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JPS6141539A - 金属を積層した芳香族ポリエステル成型物 - Google Patents

金属を積層した芳香族ポリエステル成型物

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JPS6141539A
JPS6141539A JP16452084A JP16452084A JPS6141539A JP S6141539 A JPS6141539 A JP S6141539A JP 16452084 A JP16452084 A JP 16452084A JP 16452084 A JP16452084 A JP 16452084A JP S6141539 A JPS6141539 A JP S6141539A
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metal
polyester molded
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純治 高瀬
米沢 和弥
修 高松
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Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、表面に金属または金属酸化物を積層した芳香
族ポリエステル成型物に関する。更に詳しくは、芳香族
ポリエステルが、下記の一般式(式中、Xは炭素数1〜
10の置換或いは無置換の2価炭化水素基、 −Q −
、−s −、−802−及び−co−から選ばれる基、
R9B:は炭素数1〜20のアルキル、アリル、アラル
キル、アルコキシル。
アルコキシル及びアリルアルコキシル基、その置換体、
ハロゲン及びそれらの混合物から選ばれる1価の基、p
、qはp + q’= 1〜8の整数、m。
n、に、lは0又は1.但しm=1のときn\0゜k=
1のとき1INO1且つ(I)と(1)のモル比は(I
)/(I) + (If) = 1〜0である)で表わ
される、表面に金属または金属酸化物を積層した芳香族
ポリエステル成型物に関する。
(従来の技術) 近年、エレクトロニクスの進歩に伴い、VTl’L。
コンピュータ、ワードプロセッサなどの磁気テープ、コ
ンパクトディスク、フロッピーディスクなどの記録用磁
性材料、エレクトロルミネッセンス。
液晶、エレクトロクロミッタなどの固体ディスプレイ、
コンピュータ端末機器の透明スイッチ、メーター類の窓
、テレビブラウン管、半導体装材料など帯電防止用途、
太陽電池、光増幅器などの光電変換素子、デフロスタ、
航空機、自動車、冷凍庫の窓などの面発熱体などに高分
子材料成形体の表面に金属、金属酸化物を積層した成形
体が使用されるようになった。例えば、コンピュータの
記憶装置のフロッピーディスクでは二軸延伸ポリエステ
ルテープをベースとして、これに磁気媒体を塗布し用い
られているが、最近しだいに小型化され、8〜8.5イ
ンチ径のものが使われるようになってきている。小型化
に伴い、機器自体もコンパクトになり、持ち歩けるよう
になって、さまざまな環境条件下で使用されることが予
想される。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら現在のものでは、高温高湿下での寸法安定
性に難があり、必ずしも十分な性能とはいえない。さら
に、液晶、エレクトロルミネッセンスなどの固体ディス
プレイにおいても、軽く。
薄くとの要請から透明導電ガラスに代り透明導電フィル
ムが使われるようになっている。このような透明導電フ
ィルムのベースフィルムとしてポリイミドの使用が提案
されるが、非常に優れた耐熱性1寸法安定性を有してい
るにもかかわらず、透明性に劣ること、吸水率が高いこ
とにより用途が大幅に狭められている。またポリエチレ
ンテレフタレートの二軸延伸フィルムは、その透明性、
常温での機械特性、寸法安定性を有し優れた性能を持っ
ているが、耐熱寸法安定性に難があり、また二次転移温
度が低いためハンダ付工程を必要とする用途に用いるこ
とが困難である。さらに二軸延伸のため複屈折が大きく
、偏光現象を利用する液晶ディスプレイなどに利用する
ためには軸を合わせるという煩雑な操作がいる。またポ
リエチレン−2,6−ナフタレンジカルボキシレートの
二軸延伸フィルムは、上記ポリエチレンテレフタレート
の耐熱性を改良したフィルムとして提案されているが、
複屈折は避けられず、耐ハンダ性も十分とはいえない。
(問題点を解決するための手段) 本発明者らは、従来のこれら金属または金属酸化物を積
層した高分子化合物成形体に関し、鋭意研究した結果、
芳香族ポリエステル成形体を用いることにより、耐熱性
の大幅に改善された成形体を得られることを見い出し、
本発明に到達した。
すなわち、本発明は、下記の一般式 (式中、Xは炭素数1〜10の置換或いは無置換の2価
炭化水素基、 −0+、 −s −、−802−及び−
oo−から選ばれる基、i、fは炭素数1〜20のアル
キル、アリル、アラルキル、アルコキシル。
アルコキシル及びアリルアルコキシル基、その置換体、
ハロゲン及びそれらの混合物から選ばれる1価の基、p
、qはp+q=1〜8の整数、m。
n、に、lは0又は1.但しm=1のときn ’q O
+に=1のときl−0、且つ(I)と(1′)のモル比
は中/中+(I)=1〜0である)で表わされる、芳香
族ポリエステルの表面に金属または金属酸化物を積層し
た成形体に関する。
特に一般式(1)が (式中、R,R,p、qは前記に同じ)で表わされる芳
香族ポリエステルスルホンか、或いは一般式(1)が (式中、X、m、nは前記に同じ、R1〜R4ハ炭素数
1〜4のアルキル基、アルコキシル基、フェニル基及び
ハロゲン原子から選ばれる1価の基を示す)で表わされ
るビスフェノール成分の8,5位に置換基を有する芳香
族ポリエステルの場合に耐ハンダ性などの耐熱性改良効
果が著しい。更に、一般式(1)が (式中、R1−R4は前記に同じ)で表わされる、ビス
フェノール成分の3,5位に置換基を有する芳香族ポリ
エステルサルホンの場合に効果が著しい。
それらの中でも、特に、耐加水分解性、耐アルカリ性、
原料ビスフェノールの入手の容易さなどから、ビスフェ
ノール成分の8,5位に一0H9基を有する、(■)式
が下記式 で表わされる芳香族ポリエステルスルホンが有用である
このようなポリエステルスルホンは、例えば二次転移温
度については市販のビスフェノール−AとIPO/TP
O(イソフタル酸クロライド/テレフタル酸クロライド
)から成る芳香族ポリエステルと比べて85〜100°
Cの向上がみられる。
また、キャスティング法によって得られたフィルムは非
常に透明性が良好であり、例えば厚さ100μのフィル
ムでの吸光度は可視領域の全ての波長に対して0.05
以下と非常に低い値を示す。また、このフィルムは強靭
であり、実施例で示す通り高い引張物性を示す。
本発明における芳香族ポリエステルは、前記中で表わさ
れるユニットの他に、下記一般式(I)で表わされるユ
ニットを(I)/(1)+(1)= 1〜0の範囲で(
式中、k、lは0又は1.但しに=1のとき11’x<
O> 耐熱性の面からは(I)/(1)+(I) = 1〜0
.8であることが好ましい。また(I)のユニットを導
入し、共重合体とすることにより、溶融成型性を向上さ
せることが可能である。
本発明の芳香族ポリエステルの原料である、芳香核に置
換基を有するビス(4−ヒドロキシジフェニル)スルホ
ンとしては、下記一般式(4)で示される化合物が好適
であり、 (R,R’、p、qは前記に同じ) また、下記一般式■ (m + n + R1−R4は前記に同じ)で示され
る、芳香核の3,5位に置換基を有する化合物が好適で
ある。好ましくは、下記一般式(O (R1−R4は前記に同じ)で示される、芳香核の3,
5位に置換基を有する芳香族ポリエステルスルホンがあ
げられる。
具体的化合物として例示すれば、ビス(4−ヒドロキシ
−8−メチルフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキ
シ−8,5−ジメチルフェニル)スルホン、ビス(4−
ヒドロキシ−3−エチルフェニル)スルホン、ビス(4
−ヒドロキシ−3,5−ジエチルフェニル)スルホン、
ビス(4−ヒドロキシ−8,5−ジメトキシフェニル)
スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジェトキシ
フェニル)スルホン等が挙げられる。これらの中で特に
ビス(4−ヒドロキシ−8,5−ジメチルフェニル)ス
ルホンは入手の容易さの点からも有用な化合物である。
上記一般式(4)で示される化合物は単独で、あるいは
他の下記一般式で示される二官能性フェノール化合物と
任意の割合で混合して用いることができる。
(式中、X、に、lは前記に同じ) このような二官能性フェノール化合物を具体的に例示す
ると、2,2−ビス(8,5−ジメチル−4−ヒドロキ
シフェニル)プロパン、2,2−ビス(8,5−ジー5
ea−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2
,2−ビス(8,5−ジーtert −ブチル−4−ヒ
ドロキシフェニル)プロパン、ビス(8,5−ジメチル
−4−ヒドロキシフェニル)メタン、1,1−ビス(8
,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)エタン、1
,1−ビス(8,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニ
ル)シクロヘキサン、ビス(8,5−ジメチル−4−ヒ
ドロキシフェニル)ケトン、ビス(3,5−ジメチル−
4−ヒドロキシフェニル)エーテル、ビス(8,5−ジ
メチル−4−ヒドロキシフェニル)スルフィド、2,2
−ビス(8,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)
へキサフルオルプロパン、2,2−ビス(8,5−ジメ
トキシ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、ビス(8
,5−ジメトキシ−4−ヒドロキシフェニル)メタン、
2,2−ビス(8−メトキシ−4−ヒドロキシ−5−メ
チルフェニル)プロパン、ビス(8−メトキシ−4−ヒ
ドロキシ−5−メチルフェニル)メタン、ビス(8,5
−ジフェニル−4−ヒドロキシフェニル)メタン、2,
2−ビス(8,5−ジフェノキシ−4−ヒドロキシフェ
ニル)プロパン、ビス(8−フェノキシ−4−ヒドロキ
シ−5−メチル)メタン、4,4′−ジヒドロキシ−a
、 8: 5.5’−テトラメチルビフェニル、4,4
′−ジヒドロキシ−a、 8’、 5.5’−テトラエ
チルビフェニルなどが挙げられ、更に単核二官能性フェ
ノールとして、ヒドロキノン、レゾルシノールが挙げら
れる。
また、フェノールフタレイン、フルオレセイン。
ナフトフタレイン、チモールフタレインなどのビスフェ
ノール性色素等を使用することが可能である。これらは
単独でも、2種以上の混合物としても使用することがで
きる。
本発明における金属または金属酸化物としては、Fe、
Ni、 Or、 Oo+Al−Ag+ Ge+ Pde
 Pt、 In*Ou、AutTi及びこれらの酸化物
が挙げられる。
これら金属または金属酸化物に、磁性体であるc。
−Or金合金Co−Ni合金、酸化鉄、酸化クロム。
バリウム酸化鉄を用いると磁気テープやフロッピーディ
スクとして使用できる。これらは、本発明の芳香族ポリ
エステルの特徴である、高温下の寸法安定性のために苛
酷な環境条件下でも使用できる。
本発明の金属または金属酸化物として、透明導電性のも
のを用いた場合、例えば金、銀、銅、パラジウム等の金
属薄膜、酸化インジウム、酸化スズ、ヨウ化銅等の化合
物半導体膜、金、銀、銅。
パラジウム等の導電性金属膜を透明高屈折率薄膜ではさ
んだ積層体などから選ぶことができる。特にインジウム
スズ酸化物(I’l’O)は、その透明性と表面抵抗の
面から好適である。支持体にインジウムスズ酸化物の層
を形成するには、次の様にいろいろな方法がある。即ち
真空蒸着1反応性真空蒸着(低圧酸素雰囲気中)、DC
スパッタリング、RFスパッタリング、イオンブレーテ
ィングなどにより行なうことができる。
(発明の効果) 本発明の芳香族ポリエステルスルホンフィルムには、上
記どの方法を用いてもインジウムスズ酸化物の導電層を
設けることができるが、特に真空蒸着では、その二次転
移温度の高さ故に、基板温度を290°C付近まで上げ
ることが可能で、このことにより透明性と表面抵抗の点
で非常に有利である。すなわち、250℃付近の温度で
低圧酸素雰囲気下(5X 10−’Torr ) 、イ
ンジウム・スズ酸化物を真空蒸着することにより、従来
のように、蒸着後の熱酸化処理などという煩雑な操作な
くして透明で表面抵抗の低いフィルムが得られる。
さらに、本発明の芳香族ポリエステルスルホンフィルム
は、二軸延伸加工を施さなくても充分な機械的強度を持
ち、非晶質フィルムであるため、複屈折が小さく、液晶
表示板などの偏光現象を利用する用途にも好適である。
また耐熱性の点では透明導電フィルムを電気回路と結合
して、電子機器に接続する場合に、耐ハンダ浴特性が問
題になるが、本発明の芳香族ポリエステルスルホンでは
280°Cの高温ハンダ浴を用いることができる。
(実施例) 以下、本発明を、実施例をあげて説明するが、本発明は
、これら実施例のみに限定されるものではない。
実施例I N2気流下、ビス−(4−ヒドロキシ−8,5−ジメチ
ルフェニル)スルホン91.Og(297mmO1χp
 −tert−ブチルフェノール0.90f (6mm
ol)、亜ニチオン酸ナトリウム2.619 (15m
moAり、テトラブチルホスホニウムブロマイド0.2
049(0,6wnolJ )を1規定水酸化ナトリウ
ム水溶液750tttlに溶解し、水浴中冷却した。テ
レフタル酸クロライド86.559 (180mmoI
J)、イソフタル酸クロライド24.86 f (12
0mmo6)を塩化メチレン1000*tに溶解し水浴
中冷却したのち、上記水溶液に添加し50分間攪拌した
。塩化ベンゾイル4.2g(30mmol)を添加し、
さらに15分間攪拌を続けた。攪拌停止後、塩化メチレ
ン層を2回水洗後、希塩酸で水層のpHを4程度に保ち
ながら攪拌し、塩化メチレン層を中和した。
さらに4回水洗の後、アセトン8000gtを注ぎ、白
色ポリマーを析出させ、濾過により白色ポリマーを分離
し、さらにアセトン2000gtで洗浄した後、100
°C5時間減圧乾燥を行ない、重合体121.5Fを得
た。収率は93%であった。重合体のフェノール/ 1
.1.2.2−テトラクロルエタン(1:1重量比)混
合溶剤中、還元粘度は1.30di/fであった(32
°C,0゜829 /dlD度)。
実施例2 実施例1で得たポリマー6.5fを1.1.2.2−テ
トラクロルエタン4B、51に溶解し、ガラス板に流延
後、ホットプレート上で溶媒を60℃20分。
100℃20分、150℃20分加熱して除去した後、
ガラス板からフィルムをはがし、四方を持具で固定して
、800℃10分間熱固定を行ない、約100μm厚の
フィルムを得た。
このフィルムを幅1cI11の短冊に切り取り、280
℃ハンダ浴中、10秒浸漬したが、変化がなかった。他
の市販フィルムも同様のテストを行ない、表−1の結果
を得た。
(以下余白) 表−1 註: PFjEK   ポリエーテルエーテルケトンp
s     ポリスルホン PES    ポリエーテルスルボン pc     ポリカーボネート TM−ビスsqぐ七リアリレート  テトラメチル−ビ
スヌJ4 喉ボリアリレートまた、このフィルムの紫外
−可視スペクトルを測定したところ表−2のような結果
を得た。
表−2 実施例8 実施例2で得たフィルムを250°Cの加熱板ニセット
し、真空度を8 X 10−’tlHyまで上げた後、
02分圧5 X 10−’ mHyになるまで02を導
入し、ビーム加速電圧10kV、  ビーム電流l5t
nAで電子ビーム加熱により8n025 vt%を混入
したIn20Bをターゲットにして、2人/seaの速
さで真空蒸着した。得られた蒸着膜は膜厚500人であ
った。
このフィルムの紫外−可視光の透過率を測定したところ
表−8のようになった。また、表面抵抗は87Ω/口で
あった。
表−8

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)表面に金属または金属酸化物を積層してなること
    を特徴とする芳香族ポリエステル成型物。
  2. (2)芳香族ポリエステルが、下記の一般式▲数式、化
    学式、表等があります▼( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (式中、Xは炭素数1〜10の置換或いは無置換の2価
    炭化水素基、−O−、−S−、−SO_2−及び−CO
    −から選ばれる基、R、R′は炭素数1〜20のアルキ
    ル、アリル、アラルキル、アルコキシル、アリロキシル
    及びアリルアルコキシル基、その置換体、ハロゲン及び
    それらの混合物から選ばれる1価の基、p、qはp+q
    =1〜8の整数、m、n、k、lは0又は1、但しm=
    1のときn≠0、k=1のときl≠0、且つ( I )と
    (II)のモル比は(I)/(I)+(II)=1〜0であ
    る) で表わされる特許請求の範囲第1項記載の芳香族ポリエ
    ステル成型物。
  3. (3)(I)式が ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R、R′、p、qは前記に同じ)で表わされる
    特許請求の範囲第2項記載の芳香族ポリエステル成型物
  4. (4)( I )式が ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、X、m、nは前記に同じ、R_1〜R_4は炭
    素数1〜4のアルキル基、アルコキシル基、フェニル基
    及びハロゲン原子から選ばれる1価の基を示す)で表わ
    される特許請求の範囲第2項記載の芳香族ポリエステル
    成型物。
  5. (5)( I )式が ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R_1〜R_4は前記に同じ)で表わされる特
    許請求の範囲第2項記載の芳香族ポリエステル成型物。
  6. (6)( I )式が ▲数式、化学式、表等があります▼ で表わされる特許請求の範囲第2項記載の芳香族ポリエ
    ステル成型物。
  7. (7)金属または金属酸化物が、磁性金属または磁性金
    属酸化物である特許請求の範囲第1項記載の芳香族ポリ
    エステル成型物。
  8. (8)金属または金属酸化物が透明導電性である特許請
    求の範囲第1項記載の芳香族ポリエステル成型物。
  9. (9)成型物がフィルムまたはシートである特許請求の
    範囲第1項乃至第6項の何れかの項記載の芳香族ポリエ
    ステル成型物。
JP16452084A 1984-08-06 1984-08-06 金属を積層した芳香族ポリエステル成型物 Granted JPS6141539A (ja)

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JP16452084A JPS6141539A (ja) 1984-08-06 1984-08-06 金属を積層した芳香族ポリエステル成型物
US06/762,169 US4623710A (en) 1984-08-06 1985-08-05 Aromatic polyester molding
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