JPS62291977A - 太陽電池用シリコン盤の切り出し方法と装置 - Google Patents
太陽電池用シリコン盤の切り出し方法と装置Info
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- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
この発明は、太陽電池に使用されるシリコン盤を水平引
抜き法によって作られたシリコンテープから切り出す方
法とこの方法を実施するための装置に関するものである
。このシリコンテープの引抜きに際してはシリコンテー
プとなる溶融体に対する支持体ならびに結晶種形成体と
してテープ引抜き方向に動く黒鉛繊維の織物が使用され
、溶融槽内のシリコン溶融体表面の接線に沿って引き抜
かれる。溶融体の上と下には加熱源が設けられ、互に同
調して制御されて溶融体表面からの放射損失の考慮の下
にシリコンテープは熔融体から引き出される前に均等な
厚さに凝固する。
抜き法によって作られたシリコンテープから切り出す方
法とこの方法を実施するための装置に関するものである
。このシリコンテープの引抜きに際してはシリコンテー
プとなる溶融体に対する支持体ならびに結晶種形成体と
してテープ引抜き方向に動く黒鉛繊維の織物が使用され
、溶融槽内のシリコン溶融体表面の接線に沿って引き抜
かれる。溶融体の上と下には加熱源が設けられ、互に同
調して制御されて溶融体表面からの放射損失の考慮の下
にシリコンテープは熔融体から引き出される前に均等な
厚さに凝固する。
この種の方法の一例は欧州特許出願公開第017011
9号公報により公知である。この場合シリコンテープは
毎分mオーダーの高速度で連続的に引き抜かれ、太陽電
池として加工する前に適当な大きさに切断する必要があ
る。
9号公報により公知である。この場合シリコンテープは
毎分mオーダーの高速度で連続的に引き抜かれ、太陽電
池として加工する前に適当な大きさに切断する必要があ
る。
連続引抜き過程を妨害しないためこの切断は引抜き運動
中その速度を変えることなく特定の長さ毎に行わなけれ
ばならない。又結晶成長過程を妨害しないため切断に際
して動揺や振動が起らないようにする必要がある。結晶
成長が妨害されるとこの材料で作られた太陽電池の効率
が低下する。
中その速度を変えることなく特定の長さ毎に行わなけれ
ばならない。又結晶成長過程を妨害しないため切断に際
して動揺や振動が起らないようにする必要がある。結晶
成長が妨害されるとこの材料で作られた太陽電池の効率
が低下する。
この発明の目的は、連続生産工程中に無理なく組込むこ
とができる信頼性の高い切り出し方法と装置を提供する
ことである。
とができる信頼性の高い切り出し方法と装置を提供する
ことである。
この目的は特許請求の範囲第1項に記載した操作を行う
ことによって、また特許請求の範囲第8項に記載した装
置によって達成される。
ことによって、また特許請求の範囲第8項に記載した装
置によって達成される。
放射遮蔽体として電気伝導性の良い耐熱材料で作られた
橋状成形物を使用し、これを黒鉛織物の結晶化に関係し
ない外側帯の上に乗せて溶融体表面に張力を加えること
もこの発明の枠内にある。
橋状成形物を使用し、これを黒鉛織物の結晶化に関係し
ない外側帯の上に乗せて溶融体表面に張力を加えること
もこの発明の枠内にある。
この発明のその他の実施態様は特許請求の範囲第2項以
下に示されている・ 〔作用効果〕 この発明は次の考察に基くものである。水平引抜き法の
場合シリコンテープの形成はシリコン溶融体の表面が冷
却され薄い層として凝固することによる。この凝固過程
を適当に制御すれば凝固層を溶融体から横向きにテープ
の形に引抜くことができる。結晶化過程の安定化のため
にはシリコン溶融体よりも放射係数Eが大きい材料例え
ば炭素繊維網を支持体として使用する。溶融シリコン表
面の凝固に必要な冷却は主として放射によるものである
。
下に示されている・ 〔作用効果〕 この発明は次の考察に基くものである。水平引抜き法の
場合シリコンテープの形成はシリコン溶融体の表面が冷
却され薄い層として凝固することによる。この凝固過程
を適当に制御すれば凝固層を溶融体から横向きにテープ
の形に引抜くことができる。結晶化過程の安定化のため
にはシリコン溶融体よりも放射係数Eが大きい材料例え
ば炭素繊維網を支持体として使用する。溶融シリコン表
面の凝固に必要な冷却は主として放射によるものである
。
この発明の思想に従い所望のシリコンテープ区分の寸法
に対応する間隔毎にシリコン溶融体表面の放射損失を低
下させてもはや凝固が起らないようにする。これは凝固
に必要な溶融体表面からの熱放射を阻止する物体を形成
されたシリコンテープに同伴して移動させることによっ
て実現できる。
に対応する間隔毎にシリコン溶融体表面の放射損失を低
下させてもはや凝固が起らないようにする。これは凝固
に必要な溶融体表面からの熱放射を阻止する物体を形成
されたシリコンテープに同伴して移動させることによっ
て実現できる。
これに対しては原理的に同伴移動する物体の次の4つの
特性を利用することができる。
特性を利用することができる。
1、 自己温度
2、放射率又は吸収率E5
3、反射能
4、物体の形態
熔融体の単位表面積当りの放射出力Pはシュテファン・
ボルツマン放射剤により次式で与えられる。
ボルツマン放射剤により次式で与えられる。
Ex + P!K Es ・ EヮここでE、は
溶融体の放射率、Exは被覆体にの放射率、σはシュテ
ファン・ボルツマン定数、T、は溶融体の温度、T8は
被覆体の温度である。
溶融体の放射率、Exは被覆体にの放射率、σはシュテ
ファン・ボルツマン定数、T、は溶融体の温度、T8は
被覆体の温度である。
式(1)のE、を固体シリコンの放射率Erで置き換え
ると結晶化した表面からの放射出力が得られる。被覆さ
れていない表面の場合融点T、において固体シリコンの
放射出力は液体シリコンよりも約7Watt/cm”だ
け高い。
ると結晶化した表面からの放射出力が得られる。被覆さ
れていない表面の場合融点T、において固体シリコンの
放射出力は液体シリコンよりも約7Watt/cm”だ
け高い。
加熱出力P、を一定にして溶融体表面に水平方向に移動
する炭素繊維網を接触させることにより結晶化を開始さ
せると、放射出力Pは約7Watt/cm”だけ増大す
る。この出力上昇が温度低下に導かない場合この増大量
は遊離した潜熱PLによって与えられる。
する炭素繊維網を接触させることにより結晶化を開始さ
せると、放射出力Pは約7Watt/cm”だけ増大す
る。この出力上昇が温度低下に導かない場合この増大量
は遊離した潜熱PLによって与えられる。
p = PH+ PL (2)
従って加熱出カ一定の場合PL≦7 Watt/ Cm
”である、潜熱による分PLの放出を阻止すると結晶化
はもはや起らない。
従って加熱出カ一定の場合PL≦7 Watt/ Cm
”である、潜熱による分PLの放出を阻止すると結晶化
はもはや起らない。
2つの実施例と第1図乃至第3図についてこの発明を更
に詳細に説明する。
に詳細に説明する。
第1図はこの発明の詳細な説明するための装置を示すも
ので各番号は次のものを表わす。
ので各番号は次のものを表わす。
1:速度V、で移動する炭素繊維網
2:シリコン溶融体
3:シリコン溶融体を入れる石英槽
4:結晶化したシリコンテープ(これも速度V。
で移動)
5;融解熱の放出
6:速度vtで動く例えばストライプ形のモリブデン板
から成る遮蔽体 7:加熱器(図を見易くするため溶融体上方に置かれた
加熱器は示されていない。) 11:切断箇所 この装置ではv、=v、であり、矢印は引抜き方向を示
す。
から成る遮蔽体 7:加熱器(図を見易くするため溶融体上方に置かれた
加熱器は示されていない。) 11:切断箇所 この装置ではv、=v、であり、矢印は引抜き方向を示
す。
第2図にこの発明の思想の実現に対してストライプ形黒
鉛体6が使用される連続装置の断面構成が示されている
。この黒鉛体6は偏向ローラ8にかけたバンド9上を図
に示されていない補助駆動機構により層をつける黒鉛支
持体1に同期して速度v2で同伴走行する。黒鉛体6は
電源10によって温度TKに加熱される。この温度TK
において黒鉛体6のその下に胃かれるシリコン体に向っ
ての固有放射が大きく、この箇所11においての溶融体
2の結晶化は不可能である。従ってこの箇所11が切断
箇所となる。
鉛体6が使用される連続装置の断面構成が示されている
。この黒鉛体6は偏向ローラ8にかけたバンド9上を図
に示されていない補助駆動機構により層をつける黒鉛支
持体1に同期して速度v2で同伴走行する。黒鉛体6は
電源10によって温度TKに加熱される。この温度TK
において黒鉛体6のその下に胃かれるシリコン体に向っ
ての固有放射が大きく、この箇所11においての溶融体
2の結晶化は不可能である。従ってこの箇所11が切断
箇所となる。
屏鉛体6の加熱に対してはシリコン/8融体2から放射
される熱放射5を直接利用することも可能である。この
場合黒鉛体6は高い吸収率Eを示すものであり、熱容量
が小さく溶融体に対して反対側の表面からの熱損失が阻
止される形態になっていることが必要である。実際には
一方の面が黒鉛フェルトで熱絶縁された薄い黒鉛層又里
鉛繊維織物が使用される。
される熱放射5を直接利用することも可能である。この
場合黒鉛体6は高い吸収率Eを示すものであり、熱容量
が小さく溶融体に対して反対側の表面からの熱損失が阻
止される形態になっていることが必要である。実際には
一方の面が黒鉛フェルトで熱絶縁された薄い黒鉛層又里
鉛繊維織物が使用される。
第2図に記入されている間隔り、はシリコンテープをシ
リコン盤に切断する長さを表わしている。
リコン盤に切断する長さを表わしている。
第3図に示す例えばモリブデン板のような反射能が大き
い物体6は一般に加熱を必要としない。
い物体6は一般に加熱を必要としない。
モリブデン板としては断面が放物線形のものが有利であ
る。この形態により反射された放射5は焦線に集められ
るから、特に狭い切断帯11のシリコンテープ4を作る
ことができる。
る。この形態により反射された放射5は焦線に集められ
るから、特に狭い切断帯11のシリコンテープ4を作る
ことができる。
長時間使用すると反射物体6の表面にシリコンが蒸着さ
れるから反射の効果は低減される。従って蒸着したシリ
コン層を1回毎に例えばプラズマエツチングによって除
去するのが効果的である。
れるから反射の効果は低減される。従って蒸着したシリ
コン層を1回毎に例えばプラズマエツチングによって除
去するのが効果的である。
操作を真空中でなく保護ガス雰囲気中で実施すると物体
6の付加的な作用が認められる。シリコン表面の冷却に
貢献する対流は物体6によって低減されるかあるいは第
3図に示すように放物線形に作られた場合はとんど阻止
される。
6の付加的な作用が認められる。シリコン表面の冷却に
貢献する対流は物体6によって低減されるかあるいは第
3図に示すように放物線形に作られた場合はとんど阻止
される。
第1図に示すように物体6は結晶化するテープ1、 4
と同期して同伴運動を行う必要がある。そのためには物
体6を橋状に成形して結晶化の行われない炭素繊維網の
外側帯の上に乗せて溶融体に加圧する。結晶化帯域を通
過するとフォーク状の装置を使用して支持体1,4から
はがして初めの位置に戻す、この機構は図面に示されて
いない。
と同期して同伴運動を行う必要がある。そのためには物
体6を橋状に成形して結晶化の行われない炭素繊維網の
外側帯の上に乗せて溶融体に加圧する。結晶化帯域を通
過するとフォーク状の装置を使用して支持体1,4から
はがして初めの位置に戻す、この機構は図面に示されて
いない。
切断長LAが結晶化長しK (第3図に示す)より短い
ときは同時に複数の被覆体6を使用し、これをシリコン
チー14と同期(vz =v、)して同伴移動させるこ
とが必要である。
ときは同時に複数の被覆体6を使用し、これをシリコン
チー14と同期(vz =v、)して同伴移動させるこ
とが必要である。
第1図はこの発明の詳細な説明するための装置を示し、
第2図と第3図にこの発明の方法を実施する装置の断面
構成を示す。各図面において、1・・・炭素繊維網、2
・・・シリコン溶融体、3・・・シリコン溶融体を入れ
る石英槽、4・・・結晶化したシリコンテープ、6・・
・Z画体、7・・・加熱器、11・・・切断箇所。
第2図と第3図にこの発明の方法を実施する装置の断面
構成を示す。各図面において、1・・・炭素繊維網、2
・・・シリコン溶融体、3・・・シリコン溶融体を入れ
る石英槽、4・・・結晶化したシリコンテープ、6・・
・Z画体、7・・・加熱器、11・・・切断箇所。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)シリコンテープとなる溶融体の支持体(1)ならび
に結晶種形成体としてテープ引抜き方向に動く黒鉛繊維
の織物を使用し、これを熔融槽(3)内のシリコン溶融
体(2)の表面の接線に沿って引き抜き、溶融体(2)
の上と下に加熱源(7)を設け、これを互に適合調整し
てシリコンテープ(4)が均等な厚さに凝固した後溶融
体(2)から横方向に連続的に引き出されるようにして
作られたシリコンテープから太陽電池に使用されるシリ
コン盤を切り出す方法において、太陽電池に必要なシリ
コンテープ区分の長さに対応する特定の間隔(L_A)
毎に溶融体(2)の表面の放射損失(5)を同伴走行す
る遮蔽体(6)によって減少させ、限定された区間で凝
固が生じないようにしてシリコンテープ(4)に切断帯
(11)を形成させることを特徴とする太陽電池用シリ
コン盤の切り出し方法。 2)遮蔽体(6)として電気伝導性の良い耐熱材料で作
られた橋状成形物が使用され、この成形物が黒鉛織物(
1)の結晶化に使用されない外側帯上に乗せられ、溶融
体(2)の表面に張力を加えることを特徴とする特許請
求の範囲第1項記載の方法。 3)遮蔽体(6)として電流加熱可能のストライプ形黒
鉛体又はモリブデン体が使用されることを特徴とする特
許請求の範囲第1項又は第2項記載の方法。 4)高い吸収度を示す材料から成り形状の点では熱容量
を持たない遮蔽体(6)が使用されることを特徴とする
特許請求の範囲第1項又は第2項記載の方法。 5)薄い黒鉛薄片又は黒鉛織物帯が一方の側を黒鉛フェ
ルトで熱絶縁されて使用されることを特徴とする特許請
求の範囲第4項記載の方法。 6)反射能の高い遮蔽体(6)が使用されることを特徴
とする特許請求の範囲第1項又は第2項記載の方法。 7)放物線形断面の遮蔽体(6)が使用されることを特
徴とする特許請求の範囲第6項記載の方法。 8)a)シリコン溶融体(2)を収容し底面から加熱さ
れる溶融槽(3)と、 b)溶融槽(3)の区域外に置かれ引張り方向(v_1
)を水平線に対して10°下の角度で調整可能の駆動装
置と、 c)結晶種形成中心となる黒鉛織物帯(1)に対して溶
融槽(3)の横上に設けられた偏向ローラーと、 d)本来の引張り装置の前に設けられ溶融槽(3)に連
絡している溶融体貯蔵容器と、 e)溶融槽(3)に設けられ溶融体(2)の表面に対す
る位置が調整可能の反射器を備え、 f)駆動装置と偏向ローラー(8)が溶融槽区域(2,
3)の外に設けられ、それらを使用して電気伝導度が高
く耐熱性の材料で作られたストライプ形構造物(6)で
占められたテープ(5)が層を設ける支持体(1)と同
期して同伴運動する ことを特徴とする太陽電池用シリコン盤の切り出し装置
。 9)同期して同伴走行するテープ(9)の代りに1つの
取り付け装置が本来の引張り装置の前に設けられ、それ
によって遮蔽体(6)が層取り付けテープ(1)の外側
帯上に特定の間隔を置いて設置され、1つのフォーク形
装置が設けられ、それによって遮蔽体(6)がテープの
結晶化領域を通過した後再び引き上げられることを特徴
とする特許請求の範囲第8項記載の装置。
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US5238879A (en) * | 1988-03-24 | 1993-08-24 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for the production of polycrystalline layers having granular crystalline structure for thin-film semiconductor components such as solar cells |
US5256562A (en) * | 1990-12-31 | 1993-10-26 | Kopin Corporation | Method for manufacturing a semiconductor device using a circuit transfer film |
US5258325A (en) * | 1990-12-31 | 1993-11-02 | Kopin Corporation | Method for manufacturing a semiconductor device using a circuit transfer film |
KR20030059745A (ko) * | 2002-01-04 | 2003-07-10 | 주성엔지니어링(주) | 반사기를 이용한 웨이퍼 온도 보상기 |
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DE2850805C2 (de) * | 1978-11-23 | 1986-08-28 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum Herstellen von scheiben- oder bandförmigen Siliziumkristallen mit Kolumnarstruktur für Solarzellen |
DE2850790C2 (de) * | 1978-11-23 | 1987-02-19 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum Herstellen von scheiben- oder bandförmigen Siliziumkristallen mit Kolumnarstruktur für Solarzellen |
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DE3231326A1 (de) * | 1982-08-23 | 1984-02-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung zum herstellen von grossflaechigen, bandfoermigen siliziumkoerpern fuer solarzellen |
DE3306515A1 (de) * | 1983-02-24 | 1984-08-30 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung zum herstellen von grossflaechigen, bandfoermigen siliziumkoerpern fuer solarzellen |
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US4554203A (en) * | 1984-04-09 | 1985-11-19 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for manufacturing large surface silicon crystal bodies for solar cells, and bodies so produced |
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
JPH0319326A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-28 | Canon Inc | 半導体層の形成方法と形成装置及びこの形成方法を用いる太陽電池の製造方法 |
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