JPS61248301A - 導体組成物 - Google Patents
導体組成物Info
- Publication number
- JPS61248301A JPS61248301A JP8949685A JP8949685A JPS61248301A JP S61248301 A JPS61248301 A JP S61248301A JP 8949685 A JP8949685 A JP 8949685A JP 8949685 A JP8949685 A JP 8949685A JP S61248301 A JPS61248301 A JP S61248301A
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- Japan
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- film
- added
- conductor
- particle size
- powder
- Prior art date
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- Pending
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- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(M集土の利用分野)
本発明は、絶縁基板上に印刷焼成した後、エツチングに
よって微細な電気回路パターンを形成する為のAu導体
組成物の改良に係るもので、詳しくは膜厚が薄くても極
めて緻密で平滑なAuの導電性膜を印刷焼成することの
できるペースト状のAu導体組成物に関する。
よって微細な電気回路パターンを形成する為のAu導体
組成物の改良に係るもので、詳しくは膜厚が薄くても極
めて緻密で平滑なAuの導電性膜を印刷焼成することの
できるペースト状のAu導体組成物に関する。
(従来技術とその問題点)
近年、主としてサーマルヘッドの分野においては、解像
度を上げる為に高密度化が進み、発熱体としての抵抗体
も10〜16ドツト/mmのものが要求されているが、
このような高密度化を可能にする為には、発熱体を載せ
る電極として、従来から使用されてきたAu導体にも2
0〜40μの極細線(ファインライン)の解像度が要求
される。
度を上げる為に高密度化が進み、発熱体としての抵抗体
も10〜16ドツト/mmのものが要求されているが、
このような高密度化を可能にする為には、発熱体を載せ
る電極として、従来から使用されてきたAu導体にも2
0〜40μの極細線(ファインライン)の解像度が要求
される。
このような極細線(ファインライン)の形成には印刷法
は不可能で、通常均一なAuペーストを、必要なパター
ンを形成し得るだけの広さに印刷しホトレジストをかけ
た後、必要なパターンを焼付け、現像し、然る後不要な
Au膜をエツチングで取り除(方法が用いられる。
は不可能で、通常均一なAuペーストを、必要なパター
ンを形成し得るだけの広さに印刷しホトレジストをかけ
た後、必要なパターンを焼付け、現像し、然る後不要な
Au膜をエツチングで取り除(方法が用いられる。
斯かるエツチング法の場合、ホトレジストの厚さにも依
るが、導体の膜の表面は平滑で、凝集体に基づく突起物
や発泡があってはならない。また抵抗のばらつきをでき
るだけ抑える為に、しかもパターン精度の関係もあって
、Auの膜はできるだけ薄<、微密であることが必要で
ある。従来、4〜8ドツト/mmのサーマルヘッドにお
いては、Au導体の膜厚は3〜5μで十分であったが、
前述の理由から10〜16ドツト/mm以上のものにつ
いては、2〜3μの膜厚で、しかも表面が平滑で緻密な
膜を形成できるAu導体が必要である。
るが、導体の膜の表面は平滑で、凝集体に基づく突起物
や発泡があってはならない。また抵抗のばらつきをでき
るだけ抑える為に、しかもパターン精度の関係もあって
、Auの膜はできるだけ薄<、微密であることが必要で
ある。従来、4〜8ドツト/mmのサーマルヘッドにお
いては、Au導体の膜厚は3〜5μで十分であったが、
前述の理由から10〜16ドツト/mm以上のものにつ
いては、2〜3μの膜厚で、しかも表面が平滑で緻密な
膜を形成できるAu導体が必要である。
Auペーストで導体膜を形成する場合、より緻密な膜を
得る為に、例えば3μの膜を形成する場合においても、
1回の印刷で膜を形成せず、2〜3回にわけて印刷焼成
をくり返して膜を形成する方が、より緻密な膜が得られ
る。
得る為に、例えば3μの膜を形成する場合においても、
1回の印刷で膜を形成せず、2〜3回にわけて印刷焼成
をくり返して膜を形成する方が、より緻密な膜が得られ
る。
しかし、3μ以下の膜厚にする場合、フリットの量や質
によっても多少異なるが、平均粒径が1μ以上のAu粉
を使用した場合、ピンホールが多く、すけの多い膜が形
成される。Au膜のピンホールは、前述の極細線(ファ
インライン)を形成する場合、5μ程度のものがあると
、局部的に発熱体を載せる電極が細くなり、使用中に溶
断するという致命的な欠陥が生じる場合がある。
によっても多少異なるが、平均粒径が1μ以上のAu粉
を使用した場合、ピンホールが多く、すけの多い膜が形
成される。Au膜のピンホールは、前述の極細線(ファ
インライン)を形成する場合、5μ程度のものがあると
、局部的に発熱体を載せる電極が細くなり、使用中に溶
断するという致命的な欠陥が生じる場合がある。
一方、Au粉の平均粒径を細かく、例えば0.5μ以下
にした場合には、膜は緻密になるが、焼結が進み過ぎる
為、Au膜が発泡するという現象が生じ、前述の必要な
特性、即ち平滑な表面が得られなくなる。
にした場合には、膜は緻密になるが、焼結が進み過ぎる
為、Au膜が発泡するという現象が生じ、前述の必要な
特性、即ち平滑な表面が得られなくなる。
(発明の目的)
本発明は、前述の問題点を解決すべくなされたものであ
り、Au粉の平均粒径が1μ以下でも発泡が無く、表面
が平滑で緻密なAu膜を形成でき、また膜厚を3μ以下
にしてもピンホール、突起、発泡の無い緻密で表面平滑
なAu膜を形成できる導体組成物を提供することを目的
とするものであ−る。
り、Au粉の平均粒径が1μ以下でも発泡が無く、表面
が平滑で緻密なAu膜を形成でき、また膜厚を3μ以下
にしてもピンホール、突起、発泡の無い緻密で表面平滑
なAu膜を形成できる導体組成物を提供することを目的
とするものであ−る。
(問題点を解決するための手段)
前述の問題点を解決するための本発明の導体組成物は、
平均粒径0.1〜1.0μのAu粉にAuに対する重量
比でガラスフリット1〜8%と、有機ビヒクル10〜4
5%が添加され、さらにAuに対する重量比で0.01
〜0.6%のRhを含むRh化合物が添加されて成るも
のである。
平均粒径0.1〜1.0μのAu粉にAuに対する重量
比でガラスフリット1〜8%と、有機ビヒクル10〜4
5%が添加され、さらにAuに対する重量比で0.01
〜0.6%のRhを含むRh化合物が添加されて成るも
のである。
(実施例)
本発明の導体組成物の実施例を従来例と共に説明する。
先ず従来例1〜8について説明すると、平均粒径0.1
μ、0.3μ、0.5μ、0.8μ、1.0μ、1.2
μ、1.5μ、2.0μの各Au粉に、Auに対する重
量比で、夫々平均粒径0.5〜1μの軟化点620℃の
PbO−8203−ZnO系ガラスフリット2%とター
ピネオールにエチルセルロースを溶解した有機ビヒクル
÷%を添加したものを、混線分散して、8種類のペース
ト状のAu導体組成物を作った。この8種類のAu導体
組成物を、96%A+2o3のセラミック絶縁基板上に
印刷し、コンヘア類にて930°Cで焼成した。
μ、0.3μ、0.5μ、0.8μ、1.0μ、1.2
μ、1.5μ、2.0μの各Au粉に、Auに対する重
量比で、夫々平均粒径0.5〜1μの軟化点620℃の
PbO−8203−ZnO系ガラスフリット2%とター
ピネオールにエチルセルロースを溶解した有機ビヒクル
÷%を添加したものを、混線分散して、8種類のペース
ト状のAu導体組成物を作った。この8種類のAu導体
組成物を、96%A+2o3のセラミック絶縁基板上に
印刷し、コンヘア類にて930°Cで焼成した。
次に実施例1〜5及び比較例1〜3について説明すると
、従来例1〜8の成分組成に、さらにRhレジネート(
Rh4.7%含有)を用いてR)lをAuに対する重量
比で0.02〜0.3%添加したものを、混線分散して
、8種類のペースト状のAu導体組成物を作った。この
8種類のペースト状のAu導体組成物の最適なAuに対
するRh添加量(wt%)を調べた処、Au粉の平均粒
径とピンホールの無いAu膜厚及びRh添加量との間に
は、図に示すような関係が認められた。ここでピンホー
ルの無いAu膜厚とは、スクリーン印刷し、各々バック
ライト光が零になる脱字を測定したもので、3回に分け
て印刷焼成したものである。
、従来例1〜8の成分組成に、さらにRhレジネート(
Rh4.7%含有)を用いてR)lをAuに対する重量
比で0.02〜0.3%添加したものを、混線分散して
、8種類のペースト状のAu導体組成物を作った。この
8種類のペースト状のAu導体組成物の最適なAuに対
するRh添加量(wt%)を調べた処、Au粉の平均粒
径とピンホールの無いAu膜厚及びRh添加量との間に
は、図に示すような関係が認められた。ここでピンホー
ルの無いAu膜厚とは、スクリーン印刷し、各々バック
ライト光が零になる脱字を測定したもので、3回に分け
て印刷焼成したものである。
この図のグラフで明らかなようにAu粒の粒径が小さけ
れば小さい程、焼成プロセスでの焼結速度が早いので、
Auの焼結の進み過ぎを防ぐ為には、Rhの添加量を増
やす必要があることが判った。
れば小さい程、焼成プロセスでの焼結速度が早いので、
Auの焼結の進み過ぎを防ぐ為には、Rhの添加量を増
やす必要があることが判った。
Au粉の粒径の大きいもの、例えば1.5μ、2.0μ
以上のAu粉については、焼結が十分に進まない為、む
しろRhの添加量を抑える方が、他の特性例えばワイヤ
ーボンディング性の関係で好ましい。
以上のAu粉については、焼結が十分に進まない為、む
しろRhの添加量を抑える方が、他の特性例えばワイヤ
ーボンディング性の関係で好ましい。
こうして最適な量のRhが添加された実施例1〜5と比
較例1〜3の8種類のペースト状のAu導体組成物は、
96%AIZO3のセラミック絶縁基板上に印刷し、コ
ンベア炉にて930℃で焼成した。
較例1〜3の8種類のペースト状のAu導体組成物は、
96%AIZO3のセラミック絶縁基板上に印刷し、コ
ンベア炉にて930℃で焼成した。
然して従来例1〜8、実施例1〜5、比較例1〜3のA
u導体組成物及びそれらを印刷焼成して得たAu導電性
膜について、検査、試験、測定した処、下記の表に示す
ような結果を得た。
u導体組成物及びそれらを印刷焼成して得たAu導電性
膜について、検査、試験、測定した処、下記の表に示す
ような結果を得た。
尚、スクリーンは、エマルジョン厚6μで、総厚60μ
の#400メソシュのステンレス鋼メソシュを使用し、
ピンホールの測定は、20mmx20mmのバッドで膜
厚が3μになるように調整しバンクライト光による試験
を行った。
の#400メソシュのステンレス鋼メソシュを使用し、
ピンホールの測定は、20mmx20mmのバッドで膜
厚が3μになるように調整しバンクライト光による試験
を行った。
また、導体抵抗値の測定の為に、400μラインのパタ
ーンを用い、各々25μの厚さに換算して計算した。(
以下余白) 上記の表で明らかなように実施例1〜5は、従来例1〜
8及び比較例1〜3に比し、発泡しにくさ、ピンホール
のできにくさ、導体抵抗、ワイヤーボンディング性等を
総合的に判定して、優れた性能を有することが判る。こ
れはひとえにRhの添加により、焼成プロセスで生成さ
れるRh2O3がAu粒子の表面に生成され、Auの粒
子成長を抑制する結果、Auの焼結が抑制されるからに
他ならない。
ーンを用い、各々25μの厚さに換算して計算した。(
以下余白) 上記の表で明らかなように実施例1〜5は、従来例1〜
8及び比較例1〜3に比し、発泡しにくさ、ピンホール
のできにくさ、導体抵抗、ワイヤーボンディング性等を
総合的に判定して、優れた性能を有することが判る。こ
れはひとえにRhの添加により、焼成プロセスで生成さ
れるRh2O3がAu粒子の表面に生成され、Auの粒
子成長を抑制する結果、Auの焼結が抑制されるからに
他ならない。
尚、サーマルヘッドにおいて、発熱体の下には通常蓄熱
層としてガラス絶縁層を敷くことが行われており、この
ガラス絶縁層上ではアルミナ基板上よりもAuの焼結が
進み、ピンホールが大きくなる傾向がある為、焼結抑制
剤例えばA1□Ch、Ti0z、ZrO□等の微粉末が
添加されるが、この焼結抑制剤はアルミナ基板上でペー
スト状のAu導体組成物を印刷焼成した際にはある程度
効果があるものの、グレーズ上では効果が少ない。然る
に本発明のようにRhを少量でも添加すると、アルミナ
基板、グレーズいずれの上面でペースト状のAu導体組
成物を印刷焼成してもAuの焼結が抑制される。
層としてガラス絶縁層を敷くことが行われており、この
ガラス絶縁層上ではアルミナ基板上よりもAuの焼結が
進み、ピンホールが大きくなる傾向がある為、焼結抑制
剤例えばA1□Ch、Ti0z、ZrO□等の微粉末が
添加されるが、この焼結抑制剤はアルミナ基板上でペー
スト状のAu導体組成物を印刷焼成した際にはある程度
効果があるものの、グレーズ上では効果が少ない。然る
に本発明のようにRhを少量でも添加すると、アルミナ
基板、グレーズいずれの上面でペースト状のAu導体組
成物を印刷焼成してもAuの焼結が抑制される。
(発明の効果)
以上の説明で判るように本発明の導体組成物は、平均粒
径0.1〜1μのAu粉に、Auに対する重量比でガラ
スフリット1〜8%と、有機ビヒクル10〜45%を添
加した上、さらにRh化合物を用いてRhをAuに対す
る重量比で0.01〜0.6%と少量添加するだけで、
3μ以下の膜厚で、ピンホール、突起、発泡の無い緻密
で表面平滑なAu膜を形成できるという優れた効果があ
り、従来のAu導体組成物にとって代わることのできる
画期的なものと言える。
径0.1〜1μのAu粉に、Auに対する重量比でガラ
スフリット1〜8%と、有機ビヒクル10〜45%を添
加した上、さらにRh化合物を用いてRhをAuに対す
る重量比で0.01〜0.6%と少量添加するだけで、
3μ以下の膜厚で、ピンホール、突起、発泡の無い緻密
で表面平滑なAu膜を形成できるという優れた効果があ
り、従来のAu導体組成物にとって代わることのできる
画期的なものと言える。
尚、Rhは、通常Rhレジネートとして添加するのが最
も有効であるが、有機溶剤に可溶な錯体であれば使用で
きるものである。
も有効であるが、有機溶剤に可溶な錯体であれば使用で
きるものである。
また、印刷焼成時、密着力を上げる為に、Auに対する
重量比で0.1〜0.6%のCuzOを添加するように
しても良い。
重量比で0.1〜0.6%のCuzOを添加するように
しても良い。
【図面の簡単な説明】
図は、Au粉の粒径とピンホールの無いAu膜厚及びR
h添加量との関係を示すグラフである。
h添加量との関係を示すグラフである。
Claims (1)
- 平均粒径0.1〜1.0μのAu粉に、Auに対する
重量比でガラスフリット1〜8%と、有機ビヒクル10
〜45%が添加され、さらにAuに対する重量比で0.
01〜0.6%のRhを含むRh化合物が添加されて成
る導体組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8949685A JPS61248301A (ja) | 1985-04-25 | 1985-04-25 | 導体組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8949685A JPS61248301A (ja) | 1985-04-25 | 1985-04-25 | 導体組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61248301A true JPS61248301A (ja) | 1986-11-05 |
Family
ID=13972368
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8949685A Pending JPS61248301A (ja) | 1985-04-25 | 1985-04-25 | 導体組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61248301A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002293629A (ja) * | 2001-04-03 | 2002-10-09 | Fujitsu Ltd | 導電性セラミックス材料、電極部品、静電偏向器及び荷電粒子ビーム露光装置 |
JP2008235641A (ja) * | 2007-03-22 | 2008-10-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | セラミック多層基板の製造方法 |
-
1985
- 1985-04-25 JP JP8949685A patent/JPS61248301A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002293629A (ja) * | 2001-04-03 | 2002-10-09 | Fujitsu Ltd | 導電性セラミックス材料、電極部品、静電偏向器及び荷電粒子ビーム露光装置 |
JP2008235641A (ja) * | 2007-03-22 | 2008-10-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | セラミック多層基板の製造方法 |
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