JPS6259894B2 - - Google Patents
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- JPS6259894B2 JPS6259894B2 JP57024579A JP2457982A JPS6259894B2 JP S6259894 B2 JPS6259894 B2 JP S6259894B2 JP 57024579 A JP57024579 A JP 57024579A JP 2457982 A JP2457982 A JP 2457982A JP S6259894 B2 JPS6259894 B2 JP S6259894B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、セレン化カドミウム（CdSe）もし
くはCdSeを母材とした光導伝膜をセンサー材料
として用いた画像読取り素子の製造方法に関す
る。
くはCdSeを母材とした光導伝膜をセンサー材料
として用いた画像読取り素子の製造方法に関す
る。
光導伝膜をセンサーとして用いた画像読取り装
置は、一般に画像、すなわち光情報に応じた光導
伝膜の抵抗変化によつて画像を電気信号に変換す
る装置である。この装置のセンサー素子部は、複
数の対向電極対を所望の解像度に合せて配列し、
対向電極間を光導伝膜で接続することにより形成
される。その回路構成の一例を第１図に示す。同
図において１は直流電源、２は負荷抵抗、３１〜
３ｎは光導伝膜センサーアレイ、４１〜４ｎはス
イツチング素子アレイである。原稿からの反射光
をセルフオツクレンズ、オプテイカルフアイバー
等を通して光導伝膜センサーアレイ３１〜３ｎ上
に導入し、スイツチ４１〜４ｎを順次切換えて光
導伝膜の抵抗を読むことにより、光情報を時系列
に読み出すことができる。なお、第１図からわか
る通り、この構成例は複数の対向電極対の片側が
共通に接続されている例を示している。
置は、一般に画像、すなわち光情報に応じた光導
伝膜の抵抗変化によつて画像を電気信号に変換す
る装置である。この装置のセンサー素子部は、複
数の対向電極対を所望の解像度に合せて配列し、
対向電極間を光導伝膜で接続することにより形成
される。その回路構成の一例を第１図に示す。同
図において１は直流電源、２は負荷抵抗、３１〜
３ｎは光導伝膜センサーアレイ、４１〜４ｎはス
イツチング素子アレイである。原稿からの反射光
をセルフオツクレンズ、オプテイカルフアイバー
等を通して光導伝膜センサーアレイ３１〜３ｎ上
に導入し、スイツチ４１〜４ｎを順次切換えて光
導伝膜の抵抗を読むことにより、光情報を時系列
に読み出すことができる。なお、第１図からわか
る通り、この構成例は複数の対向電極対の片側が
共通に接続されている例を示している。
第２図は第１図の構成のセンサー素子周辺のパ
ターン構成例である。５は複数の対向電極対の片
側を共通に接続した共通電極、６１〜６ｎは共通
電極５に個別に対向する個別電極である。すなわ
ち、共通電極５と個別電極６１〜６ｎの間が複数
の対向電極対をなしている。これらのパターン
は、いずれも蒸着、スパツタ、写真蝕刻法による
エツチング等、通常の薄膜プロセスにより形成さ
れる。
ターン構成例である。５は複数の対向電極対の片
側を共通に接続した共通電極、６１〜６ｎは共通
電極５に個別に対向する個別電極である。すなわ
ち、共通電極５と個別電極６１〜６ｎの間が複数
の対向電極対をなしている。これらのパターン
は、いずれも蒸着、スパツタ、写真蝕刻法による
エツチング等、通常の薄膜プロセスにより形成さ
れる。
CdSeもしくはCdSeを母材とする化合物、例え
ばCdSe1-xTex、CdSe1-xSxは、物理的性質とし
て光電導度が大きく同時に蒸着又はスパツタによ
り容易に薄膜が形成できるため、画像読取り素子
用光導伝膜として適している。
ばCdSe1-xTex、CdSe1-xSxは、物理的性質とし
て光電導度が大きく同時に蒸着又はスパツタによ
り容易に薄膜が形成できるため、画像読取り素子
用光導伝膜として適している。
しかし、一方、蒸着又はスパツタにより形成し
たCdSeもしくはCdSeを母材とする化合物薄膜
は、結晶性が悪く、画像読取り素子として充分な
特性を得るためには、500〜600℃の熱処理による
活性化が必要である。又、CdSeもしくはCdSeを
母材とする化合物薄膜は耐薬品性が悪く、金属電
極を蝕刻するためのほとんどのエツチング液に腐
蝕されるという欠点を有している。
たCdSeもしくはCdSeを母材とする化合物薄膜
は、結晶性が悪く、画像読取り素子として充分な
特性を得るためには、500〜600℃の熱処理による
活性化が必要である。又、CdSeもしくはCdSeを
母材とする化合物薄膜は耐薬品性が悪く、金属電
極を蝕刻するためのほとんどのエツチング液に腐
蝕されるという欠点を有している。
CdSeもしくはCdSeを母材とする化合物薄膜を
光導伝膜として使用し、画像読取り素子を形成す
る場合、前述のように光導伝膜の高温処理が必要
である。しかるに、通常電極材料として用いる金
属薄膜は単層、多層いずれの構成にしても、光導
伝膜の処理温度（500〜600℃）では、酸化、固相
拡散、剥離等が生じ、電極材料としての機能、特
性が維持できないと同時に、光導伝膜との界面で
拡散等の固相反応が生じ光導伝膜の特性をも維持
できない。従つて対向電極材料に金属薄膜を用い
る場合CdSeもしくはCdSeを母材とする化合物薄
膜よりなる光導伝膜を先に形成熱処理し、然る後
に金属薄膜による対向電極を形成しなければなら
ない。このような構成とした場合の素子部のＸ−
X′断面の例を第３図に示す。ここで３はCdSeも
しくはCdSeを母材とする化合物薄膜よりなる光
導伝膜、５は共通電極、６は個別電極である。
光導伝膜として使用し、画像読取り素子を形成す
る場合、前述のように光導伝膜の高温処理が必要
である。しかるに、通常電極材料として用いる金
属薄膜は単層、多層いずれの構成にしても、光導
伝膜の処理温度（500〜600℃）では、酸化、固相
拡散、剥離等が生じ、電極材料としての機能、特
性が維持できないと同時に、光導伝膜との界面で
拡散等の固相反応が生じ光導伝膜の特性をも維持
できない。従つて対向電極材料に金属薄膜を用い
る場合CdSeもしくはCdSeを母材とする化合物薄
膜よりなる光導伝膜を先に形成熱処理し、然る後
に金属薄膜による対向電極を形成しなければなら
ない。このような構成とした場合の素子部のＸ−
X′断面の例を第３図に示す。ここで３はCdSeも
しくはCdSeを母材とする化合物薄膜よりなる光
導伝膜、５は共通電極、６は個別電極である。
通常、共通電極５と個別電極６の間隙は、画像
読取りの解像度を上げるため数10〜100μｍ程度
が要求される。この値は、メタルマスク等を使用
したマスク蒸着では制御不可能の範囲であり、写
真蝕刻法によるエツチングあるいはリフト・オフ
法を用いなければならない。然るに、前述のよう
にCdSeもしくはCdSeを母材とする化合物薄膜
は、耐薬品性が極めて悪く、通常電極材料として
用いられるAl、Au、Cu、Ni、Mo、Ｗ、Cr等い
ずれの金属に対するエツチング液にも腐蝕され
る。これらのことから電極材料の選択には制限が
多い。電極材料としては、外部回路との接続、あ
るいはスイツチング素子のボンデイング等、それ
ぞれの要求を満足する材料を選択できる自由度が
必要とされる。
読取りの解像度を上げるため数10〜100μｍ程度
が要求される。この値は、メタルマスク等を使用
したマスク蒸着では制御不可能の範囲であり、写
真蝕刻法によるエツチングあるいはリフト・オフ
法を用いなければならない。然るに、前述のよう
にCdSeもしくはCdSeを母材とする化合物薄膜
は、耐薬品性が極めて悪く、通常電極材料として
用いられるAl、Au、Cu、Ni、Mo、Ｗ、Cr等い
ずれの金属に対するエツチング液にも腐蝕され
る。これらのことから電極材料の選択には制限が
多い。電極材料としては、外部回路との接続、あ
るいはスイツチング素子のボンデイング等、それ
ぞれの要求を満足する材料を選択できる自由度が
必要とされる。
一方、リフトオフ法は、フオト・レジスト上に
金属層を形成し、然る後、レジスト剥離という工
程をとるため、レジスト剥離工程での制約からレ
ジスト硬質化温度（〜150℃）以下の温度で金属
膜を形成しなければならず、基板との充分な付着
力を得ることが困難で、歩留り低下、信頼性低下
の原因となる。
金属層を形成し、然る後、レジスト剥離という工
程をとるため、レジスト剥離工程での制約からレ
ジスト硬質化温度（〜150℃）以下の温度で金属
膜を形成しなければならず、基板との充分な付着
力を得ることが困難で、歩留り低下、信頼性低下
の原因となる。
本発明の目的は、かかる電極材料選択上の制限
及び歩留り低下、信頼性低下の恐れのない画像読
取り素子の製造方法を提供するにある。
及び歩留り低下、信頼性低下の恐れのない画像読
取り素子の製造方法を提供するにある。
すなわち、酸化スズ（SnO2）、インジウム・ス
ズ酸化物（ITO）等の透明伝導膜は、光導伝膜の
熱処理温度（500〜600℃）でも充分安定であり、
且つCdSeもしくはCdSeを母材とする化合物薄膜
の光導伝特性を劣化させない。従つて、これら透
明伝導膜を対向電極材料として採用し、且つ外部
電極との接続あるいはスイツチング素子とのボン
デイングが必要となる部分には、金属電極を配線
するような構成とすれば良い。
ズ酸化物（ITO）等の透明伝導膜は、光導伝膜の
熱処理温度（500〜600℃）でも充分安定であり、
且つCdSeもしくはCdSeを母材とする化合物薄膜
の光導伝特性を劣化させない。従つて、これら透
明伝導膜を対向電極材料として採用し、且つ外部
電極との接続あるいはスイツチング素子とのボン
デイングが必要となる部分には、金属電極を配線
するような構成とすれば良い。
第４図に、本発明による素子部の断面Ｘ−
X′の構成例を示す。３はCdSeもしくはCdSeを母
材とする光導伝膜、５，６は金属薄膜で形成され
た共通電極及び個別電極、７，８は透明導伝膜で
形成された共通電極及び個別電極である。
X′の構成例を示す。３はCdSeもしくはCdSeを母
材とする光導伝膜、５，６は金属薄膜で形成され
た共通電極及び個別電極、７，８は透明導伝膜で
形成された共通電極及び個別電極である。
以下、第５図ａ〜ｄに示す実施例によつて本発
明を説明する。
明を説明する。
まず、ガラス基板上に蒸着によりSnO2膜を0.3
μｍ形成し、フロン12ガスを使用してドライエツ
チングを行い、共通電極７、及び個別電極８１〜
８ｎのパターンを得る（第５図ａ）。次いで、電
極上にCdSe膜３を約１μｍ蒸着で形成し、少量
の酸素雰囲気中で600℃15分の熱処理を行つて
CdSe膜の光導伝特性の改善を行う（第５図ｂ）。
この時、SnO2膜は600℃の熱処理に対しても劣化
が見られず、又、CdSe膜３の光導伝特性にも悪
影響を与えない。
μｍ形成し、フロン12ガスを使用してドライエツ
チングを行い、共通電極７、及び個別電極８１〜
８ｎのパターンを得る（第５図ａ）。次いで、電
極上にCdSe膜３を約１μｍ蒸着で形成し、少量
の酸素雰囲気中で600℃15分の熱処理を行つて
CdSe膜の光導伝特性の改善を行う（第５図ｂ）。
この時、SnO2膜は600℃の熱処理に対しても劣化
が見られず、又、CdSe膜３の光導伝特性にも悪
影響を与えない。
次いで、CdSe膜３をエツチングし、センサー
素子部３１〜３ｎを形成する（第５図ｃ）。エツ
チング液は硝酸とりん酸の混合液を用いれば良
い。なお、CdSe膜３の熱処理及びエツチングの
工程は、どちらを先に行つてもよい。
素子部３１〜３ｎを形成する（第５図ｃ）。エツ
チング液は硝酸とりん酸の混合液を用いれば良
い。なお、CdSe膜３の熱処理及びエツチングの
工程は、どちらを先に行つてもよい。
その後、CdSe膜３で形成されるセンサー素子
部３１〜３ｎ上には析出せず且つ透明導伝膜で形
成されている共通電極７及び個別電極８１〜８ｎ
上の一部には析出する形状の蒸着マスクを使用し
て、金属電極材料、例えばCr0.1μｍ、Au1μｍ
を順次蒸着、積層し、所望のパターンでエツチン
グして電極５，６１〜６ｎを形成する（第５図
ｄ）。ここでは、CdSe膜３上に、金属電極材料を
析出させないことが肝要である。すなわち、
CdSe膜３上に金属がないことにより、金属層を
エツチングして電極を形成する際、フオトレジス
ト膜でCdSe膜３を保護できるからである。
部３１〜３ｎ上には析出せず且つ透明導伝膜で形
成されている共通電極７及び個別電極８１〜８ｎ
上の一部には析出する形状の蒸着マスクを使用し
て、金属電極材料、例えばCr0.1μｍ、Au1μｍ
を順次蒸着、積層し、所望のパターンでエツチン
グして電極５，６１〜６ｎを形成する（第５図
ｄ）。ここでは、CdSe膜３上に、金属電極材料を
析出させないことが肝要である。すなわち、
CdSe膜３上に金属がないことにより、金属層を
エツチングして電極を形成する際、フオトレジス
ト膜でCdSe膜３を保護できるからである。
以上述べた製造方法をとることにより、本発明
では電極材料の選択上の制限が大巾に緩和され、
必要な特性を有する金属材料を自由に選択するこ
とが可能となる。
では電極材料の選択上の制限が大巾に緩和され、
必要な特性を有する金属材料を自由に選択するこ
とが可能となる。
第１図は従来の画像読取り装置のセンサー素子
部の回路構成図、第２図は第１図のパターン構成
図、第３図は第２図のＸ−X′線で切断した時の
断面図、第４図は第３図に対応して示した本発明
のセンサー素子部の断面図、第５図ａ〜ｄは本発
明の実施例を説明するために示した製造工程の平
面図である。 ３……光導伝膜、５……金属薄膜で形成された
共通電極、６……金属薄膜で形成された個別電
極、７……透明導電膜で形成された共通電極、８
……透明導電膜で形成された個別電極。
部の回路構成図、第２図は第１図のパターン構成
図、第３図は第２図のＸ−X′線で切断した時の
断面図、第４図は第３図に対応して示した本発明
のセンサー素子部の断面図、第５図ａ〜ｄは本発
明の実施例を説明するために示した製造工程の平
面図である。 ３……光導伝膜、５……金属薄膜で形成された
共通電極、６……金属薄膜で形成された個別電
極、７……透明導電膜で形成された共通電極、８
……透明導電膜で形成された個別電極。
Claims (1)
- １ 絶縁基板上に透明導伝膜よりなる複数の対向
電極対を形成する第１の工程と、この対向電極間
を接続するようにセレン化カドミウム（CdSe）
もしくはCdSeを母材とする光導伝膜を形成する
第２の工程と、この光導伝膜を熱処理する第３の
工程と、前記光導伝膜上には金属層が付着せず、
且つ前記透明導伝膜で形成された共通電極及び個
別電極上の一部には金属層が付着する形状のマス
クを用いて金属層を析出させる第４の工程と、こ
の金属層を所望のパターンにエツチングし、金属
電極を形成する第５の工程とからなることを特徴
とする画像読取り素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57024579A JPS58142567A (ja) | 1982-02-19 | 1982-02-19 | 画像読取り素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57024579A JPS58142567A (ja) | 1982-02-19 | 1982-02-19 | 画像読取り素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58142567A JPS58142567A (ja) | 1983-08-24 |
| JPS6259894B2 true JPS6259894B2 (ja) | 1987-12-14 |
Family
ID=12142070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57024579A Granted JPS58142567A (ja) | 1982-02-19 | 1982-02-19 | 画像読取り素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58142567A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0528799B2 (ja) * | 1985-12-30 | 1993-04-27 | Tokyo Shibaura Electric Co |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5940567A (ja) * | 1982-08-30 | 1984-03-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光電変換素子 |
| JPH0618260B2 (ja) * | 1983-09-16 | 1994-03-09 | セイコーエプソン株式会社 | イメージセンサの製造方法 |
-
1982
- 1982-02-19 JP JP57024579A patent/JPS58142567A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0528799B2 (ja) * | 1985-12-30 | 1993-04-27 | Tokyo Shibaura Electric Co |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58142567A (ja) | 1983-08-24 |
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