JPS6236385B2 - - Google Patents
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- JPS6236385B2 JPS6236385B2 JP56133959A JP13395981A JPS6236385B2 JP S6236385 B2 JPS6236385 B2 JP S6236385B2 JP 56133959 A JP56133959 A JP 56133959A JP 13395981 A JP13395981 A JP 13395981A JP S6236385 B2 JPS6236385 B2 JP S6236385B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49861—Lead-frames fixed on or encapsulated in insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路装置のパツケージ構
造に関する。
造に関する。
従来、この種の半導体集積回路のパツケージに
は、デユアルインラインパツケージやセラミツク
チツプキヤリアなどがある。
は、デユアルインラインパツケージやセラミツク
チツプキヤリアなどがある。
しかし、近年における半導体集積回路の高密度
多機能化および高速化に伴つて、入出力端子数は
増加の一途をたどり、かつ半導体集積回路チツプ
１個当たりの電力が増大している。このため、上
述の従来のパツケージ構造では、半導体集積回路
装置の性能を十分に発揮することができないとい
う欠点がある。すなわち、デユアルインラインパ
ツケージでは、入出力端子数を増加させるために
はパツケージ自体が大となるため、高密度実装が
不可能となり、かつ入出力端子までの接続線長が
長くなつて回路の高速化を妨げる欠点がある。
多機能化および高速化に伴つて、入出力端子数は
増加の一途をたどり、かつ半導体集積回路チツプ
１個当たりの電力が増大している。このため、上
述の従来のパツケージ構造では、半導体集積回路
装置の性能を十分に発揮することができないとい
う欠点がある。すなわち、デユアルインラインパ
ツケージでは、入出力端子数を増加させるために
はパツケージ自体が大となるため、高密度実装が
不可能となり、かつ入出力端子までの接続線長が
長くなつて回路の高速化を妨げる欠点がある。
また、セラミツクチツプキヤリアでは、入出力
端子数の増加によるパツケージの大きさの増大は
デユアルインラインパツケージより改善される
が、熱抵抗に関しては、パツケージに形状に伴う
限界が存在するため、半導体集積回路を高信頼度
で動作させるためには、消費電力が１〜2W程度
以下に制限されるという欠点がある。
端子数の増加によるパツケージの大きさの増大は
デユアルインラインパツケージより改善される
が、熱抵抗に関しては、パツケージに形状に伴う
限界が存在するため、半導体集積回路を高信頼度
で動作させるためには、消費電力が１〜2W程度
以下に制限されるという欠点がある。
また、上記のいずれの方式ににおいても半導体
集積回路チツプと入出力端子との接続は、ワイヤ
ボンデイング法などにより１本ずつ接続されるた
め、製造コストが高くなるという欠点がある。
集積回路チツプと入出力端子との接続は、ワイヤ
ボンデイング法などにより１本ずつ接続されるた
め、製造コストが高くなるという欠点がある。
これらの解決手段として、出願人は半導体集積
回路チツプを囲う四角の接続枠を用い、この接続
枠に半導体集積回路チツプの電極と接続する複数
のリードを設けて半導体集積回路チツプをプリン
ト基板に実装する技術を提案した（特開昭53−
41177号公報、特開昭47−57363号公報）。
回路チツプを囲う四角の接続枠を用い、この接続
枠に半導体集積回路チツプの電極と接続する複数
のリードを設けて半導体集積回路チツプをプリン
ト基板に実装する技術を提案した（特開昭53−
41177号公報、特開昭47−57363号公報）。
しかしながら、この出願人提案の技術は、接続
枠により半導体集積回路チツプにリードを接続す
るが、この接続枠には、半導体集積回路チツプを
保護する機能はなく、また、半導体集積回路チツ
プの放熱を効率よく放散するものではなかつた。
枠により半導体集積回路チツプにリードを接続す
るが、この接続枠には、半導体集積回路チツプを
保護する機能はなく、また、半導体集積回路チツ
プの放熱を効率よく放散するものではなかつた。
本発明の目的は、上述の欠点を解決し、多端子
の場合においても小型かつ高密度に半導体集積回
路チツプを実装し、かつ半導体集積回路チツプの
保護と熱放散性を高める半導体集積回路装置を提
供することにある。
の場合においても小型かつ高密度に半導体集積回
路チツプを実装し、かつ半導体集積回路チツプの
保護と熱放散性を高める半導体集積回路装置を提
供することにある。
本発明の半導体集積回路装置は、半導体集積回
路チツプと、このチツプを囲む絶縁材料からなる
額縁状の枠と、この枠の周辺部に固着され前記半
導体集積回路チツプの電極と接続する複数のリー
ドとを備えた半導体集積回路装置において、 前記枠に段部が形成され、前記複数のリードは
この枠の下段部に固着しされ、かつ枠上面に形成
された入出力端子と導体によつて接続され、前記
枠の上段部には、シール板を載置され、前記半導
体集積回路チツプの下に直接にヒートシンクが接
着されたことを特徴とする。
路チツプと、このチツプを囲む絶縁材料からなる
額縁状の枠と、この枠の周辺部に固着され前記半
導体集積回路チツプの電極と接続する複数のリー
ドとを備えた半導体集積回路装置において、 前記枠に段部が形成され、前記複数のリードは
この枠の下段部に固着しされ、かつ枠上面に形成
された入出力端子と導体によつて接続され、前記
枠の上段部には、シール板を載置され、前記半導
体集積回路チツプの下に直接にヒートシンクが接
着されたことを特徴とする。
段差が設けられた枠内の半導体集積回路チツプ
の電極には枠の下段部に固着されたリードが接続
されて枠の外部の入出力端子に接続される。この
枠の上段部にはシール板が載置されて半導体集積
回路チツプを保護する。また、半導体集積回路チ
ツプと枠の下面にはヒートシンクが直接接着され
て半導体集積回路チツプの放熱を放散する。
の電極には枠の下段部に固着されたリードが接続
されて枠の外部の入出力端子に接続される。この
枠の上段部にはシール板が載置されて半導体集積
回路チツプを保護する。また、半導体集積回路チ
ツプと枠の下面にはヒートシンクが直接接着され
て半導体集積回路チツプの放熱を放散する。
次に、本発明について、図面を参照して詳細に
説明する。
説明する。
第１図は、本発明の一実施例を示す組立前の斜
視図であり、第２図はその断面図である。すなわ
ち、半導体集積回路チツプ１を囲む枠２に段部を
形成し、上段部に半導体集積回路チツプ１を保護
するシール板５を取付けられるようにしている。
そして、リード３は、枠２の下段部に形成された
電極２３と集積回路チツプ１の電極とを接続す
る。枠２の図中上面周辺部に入出力端子２１を設
け、入出力端子２１は導体２２によつて電極２３
と接続されている。枠２は、アルミナセラミツク
またはプラスチツク等の絶縁材料を使用する。リ
ード３は例えば35〜70mm程度の厚さの銅箔を、わ
ずかな酸素を含む窒素雰囲気中で1075゜±５℃に
加熱しながら前記枠２に接合したのち、エツチン
グ技術によりリードパターンを形成することによ
り得られる。枠２との接合は接着材を用いても差
支えない。また必要によりメツキを施しても良
い。リードパターン先に形成して、それぞれ枠に
貼付けしてもよい。リードパターンはエツチング
技術により一定のパターンに形成されるから半導
体集積回路チツプの電極４と容易に位置合わせす
ることができる。リード３と電極４とを位置合わ
せしたのち、熱圧着ボンデイング法等により、多
数の端子を一括して接続することができる。すな
わち、従来のようにワイヤボンデイング法で１本
ずつ接続する必要がないから、生産性が向上し、
製造コストを低減できる効果がある。
視図であり、第２図はその断面図である。すなわ
ち、半導体集積回路チツプ１を囲む枠２に段部を
形成し、上段部に半導体集積回路チツプ１を保護
するシール板５を取付けられるようにしている。
そして、リード３は、枠２の下段部に形成された
電極２３と集積回路チツプ１の電極とを接続す
る。枠２の図中上面周辺部に入出力端子２１を設
け、入出力端子２１は導体２２によつて電極２３
と接続されている。枠２は、アルミナセラミツク
またはプラスチツク等の絶縁材料を使用する。リ
ード３は例えば35〜70mm程度の厚さの銅箔を、わ
ずかな酸素を含む窒素雰囲気中で1075゜±５℃に
加熱しながら前記枠２に接合したのち、エツチン
グ技術によりリードパターンを形成することによ
り得られる。枠２との接合は接着材を用いても差
支えない。また必要によりメツキを施しても良
い。リードパターン先に形成して、それぞれ枠に
貼付けしてもよい。リードパターンはエツチング
技術により一定のパターンに形成されるから半導
体集積回路チツプの電極４と容易に位置合わせす
ることができる。リード３と電極４とを位置合わ
せしたのち、熱圧着ボンデイング法等により、多
数の端子を一括して接続することができる。すな
わち、従来のようにワイヤボンデイング法で１本
ずつ接続する必要がないから、生産性が向上し、
製造コストを低減できる効果がある。
さらに、半導体集積回路チツプ１の裏側（図中
下面）にはヒートシンク６が直接取付られてい
る。上述の枠は、セラミツク枠にタングステンや
モリブデンなどの高耐熱金属を用いたペーストを
印刷焼成することにより容易に製造可能である。
下面）にはヒートシンク６が直接取付られてい
る。上述の枠は、セラミツク枠にタングステンや
モリブデンなどの高耐熱金属を用いたペーストを
印刷焼成することにより容易に製造可能である。
シール板およびヒートシンクの取付けは半田付
けや溶接によつて可能である。この場合は、前述
の効果に加えて封止を行うことにより取り扱いが
容易となり、かつ信頼性も向上する利点がある。
けや溶接によつて可能である。この場合は、前述
の効果に加えて封止を行うことにより取り扱いが
容易となり、かつ信頼性も向上する利点がある。
以上のように、本発明は、半導体集積回路チツ
プを段差のある絶縁性の額縁状の枠で囲み、この
枠の下段に半導体集積回路チツプの電極と接続す
るリード線を設けて接続し、上段には半導体集積
回路チツプのシール板を取付け、下面にヒートシ
ンクを設けているので、半導体集積回路装置の生
産性を向上し、シール板によつて半導体集積回路
チツプを保護し、熱の放散性を高めて許容電力を
大きくすることができる。
プを段差のある絶縁性の額縁状の枠で囲み、この
枠の下段に半導体集積回路チツプの電極と接続す
るリード線を設けて接続し、上段には半導体集積
回路チツプのシール板を取付け、下面にヒートシ
ンクを設けているので、半導体集積回路装置の生
産性を向上し、シール板によつて半導体集積回路
チツプを保護し、熱の放散性を高めて許容電力を
大きくすることができる。
第１図は本発明一実施例を示す組立前の斜視
図。第２図は実施例の組立後の断面図。 １……半導体集積回路チツプ、２……枠、３…
…リード、４……半導体集積回路チツプの電極、
５……シール板、６……ヒートシンク、２１……
入出力端子、２２……導体、２３……電極。
図。第２図は実施例の組立後の断面図。 １……半導体集積回路チツプ、２……枠、３…
…リード、４……半導体集積回路チツプの電極、
５……シール板、６……ヒートシンク、２１……
入出力端子、２２……導体、２３……電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体集積回路チツプ１と、 このチツプを囲む絶縁材料からなる額縁状の枠
２と、 この枠の周辺部に固着され前記半導体集積回路
チツプの電極と接続する複数のリード３と を備えた半導体集積回路装置において、 前記枠に段部が形成され、前記複数のリードは
この枠の下段部に固着され、かつ枠上面に形成さ
れた入出力端子と導体とによつて接続され、前記
枠の上段部には、シール板５を載置され、前記半
導体集積回路チツプの下面に直接にヒートシンク
６が接着された ことを特徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56133959A JPS5835952A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56133959A JPS5835952A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 半導体集積回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5835952A JPS5835952A (ja) | 1983-03-02 |
| JPS6236385B2 true JPS6236385B2 (ja) | 1987-08-06 |
Family
ID=15117075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56133959A Granted JPS5835952A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5835952A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6437042A (en) * | 1987-07-31 | 1989-02-07 | Ibiden Co Ltd | Substrate for carrying electronic component |
| EP2779377B1 (en) | 2011-11-09 | 2018-04-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Rotating electrical machine |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4728441U (ja) * | 1971-04-14 | 1972-12-01 | ||
| JPS4957363A (ja) * | 1972-10-04 | 1974-06-04 | ||
| JPS5117667A (en) * | 1974-08-05 | 1976-02-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Handotaisochino seizohoho |
| JPS5341177A (en) * | 1976-09-28 | 1978-04-14 | Nec Corp | Mounting method of electronic parts |
| JPS54148377A (en) * | 1978-05-15 | 1979-11-20 | Ngk Spark Plug Co | Leadless package for attaching semiconductor chip |
| JPS5669897A (en) * | 1979-11-09 | 1981-06-11 | Nippon Electric Co | High density package structure |
-
1981
- 1981-08-28 JP JP56133959A patent/JPS5835952A/ja active Granted
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4728441U (ja) * | 1971-04-14 | 1972-12-01 | ||
| JPS4957363A (ja) * | 1972-10-04 | 1974-06-04 | ||
| JPS5117667A (en) * | 1974-08-05 | 1976-02-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Handotaisochino seizohoho |
| JPS5341177A (en) * | 1976-09-28 | 1978-04-14 | Nec Corp | Mounting method of electronic parts |
| JPS54148377A (en) * | 1978-05-15 | 1979-11-20 | Ngk Spark Plug Co | Leadless package for attaching semiconductor chip |
| JPS5669897A (en) * | 1979-11-09 | 1981-06-11 | Nippon Electric Co | High density package structure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5835952A (ja) | 1983-03-02 |
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