素子の開発及びそのような偏光素子を含有する偏
光膜と一体型化が可能な樹脂の開発等が望まれている。
ィルムとを一体型にすることによりＴＮ型液晶表示素子
の製造工程の簡略化をはかり、コストを下げるべく十分
な耐熱性を有すると共にヨウ素に匹敵する偏光能を有す
る偏光素子の開発及びそのような偏光素子を含有する偏
光膜と一体型化が可能な樹脂の開発等が望まれている。
問題点を解決する為の手段
本発明者らは前記したような問題点の解決をはかるべく
鋭意研究の結果本発明に至った。即ち本発明は、遊離酸
として式（１） 〔式（１）においてＸはニトロ基又はアミン基をＡは式
（ａ）又は式（ｂ） （式（ａｌ又は（＋）ｌにおいてＲ，は水素原子、メト
キシ基、エトキシ基、メチル基又は水酸基を、Ｒ２は水
素原子、メチル基、メトキシ基、エトキシ基、アセチル
アミノ基又はウレイド基を、Ｒ８は水素原子、メトキシ
基又はエトキシ基を、ｎは０又は１を各々表す） を表す。又Ｙはアミノ基、メチルアミン基、アセチルア
ミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−アセチルアミノ基、β−ヒド
ロキシエチルアミン基、フェニル核がニトロ基、アミン
基、水酸基、メチル基、スルホン酸基、カルボキシル基
の１〜２個によって置換されていても良いフェニルアミ
ノ基又はベンゾイルアミノ基を表す。〕 で示される水溶性ジスアゾ化合物又はこの銅錯壇化合物
によって染色されたポリビニルアルコール系偏光膜の少
な（とも片面に支持層としてポリサルフォン系フィルム
を積層し該積層フィルムのいずれか一方の表面に導電性
を有する透明被膜を順次積層したことを特徴とする偏光
膜一体型透明導電性フィルムを提供するものである。
鋭意研究の結果本発明に至った。即ち本発明は、遊離酸
として式（１） 〔式（１）においてＸはニトロ基又はアミン基をＡは式
（ａ）又は式（ｂ） （式（ａｌ又は（＋）ｌにおいてＲ，は水素原子、メト
キシ基、エトキシ基、メチル基又は水酸基を、Ｒ２は水
素原子、メチル基、メトキシ基、エトキシ基、アセチル
アミノ基又はウレイド基を、Ｒ８は水素原子、メトキシ
基又はエトキシ基を、ｎは０又は１を各々表す） を表す。又Ｙはアミノ基、メチルアミン基、アセチルア
ミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−アセチルアミノ基、β−ヒド
ロキシエチルアミン基、フェニル核がニトロ基、アミン
基、水酸基、メチル基、スルホン酸基、カルボキシル基
の１〜２個によって置換されていても良いフェニルアミ
ノ基又はベンゾイルアミノ基を表す。〕 で示される水溶性ジスアゾ化合物又はこの銅錯壇化合物
によって染色されたポリビニルアルコール系偏光膜の少
な（とも片面に支持層としてポリサルフォン系フィルム
を積層し該積層フィルムのいずれか一方の表面に導電性
を有する透明被膜を順次積層したことを特徴とする偏光
膜一体型透明導電性フィルムを提供するものである。
本発明で偏光素子として使用される式（１）のジスアゾ
化合物は次のようにして製造される。
化合物は次のようにして製造される。
即ち遊離酸として式（２）
％式％
で表される化合物を常法によりジアゾ化し、式１−ｔ２
（式（３）中、Ｒ１およびＲ２は前記と同じ意味を表す
。） 又は遊離酸として式（４） （式（４）中、Ｒ３およびｎは前記と同じ意味を表す。
。） 又は遊離酸として式（４） （式（４）中、Ｒ３およびｎは前記と同じ意味を表す。
）
で表される化合物とカップリングし、遊離酸として式（
５） （式（５）中、Ａは前記と同じ意味を表す。〕で表され
るモノアゾ化合物を製造し、このものを更にジアゾ化し
て遊離酸として弐（６）（式（６）中、Ｙは前記と同じ
意味を表し、基Ｙは６位または７位にある。）で表され
る化合物と常法によりカップリングし、遊離酸として式
（式（７）中、ＡおよびＹは前記と同じ意味を表し、基
Ｙは６位または７位に結合している）で表される水溶性
ジスアゾ化合物を製造する。
５） （式（５）中、Ａは前記と同じ意味を表す。〕で表され
るモノアゾ化合物を製造し、このものを更にジアゾ化し
て遊離酸として弐（６）（式（６）中、Ｙは前記と同じ
意味を表し、基Ｙは６位または７位にある。）で表され
る化合物と常法によりカップリングし、遊離酸として式
（式（７）中、ＡおよびＹは前記と同じ意味を表し、基
Ｙは６位または７位に結合している）で表される水溶性
ジスアゾ化合物を製造する。
更に式（７）で表される化合物を硫酸銅等で処理してそ
の銅錯塩化合物を製造する。また式（７）で表される化
合物を硫化ソーダー等により還元し、（式（８）中、Ａ
およびＹは前記と同じ意味を表し、基Ｙは６位または７
位に結合している）で表される化合物を製造し、更に必
要に応じて硫酸銅等で処理して式（８）の化合物の銅錯
塩化合物を製造する。
の銅錯塩化合物を製造する。また式（７）で表される化
合物を硫化ソーダー等により還元し、（式（８）中、Ａ
およびＹは前記と同じ意味を表し、基Ｙは６位または７
位に結合している）で表される化合物を製造し、更に必
要に応じて硫酸銅等で処理して式（８）の化合物の銅錯
塩化合物を製造する。
式（１）で表される化合物は通常ナトリウム塩として製
造するが、それらは、遊離酸として、あるいはカリウム
塩、リチウム塩、アンモニウム塩、アルキルアミン、エ
タノールアミン類の塩として製造する事が出来る。
造するが、それらは、遊離酸として、あるいはカリウム
塩、リチウム塩、アンモニウム塩、アルキルアミン、エ
タノールアミン類の塩として製造する事が出来る。
式（１）で表されるジスアゾ化合物の具体的な例として
は次のものが挙げられる。
は次のものが挙げられる。
Ｓｏ、Ｈ
３Ｏ３Ｈ（ＪＵＨ３ろｌＪ３１−１
更に次の表に示されるジスアゾ化合物も使用される。な
お表においてＸ、Ａ、Ｙは式（１）における記号を意味
する。
お表においてＸ、Ａ、Ｙは式（１）における記号を意味
する。
これらの化合物は単独で又はこれら同志で混合しである
いは他の化合物（染料）と混合して用いることができる
。
いは他の化合物（染料）と混合して用いることができる
。
偏光膜製造の為の素材としては通常のＰＶＡの細小飽和
カルボン酸又はその誘導体、不飽和スルホン酸又はその
誘導体、炭素数２〜３０のα−オレフィン等で約１５モ
ル係未満共重合変性された変性ポリビニルアルコール、
ポリビニルホルマール、ポリビニルアセトアセタール、
ポリビニルブチラール等のポリビニルアセタール、エチ
レン含ｆＬ１５〜５５モルチのエチレン−酢酸ビニル共
重合体ケン化物（ＰＶＡ系樹脂）等が挙げられる。そし
てこれらは偏光膜製造の為にはフィルム状（ＰＶＡ系フ
ィルム）で用いられる。染色したＰＶＡ系フィルムの製
造法としては、成型されたＰＶＡ系フィルムそのものを
染色する方法、ＰＶＡ系樹脂の溶液に染料を添加し、原
液染色後製膜する方法等を挙げる事が出来る。まずＰＶ
Ａ系フィルムの一般的な染色方法及び延伸法について説
明する。
カルボン酸又はその誘導体、不飽和スルホン酸又はその
誘導体、炭素数２〜３０のα−オレフィン等で約１５モ
ル係未満共重合変性された変性ポリビニルアルコール、
ポリビニルホルマール、ポリビニルアセトアセタール、
ポリビニルブチラール等のポリビニルアセタール、エチ
レン含ｆＬ１５〜５５モルチのエチレン−酢酸ビニル共
重合体ケン化物（ＰＶＡ系樹脂）等が挙げられる。そし
てこれらは偏光膜製造の為にはフィルム状（ＰＶＡ系フ
ィルム）で用いられる。染色したＰＶＡ系フィルムの製
造法としては、成型されたＰＶＡ系フィルムそのものを
染色する方法、ＰＶＡ系樹脂の溶液に染料を添加し、原
液染色後製膜する方法等を挙げる事が出来る。まずＰＶ
Ａ系フィルムの一般的な染色方法及び延伸法について説
明する。
式ｆｌ）のジスアゾ化合物又はその銅錯塩及び必要に応
じて無、吸塩、界面活性剤等の染色助剤を含有する染浴
中ＫＯ’Ｃないし７０°Ｃ好ましくは３０〜４５°Ｃで
ＰＶＡ系フィルムを浸漬して染色し、次いで必要に応じ
てホウ酸処理し、乾燥する。該フィルムに偏光機能を付
与させるために染色前、染色後または染色中に一軸方向
（（２倍以上特に好ましくは２．５〜４倍延伸する。染
色前又は染色後に延伸する場合には湿式延伸の他に乾式
条件（通常常温ないし１８０°Ｃの範囲）で行ってもよ
く、また染色と同時に延伸する場合には染浴中で０〜７
０°Ｃ好ましくは３０〜４５°Ｃで延伸する。
じて無、吸塩、界面活性剤等の染色助剤を含有する染浴
中ＫＯ’Ｃないし７０°Ｃ好ましくは３０〜４５°Ｃで
ＰＶＡ系フィルムを浸漬して染色し、次いで必要に応じ
てホウ酸処理し、乾燥する。該フィルムに偏光機能を付
与させるために染色前、染色後または染色中に一軸方向
（（２倍以上特に好ましくは２．５〜４倍延伸する。染
色前又は染色後に延伸する場合には湿式延伸の他に乾式
条件（通常常温ないし１８０°Ｃの範囲）で行ってもよ
く、また染色と同時に延伸する場合には染浴中で０〜７
０°Ｃ好ましくは３０〜４５°Ｃで延伸する。
次に原液染色後製膜する方法は、まずＰＶＡ系基材（樹
脂）を水、有機溶媒、水−アルコール混合溶媒等の溶媒
に溶解し、式（１）の化合物又はその銅錯塩を添加し、
原液染色を行う。この染色原液を流延法、溶液塗布法、
押出法等によって製膜し、染色フィルムを製造する。こ
のようにしてえられた染色フィルムに偏光機能を付与さ
せるために該染色フィルムを前記同様の湿式または乾式
条件で一軸方向に延伸する。
脂）を水、有機溶媒、水−アルコール混合溶媒等の溶媒
に溶解し、式（１）の化合物又はその銅錯塩を添加し、
原液染色を行う。この染色原液を流延法、溶液塗布法、
押出法等によって製膜し、染色フィルムを製造する。こ
のようにしてえられた染色フィルムに偏光機能を付与さ
せるために該染色フィルムを前記同様の湿式または乾式
条件で一軸方向に延伸する。
ここで−軸延伸とは完全に一軸方向にのみフィルムを延
伸する（自由幅−軸延伸）他、延伸方向に直角の方向に
も幅方向の収縮を防止する為若干の延伸を行う事（一定
幅一軸延伸）をも意味する。
伸する（自由幅−軸延伸）他、延伸方向に直角の方向に
も幅方向の収縮を防止する為若干の延伸を行う事（一定
幅一軸延伸）をも意味する。
偏光膜の支持層としては、透明性が良く、光学的に等方
性であり、且耐熱性に優れた、更に詳しくは複屈折が位
相差にして４０度以内であり、且光弾性常数が２．０ｒ
ａｎ／Ｋｙ以下であり、更に２００°Ｃにおける熱収縮
率が５多以下である高分子フィルムが適しており、具体
的には、ポリサル７オン、ポリエーテルサルフォン、ホ
リアリルサルフォン等のポリサルフォン系フィルムが用
いられる。
性であり、且耐熱性に優れた、更に詳しくは複屈折が位
相差にして４０度以内であり、且光弾性常数が２．０ｒ
ａｎ／Ｋｙ以下であり、更に２００°Ｃにおける熱収縮
率が５多以下である高分子フィルムが適しており、具体
的には、ポリサル７オン、ポリエーテルサルフォン、ホ
リアリルサルフォン等のポリサルフォン系フィルムが用
いられる。
特に、その特性に優れたポリエーテルサルフオン（以下
ＰＥＳと略記する）フィルムが望ましい。ポリサル７オ
ン系フイルムはＴＮ型液晶表示の為の透明電極用基板と
して必要な透明性、機械的強度、耐エツチング性、及び
耐溶剤性を備えているので極めて好都合である。
ＰＥＳと略記する）フィルムが望ましい。ポリサル７オ
ン系フイルムはＴＮ型液晶表示の為の透明電極用基板と
して必要な透明性、機械的強度、耐エツチング性、及び
耐溶剤性を備えているので極めて好都合である。
ＰＶＡ系偏光膜にポリサルフォン系フィルムを積層する
為には充分な密着強度を得るためにウレタン樹脂系、エ
ポキシ樹脂系、シリコン樹脂系或いは合成ゴム系等の接
着剤で少なくとも１２０°Ｃ×２時間以上の耐熱性を有
する接着剤を用いることが望ましい。それらのうち特に
好ましい接着剤の例としてはウレタンアクリレート、エ
ポキシアクリレート、メタアクリレート又はこれらの２
種以上の混合物と光重合開始剤としての２−メチル−１
−（４−アルキルチオフェニル）−２−モルフオリノプ
ロノくノー１−オン、１−（４−アルキルフェニル）−
２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オンから選
ばれる一種又は二種以上の混合物とからなる紫外線硬化
性の樹脂が挙げられ、これらのうち１８０度のビールテ
ストでＱ、 ５ Ｋｙ ／ ｏｎ以上の接着強度を有す
るものが適宜選んで用いられる。
為には充分な密着強度を得るためにウレタン樹脂系、エ
ポキシ樹脂系、シリコン樹脂系或いは合成ゴム系等の接
着剤で少なくとも１２０°Ｃ×２時間以上の耐熱性を有
する接着剤を用いることが望ましい。それらのうち特に
好ましい接着剤の例としてはウレタンアクリレート、エ
ポキシアクリレート、メタアクリレート又はこれらの２
種以上の混合物と光重合開始剤としての２−メチル−１
−（４−アルキルチオフェニル）−２−モルフオリノプ
ロノくノー１−オン、１−（４−アルキルフェニル）−
２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オンから選
ばれる一種又は二種以上の混合物とからなる紫外線硬化
性の樹脂が挙げられ、これらのうち１８０度のビールテ
ストでＱ、 ５ Ｋｙ ／ ｏｎ以上の接着強度を有す
るものが適宜選んで用いられる。
通常はかかる接着剤を用いて偏光膜の両面にポリサルフ
ォン系フィルムがラミネートされるが所望なら偏光膜の
片面のみにポリサルフォン系フィルムをラミネートし他
方の面はトリアセテート膜のような従来の支持膜をラミ
ネートしてもよい。偏光膜にラミネートされたポリサル
フォン系フィルムに積層される透明導電性物質としては
金、パラジウムなどの貴金属や、酸化スズ、酸化インジ
ウムなどの金属酸化物が選ばれるが一般にはＩＴＯ（イ
ンジウム・ティン・オキサイド）と称される５〜１５重
ｔ％の酸化スズを含む酸化インジウムを主体とする複合
酸化物が用いられる。透明導電層を積層する方法として
は真空蒸着法、スパッタリング法、イオンブレーティン
グ法、プラズマＣＶＤ法など一般的な薄膜形成技術が利
用できる。特にスパッタリング法が適している。又、偏
光膜とポリサルフォン系フィルムを接着したりあるいは
ポリサルフォン系フィルムの表面に透明導電層を積層す
るにあたり、エポキシアクリレート、ウレタンアクリレ
ート等をベースにした紫外線硬化性の樹脂組成物をアン
ダーコート剤として塗布することも出来る。このような
アンダーコート剤によるアンダーコート層を設けること
によって偏光膜とポリサルフォン系フィルムとの、ある
いはポリサルフォン系フィルムと透明導電層との密着安
定性が上がると共にこのアンダーコート処理てよりベー
ス基材（偏光膜或いはポリサル７オン系フイルム）の表
面平担性が改良される。更にスパッタリング法等による
透明導電層を設けるにあたり均質で表面抵坑が低く且光
線透過率の高い透明導電層を得るために少なくともその
ガス発生量が１時間排気後の測定で８×ｌ Ｑ −５ｍ
、ｂａｒ、ｅ ／ ｓｅｃ、 ｃｌであることが望ｔＬ
い。このようなガス発生量を小さくする方法としては、
■ポリサル７オン系フイルムと偏光膜とのラミネーショ
ンを低湿度にコントロールされた雰囲気で行うこと ■
積層すべきペース基材の両面を低透湿性物質でコーティ
ングする。
ォン系フィルムがラミネートされるが所望なら偏光膜の
片面のみにポリサルフォン系フィルムをラミネートし他
方の面はトリアセテート膜のような従来の支持膜をラミ
ネートしてもよい。偏光膜にラミネートされたポリサル
フォン系フィルムに積層される透明導電性物質としては
金、パラジウムなどの貴金属や、酸化スズ、酸化インジ
ウムなどの金属酸化物が選ばれるが一般にはＩＴＯ（イ
ンジウム・ティン・オキサイド）と称される５〜１５重
ｔ％の酸化スズを含む酸化インジウムを主体とする複合
酸化物が用いられる。透明導電層を積層する方法として
は真空蒸着法、スパッタリング法、イオンブレーティン
グ法、プラズマＣＶＤ法など一般的な薄膜形成技術が利
用できる。特にスパッタリング法が適している。又、偏
光膜とポリサルフォン系フィルムを接着したりあるいは
ポリサルフォン系フィルムの表面に透明導電層を積層す
るにあたり、エポキシアクリレート、ウレタンアクリレ
ート等をベースにした紫外線硬化性の樹脂組成物をアン
ダーコート剤として塗布することも出来る。このような
アンダーコート剤によるアンダーコート層を設けること
によって偏光膜とポリサルフォン系フィルムとの、ある
いはポリサルフォン系フィルムと透明導電層との密着安
定性が上がると共にこのアンダーコート処理てよりベー
ス基材（偏光膜或いはポリサル７オン系フイルム）の表
面平担性が改良される。更にスパッタリング法等による
透明導電層を設けるにあたり均質で表面抵坑が低く且光
線透過率の高い透明導電層を得るために少なくともその
ガス発生量が１時間排気後の測定で８×ｌ Ｑ −５ｍ
、ｂａｒ、ｅ ／ ｓｅｃ、 ｃｌであることが望ｔＬ
い。このようなガス発生量を小さくする方法としては、
■ポリサル７オン系フイルムと偏光膜とのラミネーショ
ンを低湿度にコントロールされた雰囲気で行うこと ■
積層すべきペース基材の両面を低透湿性物質でコーティ
ングする。
或は、■透明導電層を積層する直前に積層すべきポリフ
ル７オン系フイルムを真空乾燥法等により乾燥する等の
方法が挙げられる。
ル７オン系フイルムを真空乾燥法等により乾燥する等の
方法が挙げられる。
更に偏光膜の片面又は両面にポリスルフォン系フィルム
を積層したあとポリスルフォン系フィルム、偏光膜等を
紫外線から保護するために透明導電層が設けられる面の
反対の面に紫外線吸収剤を添加したコーティング剤で被
すする事もできる。この場合ポリスルフォンよりも低い
屈折率を有するコーティング剤を用いるとフィルム表面
における光の反射が減少しポリスルフォン系フィルムの
光線透過率を向上できるし更に表面硬度の高いコーティ
ング剤を用いる事により傷のつきに（い外層表面を得る
ことも出来る。このようなコーティング剤としては例え
ば紫外線吸収剤を含有したシリコン系）・−トコ−ティ
ング剤等が用いられる。
を積層したあとポリスルフォン系フィルム、偏光膜等を
紫外線から保護するために透明導電層が設けられる面の
反対の面に紫外線吸収剤を添加したコーティング剤で被
すする事もできる。この場合ポリスルフォンよりも低い
屈折率を有するコーティング剤を用いるとフィルム表面
における光の反射が減少しポリスルフォン系フィルムの
光線透過率を向上できるし更に表面硬度の高いコーティ
ング剤を用いる事により傷のつきに（い外層表面を得る
ことも出来る。このようなコーティング剤としては例え
ば紫外線吸収剤を含有したシリコン系）・−トコ−ティ
ング剤等が用いられる。
更にＰＶＡ系、偏光膜にポリサル７オン系フイルムを積
層したあと所望により前記したアンダーコート層を設け
たのち透明導電層を積層する前に水蒸気、酸素、イオン
性物質等の移行を防止する目的で透明性の絶縁層を設け
ることも出来る。絶縁層を設けるための金属としては５
ｉＯｘ（Ｘ＝１〜２）、ＴｉＯ２，ｚｒｏ２． Ａｌ２
Ｏ３，Ｔａｇ、。
層したあと所望により前記したアンダーコート層を設け
たのち透明導電層を積層する前に水蒸気、酸素、イオン
性物質等の移行を防止する目的で透明性の絶縁層を設け
ることも出来る。絶縁層を設けるための金属としては５
ｉＯｘ（Ｘ＝１〜２）、ＴｉＯ２，ｚｒｏ２． Ａｌ２
Ｏ３，Ｔａｇ、。
Ｎｂ２Ｏ３，ＣｅＯ，、、ＺｎＯ等の金属酸化物が用い
られ、これらの金属酸化物層の厚さに特に制限はないが
、１００〜５，０ＯＯＡの範囲が好ましい。１００Ａ以
下では連続的な膜を形成しにくく、又水蒸気および酸素
透過の防止およびイオン性物質移行防止の効果が不十分
であり、５，０ＯＯＡ以上では金属酸化物層にクラック
が入るおそれがある。絶縁層を積層する方法としては真
空蒸着法、スパンタリング法、イオンブレーティング法
、プラズマＣＶＤ法等の一般的な薄膜形成技術が利用で
きるが特にＲＦマグネトロンスパンタリング法が適して
いる。
られ、これらの金属酸化物層の厚さに特に制限はないが
、１００〜５，０ＯＯＡの範囲が好ましい。１００Ａ以
下では連続的な膜を形成しにくく、又水蒸気および酸素
透過の防止およびイオン性物質移行防止の効果が不十分
であり、５，０ＯＯＡ以上では金属酸化物層にクラック
が入るおそれがある。絶縁層を積層する方法としては真
空蒸着法、スパンタリング法、イオンブレーティング法
、プラズマＣＶＤ法等の一般的な薄膜形成技術が利用で
きるが特にＲＦマグネトロンスパンタリング法が適して
いる。
本発明においては前記したようにポリスルフォン系フィ
ルム上に紫外線等からこれを保護するためにシリコン系
・・−トコ−ティング剤が塗布されるがシリコン系ノ・
−トコ−ティング剤の他にＳｉＯｘ （Ｘ＝１〜２）、
５ｂ２０３． ＣｅＦ３． Ｔｈｅ２゜ＣｅＯ等の金属
酸化物又は金属７ノ化物からなる保護層を設けてもよい
。特に５ｉＯＸ（Ｘ＝１〜２）。
ルム上に紫外線等からこれを保護するためにシリコン系
・・−トコ−ティング剤が塗布されるがシリコン系ノ・
−トコ−ティング剤の他にＳｉＯｘ （Ｘ＝１〜２）、
５ｂ２０３． ＣｅＦ３． Ｔｈｅ２゜ＣｅＯ等の金属
酸化物又は金属７ノ化物からなる保護層を設けてもよい
。特に５ｉＯＸ（Ｘ＝１〜２）。
５ｂ２ｏ３．ＣｅＦ３はポリスルフォン系フィルムの黄
変の原因となる２００〜３００１ｍ の光線をカットす
る上で効果的である。これらの金属保護２層は前記した
透明導電層、絶縁層等と同様な方法で積層される。
変の原因となる２００〜３００１ｍ の光線をカットす
る上で効果的である。これらの金属保護２層は前記した
透明導電層、絶縁層等と同様な方法で積層される。
本発明による偏光膜一体型透明導電性フィルムを用いる
ことにより従来、ガラス基材の透明導電膜では不可能で
あった長尺物によるリール・ツー・リールの連続加工が
可能とななつ、且液晶表示素子組立て工程に於ける偏光
膜組み込みの手間が完全に省かれるため、ＴＮ型液晶表
示素子の製造工程並びに製造工数を飛濯的に簡略化、低
減ができ、大巾なコストダウンが可能となる。又液晶表
示装置の薄型化を可能し偏光素子として非昇華性のジス
アゾ化合物を用し・ていることと相俟って耐熱性にすぐ
れ偏光能のすぐれた液晶表示装置の製造を可能にするも
のである。
ことにより従来、ガラス基材の透明導電膜では不可能で
あった長尺物によるリール・ツー・リールの連続加工が
可能とななつ、且液晶表示素子組立て工程に於ける偏光
膜組み込みの手間が完全に省かれるため、ＴＮ型液晶表
示素子の製造工程並びに製造工数を飛濯的に簡略化、低
減ができ、大巾なコストダウンが可能となる。又液晶表
示装置の薄型化を可能し偏光素子として非昇華性のジス
アゾ化合物を用し・ていることと相俟って耐熱性にすぐ
れ偏光能のすぐれた液晶表示装置の製造を可能にするも
のである。
実施例
本発明を実施例によって更に具体的に説明する。
実施例１゜
ドクターコーター及び送風型乾燥機を備えたコーティン
グ装置を用いて製膜したＰＶＡフィルムを王妃式 のジスアゾ化合物１０ｇを１０ｔの水に溶解してえた４
Ｑ０Ｃの溶液中に３分間浸漬したのち流水で洗浄すると
青色に染色されたＰＶＡフィルムかえられた。この染色
フィルムをロール型延沖機を用いて縦方向に３．５倍に
延伸してＰＶＡ系偏光膜をえた。この偏光膜の片面に支
持層として５０μ厚ＰＥＳフイルムを、もう一方の面に
保護層としてＵ、Ｖ、吸収剤を含む５０μ厚のＴＡＣフ
ィルムをそれぞれウレタン系接着剤で貼り合わせた。得
られた支持層、保護層つきの偏光膜の光学特性をフォト
・スペクトロメーターを用いて測定したところλｍａＸ
６０５ ｎｍにおいて透過率４５％、偏光度８５ｑ６
であった。
グ装置を用いて製膜したＰＶＡフィルムを王妃式 のジスアゾ化合物１０ｇを１０ｔの水に溶解してえた４
Ｑ０Ｃの溶液中に３分間浸漬したのち流水で洗浄すると
青色に染色されたＰＶＡフィルムかえられた。この染色
フィルムをロール型延沖機を用いて縦方向に３．５倍に
延伸してＰＶＡ系偏光膜をえた。この偏光膜の片面に支
持層として５０μ厚ＰＥＳフイルムを、もう一方の面に
保護層としてＵ、Ｖ、吸収剤を含む５０μ厚のＴＡＣフ
ィルムをそれぞれウレタン系接着剤で貼り合わせた。得
られた支持層、保護層つきの偏光膜の光学特性をフォト
・スペクトロメーターを用いて測定したところλｍａＸ
６０５ ｎｍにおいて透過率４５％、偏光度８５ｑ６
であった。
上記の偏光フィルムのＰＥＳ側にアンダーコート処理を
行い、高周波マグネトロンスパッタリング装置の基板ホ
ルダーに固定し、透明絶縁層としてＳｉＯ□を５０ＯＡ
厚に形成し、次いで酸化スズを７．５重量％含む酸化イ
ンジウムから成るターゲットを用いて５ＸＩＯＴｏｒｒ
のアルゴンプラズマ中で３０ＯＡ厚に透明導電性被膜を
形成し本発明の偏光膜一体型透明導電フィルムを得た。
行い、高周波マグネトロンスパッタリング装置の基板ホ
ルダーに固定し、透明絶縁層としてＳｉＯ□を５０ＯＡ
厚に形成し、次いで酸化スズを７．５重量％含む酸化イ
ンジウムから成るターゲットを用いて５ＸＩＯＴｏｒｒ
のアルゴンプラズマ中で３０ＯＡ厚に透明導電性被膜を
形成し本発明の偏光膜一体型透明導電フィルムを得た。
応用例
実施例１で得られた偏光膜一体型透明導電フィルムを用
いて次に示す方法でＴＮ型液晶表示素子を作成した。フ
ィルムの透明導電膜面にポジ型フォトレジストをホイラ
ーで塗布、８０°０２０分間プリベークを行った後Ｕ、
■、露光を行った。次に現像を行い８０°Ｃ２０分間ポ
ストベークし、６ＮＨＣ１水溶液に浸漬しエツチング後
、レジストをはく離した。
いて次に示す方法でＴＮ型液晶表示素子を作成した。フ
ィルムの透明導電膜面にポジ型フォトレジストをホイラ
ーで塗布、８０°０２０分間プリベークを行った後Ｕ、
■、露光を行った。次に現像を行い８０°Ｃ２０分間ポ
ストベークし、６ＮＨＣ１水溶液に浸漬しエツチング後
、レジストをはく離した。
電極のバター二／グを終えたフィルムの一方の電極側に
ホントメルト接着剤をシールパターンの形に切り載せ、
もう一方の電極側に柱径約１０μｍのガラスファイバー
の細片をスペーサーとして散布し、両フィルムを重ね１
４０°Ｃに加熱し、接着剤を溶解させ、セルを組み立て
た。
ホントメルト接着剤をシールパターンの形に切り載せ、
もう一方の電極側に柱径約１０μｍのガラスファイバー
の細片をスペーサーとして散布し、両フィルムを重ね１
４０°Ｃに加熱し、接着剤を溶解させ、セルを組み立て
た。
次に真空注入法により、あらかじめ設けておいた開口部
よりネマチック型液晶を注入し、開口部を接着剤で封止
した。
よりネマチック型液晶を注入し、開口部を接着剤で封止
した。
偏光膜一体型でない場合はこの後偏光方向の軸合せを行
ない偏光板を貼り合せなければならないが一体型の場合
、この工程を省略できるので、工程の簡略化となり、コ
ストを下げることができる。
ない偏光板を貼り合せなければならないが一体型の場合
、この工程を省略できるので、工程の簡略化となり、コ
ストを下げることができる。
実施例２゜
次の式
で表されるジスアゾ化合物を用いて実施例１と同様にし
てＰＶＡの染色及び延伸を行いＰＶＡ系偏光膜を得た。
てＰＶＡの染色及び延伸を行いＰＶＡ系偏光膜を得た。
この偏光膜の片面に支持層として５０μ厚ＰＥＳフイル
ムももう一方の面に保護層として５０μ厚のＴＡＣフィ
ルムをそれぞれウレタン系接着剤でラミネートした。得
られた支持層、保護層つきの偏光膜はλｍａｘ５７２ｎ
ｍにおいて透過率４４チ、偏光度８１チであった。
ムももう一方の面に保護層として５０μ厚のＴＡＣフィ
ルムをそれぞれウレタン系接着剤でラミネートした。得
られた支持層、保護層つきの偏光膜はλｍａｘ５７２ｎ
ｍにおいて透過率４４チ、偏光度８１チであった。
上記の偏光フィルムのＰＥＳ側にアンダーコート処理を
行い、高周波マグネトロンスパッタリング装置の基板ホ
ルダーに固定し、透明絶縁層としてＳｉＯ２を５０ＯＡ
厚に形成し、次いで酸化スズを７．５重量％含む酸化イ
ンジウムから成るターゲットを用いて５ Ｘ １０−３
Ｔｏｒｒのアルゴンプラズマ中で３０ＯＡ厚に透明導電
性被膜を形成し本発明の偏光膜一体型透明導電フィルム
を得た。
行い、高周波マグネトロンスパッタリング装置の基板ホ
ルダーに固定し、透明絶縁層としてＳｉＯ２を５０ＯＡ
厚に形成し、次いで酸化スズを７．５重量％含む酸化イ
ンジウムから成るターゲットを用いて５ Ｘ １０−３
Ｔｏｒｒのアルゴンプラズマ中で３０ＯＡ厚に透明導電
性被膜を形成し本発明の偏光膜一体型透明導電フィルム
を得た。
実施例３゜
で表されるジスアゾ化合物を用いて実施例１と同様にし
てＰＶＡフィルムの染色及び延伸を行いＰＶＡ系偏光膜
を得た。
てＰＶＡフィルムの染色及び延伸を行いＰＶＡ系偏光膜
を得た。
一方、ＰＥＳフィルムをＴ−ダイ押出機で押出し５０μ
ｍ厚みのフィルムを？尋た。このＰＥＳフィルムを支持
層として、ＰＶＡ系偏光膜の両面に、ウレタン系接着剤
を介してラミネートし、４０°Ｃの条件で７２時間放置
し貼り合せた。
ｍ厚みのフィルムを？尋た。このＰＥＳフィルムを支持
層として、ＰＶＡ系偏光膜の両面に、ウレタン系接着剤
を介してラミネートし、４０°Ｃの条件で７２時間放置
し貼り合せた。
上記の偏光フィルムの一方のＰＥＳ面にアンダーコート
剤を塗布し、高周波マグネトロンスパッタリング装置の
基板ホルダーに固定し、透明絶縁層としてＳｉｎ、を５
０ ＯＡ厚に形成した。
剤を塗布し、高周波マグネトロンスパッタリング装置の
基板ホルダーに固定し、透明絶縁層としてＳｉｎ、を５
０ ＯＡ厚に形成した。
次いで酸化スズを７．５重量％含有する酸化インジウム
から成るターゲットを用い５ Ｘ １０−３Ｔｏｒｒの
アルゴンプラズマ中で３０ＣＩＡ厚の透明導電性被膜を
積層した。
から成るターゲットを用い５ Ｘ １０−３Ｔｏｒｒの
アルゴンプラズマ中で３０ＣＩＡ厚の透明導電性被膜を
積層した。
また、もう一方のＰＥＳ面にもアンダーコート処理を行
い、紫外線吸収層として、Ｓ ｉ０２の被膜をスパッタ
リングにより２，０００λの厚みに形成した。
い、紫外線吸収層として、Ｓ ｉ０２の被膜をスパッタ
リングにより２，０００λの厚みに形成した。
得られた偏光膜一体型透明導電性フィルムの光学特性を
フォトスペクトロメーターを用いて測定したところ、λ
ｍａｘ ６０６ ｎｍにおいて透過率４１係、偏光度８
０％であった。
フォトスペクトロメーターを用いて測定したところ、λ
ｍａｘ ６０６ ｎｍにおいて透過率４１係、偏光度８
０％であった。
実施例４゜
まず下記の組成の光硬化性樹脂組成物を調製した。
囚 イソシアネート成分としてインホロンジイソシアナ
ートを使用したウレタンアクリレート（日本合成化学■
製・ＵＶ−３，０ＯＯＢ）００ｇ （Ｂ） エピコート≠１００４（油化シェルエポキシ
■製・エピビス型エポキシ樹脂）とアクリル酸を反応さ
せて辱たエポキシアクリレート０ｇ （Ｃ１２−ヒドロキシグロピルアクリレート０ｇ の） ２−ヒドロキシ−３−クロロプロピルメタク リ
レー ト
３０ｇ（Ｅ）２−メチル−１−（４−メ
チルチオフェニル）−２−モル７オリノプａパン−１−
オン（チバ慟ガイギー社製・イルガキュア９０７）ｇ （Ｆ） 、−ノニルフェノキシオキシエチレンアクリ
レー ）
１００ｇ（Ｑｌ−（４−イソプロピ
ルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−
１−オン（メルク社製・ダロキュア１１１６） ｇ 実施例１と同様にして得たＰＶＡ系偏光膜を上記組成の
組成物を片面に塗布した２枚のＰＥＳフィルム（フィル
ム厚７０μｍ）ではさみ圧締ロールでフィルムと膜の間
に介在する空気と余分な樹脂組成物を押し出すと同時に
偏光膜とＰＥＳフィルムを密着させた。これを直ちに８
０Ｗ／一高圧水銀灯２本をそなえた紫外線照射装置に”
’ｍ ／ ｍｉ ｎのラインスピードで送り、紫外線を
一回照射したのち１２０°Ｃで５分間加熱しＰＥＳフィ
ルム付の偏光膜をえた。
ートを使用したウレタンアクリレート（日本合成化学■
製・ＵＶ−３，０ＯＯＢ）００ｇ （Ｂ） エピコート≠１００４（油化シェルエポキシ
■製・エピビス型エポキシ樹脂）とアクリル酸を反応さ
せて辱たエポキシアクリレート０ｇ （Ｃ１２−ヒドロキシグロピルアクリレート０ｇ の） ２−ヒドロキシ−３−クロロプロピルメタク リ
レー ト
３０ｇ（Ｅ）２−メチル−１−（４−メ
チルチオフェニル）−２−モル７オリノプａパン−１−
オン（チバ慟ガイギー社製・イルガキュア９０７）ｇ （Ｆ） 、−ノニルフェノキシオキシエチレンアクリ
レー ）
１００ｇ（Ｑｌ−（４−イソプロピ
ルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−
１−オン（メルク社製・ダロキュア１１１６） ｇ 実施例１と同様にして得たＰＶＡ系偏光膜を上記組成の
組成物を片面に塗布した２枚のＰＥＳフィルム（フィル
ム厚７０μｍ）ではさみ圧締ロールでフィルムと膜の間
に介在する空気と余分な樹脂組成物を押し出すと同時に
偏光膜とＰＥＳフィルムを密着させた。これを直ちに８
０Ｗ／一高圧水銀灯２本をそなえた紫外線照射装置に”
’ｍ ／ ｍｉ ｎのラインスピードで送り、紫外線を
一回照射したのち１２０°Ｃで５分間加熱しＰＥＳフィ
ルム付の偏光膜をえた。
得られたＰＥＳフィルム付偏光膜（偏光板）のビール強
度の評価結果を表１に示した。
度の評価結果を表１に示した。
表１
※１．８５℃、８５％相対湿度の条件で１０００時間処
理したのち５０°Ｃにて２時間処理した。
理したのち５０°Ｃにて２時間処理した。
※２．フィルムの材破が認められた。
次に上記で得たＰＥＳフィルム付偏光膜の片面に下記に
示す組成の樹脂液をアンダーコート層として塗布した。
示す組成の樹脂液をアンダーコート層として塗布した。
（１） イソシアネート成分としてイソホロンジイソ
シアネート、ポリオール成分として１．６−ヘキサンジ
オール、アクリル成分として２−ヒドロキシエチルメタ
クリレートを反応させていたウレタンアクリレートプレ
ポリマー（融点５５°Ｃ１分子量約３２００） ３
０ｇ（２） エポキシアクリレートプレポリマー（融
点５５°Ｃ１分子量１０４０；昭和高分子■梨ＶＲ−９
０） ７０ｇ（３） ベンジ
ルアルコール ３００ｇ（４） エチレン
グリコール ２００ｇ（５） メチルイン
ブチルケトン １５０ｇ（６） ベンゾインエ
チルエーテル ２ｇ塗布方法としてはホイラー
を用い８０°Ｃで１０分加熱して溶媒を除去した後８０
Ｗ／（７）の高圧水銀灯により１５ｃｒｎの距離で３０
秒間紫外線を照射し樹脂層を硬化させるという方法を用
いた。
シアネート、ポリオール成分として１．６−ヘキサンジ
オール、アクリル成分として２−ヒドロキシエチルメタ
クリレートを反応させていたウレタンアクリレートプレ
ポリマー（融点５５°Ｃ１分子量約３２００） ３
０ｇ（２） エポキシアクリレートプレポリマー（融
点５５°Ｃ１分子量１０４０；昭和高分子■梨ＶＲ−９
０） ７０ｇ（３） ベンジ
ルアルコール ３００ｇ（４） エチレン
グリコール ２００ｇ（５） メチルイン
ブチルケトン １５０ｇ（６） ベンゾインエ
チルエーテル ２ｇ塗布方法としてはホイラー
を用い８０°Ｃで１０分加熱して溶媒を除去した後８０
Ｗ／（７）の高圧水銀灯により１５ｃｒｎの距離で３０
秒間紫外線を照射し樹脂層を硬化させるという方法を用
いた。
コーティング膜厚は２．５μｍであった。
このアンダーコート層の上に実施例１と同岸な方法で透
明導電膜を３０ＯＡ厚に形成し本発明の偏光膜一体型透
明導電性フィルムを得た。
明導電膜を３０ＯＡ厚に形成し本発明の偏光膜一体型透
明導電性フィルムを得た。
この偏光膜一体型透明導電性フィルムにつき荷重をかげ
たガーゼで数回こすったが表面抵抗値の変化はほとんど
認められず、１０％カセイソーダ水溶液に室温にて１０
分間浸漬するという方法により耐アルカリ性の評価を行
ったが表面抵抗値の変化はほとんどなくクラックの発生
もみられなかった。
たガーゼで数回こすったが表面抵抗値の変化はほとんど
認められず、１０％カセイソーダ水溶液に室温にて１０
分間浸漬するという方法により耐アルカリ性の評価を行
ったが表面抵抗値の変化はほとんどなくクラックの発生
もみられなかった。
実施例５
実施例４と同様な方法で得られた片面アンダーコート層
性のＰＥＳフィルム付の偏光膜をＤＣマグネトロンスパ
ッタリング装置の真空チェンバー内の基板ホルダーに固
定し１時間排気を行った。この時のガス発生量４ Ｘ
１０−５ｍｂａｒ−１／ ｓｅｃ＠ａｎｔ であった。
性のＰＥＳフィルム付の偏光膜をＤＣマグネトロンスパ
ッタリング装置の真空チェンバー内の基板ホルダーに固
定し１時間排気を行った。この時のガス発生量４ Ｘ
１０−５ｍｂａｒ−１／ ｓｅｃ＠ａｎｔ であった。
インジウム−スズ合金からなるターゲットを用いアルゴ
ンと酸素の混合ガスプラズマによって、酸化インジウム
・酸化スズ複合酸化物（ＩＴＯ）の薄膜を形成した。
ンと酸素の混合ガスプラズマによって、酸化インジウム
・酸化スズ複合酸化物（ＩＴＯ）の薄膜を形成した。
得られたＩＴＯ薄膜は膜厚２５０Ａ、表面抵抗値３００
Ω／口を有するバラツキの小さい均一性のすぐれた膜で
あった。
Ω／口を有するバラツキの小さい均一性のすぐれた膜で
あった。
実施例６
実施例１で得られた偏光膜一体型透明導電性フィルムと
同様にしてえた偏光膜一体型透明導電性フィルムの透明
導電層の設けられている面と反対側の面にシリコン系ハ
ードコーティング剤（Ｓｉコート８０１．大へ化学工業
所製）に紫外線吸収剤を添加したものを１０μｍ厚に塗
布した。該フィルムの耐候性試験をフェードメーターに
より実施したところ５００時間経過後も透過率の低下や
表面の劣化は認められなかった。
同様にしてえた偏光膜一体型透明導電性フィルムの透明
導電層の設けられている面と反対側の面にシリコン系ハ
ードコーティング剤（Ｓｉコート８０１．大へ化学工業
所製）に紫外線吸収剤を添加したものを１０μｍ厚に塗
布した。該フィルムの耐候性試験をフェードメーターに
より実施したところ５００時間経過後も透過率の低下や
表面の劣化は認められなかった。
又単板透過率は未塗布品に比べ約１％上昇しこのフィル
ムを用いて液晶表示装置を組み立てたところ明るくコン
トラストの良好な表示装置が得られた。
ムを用いて液晶表示装置を組み立てたところ明るくコン
トラストの良好な表示装置が得られた。
発明の効果
偏光膜、支持膜、透明導電被膜が一体化され偏光性能に
すぐれたＴＮ型液晶表示素子用のフィルムが得られた。
すぐれたＴＮ型液晶表示素子用のフィルムが得られた。
特許出願人 住友ベークライト株式会社日本化薬株
式会社 手続補正書く方式） ％式％ １、事件の表示 昭和６１年特許願第１３９３０８号 ２、発明の名称 偏光膜一体型透明導電性フィルム ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 東京都千代田区内幸町−丁目２番２号 （２１４） 住友ベークライト株式会社代表者 萌役
社長１１ｉ１ＪＩＢ 英之東京都千代田区富士見−丁
目１１番２号（４０８１日本化薬株式会社 代表者 取締役社長板野 常和 ４、代理人 東京都千代田区富士見−丁目１１番２号明細書及び代理
権を証明する。書面１．・、７、補正の内容
式会社 手続補正書く方式） ％式％ １、事件の表示 昭和６１年特許願第１３９３０８号 ２、発明の名称 偏光膜一体型透明導電性フィルム ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 東京都千代田区内幸町−丁目２番２号 （２１４） 住友ベークライト株式会社代表者 萌役
社長１１ｉ１ＪＩＢ 英之東京都千代田区富士見−丁
目１１番２号（４０８１日本化薬株式会社 代表者 取締役社長板野 常和 ４、代理人 東京都千代田区富士見−丁目１１番２号明細書及び代理
権を証明する。書面１．・、７、補正の内容
Claims (1)
- （１）遊離酸として式（１） ▲数式、化学式、表等があります▼（１） 〔式（１）においてＸはニトロ基又はアミノ基を、Ａは
式（ａ）又は式（ｂ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ａ）▲数式、化学
式、表等があります▼（ｂ） （式（ａ）又は（ｂ）においてＲ＿１は水素原子、メト
キシ基、エトキシ基、メチル基又は水酸基をＲ＿２は水
素原子、メチル基、メトキシ基、エトキシ基、アセチル
アミノ基又はウレイド基をＲ＿３は水素原子、メトキシ
基又はエトキシ基をｎは０又は１を各々表す） を表す。又Ｙはアミノ基、メチルアミノ基、アセチルア
ミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−アセチルアミノ基、β−ヒド
ロキシエチルアミノ基、フェニル核がニトロ基、アミノ
基、水酸基、メチル基、スルホン酸基、カルボキシル基
の１〜２個によって置換されていても良いフェニルアミ
ノ基又はベンゾイルアミノ基を表す。〕で示される水溶
性ジスアゾ化合物又はこの銅錯塩化合物によって染色さ
れたポリビニルアルコール系偏光膜の少なくとも片面に
支持層としてポリサルフォン系フィルムを積層し該積層
フィルムのいずれか一方の表面に導電性を有する透明被
膜を順次積層したことを特徴とする偏光膜一体型透明導
電性フィルム。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60-131634 | 1985-06-19 | ||
| JP13163485 | 1985-06-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6289907A true JPS6289907A (ja) | 1987-04-24 |
| JPH0564765B2 JPH0564765B2 (ja) | 1993-09-16 |
Family
ID=15062637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61139308A Granted JPS6289907A (ja) | 1985-06-19 | 1986-06-17 | 偏光膜一体型透明導電性フイルム |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4774141A (ja) |
| EP (1) | EP0232422A4 (ja) |
| JP (1) | JPS6289907A (ja) |
| NO (1) | NO870659L (ja) |
| WO (1) | WO1986007639A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008237166A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Kubota Corp | 作業機装着装置 |
| KR101272753B1 (ko) * | 2009-03-18 | 2013-06-10 | 주식회사 만도 | 감쇠력 가변 장치 |
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| EP0374655B1 (de) * | 1988-12-23 | 1993-09-15 | Bayer Ag | Lichtpolarisierende Filme oder Folien enthaltende Stilbenfarbstoffe |
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| EP1190277B1 (en) | 1999-06-10 | 2009-10-07 | AlliedSignal Inc. | Semiconductor having spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography |
| US6824879B2 (en) | 1999-06-10 | 2004-11-30 | Honeywell International Inc. | Spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography |
| EP1472574A4 (en) | 2001-11-15 | 2005-06-08 | Honeywell Int Inc | ANTI-REFLECTIVE COATINGS DESIGNED TO BE INSTALLED BY ROTATION FOR PHOTOLITHOGRAPHY |
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| US8053159B2 (en) | 2003-11-18 | 2011-11-08 | Honeywell International Inc. | Antireflective coatings for via fill and photolithography applications and methods of preparation thereof |
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| US8557877B2 (en) | 2009-06-10 | 2013-10-15 | Honeywell International Inc. | Anti-reflective coatings for optically transparent substrates |
| JP5607978B2 (ja) * | 2010-04-08 | 2014-10-15 | ミネベア株式会社 | ピボットアッシー軸受 |
| US8864898B2 (en) | 2011-05-31 | 2014-10-21 | Honeywell International Inc. | Coating formulations for optical elements |
| JP5812483B2 (ja) * | 2011-09-09 | 2015-11-11 | 日本化薬株式会社 | 偏光素子、および、偏光板 |
| EP3194502A4 (en) | 2015-04-13 | 2018-05-16 | Honeywell International Inc. | Polysiloxane formulations and coatings for optoelectronic applications |
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| GB2023301A (en) * | 1978-05-24 | 1979-12-28 | Citizen Watch Co Ltd | Colour polarizing film containing a dichroic dye, especially for use with liquid crystal display devices |
| JPS5720718A (en) * | 1980-07-11 | 1982-02-03 | Toyobo Co Ltd | Polarizing plate with transparent conductive layer |
| DE3129162C2 (de) * | 1980-07-31 | 1983-10-20 | Nitto Electric Industrial Co., Ltd., Ibaraki, Osaka | Polarisierender Film |
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| JPS59151110A (ja) * | 1983-02-17 | 1984-08-29 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 偏光板 |
| JPS6024501A (ja) * | 1983-07-20 | 1985-02-07 | Mitsubishi Electric Corp | 反射板の製造方法 |
| JPS6048018A (ja) * | 1983-08-26 | 1985-03-15 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| JPS60168743A (ja) * | 1984-02-14 | 1985-09-02 | Nippon Kayaku Co Ltd | 着色されたポリビニルアルコ−ル系フイルム |
| JPS61116332A (ja) * | 1984-11-12 | 1986-06-03 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 偏光膜一体型透明導電性フイルム |
-
1986
- 1986-06-17 JP JP61139308A patent/JPS6289907A/ja active Granted
- 1986-06-18 EP EP19860903606 patent/EP0232422A4/en not_active Withdrawn
- 1986-06-18 US US07/032,754 patent/US4774141A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-06-18 WO PCT/JP1986/000308 patent/WO1986007639A1/ja not_active Application Discontinuation
-
1987
- 1987-02-18 NO NO870659A patent/NO870659L/no unknown
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008237166A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Kubota Corp | 作業機装着装置 |
| KR101272753B1 (ko) * | 2009-03-18 | 2013-06-10 | 주식회사 만도 | 감쇠력 가변 장치 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NO870659D0 (no) | 1987-02-18 |
| WO1986007639A1 (en) | 1986-12-31 |
| JPH0564765B2 (ja) | 1993-09-16 |
| EP0232422A4 (en) | 1988-06-20 |
| US4774141A (en) | 1988-09-27 |
| NO870659L (no) | 1987-04-15 |
| EP0232422A1 (en) | 1987-08-19 |
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