JPS60254403A - 薄膜コイル製造方法 - Google Patents
薄膜コイル製造方法Info
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- JPS60254403A JPS60254403A JP11124584A JP11124584A JPS60254403A JP S60254403 A JPS60254403 A JP S60254403A JP 11124584 A JP11124584 A JP 11124584A JP 11124584 A JP11124584 A JP 11124584A JP S60254403 A JPS60254403 A JP S60254403A
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- JP
- Japan
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- plating
- mask
- plated layer
- thickness
- film coil
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ）産業上の利用分野
本発明は磁気ディスク装置の構成要素である磁気ヘッド
用のコイルの薄膜技術による製造方法に関する。
用のコイルの薄膜技術による製造方法に関する。
磁気ディスク装置においては、磁気ヘッドと高速回転す
る磁気ディスクとの接触によって各部に破損等が生ずる
ことを防止するため、磁気ヘッドは磁気ディスク面から
微小間隔を隔てて浮上するように″設計されてり、軽量
化のため電気鍍金等の薄膜技術によって製造されるよう
になった。また記録密度の増大あるいはアクセス速度増
大等のため今後とも更に軽量化および小型化することが
望まれでいる。
る磁気ディスクとの接触によって各部に破損等が生ずる
ことを防止するため、磁気ヘッドは磁気ディスク面から
微小間隔を隔てて浮上するように″設計されてり、軽量
化のため電気鍍金等の薄膜技術によって製造されるよう
になった。また記録密度の増大あるいはアクセス速度増
大等のため今後とも更に軽量化および小型化することが
望まれでいる。
第２図は薄膜技術によって製造された薄膜磁気ヘッドの
構造を断面図（ａｌと一部主構成要素の平面図中）とに
よって示したものであり、１は磁心および磁極を形成す
るパーマロイ、２は銅の鍍金層によって形成される薄膜
コイル、３は絶縁材である。
構造を断面図（ａｌと一部主構成要素の平面図中）とに
よって示したものであり、１は磁心および磁極を形成す
るパーマロイ、２は銅の鍍金層によって形成される薄膜
コイル、３は絶縁材である。
現在実用に供されている代表的製品においては９薄膜コ
イル２の鍍金層（第１図（Ｃ１参照）の厚みｔは約２μ
ｍ、鍍金層のパターン幅Ｗは約６μｍ。
イル２の鍍金層（第１図（Ｃ１参照）の厚みｔは約２μ
ｍ、鍍金層のパターン幅Ｗは約６μｍ。
同パターン間隔ｄは約３μｍ、また薄膜コイル２のター
ン数は８ターンであるが、前記小型化のだめに鍍金層の
パターン幅Ｗおよびパターン間隔ｄを小さくすることが
考えられる。しかし、薄膜コイル２の発熱によの温度上
昇を避けるためには薄膜コイル２の断面積を増加する必
要があり、一方５パターン間隔ｄはこれ以上狭めること
は絶縁上の問題があるので、磁気ヘッドの小型化のため
には薄膜コイル２の鍍金層の厚みＬを増大することが最
も有効な解決策として考えられている。
ン数は８ターンであるが、前記小型化のだめに鍍金層の
パターン幅Ｗおよびパターン間隔ｄを小さくすることが
考えられる。しかし、薄膜コイル２の発熱によの温度上
昇を避けるためには薄膜コイル２の断面積を増加する必
要があり、一方５パターン間隔ｄはこれ以上狭めること
は絶縁上の問題があるので、磁気ヘッドの小型化のため
には薄膜コイル２の鍍金層の厚みＬを増大することが最
も有効な解決策として考えられている。
（ｂ）従来の技術
第３図は薄膜磁気ヘッドの主要構成要素である薄膜コイ
ル２の製造方法の概要を工程順に断面図によって示す図
であり、（ａ）は基板４上に鍍金下地層５を形成した状
態、（ｂ）は鍍金下地Ｎ５の上にホトレジスト６塗布し
た状態、（Ｃ）は露光および現像処理によてホトレジス
ト６からマスク７を形成した状態、（ｄ）は銅を鍍金し
て鍍金層８を形成した状９、 （ｅ）はマスク７を除去
し、たあとの状態、（ｆ）は外部に露出した鍍金下地層
５を除去し基板４上に銅の鍍金Ｍ８によって薄膜コイル
２が形成された状態である。
ル２の製造方法の概要を工程順に断面図によって示す図
であり、（ａ）は基板４上に鍍金下地層５を形成した状
態、（ｂ）は鍍金下地Ｎ５の上にホトレジスト６塗布し
た状態、（Ｃ）は露光および現像処理によてホトレジス
ト６からマスク７を形成した状態、（ｄ）は銅を鍍金し
て鍍金層８を形成した状９、 （ｅ）はマスク７を除去
し、たあとの状態、（ｆ）は外部に露出した鍍金下地層
５を除去し基板４上に銅の鍍金Ｍ８によって薄膜コイル
２が形成された状態である。
ところで、単に薄膜コイル２の厚みｔを増加するだけで
あればホトレジスト６すなわちマスク７の厚みを増加す
ればよいのであるが、マスク７の各部の寸法精度を確保
する上ではホトレジスト６の厚みは約２μｍが限度であ
り、したがって薄膜コイル２の厚みｔも約２μｍが限度
であった。
あればホトレジスト６すなわちマスク７の厚みを増加す
ればよいのであるが、マスク７の各部の寸法精度を確保
する上ではホトレジスト６の厚みは約２μｍが限度であ
り、したがって薄膜コイル２の厚みｔも約２μｍが限度
であった。
（Ｃ）発明が解決しようとする問題点
本発明が解決しようとする問題点は９寸法精度を損なう
ことなく薄膜コイルの厚みを従来の限界したがって１本
発明になる薄膜コイル製造方法は、導電性の鍍金下地層
上に所望のコイル形状のホトレジストのマスクを形成し
たのち導電体の鍍金層を形成する鍍金工程と、前記鍍金
層の上に前記コイル形状と同し形状のホトレジストのマ
スクを形成したのち導電体の鍍金膜を重ねて形成する再
鍍金工程とを含めるようにしたものである。
ことなく薄膜コイルの厚みを従来の限界したがって１本
発明になる薄膜コイル製造方法は、導電性の鍍金下地層
上に所望のコイル形状のホトレジストのマスクを形成し
たのち導電体の鍍金層を形成する鍍金工程と、前記鍍金
層の上に前記コイル形状と同し形状のホトレジストのマ
スクを形成したのち導電体の鍍金膜を重ねて形成する再
鍍金工程とを含めるようにしたものである。
（ｅ）作用
すなわち１本発明においては、ホトレジストのマスクを
形成して鍍金をおこなったのち、更にその上にホトレジ
ストのマスクを形成して鍍金をおこなうものであり、こ
のような工程を必要回数繰り返すことによって厚みのあ
る導電体の鍍金層を形成することができるとともに、毎
回形成するホトレジストのマスクの厚みを寸法精度を確
保する上で必要な限度以下とすることによって１寸法精
度の優れた薄膜コイルを得ることができるようにしたも
のである。
形成して鍍金をおこなったのち、更にその上にホトレジ
ストのマスクを形成して鍍金をおこなうものであり、こ
のような工程を必要回数繰り返すことによって厚みのあ
る導電体の鍍金層を形成することができるとともに、毎
回形成するホトレジストのマスクの厚みを寸法精度を確
保する上で必要な限度以下とすることによって１寸法精
度の優れた薄膜コイルを得ることができるようにしたも
のである。
（ｆ）実施例
次に本発明の要旨を第１図に示す実施例によって具体的
に説明する。なお全図を通じて同一の符号は同一の対象
物を指す。
に説明する。なお全図を通じて同一の符号は同一の対象
物を指す。
第１図は本発明による製造方法を工程順に断面図によっ
て示したものであり、（ａ）は基板４上に鍍金下地層５
を形成した状態、（ｂ）は鍍金下地Ｎ５上にホトレジス
ト６によって２μｍの厚みのマスク７を形成した状態、
（Ｃ）は銅を鍍金して２μｍの厚みの鍍金層８を形成し
た状態、（ｄ）はマスク７と外部に露出した鍍金下地Ｎ
５とを除去し基板４上に銅の鍍金層８によって薄膜コイ
ル２が形成された状態、（ｅ）は突出した鍍金Ｎ８の回
りに絶縁材９を塗布することによって平坦化した状ｆｉ
、 （ｆ）は鍍金Ｎ７と絶縁材９の上に（ｂ）と同じよ
うにホトレジスト６によって２μｍの厚みのマスク７′
を形成した状態、（ｇ）はマスク７°を形成した鍍金層
８の上に２μｍの厚みの鍍金層８′を重ねて形成した状
態である。
て示したものであり、（ａ）は基板４上に鍍金下地層５
を形成した状態、（ｂ）は鍍金下地Ｎ５上にホトレジス
ト６によって２μｍの厚みのマスク７を形成した状態、
（Ｃ）は銅を鍍金して２μｍの厚みの鍍金層８を形成し
た状態、（ｄ）はマスク７と外部に露出した鍍金下地Ｎ
５とを除去し基板４上に銅の鍍金層８によって薄膜コイ
ル２が形成された状態、（ｅ）は突出した鍍金Ｎ８の回
りに絶縁材９を塗布することによって平坦化した状ｆｉ
、 （ｆ）は鍍金Ｎ７と絶縁材９の上に（ｂ）と同じよ
うにホトレジスト６によって２μｍの厚みのマスク７′
を形成した状態、（ｇ）はマスク７°を形成した鍍金層
８の上に２μｍの厚みの鍍金層８′を重ねて形成した状
態である。
このようにして２回の鍍金工程によって４μｍの厚みの
薄膜コイルを形成することができる。
薄膜コイルを形成することができる。
（ｇ）発明の詳細
な説明したように１本発明によれば、各部の寸法精度を
損なうことなく、従来よりも更に厚みのある薄膜コイル
を製造することが可能であり。
損なうことなく、従来よりも更に厚みのある薄膜コイル
を製造することが可能であり。
特性の優れた磁気ヘッドが得られるという効果がある。
第１図は本発明による製造方法の一実施例を工程順に示
す側断面図。 第２図は薄膜磁気ヘッドの構造を説明する図。 第３図は従来一般に用いられている薄膜磁気ヘッドの製
造方法を工程順に示す側断面図。 図において。 ２は薄膜コイル ４は基板 ５は鍍金下地Ｎ ６はホトレジスト ７と７′はマスク ８と８′は鍍金層 である。 峯 ｌ 唄 拳 ？ 閉 峯３ 酊
す側断面図。 第２図は薄膜磁気ヘッドの構造を説明する図。 第３図は従来一般に用いられている薄膜磁気ヘッドの製
造方法を工程順に示す側断面図。 図において。 ２は薄膜コイル ４は基板 ５は鍍金下地Ｎ ６はホトレジスト ７と７′はマスク ８と８′は鍍金層 である。 峯 ｌ 唄 拳 ？ 閉 峯３ 酊
Claims (1)
- 導電性の鍍金下地層上に所望のコイル形状のホトレジス
トのマスクを形成したのち導電体の鍍金層を形成する鍍
金工程と、前記鍍金層の上に前記コイル形状と同じ形状
のホトレジストのマスクを形成したのち導電体の鍍金膜
を重ねて形成する再鍍金工程とを含むことを特徴とする
薄膜コイル製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11124584A JPS60254403A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 薄膜コイル製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11124584A JPS60254403A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 薄膜コイル製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60254403A true JPS60254403A (ja) | 1985-12-16 |
Family
ID=14556264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11124584A Pending JPS60254403A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 薄膜コイル製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60254403A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02126610A (ja) * | 1988-11-07 | 1990-05-15 | Murata Mfg Co Ltd | チップコイルの製造方法 |
| EP0436385A2 (en) * | 1989-12-28 | 1991-07-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency inductor and manufacturing method thereof |
| JPH06309623A (ja) * | 1993-04-28 | 1994-11-04 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| US6333830B2 (en) * | 1998-11-09 | 2001-12-25 | Read-Rite Corporation | Low resistance coil structure for high speed writer |
| US6771463B2 (en) | 2000-05-10 | 2004-08-03 | Tdk Corporation | Thin-film coil and thin-film magnetic head having two patterned conductor layers that are coil-shaped and stacked |
| US7176773B2 (en) | 2003-02-21 | 2007-02-13 | Tdk Corporation | High density inductor and method for producing same |
-
1984
- 1984-05-31 JP JP11124584A patent/JPS60254403A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02126610A (ja) * | 1988-11-07 | 1990-05-15 | Murata Mfg Co Ltd | チップコイルの製造方法 |
| EP0436385A2 (en) * | 1989-12-28 | 1991-07-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency inductor and manufacturing method thereof |
| JPH06309623A (ja) * | 1993-04-28 | 1994-11-04 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| US6333830B2 (en) * | 1998-11-09 | 2001-12-25 | Read-Rite Corporation | Low resistance coil structure for high speed writer |
| US6771463B2 (en) | 2000-05-10 | 2004-08-03 | Tdk Corporation | Thin-film coil and thin-film magnetic head having two patterned conductor layers that are coil-shaped and stacked |
| US7176773B2 (en) | 2003-02-21 | 2007-02-13 | Tdk Corporation | High density inductor and method for producing same |
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