JPS60245165A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS60245165A JPS60245165A JP59100453A JP10045384A JPS60245165A JP S60245165 A JPS60245165 A JP S60245165A JP 59100453 A JP59100453 A JP 59100453A JP 10045384 A JP10045384 A JP 10045384A JP S60245165 A JPS60245165 A JP S60245165A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- incident light
- color filter
- junction
- wavelength
- depth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14645—Colour imagers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は固体撮像装置に係り、特にシリコン基板上に形
成されたＰ−Ｎ接合部からなる光電変換部のＰ−Ｎ接合
深さに関するものである。
成されたＰ−Ｎ接合部からなる光電変換部のＰ−Ｎ接合
深さに関するものである。
第１図は従来より提案されているカラー固体撮像装置の
一例を示す要部断面構成図でおる。同図において、１は
Ｐ形シリコン基板、２はＰ形シリコン基板１の表面に形
成され７’ｃＮ＋拡散層、３はＰ形シリコン基板１とＮ
＋拡散層２とで形成されて光電変換部となるＰ−Ｎ接合
形フ、オドダイオード、４は各フォトダイオード３を分
離する酸化膜、５ｒ ＋ ５ｇ ＋ ｓｂは各フォトダ
イオード３上に形成された赤色フィルタ、緑色フィルタ
、青色フィルタである。
一例を示す要部断面構成図でおる。同図において、１は
Ｐ形シリコン基板、２はＰ形シリコン基板１の表面に形
成され７’ｃＮ＋拡散層、３はＰ形シリコン基板１とＮ
＋拡散層２とで形成されて光電変換部となるＰ−Ｎ接合
形フ、オドダイオード、４は各フォトダイオード３を分
離する酸化膜、５ｒ ＋ ５ｇ ＋ ｓｂは各フォトダ
イオード３上に形成された赤色フィルタ、緑色フィルタ
、青色フィルタである。
しかしながら、このように構成されるカラー固体撮像装
置において、光電変換部となるフォトダイオード３のｐ
−ｎ接合は、各色のカラーフィルタ５ｒ ｌ ｓｇ Ｉ
ｓｂに関係なく、均一な接合深さｄを有しているため
、入射光の波長によっては接合深さｄが不適合となる。
置において、光電変換部となるフォトダイオード３のｐ
−ｎ接合は、各色のカラーフィルタ５ｒ ｌ ｓｇ Ｉ
ｓｂに関係なく、均一な接合深さｄを有しているため
、入射光の波長によっては接合深さｄが不適合となる。
すなわち、入射光により発生した正負のキャリアがＰ−
Ｎ接合部で分離され、信号電荷として蓄積される以前に
Ｐ−Ｎ接合部に到る！拡散層２中に再結合により消滅す
る確率が大きいという問題がおった。
Ｎ接合部で分離され、信号電荷として蓄積される以前に
Ｐ−Ｎ接合部に到る！拡散層２中に再結合により消滅す
る確率が大きいという問題がおった。
したがって本発明は、前述した従来の問題に鑑みてなさ
れたものであり、その目的とするところは、入射光によ
り発生するキャリアが拡散中に再結合により消滅する確
率を減らし、効率の高い光電変換機能が得られる固体撮
像装置を提供することにある。
れたものであり、その目的とするところは、入射光によ
り発生するキャリアが拡散中に再結合により消滅する確
率を減らし、効率の高い光電変換機能が得られる固体撮
像装置を提供することにある。
このような目的を達成するために本発明による固体撮像
装置は、各色カラーフィルタにより透過される入射光波
長に対応してＰ−Ｎ接合部の深さを変えるものである。
装置は、各色カラーフィルタにより透過される入射光波
長に対応してＰ−Ｎ接合部の深さを変えるものである。
次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第２図は本発明による固体撮像素子の一例を示す要部断
面構成図であり、第１図におけると同一な部分または相
当する部分には同一符号を付す。
面構成図であり、第１図におけると同一な部分または相
当する部分には同一符号を付す。
同図において、各フォトダイオード３は、その上方に形
成配置されているそれぞれのレッドカラーフィルタ５ｒ
ｒグリーンカラーフィルタ５ｇおよびブルーカラーフ
ィルタ５ｂの入射光波長に対応してＰ−Ｎ接合部の耐拡
散層２の深さｄを、長波長側の接合深さが短波長側より
も深くして形成されている。
成配置されているそれぞれのレッドカラーフィルタ５ｒ
ｒグリーンカラーフィルタ５ｇおよびブルーカラーフ
ィルタ５ｂの入射光波長に対応してＰ−Ｎ接合部の耐拡
散層２の深さｄを、長波長側の接合深さが短波長側より
も深くして形成されている。
すなわち、レッドカラーフィルタ５ｒ側のＮ拡散層２の
接合深さをｄ□、グリーンカラーフィルタ５ｇ側の１拡
散層２の接合深さをｄ、およびブルーカラーフィルタ５
ｂ側のＮ拡散層２の接合深さをｄ８としたとき、これら
の接合深さがｄ１≧ｄ２ ＞ ｄ。
接合深さをｄ□、グリーンカラーフィルタ５ｇ側の１拡
散層２の接合深さをｄ、およびブルーカラーフィルタ５
ｂ側のＮ拡散層２の接合深さをｄ８としたとき、これら
の接合深さがｄ１≧ｄ２ ＞ ｄ。
の関係を有して形成されている。この場合、接合深さｄ
のそれぞれ異々る狛拡散層２は、接合深さｄの浅い部分
はイオンインプラ法、深い部分はデボクッション法の併
用により容易に形成することができる。
のそれぞれ異々る狛拡散層２は、接合深さｄの浅い部分
はイオンインプラ法、深い部分はデボクッション法の併
用により容易に形成することができる。
このような構成によれば、長波長入射光によりＰ形シリ
コン基板１の深い部分で発生するキヤ、リアも、短波長
入射光によりＰ形シリコン基板１の表面部分で発生する
キャリアも効率良く信号キャリアとすることができる。
コン基板１の深い部分で発生するキヤ、リアも、短波長
入射光によりＰ形シリコン基板１の表面部分で発生する
キャリアも効率良く信号キャリアとすることができる。
以上説明したように本発明によれば、可視光領域全てに
わたって入射光によって発生するキャリ３− アを同様に効率良く信号キャリアとし得ることができる
ので、バランスの良いクロマ出力が得られる固体撮像装
置を提供できるという極めて優れた効果が得られる。
わたって入射光によって発生するキャリ３− アを同様に効率良く信号キャリアとし得ることができる
ので、バランスの良いクロマ出力が得られる固体撮像装
置を提供できるという極めて優れた効果が得られる。
第１図は従来の固体撮像装置の一例を示す要部断面構成
図、第２図は本発明による固体撮像装置の一例を示す要
部断面構成図である。 １・・・・Ｐ形シリコン基板、２・・・・耐拡散層、３
・・・・フォトダイオード、４・・・・酸化膜、５ｒ・
・・・レッドカラーフィルタ、５ｇ・・・・グリーンカ
ラーフィルタ、５ｂ・・・・ブルーカラーフィルタ。 ４−
図、第２図は本発明による固体撮像装置の一例を示す要
部断面構成図である。 １・・・・Ｐ形シリコン基板、２・・・・耐拡散層、３
・・・・フォトダイオード、４・・・・酸化膜、５ｒ・
・・・レッドカラーフィルタ、５ｇ・・・・グリーンカ
ラーフィルタ、５ｂ・・・・ブルーカラーフィルタ。 ４−
Claims (1)
- シリコン基板の表面に形成されかつ入射光を電気信号に
変換させる複数のＰＮ接合部と、前記ＰＮ接合部上に配
置されかつ入射光の波長を限定する各色のカラーフィル
タとを具備してなる固体撮像装置において、前記各色カ
ラーフィルタが限定する入射光の波長に対応してＰＮ接
合部の接合深さを異ならせることにより、各波長の入射
光により発生したキャリアを効率良く信号として取り出
すことを特徴とした固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59100453A JPS60245165A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59100453A JPS60245165A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60245165A true JPS60245165A (ja) | 1985-12-04 |
Family
ID=14274330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59100453A Pending JPS60245165A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60245165A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62176356A (ja) * | 1986-01-30 | 1987-08-03 | Seiko Instr & Electronics Ltd | カラ−イメ−ジセンサ |
| US4804833A (en) * | 1985-09-06 | 1989-02-14 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Color sensing method and device therefor |
| KR20030052740A (ko) * | 2001-12-21 | 2003-06-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 각 원색에 적합한 포토다이오드를 갖는 이미지센서 |
| KR20040036087A (ko) * | 2002-10-23 | 2004-04-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 광의 파장에 따라 포토다이오드의 깊이가 다른 씨모스이미지센서 및 그 제조 방법 |
| CN100428486C (zh) * | 2004-08-31 | 2008-10-22 | 索尼株式会社 | 固态成像装置、相机模块以及电子设备模块 |
| CN100433347C (zh) * | 2004-03-31 | 2008-11-12 | 戴洛格半导体公司 | 同步曝光的红/绿像素及改进的调制传递函数 |
| WO2019124113A1 (ja) * | 2017-12-21 | 2019-06-27 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 電磁波処理装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54158121A (en) * | 1978-06-02 | 1979-12-13 | Hitachi Ltd | Solid state image pickup device |
-
1984
- 1984-05-21 JP JP59100453A patent/JPS60245165A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54158121A (en) * | 1978-06-02 | 1979-12-13 | Hitachi Ltd | Solid state image pickup device |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4804833A (en) * | 1985-09-06 | 1989-02-14 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Color sensing method and device therefor |
| JPS62176356A (ja) * | 1986-01-30 | 1987-08-03 | Seiko Instr & Electronics Ltd | カラ−イメ−ジセンサ |
| KR20030052740A (ko) * | 2001-12-21 | 2003-06-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 각 원색에 적합한 포토다이오드를 갖는 이미지센서 |
| KR20040036087A (ko) * | 2002-10-23 | 2004-04-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 광의 파장에 따라 포토다이오드의 깊이가 다른 씨모스이미지센서 및 그 제조 방법 |
| CN100433347C (zh) * | 2004-03-31 | 2008-11-12 | 戴洛格半导体公司 | 同步曝光的红/绿像素及改进的调制传递函数 |
| CN100428486C (zh) * | 2004-08-31 | 2008-10-22 | 索尼株式会社 | 固态成像装置、相机模块以及电子设备模块 |
| WO2019124113A1 (ja) * | 2017-12-21 | 2019-06-27 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 電磁波処理装置 |
| US11563045B2 (en) | 2017-12-21 | 2023-01-24 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Electromagnetic wave processing device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6632702B2 (en) | Color image sensor and method for fabricating the same | |
| KR100723137B1 (ko) | 포토다이오드 소자 및 이를 이용한 광센서용 포토다이오드어레이 | |
| US6548833B1 (en) | Color-optimized pixel array design | |
| US20050212045A1 (en) | Photo-detecting device | |
| KR20080061434A (ko) | 화합물 반도체 이미지 센서 | |
| CN107210309B (zh) | 具有白色像素和彩色像素的彩色图像传感器 | |
| US4318115A (en) | Dual junction photoelectric semiconductor device | |
| US3860956A (en) | Color target and method of manufacturing same | |
| JPS60245165A (ja) | 固体撮像装置 | |
| US5614950A (en) | CCD image sensor and method of preventing a smear phenomenon in the sensor | |
| CN109087926A (zh) | 图像传感器、电子装置及其制造方法 | |
| JPH0676926B2 (ja) | カラーフィルタ装置 | |
| KR100701582B1 (ko) | Ｃｍｏｓ 이미지센서용 적층형 포토다이오드 및 그 제조방법 | |
| JPH0416948B2 (ja) | ||
| JPS6116580A (ja) | 光検知半導体装置 | |
| JPS59178769A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS61183958A (ja) | 固体光検出装置 | |
| JPS63170959A (ja) | カラ−固体撮像装置 | |
| JPS6242426B2 (ja) | ||
| JPH0472664A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS5833373A (ja) | 半導体撮像装置 | |
| RU212107U1 (ru) | Мультиспектральный матричный фотоприемник | |
| KR101017696B1 (ko) | 이미지 감지 장치 및 이미지 신호 처리 방법 | |
| JPS57173273A (en) | Solid-state image pickup device | |
| JPS61114663A (ja) | 固体撮像装置 |