JPS61239655A - Ic用リ−ドフレ−ム材 - Google Patents
Ic用リ−ドフレ−ム材Info
- Publication number
- JPS61239655A JPS61239655A JP8008385A JP8008385A JPS61239655A JP S61239655 A JPS61239655 A JP S61239655A JP 8008385 A JP8008385 A JP 8008385A JP 8008385 A JP8008385 A JP 8008385A JP S61239655 A JPS61239655 A JP S61239655A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- surface roughness
- brought
- sealing glass
- 2mum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、セラミック・デュアル・インラインz;’、
I W” y l−−94C)14k16 I 0
1F1 ’) −)°7′−”0・(素材の改良に関す
るものである。
I W” y l−−94C)14k16 I 0
1F1 ’) −)°7′−”0・(素材の改良に関す
るものである。
□
L・、1 〔従来の技術〕
: セラミック・プーアル・インライン型パック
−場 : ジは、■0素子を収納したセラミック襄の容器
とセラミック製の蓋の間にリードフレームを挾み、低融
点ガラスによって封着する構造になっている。
−場 : ジは、■0素子を収納したセラミック襄の容器
とセラミック製の蓋の間にリードフレームを挾み、低融
点ガラスによって封着する構造になっている。
該パッケージに用いるIC用リードフレームは、ICI
子とアル<=りム(AI)dで接続するため内偵リード
先端にAJ被被膜要する。このような ↓リードフ
レームは、コバール、42アロ4,52 ’アロ
イ、調停の帯条の一方の六面中央部−ζ長手方 、
向に沿りでlをクラッド、蒸着、スパッタリン 1
グ、イオンブレーティング等の手段でストライプ
′□状に被着した素材を用い、該A/被被膜両側に外
□部リードが形成されるようにプレス打抜き加工を
上記リードフレーム素材として従来コパールが
施して鵬遺される。
子とアル<=りム(AI)dで接続するため内偵リード
先端にAJ被被膜要する。このような ↓リードフ
レームは、コバール、42アロ4,52 ’アロ
イ、調停の帯条の一方の六面中央部−ζ長手方 、
向に沿りでlをクラッド、蒸着、スパッタリン 1
グ、イオンブレーティング等の手段でストライプ
′□状に被着した素材を用い、該A/被被膜両側に外
□部リードが形成されるようにプレス打抜き加工を
上記リードフレーム素材として従来コパールが
施して鵬遺される。
多く使用されてきたが、Q、p (D価格上昇に伴ない
;スト節減のため、42アロイ、52アqイ等を
・多(用いるようになりできた。ところがこれらの
i5素材は;バールに比べて封着ガラスとの接着力が
□゛小さく、リードに力が加わると境界のガラス
に亀 ”鋏が入り易い欠点があった。このような亀
裂の発生はパッケージの気密性を損なう。
;スト節減のため、42アロイ、52アqイ等を
・多(用いるようになりできた。ところがこれらの
i5素材は;バールに比べて封着ガラスとの接着力が
□゛小さく、リードに力が加わると境界のガラス
に亀 ”鋏が入り易い欠点があった。このような亀
裂の発生はパッケージの気密性を損なう。
このためガラスと接する部分のリード形状をできるだけ
接触面積が大きくなるように工大したり、 □アルミ
ニウムが比較的接着力が良好なことからAl被膜の面積
を広げたり、裏面にもAIを被着するなど種々の方策を
講じているのが実状である。
接触面積が大きくなるように工大したり、 □アルミ
ニウムが比較的接着力が良好なことからAl被膜の面積
を広げたり、裏面にもAIを被着するなど種々の方策を
講じているのが実状である。
しかしながらリード数が増えるとガラスと接する部分の
リードは細くせざるを得す、リード形状の工夫にも限度
があり、裏面へのA、l被着は被着工程が増えてコスト
高となるので、抜本的対策が必要とされていた〇 〔発明の目的〕 本発明は上記事情に鑑み、リードフレームの封着ガラス
との接着力を改善し、封着の信頼性を高めるべく為され
たものである。
リードは細くせざるを得す、リード形状の工夫にも限度
があり、裏面へのA、l被着は被着工程が増えてコスト
高となるので、抜本的対策が必要とされていた〇 〔発明の目的〕 本発明は上記事情に鑑み、リードフレームの封着ガラス
との接着力を改善し、封着の信頼性を高めるべく為され
たものである。
この目的を達成するため本発明のリードフレーム材は、
アルミニウム被膜の両側の封着ガラスと接するべき所定
範囲及び裏面の封着ガラスと接す1 6””所ゝ範i
moaiagi平:l!1〜2/J6L7’:1
点に特徴がある。
アルミニウム被膜の両側の封着ガラスと接するべき所定
範囲及び裏面の封着ガラスと接す1 6””所ゝ範i
moaiagi平:l!1〜2/J6L7’:1
点に特徴がある。
本発明のリードフレーム材も従来品と同様プレス打抜き
を施して■0用リードフレームに加工されるが、封着ガ
ラスと接する部分の表面粗さが従来品より大きくされて
いるため封着ガラスとの接着力が改善される。リードフ
レーム材の表面を粗くする手段はパフ研磨が適当で、こ
の研磨は帯条にAlを被着する前に行うのが実際的であ
る。従来品におい−CもAl被膜の接着力を良好ならし
めるためAA’を被着すべき部分を0.5〜0.7μの
表面粗さに研磨を施しているが、この研磨範囲を封着ガ
ラスと接するべき範囲に広げ且つ裏面も研磨し、更に研
磨の粗さを大きくすれば良く、工程を差程変えなくて済
むからである。
を施して■0用リードフレームに加工されるが、封着ガ
ラスと接する部分の表面粗さが従来品より大きくされて
いるため封着ガラスとの接着力が改善される。リードフ
レーム材の表面を粗くする手段はパフ研磨が適当で、こ
の研磨は帯条にAlを被着する前に行うのが実際的であ
る。従来品におい−CもAl被膜の接着力を良好ならし
めるためAA’を被着すべき部分を0.5〜0.7μの
表面粗さに研磨を施しているが、この研磨範囲を封着ガ
ラスと接するべき範囲に広げ且つ裏面も研磨し、更に研
磨の粗さを大きくすれば良く、工程を差程変えなくて済
むからである。
本発明においてガラスと接するべき部分の弐面粗さは、
1μ未満では充分な接着力が得られないため1μ以上と
する必要がある。この表面粗さは大きい程好ましいが、
上記のような工程でA/を被着した場合、A/被被膜表
面粗さも大きくなり、AI線の接続に支障があるので、
研磨の粗さは2μ以下にする必要がある。又、本発明に
おいて表面粗さが1〜2μである範囲を封着ガラスと接
するべき表面及び裏面に限定する理由は、IC素子のパ
ッケージング完了後外部リードに電気牛用メッキを施し
た際、表面の微小な凸部から電着が行なわれて凹部に充
分電着しないことが起り得るからである。
1μ未満では充分な接着力が得られないため1μ以上と
する必要がある。この表面粗さは大きい程好ましいが、
上記のような工程でA/を被着した場合、A/被被膜表
面粗さも大きくなり、AI線の接続に支障があるので、
研磨の粗さは2μ以下にする必要がある。又、本発明に
おいて表面粗さが1〜2μである範囲を封着ガラスと接
するべき表面及び裏面に限定する理由は、IC素子のパ
ッケージング完了後外部リードに電気牛用メッキを施し
た際、表面の微小な凸部から電着が行なわれて凹部に充
分電着しないことが起り得るからである。
長さ19.3 rls t 1llJ! 6.8 vr
wr 、厚さ2.5目の黒色のアルイナ製容器と蓋の間
に口字状の42アロイ製16ピ/リードフレームを挾み
、封着ガラスを介して封着した。このリードフレームの
外部リードに開くような方向の力を加え、パッケージの
破壊試験を行なった。その結果従来品のリードフレーム
材iこよると必ず蓋が封着ガラスとリードフレームの境
界付近で剥離すること、本発明のリードフレーム材によ
ると蓋が破緘されるか又は封着ガラス層の部分で剥離す
ることが確かめられた。
wr 、厚さ2.5目の黒色のアルイナ製容器と蓋の間
に口字状の42アロイ製16ピ/リードフレームを挾み
、封着ガラスを介して封着した。このリードフレームの
外部リードに開くような方向の力を加え、パッケージの
破壊試験を行なった。その結果従来品のリードフレーム
材iこよると必ず蓋が封着ガラスとリードフレームの境
界付近で剥離すること、本発明のリードフレーム材によ
ると蓋が破緘されるか又は封着ガラス層の部分で剥離す
ることが確かめられた。
この実験の結果から、本発明のリードフレーム材により
製造されたリードフレームはリードと封着ガラスの接着
強度は極めて強固であることが分るO 〔発明の効果〕 5一 本発明のリードフレーム材によれば封着ガラスとの接着
力は極めて強固になり、外部リードに多少力が加わって
も気密性が損われることがなく、パッケージの01順性
を向上することができる。この特性は振@環境下、加速
度環境下で特にX*であり、本発明のリードフレーム材
−こよればとのような環境下に耐え得る半導体装置を提
供すること ゛ができる。
製造されたリードフレームはリードと封着ガラスの接着
強度は極めて強固であることが分るO 〔発明の効果〕 5一 本発明のリードフレーム材によれば封着ガラスとの接着
力は極めて強固になり、外部リードに多少力が加わって
も気密性が損われることがなく、パッケージの01順性
を向上することができる。この特性は振@環境下、加速
度環境下で特にX*であり、本発明のリードフレーム材
−こよればとのような環境下に耐え得る半導体装置を提
供すること ゛ができる。
特許出願人 住友金属鉱山株式会社
6一
Claims (1)
- 金属帯条の一方の表面中央部に長手方向に沿ってスト
ライプ状のアルミニウム被膜を有するIC用リードフレ
ーム材において、該アルミニウム被膜の両側の所定範囲
及び裏面の所定範囲が平均1〜2μの表面粗さにされて
いることを特徴とするIC用リードフレーム材。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8008385A JPS61239655A (ja) | 1985-04-17 | 1985-04-17 | Ic用リ−ドフレ−ム材 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8008385A JPS61239655A (ja) | 1985-04-17 | 1985-04-17 | Ic用リ−ドフレ−ム材 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61239655A true JPS61239655A (ja) | 1986-10-24 |
Family
ID=13708321
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8008385A Pending JPS61239655A (ja) | 1985-04-17 | 1985-04-17 | Ic用リ−ドフレ−ム材 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61239655A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63192261A (ja) * | 1987-02-04 | 1988-08-09 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | ストライプ状クラツド板 |
JPH0529530A (ja) * | 1991-07-18 | 1993-02-05 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 半導体パツケージ用Cu系材料 |
-
1985
- 1985-04-17 JP JP8008385A patent/JPS61239655A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63192261A (ja) * | 1987-02-04 | 1988-08-09 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | ストライプ状クラツド板 |
JPH0529530A (ja) * | 1991-07-18 | 1993-02-05 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 半導体パツケージ用Cu系材料 |
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