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JPS61131295A - Back-up device of dynamic ram - Google Patents

Back-up device of dynamic ram

Info

Publication number
JPS61131295A
JPS61131295A JP59253008A JP25300884A JPS61131295A JP S61131295 A JPS61131295 A JP S61131295A JP 59253008 A JP59253008 A JP 59253008A JP 25300884 A JP25300884 A JP 25300884A JP S61131295 A JPS61131295 A JP S61131295A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
power supply
power source
electric power
power
dynamic ram
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59253008A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Akira Oba
章 大庭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP59253008A priority Critical patent/JPS61131295A/en
Publication of JPS61131295A publication Critical patent/JPS61131295A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To refresh automatically a dynamic RAM regardless of the type at the time of turning off the electric power source by changing over an electric power source, and selecting and refreshing an address signal and an address reading command from a counter when the electric power source is abnormal. CONSTITUTION:When the electric power source abnormality is detected, the electric power source is changed over to a back-up electric power source of a battery, etc., by an electric power source off detecting circuit 11 and an electric power source change-over circuit 12, and an electric power source power is supplied only to an oscillator 7, a counter 8, selector 10, a memory part 1, etc. On the other hand, a selector 11 controlled by the circuit 11 selects a row address and a row address reading command which the counter 8 outputs, accessed by a row address and the memory part 1 row-address-select(RAS)-only- refreshed. Consequently, regardless of the type pf the dynamic RAS, the dynamic RAM is automatically refreshed when the electric power source is turned off.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の技術分野] 本発明はマイクロコンピュータ等を応用したシステムに
おけるデータ記憶用のダイナミックRAMのバックアッ
プを行うバックアップ装置に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a backup device for backing up a dynamic RAM for data storage in a system to which a microcomputer or the like is applied.

[発明の技術的背景とその問題点] マイクロコンピュータ等を応用した各種装置においては
データの記憶素子としてgRAM (ランダム・アクセ
ス・メモリ)は欠くことの出来ないものである。しかし
ながら、RAMは電源が無くなると記憶データを失う欠
点がある。コンピュータやマイクロコンピュータ応用機
器の中には停電時にも記憶データを保持しておき、電源
が復帰した時にそのデータを使って動作を再開させる必
要のあるものもあり、従って、このような装置では停電
時のRAMのバックアップが必要である。
[Technical background of the invention and its problems] gRAM (random access memory) is indispensable as a data storage element in various devices to which microcomputers and the like are applied. However, RAM has the disadvantage that it loses stored data when the power goes out. Some computers and microcomputer-applied equipment must retain stored data even in the event of a power outage, and use that data to resume operation when power is restored. It is necessary to back up the RAM.

ところで、RAMには大別してダイナミックRAMとス
タティックRAMがあり、ダイナミックRAMは一素子
当りの記憶容量も大きく、安価である反面、記憶を保持
させるためには常にリフレッシュが必要である。一方、
スタティックRAMはこのようなリフレッシュが無要で
あるが一素子当りの記憶容量が少ないと云う欠点がある
Incidentally, RAM can be roughly divided into dynamic RAM and static RAM. Dynamic RAM has a large storage capacity per element and is inexpensive, but requires constant refreshing to retain memory. on the other hand,
Although static RAM does not require such refreshing, it has the disadvantage that the storage capacity per element is small.

しかし、スタティックRAMには極めて消費電力の小さ
いC−MOSスタティックRAMがあり、これは高価で
はあるがバッテリーバックアップが可能であるので、停
電時にRAMのバックアップが必要である場合は、通常
、このC−MOSスタティックRAMが使用される。
However, static RAM includes C-MOS static RAM, which has extremely low power consumption, and although it is expensive, battery backup is possible, so if RAM backup is required during a power outage, this C-MOS static RAM is usually used. MOS static RAM is used.

しかし、(、−MOSスタティックRAMは高価で、容
量もダイナミックRAMに較べ小さいことから、製品の
コストとの兼合いでシステムのC−ティ MOSスタチックRAMの使用領域はメモリエリアの極
僅かの領域に止どめる必要があり、従って、保護すべぎ
データの容量も最小限に止どめざるを得ない。
However, (-MOS static RAM is expensive and has a smaller capacity than dynamic RAM, so the area used by the C-T MOS static RAM in the system is limited to a very small area of the memory area in consideration of product cost.) Therefore, the amount of data to be protected must be kept to a minimum.

しかしながら、近年においては保護したいデータの容量
も大きくなり、また、電源瞬断などは常に起り得ること
から、このような場合にも、電源回復後、作業を続行さ
せることが出来るよう、できればRAM上の内容は停電
時においても保持したいところである。
However, in recent years, the amount of data that needs to be protected has become larger, and instantaneous power outages are always a possibility. It is desirable to retain the contents even during a power outage.

そこで、ダイナミックRAMのバックアップ装置の実現
が嘱望される。
Therefore, it is desired to realize a dynamic RAM backup device.

[発明の目的] 本発明は上記の事情に鑑みて成されたものであり、その
目的とするとするところはダイナミックRAMのバック
アップを可能にするダイナミックRAMのバックアップ
装置を提供することにある。
[Object of the Invention] The present invention has been made in view of the above circumstances, and its object is to provide a dynamic RAM backup device that enables dynamic RAM backup.

[発明の概要] すなわち、本発明は上記目的を達成するため、ダイナミ
ックRAMをメモリ素子として用いた装置のバックアッ
プ装置として、システム電源のレベルを検知して電源異
常を検知する手段と、電源異常が検知された時、バッテ
リによる非常用電源に切換えて前記メモリ素子に与える
電源切換え手段と、電源異常が検知された時、前記非常
用電源により動作してダイナミックRAMリフレッシュ
用のアドレス信号及び行アドレス信号読込みの指令信号
を発生する手段と、電源異常が検知された時、このアド
レス信号及び行アドレス信@読込みの指令信号発生手段
の発生したアドレス信号及び行アドレス信号読込みの指
令信号を前記メモリ素子に与えるとともに非アクティブ
の列アドレス読込み信号を該メモリ素子に与える手段と
より構成し、停電時にこれを検知して電源をバッテリに
切換え、このバッテリの出力を前記メモリ素子およびカ
ウンタによるアドレス、コントロール信号の発生手段に
与えて、リフレッシュ用のアドレスおよびコントロール
信号を発生させるようにし、これをメモリ素子に与えて
RASオンリー・リフレッシュを行うようにして、いか
なるダイナミックRAMを用いたメモリ装置であっても
、停電時にその内容のバックアップをすることが出来る
ようにする。
[Summary of the Invention] That is, in order to achieve the above object, the present invention provides a means for detecting a power abnormality by detecting the level of a system power supply, and a means for detecting a power abnormality by detecting a power abnormality, as a backup device for a device using a dynamic RAM as a memory element. a power supply switching means that switches to an emergency power supply from a battery to supply the memory element when an abnormality in the power supply is detected; and an address signal and a row address signal for dynamic RAM refresh that operate from the emergency power supply when an abnormality in the power supply is detected; means for generating a read command signal; and when a power supply abnormality is detected, the address signal and row address signal @read command signal generated by the read command signal generating means are sent to the memory element. and a means for supplying an inactive column address read signal to the memory element, detecting this in the event of a power outage, switching the power supply to a battery, and using the output of this battery to read the address and control signals from the memory element and the counter. By supplying the generating means to generate address and control signals for refresh, and supplying these to the memory element to perform RAS-only refresh, any memory device using dynamic RAM can be used without power outage. Make it possible to back up the contents from time to time.

[発明の実施例] 以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。
[Embodiment of the Invention] Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図は本装置の構成を示すブロック図であり、図中1
は例えば64Kb i tのダイナミックRAM複数個
で構成されたメモリ部、2はデータバスでこのメモリ部
1のデータ入出力端子に接続されている。
Figure 1 is a block diagram showing the configuration of this device.
2 is a memory section composed of a plurality of dynamic RAMs of, for example, 64 Kbit, and 2 is connected to a data input/output terminal of the memory section 1 through a data bus.

3はアドレスバス、4はRAMの各種コントロール信号
を与えるコントロールライン、5はマイクロコンピュー
タ等のプロセッサ(中央処理装置;CPU)からのコン
トロールライン及びアドレスバス、6は停電検知信号を
与える停電検知信号ライン、7は例えば水晶振動子によ
る発振回路、8はこの発振回路7の発振出力を受けてこ
れをカウントする8桁のバイナリ−カウンタ、9はこの
カウンタ8の出力信号バスである。また、10はセレク
タであり、このセレクタ10は通常時はコントロールラ
イン及びアドレスバス5をセレクトして前記アドレスバ
ス3に接続し、コントロールライン及びアドレスバス5
介して前記CPUから与えられるコントロール信号及び
アドレス信号をメ干り部1に与えるとともに、停電検知
信号ライン6より電源断の検知信号である電源断信号S
Cを−〇− 受けるとカウンタ出力信号バス5をセレク1〜して前記
アドレスバス3と接続し、カウンタ8の出力をメモリ部
1に与えるものである。このカウンタ8からの出力は8
桁の出力端子Q1.〜Q8のうち、最下位桁の出力端子
Q1はRAS信号として、また、第2位の桁の出力端子
Q2から第8位の桁(最上位桁)の出力端子Q8までを
ダイナミックRAMのアドレス端子Ao 、〜A6にそ
れぞれ対応させて与えるようにしである。
3 is an address bus, 4 is a control line that provides various control signals for the RAM, 5 is a control line and address bus from a processor (central processing unit; CPU) such as a microcomputer, and 6 is a power failure detection signal line that provides a power failure detection signal. , 7 is an oscillation circuit using, for example, a crystal oscillator; 8 is an eight-digit binary counter that receives and counts the oscillation output of the oscillation circuit 7; and 9 is an output signal bus of the counter 8. Further, 10 is a selector, and this selector 10 normally selects the control line and address bus 5 and connects it to the address bus 3.
A control signal and an address signal from the CPU are supplied to the power supply section 1 through the power supply line 6, and a power-off signal S, which is a power-off detection signal, is sent from the power-off detection signal line 6.
When C is received, the counter output signal bus 5 is selected from 1 to 1, connected to the address bus 3, and the output of the counter 8 is given to the memory section 1. The output from this counter 8 is 8
Digit output terminal Q1. ~ Among Q8, the least significant digit output terminal Q1 is used as the RAS signal, and the output terminal Q2 of the second digit to the output terminal Q8 of the eighth digit (most significant digit) is used as the address terminal of the dynamic RAM. They are given in correspondence to Ao and A6, respectively.

11は電源断検出回路であり、この回路は商用電源から
得るシステム駆動用の電源(以下、これをシステム電源
VCCと呼ぶ)の電圧より電源断を検出するとともに電
源断信号SCを出力するものである。また、12は電源
切換え回路であり、この回路はバッテリによるバックア
ップ電源を有するともに通常はシステム電源VCCを選
択して出力し、また、前記電源断検出回路11の電源断
信号Scを受けるとこのシステム電源VCCに代えてバ
ックアップ電源を選択し、供給出力VCC2として出力
する。この電源切換え回路12の出力電力は前記メモリ
部1、発振回路7、カウンタ8、セレクタ10に供給さ
れる。
Reference numeral 11 denotes a power failure detection circuit, which detects a power failure based on the voltage of a system driving power source (hereinafter referred to as system power supply VCC) obtained from a commercial power source, and outputs a power failure signal SC. be. Reference numeral 12 denotes a power supply switching circuit, which has a battery backup power supply and normally selects and outputs the system power supply VCC. A backup power source is selected in place of the power source VCC and outputted as the supply output VCC2. The output power of this power supply switching circuit 12 is supplied to the memory section 1, the oscillation circuit 7, the counter 8, and the selector 10.

尚、前記電源断検出回路11、電源切換え回路12とし
ては種々の公知回路があるので、そのうちの適宜なもの
を利用するものとする。例えば、第2図に示す如きもの
を用いれば良い。
Note that there are various known circuits as the power-off detection circuit 11 and the power-supply switching circuit 12, and an appropriate circuit is used among them. For example, the one shown in FIG. 2 may be used.

図の構成を説明すると、電源断検出回路11はPNP形
トランジスタT1を用い、このトランジスタT1のエミ
ッタをシステム電′tAVCGに接続し、また、エミッ
ターベース間には抵抗R1を接続する。また、このトラ
ンジスタT1のベースは抵抗R2、そして更に、3〜3
.5V程度のツェナー電圧を有するツエエナーダイオー
ドZDによる直列回路を介して接地する。ツエエナーダ
イオードZDは逆方向接続する。また、トランジスタT
1のコレクタは抵抗R3を介して接地する。
To explain the configuration of the figure, the power failure detection circuit 11 uses a PNP type transistor T1, the emitter of this transistor T1 is connected to the system voltage 'tAVCG, and a resistor R1 is connected between the emitter and the base. Further, the base of this transistor T1 is connected to a resistor R2, and furthermore, 3 to 3
.. It is grounded through a series circuit including a Zener diode ZD having a Zener voltage of about 5V. The Zener diode ZD is connected in the opposite direction. Also, the transistor T
The collector of No. 1 is grounded via a resistor R3.

以上が電源断検出回路11の構成例である。The above is an example of the configuration of the power-off detection circuit 11.

−電源切換え回路12はPNP形トランジスタT2とN
PN形トランジスタT3を用い、これらのうち、トラン
ジスタT2のエミッタをシステム電源vCCに接続し、
また、ベースは抵抗R4を介してトランジスタT3のコ
レクタに接続する。そして、トランジスタT3のベース
は抵抗R5を介して前記トランジスタT1のコレクタに
接続する。
-The power supply switching circuit 12 consists of PNP transistors T2 and N
Using a PN type transistor T3, among these, the emitter of the transistor T2 is connected to the system power supply vCC,
Further, the base is connected to the collector of the transistor T3 via a resistor R4. The base of the transistor T3 is connected to the collector of the transistor T1 via a resistor R5.

また、トランジスタT3のエミッタは接地する。Further, the emitter of the transistor T3 is grounded.

BTは例えば充電可能なバックアップ用のバッテリであ
り、このバッテリBTは順方向接続されたダイオードD
を介して前記トランジスタT2のコレクタに接続する。
BT is, for example, a rechargeable backup battery, and this battery BT has a diode D connected in the forward direction.
It is connected to the collector of the transistor T2 via.

ダイオードDには並列に抵抗R6を接続する。前記トラ
ンジスタT2のコレクタ側出力は電源切換え回路12の
供給出力、  Vcc2となる。
A resistor R6 is connected in parallel to the diode D. The collector side output of the transistor T2 becomes the supply output of the power supply switching circuit 12, Vcc2.

この電源断検出回路11.電源切換え回路12は次のよ
うな動作を行う。
This power-off detection circuit 11. The power supply switching circuit 12 operates as follows.

すなわち、電源断検出回路11はシステム電源Vccの
電圧降下を検出して、電圧断検出信号を出力するもので
、システム電源VccをツェナーダイオードZDに与え
、電圧降下を検出する。今、システム電圧Vccが正常
である場合にはこのシステム電圧Vccはツェナー電圧
VzとT1のベ一スーエミッタ間オン電圧の和よりも高
く、抵抗R1,抵抗R2の分圧点の電圧はトランジスタ
T1をオンさせるに十分である。従って、抵抗R1゜抵
抗R2の分圧点の電圧をベース電圧として受けたトラン
ジスタT1はオンとなりトランジスタT1のコレクタ電
圧は「H」となる。このrHJなるコレクタ電圧はNP
NI−ランジスタT3のベースに入力され、これを受け
てNPNI−ランジスタT3はオンする。従って、NP
N1〜ランジスタT3のコレクタ電圧をベース入力とし
て受けているPNPI−ランジスタT2はオンとなり、
システム電圧VccはこのPNPトランジスタT2を通
って電源切換え回路12より出力され、供給出力VCC
2となる。
That is, the power failure detection circuit 11 detects a voltage drop in the system power supply Vcc and outputs a voltage failure detection signal, and supplies the system power supply Vcc to the Zener diode ZD to detect the voltage drop. Now, when the system voltage Vcc is normal, this system voltage Vcc is higher than the sum of the Zener voltage Vz and the base-emitter ON voltage of T1, and the voltage at the voltage dividing point of resistor R1 and resistor R2 is higher than the sum of the Zener voltage Vz and the base-emitter on voltage of T1. Enough to turn it on. Therefore, the transistor T1, which receives the voltage at the voltage dividing point of the resistor R1° and the resistor R2 as a base voltage, is turned on, and the collector voltage of the transistor T1 becomes "H". This collector voltage rHJ is NP
The signal is input to the base of the NI transistor T3, and in response to this, the NPNI transistor T3 is turned on. Therefore, N.P.
The PNPI transistor T2, which receives the collector voltage of N1 to transistor T3 as its base input, turns on.
The system voltage Vcc is output from the power supply switching circuit 12 through this PNP transistor T2, and the supply output VCC
It becomes 2.

一方、停電等の電源異常によりシステム電源VCCの電
圧が降下して、システム電源Vccの電圧がツェナー電
圧VzとT1のベース−エミッタ間オン電圧の和よりも
低くなると、抵抗R1゜抵抗R2の分圧点の電圧はトラ
ンジスタT1をオンさせるに不十分な電圧となる。従っ
て、抵抗R1、抵抗R2の分圧点の電圧をベース電圧と
して受けた1〜ランジスタT1はこの時点でオフとなり
トランジスタT1のコレクタ電圧すなわち、電源断信@
SCはrLJとなる。このrLJなる電源断信号SCは
NPNt−ランジスタT3のベースに入力され、これを
受けてNPNI−ランジスタT3はオフする。従って、
NPNI−ランジスタT3の]レクタ電圧をベース入力
として受けているPNPトランジスタT2はオフとなり
、システム電源VccはこのPNPトランジスタT2に
より遮断され、代って、バッテリBTの出力がダイード
Dを介して電源切換え回路12より出力され、供給出力
VCC2となる。
On the other hand, if the voltage of the system power supply VCC drops due to a power failure such as a power outage, and the voltage of the system power supply VCC becomes lower than the sum of the Zener voltage Vz and the base-emitter ON voltage of T1, the voltage of the resistor R1゜resistance R2 The voltage at the voltage point is insufficient to turn on the transistor T1. Therefore, transistor T1, which receives the voltage at the voltage dividing point of resistor R1 and resistor R2 as a base voltage, is turned off at this point, and the collector voltage of transistor T1, that is, power supply interruption @
SC becomes rLJ. This power-off signal SC rLJ is input to the base of the NPNt transistor T3, and in response to this, the NPNI transistor T3 is turned off. Therefore,
The PNP transistor T2, which receives the collector voltage of the NPNI transistor T3 as its base input, is turned off, the system power supply Vcc is cut off by this PNP transistor T2, and the output of the battery BT is instead switched to the power supply via the diode D. It is output from the circuit 12 and becomes the supply output VCC2.

このようにして、システム電源Vccのレベルを検知し
、異常時にはシステム電源VCCからバッテリBTに切
換えることが出来る。
In this way, the level of the system power supply Vcc can be detected, and in the event of an abnormality, it is possible to switch from the system power supply VCC to the battery BT.

尚、抵抗R6はトランジスタ下2オン時において、バッ
テリBTの充電回路を形成する。
Note that the resistor R6 forms a charging circuit for the battery BT when the transistor 2 is turned on.

次に本装置の作用について説明する。Next, the operation of this device will be explained.

通常状態では、システム電源Vccが正常レベルあるの
で、電源断検知回路11は電源断信号Scを出力せず、
従って、電源切換え回路12はシステム電源Vccを供
給電源VCC2としてメモリ部1、発振回路7、カウン
タ8、セレクタ10に与える。従って、これらはこの供
給電源VCC2により動作可能となる。また、この時、
電源断検知回路11からの電源断信号Scは無いので、
セレクタ10はコントロールライン及びアドレスバス5
を選択し、このコントロールライン及びアドレスバス5
を介して与えられるアドレス情報及びコントロール信号
をメモリ部1に与え、CPUの管理のもとにメモリ部1
をアクセスする。
In the normal state, the system power supply Vcc is at a normal level, so the power-off detection circuit 11 does not output the power-off signal Sc.
Therefore, the power supply switching circuit 12 supplies the system power supply Vcc to the memory section 1, the oscillation circuit 7, the counter 8, and the selector 10 as the supply power VCC2. Therefore, these can be operated by this power supply VCC2. Also, at this time,
Since there is no power-off signal Sc from the power-off detection circuit 11,
Selector 10 is a control line and address bus 5
Select this control line and address bus 5
Address information and control signals given through the CPU are given to the memory section 1, and the memory section 1 is
access.

システム電源Vccが断になると、電源断検知回路11
はこれを検知して電源断信号Scを出力する。従って、
電源切換え回路12はシステム電源Vccに代えてバッ
テリBTの出力を供給電源VCC2としてメモリ部1、
発振回路7、カウンタ8、セレクタ10に与える。従っ
て、これらはこのバッテリBTによる供給電源VCC2
により動作可能となる。また、この時、電源断検知回路
11からの電源断信号SCを受けて、セレクタ10はカ
ウンタ8の出力信号バス9を選択し、この出力信号バス
9を介して与えられるカウンタ8の出力信号をアドレス
情報及びコントロール信号としてメモリ部1に与え、メ
モリ部1をリフレッシュする。
When the system power supply Vcc is cut off, the power cutoff detection circuit 11
detects this and outputs a power-off signal Sc. Therefore,
The power supply switching circuit 12 uses the output of the battery BT as the power supply VCC2 instead of the system power supply Vcc, and supplies the memory unit 1,
It is applied to the oscillation circuit 7, counter 8, and selector 10. Therefore, these are the power supplies VCC2 supplied by this battery BT.
It becomes possible to operate. Also, at this time, upon receiving the power-off signal SC from the power-off detection circuit 11, the selector 10 selects the output signal bus 9 of the counter 8, and outputs the output signal of the counter 8 given via this output signal bus 9. It is applied to the memory section 1 as address information and a control signal to refresh the memory section 1.

すなわち、ダイナミックRAMは記憶保持のため、一定
周期でメモリセルをアクセスし、リフレッシュする必要
がある。このリフレッシュの方法にはRASオンリー・
リフレッシュ、オートマチック・リフレッシュ、CAS
ビフォア・RASリフレッシュ、セルフ・リフレッシュ
等、種々あるが、オートマチック・リフレッシュはオー
トマチック・リフレッシュ端子をrLJに保つだけで自
動的にリフレッシュを成すことができ、簡単であるもの
の、そのための端子及び回路をメモリ素子が有していな
ければ実施不可能であり、また、セルフ・リフレッシュ
も同様である。
That is, in order to maintain memory in a dynamic RAM, memory cells must be accessed and refreshed at regular intervals. This refresh method uses RAS only.
Refresh, automatic refresh, CAS
There are various types such as before RAS refresh, self-refresh, etc., but automatic refresh can be performed automatically by simply keeping the automatic refresh terminal at rLJ. If the device does not have it, it cannot be implemented, and the same applies to self-refresh.

また、CASビフォア・R’ASリフレッシュはCAS
とRASの信号で制御するもので、リフレッシュ・アド
レスは内部で発生するのでリフレッシュ・アドレス・カ
ウンタは不要である。しかし、メモリ素子がその機能を
有していなければ利用できない。
Also, CAS before/R'AS refresh is CAS
Since the refresh address is generated internally, there is no need for a refresh address counter. However, if the memory element does not have that function, it cannot be used.

RASオンリ・リフレッシュは最も基本的なリフレッシ
ュ方法で、ダイナミックRAMのCAS(Column
  Address  5elect)端子を非アクテ
ィブにし、また、RAS (RowAddress  
5elect)端子をアクティブにしてこのRAS端子
で制御し、外部からはアドレスを入力することによって
行う。
RAS-only refresh is the most basic refresh method and uses dynamic RAM CAS (Column
Address 5select) terminal is inactive, and RAS (RowAddress
5select) terminal is activated and controlled by this RAS terminal, and by inputting an address from the outside.

本装置ではどのようなダイナミックRAMにも適用でき
るようにするべく、このRASオンリー・リフレッシュ
方式を採用している。
This device adopts this RAS-only refresh method so that it can be applied to any kind of dynamic RAM.

第3図にカウンタとメモリの信号の対応を示す。FIG. 3 shows the correspondence between counter and memory signals.

本装置ではダイナミックRAMとして、64に−DRA
Mを使用している。RAMが64にビット素子の場合、
RASオンリー・リフレッシュを実施するには行アドレ
ス情報を取込むための信号入力端子である負論理アクテ
ィブのRAS (R。
In this device, 64-DRA is used as dynamic RAM.
I'm using M. If the RAM is 64 bit elements,
To perform RAS-only refresh, RAS (R), which is a negative logic active signal input terminal, is used to take in row address information.

W Address  5elect)に与えるRAS
信号を制御し、且つ、アドレスを順次切り換えるととも
に列アドレス情報を取込むためのタイミングを向える負
論理アクティブのCAS (Column  Addr
ess  5elect)端子に与えるCAS信号をr
HJに保てば良い。尚、この時、出ぎ込み信号であるラ
イト・イネーブル信号(Write)はどのような状態
でも良い。
RAS given to W Address 5select)
A negative logic active CAS (Column Addr) that controls signals, sequentially switches addresses, and adjusts the timing for capturing column address information.
r
Just keep it at HJ. Note that at this time, the write enable signal (Write), which is an input/output signal, may be in any state.

従って、カウンタ8の” 1 ” !行目から118 
II桁目までの端子のうち、”2パ桁目からII 8 
jj桁目までの出力端子Q2.〜Q8を各々RAMのア
ドレス入力端子An 、〜△6に入力し、“1“桁目の
出力端子Q1を行アドレス情報を取込むための信号入力
端子であるRAS端子に入力し、他のコン1〜ロールラ
イン(列アドレス情報を取込むための信号入力端子であ
るCASおよびライ1〜・イネーブル端子Write)
をレベル「HJに保つようにすれば発振回路7の発振出
力CLKを受けてこれをカウントするカウンタ8はその
各出力端子Ql、〜Q8より第3図の如き出力を発生す
るのレッシュされ、RAMの内容は保護される。
Therefore, counter 8 is "1"! 118 from line
Among the terminals up to the II digit, "II 8" from the 2nd pa digit
Output terminal Q2 up to jj digit. ~Q8 are respectively input to the address input terminals An and ~△6 of the RAM, and the output terminal Q1 of the "1" digit is inputted to the RAS terminal, which is a signal input terminal for taking in row address information, and other controllers are input. 1~roll line (CAS which is a signal input terminal for taking in column address information and line 1~/enable terminal Write)
If CLK is kept at the level HJ, the counter 8 that receives the oscillation output CLK from the oscillation circuit 7 and counts it will be refreshed to generate outputs as shown in FIG. The content of is protected.

すなわち、RASはQlの出力で゛あるのて、CLKの
クロックレートで変化し、アドレス用ばC2、〜Q8の
出力であるので、CLKの1/2゜〜1/128分周の
出力が当てられるので、RAS、CASがアクティブに
なる毎にアドレスが更新されて、RASオンリー・リフ
レッシュが行えるようになる。
In other words, since RAS is the output of Ql, it changes at the clock rate of CLK, and for addresses, it is the output of C2, ~Q8, so the output of 1/2° to 1/128 of CLK is appropriate. Therefore, each time RAS or CAS becomes active, the address is updated and RAS-only refresh can be performed.

勿論、発振回路7の発振周波数をメモリ部1を構成して
いるダイナミックRAMに必要なリフレッシュ周期に選
ぶ必要がある。
Of course, it is necessary to select the oscillation frequency of the oscillation circuit 7 to a refresh period necessary for the dynamic RAM forming the memory section 1.

このように停電時に電源をバッテリに切換え、このバッ
テリの出力をメモリ部およびカウンタによるアドレス、
コントロール信号発生部に与えて、アドレスおよびコン
トロール信号を発生させるようにし、これをメモリ部に
与えてRASオンリー・リフレッシュを行うようにした
ので、いかなるダイナミックRAMを用いたメモリであ
っても、     □停電時にその内容のバックアップ
をすることが出来るようになる。
In this way, in the event of a power outage, the power source is switched to the battery, and the output of this battery is used as an address by the memory section and counter.
This is applied to the control signal generation section to generate address and control signals, and this is applied to the memory section to perform RAS-only refresh, so no matter what kind of dynamic RAM the memory uses, power outages will not occur. From time to time, you will be able to back up the contents.

特に本@胃は、主電源が停電した時に電源をバッテリに
切換え、これを電源にしてリフレッシュカウンタを動作
させてダイナミックRAMの内容を自動的にリフレッシ
ュするようにするために数秒〜数10秒間程度の短時間
、メモリ内容を保護するには最適である。すなわち、通
常は実装面の関係で、電源容量の小さいバッテリを用い
るので、大容量のメモリ装置ではこの方式の場合、数秒
〜数10秒しか、バックアップ出来ない。勿論、電源容
量の大きなバッテリを用いれば数分〜数時間或いはそれ
以上のバックアップが可能であるが、コストや実装上の
問題もあるので、本発明の実際的な利用面からは比較的
小形のバッテリで大容量のメモリ装置を数秒程度の電I
FI4断に対してバックアップする場合に顕著な効果が
ある。
In particular, when the main power supply goes out, the book@stomach switches the power source to the battery, uses this as the power source to operate the refresh counter, and automatically refreshes the contents of the dynamic RAM for a few seconds to several tens of seconds. Ideal for protecting memory contents for a short period of time. That is, because a battery with a small power supply capacity is normally used due to mounting considerations, this method can only provide backup for a few seconds to several tens of seconds in a large-capacity memory device. Of course, if a battery with a large power capacity is used, backup for several minutes to several hours or more is possible, but there are also problems in cost and implementation, so from the practical point of view of the present invention, it is difficult to use a relatively small battery. A large capacity memory device can be powered up for a few seconds using a battery.
It has a remarkable effect when backing up against FI4 failure.

なお、上記説明では電源切換え回路の出力を常にカウン
タや発振回路に与えるようにして、常時これらを駆動さ
せるように構成したが、カウンタや発振回路には停電時
のみ電源切換え回路の出力(バッテリ電源)を与えてこ
れらカウンタおよび発振回路を駆動させるようにJるこ
ともできる。
Note that in the above explanation, the output of the power switching circuit is always given to the counter and oscillation circuit, so that they are driven at all times, but the output of the power switching circuit (battery power ) to drive these counters and oscillator circuits.

また、使用するダイナミックRAMも64)〈どットに
限らず、16にビット、256にビット等、その他、種
々の容量のものに適用可能である。
Furthermore, the dynamic RAM used is not limited to 64) (dots), but can also be applied to various capacities such as 16 bits, 256 bits, etc.

[発明の効果コ 以上、詳述したように本発明によれば、電源の停電時、
自動的にダイナミックRAMをリフレッシュしてその記
憶内容を保持できるため、安価で、大容量のダイナミッ
クRAMで構成された主メモリの記憶内容を全面的に保
護できるようになり、停電回復後は中断した時点より処
理を再開できるようになる等の特徴を有するダイナミッ
クRAMのバックアップ装置を提供することができる。
[Effects of the Invention] As detailed above, according to the present invention, when a power outage occurs,
Since the dynamic RAM can be automatically refreshed and its stored contents retained, it is now possible to completely protect the stored contents of the main memory, which is made up of inexpensive, large-capacity dynamic RAM, and can be used without interruption after a power outage is restored. It is possible to provide a dynamic RAM backup device that has features such as being able to restart processing from a certain point.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例を示すブロック図、第2図は
その電源断検知回路及び電源切換え回路の構成を示す回
路図、第3図はカウンタ出力とメモリ部のアドレスおよ
びコントロール信号の対応を示す図である。 1・・・メモリ部、2・・・データバス、3・・・アド
レスバス、4・・・コントロールライン、5・・・コン
トロールライン及びアドレスバス、6・・・停電検知信
号ライン、7・・・発振回路、8・・・カウンタ、9・
・・出力信号バス、10・・・セレクタ、11・・・電
源断検出回路、12・・・電源切換え回路、Vcc・・
・システム電源、Sc・・・電源断信号。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第1図
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram showing the configuration of a power-off detection circuit and a power switching circuit, and FIG. It is a diagram showing correspondence. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1...Memory part, 2...Data bus, 3...Address bus, 4...Control line, 5...Control line and address bus, 6...Power failure detection signal line, 7...・Oscillation circuit, 8...Counter, 9・
... Output signal bus, 10... Selector, 11... Power failure detection circuit, 12... Power supply switching circuit, Vcc...
・System power supply, Sc... Power off signal. Applicant's agent Patent attorney Takehiko Suzue Figure 1

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims]  ダイナミックRAMをメモリ素子として用いた装置の
バックアップ装置として、システム電源のレベルを検知
して電源異常を検知する手段と、電源異常が検知された
時、バッテリによる非常用電源に切換えて前記メモリ素
子に与える電源切換え手段と、電源異常が検知された時
、前記非常用電源により動作してダイナミックRAMリ
フレッシュ用のアドレス信号及び行アドレス信号読込み
の指令信号を発生する手段と、電源異常が検知された時
、このアドレス信号及び行アドレス信号読込みの指令信
号発生手段の発生したアドレス信号及び行アドレス信号
読込みの指令信号を前記メモリ素子に与えるとともに非
アクティブの列アドレス読込み信号を該メモリ素子に与
える手段とより構成したことを特徴とするダイナミック
RAMのバックアップ装置。
As a backup device for a device using a dynamic RAM as a memory element, there is a means for detecting a power supply abnormality by detecting the level of the system power supply, and a means for detecting a power supply abnormality by switching to an emergency power supply using a battery to supply the memory element when a power supply abnormality is detected. means for operating from the emergency power supply to generate an address signal for dynamic RAM refresh and a command signal for reading the row address signal when a power supply abnormality is detected; , means for applying to the memory element the address signal and the command signal for reading the row address signal generated by the command signal generation means for reading the address signal and the row address signal, and means for applying an inactive column address read signal to the memory element. A dynamic RAM backup device characterized by comprising:
JP59253008A 1984-11-30 1984-11-30 Back-up device of dynamic ram Pending JPS61131295A (en)

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JP59253008A JPS61131295A (en) 1984-11-30 1984-11-30 Back-up device of dynamic ram

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JP (1) JPS61131295A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04195990A (en) * 1990-11-28 1992-07-15 Mitsubishi Electric Corp Memory device provided with battery backup

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04195990A (en) * 1990-11-28 1992-07-15 Mitsubishi Electric Corp Memory device provided with battery backup

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