JPS61155222A - ニオブとタンタルの分離法 - Google Patents
ニオブとタンタルの分離法Info
- Publication number
- JPS61155222A JPS61155222A JP27433484A JP27433484A JPS61155222A JP S61155222 A JPS61155222 A JP S61155222A JP 27433484 A JP27433484 A JP 27433484A JP 27433484 A JP27433484 A JP 27433484A JP S61155222 A JPS61155222 A JP S61155222A
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- JP
- Japan
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- iodide
- niobium
- tantalum
- hydrogen
- gas
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
1産業上の利用分野1
本発明咀NlrとTaの分離法に関Jるものである。
近11”、NbやTaの需要は増大しており、特に電子
材料用としては811度のNbやTbが要求されでいる
。
材料用としては811度のNbやTbが要求されでいる
。
NbとTaはイの物性が極めて良く類似しているためそ
の分離は容易ではなかった。このため高分頗効率、高収
率でNbとTaを分−1する方法が期待されCいlこ。
の分離は容易ではなかった。このため高分頗効率、高収
率でNbとTaを分−1する方法が期待されCいlこ。
[従来の技術]
NbとTaの分−1は塩化物の形で蒸留り゛る7j法や
弗酸に溶解して旧8Kを使用し、溶媒抽出する方法イf
どが知られており、近旬−は溶媒抽出法が主流どな・〕
Cいる、。
弗酸に溶解して旧8Kを使用し、溶媒抽出する方法イf
どが知られており、近旬−は溶媒抽出法が主流どな・〕
Cいる、。
しかし、溶媒抽出法では
1)強酸を使用しな【ノればならない
2) I稈がされめて艮い
3)υ1液処理が必要゛Cある
4)収率が悪いため、数回のフィードバックが必要であ
る 5)微量に含有覆るものは分離できない6)′M元され
にくい酸化物どしてしか得られないなど多くの問題点を
右しており、分−1精製プロレスとしては、効率が極め
て悪かった。
る 5)微量に含有覆るものは分離できない6)′M元され
にくい酸化物どしてしか得られないなど多くの問題点を
右しており、分−1精製プロレスとしては、効率が極め
て悪かった。
また、N11.Taを塩化物の形にし、水素還元づれば
塩化ニオブど塩化タンタルの水素還元の相違にJ:す、
塩化ニオブ(NbC125)のみを低級化(たとえばN
b5Cj!a)され低級塩化ニオブ(Nb3Cj!8
)と高級IN化タンタル(−1aJ lの蒸気1「差を
利用し分離精製りることし考えられるが、この方法((
,1、!i (10’C以上の高d11が必要である1
−に収率がG (1−7。
塩化ニオブど塩化タンタルの水素還元の相違にJ:す、
塩化ニオブ(NbC125)のみを低級化(たとえばN
b5Cj!a)され低級塩化ニオブ(Nb3Cj!8
)と高級IN化タンタル(−1aJ lの蒸気1「差を
利用し分離精製りることし考えられるが、この方法((
,1、!i (10’C以上の高d11が必要である1
−に収率がG (1−7。
%(゛実用的C′はイfい。
]発明が解決しJ、うとJる問題j;、C1木発明σ月
−」的(、上、以1−の様な従来法の問題点を−・挙に
解決り−る分離法を提供覆ることにある。
−」的(、上、以1−の様な従来法の問題点を−・挙に
解決り−る分離法を提供覆ることにある。
りなわ)〕、本発明はNbおよび1aを沃1ヒ物の形に
変え、簡甲イ丁装首を用い加熱処理IJるlこIJ c
高収率心弁1ilII率(・分離C′き、しかし精製物
が熱分解及び/又は水に3’M元の容易な沃化物の形C
1!7ることがC′さるというNl)と18の分離方法
である。
変え、簡甲イ丁装首を用い加熱処理IJるlこIJ c
高収率心弁1ilII率(・分離C′き、しかし精製物
が熱分解及び/又は水に3’M元の容易な沃化物の形C
1!7ることがC′さるというNl)と18の分離方法
である。
[問題を解決Jる1、lめの手段」
本発明の要旨はNb、Taを沃化物の形にし、沃化物に
対しく、不活P1イ「ガス、もしくは水素含有ガス雰囲
気のbどC・′適当イ(4度て゛加熱処理りることにJ
、す11)b級ン入化ニオブ(NbI4−5 )のみを
優先的に熱分wt又は/及び水素還元し、低級化(たど
えホNb、lI a 、 N1)I’、 3 ) C5
1!、低級を大過−tゾどa級ン天化クンタル(1’a
I、)の人さイ1熱気11X−を利用りることC・従来
法にイ1い低jj+o 、l!’l収率1.Q9分頭亭
(容易にNbど1aを分出11することが(パさ゛る。
対しく、不活P1イ「ガス、もしくは水素含有ガス雰囲
気のbどC・′適当イ(4度て゛加熱処理りることにJ
、す11)b級ン入化ニオブ(NbI4−5 )のみを
優先的に熱分wt又は/及び水素還元し、低級化(たど
えホNb、lI a 、 N1)I’、 3 ) C5
1!、低級を大過−tゾどa級ン天化クンタル(1’a
I、)の人さイ1熱気11X−を利用りることC・従来
法にイ1い低jj+o 、l!’l収率1.Q9分頭亭
(容易にNbど1aを分出11することが(パさ゛る。
。
以1・ニドのiiY細について説明りる。
「作用1
本発明iJJ、る分d1法にJ、ればNb、r;iを含
む金属または化合物を骨天化二Aゾ、?沃化タンタルの
詳合物に変換し、加熱処理Jるだ+J (高収率、7H
%分解rl+ C−分離りることがCさる。、;L/、
:水素含イj−刀ス雰囲気(加熱処理Jることにより収
率が飛241的に向1−でさ′る。
む金属または化合物を骨天化二Aゾ、?沃化タンタルの
詳合物に変換し、加熱処理Jるだ+J (高収率、7H
%分解rl+ C−分離りることがCさる。、;L/、
:水素含イj−刀ス雰囲気(加熱処理Jることにより収
率が飛241的に向1−でさ′る。
ここ(゛使用Jるン大化物とはどの様な製法で作成した
しのrし良く、限定はしないが高級沃化物である方か望
ましい。ン仄化物の形状には特に制限は<7いが、粉末
の状態C加熱処理し/jブノが知11.1間で゛分離が
終了Jる。
しのrし良く、限定はしないが高級沃化物である方か望
ましい。ン仄化物の形状には特に制限は<7いが、粉末
の状態C加熱処理し/jブノが知11.1間で゛分離が
終了Jる。
本発明JJ法にお(ノる加熱温痘は200−・600℃
で<r LJれぼい1ノへ−い。収率おJζび分離率を
考1i危した場合、不活Iノ+ガス使用時には2!;0
・〜4り0℃、水素含右万ス使l旧()には200−・
400°Cが高収率、高分HI率(・分離1りるのに好
J、しい加熱記Iαである。。
で<r LJれぼい1ノへ−い。収率おJζび分離率を
考1i危した場合、不活Iノ+ガス使用時には2!;0
・〜4り0℃、水素含右万ス使l旧()には200−・
400°Cが高収率、高分HI率(・分離1りるのに好
J、しい加熱記Iαである。。
の加熱に際しC,高収率、高力1il114′−を((
lるためには、シー旨tB速度を考虞Jる必要がある。
lるためには、シー旨tB速度を考虞Jる必要がある。
貝イホ的には100℃/′1n団以−[どりることが好
ましい。
ましい。
さらに気相をりみ−すかに系外に刊気覆るため4−11
リアーガスを利用りるのが好ましく、−11?リアーカ
スどじでは、使用雰囲気ガスを適hi使用Jる。
リアーガスを利用りるのが好ましく、−11?リアーカ
スどじでは、使用雰囲気ガスを適hi使用Jる。
被粕製物(パある高級沃化ニオブ、高級沃化タンタルの
組成は、金属Nt+、l’a換算で50wtχづつ含有
したしのかlう一1〕が数1100pp程度しか含有し
−(いないしのまで適用(きる。
組成は、金属Nt+、l’a換算で50wtχづつ含有
したしのかlう一1〕が数1100pp程度しか含有し
−(いないしのまで適用(きる。
この分離機構は不Fli性ガス雰囲気の場合、高級ン仄
化ニオブは約20(1’$y庶から沃素を遊1!1L低
級化が開始し、約300・〜350℃で低級沃化ニオブ
が生成し始めるのに対し、高級沃化タンタルは低級化し
ないため、高級沃化ニオブど高級沃化タンタルの大ぎな
蒸気圧差によりNllと1aは分離ツることができる。
化ニオブは約20(1’$y庶から沃素を遊1!1L低
級化が開始し、約300・〜350℃で低級沃化ニオブ
が生成し始めるのに対し、高級沃化タンタルは低級化し
ないため、高級沃化ニオブど高級沃化タンタルの大ぎな
蒸気圧差によりNllと1aは分離ツることができる。
そし−C600°C以FCは低級沃化ニオブも気化し始
める。
める。
ざらに、水素含有ガス雰囲気で加熱処理した揚合高級沃
化二オブの低級化減少は、100°C程度から進行し始
め、約250〜300 ’CU低級沃化ニオブが生成し
始める。!1なわら低級ン仄化ニオブの安定?Aa瓜が
不活性ガス使用時より−b約50℃低下り”る。
化二オブの低級化減少は、100°C程度から進行し始
め、約250〜300 ’CU低級沃化ニオブが生成し
始める。!1なわら低級ン仄化ニオブの安定?Aa瓜が
不活性ガス使用時より−b約50℃低下り”る。
これに対し、高級沃化タンタルの熱的挙動に変化1、i
生じないため、低級沃化ニオブど高級沃化タンタルの蒸
気圧差はさらに多きくなり収率、分離率ども飛躍的に向
上づる。
生じないため、低級沃化ニオブど高級沃化タンタルの蒸
気圧差はさらに多きくなり収率、分離率ども飛躍的に向
上づる。
この発明で使用Jる装置の概略図を第1図に示り。
図中の■よりキャリアガスを適量■の加熱処理用反応管
内に挿入し、高級沃化ニオブど高級沃化タンタルの混合
ンス化物を■に(+5ぎ加熱処理する。気化した高級沃
化タンタルは■の沃化タンタル用トラップで捕集され、
低級化された低級ン久化ニオブ■に残る。■は高級沃化
タンタルの捕集率を向上Jるためのフィルターであり、
排ガスは■のIJ1ガスラインより排気される。
内に挿入し、高級沃化ニオブど高級沃化タンタルの混合
ンス化物を■に(+5ぎ加熱処理する。気化した高級沃
化タンタルは■の沃化タンタル用トラップで捕集され、
低級化された低級ン久化ニオブ■に残る。■は高級沃化
タンタルの捕集率を向上Jるためのフィルターであり、
排ガスは■のIJ1ガスラインより排気される。
以上の様に高級沃化ニオブど高級ン仄化タンタルの熱的
性質および水系還元的性質の相違を利用することにJ、
す、高温tαで含有している場合におい”C”l:l
i回の加熱処理にJ、って85%以上の^収率C・ざら
に心弁1illI率で分−IJることができ、従来法に
比べ収率・分離率ど6飛躍的に向上されるどい−う分離
1ノ?人である。
性質および水系還元的性質の相違を利用することにJ、
す、高温tαで含有している場合におい”C”l:l
i回の加熱処理にJ、って85%以上の^収率C・ざら
に心弁1illI率で分−IJることができ、従来法に
比べ収率・分離率ど6飛躍的に向上されるどい−う分離
1ノ?人である。
さらに本分離方法にJ、り得られたンス化物は比較的低
どぶで熱分解及び/又は水素還元するため容易に金属化
することができる。
どぶで熱分解及び/又は水素還元するため容易に金属化
することができる。
[発明の効果]
以上の説明から明らかム様に本発明によれぽ1)簡甲イ
J:装置・↓程で 2)低温熱処3!1!(200−600℃)J−るだけ
で3)高収率(8!i%以−1勺、高分離率(゛分離で
き4)精製物(、L熱分解及び、2/又は水素還元の容
易イ1へ化物どして得ることができる、。
J:装置・↓程で 2)低温熱処3!1!(200−600℃)J−るだけ
で3)高収率(8!i%以−1勺、高分離率(゛分離で
き4)精製物(、L熱分解及び、2/又は水素還元の容
易イ1へ化物どして得ることができる、。
「実施例1
次に実施例にJ:りさらに1細に説明でるが、本発明は
これらに限定されるものz= i、tない。
これらに限定されるものz= i、tない。
実施例゛l
第1図の装置を使用した。原181沃化物の組成は0.
12w1:χ沃化タンクル(1’aI!i)を含イ1−
スる沃化ニオブ(NbI 5 ) (2(1001)l
)m’raを含有づるNbを沃素化し作成)を50(]
用いた。1:I/リアーガスどしc100mi!/m団
のへトガスを使用し、1aの除去を目的とし2時間の加
熱処理を行った。シフ1fla速瓜は500℃/ m
i nどした。残った妖化二詞ブに含有する1a(Nb
ベース)がどNb収率は、表−1の様に41つだ。
12w1:χ沃化タンクル(1’aI!i)を含イ1−
スる沃化ニオブ(NbI 5 ) (2(1001)l
)m’raを含有づるNbを沃素化し作成)を50(]
用いた。1:I/リアーガスどしc100mi!/m団
のへトガスを使用し、1aの除去を目的とし2時間の加
熱処理を行った。シフ1fla速瓜は500℃/ m
i nどした。残った妖化二詞ブに含有する1a(Nb
ベース)がどNb収率は、表−1の様に41つだ。
実施例2
キレリアーガスとして水素ガス10(7!/III団を
使用し、他は実施例1ど回じ条(’I C゛加熱処理し
た。
使用し、他は実施例1ど回じ条(’I C゛加熱処理し
た。
結果を表−2に示した。
以上の様に水素ガス使用により収率が飛躍的に面一1ニ
しlこ。
しlこ。
実施例3
50wt%ずつ含む金属Nl)および金属Taを1人素
化し、混合沃化物(NbI s +TaI 5 )を作
成し、水素ガス100.d/min 、熱処理時間4]
IRの条件で5agを、熱処理した。結果を表−3に示
した1、(W温速亀り00℃/IIain ) 実施例1 金属Ia (Nb 5(10p囲1含右)を八木化した
混合沃化物(Nb J 、−l−1’a ■、J) !
i0gを、水素ガス100 m97 m In中で加熱
処J(旧1.′i間2111+の条件で加熱処理しIこ
。結果を表−4に示した。(シILf速度500°に、
’m1n) 表−4 実施例5) 実施例I J> J=’び2て・使用した原料沃化物を
使用し、+トリノ′−刀スどして水素100d/…1n
加熱処理300℃J3よび400°C1加熱処理り間2
11Rの条ft −C1f1if++l速度ヲ150°
C/min 、 300℃/min、500℃2”
III団ど変化さt!た場合の残ン仄化二Δブ中にJ(
石りるIa(Nbへ−ス) iljどNl)収率の結束
を表−5)に示した。
化し、混合沃化物(NbI s +TaI 5 )を作
成し、水素ガス100.d/min 、熱処理時間4]
IRの条件で5agを、熱処理した。結果を表−3に示
した1、(W温速亀り00℃/IIain ) 実施例1 金属Ia (Nb 5(10p囲1含右)を八木化した
混合沃化物(Nb J 、−l−1’a ■、J) !
i0gを、水素ガス100 m97 m In中で加熱
処J(旧1.′i間2111+の条件で加熱処理しIこ
。結果を表−4に示した。(シILf速度500°に、
’m1n) 表−4 実施例5) 実施例I J> J=’び2て・使用した原料沃化物を
使用し、+トリノ′−刀スどして水素100d/…1n
加熱処理300℃J3よび400°C1加熱処理り間2
11Rの条ft −C1f1if++l速度ヲ150°
C/min 、 300℃/min、500℃2”
III団ど変化さt!た場合の残ン仄化二Δブ中にJ(
石りるIa(Nbへ−ス) iljどNl)収率の結束
を表−5)に示した。
表−5
M′11図は、本発明り法を実施する際の装置の概略図
を承り。 ■・・・・・・−1=i−リアルガス挿入口■・・・・
・・加熱処理用反応管 ■・・・・・・沃化ニオブ、沃化タンタル混合物■・・
・・・・沃化タンタル ■・・・・・・ン人化タンタルi〜ラップ■・・・・・
・υ1ガス出口 ■・・・・・・フィルター ’Ei’ ii’f出願人 東洋曹達工業株式会社第1
図 ■
を承り。 ■・・・・・・−1=i−リアルガス挿入口■・・・・
・・加熱処理用反応管 ■・・・・・・沃化ニオブ、沃化タンタル混合物■・・
・・・・沃化タンタル ■・・・・・・ン人化タンタルi〜ラップ■・・・・・
・υ1ガス出口 ■・・・・・・フィルター ’Ei’ ii’f出願人 東洋曹達工業株式会社第1
図 ■
Claims (1)
- 1)ニオブ(Nb)およびタンタル(Ta)からなる沃
化物混合物をこれに対し不活性なガス又は水素含有ガス
中で200〜600℃で加熱処理することを特徴とする
ニオブ(Nb)とタンタル(Ta)の分離法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27433484A JPS61155222A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | ニオブとタンタルの分離法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27433484A JPS61155222A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | ニオブとタンタルの分離法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61155222A true JPS61155222A (ja) | 1986-07-14 |
JPH0526726B2 JPH0526726B2 (ja) | 1993-04-19 |
Family
ID=17540207
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27433484A Granted JPS61155222A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | ニオブとタンタルの分離法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61155222A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0328333A (ja) * | 1989-06-27 | 1991-02-06 | Tosoh Corp | ニオブ・チタン合金スクラップまたはフェロニオブから高純度ニオブ及びその誘導体の回収法 |
JPH0328334A (ja) * | 1989-06-27 | 1991-02-06 | Tosoh Corp | タンタルスクラップから高純度タンタル及びその誘導体の回収法 |
JPH0528612U (ja) * | 1991-09-21 | 1993-04-16 | 株式会社イナツクス | 開口形成用型 |
JP2008231509A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Toho Titanium Co Ltd | 高純度金属およびその製造方法 |
-
1984
- 1984-12-28 JP JP27433484A patent/JPS61155222A/ja active Granted
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0328333A (ja) * | 1989-06-27 | 1991-02-06 | Tosoh Corp | ニオブ・チタン合金スクラップまたはフェロニオブから高純度ニオブ及びその誘導体の回収法 |
JPH0328334A (ja) * | 1989-06-27 | 1991-02-06 | Tosoh Corp | タンタルスクラップから高純度タンタル及びその誘導体の回収法 |
JP2894725B2 (ja) * | 1989-06-27 | 1999-05-24 | 東ソー株式会社 | タンタルスクラップから高純度タンタル及びその誘導体の回収法 |
JPH0528612U (ja) * | 1991-09-21 | 1993-04-16 | 株式会社イナツクス | 開口形成用型 |
JP2008231509A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Toho Titanium Co Ltd | 高純度金属およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0526726B2 (ja) | 1993-04-19 |
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