JPS61139932A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野および目的〕 この発明は、強磁性金属薄膜層を記録層とする磁気記録
媒体の製造方法に関し、その目的とするところは強磁性
金属薄膜層形成時に発生するしわを抑制して、しわのな
い前記の磁気記録媒体を製造する方法を提供することに
ある。

〔背景技術〕

強磁性金属薄膜層を記録層とする磁気記録媒体は、通常
、ポリエステルフィルムなどのプラスチック基板を真空
槽内に取りつけた円筒状の冷却ドラムの周側面に沿って
移動させ、この基板に強磁性材を真空蒸着するなどして
つくられており、冷却ドラムは、通常一定の温度以下に
冷却したものが使用されている。

ところが、中心線平均粗さＲａが０．０１μｍ以下の表
面性の良いプラスチック基板を用いる場合、従来の一定
の温度以下に冷却した冷却ドラムを使用したのでは、プ
ラスチック基板の材質が異なる場合充分に対応すること
ができず、使用するプラスチック基板に対して冷却ドラ
ムの温度が高すぎる場合は、強磁性材蒸発源からの輻射
熱の作用を充分に抑制することができないため、プラス
チック基板が伸びてプラスチック基板にしわが生しる。

また使用するプラスチック基板に対して冷却ドラムの温
度が低すぎる場合は、プラスチック基板が硬化し、ロー
ル系の平行度のずれなどで生じる不均一な張力を緩和で
きず、プラスチック基板にしわが生じたりする。

〔発明の概要〕

この発明はかかる欠点を改善するため冷却ドラム等のプ
ラスチック基板を支持する支持体について種々検討を行
った結果、支持体の温度を、中心線平均粗さＲａが０．
０１μｍ以下でかつガラス転移温度が２０℃〜１００℃
の範囲内のプラスチック基板のガラス転移温度より５０
℃〜９０　’Ｃ低い温度に調整し、この支持体に沿って
移動するプラスチック基板に強磁性材蒸発源から強磁性
材を差し向けて、真空蒸着を行うと、支持体に沿って移
動するプラスチック基板の蒸着時の温度が適度な温度に
調整され、しわの発生を良好に抑制できることを見いだ
してなされたもので、真空雰囲気内で、少なくとも片面
の中心線平均粗さＲａが０．０１μｍ以下でかつガラス
転移温度が２０℃〜１００℃の範囲内のプラスチック基
板を支持する支持体の温度を、プラスチック基板のガラ
ス転移温度より５０℃〜９０℃低い温度に８周整し、こ
の支持体に沿って移動するプラスチ・７り基板に強磁性
材蒸発源から強磁性材を差し向けて、強磁性金属薄膜層
を形成することを特徴とするものである。

以下、図面を参照しながらこの発明について説明する。

第１図は真空蒸着装置の断面図を示したものであり、１
は真空槽でこの真空槽１の内部は排気系２により真空に
保持される。３は真空槽１の中央部に配設された冷却ド
ラムであり、ポリエステルフィルム等の中心線平均粗さ
Ｒａが０．０１μｍ以下でかつガラス転移温度が２０℃
〜１００°Ｃの範囲内のプラスチック基板４は原反ロー
ル５からこの冷却ドラム３０周側面に添って移動され、
巻き取りロール６に巻き取られる。この間冷却ドラム３
の周側面に沿って移動するプラスチック基板４に対向し
て真空槽１の下部に配設された強磁性材蒸発源７で強磁
性材８が加熱蒸発され、この蒸気流がプラスチ・ツク基
板４に差し向けられて真空蒸着が行われる。

ここで、真空槽ｌの中央部に配設された冷却ドラム３は
、内部にヒータおよび冷媒循環パイプを内臓し一１加熱
もしくは冷却が行われて、冷却ドラム３の周側面に沿っ
て移動するプラスチック基板４の材質に合わせて、その
ガラス転移温度より５０℃〜９０℃低い温度に調整され
る。このように冷却ドラム３の温度は、プラスチック基
板４のガラス転移温度より５０℃〜９０°Ｃ低い温度で
あることが好ましく、プラスチック基板４のガラス転移
温度より５０℃未満低い温度では、強磁性材蒸発源７か
らの輻射熱の作用を充分に抑制することができず、プラ
スチック基板が伸びてプラスチック基板にしわが生じ、
またプラスチック基板４のガラス転移温度より９０℃以
上低い温度では、プラスチック基板が硬化し、不均一な
張力を緩和できずプラスチック基板にしわが生じる。従
って、冷却ドラム３の周側面を移動するプラスチック基
板４は、常にそのガラス転移温度より５０℃〜９０℃低
い適度な温度に調整され、温度が高くな・りすぎて伸び
たり、あるいは温度が低くなりすぎてプラスチック基板
が硬化することもな（、しわの発生が良好に抑制される
。なお、図面では冷却ドラム３をプラスチック基板４の
支持体とした例を示したが、プラスチック基板４の支持
体はこのような冷却ドラム３に限定されず、プラスチッ
ク基板４を支持でき、かつ温度をプラスチック基板４の
ガラス転移温度より５０’Ｃ〜９０℃低い温度に制御で
きるものであれば、いかなる形状あるいは材質のもので
あってもよい。

プラスチック基板としては、ポリエステル、ポリ塩化ビ
ニル、ポリアミド等一般に使用されているもので、ガラ
ス転移温度が２０°Ｃ〜１００℃の範囲内のものがいず
れも好適に使用され、これらのプラスチック基板はいず
れもガラス転移温度より５０℃〜９０℃低い適度な温度
に調整され、しわの発生が充分に抑制される。

また、強磁性金属薄膜層の形成は、コバルト、ニッケル
、鉄などの金属単体の他、これらの合金あるいは酸化物
、及びＣｏ−Ｐ、　Ｃｏ−Ｎｉ　−Ｐなど一般に使用さ
れる強磁性材を真空蒸着することによって形成される。

〔実施例〕

次に、この発明の実施例について説明する。

実施例１〜５ 第１図に示す真空蒸着装置を使用し、強磁性材を蒸着す
る表面の中心線平均粗さＲａが０．００４０μｍ、厚さ
が１０μｍでガラス転移温度が７０℃のポリエステルベ
ースフィルム４を、原反ロール５より冷却ドラム３の周
側面に沿って移動させ、巻き取りロール６に巻き取るよ
うにセットするとともに、強磁性材蒸発＃７にコバルト
８をセットした。次いで排気系２で真空槽１内を約５Ｘ
１０−５トールにまで真空排気し、強磁性材蒸発源７内
のコバルト８を加熱蒸発するとともにポリエステルベー
スフィルム４を５０ｍ／分の速度で走行させ、冷却ドラ
ム３の温度を下記第１表に示すように、２０℃から一２
０℃までの範囲内で５段階に制御して真空蒸着を行い、
ポリエステルベースフィルム４上にコバルトからなる厚
さが１０００人の強磁性金属薄膜層を形成した。しかる
後、所定の幅に裁断して磁気テープをつくった。

比較例１〜５ 実施例１〜５において、冷却ドラム３の温度を、下記第
１表に示すように、３０℃以上の温度および一３０℃以
下の温度の範囲内で５段階に分けて制御した以外は、実
施例１〜５と同様にして磁気テープをつくった。

各実施例および各比較例で得られた磁気テープについて
、しわの発生の有無を観察した。

下記第１表はその結果である。

第１表 〔発明の効果〕 上記第１表から明らかなように、冷却ドラムの温度をポ
リエステルベースフィルムのガラス転移温度７０℃より
５０℃〜９０℃低い温度に制御して得られた磁気テープ
（実施例１〜５）はいずれもしわの発生が認められない
が、この範囲より冷却ドラムの温度を高くしたもの（比
較例１〜３）および低くしたもの（比較例４および５）
はしわの発生が認められ、このことからこの発明の製造
方法によれば、しわの発生が効果的に抑制され、しわの
ない磁気記録媒体が得られるのがわかる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の製造方法を実施するために使用する
真空蒸着装置の１例を示す概略断面図である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、真空雰囲気内で、走行する少なくとも片面の中心線
   平均粗さＲａが０．０１μｍ以下でかつガラス転移温度
   が２０℃〜１００℃の範囲内のプラスチック基板を強磁
   性材蒸着時に支持する支持体の温度を、前記のプラスチ
   ック基板のガラス転移温度より５０℃〜９０℃低い温度
   範囲に調整し、この支持体に沿って移動するプラスチッ
   ク基板に強磁性材蒸発源から強磁性材の蒸気流を差し向
   けて、強磁性金属薄膜層を形成することを特徴とする磁
   気記録媒体の製造方法