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JPS62147749A - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device

Info

Publication number
JPS62147749A
JPS62147749A JP60288974A JP28897485A JPS62147749A JP S62147749 A JPS62147749 A JP S62147749A JP 60288974 A JP60288974 A JP 60288974A JP 28897485 A JP28897485 A JP 28897485A JP S62147749 A JPS62147749 A JP S62147749A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
epoxy resin
resin
peroxide
silicone compound
fine particles
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60288974A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshinobu Nakamura
吉伸 中村
Tsunetaka Matsumoto
松本 恒隆
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Electric Industrial Co Ltd filed Critical Nitto Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP60288974A priority Critical patent/JPS62147749A/en
Publication of JPS62147749A publication Critical patent/JPS62147749A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293Organic, e.g. plastic
    • H01L23/296Organo-silicon compounds
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

PURPOSE:To improve the moisture resistance and the thermal impact resistance of a semiconductor device by using silicone compound particles including epoxy resin, phenol resin and peroxide as a core, and sealing a semiconductor element with epoxy resin composition containing fine particles of the structure that the outer periphery is covered with resin shell. CONSTITUTION:An epoxy resin composition is formed in a core of epoxy resin, phenol resin and further silicon compound particles including peroxide, and obtained by using fine particles of the structure that the outer periphery is covered with a resin shell. Preferable result is obtained when using the resin which exhibits solid or high viscosity solutionlike at room temperature with melting point exceeding room temperature of resins. The phenol resin acts as epoxy resin curing agent, and preferably employs phenol novolac, cresol novolac. The core of the fine particles used as dispersive phase is formed of peroxide and silicone compound, and the peroxide is solid by crosslinking the silicone compound normally of liquid. Thus, moisture resistance and thermal impact resistance can be improved.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、内部応力が小さく、耐湿信頼性および耐熱
衝撃性に優れた封止用樹脂組成物で封止された半導体装
置に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] This invention relates to a semiconductor device encapsulated with a encapsulating resin composition that has low internal stress and excellent moisture resistance reliability and thermal shock resistance. .

〔従来の技術〕[Conventional technology]

トランジスタ、IC,LSI等の半導体素子は、通常セ
ラミックパッケージもしくはプラスチックパッケージ等
により封止され、半導体装置化されている。上記セラミ
ックパッケージは、構成材料そのものが耐熱性を有し、
耐透湿性にも優れているため、温度、湿度に対して強く
、しかも中空パッケージのため機械的強度も高く信頼性
の高い封止が可能である。しかしながら、構成材料が比
較的高価なものであることと、量産性に劣る欠点がある
ため、最近では上記プラスチックパッケージを用いた樹
脂封止が主流になっている。この種の樹脂封止には、従
来からエポキシ樹脂組成物が使用されており、良好な成
績を収めている。しかしながら、半導体分野の技術革新
によって集積度の向上とともに素子サイズの大形化、配
線の微細化が進む反面、パッケージが小形化、薄形化す
る傾向にあり、これに伴って封止材料に対してより以上
の信頼性(得られる半導体装置の内部応力。
Semiconductor elements such as transistors, ICs, and LSIs are usually sealed with ceramic packages, plastic packages, or the like to form semiconductor devices. The above-mentioned ceramic package has heat resistance in the constituent material itself,
It also has excellent moisture permeability, so it is resistant to temperature and humidity, and because it is a hollow package, it has high mechanical strength and can be sealed with high reliability. However, since the constituent materials are relatively expensive and the mass productivity is poor, resin sealing using the above-mentioned plastic package has recently become mainstream. Epoxy resin compositions have conventionally been used for this type of resin sealing, and have achieved good results. However, due to technological innovation in the semiconductor field, the degree of integration has increased, element sizes have become larger, and interconnections have become finer. However, while packages have become smaller and thinner, there has been a trend toward smaller and thinner packages. Reliability (internal stress of semiconductor devices obtained)

耐湿信頼性、耐衝撃信頼性、耐熱信頼性等)の向上が要
望されている。特に半導体素子と封止材料間に発生する
熱応力がパッケージを損傷させる原因となり、ひいては
半導体装置の耐湿性および耐熱衝撃性に大きな影響を与
えることから、この半導体素子と封止材料間の熱応力の
低減が重要課題となっている。
There is a demand for improvements in moisture resistance reliability, shock resistance reliability, heat resistance reliability, etc. In particular, the thermal stress generated between the semiconductor element and the encapsulating material causes damage to the package, and has a significant impact on the moisture resistance and thermal shock resistance of the semiconductor device. Reducing this has become an important issue.

そこで、従来より封止材料に使用されるエポキシ樹脂の
低応力化が種々試みられており、現在、ウレタンゴムや
ブタジェンゴム等のゴム類を添加する方法が主流となっ
ている。
Therefore, various attempts have been made to reduce the stress of epoxy resins used in sealing materials, and currently the mainstream method is to add rubbers such as urethane rubber and butadiene rubber.

すなわち、ゴム類とエポキシ樹脂があまり相溶しないこ
とを利用してエポキシ樹脂の連続相中にゴム類の粒子を
析出、分散させたいわゆる「海−品」構造を硬化樹脂中
でとらせることにより、エポキシ樹脂の高い耐熱性を維
持させたまま、ゴム類粒子で熱応力を吸収、緩和させよ
うとするものである。
In other words, by taking advantage of the fact that rubber and epoxy resin are not very compatible, the cured resin has a so-called "sea product" structure in which rubber particles are precipitated and dispersed in the continuous phase of epoxy resin. , attempts to absorb and relieve thermal stress with rubber particles while maintaining the high heat resistance of epoxy resin.

〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら、上記のようにゴム類粒子をエポキシ樹脂
中に分散させるときには、連続相であるエポキシ樹脂中
に上記ゴム類粒子成分が一部溶解する場合があり、この
ようにゴム類粒子成分がエポキシ樹脂中に溶解するとゴ
ム頚粒子の分散が不完全となり、最終的な、封止用エポ
キシ樹脂組成物の硬化物である樹脂の強度が低下する等
の欠点を生じていた。このため、ゴム類粒子が連続相で
あるエポキシ樹脂中で完全に分散した、すなわち、分散
相が独立した「海−島」構造となる封止用エポキシ樹脂
組成物の開発が要望されているが、いまだ充分なものは
得られていない。
[Problems to be Solved by the Invention] However, when the rubber particles are dispersed in the epoxy resin as described above, some of the rubber particle components may be dissolved in the epoxy resin that is the continuous phase. When the rubber particle component is dissolved in the epoxy resin in this way, the dispersion of the rubber neck particles becomes incomplete, resulting in disadvantages such as a decrease in the strength of the final cured resin of the epoxy resin composition for sealing. was occurring. Therefore, there is a demand for the development of an epoxy resin composition for sealing in which rubber particles are completely dispersed in the epoxy resin as a continuous phase, that is, in which the dispersed phase has an independent "sea-island" structure. , we still haven't gotten enough.

この発明は、このような事情に鑑みなされたもので、樹
脂封止に用いるエポキシ樹脂組成物において、連続相で
あるエポキシ樹脂中へのゴム類粒子の一部溶解を完全に
なくすことにより、最終的な硬化物の機械的強度等の物
性の低下を防ぎ、内部応力が小さく、耐湿性および耐熱
衝撃性に優れた信頼性の高い半導体装置を提供すること
を目的としている。
This invention was made in view of the above circumstances, and it is possible to completely eliminate a portion of the rubber particles from dissolving into the epoxy resin, which is the continuous phase, in the epoxy resin composition used for resin sealing. The purpose of the present invention is to provide a highly reliable semiconductor device that prevents deterioration of physical properties such as mechanical strength of a cured product, has low internal stress, and has excellent moisture resistance and thermal shock resistance.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

上記の目的を達成するため、この発明の半導体装置は、
下記の(A)〜(C)成分を含有するエポキシ樹脂組成
物を用いて半導体素子を封止するという構成をとる。
In order to achieve the above object, the semiconductor device of the present invention includes:
The structure is such that a semiconductor element is sealed using an epoxy resin composition containing the following components (A) to (C).

(A)エポキシ樹脂。(A) Epoxy resin.

(B)フェノール樹脂。(B) Phenol resin.

(C)過酸化物を含むシリコーン化合物粒子を芯体とし
、これの外周を樹脂殻体で 被覆した構造の微粒子。
(C) Fine particles having a structure in which a silicone compound particle containing peroxide is used as a core body and the outer periphery of the core body is covered with a resin shell body.

すなわち、本発明者らは、エポキシ樹脂中へのゴム類粒
子の一部溶解を完全になくすために、特にゴム類粒子の
種類と形態について鋭意研究を重ねた結果、従来からゴ
ム類粒子として用いられてきたウレタンゴムやブタジェ
ンゴム等に比べて、より耐熱劣化性に優れたシリコーン
化合物を用い、しかもこのシリコーン化合物に過酸化物
を含ませてシリコーン化合物を架橋させる一方、この過
酸化物含有シリコーン化合物粒子の外周を樹脂によって
被覆すると、上記シリコーン化合物粒子がエポキシ樹脂
との混合、分散時にエポキシ樹脂中に溶解することなく
完全に分散されて上記「海−島」構造が形成され、得ら
れるエポキシ樹脂硬化物の強度が低下しないことを見い
だしこの発明に到達した。
That is, in order to completely eliminate the partial dissolution of rubber particles into epoxy resin, the present inventors have conducted intensive research on the types and forms of rubber particles, and have found that We use a silicone compound that has better heat deterioration resistance than conventional urethane rubber, butadiene rubber, etc., and we also crosslink the silicone compound by impregnating this silicone compound with peroxide. When the outer periphery of the particles is coated with resin, the silicone compound particles are completely dispersed without dissolving in the epoxy resin during mixing and dispersion with the epoxy resin, forming the "sea-island" structure, and the resulting epoxy resin. The present invention was achieved by discovering that the strength of the cured product does not decrease.

この発明に用いるエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂
(A成分)とフェノール樹脂(B成分)を用い、さらに
、過酸化物を含むシリコーン化合物粒子を芯体としこれ
の外周を樹脂殻体で被覆した構造の微粒子(C成分)を
用いて得られるものであって、通常、粉末状のものを打
錠したタブレット状になってい゛る。
The epoxy resin composition used in this invention uses an epoxy resin (component A) and a phenol resin (component B), and further has a core made of silicone compound particles containing peroxide, the outer periphery of which is covered with a resin shell. It is obtained using structured fine particles (component C), and is usually in the form of a tablet made from a powder.

上記A成分となるエポキシ樹脂は、特に制限するもので
はなく、クレゾールノボラック型、フェノールノボラッ
ク型やビスフェノールA型等、従来から半導体装置の封
止樹脂として用いられている各種のエポキシ樹脂があげ
られる。これらの樹脂のなかでも、融点が室温を超えて
おり、室温下では固形状もしくは高粘度の溶液状を呈す
るものを用いることが好結果をもたらす。フェノールノ
ボラック型エポキシ樹脂としては、通常エポキシ当量1
60〜250.軟化点50〜130℃のものが用いられ
、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、エポ
キシ当量180〜210.軟化点60〜110℃のもの
が一般に用いられる。
The epoxy resin serving as the component A is not particularly limited, and various epoxy resins conventionally used as sealing resins for semiconductor devices, such as cresol novolac type, phenol novolac type, and bisphenol A type, can be mentioned. Among these resins, it is preferable to use one that has a melting point above room temperature and is in the form of a solid or highly viscous solution at room temperature. Phenol novolac type epoxy resin usually has an epoxy equivalent of 1
60-250. A cresol novolac type epoxy resin having a softening point of 50 to 130°C is used, and an epoxy equivalent of 180 to 210. Those having a softening point of 60 to 110°C are generally used.

上記エポキシ樹脂と共に用いられる、B成分のフェノー
ル樹脂は、上記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するも
のであり、フェノールノボラック、タレゾールノボラッ
ク等が好適に用いられる。
The phenolic resin of component B used together with the epoxy resin acts as a curing agent for the epoxy resin, and phenol novolak, talesol novolak, etc. are preferably used.

これらノボラック樹脂は、軟化点が50〜110℃2水
酸基当量が70〜150のものを用いることが好ましい
。特に上記ノボラック樹脂のなかでもクレゾールノボラ
ックを用いることが好結果をもたらす。
These novolak resins preferably have a softening point of 50 to 110° C. and a dihydroxyl equivalent of 70 to 150. Particularly, among the above novolac resins, use of cresol novolac brings about good results.

この発明において分散相として用いる上記C成分の微粒
子は、芯体と、これを被覆する殻体とからなる。
The fine particles of component C used as the dispersed phase in this invention consist of a core and a shell covering the core.

上記芯体は、過酸化物とシリコーン化合物で形成されて
おり、上記過酸化物は、通常液体であるシリコーン化合
物を架橋して固体とする役割を果たす。
The core is made of peroxide and a silicone compound, and the peroxide plays a role in crosslinking the normally liquid silicone compound to make it solid.

上記過酸化物としては、ベンゾイルパーオキシド、p〜
ジクロロベンゾイルパーオキシド2.4−ジクロロベン
ゾイルパーオキシド、オプリリルパーオキシド、ラウロ
イルパーオキシド、アセチルパーオキシド、シクロヘキ
センパーオキシド、ヒドロキシへブチルパーオキシド、
ter t−ブチルパーベンゾエート、tert−ブチ
ルパーアセテート、tert−ブチルオクトエート、t
ert−ブチルパーオキシイソブチレート、ジーter
 t−ブチルパーフタレート等をあげることができる。
The above peroxides include benzoyl peroxide, p~
Dichlorobenzoyl peroxide 2.4-dichlorobenzoyl peroxide, oprylyl peroxide, lauroyl peroxide, acetyl peroxide, cyclohexene peroxide, hydroxyhebutyl peroxide,
tert-butyl perbenzoate, tert-butyl peracetate, tert-butyl octoate, t
ert-butyl peroxyisobutyrate, tert
Examples include t-butyl perphthalate.

また、シリコーン化合物としては、例えば分子鎖の両末
端がメチル基、カルボキシル基、アミノ基、エポキシ基
になっている液状のポリジメチルシロキサンを用いるこ
とができる。これらのシリコーン化合物は、水を分散媒
とする水媒体エマルジョンとして市販されている。
Further, as the silicone compound, for example, liquid polydimethylsiloxane having a methyl group, a carboxyl group, an amino group, or an epoxy group at both ends of the molecular chain can be used. These silicone compounds are commercially available as aqueous emulsions using water as a dispersion medium.

そして、上記シリコーン化合物は、水媒体中において後
述する調整方法によって過酸化物を含む芯体粒子となり
、かつ各粒子ごとに樹脂被覆され使用に供される。上記
シリコーン化合物の粒子は、粒子径0.05〜10μm
のものが好適であり、0.05〜5μmのものが特に好
適である。
Then, the silicone compound becomes core particles containing peroxide in an aqueous medium by a preparation method described later, and each particle is coated with a resin and used. The particles of the silicone compound have a particle size of 0.05 to 10 μm.
A thickness of 0.05 to 5 μm is particularly preferred.

上記シリコーン化合物粒子を被覆する殻体の樹脂として
は、例えば不飽和二重結合を一個有する不飽和単量体を
重合させたものをあげることができる。上記不飽和単量
体としては、メタクリル酸メチル、アクリロニトリル、
メタクリロニトリル、ビニルカルバゾール、ビニルホル
マール、ビニルピロリドン、0−ビニルベンジルアルコ
ール、スチレン、o +、 m−、p−メチルスチレン
、224−ジメチルスチレン、2,5−ジメチルスチレ
ン、3.4−ジメチルスチレン、p −tert−ブチ
ルスチレン、p−フェニルスチレン、p−フェニルスチ
レン、p−クロルスチレン、2.5−ジクロルスチレン
、α−メチルスチレン、α−ビニルナフタレン等を例示
することができる。これらは単独で用いても2種以上を
併用してもよい。
Examples of the resin for the shell covering the silicone compound particles include those obtained by polymerizing an unsaturated monomer having one unsaturated double bond. Examples of the unsaturated monomers include methyl methacrylate, acrylonitrile,
Methacrylonitrile, vinylcarbazole, vinyl formal, vinylpyrrolidone, 0-vinylbenzyl alcohol, styrene, o +, m-, p-methylstyrene, 224-dimethylstyrene, 2,5-dimethylstyrene, 3,4-dimethylstyrene , p-tert-butylstyrene, p-phenylstyrene, p-phenylstyrene, p-chlorostyrene, 2,5-dichlorostyrene, α-methylstyrene, α-vinylnaphthalene, and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

また、上記不飽和二重結合を1個有する不飽和単量体と
不飽和二重結合を2個以上有する不飽和単量体とを上記
シリコーン化合物粒子の外周で共重合させて殻体を構成
するようにしてもよい。
Further, the shell is formed by copolymerizing the unsaturated monomer having one unsaturated double bond and the unsaturated monomer having two or more unsaturated double bonds on the outer periphery of the silicone compound particles. You may also do so.

上記不飽和二重結合を2個以上有する不飽和単量体とし
ては、ジビニルベンゼン、ジメタクリル酸モノエチレン
グリコール、ジメタクリル酸ジエチレングリコール、ジ
メタクリル酸テトラエチレングリコール、ジメタクリル
酸ネオペンチルグリコール、トリメタクリル酸トリメチ
ロールプロパン、ジメタクリル酸1.6−ヘキサンジオ
ール、ジメタクリル酸ビスフェノールA、アクリル酸ジ
エチレングリコール、ジアクリル酸テトラエチレングリ
コール、ジアクリル酸ネオペンチルグリコール、ジアク
リル酸1.5−ベンタンジオール、ジアクリル酸1.6
−ヘキサンジオール、トリアクリル酸トリメチロールプ
ロパン等をあげることができる。これらも、単独で用い
ても2種以上を併用してもよい。
Examples of the unsaturated monomers having two or more unsaturated double bonds include divinylbenzene, monoethylene glycol dimethacrylate, diethylene glycol dimethacrylate, tetraethylene glycol dimethacrylate, neopentyl glycol dimethacrylate, and trimethacrylate. trimethylolpropane diacrylate, 1.6-hexanediol dimethacrylate, bisphenol A dimethacrylate, diethylene glycol acrylate, tetraethylene glycol diacrylate, neopentyl glycol diacrylate, 1.5-bentanediol diacrylate, diacrylic acid 1. 6
-hexanediol, trimethylolpropane triacrylate, etc. These may also be used alone or in combination of two or more.

このような1分子中に2個以上の不飽和二重結合を有す
る単量体は、前記した不飽和二重結合を1個有する不飽
和単量体を含む全単量体成分中の0、5〜50重量%を
占める割合で使用することが好結果をもたらす。すなわ
ち、この範囲内での添加が熱応力の低減効果をより高め
るからである。
Such monomers having two or more unsaturated double bonds in one molecule include 0, Good results are obtained when it is used in proportions of 5 to 50% by weight. That is, addition within this range further enhances the effect of reducing thermal stress.

このような不飽和単量体のうち、特にガラス転移温度が
70℃以上の重合体を形成するものが好適であり、さら
に、比較的親水性度が高く、かつエポキシ樹脂との親和
性の高いメタクリル酸メチル(分子量100.ガラス転
移温度105℃)が最も好適である。なお、ここで規定
する(メタ)アクリル酸エステル樹脂のガラス転移温度
は示差熱量計等で測定され、個々の(メタ)アクリル酸
エステル樹脂について公知となっている値をさす。
Among such unsaturated monomers, those that form polymers with a glass transition temperature of 70°C or higher are particularly suitable, and those that have relatively high hydrophilicity and high affinity with epoxy resins are particularly suitable. Methyl methacrylate (molecular weight 100, glass transition temperature 105°C) is most preferred. Note that the glass transition temperature of the (meth)acrylic ester resin defined here is measured with a differential calorimeter or the like, and refers to a value known for each (meth)acrylic ester resin.

上記過酸化物と、シリコーン化合物水媒体エマルジョン
と、殻体樹脂形成用単量体とを用いてこの発明に用いる
C成分である微粒子を調製するには、例えばつぎの方法
を用いることができる。すなわち、シリコーン化合物の
水媒体エマルジョンに殻体樹脂形成用単量体を経時的に
滴下または一度に添加して芯体となるシリコーン化合物
の粒子表面で重合させ、樹脂皮膜化してシリコーン化合
物粒子を被覆させる。つぎに、過酸化物を溶解した有機
溶剤を加えて水相と有機相の2相として攪拌を開始し、
樹脂皮膜で被覆されたシリコーン化合物液状粒子中に過
酸化物含有有機溶剤を上記樹脂皮膜を通して吸収させる
。そして、エバポレーター等を用いて真空蒸留すること
により、上記シリコーン化合物粒子内の有機溶剤を除去
し、さらに、室温〜50℃で乾燥して水を飛散させるこ
とにより、過酸化物を含むシリコーン化合物を芯体粒子
とし、その外周に樹脂の殻体が形成されている微粒子を
得るという方法である。
For example, the following method can be used to prepare the fine particles that are component C used in the present invention using the peroxide, the silicone compound aqueous emulsion, and the monomer for forming shell resin. That is, a monomer for forming a shell resin is added dropwise over time or all at once to an aqueous emulsion of a silicone compound, polymerized on the surface of the silicone compound particles serving as the core, and formed into a resin film to cover the silicone compound particles. let Next, an organic solvent in which peroxide is dissolved is added and stirring is started to form two phases, an aqueous phase and an organic phase.
A peroxide-containing organic solvent is absorbed into silicone compound liquid particles coated with a resin film through the resin film. Then, the organic solvent in the silicone compound particles is removed by vacuum distillation using an evaporator or the like, and the silicone compound containing peroxide is further dried at room temperature to 50°C to scatter water. This is a method of obtaining fine particles having a core particle and a resin shell formed around its outer periphery.

上記過酸化物を溶解する有機溶剤はいずれの溶剤でもよ
いが、過酸化物の水への拡散を防ぐために水への溶解度
が比較的低いつぎのようなものが好ましい。すなわち、
ヘキサン、エチルベンゼン、p−キシレン、トルエン、
ベンゼン等の炭化水素類、四基゛化炭素、トリクロロエ
チレン、ジクロロメタンのハロゲン化炭化水素類、n 
−、iso −、5ec−アミルアルコール、n−、s
ec −ブタノール、シクロヘキサノール等のアルコー
ル類、m−クレゾール等のフェノール類、ジエチルエー
テル等のエーテル類、ジイソブチルケトン、メチルイソ
ブチルケトン、メチルイソプロピルケトン。
The organic solvent for dissolving the peroxide may be any solvent, but in order to prevent peroxide from diffusing into water, the following organic solvents having relatively low solubility in water are preferred. That is,
hexane, ethylbenzene, p-xylene, toluene,
Hydrocarbons such as benzene, halogenated hydrocarbons such as tetracarbon, trichloroethylene, dichloromethane, n
-, iso -, 5ec-amyl alcohol, n-, s
Alcohols such as ec-butanol and cyclohexanol, phenols such as m-cresol, ethers such as diethyl ether, diisobutyl ketone, methyl isobutyl ketone, and methyl isopropyl ketone.

メチル−n−プロピルケトン、シクロヘキサノン等のケ
トン類、n−,1so−酢酸ブチル、n−9iso−酢
酸アミル、  n −、1so−酢酸プロビル。
Ketones such as methyl-n-propyl ketone and cyclohexanone, n-,1so-butyl acetate, n-9iso-amyl acetate, n-,1so-probyl acetate.

酢酸エチル、酢酸メチル、プロピオン酸エチル等のエス
テル類等をあげることができる。
Examples include esters such as ethyl acetate, methyl acetate, and ethyl propionate.

また、殻体樹脂形成用単量体の水媒体重合に際しては、
通常水媒体重合に使用される水溶性または油溶性の各種
重合開始剤が用いられる。このような重合開始剤として
は、過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウム、4.4゛ 
 −アゾビス−4−シアノバレリン酸、2,2′−アゾ
ビス(2−アミジノプロパン)塩酸塩等をあげることが
できる。
In addition, when polymerizing the monomer for forming the shell resin in an aqueous medium,
Various water-soluble or oil-soluble polymerization initiators that are normally used in aqueous polymerization are used. Such polymerization initiators include potassium persulfate, ammonium persulfate, 4.4゛
Examples include -azobis-4-cyanovaleric acid, 2,2'-azobis(2-amidinopropane) hydrochloride, and the like.

さらに、上記微粒子の調製に際し、この微粒子の乾燥、
粉末化を良好に行い粒子相互の融着を防いで粉末化を完
全に行うために、殻体形成に用いる樹脂の割合は、微粒
子全体に対し5〜50重量%(以下「%」と略す)であ
ることが好ましい。
Furthermore, when preparing the above-mentioned fine particles, drying of the fine particles,
In order to achieve good powderization and prevent mutual fusion of particles to complete powderization, the proportion of resin used for shell formation is 5 to 50% by weight (hereinafter abbreviated as "%") based on the entire fine particles. It is preferable that

すなわち、5%未満では殻体が充分形成せず微粒子のエ
ポキシ樹脂中での分散性が悪くなり、50%を超えると
微粒子のエポキシ樹脂に対する熱応力吸収能が充分機能
せず、いずれの場合も好ましくないからである。
That is, if it is less than 5%, the shell body will not be sufficiently formed and the dispersibility of the fine particles in the epoxy resin will be poor, and if it exceeds 50%, the thermal stress absorption ability of the fine particles for the epoxy resin will not function sufficiently. This is because it is not desirable.

なお、上記C成分の微粒子の調整段階において、シリコ
ーン化合物液状粒子は、攪拌によって過酸化物含有有機
溶剤を吸収して過酸化物と接触し、この過酸化物の作用
により僅かであるが架橋反応を生起する。そして、前記
A成分およびB成分と混合されてタブレット状に打錠成
形される際の加熱でさらに架橋反応が進行し、C成分で
ある微粒子の芯体は徐々に固形化する。そして最終的に
は、これらA−C成分含有のエポキシ樹脂組成物で半導
体素子を樹脂封止する場合の加熱成形によってさらに架
橋反応が進行し、芯体が、シリコーン骨格を有し過酸化
物で架橋されたゴム質の固体となるのである。これがこ
の発明の大きな特徴である。
In addition, in the step of preparing the fine particles of component C, the silicone compound liquid particles absorb the peroxide-containing organic solvent by stirring and come into contact with the peroxide, and due to the action of this peroxide, a slight crosslinking reaction occurs. occurs. Then, when the mixture is mixed with the A component and B component and compressed into a tablet, the crosslinking reaction further proceeds, and the core of the fine particles, which is the C component, gradually solidifies. Finally, when a semiconductor element is resin-sealed with an epoxy resin composition containing these A-C components, a crosslinking reaction progresses further, and the core body has a silicone skeleton and is made of peroxide. The result is a crosslinked rubbery solid. This is a major feature of this invention.

このようにして得られるC成分の微粒子は、過酸化物を
含むシリコーン化合物を芯体とし、その外周に樹脂の殻
体が形成されているという構造のものである。
The fine particles of component C thus obtained have a structure in which the core is a silicone compound containing peroxide and a resin shell is formed around the core.

この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物には、上記A
−C成分が含有されるものであり、さらに必要に応じて
従来から用いられている各種の硬化促進剤が含有される
。上記硬化促進剤としては、下記の三級アミン、四級ア
ンモニウム塩、イミダゾール類およびホウ素化合物を好
適な例としてあげることができ、これらを単独でもしく
は併せて用いることができる。
The epoxy resin composition used in this invention includes the above A
-C component is contained, and if necessary, various conventionally used curing accelerators are also contained. Suitable examples of the curing accelerator include the following tertiary amines, quaternary ammonium salts, imidazoles, and boron compounds, which may be used alone or in combination.

三級アミン トリエタノールアミン、テトラメチ゛ルヘキサンジアミ
ン、トリエチレンジアミン、ジメチルアニリン、ジメチ
ルアミノエタノール、ジエチルアミノエタノール、2,
4.6−)リス(ジメチルアミノメチル)フェノール、
N、N゛−ジメチルピペラジン、ピリジン、ピコリン、
1.8−ジアザ−ビシクロ(5,4,0)ウンデセン−
7、ベンジルジメチルアミン、2−(ジメチルアミノ)
メチルフェノール 四級アンモニウム塩 ドデシルトリメチルアンモニウムクロライド、セチルト
リメチルアンモニウムクロライド、ベンジルジメチルテ
トラデシルアンモニウムクロライド、ステアリルトリメ
チルアンモニウムクロライド イミダゾール類 2−メチルイミダゾ−′ル、2−ウンデシルイミダゾー
ル、2−エチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチ
ルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイ
ミダゾールホウ素化合物 テトラフェニルボロン塩類、例えばトリエチレンアミン
テトラフェニルボレート、N−メチルモルホリンテトラ
フェニルボレートまた、必要に応じて、上記の原料以外
に、無機質充填材、二酸化アンチモン、リン系化合物等
の難燃剤や顔料、シランカップリング剤等のカップリン
グ剤を用いることができる。上記無機質充填材としては
特に限定するものではなく、一般に用いられる石英ガラ
ス粉末、タルク、シリカ粉末。
Tertiary amine triethanolamine, tetramethylhexanediamine, triethylenediamine, dimethylaniline, dimethylaminoethanol, diethylaminoethanol, 2,
4.6-) lis(dimethylaminomethyl)phenol,
N, N-dimethylpiperazine, pyridine, picoline,
1.8-Diaza-bicyclo(5,4,0)undecene-
7, benzyldimethylamine, 2-(dimethylamino)
Methylphenol quaternary ammonium salt Dodecyltrimethylammonium chloride, cetyltrimethylammonium chloride, benzyldimethyltetradecylammonium chloride, stearyltrimethylammonium chloride Imidazole 2-methylimidazol, 2-undecylimidazole, 2-ethylimidazole, 1- Benzyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, boron compound, tetraphenylboron salts, such as triethyleneaminetetraphenylborate, N-methylmorpholinetetraphenylborate, and, if necessary, in addition to the above raw materials. , inorganic fillers, antimony dioxide, flame retardants such as phosphorus compounds, pigments, and coupling agents such as silane coupling agents can be used. The inorganic filler is not particularly limited, and may include commonly used quartz glass powder, talc, and silica powder.

アルミナ粉末等が適宜に用いられる。Alumina powder or the like is appropriately used.

この発明に用いるエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂
を連続相としC成分の微粒子を分散相とするものであり
、例えばつぎのようにして製造することができる。すな
わち、まず、エポキシ樹脂100重量部(以下「部」と
略す)に対して微粒子3〜120部、特に好ましくは5
〜60部の割合で、微粒子をエポキシ樹脂粉末と混合し
て充分攪拌し、さらに、硬化剤であるフェノール樹脂。
The epoxy resin composition used in this invention has an epoxy resin as a continuous phase and fine particles of component C as a dispersed phase, and can be produced, for example, as follows. That is, first, 3 to 120 parts, particularly preferably 5 parts, of fine particles are added to 100 parts by weight (hereinafter abbreviated as "parts") of the epoxy resin.
The fine particles were mixed with epoxy resin powder at a ratio of ~60 parts and thoroughly stirred, and then a phenol resin as a curing agent was added.

硬化促進剤、充填剤等を加えて加熱混練することにより
、上記微粒子をエポキシ樹脂連続相に完全分散させ、半
導体装置封止用の樹°脂組成物を製造することができる
のである。なお、連続相たるエポキシ樹脂に対し、分散
相たる微粒子の配合割合を上記割合に限定する理由は、
3部未満では熱応力の低減効果が不十分であり、逆に1
20部を超えるとエポキシ樹脂が不連続相となり、好ま
しくないからである。
By adding a curing accelerator, filler, etc. and heating and kneading, the fine particles can be completely dispersed in the epoxy resin continuous phase to produce a resin composition for encapsulating semiconductor devices. The reason why the blending ratio of fine particles as a dispersed phase to the epoxy resin as a continuous phase is limited to the above ratio is as follows.
If it is less than 3 parts, the effect of reducing thermal stress is insufficient;
This is because if the amount exceeds 20 parts, the epoxy resin becomes a discontinuous phase, which is not preferable.

このようなエポキシ樹脂組成物を用いての半導体素子の
封止は特に限定するものではなく、通常の方法、例えば
トランスファー成形等の公知のモールド方法により行う
ことができる。
Sealing of a semiconductor element using such an epoxy resin composition is not particularly limited, and can be performed by a conventional method, for example, a known molding method such as transfer molding.

このようにして得られる半導体装置は、上記エポキシ樹
脂組成物硬化体による、シリコーン化合物粒子を芯体と
しこれの外周を樹脂殻体で被覆した構造の微粒子を分散
相としエポキシ樹脂を連続相とする構造によって半導体
素子が封止されているため、樹脂封止体自体の強度が大
であり、かつその樹脂封止体により内部応力が小さく耐
湿性および耐熱衝撃性に優れた信頼性の高い樹脂封止が
なされている。
The semiconductor device obtained in this manner is made of the cured epoxy resin composition and has a structure in which silicone compound particles are the core and the outer periphery thereof is covered with a resin shell, and the fine particles are the dispersed phase and the epoxy resin is the continuous phase. Because the semiconductor element is encapsulated by the structure, the resin encapsulation itself has high strength, and the resin encapsulation has low internal stress and is highly reliable with excellent moisture resistance and thermal shock resistance. A stop has been put in place.

なお、充填剤成分を除いた樹脂組成物を硬化させた樹脂
の断面を走査型電子顕微鏡によって観察すると、この分
散状態は上記微粒子が島状に存在するいわゆる「海−島
」構造として認められる。
Note that when a cross section of a cured resin composition from which the filler component has been removed is observed using a scanning electron microscope, this dispersion state is recognized as a so-called "sea-island" structure in which the fine particles are present in the form of islands.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

この発明の半導体装置は、粒子の外周を樹脂殻体で被覆
し、しかも、過酸化物で架橋されて固体となっている特
殊構造のシリコーン化合物粒子を含有した特殊なエポキ
シ樹脂組成物を用いて封止されており、その封止プラス
チックパッケージが、従来のエポキシ樹脂組成物製のも
のとは異なるため、内部応力が小さく、耐湿信頼性、電
気的特性、耐熱信頼性も高く、信頼度の極めて高いもの
である。すなわち、上記エポキシ樹脂組成物は、シリコ
ーン化合物粒子をそのまま含有しているのではなく、外
周を樹脂殻体で被覆し、しかも、過酸化物で架橋されて
固体となった状態で含有しているため、樹脂封止の際、
連続相であるエポキシ樹脂中へのシリコーン化合物粒子
の溶解が抑制され、連続相であるエポキシ樹脂中にシリ
コーン化合物粒子が完全分散したいわゆる「海−島」構
造をとるようになる。その結果、島状前で存在するシリ
コーン化合物粒子がその特性をいかんなく発揮し、それ
によって充分な熱応力の吸収、緩和効果が得られるよう
になるばかりでなく、シリコーン化合物粒子の溶解に起
因する樹脂硬化体自体の強度低下が生起せず、常に良好
な特性の硬化体が得られるようになるのであり、これに
よって、この発明の半導体装置は、上記のように高信頼
性のものとなるのである。特に、上記特殊なエポキシ樹
脂組成物による封止により、8ピン以上特に16ピン以
上、もしくはチップの長辺が41m以上の大形の半導体
装置において、上記のような高信頼度が得られるように
なるのであり、これが大きな特徴である。
The semiconductor device of the present invention uses a special epoxy resin composition containing silicone compound particles having a special structure, the outer periphery of which is covered with a resin shell, and which is cross-linked with peroxide to become a solid. The sealed plastic package is different from conventional epoxy resin compositions, so it has low internal stress, high moisture resistance reliability, electrical characteristics, and heat resistance reliability, making it extremely reliable. It's expensive. That is, the above-mentioned epoxy resin composition does not contain the silicone compound particles as they are, but rather contains them in a state in which the outer periphery is covered with a resin shell and is crosslinked with peroxide to become a solid. Therefore, when sealing with resin,
Dissolution of the silicone compound particles into the epoxy resin that is the continuous phase is suppressed, and a so-called "sea-island" structure is formed in which the silicone compound particles are completely dispersed in the epoxy resin that is the continuous phase. As a result, the silicone compound particles existing in the island-like front exhibit their properties to the fullest, which not only provides sufficient thermal stress absorption and relaxation effects, but also reduces stress caused by the dissolution of the silicone compound particles. The strength of the cured resin body itself does not decrease, and a cured body with good characteristics can always be obtained. As a result, the semiconductor device of the present invention has high reliability as described above. be. In particular, by sealing with the above-mentioned special epoxy resin composition, the above-mentioned high reliability can be obtained in large semiconductor devices with 8 pins or more, especially 16 pins or more, or a chip with a long side of 41 m or more. This is a major feature.

つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。Next, examples will be described together with comparative examples.

まず、攪拌機、温度計および冷却管を備えた反応容器内
に、水およびシリコーン化合物粒子の水媒体エマルジョ
ンを添加し、反応系雰囲気を70℃に保ち、さらに反応
容器内に窒素ガスを送入した。ついで反応容器内に樹脂
層形成用の不飽和単量体成分を加え、70℃で3時間重
合を行い、シリコーン化合物粒子表面が樹脂殻体で被覆
された微粒子の分散エマルジョンを得た。各成分の配合
は下記の第1表のとおりである。そして、得られた分散
エマルジョンに、ベンゾイルパーオキシドの1%トルエ
ン溶液を第1表に示す量だけ加え、50℃で約3時間攪
拌した。これを30分間放置しても水相とトルエン相に
分離せず、トルエン相は全てシリコーン化合物粒子に吸
収されていることを確認した。そして、エバポレーター
を用いてトルエンを真空蒸留により留去した。
First, water and an aqueous emulsion of silicone compound particles were added to a reaction vessel equipped with a stirrer, a thermometer, and a cooling tube, the reaction system atmosphere was maintained at 70°C, and nitrogen gas was further introduced into the reaction vessel. . Next, an unsaturated monomer component for forming a resin layer was added into the reaction vessel, and polymerization was carried out at 70° C. for 3 hours to obtain a dispersed emulsion of fine particles in which the surface of the silicone compound particles was covered with a resin shell. The formulation of each component is shown in Table 1 below. Then, a 1% toluene solution of benzoyl peroxide was added in the amount shown in Table 1 to the obtained dispersed emulsion, and the mixture was stirred at 50° C. for about 3 hours. It was confirmed that even when this was left for 30 minutes, it did not separate into an aqueous phase and a toluene phase, and the toluene phase was completely absorbed by the silicone compound particles. Then, toluene was distilled off by vacuum distillation using an evaporator.

このエマルジョンを約50℃の通風乾燥機中で24時間
乾燥し、10種類の微粒子粉末(a−j)を得た。
This emulsion was dried in a ventilation dryer at about 50°C for 24 hours to obtain 10 types of fine particle powders (a-j).

なお、シリコーン化合物粒子の水媒体エマルジョンの一
部をガラス板上に塗布し、室温で乾燥すると透明なフィ
ルムが得られ、一方上記エマルジョンに、樹脂殻体形成
用の不飽和単量体成分を加えて重合反応を行って得られ
たエマルジョンを上記同様にして乾燥したところ白色粉
末が得られた。このことから、重合反応を経て得られた
微粒子は、シリコーン化合物粒子を芯体とし、これの外
周を樹脂殻体が被覆した構造となっていることがわかる
A transparent film is obtained by coating a portion of the aqueous emulsion of silicone compound particles on a glass plate and drying it at room temperature.On the other hand, an unsaturated monomer component for forming a resin shell is added to the emulsion. The emulsion obtained by carrying out the polymerization reaction was dried in the same manner as above to obtain a white powder. From this, it can be seen that the fine particles obtained through the polymerization reaction have a structure in which the core is a silicone compound particle and the outer periphery of the core is covered with a resin shell.

(以下余白) また、比較例品を作製するために、ベンゾイルパーオキ
シドのトルエン溶液を加えないで、上記と同様にして微
粒子kを得た。シリコーン化合物エマルジョンと樹脂殻
体形成用原料の種類と配合量は微粒子jと同様にした。
(The following is a blank space) In addition, in order to produce a comparative example product, fine particles k were obtained in the same manner as above without adding the toluene solution of benzoyl peroxide. The types and amounts of the silicone compound emulsion and the raw materials for forming the resin shell were the same as those for fine particles j.

〔実施例1〜16.比較例〕 上記のようにして得られた微粒子粉末とエポキシ樹脂粉
末とを下記の第2表に−示す割合で混合したのち、硬化
剤であるフェノール樹脂および他の添加剤を同表に示す
割合で添加してミキシングロール機にかけ、100℃で
10分間混練してシート状組成物を得た。つぎに、この
シート状組成物を粉砕し、目的とする粉末状のエポキシ
樹脂組成物を得た。
[Examples 1 to 16. Comparative Example] After mixing the fine particle powder obtained as described above and epoxy resin powder in the proportions shown in Table 2 below, the phenol resin as a curing agent and other additives were mixed in the proportions shown in the same table. The mixture was added in a mixing roll machine and kneaded at 100° C. for 10 minutes to obtain a sheet composition. Next, this sheet-like composition was pulverized to obtain the desired powdered epoxy resin composition.

(以下余白) *1 エポキシ当量:19Q、軟化点−8(*2 フェ
ノール当量:130.軟化点:8〔従来例1.2〕 下記の第3表に示す原料を用い、これらの原料をミキシ
ングロール機で10分間混練し、得られたシート状組成
物を用い、実施例1〜16と同様にして粉末状のエポキ
シ樹脂組成物を得た。
(Left below) *1 Epoxy equivalent: 19Q, softening point -8 (*2 Phenol equivalent: 130. Softening point: 8 [Conventional Example 1.2] Using the raw materials shown in Table 3 below, these raw materials were mixed. Powdered epoxy resin compositions were obtained in the same manner as in Examples 1 to 16 using the sheet composition obtained by kneading with a roll machine for 10 minutes.

*1.*2:  第2表と同じ 以上の実施例および従来例によって得られた粉末状のエ
ポキシ樹脂組成物を用い、半導体素子をトランスファー
成形でモールドすることにより半0℃ 導体装置を得た。このようにして得られた半導体装置に
ついて、ピエゾ抵抗による内部応力1曲げ弾性率、電圧
印加状態におけるプレッシャー釜による1000時間の
信頼性テスト(以下rPCBTテスト」と整す)、−5
0℃15分〜150℃15分の2000回の温度サイク
ルテスト(以下rTCTテスト」と略す)等の測定を行
った。その結果を下記の第4表に示した。なお、ガラス
転移温度(Tg)は粘弾性性質のTanδのピークを示
す温度を示した。
*1. *2: A semi-0°C conductor device was obtained by molding a semiconductor element by transfer molding using the powdered epoxy resin composition obtained in the above Examples and Conventional Examples as shown in Table 2. Regarding the semiconductor device obtained in this way, internal stress 1 bending elastic modulus due to piezoresistance, 1000 hour reliability test using a pressure cooker under voltage application state (hereinafter referred to as rPCBT test), -5
Measurements such as a temperature cycle test (hereinafter abbreviated as rTCT test) of 2000 times from 0° C. 15 minutes to 150° C. 15 minutes were performed. The results are shown in Table 4 below. Note that the glass transition temperature (Tg) is the temperature at which the peak of Tan δ, which is a viscoelastic property, is reached.

(以下余白) 第4表の結果から、この発明の各実施別品は、比較測高
および従来別品に比べてPCBT試験の不良率およびT
CT試験のクラック発生率が殆ど0に近く、しかも内部
応力も低いので、耐湿性及び耐熱衝撃性に優れ、高い信
頼性を有することがわかる。
(Left below) From the results in Table 4, it can be seen that each product according to the present invention has a higher defective rate in the PCBT test than the comparative height measurement and the conventional product.
It can be seen that the crack occurrence rate in the CT test is almost 0, and the internal stress is also low, so it has excellent moisture resistance and thermal shock resistance, and has high reliability.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)下記の(A)〜(C)成分を含有するエポキシ樹
脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置
。 (A)エポキシ樹脂。 (B)フェノール樹脂。 (C)過酸化物を含むシリコーン化合物粒子を芯体とし
、これの外周を樹脂殻体で被覆 した構造の微粒子。
(1) A semiconductor device in which a semiconductor element is sealed using an epoxy resin composition containing the following components (A) to (C). (A) Epoxy resin. (B) Phenol resin. (C) Fine particles having a structure in which a silicone compound particle containing peroxide is used as a core body and the outer periphery of the core body is covered with a resin shell body.
(2)殻体を形成する樹脂がガラス転移温度70℃以上
の樹脂である特許請求の範囲第1項記載の半導体装置。
(2) The semiconductor device according to claim 1, wherein the resin forming the shell is a resin having a glass transition temperature of 70° C. or higher.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0707042A1 (en) 1994-10-07 1996-04-17 Hitachi Chemical Co., Ltd. Epoxy resin molding material for sealing electronic parts and sealed semiconductor device using the same
US5691401A (en) * 1994-05-27 1997-11-25 Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd. Curable resin compositions containing silica-coated microparticles of a cured organosiloxane composition

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