Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

JPS6281057A - 透明導電膜 - Google Patents

透明導電膜

Info

Publication number
JPS6281057A
JPS6281057A JP60221665A JP22166585A JPS6281057A JP S6281057 A JPS6281057 A JP S6281057A JP 60221665 A JP60221665 A JP 60221665A JP 22166585 A JP22166585 A JP 22166585A JP S6281057 A JPS6281057 A JP S6281057A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transparent conductive
conductive film
layer
phosphorus
indium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60221665A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeo Aoki
茂雄 青木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hosiden Electronics Co Ltd
Original Assignee
Hosiden Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hosiden Electronics Co Ltd filed Critical Hosiden Electronics Co Ltd
Priority to JP60221665A priority Critical patent/JPS6281057A/ja
Priority to US06/911,695 priority patent/US4733284A/en
Priority to KR1019860008178A priority patent/KR900007756B1/ko
Priority to EP86113673A priority patent/EP0217405B1/en
Priority to DE8686113673T priority patent/DE3683979D1/de
Priority to AT86113673T priority patent/ATE72909T1/de
Publication of JPS6281057A publication Critical patent/JPS6281057A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/6729—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes
    • H10D30/6737—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes characterised by the electrode materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/6704—Thin-film transistors [TFT] having supplementary regions or layers in the thin films or in the insulated bulk substrates for controlling properties of the device
    • H10D30/6713—Thin-film transistors [TFT] having supplementary regions or layers in the thin films or in the insulated bulk substrates for controlling properties of the device characterised by the properties of the source or drain regions, e.g. compositions or sectional shapes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/674—Thin-film transistors [TFT] characterised by the active materials
    • H10D30/6741—Group IV materials, e.g. germanium or silicon carbide
    • H10D30/6743—Silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H10F71/138—Manufacture of transparent electrodes, e.g. transparent conductive oxides [TCO] or indium tin oxide [ITO] electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20—Electrodes
    • H10F77/244—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. transparent conductive oxide [TCO] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20—Electrodes
    • H10F77/244—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. transparent conductive oxide [TCO] layers
    • H10F77/247—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. transparent conductive oxide [TCO] layers comprising indium tin oxide [ITO]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12528—Semiconductor component

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この発明はアクティブ液晶表示素子のスイッチ素子とし
て用いられる薄膜トランジスタや太陽電池などの半導体
と接触した透明導電膜に関する。
「従来の技術」 例えばアクティブ液晶表示素子には薄膜トランジスタが
スイッチ素子として用いられているが、その薄膜トラン
ジスタは従来においては第３図に示すよ５に構成されて
いた。即ちガラスなどの透明基板１１上にドレイン電極
１２及びソース電極１３が互いに分離されて構成され、
これらドレイン電極１２及びソース電極１３はいわゆる
■ＴＯ（酸化インジュウム及び酸化錫）や酸化錫などの
透明導電膜で構成されており、これらドレイン電極１２
及びソース電極１３間にアモルファスシリコンのような
半導体層１４が形成される。この場合これら電極とアモ
ルファスシリコンとの良好な接触を得るため、電極１２
，１３上にオーミック接触層１５，１６がｎプラスシリ
コン層によって形成されている。半導体層１４上には例
えばチッ化シリコンのゲート絶縁膜１７が形成され、更
にその上にゲート電極１８が形成されている。
半導体と接触する透明導電膜を用いたものとしては第４
図に示すような太陽電池がある。即ちガラスのような透
明基板２１上に透明導電膜２２が形成され、その透明導
電膜２２上にアモルファスシリコンのＰ形溝電層２３が
形成され、更にアモルファスシリコンのｉ形溝電層２４
が形成され、その上にアモルファスシリコンのｎ形溝電
層２５が形成され、更にアルミニウムなどの電極２６が
形成されている。
「発明が解決しようとする問題点」 このように半導体と接した透明導電膜を有する素子にお
いて、薄膜トランジスタではアモルファスシリコンの半
導体層１４の形成を、また太陽電池においてはアモルフ
ァスシリコンのＰ形溝電層２３を形成する際に、何れも
一般にプラズマＣＶＤ法によって形成することが多い。
その際に基板１１または２１は２００℃乃至３００℃程
度に加熱して行う。何れにおいても透明導電膜１２．１
３または２２の構成元素の例えばイ、ンジュウムや錫が
析出して半導体層１４やＰ形溝電層２３に入り、これら
素子に対し悪影響を与える。
即ち薄膜トランジスタにおいてはオーミック接触層１５
．１６は例えばｎ形溝電層とされるが、これに対してイ
ンジュウムが拡散されると、インジュウムはＰ形不純物
として作用するため良好なオーミック接触が得られなく
なる。また半導体層１４にインジュウム、錫が入るとＰ
形半導体となって薄膜トランジスタとして良好な動作を
しなくなる。同様に太陽電池においてＰ形溝電層２３や
ｉ形溝電層２４に透明導電膜２２のインジュウムや錫が
拡散されると電池の変換効率が悪くなる。
「問題点を解決するための手段」 この発明によれば半導体と接触した透明導電膜圧おいて
、その透明導電膜圧はリン、ひそ、アンチモン、ビスマ
スなどの５族元素またはホウ素、アルミニウム、がリウ
ムなどの３族元素が含有されている。このよ５な構成に
なって（・るため、その透明導電膜上に半導体を形成す
る場合にその透明導電膜のインジュウムや錫などがリン
やホウ素と結合してこれが半導体側に拡散することが阻
止される。しかもこれらリンやホウ素によってその半導
体層の透明導電膜との接触部にオーミンク接触層が構成
される。このため特にオーミック接触層を形成する工程
を省略することができる。
「実施例」 第１図はこの発明を適用した薄膜トランジスタを示し、
第３図と対応する部分に同一符号を付けて示す。この薄
膜トランジスタにおいては透明基板１１上に形成する透
明導電膜のドレイン電極及びソース電極３１．３２とし
て例えばリンを含有したものが用いられる。このリンを
含有した透明導電膜３１゜３２０形成は、例えば従来の
透明導電膜ＩＴＯに対して高周波プラズマＣＶＤ法によ
ってリンを拡散することができる。即ちＩＴＯの透明導
電膜の厚さが５００乃至２０００オグストロンのものに
対して、基板１１を２００乃至３００℃に加熱し、ＰＨ
３のガスをアノシゴンガスで５０００ｐ−に稀釈し、１
０ｃｃＺ分の速度で圧力１０２Ｔｏｒｙの雰囲気中に供
給し、数分間行えばよい。
このようにリンを含有した透明導電膜３１．３２上にア
モルファスシリコンによる半導体層１４をプラズマＣＶ
Ｄ法によって形成すると、その形成の際に透明導電膜３
１．３２中のインジュウムや錫はリンによって結合され
てこれが析出され難く、半導体層１４内に浸入しない。
またこの透明導電膜３１．３２中のリンが一部析出して
半導体層１４との接触面に全面にわたって半導体層１４
内に入り、半導体層１４との接触面にオーミック接触層
３３．３４がそれぞれ形成される。従ってオーミック接
触層をわざわざ形成する必要はなく、しかもこの場合薄
いが良好なオーミック接触層が得られる。この半導体層
１４上にゲート絶縁膜１７、ゲート電極工８は従来と同
様に形成されて薄膜トランジスタが構成される。
第２図は太陽電池にこの発明を適用した例を示し、ガラ
スなどの透明基板２１上にホウ素を含む透明導電膜３５
が形成され、その透明導電膜３５上にアモルファスシリ
コンのｉ形溝電層２４を形成し、更にｎ形溝電層２５を
形成した後、電極２６を形成する。
この場合アモルファスシリコンのｉ形溝電層２４をプラ
ズマＣＶＤ法によって形成している際に、透明電極３５
中のホウ素が析出してアモルファスシリコンのｉ形溝電
層２４内に入り、ホウ素を含んだＰ形層３６が透明導電
膜３５と接触面に形成される。従って第４図に示した従
来のものにおけるＰ形溝電層２３を形成するための工程
は必要としない。しかも透明導電膜３５゛にはホウ素が
含有されていてその透明導電膜中のインジュウムや錫な
どがこれと結合してその析出が防止され、つまりｉ形溝
電層２４ヘインジュウムや錫が拡散されるのが阻止され
て変換効率の良好な太陽電池が得られる。
透明導電膜に例えばリンを含ませるには、上述したよ５
に高周波プラズマＣＶＤ法による場合に限らず、例えば
ＰＨ３ガスを含む雰囲気中で、リンを含まない透明導電
膜に対して熱処理して熱拡散によってリンを含ませるこ
ともできる。この場合その拡散源としてガス以外にオキ
シ塩化リンのような液体、或いは５酸化リンのような固
体を用いてもよい。また酸化インジュウム、酸化錫にリ
ンを含ませたもの、或いは酸化錫にリンを含ませたもの
をスパッタリングによって透明導電膜を形成してもよい
。またはこれらリンを含んだ酸化錫や酸化インジュウム
を真空蒸着によって透明導電膜を形成してもよい。或い
はＰＨ３ガス、酸素及びアルゴンガスの雰囲気で、イン
ジュウム、または錫を同時にスパッタしてリンを含んだ
酸化インジュウムまたは酸化錫を得ることもできる。ま
た例えば塩化インジュウム、塩化錫と共に塩化リンをス
プレーしてリンを含むＩＴＯを作ることもできる。同様
にプラズマＣＶＤ法によってＩＴＯを作る場合にオキシ
塩化リンを混入することによって作ることもできる。
なおこのようにして得られたリンを含有した透明導電膜
はそのシート抵抗や光導波率はリンを含有しないものと
はソ同一であった。
「発明の効果」 以上述べたようにこの発明の透明導電膜によれば、例え
ば薄膜トランジスタにおいて透明導電膜のソースやドレ
インと半導体層との良好なオーミック接触が得られ、か
つ半導体層の良好なものが得られ、薄膜トランジスタと
して特性の優れたものが得られる。更に太陽電池の場合
において変換効率の優れたものが得られる。また何れの
場合においても、特にオーミック接触層のみを形成する
工程を設けることなく、良好なオーミック接触層が得ら
れる。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の透明導電膜を適用した薄膜トランジ
スタを示す断面図、第２図はこの発明の透明導電膜を適
用した太陽電池を示す断面図、第３図は従来の薄膜トラ
ンジスタを示す断面図、第４図は従来の太陽電池を示す
断面図である。 １１．２１：透明基板、１４：半導体層、１７：ゲート
絶縁膜、１８；ゲート電極、２３．２４；ｉ形溝電層、
２５：ｎ形溝電層、２６：電極、３１．３２ニリンを含
む透明導電膜、３３，３４ニオ−ミック接触層、３５ニ
ホウ素を含む透明導電膜、３６：オーミック接触層。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）半導体と接触した透明導電膜において、その透明
    導電膜に３族または５族の元素が含有されていることを
    特徴とする透明導電膜。
JP60221665A 1985-10-04 1985-10-04 透明導電膜 Pending JPS6281057A (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60221665A JPS6281057A (ja) 1985-10-04 1985-10-04 透明導電膜
US06/911,695 US4733284A (en) 1985-10-04 1986-09-26 Semiconductor devices and laminates including phosphorus doped transparent conductive film
KR1019860008178A KR900007756B1 (ko) 1985-10-04 1986-09-30 투명도전막
EP86113673A EP0217405B1 (en) 1985-10-04 1986-10-03 Transparent conductive film and method of fabricating the same
DE8686113673T DE3683979D1 (de) 1985-10-04 1986-10-03 Durchsichtige leitende schicht und verfahren zu deren herstellung.
AT86113673T ATE72909T1 (de) 1985-10-04 1986-10-03 Durchsichtige leitende schicht und verfahren zu deren herstellung.

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60221665A JPS6281057A (ja) 1985-10-04 1985-10-04 透明導電膜

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6281057A true JPS6281057A (ja) 1987-04-14

Family

ID=16770341

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60221665A Pending JPS6281057A (ja) 1985-10-04 1985-10-04 透明導電膜

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4733284A (ja)
EP (1) EP0217405B1 (ja)
JP (1) JPS6281057A (ja)
KR (1) KR900007756B1 (ja)
AT (1) ATE72909T1 (ja)
DE (1) DE3683979D1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008096208A (ja) * 2006-10-10 2008-04-24 Shimadzu Corp 自動分析装置

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0217406B1 (en) * 1985-10-04 1992-06-10 Hosiden Corporation Thin-film transistor and method of fabricating the same
US4994401A (en) * 1987-01-16 1991-02-19 Hosiden Electronics Co., Ltd. Method of making a thin film transistor
US5173443A (en) * 1987-02-13 1992-12-22 Northrop Corporation Method of manufacture of optically transparent electrically conductive semiconductor windows
GB2214710A (en) * 1988-01-29 1989-09-06 Univ Open Solar collectors
KR910007142A (ko) * 1988-09-30 1991-04-30 미다 가쓰시게 박막 광트랜지스터와 그것을 사용한 광센서어레이
FR2640809B1 (fr) * 1988-12-19 1993-10-22 Chouan Yannick Procede de gravure d'une couche d'oxyde metallique et depot simultane d'un film de polymere, application de ce procede a la fabrication d'un transistor
JPH0391932A (ja) * 1989-09-04 1991-04-17 Canon Inc 半導体装置の製造方法
KR930001901B1 (ko) * 1990-07-27 1993-03-19 삼성전자 주식회사 박막 트랜지스터의 제조방법
JP2912506B2 (ja) * 1992-10-21 1999-06-28 シャープ株式会社 透明導電膜の形成方法
EP0660381A1 (en) * 1993-12-21 1995-06-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing a transparent conductor pattern and a liquid crystal display device
JP3272532B2 (ja) * 1993-12-27 2002-04-08 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
DE69635107D1 (de) * 1995-08-03 2005-09-29 Koninkl Philips Electronics Nv Halbleiteranordnung mit einem transparenten schaltungselement
US5824418A (en) * 1995-09-05 1998-10-20 Northrop Grumman Corporation Optically transparent, electrically conductive semiconductor windows
JP2757850B2 (ja) * 1996-04-18 1998-05-25 日本電気株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
KR100377376B1 (ko) * 2000-03-10 2003-03-26 우형철 이온빔 증착에 의한 ｉｔｏ박막 증착방법 및 증착장치
US20070193624A1 (en) * 2006-02-23 2007-08-23 Guardian Industries Corp. Indium zinc oxide based front contact for photovoltaic device and method of making same
US8179587B2 (en) * 2008-01-04 2012-05-15 3M Innovative Properties Company Electrochromic device
US8896065B2 (en) * 2008-04-14 2014-11-25 Sharp Laboratories Of America, Inc. Top gate thin film transistor with independent field control for off-current suppression

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59181064A (ja) * 1983-03-31 1984-10-15 Toshiba Corp 半導体装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1409894A (fr) * 1964-07-23 1965-09-03 Electronique & Automatisme Sa Dispositif opto-électronique perfectionné
US4040073A (en) * 1975-08-29 1977-08-02 Westinghouse Electric Corporation Thin film transistor and display panel using the transistor
US4278831A (en) * 1979-04-27 1981-07-14 The Boeing Company Process for fabricating solar cells and the product produced thereby
JPS5951757B2 (ja) * 1979-12-27 1984-12-15 富士電機株式会社 非晶質半導体装置の製造方法
JPS5778135A (en) * 1980-11-01 1982-05-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and manufacture thereof

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59181064A (ja) * 1983-03-31 1984-10-15 Toshiba Corp 半導体装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008096208A (ja) * 2006-10-10 2008-04-24 Shimadzu Corp 自動分析装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR900007756B1 (ko) 1990-10-19
ATE72909T1 (de) 1992-03-15
EP0217405A1 (en) 1987-04-08
KR870004533A (ko) 1987-05-11
DE3683979D1 (de) 1992-04-02
EP0217405B1 (en) 1992-02-26
US4733284A (en) 1988-03-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6281057A (ja) 透明導電膜
US5121177A (en) Silicon thin film transistor
US4864376A (en) Thin-film transistor and method of fabricating the same
US5109260A (en) Silicon thin film transistor and method for producing the same
JPH0792491A (ja) アクティブマトリクス表示装置用薄膜トランジスタ基板
JPH0564862B2 (ja)
JP3079566B2 (ja) 薄膜トランジスタとその製造方法
JPS6336574A (ja) 薄膜トランジスタ
JPS6193663A (ja) アモルフアスシリコントランジスタ
JPH0425700B2 (ja)
JP3127615B2 (ja) 液晶装置の製造方法
JPH07169973A (ja) 薄膜トランジスタアレイとその製造方法およびこれを用いた液晶表示装置
JP3141456B2 (ja) 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JPH047877A (ja) 薄膜トランジスタ
JPH01128573A (ja) 薄膜トランジスタ
JPH0462174B2 (ja)
JP3309517B2 (ja) 薄膜トランジスタの製造方法及び液晶表示装置の製造方法
JPS5965489A (ja) 太陽電池装置およびその製造方法
JPH04192530A (ja) 薄膜トランジスタの製造方法と液晶表示パネル
JPS6190193A (ja) アクテイブマトリクス液晶表示装置
JPS60142575A (ja) 光起電力素子
JPS6281064A (ja) 薄膜トランジスタ及びその製造方法
JPH0250483A (ja) シリコン薄膜トランジスタの製造方法
JPH01103888A (ja) スイッチング素子
JPS59182569A (ja) 多結晶シリコン薄膜トランジスタ