JPS6030282A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS6030282A JPS6030282A JP58139756A JP13975683A JPS6030282A JP S6030282 A JPS6030282 A JP S6030282A JP 58139756 A JP58139756 A JP 58139756A JP 13975683 A JP13975683 A JP 13975683A JP S6030282 A JPS6030282 A JP S6030282A
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- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 31
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 31
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 10
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 101000634835 Homo sapiens M1-specific T cell receptor alpha chain Proteins 0.000 description 10
- 101000634836 Homo sapiens T cell receptor alpha chain MC.7.G5 Proteins 0.000 description 10
- 102100029450 M1-specific T cell receptor alpha chain Human genes 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14681—Bipolar transistor imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、同体く半導体）撮像装置の構成の改良に関
する。
する。
従来、半導体撮像装置（５ｅｉｉｃｏｎｃｌＩＩｃｔｏ
ｒ Ｉ １１１ａ（Ｊｅ ３ｅｎｓｏｒ 、以下、ｒｓ
ＩｓＪと略称する）は、ＭＯＳ型、ＣＣＤ型に限られて
いた。現在、市販されているＭＯ８型８１８の１桧素と
なる基本セル（以下、「セル」ど略称する）の等価回路
図およびこれに接続される続出用のトランジスタ回路を
第１図に示す。第１図に示すように、フォトダイオード
ＰＯとＭＯＳスイッチングトランジスタＴ Ｒｓとから
セルが構成される。フォトダイオードＰＯに光が当たる
ことにより変換されて生じた電荷はＴＲ，がオンするこ
とで、配線容Ｉ Ｃｖに蓄えられ、次いで、続出用ＭＯ
ＳトランジスタＴＲｏがオンして容１ｃｌＩへ移って、
その電圧がビデオ出力となる。そのとき、容Ｍ Ｃｖが
容Ｍ ＣＨの１／１００以下と小さいため、信号電流は
、第２図に示すビデオ出力の出力電流のタイムチャ＝１
・のように、クロックノイズに重畳した微小電流となり
、ビデＡ出ノｊのダイナミックレンジが大きく制限され
るため、フォトダイオードＰＤの面積を大きくして、光
電変ｔｆＡ電流を十分にとる必要がある。
ｒ Ｉ １１１ａ（Ｊｅ ３ｅｎｓｏｒ 、以下、ｒｓ
ＩｓＪと略称する）は、ＭＯＳ型、ＣＣＤ型に限られて
いた。現在、市販されているＭＯ８型８１８の１桧素と
なる基本セル（以下、「セル」ど略称する）の等価回路
図およびこれに接続される続出用のトランジスタ回路を
第１図に示す。第１図に示すように、フォトダイオード
ＰＯとＭＯＳスイッチングトランジスタＴ Ｒｓとから
セルが構成される。フォトダイオードＰＯに光が当たる
ことにより変換されて生じた電荷はＴＲ，がオンするこ
とで、配線容Ｉ Ｃｖに蓄えられ、次いで、続出用ＭＯ
ＳトランジスタＴＲｏがオンして容１ｃｌＩへ移って、
その電圧がビデオ出力となる。そのとき、容Ｍ Ｃｖが
容Ｍ ＣＨの１／１００以下と小さいため、信号電流は
、第２図に示すビデオ出力の出力電流のタイムチャ＝１
・のように、クロックノイズに重畳した微小電流となり
、ビデＡ出ノｊのダイナミックレンジが大きく制限され
るため、フォトダイオードＰＤの面積を大きくして、光
電変ｔｆＡ電流を十分にとる必要がある。
第３図はＭＯ３型ＳＩＳの１つのセルと、これの両側に
隣接するセルの一部とを示り一断面図である。図におい
て、ロー型基板１土には、フォトダイオードＰＤのアノ
ードの働きを〜ｂするｐ型ウェル２が形成される。ｎ＋
層３はｐ型つ１ル２の表面部に選択的に形成されフォト
ダイオードＰＤのカソードとなるとともにＭＯＳスイッ
ヂング１−ランジスタＴ Ｒｓのソースとなる。ｎ ＋
Ｗ４４はｐ型ウェル２内にｎ＋ｌｌ’９３との間にヂセ
ネル形成領爪を設【ノるように形成され、ＭＯＳスイッ
チング］・ランジスタＴＲ，のトレインとなる。また、
酸化膜５がｎ＋型１ｉｉ３．４上を含めてｐ型ウェル２
上に形成される。また、多結晶シリコンからなるゲート
電極６が酸化膜５のｊν１０Ｓスー（−／″ＦＦ−ング
トランジスタＴ ｓのチャネル形成領域上の部分である
ゲート酸化股上に設けられる。また、眉間絶縁ｍ−ｉが
ゲート電ａｉＧ上を含め−Ｃ酸化膜５−ヒに形成される
。さらに、ドレイン電極８が酸化ｌｌＡ３および層間絶
縁ＷＪ ７に形成された１ｌＩＴＪ部を通じてｎ＋Ｎ４
に接着される。ゲート電極６はインタレース回路〈図示
せず）に接続され、ドレイン電極８は読出用Ｍ ＯＳ
トランジスタＴ Ｒｏに接続される。
隣接するセルの一部とを示り一断面図である。図におい
て、ロー型基板１土には、フォトダイオードＰＤのアノ
ードの働きを〜ｂするｐ型ウェル２が形成される。ｎ＋
層３はｐ型つ１ル２の表面部に選択的に形成されフォト
ダイオードＰＤのカソードとなるとともにＭＯＳスイッ
ヂング１−ランジスタＴ Ｒｓのソースとなる。ｎ ＋
Ｗ４４はｐ型ウェル２内にｎ＋ｌｌ’９３との間にヂセ
ネル形成領爪を設【ノるように形成され、ＭＯＳスイッ
チング］・ランジスタＴＲ，のトレインとなる。また、
酸化膜５がｎ＋型１ｉｉ３．４上を含めてｐ型ウェル２
上に形成される。また、多結晶シリコンからなるゲート
電極６が酸化膜５のｊν１０Ｓスー（−／″ＦＦ−ング
トランジスタＴ ｓのチャネル形成領域上の部分である
ゲート酸化股上に設けられる。また、眉間絶縁ｍ−ｉが
ゲート電ａｉＧ上を含め−Ｃ酸化膜５−ヒに形成される
。さらに、ドレイン電極８が酸化ｌｌＡ３および層間絶
縁ＷＪ ７に形成された１ｌＩＴＪ部を通じてｎ＋Ｎ４
に接着される。ゲート電極６はインタレース回路〈図示
せず）に接続され、ドレイン電極８は読出用Ｍ ＯＳ
トランジスタＴ Ｒｏに接続される。
フォトダイオードＰＤ部分のｎ＋！ｉ！、３．Ｔ）型ウ
ェル２．ｎ−型基板１によって形成される１〜ランジス
タＴＲｒ （第１図において点線で示すトランジスタ）
Ｖよ過飽和の光による過剰電流を吸収するものである。
ェル２．ｎ−型基板１によって形成される１〜ランジス
タＴＲｒ （第１図において点線で示すトランジスタ）
Ｖよ過飽和の光による過剰電流を吸収するものである。
上述のようなＭＯ８！￥！３１３を高＠度とするために
は、フォトダイオードＰＯのカソードとなるｎ＋拡散層
３の面積を大きくすることが考えられる。しかしながら
、ＳＩＳへの光の入射面積がシン２″等の光学系で決ま
っているため、画素数（セル）を一定としたときのセル
面積は自ずと制限され、カソード面積を自由に大きくす
ることは不可能である。そこで、フォトダイオードＰＤ
から読取った光宵変挽信号を増幅して感度を向上させる
方法が考えられる。しかしながら、この場合読出用クロ
ッ゛りのクロックノイズや固定パターンノイズも増幅さ
れてしまい、結局感度を上げることができない。
は、フォトダイオードＰＯのカソードとなるｎ＋拡散層
３の面積を大きくすることが考えられる。しかしながら
、ＳＩＳへの光の入射面積がシン２″等の光学系で決ま
っているため、画素数（セル）を一定としたときのセル
面積は自ずと制限され、カソード面積を自由に大きくす
ることは不可能である。そこで、フォトダイオードＰＤ
から読取った光宵変挽信号を増幅して感度を向上させる
方法が考えられる。しかしながら、この場合読出用クロ
ッ゛りのクロックノイズや固定パターンノイズも増幅さ
れてしまい、結局感度を上げることができない。
それゆえに、この発明の主たる目的は、上述のような種
々の問題を生じることなく感度を向上することができる
固体撮像装置を提供することである。
々の問題を生じることなく感度を向上することができる
固体撮像装置を提供することである。
この発明は、要約すれば、光電変換部と信＠読出手段と
の間に増幅用トランジスタを介挿し、光電変換部から読
出される光電変換信号をこのｌＩ！幅用トランジスタで
増幅した後信号読出手段に与えるようにしたものである
。
の間に増幅用トランジスタを介挿し、光電変換部から読
出される光電変換信号をこのｌＩ！幅用トランジスタで
増幅した後信号読出手段に与えるようにしたものである
。
この発明の上述の目的およびその他の目的と特徴は、図
面を参照して行なう以下の詳細な説明から一層明らかと
なろう。
面を参照して行なう以下の詳細な説明から一層明らかと
なろう。
第４図はこの発明の一実施例の等価回路図である。図に
おいて、この実施例は以下の点を除いて第１図の回路と
同様である。すなわち、この実施例の特徴は、フォトダ
イオードＰＤとＭＯＳスイッチングトランジスタＴ Ｒ
ｓとの間に増幅用トランジスタＴＲＡ＠設けたことであ
る。この増幅用トランジスタＴＲ，のベース３１はフォ
トダイオードＰＤのカソード３に接続される。また、増
幅用トランジスタＴＲＡのコレクタはフォトダイオード
ＰＤのアノード２とともに接地される。さらに、増幅用
トランジスタＴＲＡのエミッタ２１はＭＯＳスイッチン
グトランジスタＴ Ｒｓのソース４１に接続される。な
お、ＭＯＳスイッチングトランジスタＴ Ｒｓのゲート
６は第１図の回路と同様に図示しないインタレース回路
へ接続される。
おいて、この実施例は以下の点を除いて第１図の回路と
同様である。すなわち、この実施例の特徴は、フォトダ
イオードＰＤとＭＯＳスイッチングトランジスタＴ Ｒ
ｓとの間に増幅用トランジスタＴＲＡ＠設けたことであ
る。この増幅用トランジスタＴＲ，のベース３１はフォ
トダイオードＰＤのカソード３に接続される。また、増
幅用トランジスタＴＲＡのコレクタはフォトダイオード
ＰＤのアノード２とともに接地される。さらに、増幅用
トランジスタＴＲＡのエミッタ２１はＭＯＳスイッチン
グトランジスタＴ Ｒｓのソース４１に接続される。な
お、ＭＯＳスイッチングトランジスタＴ Ｒｓのゲート
６は第１図の回路と同様に図示しないインタレース回路
へ接続される。
ま／Ｃ％そのドレイン４は読出用ＭＯ８Ｉ−ランジスタ
ＴＲｏ（第４図では図示していない）に接続される。
ＴＲｏ（第４図では図示していない）に接続される。
第５図は第４図の等両回路で表わされるこの発明の一実
施例の固体撮像＠置の断面図である。図中第３図と同様
の部分には同じ参照番号を付している。前述のように、
この実施例の特徴は、フォトダイオードＰＤとＭＯＳス
イッチングトランジスタＴ Ｒｓとの間に増幅用トラン
ジスタＴＲＡを設けたことである。この増幅用トランジ
スタＴＲ１を形成゛するために、フォトダイオードＰＤ
の７ノードとなる０層２内に低濃度の０層３１が形成さ
れる。このｎ１１３１はフォトダイオードＰＤのカソー
ド３となるｎ＋層３に平面的に〜部が接続するように形
成される。また、この０層３１内に高濃度のｐ＋層２１
が形成される。これら□＋層２１、ｎ１３１およびｎｔ
１２でいわゆる縦型構造（バーデカル構造）のｐｎρト
ランジスタ〈増幅用トランジスタＴＲＡ）が構成される
。そして、ｐ＋層２１はこのｐｎｐ トランジスタのエ
ミッタとなり、０層３１はベースとなり、１層２はコレ
クタとなる。さらに、ｐ＋層２１とＭＯＳスイッチング
トランジスタＴ Ｒｓのソースとなるｎ”Ｈ４１とが低
抵抗金Ｗ１４８１で配線される。
施例の固体撮像＠置の断面図である。図中第３図と同様
の部分には同じ参照番号を付している。前述のように、
この実施例の特徴は、フォトダイオードＰＤとＭＯＳス
イッチングトランジスタＴ Ｒｓとの間に増幅用トラン
ジスタＴＲＡを設けたことである。この増幅用トランジ
スタＴＲ１を形成゛するために、フォトダイオードＰＤ
の７ノードとなる０層２内に低濃度の０層３１が形成さ
れる。このｎ１１３１はフォトダイオードＰＤのカソー
ド３となるｎ＋層３に平面的に〜部が接続するように形
成される。また、この０層３１内に高濃度のｐ＋層２１
が形成される。これら□＋層２１、ｎ１３１およびｎｔ
１２でいわゆる縦型構造（バーデカル構造）のｐｎρト
ランジスタ〈増幅用トランジスタＴＲＡ）が構成される
。そして、ｐ＋層２１はこのｐｎｐ トランジスタのエ
ミッタとなり、０層３１はベースとなり、１層２はコレ
クタとなる。さらに、ｐ＋層２１とＭＯＳスイッチング
トランジスタＴ Ｒｓのソースとなるｎ”Ｈ４１とが低
抵抗金Ｗ１４８１で配線される。
上述のような構成において、フォトトランジスタＰＤの
カソード３に光信号が入ると、ホール／電子のペアが発
生し、空乏層内に光信号に比例して電子が蓄積される。
カソード３に光信号が入ると、ホール／電子のペアが発
生し、空乏層内に光信号に比例して電子が蓄積される。
この光電変換信号としての蓄積電荷が増幅用トランジス
タＴ ＲＡのベース３１に注入される。このとき、発生
したホールはライフタイム、移動度の差から電子のよう
に注入されず途中でトラップされる。ＭＯＳスイッチン
グトランジスタＴ Ｒｓがオンすれば、増幅用トランジ
スタＴＲＡもオンする。今、増幅用トランジスタＴＲ，
の電流増幅率をβとすれば、増幅用トランジスタ１’Ｒ
Ａはそのベース３１に注入された電荷のβ倍の電流をＭ
ＯＳスイッチングトランジスタＴ Ｒｓから吸込む。し
たがって、ＭＯＳスイッチングトランジスタＴＲ６のド
レイン電極８にはフォトダイオードＰＤに蓄積された電
荷のβ倍の光電変換信号が流れることになる。
タＴ ＲＡのベース３１に注入される。このとき、発生
したホールはライフタイム、移動度の差から電子のよう
に注入されず途中でトラップされる。ＭＯＳスイッチン
グトランジスタＴ Ｒｓがオンすれば、増幅用トランジ
スタＴＲＡもオンする。今、増幅用トランジスタＴＲ，
の電流増幅率をβとすれば、増幅用トランジスタ１’Ｒ
Ａはそのベース３１に注入された電荷のβ倍の電流をＭ
ＯＳスイッチングトランジスタＴ Ｒｓから吸込む。し
たがって、ＭＯＳスイッチングトランジスタＴＲ６のド
レイン電極８にはフォトダイオードＰＤに蓄積された電
荷のβ倍の光電変換信号が流れることになる。
以上のように上述の実施例ではフォトダイオードＰＤか
ら読出される光電変換信号がＭＯＳスイッチングトラン
シタＴ Ｒｓに与えられる前に増幅用トランジスタＴＲ
Ａで増幅するようにしたので、光電変換信号のみを増幅
することができる。したがって、Ｓ／Ｎ比を下げずに感
度を向上づることができる。
ら読出される光電変換信号がＭＯＳスイッチングトラン
シタＴ Ｒｓに与えられる前に増幅用トランジスタＴＲ
Ａで増幅するようにしたので、光電変換信号のみを増幅
することができる。したがって、Ｓ／Ｎ比を下げずに感
度を向上づることができる。
また、上述の実施例では、増幅用トランジスタＴＲＡと
してｐｎｐ トランジスタを使用しているので、フォト
ダイオードＰＤの電荷蓄積効果を増すことができる。も
し、増幅用トランジスタ■ＲＡとしてｎｐｎ トランジ
スタを使用すると、ベース（ｐ ｍ）へ注入された電荷
によってエミッタ（０層）とのバリア（０，６〜０．８
Ｖ）以上になったとぎ、ＭＯＳスイッチングトランジス
タ１−Ｒ１のオンオフに関係なく注入電荷が漏れ出して
しまう。すなわち、フォトダイオードＰＤで光電変換さ
れた電荷が成る聞以上になると濡れ出してそれ以上電荷
を蓄積できなくなる。
してｐｎｐ トランジスタを使用しているので、フォト
ダイオードＰＤの電荷蓄積効果を増すことができる。も
し、増幅用トランジスタ■ＲＡとしてｎｐｎ トランジ
スタを使用すると、ベース（ｐ ｍ）へ注入された電荷
によってエミッタ（０層）とのバリア（０，６〜０．８
Ｖ）以上になったとぎ、ＭＯＳスイッチングトランジス
タ１−Ｒ１のオンオフに関係なく注入電荷が漏れ出して
しまう。すなわち、フォトダイオードＰＤで光電変換さ
れた電荷が成る聞以上になると濡れ出してそれ以上電荷
を蓄積できなくなる。
また、上述の実施例では、増幅用１〜ランジスタＴＲＡ
を縦型構造としたので、高い電流増幅率βを有するトラ
ンジスタを容易にかっｍ度良く実現できる。周知のよう
に、横型４１Ｉ造のトランジスタでは、電流増幅率βを
大きくすることが難しく（βは２〜５程度）、かつ写真
製版精度によってベース幅が変化しβが大きくばらつく
。
を縦型構造としたので、高い電流増幅率βを有するトラ
ンジスタを容易にかっｍ度良く実現できる。周知のよう
に、横型４１Ｉ造のトランジスタでは、電流増幅率βを
大きくすることが難しく（βは２〜５程度）、かつ写真
製版精度によってベース幅が変化しβが大きくばらつく
。
さらに、集積密度について君えば、増幅用トランジスタ
ＴＲＡを形成するスペースが必要になるが、電流増幅率
βをたとえば１層程度にすればフォトダイオードＰＤの
ｎ ” １！１３を従来の１１５に縮小しても感度は約
２倍になるので、感度を犠牲にせずにかえって集積密度
を上げることができる。
ＴＲＡを形成するスペースが必要になるが、電流増幅率
βをたとえば１層程度にすればフォトダイオードＰＤの
ｎ ” １！１３を従来の１１５に縮小しても感度は約
２倍になるので、感度を犠牲にせずにかえって集積密度
を上げることができる。
たとえば、ＭＯ３型８１８のセルが従来３０００μｍ２
で開口率３０％のフォトトランジスタではカソードとな
るｎ ＋ ＩＦＩは約１００μ■２であった。
で開口率３０％のフォトトランジスタではカソードとな
るｎ ＋ ＩＦＩは約１００μ■２であった。
このようなセルにβ−１０の増幅用トランジスタを形成
すれば、フォトダイオードの「１＋膚としては１０μｍ
２でよく、残りの９０μｒＲ２に増幅用トランジスタを
入れることは縦型構造とすることで容易に行なえる。
すれば、フォトダイオードの「１＋膚としては１０μｍ
２でよく、残りの９０μｒＲ２に増幅用トランジスタを
入れることは縦型構造とすることで容易に行なえる。
また、従来通り過飽和の光に対しては第４図の点線で示
すトランジスタＴＲＰによって過剰電流が吸収され、ブ
ルーミングを押えることができる。
すトランジスタＴＲＰによって過剰電流が吸収され、ブ
ルーミングを押えることができる。
なお、以上説明した実施例では、ＭＯ８型３１Ｓについ
て説明したが、ＭＯＳスイッチングトランジスタ１−
Ｒｓの代わりにＣＯＤ （Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅ
ｄ Ｄｅｖｉｃｅ ）を使用したＣＣＤ型８１８につい
ても本願発明を適用できることはもちろんである。
て説明したが、ＭＯＳスイッチングトランジスタ１−
Ｒｓの代わりにＣＯＤ （Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅ
ｄ Ｄｅｖｉｃｅ ）を使用したＣＣＤ型８１８につい
ても本願発明を適用できることはもちろんである。
以上のように、この発明によれば、光電変換部から導出
される光電変換信号を直接°受けて増幅する増幅トラン
ジスタを設けるようにしたので、Ｓ／Ｎ比を下げること
なく光電′ｌＩｉ換信号を増幅でき、感度を向上するこ
とができる。また、感度の向上に応じて、光電変換部を
縮小することができ、集積喰を上げることができる。
される光電変換信号を直接°受けて増幅する増幅トラン
ジスタを設けるようにしたので、Ｓ／Ｎ比を下げること
なく光電′ｌＩｉ換信号を増幅でき、感度を向上するこ
とができる。また、感度の向上に応じて、光電変換部を
縮小することができ、集積喰を上げることができる。
第１図は従来のＭＯ８型ＳＩＳの等価回路図である。第
２図は第１図の回路の出力電流のタイムチャートである
。第３図は第１図の等両回路で表わされる固体撮像素子
の断面図である。第４図はこの発明の一実施例の等価回
路図である。第５図は第４図の等両回路で示される固体
撮像素子の断面図である。 図において、１はｎ−基板、２はｐウェル、３゜４およ
び４１はｎ＋層、５おＪ：び７は耐化股、６はポリシリ
コン膜、８および８１は低抵抗配線、２１はＰ＋隅、３
１はＮｌ！ベース、ＰＤはフォ１へダイオード、ＴＲ，
は増幅用トランジスタ、ＴＲ５はＭＯＳスイッチングＩ
・ランジスタ、丁Ｒ０は読出用ＭＯＳトランジスタを示
す。 代理人 大 岩 増 雄 第１図 第２図 兜３図 第４図 第５図
２図は第１図の回路の出力電流のタイムチャートである
。第３図は第１図の等両回路で表わされる固体撮像素子
の断面図である。第４図はこの発明の一実施例の等価回
路図である。第５図は第４図の等両回路で示される固体
撮像素子の断面図である。 図において、１はｎ−基板、２はｐウェル、３゜４およ
び４１はｎ＋層、５おＪ：び７は耐化股、６はポリシリ
コン膜、８および８１は低抵抗配線、２１はＰ＋隅、３
１はＮｌ！ベース、ＰＤはフォ１へダイオード、ＴＲ，
は増幅用トランジスタ、ＴＲ５はＭＯＳスイッチングＩ
・ランジスタ、丁Ｒ０は読出用ＭＯＳトランジスタを示
す。 代理人 大 岩 増 雄 第１図 第２図 兜３図 第４図 第５図
Claims (3)
- （１） 入射した光に応じてｆ！？；ｉが蓄積される光
電変換部と、該光電変換部に蓄積された電荷を光電変換
信号として読出す信号続出手段とを含む固体ｌｌ１ｌ録
装置において、 前記光電変換部と前記信号続出手段との間に介挿され、
前記光電変換部から前記信ＰＩ読出手段に読出される光
電変換信号をｊ１幅する増幅用トランジスタを設けたこ
とを特徴どする固体ｍ像装置。 - （２） 前記光電変Ｎ！部としてＩ’ｉ”−１）ダイオ
ードを用い、 舶＆！増幅用トランジスタどしてｐＢｐ トランジスタ
を用い、 前記増幅用トランジスタは、そのベースが前記ｎ ＋
−、＋１ダイオードのカソードに接続され、そのコレク
タが前記ｎ＋ ｐダイオードのアノードに接続され、そ
のエミッタが前記信号続出手段に接続されたことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の同体撮像装置。 - （３） 前記増幅用トランジスタはバーチカル構造（縦
型構造）のトランジスタである、粕ｒｆ請求の範囲第１
項またはＩ＃２項記載の固体撮像装［！１゜
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58139756A JPS6030282A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 固体撮像装置 |
| US06/620,704 US4651016A (en) | 1983-07-28 | 1984-06-14 | Solid-state image sensor provided with a bipolar transistor and an MOS transistor |
| GB08415681A GB2144265B (en) | 1983-07-28 | 1984-06-20 | Solid-state image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58139756A JPS6030282A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6030282A true JPS6030282A (ja) | 1985-02-15 |
| JPH0247912B2 JPH0247912B2 (ja) | 1990-10-23 |
Family
ID=15252651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58139756A Granted JPS6030282A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 固体撮像装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4651016A (ja) |
| JP (1) | JPS6030282A (ja) |
| GB (1) | GB2144265B (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5268309A (en) * | 1984-09-01 | 1993-12-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing a photosensor |
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| DE3706252A1 (de) * | 1986-02-28 | 1987-09-03 | Canon Kk | Halbleiterfotosensor |
| DE3706278A1 (de) * | 1986-02-28 | 1987-09-03 | Canon Kk | Halbleitervorrichtung und herstellungsverfahren hierfuer |
| JP2505754B2 (ja) * | 1986-07-11 | 1996-06-12 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置の製造方法 |
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1983
- 1983-07-28 JP JP58139756A patent/JPS6030282A/ja active Granted
-
1984
- 1984-06-14 US US06/620,704 patent/US4651016A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-06-20 GB GB08415681A patent/GB2144265B/en not_active Expired
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2144265A (en) | 1985-02-27 |
| GB8415681D0 (en) | 1984-07-25 |
| JPH0247912B2 (ja) | 1990-10-23 |
| GB2144265B (en) | 1987-01-21 |
| US4651016A (en) | 1987-03-17 |
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