JPS6076707A - 半導体レ−ザ二重化モジユ−ル - Google Patents
半導体レ−ザ二重化モジユ−ルInfo
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- JPS6076707A JPS6076707A JP18456183A JP18456183A JPS6076707A JP S6076707 A JPS6076707 A JP S6076707A JP 18456183 A JP18456183 A JP 18456183A JP 18456183 A JP18456183 A JP 18456183A JP S6076707 A JPS6076707 A JP S6076707A
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- semiconductor laser
- laser
- polarization
- polarizing element
- optical
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- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
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- G—PHYSICS
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
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- G02B6/4249—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details comprising arrays of active devices and fibres
- G02B6/425—Optical features
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は電気信号を光信号に変換する半導体レーザ素子
と光信号伝送媒体である光ファイバを。
と光信号伝送媒体である光ファイバを。
効率よく安定に結合する半導体レーザモジュール。
特に高信頼光フアイバ通信システムに用いられる二重化
した半導体レーザモジュールに関するものである。
した半導体レーザモジュールに関するものである。
光ファイバケーゾル海底中継システムヲ初めとする高信
頼光ファイ・ぐ通信システムでは、このシステム中に使
用する部品に対して超高信頼を要求する。電気信号を光
信号に変換する半導体レーザは最近50〜100万時間
の平均無故障時間(MTTF)を達成するものも現れ高
信頼化されてきてはいるが、他の電気系の部品に比べて
十分とは言えない。
頼光ファイ・ぐ通信システムでは、このシステム中に使
用する部品に対して超高信頼を要求する。電気信号を光
信号に変換する半導体レーザは最近50〜100万時間
の平均無故障時間(MTTF)を達成するものも現れ高
信頼化されてきてはいるが、他の電気系の部品に比べて
十分とは言えない。
この故に複数個の半導体レーザモジュールを光スィッチ
又は光結合器によ92重化している。並列に用いて即ち
多重化してその信頼性を他の電気系の部品に近づけるよ
うにしている。
又は光結合器によ92重化している。並列に用いて即ち
多重化してその信頼性を他の電気系の部品に近づけるよ
うにしている。
第1図は従来の半導体レーザニ重化モノーールの構成の
一例を示す図であって、2個の半導体モノ−〜ル1およ
び2からのレーザ光は個々の光ファイバ3を通り、光ス
ィッチ4で結合され、光ファイバ5に送られる。
一例を示す図であって、2個の半導体モノ−〜ル1およ
び2からのレーザ光は個々の光ファイバ3を通り、光ス
ィッチ4で結合され、光ファイバ5に送られる。
第2図は従来の半導体レーザニ重化モジュールの構成の
他の例を示す図であって、2つのレーザ光の結合はハー
フミラ−又は偏光分離素子を用いた光結合器6で行なっ
ている。他は第1図の場合と同じである。
他の例を示す図であって、2つのレーザ光の結合はハー
フミラ−又は偏光分離素子を用いた光結合器6で行なっ
ている。他は第1図の場合と同じである。
上記のような光源の多重光回路系では、多重光回路系を
構成する部品数が多くなり、目標とする信頼度を達成す
るには、これらの光部品・素子が極めて高い信頼を有し
ていることが必要となる。
構成する部品数が多くなり、目標とする信頼度を達成す
るには、これらの光部品・素子が極めて高い信頼を有し
ていることが必要となる。
また多重光回路系が占めるスペースが犬きくなシ。
光システムの小形化高密度実装化が難しい。
したがって本発明の目的は、上述の光源多重光回路系の
欠点を克服し、多重化のだめの構成部品・−素子が少な
い小形、高信頼の半導体レーザモノニール企提供するこ
とにある。
欠点を克服し、多重化のだめの構成部品・−素子が少な
い小形、高信頼の半導体レーザモノニール企提供するこ
とにある。
本発明は上記の目的を達成するために、半導体レーザ光
を結合するのに複屈折効果を持つ偏光素子を用いるよう
にしたものである。
を結合するのに複屈折効果を持つ偏光素子を用いるよう
にしたものである。
すなわち本発明によれば、主面が平坦状のヒートシンク
上に配置され、光軸および直線偏光の偏光面が互いに平
行で且つ出射端面がほぼ一致する互いに近接した第1お
よび第2のレーザ光を出射する半導体レーザ手段と、前
記第1のレーザ光の光路内に置かれ、該第1のレーザ光
の偏光面を90’回転させて前記第2のレーザ光の偏光
面に対し直角にする90°偏光回転子と、偏光面が互い
に直角になった第1および第2のレーザ光の光路を複屈
折効果で合流させる偏光素子と、出射側光ファイバーと
、前記偏光素子で合流したレーザ光を像変換して前記出
射側光ファイバーに結合させるレンズとを有する半導体
レーザニ重化モジュールが得られる。
上に配置され、光軸および直線偏光の偏光面が互いに平
行で且つ出射端面がほぼ一致する互いに近接した第1お
よび第2のレーザ光を出射する半導体レーザ手段と、前
記第1のレーザ光の光路内に置かれ、該第1のレーザ光
の偏光面を90’回転させて前記第2のレーザ光の偏光
面に対し直角にする90°偏光回転子と、偏光面が互い
に直角になった第1および第2のレーザ光の光路を複屈
折効果で合流させる偏光素子と、出射側光ファイバーと
、前記偏光素子で合流したレーザ光を像変換して前記出
射側光ファイバーに結合させるレンズとを有する半導体
レーザニ重化モジュールが得られる。
第3図は本発明の一実施例である半導体レーザ二重化モ
ジュールの基本構成を示す図である。この第3図の半導
体レーザモゾーールは、主面が平坦なヒートシンク1工
上に出射直線偏光の光軸および偏光面が互いに平行で
− 妻毒毒→レーザ端面位置がほぼ一致するように配置され
た2個の半導体レーザチップ12 、137(両チップ
が同一のときは偏向面は実質的に重なる。)と、一方の
レーザチップ前面に置かれレーザ光の制光面を90°回
転させる90°偏光回転子14(例えばレーザ光の波長
が1.3ミクロンのとき厚さ140ミクロンの水晶板)
と、直交する偏光面を有する2つのビームを合流する複
屈折材料からなる偏光素子15(厚さ約2.5ミリメー
トルの方解石板)と、レーザ光を集束し出力側光ファイ
バ16に結合させるレンズ17とから構成される。
ジュールの基本構成を示す図である。この第3図の半導
体レーザモゾーールは、主面が平坦なヒートシンク1工
上に出射直線偏光の光軸および偏光面が互いに平行で
− 妻毒毒→レーザ端面位置がほぼ一致するように配置され
た2個の半導体レーザチップ12 、137(両チップ
が同一のときは偏向面は実質的に重なる。)と、一方の
レーザチップ前面に置かれレーザ光の制光面を90°回
転させる90°偏光回転子14(例えばレーザ光の波長
が1.3ミクロンのとき厚さ140ミクロンの水晶板)
と、直交する偏光面を有する2つのビームを合流する複
屈折材料からなる偏光素子15(厚さ約2.5ミリメー
トルの方解石板)と、レーザ光を集束し出力側光ファイ
バ16に結合させるレンズ17とから構成される。
半導体レーザチップ12.13からの出射ビー杼
ムの偏光面は互いに平p(図では紙面に平行)であるが
、90°偏光回転子14はレーザチッf12からの光の
みが通過するように置かれているので。
、90°偏光回転子14はレーザチッf12からの光の
みが通過するように置かれているので。
レーザチップ12からの光の偏光面は9 Q’回転する
がレーザチップ13からの光は回転せず、したがって両
レーザチップからの光の偏光面は互いに直交するように
なる。偏光素子15では1紙面に垂直な偏光をもつレー
ザチップ12からの光は直進し1紙面に平行な偏光をも
つレーザチッf13からの光は屈折して、出射端で2つ
の光路は一致する。この偏光素子15を用いる合流回路
では原理上損失がない。光路の一致した2つの直線偏光
は複屈折性の無視できるレンズ17によシ適度に像変換
され、効率よく出力側ファイバ16に結合する。
がレーザチップ13からの光は回転せず、したがって両
レーザチップからの光の偏光面は互いに直交するように
なる。偏光素子15では1紙面に垂直な偏光をもつレー
ザチップ12からの光は直進し1紙面に平行な偏光をも
つレーザチッf13からの光は屈折して、出射端で2つ
の光路は一致する。この偏光素子15を用いる合流回路
では原理上損失がない。光路の一致した2つの直線偏光
は複屈折性の無視できるレンズ17によシ適度に像変換
され、効率よく出力側ファイバ16に結合する。
上記の実施例の構成では、半導体レーザの2重化に必要
な光学素子は9o0偏光回転子と偏光素子の2点だけで
あシ、単純な構成である。而も1個のレーザモジュール
程度のスペースしか必要トシない。なおレンズ17に相
当するレンズは、説明は省略したが、第1図および第2
図の従来の半導体レーザモジュール1と2にも使われて
いる。
な光学素子は9o0偏光回転子と偏光素子の2点だけで
あシ、単純な構成である。而も1個のレーザモジュール
程度のスペースしか必要トシない。なおレンズ17に相
当するレンズは、説明は省略したが、第1図および第2
図の従来の半導体レーザモジュール1と2にも使われて
いる。
第3図の実施例とは異って90’偏光回転子14を用い
ずに2個のレーザチップ12と13を偏光方向が直交す
るように配置することは、原理的には可能であシ又素子
の数が少なくて済むが、ヒート7ンクの形状をL形にし
たシ、チップのマウント精度を正確にコントロールした
シする必要があシ、実際的には好ましくない。
ずに2個のレーザチップ12と13を偏光方向が直交す
るように配置することは、原理的には可能であシ又素子
の数が少なくて済むが、ヒート7ンクの形状をL形にし
たシ、チップのマウント精度を正確にコントロールした
シする必要があシ、実際的には好ましくない。
第4図は本発明の第1図の実施例の半導体レーザモジュ
ールのうち、半導体レーザ、偏光回転子。
ールのうち、半導体レーザ、偏光回転子。
および偏光素子をパッチーノ内に封止した場合の構成を
示す図である。第4図において、ノやツケージ21の中
に設けられた半導体レーザ素子22と23は、中間をス
クライブされて同一チップとして形成されていて、ヒー
トシンク11にマウントされている。これによシ、レー
ザ素子間の相対距離及びレーザ光出射端面位置の再現性
が保証され。
示す図である。第4図において、ノやツケージ21の中
に設けられた半導体レーザ素子22と23は、中間をス
クライブされて同一チップとして形成されていて、ヒー
トシンク11にマウントされている。これによシ、レー
ザ素子間の相対距離及びレーザ光出射端面位置の再現性
が保証され。
さらに、2個のレーザ素子の特性の均一性も確保できる
。このときのレーザチップ間の距離は、第3図に示しだ
数字をそのまま用いた場合1例えば250ミクロンにと
る。そして90°偏光回転子(水晶板)14は偏光素子
(方解石板)15に接着されておシ、この偏光素子15
は同時に外部遮断部材としても用いられる。なお24は
レーザ出力モニター用のフォトダイオードである。
。このときのレーザチップ間の距離は、第3図に示しだ
数字をそのまま用いた場合1例えば250ミクロンにと
る。そして90°偏光回転子(水晶板)14は偏光素子
(方解石板)15に接着されておシ、この偏光素子15
は同時に外部遮断部材としても用いられる。なお24は
レーザ出力モニター用のフォトダイオードである。
以上説明したように2本発明の半導体レーザモジ=−ル
ハ、従来の半導体レーザモジュール構造にヒートシンク
上に2個のレーザチップ又は素子をマウントし、90°
偏光回転子と偏光素子を付加するだけの簡単な光回路構
成である。従って光源二重化に伴う光回路部品点数の増
加が少なく、かつ従来の半導体レーザの大きさとほとん
ど変らすに小形で信頼度の高い半導体レーザ/1重化光
回路が実現できる。すなわち本発明は高信頼光フアイバ
通信システム用の半導体レーザモジュールとしてきわめ
て有用である。
ハ、従来の半導体レーザモジュール構造にヒートシンク
上に2個のレーザチップ又は素子をマウントし、90°
偏光回転子と偏光素子を付加するだけの簡単な光回路構
成である。従って光源二重化に伴う光回路部品点数の増
加が少なく、かつ従来の半導体レーザの大きさとほとん
ど変らすに小形で信頼度の高い半導体レーザ/1重化光
回路が実現できる。すなわち本発明は高信頼光フアイバ
通信システム用の半導体レーザモジュールとしてきわめ
て有用である。
二ニー
第1図および第2図は従来の光源1重化光回路構成を示
す図、第3図は本発明の一実施例である半導体レーザモ
ジュールの構成を示す図、第4図はレーザパッケージ構
造をした本発明の実施例の構成を示す図である。 記号の説明:11はヒートシンク、12と13は半導体
レーザチップ、14は90°偏光回転子。 15は偏光素子、16は光ファイバ、17はレンズ、涜
云−嚇一〒21はノぐッケージケース、22と23は半
導体レーザ素子、24はフォトダイオードをそれぞれあ
られしている。 第2図 第3図 第4図
す図、第3図は本発明の一実施例である半導体レーザモ
ジュールの構成を示す図、第4図はレーザパッケージ構
造をした本発明の実施例の構成を示す図である。 記号の説明:11はヒートシンク、12と13は半導体
レーザチップ、14は90°偏光回転子。 15は偏光素子、16は光ファイバ、17はレンズ、涜
云−嚇一〒21はノぐッケージケース、22と23は半
導体レーザ素子、24はフォトダイオードをそれぞれあ
られしている。 第2図 第3図 第4図
Claims (3)
- (1)主面が平坦状のヒートシンク上に配置され。 光軸および直線偏光の偏光面が互いに平行で且つ出射端
面がほぼ一致する互いに近接した第1および第2のレー
ザ光を出射する半導体レーザ手段と。 前記第1のレーデ光の光路内に置かれ、該第1のレーザ
光の偏光面を9(7’回転させて前記第2のレーザ光の
偏光面に対し直角にする90°偏光回転子と、偏光面が
互いに直角になった第1および第2のレーザ光の光路を
複屈折効果で合流させる偏光素子と、出射側光ファイバ
ーと、前記偏光素子で合流したレーザ光を像変換して前
記出射側光ファイバーに結合させるレンズとを有する半
導体レーザ二重化モジュール。 - (2) 前記(1)項および(2)項記載の装置であっ
て。 前記偏光素子が、前記半導体レーザ手段、90°偏光回
転子、および偏光素子をパッケージ内に封止して用いる
ときに、出力窓として設けられていることを特徴とする
半導体レーザ二重化モジュール。 - (3) 前記(0項および(2)項に記載の装置であっ
て。 前記半導体レーザ手段が2つの半導体レーザ素子を単一
のチップとして構成した半導体レーザ手段であることを
特徴とする半導体レーザ二重化モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18456183A JPS6076707A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | 半導体レ−ザ二重化モジユ−ル |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18456183A JPS6076707A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | 半導体レ−ザ二重化モジユ−ル |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6076707A true JPS6076707A (ja) | 1985-05-01 |
Family
ID=16155357
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18456183A Pending JPS6076707A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | 半導体レ−ザ二重化モジユ−ル |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6076707A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0867991A1 (en) * | 1997-03-27 | 1998-09-30 | Mitsui Chemicals, Inc. | Semiconductor laser light source and solid-state laser apparatus |
EP1182481A2 (en) * | 2000-08-22 | 2002-02-27 | Axsun Technologies, Inc. | Laser system with multi-stripe diode chip and integrated beam combiner |
EP1215784A2 (en) * | 2000-12-15 | 2002-06-19 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device for use in a semiconductor laser module and optical amplifier |
WO2002049172A1 (fr) * | 2000-12-15 | 2002-06-20 | The Furukawa Electric Co., Ltd | Element laser a semi-conducteur, module laser a semi-conducteur et procede de production dudit module et dudit element, et amplificateur a fibre optique associe |
WO2002065191A1 (de) * | 2001-02-09 | 2002-08-22 | Hentze-Lissotschenko Patentverwaltungs Gmbh & Co. Kg | Kopplungsvorrichtung für lichtstrahlen sowie beleuchtungsvorrichtung für einen modulator |
US6765935B2 (en) | 2000-12-15 | 2004-07-20 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser module, manufacturing method thereof and optical amplifier |
US7085440B2 (en) | 2001-07-02 | 2006-08-01 | The Furukawa Electric Co., Ltd | Semiconductor laser module and optical amplifier |
US7245643B2 (en) | 2001-07-02 | 2007-07-17 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser module and method of manufacturing the same |
US7259905B2 (en) | 2001-07-02 | 2007-08-21 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser module, optical amplifier, and method of manufacturing the semiconductor laser module |
US7408867B2 (en) | 2002-04-04 | 2008-08-05 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Method of aligning an optical fiber, method of manufacturing a semiconductor laser module, and semiconductor laser module |
-
1983
- 1983-10-04 JP JP18456183A patent/JPS6076707A/ja active Pending
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0867991A1 (en) * | 1997-03-27 | 1998-09-30 | Mitsui Chemicals, Inc. | Semiconductor laser light source and solid-state laser apparatus |
EP1182481A2 (en) * | 2000-08-22 | 2002-02-27 | Axsun Technologies, Inc. | Laser system with multi-stripe diode chip and integrated beam combiner |
EP1182481A3 (en) * | 2000-08-22 | 2003-01-15 | Axsun Technologies, Inc. | Laser system with multi-stripe diode chip and integrated beam combiner |
WO2002049172A1 (fr) * | 2000-12-15 | 2002-06-20 | The Furukawa Electric Co., Ltd | Element laser a semi-conducteur, module laser a semi-conducteur et procede de production dudit module et dudit element, et amplificateur a fibre optique associe |
EP1258954A1 (en) * | 2000-12-15 | 2002-11-20 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser element, semiconductor laser module and production method therefor and optical fiber amplifier |
EP1215784A2 (en) * | 2000-12-15 | 2002-06-19 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device for use in a semiconductor laser module and optical amplifier |
EP1215784A3 (en) * | 2000-12-15 | 2004-01-07 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device for use in a semiconductor laser module and optical amplifier |
US6765935B2 (en) | 2000-12-15 | 2004-07-20 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser module, manufacturing method thereof and optical amplifier |
EP1258954A4 (en) * | 2000-12-15 | 2005-12-07 | Furukawa Electric Co Ltd | SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT, SEMICONDUCTOR LASER MODULE, AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, AND OPTICAL FIBER AMPLIFIER THEREOF |
WO2002065191A1 (de) * | 2001-02-09 | 2002-08-22 | Hentze-Lissotschenko Patentverwaltungs Gmbh & Co. Kg | Kopplungsvorrichtung für lichtstrahlen sowie beleuchtungsvorrichtung für einen modulator |
US7085440B2 (en) | 2001-07-02 | 2006-08-01 | The Furukawa Electric Co., Ltd | Semiconductor laser module and optical amplifier |
US7245643B2 (en) | 2001-07-02 | 2007-07-17 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser module and method of manufacturing the same |
US7259905B2 (en) | 2001-07-02 | 2007-08-21 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser module, optical amplifier, and method of manufacturing the semiconductor laser module |
US7529021B2 (en) | 2001-07-02 | 2009-05-05 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser module, optical amplifier, and method of manufacturing the semiconductor laser module |
US7408867B2 (en) | 2002-04-04 | 2008-08-05 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Method of aligning an optical fiber, method of manufacturing a semiconductor laser module, and semiconductor laser module |
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