JPS6168296A - 光学情報記緑部材 - Google Patents
光学情報記緑部材Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光、熱等を用いて高速かつ高密度に光学的な情
報を記録、再生できる光学情報記録部材に関するもので
ある。
報を記録、再生できる光学情報記録部材に関するもので
ある。
従来例の構成とその問題点
レーザー光線を利用して高密度な情報の記録。
再生を行なう技術は公知である。このような記録再生に
用いる記録媒体として基板上にTeとTeO2の混合物
であるTeoxl(0〈11く2)を主成分とする薄膜
を設けたものがある(特開昭50−46317号公報、
特開昭50−46318号公報、特開昭50−4631
9号公報、米国特許第3971874号明細書)。添加
成分としてはPb0x5(0(xs(1) 、 5bO
x6(0<!6<1.5) 。
用いる記録媒体として基板上にTeとTeO2の混合物
であるTeoxl(0〈11く2)を主成分とする薄膜
を設けたものがある(特開昭50−46317号公報、
特開昭50−46318号公報、特開昭50−4631
9号公報、米国特許第3971874号明細書)。添加
成分としてはPb0x5(0(xs(1) 、 5bO
x6(0<!6<1.5) 。
VOx−r (。< !7 < 2 、5 )等が使
用される。このような記録媒体は再生用の光ビームの照
射において透過率変化を大きく得ることが出来る。
用される。このような記録媒体は再生用の光ビームの照
射において透過率変化を大きく得ることが出来る。
しかし、記録、再生装置の小型化、簡易化を図る場合に
使用し得るレーザー光源の出力には限度があり、小型の
出力20 mW以内のHe−Noレーザー発振装置、半
導体レーザー発振装置等を使用して記録、再生を行なう
には従来のTeOx (0(xく2)を主成分とする
薄膜を備えた記録媒体では感度が不十分である。また、
情報を反射光量変化で再生する場合には十分な変化量が
得られない。
使用し得るレーザー光源の出力には限度があり、小型の
出力20 mW以内のHe−Noレーザー発振装置、半
導体レーザー発振装置等を使用して記録、再生を行なう
には従来のTeOx (0(xく2)を主成分とする
薄膜を備えた記録媒体では感度が不十分である。また、
情報を反射光量変化で再生する場合には十分な変化量が
得られない。
次に、前記欠点を補うものとして、Te0x(0<X<
2)に、融点の低い添加材料を適用し、状態変化のスレ
ッショールド温度を下げる試み、例えばT 10x (
0(x (1,5) (Tl2O融点300℃)を添加
する方法が有る。
2)に、融点の低い添加材料を適用し、状態変化のスレ
ッショールド温度を下げる試み、例えばT 10x (
0(x (1,5) (Tl2O融点300℃)を添加
する方法が有る。
一方状態変化に伴う光学特性の変化を大きくするために
、媒体の屈折率を太きくする方法があり、このため、イ
オン分極率の大きいかつ密度の大きい添加材料を用いる
試みがなされている0例tばB1Ox2. In0x2
(0(x2(1,6)等である(特願昭53−1090
02 、特願昭54−71506)。
、媒体の屈折率を太きくする方法があり、このため、イ
オン分極率の大きいかつ密度の大きい添加材料を用いる
試みがなされている0例tばB1Ox2. In0x2
(0(x2(1,6)等である(特願昭53−1090
02 、特願昭54−71506)。
これらの方法によって、TeOxを主成分とする記録媒
体は、半導体レーザによる記録2反射光量変化による再
生等が可能となった。
体は、半導体レーザによる記録2反射光量変化による再
生等が可能となった。
しかし、情報社会の進展に伴ない、これまで以上に情報
伝達の高速化が要求されるようになると従来以上の記録
速度、再生速度、それに伴なう記録感度の向上が必要と
なってきている。
伝達の高速化が要求されるようになると従来以上の記録
速度、再生速度、それに伴なう記録感度の向上が必要と
なってきている。
発明の目的
本発明は従来のTeO2とTeの混合物であるTeOx
を主成分とする光学記録膜を改良し、TeOx薄膜の特
長、例えば耐湿性が良いといった利点を残しながら、記
録速度、記録感度が従来に比べて大幅に向上した光学情
報記録部材を提供するものである0 発明の構成 本発明の光学情報記録部材は、基板上に形成された光学
記録膜が、少なくともTe、○、Pdの3元素を含んで
構成され、前記3元素の膜中の原子数の割合は、Pdが
5〜40atm%、酸素が20〜60 atm %であ
ることを特徴とする。
を主成分とする光学記録膜を改良し、TeOx薄膜の特
長、例えば耐湿性が良いといった利点を残しながら、記
録速度、記録感度が従来に比べて大幅に向上した光学情
報記録部材を提供するものである0 発明の構成 本発明の光学情報記録部材は、基板上に形成された光学
記録膜が、少なくともTe、○、Pdの3元素を含んで
構成され、前記3元素の膜中の原子数の割合は、Pdが
5〜40atm%、酸素が20〜60 atm %であ
ることを特徴とする。
実施例の説明
TeO3とTeの混合物であるTeOx薄膜は、レーザ
光等の高密度な光を照射するとその光学定数が変化し、
見た目に黒くなる。この変化を利用して情報を光学的に
記録、再生するわけであるが、この変化は、光照射−吸
収−昇温というプロセスを経て、膜中のTe粒子の状態
変化、すなわち、結晶粒が成長することによる光学的変
化に基づくものではないかと考えられる。そこで、記録
速度を高めるためには、この状態変化をいかに速く終了
させるかということが大きな要素であると考えられる。
光等の高密度な光を照射するとその光学定数が変化し、
見た目に黒くなる。この変化を利用して情報を光学的に
記録、再生するわけであるが、この変化は、光照射−吸
収−昇温というプロセスを経て、膜中のTe粒子の状態
変化、すなわち、結晶粒が成長することによる光学的変
化に基づくものではないかと考えられる。そこで、記録
速度を高めるためには、この状態変化をいかに速く終了
させるかということが大きな要素であると考えられる。
ところで従来のTeOx系薄膜においては、記録時にT
e粒子が状態変化を起こす場合、TeO2のバリアがあ
るため安定な結晶状態になるための構造緩和に若干の時
間を要する場合があった0こうした記録部材は、情報と
して映像などを記録する場合は何ら問題とはならないが
、高速の応答性が必要とされるコンピュータ用ディスク
として用いる場合などは、機器設計上の制限が加わり好
ましくない。
e粒子が状態変化を起こす場合、TeO2のバリアがあ
るため安定な結晶状態になるための構造緩和に若干の時
間を要する場合があった0こうした記録部材は、情報と
して映像などを記録する場合は何ら問題とはならないが
、高速の応答性が必要とされるコンピュータ用ディスク
として用いる場合などは、機器設計上の制限が加わり好
ましくない。
を基本組成とする薄膜を記録層とし、かつ膜中のTe、
O、Pdの原子数の割合を制御することにより、従来
のTeOx 系記録薄膜よシも、はるかに短い時間で記
録が完了する、すなわち、はるかに高速の記録、再生を
可能とする光学記録媒体を得ることができる。
O、Pdの原子数の割合を制御することにより、従来
のTeOx 系記録薄膜よシも、はるかに短い時間で記
録が完了する、すなわち、はるかに高速の記録、再生を
可能とする光学記録媒体を得ることができる。
従来、Te もしくはTeとTeO2との混合物に第
3の物質を添加して光学記録特性を向上させた例がある
。しかしながら、それらは、GoやSn。
3の物質を添加して光学記録特性を向上させた例がある
。しかしながら、それらは、GoやSn。
Pb、SL 、Sb、So などの比較的共有結合性の
強い元素で、Te もしくはTeとT eO2との混
合物と容易にガラス状態を作シやすい物質に限られてい
た。
強い元素で、Te もしくはTeとT eO2との混
合物と容易にガラス状態を作シやすい物質に限られてい
た。
本発明は、添加する物質として金属結合性の強い元素A
u、Aq、Cu、Pd等の内より特にPd を選択した
もので、本発明の範囲にある場合に限シ特異的にPdの
添加効果が発揮される。本発明におけるPdの役割は以
下のように推察される。
u、Aq、Cu、Pd等の内より特にPd を選択した
もので、本発明の範囲にある場合に限シ特異的にPdの
添加効果が発揮される。本発明におけるPdの役割は以
下のように推察される。
PdはTeOx系薄膜中において記録時、Te の状態
変化を促進するものであシ、つまり結晶核のような働き
をしていると考えられ、高速で記録を完了するために少
量で大きな効果を得られると想像される。また記録時高
速でTe の状態変化が完了するということは、例えば
レーザ光の照射部が軟化あるいは溶融すると考えたとき
、膜の粘性が小さいうちに状態変化が完了するというこ
とを意味しておシ、シたがって結晶性のより進んだTe
の結晶粒子が生成されていると想像される。その結果と
して再生光のより大きな反射率変化が得られ、高いCN
比が得られる・と考えられる。また、TeOxはPd
を添加することによって光の吸収効率が大きくなる。こ
の結果、よシ低いパワーのレーザ光でも書き込みが可能
となり高感度となる。
変化を促進するものであシ、つまり結晶核のような働き
をしていると考えられ、高速で記録を完了するために少
量で大きな効果を得られると想像される。また記録時高
速でTe の状態変化が完了するということは、例えば
レーザ光の照射部が軟化あるいは溶融すると考えたとき
、膜の粘性が小さいうちに状態変化が完了するというこ
とを意味しておシ、シたがって結晶性のより進んだTe
の結晶粒子が生成されていると想像される。その結果と
して再生光のより大きな反射率変化が得られ、高いCN
比が得られる・と考えられる。また、TeOxはPd
を添加することによって光の吸収効率が大きくなる。こ
の結果、よシ低いパワーのレーザ光でも書き込みが可能
となり高感度となる。
さらにPdはその性質上酸化を受けないために既知のT
eo:c膜の優れた耐湿性を損なうことはないと思われ
る。
eo:c膜の優れた耐湿性を損なうことはないと思われ
る。
本発明は、Te、 O、Pd を必須成分として構成さ
れるが、膜の光学的特性、並びに耐熱性を改良する上で
、Go、Sn、Al、Cu、Ag、Au、Se、Bi。
れるが、膜の光学的特性、並びに耐熱性を改良する上で
、Go、Sn、Al、Cu、Ag、Au、Se、Bi。
In、Pb、Si 、pt 、Sb、As、V、Cr
、Co、Ntより選択される元素を一種以上含むことは
任意である。
、Co、Ntより選択される元素を一種以上含むことは
任意である。
本発明の光学情報記録部材は、記録・再生のみの記録材
料としての機能の他、情報の書き換えが可能な記録材料
にも応用できるもので、この場合は上述した元素を少な
くとも一種以上添加し、消去特性を改善させることが可
能である。
料としての機能の他、情報の書き換えが可能な記録材料
にも応用できるもので、この場合は上述した元素を少な
くとも一種以上添加し、消去特性を改善させることが可
能である。
次に本発明におけるPdの添加量について述べるQ
本発明におけるPd の添加量は、Te、O,PdO量
の総和に対して5〜40atm%である。Pdは、膜中
にあってTeOxのTe と部分的にPdTe とし
て非晶質状態で存在していると思われる。これがレーザ
などで加熱されると、非晶質状態のPdTeは結晶質と
なり光学的変化をもたらす。
の総和に対して5〜40atm%である。Pdは、膜中
にあってTeOxのTe と部分的にPdTe とし
て非晶質状態で存在していると思われる。これがレーザ
などで加熱されると、非晶質状態のPdTeは結晶質と
なり光学的変化をもたらす。
膜中でPdTe は、必ずしも量論組成でいる必要はな
(PdTe −Teの合金組成で存在していればよく、
PdTeの役割は結晶核となシ全体の結晶化速度を促進
させると考えられる。したがってPdO量はTe よ
りも少なくても充分である。しかしながら、Pdの添加
量が5atm%より少ないと、膜中でのPdTeの結晶
核が少なくなり結晶化の高速性は期待できない。Pdの
添加量が多くなると光の吸収効率が向上し、記録感度が
良好となるが、40atm%を越えて添加すると膜中の
Te の相対量が減少し、記録前後の反射光量変化が低
下してしまう。したがってPdの添加量は5〜40 a
tm %の範囲とする必要がある。
(PdTe −Teの合金組成で存在していればよく、
PdTeの役割は結晶核となシ全体の結晶化速度を促進
させると考えられる。したがってPdO量はTe よ
りも少なくても充分である。しかしながら、Pdの添加
量が5atm%より少ないと、膜中でのPdTeの結晶
核が少なくなり結晶化の高速性は期待できない。Pdの
添加量が多くなると光の吸収効率が向上し、記録感度が
良好となるが、40atm%を越えて添加すると膜中の
Te の相対量が減少し、記録前後の反射光量変化が低
下してしまう。したがってPdの添加量は5〜40 a
tm %の範囲とする必要がある。
次に酸素の含有量について述べる0
本発明の組成において酸素のほとんどは膜中のTeとT
eo□を形成して存在している。膜中のTeo2の存在
量は、膜の耐湿性を左右する上で重要で、Teo2の量
が多い程、耐湿性が優れているoしたがって膜中では、
酸素の含有量が多い程、望ましい訳であるが、多すぎる
とTe 、 Pdの含有量が、相対的に小さくなるので
、膜の光吸収効率が低下し感度が低下すると同時に、記
録前後における反射率の変化量が小さくなシ高いCN比
が得られなくなってしまう。本発明では、酸素の含有量
は、Te。
eo□を形成して存在している。膜中のTeo2の存在
量は、膜の耐湿性を左右する上で重要で、Teo2の量
が多い程、耐湿性が優れているoしたがって膜中では、
酸素の含有量が多い程、望ましい訳であるが、多すぎる
とTe 、 Pdの含有量が、相対的に小さくなるので
、膜の光吸収効率が低下し感度が低下すると同時に、記
録前後における反射率の変化量が小さくなシ高いCN比
が得られなくなってしまう。本発明では、酸素の含有量
は、Te。
0、Pd の総和に対して20〜60atm4であるが
、20atm%以下では耐湿性に劣り、逆に6゜atm
%を越えると、記録感度が低下する。
、20atm%以下では耐湿性に劣り、逆に6゜atm
%を越えると、記録感度が低下する。
本発明の範囲内で必須成分であるTe 、O、Pdにつ
いての特に好ましい組成は、Pdが8〜35atm%で
、かつ酸素は30〜55atm%である(実施例1で詳
述)。
いての特に好ましい組成は、Pdが8〜35atm%で
、かつ酸素は30〜55atm%である(実施例1で詳
述)。
次に図面を参照しながら本発明の詳細な説明する0
第1図は本発明による光学情報記録部材の断面図である
。
。
1は基板であシ、金属2例えばアルミニウム。
銅環、ガラス、例えば、石英、パイレックス、ソーダガ
ラス等、あるいは樹脂2例えばABS樹脂。
ラス等、あるいは樹脂2例えばABS樹脂。
ポリスチレン、アクリル、ポリカーボネート、塩ビ等、
又透明フィルムとしては、アセテート、テフロン、ポリ
エステル等が使用できる。中でも、ポリカーボネート、
アクリル板等を使用する場合、透明性がすぐれており、
形成せしめた信号像を光学的に再生する際に有効である
。
又透明フィルムとしては、アセテート、テフロン、ポリ
エステル等が使用できる。中でも、ポリカーボネート、
アクリル板等を使用する場合、透明性がすぐれており、
形成せしめた信号像を光学的に再生する際に有効である
。
2は記録薄膜であり、基板1上に蒸着、スパッタリング
等によって形成される。蒸着には抵抗加熱のように他部
から加熱する方法と電子ビームのように試料を直接加熱
する方法があり、どちらも使用可能である。しかし、蒸
着の制御性、量産性等から考えて電子ビーム法の方が優
れている。以下電子ビーム法を用いて、Te、O,Pd
の3元素からなる薄膜を製造する方法について述べる。
等によって形成される。蒸着には抵抗加熱のように他部
から加熱する方法と電子ビームのように試料を直接加熱
する方法があり、どちらも使用可能である。しかし、蒸
着の制御性、量産性等から考えて電子ビーム法の方が優
れている。以下電子ビーム法を用いて、Te、O,Pd
の3元素からなる薄膜を製造する方法について述べる。
基板上にTe、O,Pdの混合物を形成するわけてある
が、実際にはTe、TeO2,Pd の混合物を形成
することになシ、そのだめに3源蒸着が可能な蒸着機を
用いて、それぞれのソースからT e O2。
が、実際にはTe、TeO2,Pd の混合物を形成
することになシ、そのだめに3源蒸着が可能な蒸着機を
用いて、それぞれのソースからT e O2。
Te、Pdを蒸着する。また2源ソースを用いる場合は
、一方からPdを蒸着し、他方からはT e O2とT
e02を一部還元する作用を有する金属粉末、例えば
、Al、Cu、Fe、Crなどを混在させ、所定の温度
で熱処理したものを用いて、TeO2とTeを同時に蒸
着し、基板上にTeO2、T e 、 P dの混合物
を形成する。また1源ソースを用いる場合は、前記2源
ソースを用いる場合のTeO2とTeを蒸着する側ノソ
ースにPct も混在させて、T e02 、 T e
、 Pdを1源より蒸着することも可能である。
、一方からPdを蒸着し、他方からはT e O2とT
e02を一部還元する作用を有する金属粉末、例えば
、Al、Cu、Fe、Crなどを混在させ、所定の温度
で熱処理したものを用いて、TeO2とTeを同時に蒸
着し、基板上にTeO2、T e 、 P dの混合物
を形成する。また1源ソースを用いる場合は、前記2源
ソースを用いる場合のTeO2とTeを蒸着する側ノソ
ースにPct も混在させて、T e02 、 T e
、 Pdを1源より蒸着することも可能である。
以下、より具体的な例で本発明を詳述する。
実施例1
3源蒸着が可能な電子ビーム蒸着機を用いて、T eo
2. T o 、 P dをそれぞれのソースから、1
50rpmで回転する厚さが1.1mm、直径が200
簡のアクリル樹脂基板上に蒸着を行い、光ディスクを試
作した。蒸着は真空度1×10 TOτr以下で行ない
、薄膜の厚さは1200人とした。各ソースからの蒸着
速度は記録薄膜中のTe、○、 Pdの原子数の割合を
調整するためにいろいろと変化させた。
2. T o 、 P dをそれぞれのソースから、1
50rpmで回転する厚さが1.1mm、直径が200
簡のアクリル樹脂基板上に蒸着を行い、光ディスクを試
作した。蒸着は真空度1×10 TOτr以下で行ない
、薄膜の厚さは1200人とした。各ソースからの蒸着
速度は記録薄膜中のTe、○、 Pdの原子数の割合を
調整するためにいろいろと変化させた。
上記方法により作成した種々の光ディスクのオージェ電
子分光法(以下AESと略す)による元素分析結果と、
1800 rpmで回転する光ディスクの中心から75
mmの位置に、記録完了時に最もCN比が大きくなるよ
うなレーザーノくワーで書き込んだ単一周波数5 M
Hzの信号の、記録後33m5ec (レーザー光を照
射してから光ディスクが1回転するのに要する時間)経
過時のCN比と2m1n(すべての光ディスクで記録は
完了していた)経過時のCN比、および耐湿性試験の結
果を第1表に記す。
子分光法(以下AESと略す)による元素分析結果と、
1800 rpmで回転する光ディスクの中心から75
mmの位置に、記録完了時に最もCN比が大きくなるよ
うなレーザーノくワーで書き込んだ単一周波数5 M
Hzの信号の、記録後33m5ec (レーザー光を照
射してから光ディスクが1回転するのに要する時間)経
過時のCN比と2m1n(すべての光ディスクで記録は
完了していた)経過時のCN比、および耐湿性試験の結
果を第1表に記す。
(以 下 余 白)
第 1 表
なお、前記記録再生試験は第2図のような系で行すった
。光導体レーザ−14を出た波長830nmo光は第ル
ンズ15によって疑似平行光3となり第2のレンズ4で
丸く整形された後、第3のレンズ5で再び平行光になり
、ミラー6で光軸を変換された後ノ・−フミラー11を
介して第4のレンズ7で、光デイスク上に波長限界約0
.8μmの大きさのスポット9に集光される。この円ス
ポット9によって照射された光デイスク8上の記録膜は
Teの状態変化による黒化変態し記録が行なわれる。こ
こで半導体レーザーを変調して光デイスク上に情報信号
を記録することができる。
。光導体レーザ−14を出た波長830nmo光は第ル
ンズ15によって疑似平行光3となり第2のレンズ4で
丸く整形された後、第3のレンズ5で再び平行光になり
、ミラー6で光軸を変換された後ノ・−フミラー11を
介して第4のレンズ7で、光デイスク上に波長限界約0
.8μmの大きさのスポット9に集光される。この円ス
ポット9によって照射された光デイスク8上の記録膜は
Teの状態変化による黒化変態し記録が行なわれる。こ
こで半導体レーザーを変調して光デイスク上に情報信号
を記録することができる。
信号の検出は、光デイスク面8からの反射光10をハー
フミラ−11を介して受け、レンズ12を通じて光感応
ダイオード13で行なった。
フミラ−11を介して受け、レンズ12を通じて光感応
ダイオード13で行なった。
第1表においてレーザー光照射後33m5ecより2m
1nの方がCN比が大きいものは、33m5ec後には
まだ薄膜中でTeの結晶粒の成長が進んでいるものと考
えられ記録がまだ完了していないことを示し、レーザ光
照射後33m5ecと2韻でCN比が同じものは33m
#aC後に記録が完了していることを示している。
1nの方がCN比が大きいものは、33m5ec後には
まだ薄膜中でTeの結晶粒の成長が進んでいるものと考
えられ記録がまだ完了していないことを示し、レーザ光
照射後33m5ecと2韻でCN比が同じものは33m
#aC後に記録が完了していることを示している。
また、耐湿性試験は光デイスク作製時にガラス基板上(
1sx1sxo、2=)にも記録薄膜を蒸着して耐湿性
試験用サンプルとし、50℃、90%RH中に放置する
ことにより行ない、第1表における耐湿性評価は、1o
日目の状態が顕微鏡観察で何ら変化の認められないもの
が0で、多少の変化が認められたものが△、結晶化が進
んで黒い模様が認められたもの、あるいは膜中のTeが
酸化して透過率が増大したものをXとした。
1sx1sxo、2=)にも記録薄膜を蒸着して耐湿性
試験用サンプルとし、50℃、90%RH中に放置する
ことにより行ない、第1表における耐湿性評価は、1o
日目の状態が顕微鏡観察で何ら変化の認められないもの
が0で、多少の変化が認められたものが△、結晶化が進
んで黒い模様が認められたもの、あるいは膜中のTeが
酸化して透過率が増大したものをXとした。
第1表から明らかなように、記録完了後のCN比が50
ciB以上で、かつレーザー光照射後33fn S e
Cには記録が完了しており、かつ耐湿性の良好なTe
−0−Pd系薄膜の組成(総合評価において6以上)
は、P’clが6〜40atm%で、酸素は20〜60
atB%である。さらに好ましい組成(総合評価でO)
は、P、dが8〜35 atm%、Oは30〜55at
m%であることがわかる。
ciB以上で、かつレーザー光照射後33fn S e
Cには記録が完了しており、かつ耐湿性の良好なTe
−0−Pd系薄膜の組成(総合評価において6以上)
は、P’clが6〜40atm%で、酸素は20〜60
atB%である。さらに好ましい組成(総合評価でO)
は、P、dが8〜35 atm%、Oは30〜55at
m%であることがわかる。
なお、第2表に本実施例におけるPd0代わりに参考例
としてAqおよびCuを用いて、Te−〇−Aq系薄膜
およびTe−〇−Cu 系薄膜を有する光ディスクを作
製し、かつ本実施例と同様の試験を行なった結果を示す
。第2表から明らかなように〜およびCuを添加した場
合にはPdを添加した場合のような信号の高速度な記録
完了は得られなかった。
としてAqおよびCuを用いて、Te−〇−Aq系薄膜
およびTe−〇−Cu 系薄膜を有する光ディスクを作
製し、かつ本実施例と同様の試験を行なった結果を示す
。第2表から明らかなように〜およびCuを添加した場
合にはPdを添加した場合のような信号の高速度な記録
完了は得られなかった。
第2表
実施例2
2源ソースにより蒸着可能な電子ビーム蒸着機を用いて
一方のソースからPdを、他方のソースからTeとTa
O2を蒸着し光ディスクを作製した。
一方のソースからPdを、他方のソースからTeとTa
O2を蒸着し光ディスクを作製した。
ここで一つのソースからTeとTaO2を同時に蒸着し
た方法について説明する。まず出発原料としてTe02
85wt%、 Al 15 wt%を少量ノアルコール
を用いて混合し、その粉末26yを石英ボートに乗せ、
電気炉を用いて700℃でN2ガスを流しながら2時間
焼成してT s O2の一部を還元し、この焼成物を粉
砕しプレスして成型体(ベレット)を得、これを蒸着し
た。上記の方法により実施例1と同様のアクリル樹脂基
板上に、蒸着速度がPdは1人/S、(Te十Teo2
)は20A/Sで蒸着し、1200人の記録薄膜を形成
し光ディスクを作製した。
た方法について説明する。まず出発原料としてTe02
85wt%、 Al 15 wt%を少量ノアルコール
を用いて混合し、その粉末26yを石英ボートに乗せ、
電気炉を用いて700℃でN2ガスを流しながら2時間
焼成してT s O2の一部を還元し、この焼成物を粉
砕しプレスして成型体(ベレット)を得、これを蒸着し
た。上記の方法により実施例1と同様のアクリル樹脂基
板上に、蒸着速度がPdは1人/S、(Te十Teo2
)は20A/Sで蒸着し、1200人の記録薄膜を形成
し光ディスクを作製した。
上記記録薄膜をAESによ多元素分析した結果、Te:
60at%、O:30at%、Pd:10at %で
あった。また実施例1と同様の記録再生試験および耐湿
性試験を行なったところ、レーザー光照射後53m5e
cと2m1nでのCN比は共にa2dBであって高速に
記録が完了していることが確認され、また耐湿性評価は
Oであった。
60at%、O:30at%、Pd:10at %で
あった。また実施例1と同様の記録再生試験および耐湿
性試験を行なったところ、レーザー光照射後53m5e
cと2m1nでのCN比は共にa2dBであって高速に
記録が完了していることが確認され、また耐湿性評価は
Oであった。
実施例3
一つのソースのみから蒸着してTe−0−Pd薄膜を得
るために、出発原料として、TaO2:6゜wt% *
Al : 10 wt%、 Pd : 30 wt
%を少量のアルコールを用いて混合し、粉末26yを石
英ボートに乗せ、電気炉を用いて7oo℃でN2ガスを
流しながら2時間焼成してT e O2の一部をNで還
元し、この焼成物を粉砕しプレスしてペレフトを得、こ
れを蒸着した。上記の方法により実施例1と同様にアク
リル樹脂基板上に、蒸着速度を20入/Sとして蒸着し
、1200人の記録薄膜を形成し光ディスクを作製した
。
るために、出発原料として、TaO2:6゜wt% *
Al : 10 wt%、 Pd : 30 wt
%を少量のアルコールを用いて混合し、粉末26yを石
英ボートに乗せ、電気炉を用いて7oo℃でN2ガスを
流しながら2時間焼成してT e O2の一部をNで還
元し、この焼成物を粉砕しプレスしてペレフトを得、こ
れを蒸着した。上記の方法により実施例1と同様にアク
リル樹脂基板上に、蒸着速度を20入/Sとして蒸着し
、1200人の記録薄膜を形成し光ディスクを作製した
。
上記記録薄膜をAESにより元素分析した結果Te :
57at % 、○:36at%、Pdニアat%で
あった。また実施例1と同様の記録再生試験および耐湿
性試験を行なったところ、レーザー光照射後33m5e
cと2m1nでのCN比は共に60dBであって高速に
記録が完了していることが確認され、また耐湿性評価は
○であった。
57at % 、○:36at%、Pdニアat%で
あった。また実施例1と同様の記録再生試験および耐湿
性試験を行なったところ、レーザー光照射後33m5e
cと2m1nでのCN比は共に60dBであって高速に
記録が完了していることが確認され、また耐湿性評価は
○であった。
発明の効果
本発明による光学情報記録部材は、少なくともTe、
O,Pdからなり、前記Pdの含有量は5〜4Oatm
チ(好ましくは8〜35 atmチ)かつ、酸素の含有
量が2o〜e o atm% (好ましくは30〜55
atm% )の範囲で構成される薄膜を光学記録膜と
して有することにより、従来のTeOx薄膜を有する光
学情報記録部材よシも記録速度、CN比で大幅にまさる
ものであり、かつ優れた耐湿性を有するものである。
O,Pdからなり、前記Pdの含有量は5〜4Oatm
チ(好ましくは8〜35 atmチ)かつ、酸素の含有
量が2o〜e o atm% (好ましくは30〜55
atm% )の範囲で構成される薄膜を光学記録膜と
して有することにより、従来のTeOx薄膜を有する光
学情報記録部材よシも記録速度、CN比で大幅にまさる
ものであり、かつ優れた耐湿性を有するものである。
第1図は本発明による光学情報記録部材の一例を示す要
部断面図、第2図は本発明による光ディスクに情報信号
を記録・再生する装置の概略図である。 1・・・・・・基板、2・・・・・・記録薄膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 ? 第2図
部断面図、第2図は本発明による光ディスクに情報信号
を記録・再生する装置の概略図である。 1・・・・・・基板、2・・・・・・記録薄膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 ? 第2図
Claims (3)
- (1)TeとOとPdとを含んで構成され、TeとOと
Pdの総和に対するPdの含有量が5〜40atm%で
、かつ酸素の含有量が20〜60atm%である光学記
録薄膜を有することを特徴とする光学情報記録部材。 - (2)Pdの含有量が8〜35atm%で、かつ酸素の
含有量が30〜55atm%であることを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載の光学情報記録部材。 - (3)酸素がTeO_2として含まれている特許請求の
範囲第1項記載の光学情報記録部材。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59192003A JPS6168296A (ja) | 1984-09-13 | 1984-09-13 | 光学情報記緑部材 |
KR1019850006118A KR890004231B1 (ko) | 1984-09-13 | 1985-08-24 | 광학정보 기록부재와 그 제조방법 |
EP85111536A EP0174658B1 (en) | 1984-09-13 | 1985-09-12 | Optical information recording medium and method for making same |
US06/775,302 US4624914A (en) | 1984-09-13 | 1985-09-12 | Optical information recording medium of Te, O and Pd and method for making same |
DE8585111536T DE3579393D1 (de) | 1984-09-13 | 1985-09-12 | Aufzeichnungstraeger fuer optische information und verfahren zur erzeugung desselben. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59192003A JPS6168296A (ja) | 1984-09-13 | 1984-09-13 | 光学情報記緑部材 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6168296A true JPS6168296A (ja) | 1986-04-08 |
JPH029955B2 JPH029955B2 (ja) | 1990-03-06 |
Family
ID=16283985
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59192003A Granted JPS6168296A (ja) | 1984-09-13 | 1984-09-13 | 光学情報記緑部材 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4624914A (ja) |
EP (1) | EP0174658B1 (ja) |
JP (1) | JPS6168296A (ja) |
KR (1) | KR890004231B1 (ja) |
DE (1) | DE3579393D1 (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6216193A (ja) * | 1985-07-15 | 1987-01-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材 |
US5249175A (en) * | 1988-09-09 | 1993-09-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and information recording and reproducing method therefor |
US6229785B1 (en) | 1996-09-09 | 2001-05-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, its manufacturing method, optical information recording/reproducing method and optical information recorder/reproducer |
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