JPS62257077A - 計測装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （Ｒ楽土の利用分野） この発明は、形状の複雑な測定対象物の形状と１ｊ法を
非接触で三次元計測りる計測装置に関する。

（従来の技術）。

従来の計測！４置は、第４図に承りように、半導体レー
ザ１から発したレーザ光を照射レンズ２を通して非常に
細い平行光線の投射光３とし、測定対象物としての物（
Ａ４の表面に照ｑ１する。そして、この物体表面の反射
点５から反射された反射光６の一部を結像レンズ７を通
し、光検出素子８の受光面上に投影する。光検出素子８
は、反射光６の受光位置９を電気出力として演算回路１
０へ伝える。この演算回路１０は、反射光６の受光位置
９から、この受光位置９と結像レンズ７との距Ｉｌｌ　
１　、ｊ３よび反射点５から結像レンズ７を介して受光
部′ａ９へ至る反射光６と投射光３とのなす角φ１を求
める。そして、演算回路１０は、これらの距１１１１１
１　Ｊ３よび角φ１に基づき、照射レンズ２　ｈｔら反
射点５までの距１１ｆＬを求める。この距ｗＪ１−を入
出力装置１１にて出力する。このよ・うな距離計測を二
次元に拡張して操作し、三次元の計測を行なう。

第５図に示すように、物体４の表面の法線１２と、投射
光３とがなづ投射角をφ２とり゛ると、反射点５の表面
状態により異なるが、一般には法線１２を挟んで投射光
３と対称な位置にある反射光６が最大の輝度を示づ。と
ころが、多くの場合、この最大輝度の反射光６が光検出
素子８にとって必ずしも良いわけではない。つまり、光
検出素子８としてＣＣＤ　（Ｃｈａｒｇｅ　Ｃｏｕｐｌ
ｅｒｌ　Ｄｅｖｉｃｅ　）リニアイメージセンサが用い
られた場合には、最大輝度の反射光６が光検出素子８の
飽和露光昭以上の挿めて強い光となるため、反射光６の
入射領域周辺に偽信８が発生するいわゆるブルーミング
現象が生じＵ、：ｌ測粘度が低下する。また、ｒｌｉ大
輝度のブ】向と大きく異なる方向の反射光６は輝度が小
さくなるため、光検出素子８にて受光位置９を検出でき
ない場合がある。したがって、上記計測装置でＧ、Ｌ、
ブルーミング現象を発生する一歩丁前の反射光強さを測
定上限１３とし、受光位置９を検出できｉ？ｒ　くなる
−歩手前の反射光強さを測定下限１４に設定し、これら
の測定上限１３と測定ド限１４との間（検出可能ｇＡ域
１５）の光の強さを有する反射光６を検出して距離計測
を行なっている。

（発明が解決しようとする問題点） ところが、上）木のような従来の計測装置では、半導体
レーＩｆ　１と光検出素子８との位置関係が固定されて
いるため、光検出素子８にて受光された投射光６の光の
強さが上置検出可能領ｉｉｉ！１５内に入らない場合が
多い。例えば、第４図の二点鎖線で示すように、物体４
Δが近距離にある場合には、光検出素子８が受光する反
射光６と投射光３とのなづ゛角φ１△が大きくなり、第
５図に示すように、受光した反射光６Ａの光の強さが測
定下限１４を下用ることがある。したがって、このまま
では距離計測ができない。

そこで、投射光３を物体４上の同一反射点５に照射し得
るよう考慮しつつ、物体４または計測装置の少なくとも
いずれかを移動させ、反射光６の光の強さが検出可能領
域１５に至るまでその物体４等を移動さけねばならない
。故に、計測作業が煩雑となっ工多大な時間を要し、作
業能率が極めて悪くなるという欠点がある。しがも、反
射光６の光の強さが検出可能領域１５内にない場合で、
物体４と剖測装置とのいずれをも動がＦ！ない場合があ
る。この場合には物体４の距離を計測づることかできな
い。

この発明は、上記事実を考慮してｈされたものであり、
測定対象物との距離を極めてａ甲がっ容易に計測してそ
の測定対象物の形状および寸法を測定することができる
ム［測装胃を提供することを目的とする。

〔発明の構成〕

（問題点を解決するための手段） この発明は、測定対象物表面へ投射光を照射する投射部
と、上記測定対象物表面から反射された反射光を結像レ
ンズを通し光検出素子で受光する受光部とを右し、上記
光検出素子における反射光の受光位置にＶづいて上記測
定対蒙物の距離を計測する計測装置にＪ３いて、上記受
光部が前記投射部廻りに回転可能に設けられ、この受光
部にて光の強さが検出ｂ［能領域にある反射光を受光し
得るよう構成されたものである。

（作用） したがって、この発明に係る計測装置は、受光部にて受
光δれた反射光の光の強さが検出可能領域にｈい場合に
−も、受光部を投ＯＡ部廻りに回転させて、光の強さが
検出可能領域内にある反射光を受光部にて受光さびるよ
うにしたものである。

（実施例） 以下、この発明の実施例を図面に基づいて説明りる。

第１図はこの発明に係る計測装置の一実施例を承り描成
図である。計測装置２１の測定ヘッド２３には、投射部
２５およ受光部２７が収納され、測定ヘッド２３は、投
射部２５からの投射光３３を中心とし、その投射部３３
の周り（θの方向）に回転可能に設けられる。

投射部２５は半導体レーザ２９および照射レンズ３１を
備えて成る。イして、投射部２５は、半導体レーザ２９
からのレーザ光を照射レンズ３１で細い光束の投射光３
３とし、測定対蒙物たる物体３５へ照射し得るよう設け
られる。半導体レー１１２９は、第３図に示すように、
レーザコントローラ３７およびレーザドライバ３９を介
して、マイクロプロセッサから構成された演算回路４１
に接続される。この演算回路４１からの指令に基づきレ
ーザコントローラ３７およびレーザドライバ３９が作動
して、半導体レーザ２９から照射されるシー１１尤の出
力（レーザ光強さ）や照射時間が制ｍ＋される。レーザ
光は、波長４００ｎｌ付近の可視光〜１０００ｎｌｌｌ
（−Ｊ近の近赤外線が使用される。

また、このレーザ光は、後述の光検出素子４５の分光感
度特性と一致した波長が使用される。

測定ヘッド２３に配設された受光部２７は、結像レンズ
４３および光検出素子／１５を有して構成される。また
、測定ヘッド２３には、第２図に示すように、結像レン
ズ４３ａ３よび光検出素子４５に対応した位置に受光窓
４６が形成される。結像レンズ４３は、物体３５で反射
し、受光窓／１６を通過した反射光４７を入射する。光
検出素子４５は、ＣＣＤ　（Ｃｈａｒｇｅ　Ｃｏｕｐｌ
ｅｄ　Ｄｅｖｉｃｅ　）リニアイメージセンサを用いて
構成され、結像レンズ４３を通過した反射光４７を受光
して、その受光位置４８と反射光強さとを検出りる。

具体的には、光検出木イア１５は、光信号蓄積時間内に
受光された露光量を光電９ＰＪ！系子によって、信号１
拘Ｈ４に変換して蓄積し、さらにその信号電荷間を出力
電圧に変換りる。洟ｎ回路４１からの指令に従って、第
３図に示す素子ドライバ４つから光検出素子４５ヘトラ
イブパルスが送信されると、光検出素子４５からの上記
出力電圧がカウンタ５０に取り出される。光電変換素子
たる画素が飽和露光量に達しているときには、カウンタ
５０はその飽和露光量に達した画素数をカウントする。

また、画素が未飽和露光ωの場合には、光検出素子４５
にて変換された最大出力電圧をアナ【］グーデジタル変
換し、その最大電圧を呈する画素数をカウントする。カ
ウンタ５０は、さらに、カウントされた画素数の中心位
置を受光位置４８の中心位ｎとして記録する。また、反
射光強さは、飽和露光量に達した画素数または画素の最
大出力電圧値として記録される。

このような光検出素子４５の受光は、周囲温度が６０℃
以下、光信号蓄積時間が１０−２秒で、暗示出力電圧に
影響されない環境下でなされる。

演笥回路４１は、上述の如く、素子ドライバ４７へ信号
を出力して光信号蓄積時間を制ｔａｎ　Ｔるとともに、
カウンタ５０からの信号（受光部￥Ｅ、　４３よび反射
光強さ）に基づき、受光された反射光４７の光の強さが
第５図に示す検出可能領域１５内にあるか否かを判定す
る。その領域１５内にある場合には、演ｎ回路４１は受
光位置信号から投射部２５と物体３５との距離りを測定
する。

反（ト）光４７の光の強さが検出可能領域１５内にある
か否かの判定において、まず、検出可能領域１５の下限
１３Ｊｊよび下限１４は、暗示出力電圧に影響されない
環境下で次のように設定される。

−Ｆ限１３は、受光した反射光の強さが強く光検出素子
４５の画素のうち飽和露光用に達した画素数が１０個と
なる場合に設定される。また、下限１４は、受光した反
射光４７の強さが弱く、光検出素子４５の画素から出力
された出力電圧が、飽和露光量に達した画素から出ノ〕
される出力電圧の１０％と４する場合に設定される。演
専回路４１は、このＪ、う＜２上限１３およびＩ・限１
４の指標に基づき、光信号蓄積時間内におｔＪる光検出
素子４５の露光ｈ１が検出０■能領域１５内にあるか否
かを判定する。

物体３５までの距離りを求めるには、演σ回路４１はま
ず、ｈウンタ５０からの受光位置信号に基づさ、この受
光位置４８と結像レンズ４３どの距Ｍｌ（第１図）、お
よび光検出素子／１５にて受光２＼れた反射光４７と投
）１光３３とのな１角φ１を求める。次に、これらの距
離ａと角φ１とから物体３５までの距離りを演口する。

実際には、角φ１と距１１ｆｆＬとの関係がメ［す５１
にストアされているため、この関係から、角φ１を口出
した慢心らに距１！ｌ１ｔＬを求める。求められた物体
３５との距離りは、第１図および第３図に丞す入出力装
置５３に表示される。

一方、前述の如く測定ヘッド２３はθの方向に回転可能
に設けられ、その回転軸５５が胴室ヘッド２３に形成さ
れる。この回転軸５５は投射ｔｇ５２５から照Ｉ；）１
される投射光３３と同軸に設けられるとともに、動力伝
達系５７を介してモータ５９に連結される。このモータ
５９は正転および逆転可能であり、３６０°−トα（０
≦α≦９０°）の範囲で回転する。

第３図に示づように、演口回路４１１ま、七−タコント
ローラ６１およびｔ−タドライバ６３を経てモータ５９
に接続され、これらのモータコントローラ６１等を介し
て［−夕５９をυＩＩｎする。また、同転軸５５には回
転角検出ｒ、＋６５が取り付（〕られ、この回転角検出
器６５により、モータ５９のｔｉ１１転方向Ｊ３よび回
転角度θＲが検出される。回転角検出各６５は例えばポ
テンショメークやエンコーダから構成される。さらに、
回転角検出各６１は、演口回路４１および［−タコント
ローラ６１に接続され、モータ５９の回転角度０１等を
これら４１．６１にフィードバックする。

モータ５９にＪ、って測定ヘッド２３が回転しても、こ
の測定ヘッド２３は投射光３３を中心に回転づるので投
射光３３の投射角φ　、および光検山県子４５１・受光
された反射光４７と投射光３３とのシ１ザ角φ１は常に
一定に緒持され、さらに物体３５との距ｍ　ｉも一定に
保たれる。

また、測定ヘッド２３のＬ而には、第１図お、よび第２
図に示すように複数の光Ｌフサ６フＡ、６フＢＳ設置さ
れる。光センサ６７Δ、［３Ｇ、を測定ヘッド２３の回
転方向θに沿って、つまり投射部２５を挟／υで互いに
対向し、光検出素子４５に対し直交する位置に設けられ
る。この光センサ６７△。

Ｂは、反則光４７の一部を入射し、その入射光量を第３
図に示す比較回路６つへ出力する。比較回路６９では、
光センサ６７Ａ、Ｂでの入射光量の大小を比較判定し、
その結果を演算回路４１へ出力づる。演ｎ回路４１は、
この入射光量の大小に基づき測定ヘッド２３の回転方向
を決定する。なお、光セン１）６７Ａ、Ｂは、半導体レ
ー１ｆ２９からのレージ光の波長を考慮して受光感度の
ｒ警いもの、例えばフォトダイオードやフォトトランジ
スタ等が選ばれる。また、第２図においては、測定ヘッ
ド２３の上面と同一平面内に検出可能領１１４１５が示
される。

次に、作用を説明する。

■、光信号蓄積時間内における光検出素子４５の露光量
が検出可能領１１５内にある場合ａ１測装置２１を作ｖ
Ｊさせ、投射部２５から物体３５へ向って投射光３３を
照）！シ、イの反射光４７を受光部２７にて受光する。

光信号蓄積時間内に光検出素子４５にて受光された反射
光１１７の露光量は、ＪＪウンタ５０を介して演算回路
４１へ送信される。この露光ｍが演口回路４１にて検出
可能領域１５内にあると判断された場合には、同じく演
わ回路４１にて、光検出素子４５上における反射光４７
の受光位置４８に基づき、投射光３３と反射光４７との
イ１す角φ１が口出される。ぞして、演の回路４１は、
メ七り５１内にストアされた物体３５までの距Ｍ　Ｌと
角φ１との関係に基づき、口出されたφ１から物体３５
までの距離りを求める。

■、光信＋’ｔ　Ｚ　Ｍ時間内に４３Ｇプる光検出素子
４５の露光ｉＡが検出可能領域１５〕の下限１４を下廻
っている場合 この場合には、演０回路４１は入射光量の大きい側の光
センサ、例えば６７△の方向へ測定ヘッド２３を回転さ
せるべく、し−タコントローラ６１へ化ニー；を出力す
る。七−ターコント１」−ラ６１【よ、この信号に従っ
て、モータ５９を指示された方向へ回転させるだめの設
定をモータドライバ６３へ施す。こうして、モータ５９
を回転させ、測定ヘッド２３を光センサ６７Ａの方向へ
回転させる。

測定ヘッド２３の始動時における角度θ、が、θｓ〉０
の場合には、測定ヘッド２３をイの回転角θ　がθＳ≦
ＯＲ≦３６０°十α（０≦α≦９Ｏｏ）となる範囲で回
転させる。この範囲でも上記光検出系子４５の露光Ｑ１
が第２図に二点鎖線で示す゛検出可能領域１５内に入ら
ない場合には、Ｏ≦０９≦０８の範囲を調べるため、モ
ータ５９を逆転させ、測定ヘッド２３を光センサ６７［
３の方向に回転させる。また、測定ヘッド２３の始動時
の角度θ　が０８−０の場合には、測定ヘッド２３をＯ
≦θ８≦３６０°＋α（０≦α≦９０°）の範囲で正転
させる。このように測定ヘッド２３を正転および逆転さ
せ、−［開光検出素子４５の露光Ｂが検出可能領域１５
内に入ったときに、その測定ヘッド２３の位置にて、光
検出素子４５上にお１）る反射光４７の受光位置／１８
を求める。そして、この受光位置／Ｉ　Ｏから距１１１
１−を求める。

測定ヘッド２３の回転にも拘らず、光検出装置４５の露
光量が検出可能領域１５内に入らない場合には、光検出
素子４５の露光６！が測定ヘッド２３の回転中に増加か
ら減少に変化した位置を最大露光部の位置とみなし、こ
の位置で演算回路４１からシー１Ｆコント１コーラ３つ
へ半導体レーザ２９の出力を」−胃させる指令を送信す
る。レーザコントローラ３７は、半導体レーザ２９が出
力−［昇づる設定をレーザドライバ３つに施す。こうし
て、光検出素子４５の露光量を増加させた状ｒぶで測定
が繰り返される。ところで、」′導体レーザ２９では最
大出力電流が点火電流の１．５程度瓜に設定されるが、
通常、出力電流の一時的増加はぜいぜい１．４（Ｒ程度
が限度である。しかし、この１゜４　＋８までの範囲で
も、半導体レーザ２９からのレーザ光の光間を１０倍程
度まで変化させることがぐきるので、゛￥導体レしリ゛
２９の出力を充分上界させることができる。また、この
ような半導体レ−＋１２９の出力上ｎによつ（も光検出
素子４５の露光量が検出可能領域１５内に入らない場合
には、演算回路４１から素子ドライバ４９へ指令信号を
出力して、光検出素子４５の光信号蓄積時間を延長する
。

■、光信＠蓄積時間内における光検出素子４５の露光１
１が検出可能領ｌＩ！！１５の上限１３を１廻る場合 この場合には、演算回路４１は、入射光量の小さい側の
光センサ４７Ａまたは４７Ｂの方向へ測定ヘッド２３を
回転させるよう、モータコントローラ６１おＪ：びモー
タドライバ６３を介してモータ５９を回転させる。測定
ヘン１２３０回転は、光検出系子４５の露光量が下限１
４を下廻っている場合と同様に、０３≧０の場合には測
定ヘッド２３をＯ≦ＯＲ≦３６０°＋α（０≦α≦９０
°）の範囲で正転させ、次に、０≦θ、≦０８の範囲で
逆転させる。θ８−０のときは、測定ヘッド２３を０≦
θＲ≦３６０°＋αの範囲で正転さゼる。

このような測定ヘッド２３の回転中に光検出系子４５の
露光量が検出可能領域１５内に入った場合には、ぞの測
定ヘッド２３の位置において、演の回路４１が、光検出
系子４５における反射光４７の受光位置４８から物体３
５までの距１１１Ｌを求める。

測定ヘッド２３の回転にも拘らず、光検出素子４５の露
光４が検出可能領域１５内に入らないときには、演０回
路４１からシー１Ｆコントローラ３７へ指令信号を出力
し、光信号蓄積時間内における半導体レー’ｆ２９のレ
ーザ光出力Ｉ）間を減少させ（通常、レーザ光照射時間
は光信号蓄積時間と一致する。）、あるいはレーデ出力
を減少させるようにソー１アドライバ３９を設定ηる。

こうし−（、露光量を減少さけた状態で測定を繰り返づ
。なお、このように光信号蓄積時間内に４３ける光検出
系子１４５の露光部が検出可能領１ｉ！１５の上限１３
を１廻る場合には、測定ヘッド２３を回転させることな
く、光信ニー１蓄積■、１間内にＪ３ける半）り体レー
ザ２９のレーザ光照射時間あるいはレーザ光出力を直接
減少さぜるようにしてもよい。

上記実施間によれば、次のような効果を奏する。

まず、測定ヘッド２３を回転させて、光検出素子４５の
受光する光信号蓄積時間内にお（）る露光量が検出可能
領域１５内となる位置で測定ヘッド２３を停止するよう
にしたことから、光検出素子４５を簡単に検出可能領域
１５内へ位置させることができる。その結果、光検出素
子４５における反射光４７の受光位置４８を迅速に求め
ることができ、物体３５までの距離りを短間間にｉｔ測
して、その物体３５の形状や寸法を測定することができ
る。

また、測定ヘッド２３の回転方向に沿う？！２数箇所に
光センサ６７Ａ、６７Ｂが配設され、この光セン１ノロ
７Ａ、Ｂが反射光／！７の一部を受光するように構成さ
れ、光センサ６７Ａ、１３からの光ｈ１の大小に基づき
測定ヘッド２３の回転方向が決定されることから、光検
出素子４５を極めて短時聞に検出可能領域１５内に位１
ｆｆｆさせることができる。

したがって、物体３５までの距ｍ＋−をスピーディ−に
測定することができる。

さらに、測定ヘッド２３を回転させることにより、光信
号？！ｌ積時間内における光検出素子４５の露光量を検
出可能領域１５内に簡単に設定することがて゛さ、物体
３５までの距離りを容易に計測することができることか
ら、物体３５が極めて複雑な立体形状の場合ぐも、充分
対応することができる。

次に、他の実施例を説明する。

１°記実施例では、光Ｌンリ゛６７△、Ｂからの入射光
Ｉ６の大小に基づいて測定ヘッド２３を回転させるムの
につき述べたが、光センサ６７Ａ、Ｂおよび比較回路６
９を除去し、測定ヘッド２３を任意のｆｉ向に回転さじ
るものであってもよい。この場合にも、測定ヘッド２３
の回転により光検出素子４５を簡単に検出可能領域１５
内に設定することができ、したがって、物体３５が比較
的単調な形状の場合にｔよ、モの物体３５）までの距！
１１Ｌを容易に計測することができる。

また、上記実施例では、光信号蓄積時間内にお番ノる光
検出素子４５の露光量が下限１４を不出る場合には、測
定ヘッド２３を回転させて光検出素子４５を最大露光量
の位ｒｔまで移動させ、半導体レーザ２９の出力を上が
させるものにつき説明したが、半導体レーザ２９の出力
を上界させず、演９回路４１から素子ドライバ４９へ直
ちに信号を出力して光検出素子４５の光信号蓄積時間を
延長するようにしてもよい。この場合には、レーザ光の
出力を変更する必要がないことから、レー奢アコントロ
ーラ３７およびレーザドライバ３９を除去することかで
き、コストの低減を図ることができる。しかも、半導体
レーザ２９の出力を上Ｈさせる工程がないことから、距
離計測時間を短縮することができる。

さらに、上記実施例では、測定ヘッド２３を回転して、
光信号蓄積時間内にＪ３ける光検出素子４５の露光量が
検出可能領域１５内に至った位置で測定ヘッド２３を停
止し、（の１つの位置で光検出素子４５における受光位
置４８を求め、物体３５までの距離１−を求めるものに
つき述べたが、光検出素子４５を検出可能領域１５内の
複数位置に設定し、各位置において物体３５までの距離
しを測定するらのＣあってもよい。つまり、測定ヘッド
２３を回転さけ、光検出素子４５の受光する光信号蓄積
時間内にお【）る露光量が最大となる位置で測定ヘッド
２３を停止し、この位置において受光位”；’ｌ　４８
を求める。次に、この測定ヘッド２３の位７ｉから測定
ヘッド２３を正方向および逆方向に微小回転し、各位置
にて光検出素子４５における受光位Ｖ５４８を求める。

これらの３ｇＡあるいはぞれ以１−の受光位ｒｔデータ
から受光位ｎの平均値を求め、この平均値に基づき物体
３５までの距離りを演惇りる。したがって、この場合に
は、距離りの６１測精度を向上さＵることができる。

また、Ｌ−記実施ｐ１４では投射部２５の光源が半導体
レーザ２９である乙のにつき述べたが、固体レーずや気
体レー音Ｆ等半導体レーザ以外のレーザであってもよい
。さらに、光源はこれらのレーザ以外であって、光検出
素子４５の分解能を低下させずかつゝＩＩ（１な光線を
光するような光源であってもよい。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明に係る計３！１装首によれば、
受光部にて受光された反射光の光の強さが検出可能領域
にない場合にも、その受光部を投射部の周りに回転さけ
て、検出可能ｇＡ域内の光の強さをイｉする反射光を上
記受光部にて受光し１７るようにしたことから、測定対
象物との距離を極めて簡単かつ容易に計測し、その測定
対象物の形状および寸法を迅速に測定することができる
という効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明に係る計測装置の一実施例を示す構成
図、第２図は第１図の測定ヘッドの平面図、第３図はこ
の実施例の計測Ｊ３よび制御に関する信号処理のブロッ
ク図、第４図は従来の副側装置を承り構成図、第５図は
反射光の輝麿の分布を示？ｌ説明図である。 ２１・・・計測装置、２コ３・・・測定ヘッド、２５・
・・投射部、２７・・・受光部、３３・・・投射光、３
５・・・物体、４１・・・演免回路、４３・・・結像レ
ンズ、４５・・・光検出素子、４７・・・反射光、５５
・・・回転軸、５９・・・モータ、６７Ａ、６７１３・
・・光センサ。 出願人代理人　　　波　多　野　　　久■　　　〇　　
− Ｎ　　　　　　　− ぐ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、測定対象物表面へ投射光を照射する投射部と、上記
   測定対象物表面から反射された反射光を結像レンズを通
   し光検出素子で受光する受光部とを有し、上記光検出素
   子における反射光の受光部置に基づいて上記測定対象物
   の距離を計測する計測装置において、上記受光部が前記
   投射部廻りに回転可能に設けられ、この受光部にて光の
   強さが検出可能領域にある反射光を受光し得るよう構成
   されたことを特徴とする計測装置。 ２、照射部および受光部が測定ヘッドに収納され、この
   測定ヘッドが照射部廻りに回転可能に設けられた特許請
   求の範囲第１項記載の計測装置。 ３、測定ヘッドには、この測定ヘッドの回転方向に沿う
   複数箇所に光センサが配設され、この光センサが検出す
   る反射光量の大小に基づき測定ヘッドの回転方向が決定
   される特許請求の範囲第２項記載の計測装置。 ４、照射部には、投射光の照射時間あるいは投射光の強
   さを調整し制御するコントローラが設置された特許請求
   の範囲第１項ないし第３項にいずれか記載の計測装置。