JPS61272368A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPS61272368A JPS61272368A JP11464185A JP11464185A JPS61272368A JP S61272368 A JPS61272368 A JP S61272368A JP 11464185 A JP11464185 A JP 11464185A JP 11464185 A JP11464185 A JP 11464185A JP S61272368 A JPS61272368 A JP S61272368A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- thin film
- filament
- film forming
- vapor deposition
- Prior art date
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- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、るつは内の蒸着物質を基板上に水着させて
薄膜を形成する薄膜形成装置、特にるつぼ内を電子ボン
バードにより加熱昇圧するフィラメントの巻回構造の改
良に関するものである。
薄膜を形成する薄膜形成装置、特にるつぼ内を電子ボン
バードにより加熱昇圧するフィラメントの巻回構造の改
良に関するものである。
第３図及び第４図は、例えば特開昭５４−９５４２号公
報に示されたものを基にした従来の＃膜形成装置を示す
断面図であり、図において、（１）は真空槽、（２）ハ
先端にノズル（２ａ）ｅ有する物質蒸気発生用るつぼ、
（８νは蒸着物質、（４）は蒸着物質（８）を加熱する
九めにるつぼ（２）の外周部に巻回配置された電子ボン
バード°用フィラメント、（５）は熱シールド板、（６
）はイオン化部、（７）は加速電極、（８）は物質蒸気
のクラスターイオンビーム、（９）は薄膜を被着すべき
基板である。
報に示されたものを基にした従来の＃膜形成装置を示す
断面図であり、図において、（１）は真空槽、（２）ハ
先端にノズル（２ａ）ｅ有する物質蒸気発生用るつぼ、
（８νは蒸着物質、（４）は蒸着物質（８）を加熱する
九めにるつぼ（２）の外周部に巻回配置された電子ボン
バード°用フィラメント、（５）は熱シールド板、（６
）はイオン化部、（７）は加速電極、（８）は物質蒸気
のクラスターイオンビーム、（９）は薄膜を被着すべき
基板である。
従来の薄膜形成装置は上記のように構成さｈ１真空槽（
１）内の高真空領域で、蒸着物質（３）を入れたるつぼ
（２） ｔ−、電子ボンバード用フィラメント（４）か
らの電子ボンバードにより加熱する。加熱を効率的に行
なうために、るつぼ（２）及び電子ボンバード用フィラ
メント（４）の周囲に熱シールド板（５）を設けている
。るつぼ（２）内の蒸着物質（８）の蒸気圧が数ＴＯＲ
，程度になると、蒸着物質（８）は、るつぼ（２）先端
に設けられたノズル（２ａ）から高真空領域へ噴出し、
このとき断熱膨張による過冷却状態に工って、クラスタ
ービーム（８）が発生する０これを、イオン化部（６）
で電子照射によりイオン化してクラスターイオンビーム
（８）とし、さらに、加速電極（γ）により加速して、
基板（９）に射突させ、基板（９）上に蒸着物質（８）
の薄膜を形成させる。
１）内の高真空領域で、蒸着物質（３）を入れたるつぼ
（２） ｔ−、電子ボンバード用フィラメント（４）か
らの電子ボンバードにより加熱する。加熱を効率的に行
なうために、るつぼ（２）及び電子ボンバード用フィラ
メント（４）の周囲に熱シールド板（５）を設けている
。るつぼ（２）内の蒸着物質（８）の蒸気圧が数ＴＯＲ
，程度になると、蒸着物質（８）は、るつぼ（２）先端
に設けられたノズル（２ａ）から高真空領域へ噴出し、
このとき断熱膨張による過冷却状態に工って、クラスタ
ービーム（８）が発生する０これを、イオン化部（６）
で電子照射によりイオン化してクラスターイオンビーム
（８）とし、さらに、加速電極（γ）により加速して、
基板（９）に射突させ、基板（９）上に蒸着物質（８）
の薄膜を形成させる。
上記のような従来の薄膜形成装置においては、るつぼ（
２）の上部には、クラスターイオンビーム（８）を通過
させる必要があることから熱シールド板（５）を設置す
ることができず、ためにるつぼ（２）内の蒸着物質（８
）の量が少なくなると、るつぼ（２）上部が冷えてるつ
ぼ（２）内の温度分布にバラ付きが生じ、安定した蒸着
運転が難しくなるという問題があった。
２）の上部には、クラスターイオンビーム（８）を通過
させる必要があることから熱シールド板（５）を設置す
ることができず、ためにるつぼ（２）内の蒸着物質（８
）の量が少なくなると、るつぼ（２）上部が冷えてるつ
ぼ（２）内の温度分布にバラ付きが生じ、安定した蒸着
運転が難しくなるという問題があった。
この発明はかかる問題点を解決する友めになされたもの
で、るつぼ内の蒸着物質の量が少なくなってもるつぼ内
の温度分布にパラ付きが生じることがなく、安定な蒸着
運転を確保することができる薄膜形成装置を得ることを
目的とする。
で、るつぼ内の蒸着物質の量が少なくなってもるつぼ内
の温度分布にパラ付きが生じることがなく、安定な蒸着
運転を確保することができる薄膜形成装置を得ることを
目的とする。
この発明に係る薄膜形成装置は、電子ボンバードにより
るつぼ内を加熱昇圧するためにるつぼの外周部に巻回配
置したフィラメントの巻回状態をるつぼ先端のノズル側
で密とするようにしたものである。
るつぼ内を加熱昇圧するためにるつぼの外周部に巻回配
置したフィラメントの巻回状態をるつぼ先端のノズル側
で密とするようにしたものである。
この発明においては、フィラメントの巻回状態が、るつ
ぼ先端のノズル側で密となっているので、るつぼ内の蒸
着物質の量が少なくなってもるつぼ内に温度勾配が生じ
難く、したがって安定な蒸着運転が可能となる。
ぼ先端のノズル側で密となっているので、るつぼ内の蒸
着物質の量が少なくなってもるつぼ内に温度勾配が生じ
難く、したがって安定な蒸着運転が可能となる。
第１図及び第２図はこの発明の一実施例を示すもので、
図中、第３図及び第４図と同一符号は同−又は相当部分
を示す。この実施例では、電子ボンバードによりるつぼ
（２）内を加熱昇圧するためにるつぼ（２）の外周部に
巻回配置したフィラメント（４）の巻回状態が、ノズル
（２ａ）側で密、下端側で粗となっており、粗密の程度
は、蒸着物質（８）の種類、量に応じて最適となるよう
に適宜設定される。そ □してこれにより、るつ
ぼ（２）内の蒸着物質（８）の量が少なくなってもるつ
ぼ（２）内に温度勾配が生じ難くなり、安定した蒸着運
転が可能となる。
図中、第３図及び第４図と同一符号は同−又は相当部分
を示す。この実施例では、電子ボンバードによりるつぼ
（２）内を加熱昇圧するためにるつぼ（２）の外周部に
巻回配置したフィラメント（４）の巻回状態が、ノズル
（２ａ）側で密、下端側で粗となっており、粗密の程度
は、蒸着物質（８）の種類、量に応じて最適となるよう
に適宜設定される。そ □してこれにより、るつ
ぼ（２）内の蒸着物質（８）の量が少なくなってもるつ
ぼ（２）内に温度勾配が生じ難くなり、安定した蒸着運
転が可能となる。
この発明は以上説明したとおり、るつぼ加熱昇圧用のフ
ィラメントの巻回状態を、るつぼ先端のノズル側で密と
するようにしているので、蒸着物質が少なくなった場合
にもるつぼ内に温度勾配が生じ難くなり、安定した蒸着
運転が可能となる等の効果がある。
ィラメントの巻回状態を、るつぼ先端のノズル側で密と
するようにしているので、蒸着物質が少なくなった場合
にもるつぼ内に温度勾配が生じ難くなり、安定した蒸着
運転が可能となる等の効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す断面図、第２図は第
１図の要部拡大斜視図、第３図は従来の薄膜形成装置を
示す第１図相当図、第４図は第３図の要部を示す第２図
相当図である。 （２）・・るつぼ （２ａ）・・ノズル（８）・
ｅ蒸着物質 （４）・・フィラメント（９）拳・基
板 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示すもの
とする。
１図の要部拡大斜視図、第３図は従来の薄膜形成装置を
示す第１図相当図、第４図は第３図の要部を示す第２図
相当図である。 （２）・・るつぼ （２ａ）・・ノズル（８）・
ｅ蒸着物質 （４）・・フィラメント（９）拳・基
板 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示すもの
とする。
Claims (1)
- るつぼの外周部に巻回配置したフィラメントからの電子
ボンバードによりるつぼ内を加熱昇圧し、るつぼ内に配
した蒸着物質の蒸気を、るつぼ先端のノズルから高真空
領域内に噴射して基板上に蒸着させるものにおいて、上
記フィラメントの巻回状態を、上記ノズル側で密とした
ことを特徴とする薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11464185A JPS61272368A (ja) | 1985-05-28 | 1985-05-28 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11464185A JPS61272368A (ja) | 1985-05-28 | 1985-05-28 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61272368A true JPS61272368A (ja) | 1986-12-02 |
Family
ID=14642886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11464185A Pending JPS61272368A (ja) | 1985-05-28 | 1985-05-28 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61272368A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006075755A1 (ja) * | 2005-01-17 | 2006-07-20 | Youtec Co., Ltd. | 蒸発源及び蒸着装置 |
| US7402779B2 (en) * | 2004-07-13 | 2008-07-22 | Lucent Technologies Inc. | Effusion cell and method for use in molecular beam deposition |
| CN103726022A (zh) * | 2013-11-22 | 2014-04-16 | 上海和辉光电有限公司 | 一种有机材料加热蒸镀源 |
-
1985
- 1985-05-28 JP JP11464185A patent/JPS61272368A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7402779B2 (en) * | 2004-07-13 | 2008-07-22 | Lucent Technologies Inc. | Effusion cell and method for use in molecular beam deposition |
| WO2006075755A1 (ja) * | 2005-01-17 | 2006-07-20 | Youtec Co., Ltd. | 蒸発源及び蒸着装置 |
| JPWO2006075755A1 (ja) * | 2005-01-17 | 2008-06-12 | 株式会社ユーテック | 蒸発源及び蒸着装置 |
| CN103726022A (zh) * | 2013-11-22 | 2014-04-16 | 上海和辉光电有限公司 | 一种有机材料加热蒸镀源 |
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